KR20140010002A - 땜납 플럭스의 제거를 위한 세척제 - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
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- C11D2111/22—
Abstract
본 발명은 응축된 물질로서 또는 물로 희석될 때 땜납 플럭스를 제거하는데 효과적인 조성물에 관한 것이다. 조성물은 로진 유형, 수지 유형, 비-세척(no-clean), 낮은 잔여물, 무-리드(lead-free), 유기 산 및 물 용해성의 땜납 플럭스를 포함하는 모든 유형의 땜납 플럭스를 제거하기 위해 효과적이다. 조성물은 트리프로필렌 글리콜 부틸 에테르 및 알칼리를 포함하고, 7.5보다 큰 pH를 갖는다. 조성물은 물품의 세척을 개선시키거나 다른 특성을 조성물에 제공하기 위해 추가의 선택적인 용매 및 첨가물을 포함할 수 있다. 조성물은 존재하는 제조 또는 처리 변수에 따라 다수의 조건 하에서 다수의 방식으로 세척될 표면과 접촉될 수 있다.
Description
본 발명은 조성물 및 땜납 플럭스를 제거하기 위한 방법에 관한 것이다.
땜납은 전자 부품들, 전자 조립체들, 및 전자 조립체들의 제조에 사용된 기기의 제조에 사용된다. 이것은 공교롭게도, 사용된 땜납의 유형에 상관없이, 땜납 플럭스의 증착을 초래한다. 이들 구성요소, 조립체 및 조립체의 제조에 사용된 기기의 임의의 것 및 전부는 나중에 오기능을 피하기 위해 본래 깨끗해야 한다.
본 발명에 따라, 조성물이 제공되는데, 이러한 조성물은 응축된 물질 또는 물로 희석된 물질로서 땜납 플럭스를 제거하기 위해 효과적이다. 조성물은, 단일 스테이지에서, 로진 유형, 수지 유형, 비-세척(no-clean), 낮은 잔여물, 무-리드(lead-free), 유기 산 및 물 용해성의 땜납 플럭스를 포함하는 모든 유형의 땜납 플럭스를 제거하기 위해 효과적이다. 조성물은 물 및 알코올과 같은 극성 린스제를 통해 우수한 세척 및 린스 특성을 나타낸다. 조성물은 트리프로필렌 글리콜 부틸 에테르(TPGBE) 및 알칼리를 포함하고, 적어도 약 7.5, 바람직하게 7.5보다 큰 pH를 갖는다. 선택적으로, 응축된 조성물은 TPGBE로 첨가된 2차 용매 시스템을 가질 수 있어서, 0.01 내지 99.99 중량%, 바람직하게 30 내지 99.99 중량%의 응축된 조성물 범위에서 용매의 총량을 제조한다.
이에 반해, 알칼리는 0.01 중량% 내지 70 중량%의 범위를 가질 수 있다. 선택적으로, 최대 10%, 바람직하게 최대 3%의 비-유기 계면 활성제가 응축된 조성물에 첨가될 수 있어서, 세척 효율에 도움을 준다. 선택적으로, 부식 방지제, 완충화제(buffering gent), 킬레이트제(chelating agent) 및/또는 금속 이온 봉쇄제(sequestrant)는 당업자에게 알려진 바와 같이 첨가될 수 있다. 응축된 조성물은 깨끗하게(100%로) 사용될 수 있거나 물로 희석될 수 있어서, 99.1 중량%의 조성물의 농도 내지 0.1 중량%의 응축된 조성물의 농도를 초래한다. 응축물의 희석은 다중 스타일의 세척 기계에서 사용되도록 할 것이다. 조성물의 농도는 땜납 플럭스를 용해, 제거 및 세척하는데 효과적인 양이다.
본 발명은 또한 단일 스테이지에서의 땜납 플럭스를 함유하는 기재를 본 발명의 조성물과 접촉시킴으로써 땜납 플럭스를 제거하는 방법을 구상한다. 이러한 정황에서, 기재는 임의의 전자 부품, 전자 조립체, 또는 전자 조립체의 제조에 사용된 기기로서 한정된다.
본 발명에 따라, TPGBE, 및 응축된 세척 조성물의 pH를 7.5보다 크게 하는 하나 이상의 알칼리제(alkaline agent)를 포함하는 새로운 세척 조성물이 구성된다. 선택적으로, 조성물은 당업자에게 알려진 바와 같이, 하나 이상의 추가 용매, 비-이온 표면 활성제, 부식 방지제, 킬레이트제 또는 금속 이온 봉쇄제, pH 완충화제, 또는 포밍(foaming) 특성을 변형시키는 약제를 포함한다. 이들 첨가물 각각은 최종 세척 조성물에 원하는 특성을 제공하기 위해 하나의 약제 또는 약제 혼합물을 포함할 수 있다. 응축된 조성물은 깨끗하게(100%로) 사용될 수 있거나 물로 희석될 수 있어서, 99.1 중량%의 조성물의 농도 내지 0.1 중량%의 응축된 조성물의 농도를 초래한다. 응축물의 희석은 다중 스타일의 세척 기계에서의 사용을 허용할 것이다. 조성물의 농도는 땜납 플럭스를 용해, 제거 및 세척하는데 효과적인 양이다.
본 발명의 또 다른 중요한 양상은, TPGBE가 1.0%의 물로 공비 혼합물(azeotrope)을 형성하는 것이다. 이것은, 심지어 환기가 통상적으로 용매 증발을 야기하는 액체 표면에 걸쳐 압력차를 생성하는 경우에도, 세척 공정 동안 증발로 인해 용매의 최소한의 손실을 초래한다.
본 발명은 적어도 약 7.5의 pH를 초래하는 TPGBE 및 충분한 양의 알칼리를 포함하는 응축된 액체 세척 조성물을 구상한다. 조성물은 0.1 내지 99.1 중량%의 농도로 물로 희석될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 조성물은 약 30 내지 약 99.99%의 농도로 물로 희석될 수 있다.
다른 실시예에서, 조성물은 상이한 플럭스 유형에 대해 상이한 용해도 파라미터를 제공하는 적어도 하나의 추가 2차 용매를 함유할 수 있다. 2차 용매 또는 용매들은 최대 90%, 바람직하게 최대 70%의 총량의 조성물에 있을 수 있다. 2차 용매 또는 용매들은 다음 중 하나 이상일 수 있다:
화학식 R1-O-(CxH2xO)n-H의 글리콜 에테르로서,
여기서 R1은 1내지 6의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고,
n은 1 내지 4의 정수이고,
x는 1 내지 4의 정수이고,
화학식 R2-OH의 알코올로서,
여기서 R2은 1 내지 8의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 테트라히드로푸르푸릴 기, 벤질 기 또는 히드로겐이고,
화학식 R3Npyrr의 N-알킬 피롤리돈으로서,
여기서, Npyrr은 피롤리돈 링을 나타내고,
R3은 1 내지 8의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고,
화학식 R4-O-OC-(CH2)k-CO-O-R4의 2염기성 에스테르로서,
여기서, R4은 메틸, 에틸, 또는 이소부틸이고,
k는 2 내지 4의 정수이다.
2차 용매는 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 메톡시 메틸 부탄올, 테트라히드로풀푸릴 알코올, 벤질 알코올, N-메틸 피롤리돈, N-에틸 피롤리돈, N-프로필 피롤리돈, N-옥틸 피롤리돈, 디메틸 아디페이트, 디메틸 수시네이트, 디메틸 글루타레이트, 디이소부틸 아디페이트, 디이소부틸 수시네이트 및 디이소부틸 글루타레이트로 구성되는 그룹으로부터 선택된다.
알칼리는 하나 이상의 아민, 이미드, 무기 히드록시드, 실리케이트, 또는 포스페이트이고, 0.01 내지 70 중량%의 양으로 존재한다.
바람직한 아민은 알카놀아민이다.
알카놀아민은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 아미노메틸프로판올, 메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 디글리콜아민, 메틸에탄올아민, 모노메틸에틸에탄올아민, 디메틸아미노프로필아민, 아미노프로필디에탄올아민, 이소프로필히드록실아민, 디메틸아미노 메틸 프로판올 및 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된다.
무기 염은 소듐 히드록시드, 포타슘 히드록시드, 소듐 실리케이트, 소듐 메타실리케이트, 포타슘 실리케이트, 소듐 포스페이트, 포타슘 포스페이트 및 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된다.
일실시예에서, 하나 이상의 표면 활성제는 세척 또는 처리를 개선시키기 위해 첨가된다. 표면 활성제가 비이온 계면 활성제인 것이 바람직하다. 일반적인 비이온 계면 활성제는 에틸렌 옥사이드로 중합화된 옥틸페놀로부터 생성된 TriotoTM X-100이다. 비이온 계면 활성제는 조성물의 10% 미만, 바람직하게 3% 미만의 양으로 첨가된다.
하나 이상의 부식 방지제는 호환성(compatibility)을 개선시키기 위해 조성물에 첨가될 수 있다. 바람직한 부식 방지제는 벤조트리아졸, 벤조트리아졸의 유도체, 물 용해성의 실리케이트, 및 포스포릭 산의 무기 염으로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 바람직한 부식 방지제는 메타실리케이트의 알칼리 염이다.
하나 이상의 완충화제는 pH 제어를 제공하기 위해 첨가될 수 있다. 바람직한 완충화제는 모노, 디 및 트리-카르복실 산으로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 바람직한 완충화제는 하나 이상의 2-히드록시프로판-1,2,3-트리카르복실 산, C3 내지 C20의 모노 카르복실 산, 포스포릭 산의 히드로겐 알칼리 염, 및 붕소 산이다. 완충화제는 적어도 7.5, 바람직하게 7.5보다 높게 pH를 유지시키기 위해 효과적인 농도로 첨가된다.
적어도 하나의 킬레이트제 또는 금속 봉쇄제가 조성물에 첨가될 수 있다. 바람직한 킬레이트제 또는 금속 봉쇄제는 에틸렌디아민에테트라아세틱 산(EDTA) 또는 그 염, 및 에틸렌디아민-N,N=-디수시닉 산 또는 그염이다.
본 발명의 다른 양상에서, 세척 분야의 당업자에게 알려진 방식으로 조성물을 이용한 단일 스테이지 워시(wash)를 포함하는 방법이 제공된다. 워시는 린스 스테이지 다음에 와서, 건조 스테이지가 후속하는 부분으로부터 조성물을 제거한다. 워시 및 린스는 침지(immersion) 하의 분무, 교반(agitation), 초음파, 담금(dipping), 텀블링(tumbling), 와이핑(wiping) 또는 침지에 의해 달성될 수 있다. 워시는 주변 온도에서 또는 조성물의 플래시 지점(flash point) 아래의 2℃만큼 낮게 수행될 수 있다.
몇몇 실시예는 다음 표 1에서 요약된다.
| 요구됨 | 100% 요구된 응축된 조성물에서 | 물에서 % 조성물 |
| A) 응축된 액체의 용매 시스템 함량 중량% | 30-99.99% | |
| 총 용매 시스템의 중량% 단위로서 트리프로필렌 글리콜 부틸 에테르(TPGBE) | 9-100% | |
| B) 응축된 액체의 알칼리 제 함량 중량% | .01-70% | |
| (A+B) 증류액에서 용매 시스템을 알칼리 제를 더한 것 중량% | 30.01-100.00% | 0.1 내지 100%(깨끗한) |
| 증류액에서의 선택적인 항목 중량% | 0.00-69.99% | |
| 용매 시스템의 중량% 단위로서의 선택적인 용매 | 0.00-91% | |
| 선택적인 표면 활성제 | 유효 주변 온도 | |
| 선택적인 비이온 계면 활성제 | < 3% | < 3% |
| 선택적인 부식 방지제 | 유효 주변 온도 | |
| 선택적인 완충화제 | 유효 주변 온도 | |
| 선택적인 킬레이터 금속 이온 봉쇄제 | 유효 주변 온도 | |
| 요구된 pH | > 7.5 | > 7.5 |
본 발명의 조성물 및 방법의 바람직한 실시예는 본 발명의 범주를 한정하도록 구성되지 않아야 하는 다음 예에서 구체적으로 설명된다. 달리 언급되지 않으면, 모든 부분 및 백분율은 중량%로서 주어진다.
본 발명은 단일 스테이지에서의 땜납 플럭스를 함유하는 기재를 본 발명의 조성물과 접촉시킴으로써 땜납 플럭스를 제거하는 방법에 효과적이다.
예 1
물에서의 TPGBE의 용액은 0.5 중량%, 1.0중량 %, 및 3.0중량%의 TPGBE로 제조되었다. 이들 용액은 스니더 컬럼(Snyder column), 증류액을 스니더 컬럼을 통해 끓는 플라스크로, 또는 샘플링 포트로 복귀시킬 수 있는 응축기를 이용하여 증류된다. 증류액의 다음의 샘플이 취해졌다: 먼저, 응축하기 위해 증류되고, 15분의 리플럭스(reflux) 이후에 증류되고, 30분의 리플럭스 이후에 증류된다. TPGBE의 농도는 2개의 독립적인 방법을 통해 시간에 따른 각 지점에서 감시되었다. 시간에 따른 모든 지점에서 모든 초기 TPGBE 농도에 대한 증류액에서의 TPGBE의 농도는 1.0 중량당 ∀0.2 중량%(95% 신뢰 구간)이었다. 이것은, TPGBE가 1.0%에서 공비 혼합물을 형성한다는 것을 나타낸다.
응축된 세척제는 균형을 포함하는 물을 이용하여, 82.0%의 TPGBE, 15.90% 2-아미노에탄올, 0.1%의 시트릭 산, 2.2%의 트리톤 X-100, 0.2%의 디소듐 EDTA, C3 내지 C20 모노 카르복실 산 및/또는 알칼리 금속 염으로 구성된 2.4%의 완충화제의 조성물로 조직화되었다. 깨끗한 세척제의 pH는 11.5였다.
예 3
예 2에 기재된 응축된 세척제는 물로 희석되어, 5.0 중량%의 응축된 세척제, 및 95.0 중량%의 물로 구성된 용액을 생성하였다. 이러한 희석된 조성물은 공기 세척 기계에서 인라인(inline) 분무에 위치되었다. 전자 조립체는 물 용해성(WS), 로진의 부드러운 활성화된(RMA), 로진 활성화된(RA) 플럭스, 및 비 세척(NC) 유형의 땜납 플럭스로 구성되었다. 이들 전자 조립체는 그런 후에 약 65.6E C(150E F)에서 대략 4분 동안 공기 공정에서 분무를 이용하여 희석된 세척제에서 세척되었다. 세척 이후에, 전자 조립체는 시각적 검사를 이용하여 제거된 플럭스의 백분율로 평가되었다. 대부분의 전자 조립체는 완전한(100%) 플럭스 제거를 갖는다.
예 4
예 2에 기재된 응축된 세척제는 물로 8 중량%로 희석되었다. 예 3에 기재된 동일한 유형의 회로 조립체는 예 3에서와 정확히 동일한 방식으로, 하지만 약 49E C(120E F), 약 54.4E C(130E F), 60E C(140E f), 및 약 65.5E c(150E F)의 온도에서 세척되었다. 희석된 세척제의 세척 성능은 모든 온도에서 우수하였다.
예 5
응축된 세척제는 균형을 포함하는 물을 이용하여, 38.1% TPGBE, 37.9% 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르(DPnP), 14.6% 2-아미노에탄올, 0.1% 시트릭 산, 1.8% 트리톤 X-100, 0.4% 디소듐 EDTA, C3 내지 C20 모노 카르복실 산 및/또는 알칼리 금속 염으로 구성된 2.0%의 완충화제의 조성물로 조직화되었다. 깨끗한 세척제의 pH는 11.4였다.
예 6
예 5에 기재된 응축된 세척제는 물로 8 중량%로 희석되었다. 예 4에 기재된 동일한 유형의 회로 조립체는 예 4에서와 정확히 동일한 방식으로 세척되었다. 희석된 세척제의 세척 성능은 모든 온도에서 우수하였다.
예 7
응축된 세척제는 균형을 포함하는 물을 이용하여, 9.0% TPGBE, 64.5% 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르(DPnP), 15.9% 2-아미노에탄올, 0.2% 시트릭 산, 2.2% 트리톤 X-100, 0.4% 디소듐 EDTA, C3 내지 C20 모노 카르복실 산 및/또는 알칼리 금속 염으로 구성된 2.5%의 완충화제의 조성물로 조직화되었다. 깨끗한 세척제의 pH는 11.3이였다.
예 8
예 7에 기재된 응축된 세척제는 물로 8 중량%로 희석되었다. 예 4에 기재된 동일한 유형의 회로 조립체는 예 4에서와 정확히 동일한 방식으로 세척되었다. 희석된 세척제의 세척 성능은 모든 온도에서 우수하였다. 희석된 세척제의 세척 성능은 모든 온도에서 우수하였다.
예 9
응축된 세척제는 균형을 포함하는 물을 이용하여, 64.8% TPGBE, 9.0% 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르(DPnP), 16.0% 2-아미노에탄올, 0.1% 시트릭 산, 2.1% 트리톤 X-100, 0.2% 디소듐 EDTA, C3 내지 C20 모노 카르복실 산 및/또는 알칼리 금속 염으로 구성된 2.4%의 완충화제의 조성물로 조직화되었다. 깨끗한 세척제의 pH는 11.4이였다.
예 10
예 9에 기재된 응축된 세척제는 물로 8 중량%로 희석되었다. 예 4에 기재된 동일한 유형의 회로 조립체는 예 4에서와 정확히 동일한 방식으로 세척되었다. 희석된 세척제의 세척 성능은 모든 온도에서 우수하였다. 희석된 세척제의 세척 성능은 모든 온도에서 우수하였다.
본 발명의 다양한 변형 및 변경은 본 발명의 사상 및 범주에서 벗어나지 않고도 당업자에게 명백할 것이다. 달리 언급되지 않으면, 다음 청구항에서의 모든 부분 및 백분율은 중량%로 주어진다.
Claims (28)
- 땜납 플럭스를 위한 조성물로서,
트리프로필렌 글리콜 부틸 에테르 및 알칼리를 포함하고, 적어도 약 7.5의 pH를 갖고, 단일 워싱(wahsing) 스테이지에서 상기 땜납 플럭스를 제거하는데 효과적인 것을 특징으로 하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물. - 제 1항에 있어서, 물을 더 포함하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 물은 약 99.9% 내지 약 0.1%의 양으로 존재하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 2차 용매를 더 포함하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 2차 용매는 최대 약 90%의 양으로 존재하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 2차 용매는,
화학식 R1-O-(CxH2xO)n-H의 글리콜 에테르로서,
여기서 R1은 1내지 6의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고,
n은 1 내지 4의 정수이고,
x는 1 내지 4의 정수인, 화학식 R1-O-(CxH2xO)n-H의 글리콜 에테르와;
화학식 R2-OH의 알코올로서,
여기서 R2은 1 내지 8의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 테트라히드로푸르푸릴 기, 벤질 기 또는 히드로겐인, 화학식 R2-OH의 알코올과;
화학식 R3Npyrr의 N-알킬 피롤리돈으로서,
여기서, Npyrr은 피롤리돈 링을 나타내고,
R3은 1 내지 8의 탄소 원자를 갖는 알킬기인, 화학식 R3Npyrr의 N-알킬 피롤리돈과;
화학식 R4-O-OC-(CH2)k-CO-O-R4의 2염기성 에스테르로서,
여기서, R4은 메틸, 에틸, 또는 이소부틸이고,
k는 2 내지 4의 정수인, 화학식 R4-O-OC-(CH2)k-CO-O-R4의 2염기성 에스테르로 구성된 그룹의 멤버인, 땜납 플럭스를 위한 조성물. - 제 6항에 있어서, 상기 2차 용매는 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 메톡시 메틸 부탄올, 테트라히드로풀푸릴 알코올, 벤질 알코올, 물, N-메틸 피롤리돈, N-에틸 피롤리돈, N-프로필 피롤리돈, N-옥틸 피롤리돈, 디메틸 아디페이트, 디메틸 수시네이트, 디메틸 글루타레이트, 디이소부틸 아디페이트, 디이소부틸 수시네이트 및 디이소부틸 글루타레이트와 그 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 알칼리는 하나 이상의 아민, 이미드, 또는 무기 알칼라인 염, 실리케이트, 또는 포스페이트이고, 0.01 내지 70 중량%의 양으로 존재하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 8항에 있어서, 상기 아민은 알카놀아민인, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 9항에 있어서, 알카놀아민은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 아미노메틸프로판올, 메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 디글리콜아민, 메틸에탄올아민, 모노메틸에틸에탄올아민, 디메틸아미노프로필아민, 아미노프로필디에탄올아민, 이소프로필히드록실아민, 디메틸아미노 메틸 프로판올 및 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 8항에 있어서, 무기 알칼라인 염은 소듐 히드록시드, 포타슘 히드록시드, 소듐 실리케이트, 소듐 메타실리케이트, 포타슘 실리케이트, 소듐 포스페이트, 포타슘 포스페이트 및 이들의 조합 및 그 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 트리프로필렌 글리콜 부틸 에테르는 0.1% 내지 99.99%의 농도로 존재하고, 상기 알칼리는 0.01% 내지 90.00%의 농도로 존재하여, 이를 통해 pH를 7.5보다 크게 하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 비이온 표면 활성제를 더 포함하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 13항에 있어서, 상기 비이온 표면 활성제는 최대 약 10%의 양으로 존재하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 14항에 있어서, 상기 비이온 표면 활성제는 최대 약 3%의 양으로 존재하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 부식 방지제를 더 포함하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 16항에 있어서, 상기 부식 방지제는 벤조트리아졸, 벤조트리아졸의 유도체, 물 용해성의 실리케이트, 및 포스포릭 산의 무기 염, 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 17항에 있어서, 상기 부식 방지제는 메타실리케이트의 알칼리 염인, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 완충화제를 더 포함하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 19항에 있어서, 상기 완충화제는 모노, 디 및 트리-카르복실 산, 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 20항에 있어서, 상기 완충화제는 하나 이상의 2-히드록시프로판-1,2,3-트리카르복실 산, C3 내지 C20의 모노 카르복실 산, 포스포릭 산의 히드로겐 알칼리 염, 및 붕소 산인, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 19항에 있어서, 상기 완충화제는 pH를 적어도 7.5로 유지하기 위해 효과적인 농도로 존재하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 22항에 있어서, 상기 완충화제는 pH를 7.5보다 높게 유지하기 위해 효과적인 농도로 존재하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 적어도 하나의 킬레이트제 또는 금속 이온 봉쇄제를 더 포함하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 24항에 있어서, 상기 킬레이트제 또는 금속 이온 봉쇄제는 에틸렌디아민에테트라아세틱 산 또는 그 염, 및 에틸렌디아민-N,N=-디수시닉 산 또는 그 염 및 그 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 포밍 변형제(foaming modifying agent)를 더 포함하는, 땜납 플럭스를 위한 조성물.
- 기재로부터 땜납 플럭스를 제거하는 방법으로서,
상기 땜납 플럭스를 제거하는데 충분한 온도 및 접촉 시간에서 단일 워싱 스테이지에서 제 1항의 조성물과 상기 기재를 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기재로부터 땜납 플럭스를 제거하는 방법. - 제 27항에 있어서, 상기 워싱 스테이지에 후속하여, 린스(rinsing) 스테이지 및 건조 스테이지가 오는, 기재로부터 땜납 플럭스를 제거하는 방법.
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