JPWO2020080327A1 - 撮像素子および電子機器 - Google Patents
撮像素子および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020080327A1 JPWO2020080327A1 JP2020553169A JP2020553169A JPWO2020080327A1 JP WO2020080327 A1 JPWO2020080327 A1 JP WO2020080327A1 JP 2020553169 A JP2020553169 A JP 2020553169A JP 2020553169 A JP2020553169 A JP 2020553169A JP WO2020080327 A1 JPWO2020080327 A1 JP WO2020080327A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- substrate
- photoelectric conversion
- transistor
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 384
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 127
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 104
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 72
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 72
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 50
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 41
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 39
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 55
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 55
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 11
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 4
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 208000005646 Pneumoperitoneum Diseases 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003187 abdominal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 210000004400 mucous membrane Anatomy 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
1.撮像素子の概略構成例
2.第1の実施形態(撮像素子の構成例)
3.第2の実施形態(撮像素子の構成例)
4.第3の実施形態(撮像素子の構成例)
5.第4の実施形態(撮像素子の構成例)
6.第5の実施形態(撮像素子の構成例)
7.第6の実施形態(撮像素子の構成例)
8.第7の実施形態(電子機器の構成例)
9.変形例
10.適用例
11.応用例
図1は、本開示の各実施形態に適用される撮像素子1の概略構成の一例を示す図である。撮像素子1は、受光した光を電気信号に変換して画素信号として出力する。この例では、撮像素子1はCMOSイメージセンサとして構成されている。
(撮像素子の構成例)
次に、第1の実施形態に係る撮像素子1の構成を製造方法とともに説明する。
(撮像素子の構成例)
次に、第2の実施形態に係る撮像素子の構成の一例を説明する。なお、本実施形態に係る撮像素子の基本的な構成は上述の第1の実施形態に係る撮像素子1と同じであるので、上述の第1の実施形態との相違点のみを説明する。相違点以外の構成は上述の第1の実施形態と同様である。
(撮像素子の構成例)
次に、第3の実施形態に係る撮像素子の構成の一例を説明する。なお、本実施形態に係る撮像素子の基本的な構成は上述の第1の実施形態に係る撮像素子1と同じであるので、上述の第1の実施形態との相違点のみを説明する。相違点以外の構成は上述の第1の実施形態と同様である。
(撮像素子の構成例)
次に、第4の実施形態に係る撮像素子の構成の一例を説明する。なお、本実施形態に係る撮像素子の基本的な構成は上述の第1の実施形態に係る撮像素子1と同じであるので、上述の第1の実施形態との相違点のみを説明する。相違点以外の構成は上述の第1の実施形態と同様である。
(撮像素子の構成例)
次に、第5の実施形態に係る撮像素子の構成の一例を説明する。なお、本実施形態に係る撮像素子の基本的な構成は上述の第1の実施形態に係る撮像素子1と同じであるので、上述の第1の実施形態との相違点のみを説明する。相違点以外の構成は上述の第1の実施形態と同様である。
(撮像素子の構成例)
次に、第6の実施形態に係る撮像素子の構成の一例を説明する。なお、本実施形態に係る撮像素子の基本的な構成は上述の第1の実施形態に係る撮像素子1と同じであるので、上述の第1の実施形態との相違点のみを説明する。相違点以外の構成は上述の第1の実施形態と同様である。
(電子機器の構成例)
上述の各実施形態で説明した撮像素子は、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯電話機などの各種携帯端末機器、プリンター等の電子機器に適用することができる。図38は、本開示の撮像素子を適用した電子機器の一例であるカメラ1000の構成例を示す図である。このカメラ1000は、静止画または動画を撮影可能なビデオカメラを例としたものである。
以下に、上記撮像素子1の変形例について説明する。
上記各実施形態では、共有単位の画素数は4つであるが、これに限らず、共有単位の画素数は任意に変更可能である。例えば図39および図40に示すように、共有単位の画素数は2つであってもよい。つまり、第2基板20は、2つのセンサ画素12ごとに読み出し回路22を有する形態であってもよい。図39には、図2に記載のセンサ画素12および読み出し回路22の一変形例が示されている。図40には、図3に記載のセンサ画素12および読み出し回路22の一変形例が示されている。
図43は、上記撮像素子1の垂直方向の断面構成の一変形例を表すものである。本変形例では、第2基板20と第3基板30との電気的な接続が、第1基板10における周辺領域14と対向する領域でなされている。周辺領域14は、第1基板10の額縁領域に相当しており、画素領域13の周縁に設けられている。本変形例では、第2基板20は、周辺領域14と対向する領域に、複数のパッド電極58を有しており、第3基板30は、周辺領域14と対向する領域に、複数のパッド電極64を有している。第2基板20および第3基板30は、周辺領域14と対向する領域に設けられたパッド電極58,64同士の接合によって、互いに電気的に接続されている。
図44、図45は、上記撮像素子1の水平方向の断面構成の一変形例を表すものである。図44、図45の上側の図は、図7の断面Sec1での断面構成の一変形例であり、図23の下側の図は、図7の断面Sec2での断面構成の一変形例である。なお、図44、図45の上側の断面図では、図7の断面Sec1での断面構成の一変形例を表す図に、図7の半導体基板11の表面構成の一変形例を表す図が重ね合わされるとともに、絶縁層240が省略されている。また、図44、図45の下側の断面図では、図7の断面Sec2での断面構成の一変形例を表す図に、半導体基板303の表面構成の一変形例を表す図が重ね合わされている。
図46は、上記撮像素子1の水平方向の断面構成の一変形例を表すものである。図46には、図12の断面構成の一変形例が示されている。
図47は、上記撮像素子1の水平方向の断面構成の一変形例を表すものである。図47には、図46の断面構成の一変形例が示されている。
図48は、上記撮像素子1の水平方向の断面構成の一例を表したものである。図48には、図12の断面構成の一変形例が示されている。
図51は、変形例に係る撮像素子1の回路構成の一例を表したものである。本変形例に係る撮像素子1は、列並列ADC搭載のCMOSイメージセンサである。
図52は、図51の撮像素子1を3つの基板(第1基板10,第2基板20,第3基板30)を積層して構成した例を表す。本変形例では、第1基板10において、中央部分に、複数のセンサ画素12を含む画素領域13が形成されており、画素領域13の周囲に垂直駆動回路33が形成されている。また、第2基板20において、中央部分に、複数の読み出し回路22を含む読み出し回路領域15が形成されており、読み出し回路領域15の周囲に垂直駆動回路33が形成されている。第3基板30において、カラム信号処理回路34、水平駆動回路35、システム制御回路36、水平出力線37および参照電圧供給部38が形成されている。これにより、上記実施形態およびその変形例と同様、基板同士を電気的に接続する構造に起因して、チップサイズが大きくなったり、1画素あたりの面積の微細化を阻害したりしてしまうことがない。その結果、今までと同等のチップサイズで、1画素あたりの面積の微細化を阻害することのない3層構造の撮像素子1を提供することができる。なお、垂直駆動回路33は、第1基板10のみに形成されても、第2基板20のみに形成されてもよい。
図53は、本変形例に係る撮像素子1の断面構成の一変形例を表す。上記第1の実施形態およびその変形例では、撮像素子1は、3つの基板(第1基板10,第2基板20,第3基板30)を積層して構成されていた。しかし、上記第1の実施形態およびその変形例において、撮像素子1が、2つの基板(第1基板10,第2基板20)を積層して構成されていてもよい。このとき、ロジック回路32は、例えば、図53に示したように、第1基板10と、第2基板20とに分けて形成されている。ここで、ロジック回路32のうち、第1基板10側に設けられた回路32Aでは、高温プロセスに耐え得る材料(例えば、high−k)からなる高誘電率膜とメタルゲート電極とが積層されたゲート構造を有するトランジスタが設けられている。一方、第2基板20側に設けられた回路32Bでは、ソース電極およびドレイン電極と接する不純物拡散領域の表面に、CoSi2やNiSiなどのサリサイド(Self Aligned Silicide)プロセスを用いて形成されたシリサイドからなる低抵抗領域26が形成されている。シリサイドからなる低抵抗領域は、半導体基板の材料と金属との化合物で形成されている。これにより、センサ画素12を形成する際に、熱酸化などの高温プロセスを用いることができる。また、ロジック回路32のうち、第2基板20側に設けられた回路32Bにおいて、ソース電極およびドレイン電極と接する不純物拡散領域の表面に、シリサイドからなる低抵抗領域26を設けた場合には、接触抵抗を低減することができる。その結果、ロジック回路32での演算速度を高速化することができる。
図55は、上記撮像素子1を備えた撮像システム2の概略構成の一例を表したものである。
[応用例1]
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図59は、本開示に係る技術(本技術)が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
(1)
複数の光電変換素子が形成される第1の基板と、
2以上の前記光電変換素子を単位とする組ごとに、該組が共有する画素トランジスタが形成される第2の基板と、
前記第1の基板に形成される複数の要素のうち、それぞれが前記光電変換素子ごとに形成される複数の第1の要素を、該複数の第1の要素が共有する第2の要素に繋がる配線であって前記第2の基板に形成される第1の配線に対して、1つのコンタクトで接続するための第2の配線と、を備える、
撮像素子。
(2)
前記第2の配線は、
2以上の前記光電変換素子の集合ごとに、
該集合に含まれる2以上の前記光電変換素子と1対1に対応する複数の前記第1の要素が接続され、該複数の前記第1の要素が共有する前記第2の要素に繋がる前記第1の配線に対して1つのコンタクトで接続される、
(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記第2の配線は、前記第2の基板よりも光入射面側に配置される、
(1)または(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記第1の基板には、前記光電変換素子ごとに、前記光電変換素子から出力される電気信号を前記画素トランジスタへ転送するための転送トランジスタが形成され、
前記第2の基板には、1以上の前記組ごとに、該組に含まれる2以上の前記転送トランジスタの各々から転送された電気信号を増幅して出力する1つの増幅トランジスタを少なくとも含む前記画素トランジスタが形成され、
前記第1の要素は、前記転送トランジスタの出力端子側を含み、
前記第2の要素は、前記増幅トランジスタのゲートを含む、
(1)〜(3)の何れか1つに記載の撮像素子。
(5)
前記転送トランジスタの出力端子側は、前記光電変換素子から出力される電気信号を一時的に保持するフローティングディフュージョンである、
(4)に記載の撮像素子。
(6)
前記転送トランジスタはN型のトランジスタであり、
前記第2の配線はP型のポリシリコンで形成される、
(4)または(5)に記載の撮像素子。
(7)
前記第1の要素は、前記光電変換素子に接続される電極を含み、
前記第2の要素は、基準電位が供給される基準電位線を含み、
前記電極はP型のポリシリコンで形成され、
複数の前記電極を、前記基準電位線に繋がる前記第1の配線に対して1つのコンタクトで接続するための前記第2の配線は、N型のポリシリコンで形成される、
(6)に記載の撮像素子。
(8)
前記転送トランジスタはP型のトランジスタであり、
前記第2の配線はN型のポリシリコンで形成される、
(4)に記載の撮像素子。
(9)
前記第1の要素は、前記光電変換素子に接続される電極を含み、
前記第2の要素は、基準電位が供給される基準電位線を含み、
前記電極はN型のポリシリコンで形成され、
複数の前記電極を、前記基準電位線に繋がる前記第1の配線に対して1つのコンタクトで接続するための前記第2の配線は、P型のポリシリコンで形成される、
(8)に記載の撮像素子。
(10)
前記第1の要素は、前記光電変換素子に接続される電極を含み、
前記第2の要素は、基準電位が供給される基準電位線を含む、
(1)〜(4)の何れか1つに記載の撮像素子。
(11)
前記第2の配線はタングステンを含んで形成される、
(1)〜(4)および(10)のうちの何れか1つに記載の撮像素子。
(12)
前記第2の配線は、前記第2の基板の第1の半導体領域と前記第2の基板の第2の半導体領域との間に形成された絶縁領域内に配置される、
(1)、(2)、(4)〜(11)のうちの何れか1つに記載の撮像素子。
(13)
前記第2の配線は、前記第2の要素と前記第1の配線との間に配置される、
(1)、(2)、(4)〜(11)のうちの何れか1つに記載の撮像素子。
(14)
撮像素子と、
前記撮像素子へ入射光を導くための光学系と、
前記撮像素子から出力される信号を処理する処理部と、を備え、
前記撮像素子は、
複数の光電変換素子が形成される第1の基板と、
2以上の前記光電変換素子を単位とする組ごとに、該組が共有する画素トランジスタが形成される第2の基板と、
前記第1の基板に形成される複数の要素のうち、それぞれが前記光電変換素子ごとに形成される複数の第1の要素を、該複数の第1の要素が共有する第2の要素に繋がる配線であって前記第2の基板に形成される第1の配線に対して、1つのコンタクトで接続するための第2の配線と、を備える、
電子機器。
(15)
第1の光電変換素子と第2の光電変換素子が形成された第1の基板と、
前記第1の基板に形成され、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された第1の配線と、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された画素トランジスタが形成された第2の基板と、
前記第2の基板に形成された第2の配線と、
前記第1の基板と前記第2の基板を貫通するように形成され、かつ、前記第1の配線および前記第2の配線と接続された第3の配線と、を備える、
撮像素子。
(16)
前記画素トランジスタは、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタの少なくともいずれか1つを有する、
(15)に記載の撮像素子。
(17)
前記第1の基板は、前記第1の光電変換素子に接続された第1の転送トランジスタと、前記第2の光電変換素子に接続された第2の転送トランジスタとを有する、
(15)または(16)に記載の撮像素子。
(18)
前記第1の配線は、前記第1の転送トランジスタと接続された第1のフローティングディフュージョン領域と、前記第2の転送トランジスタと接続された第2のフローティングディフュージョン領域とに接続された、
(17)に記載の撮像素子。
(19)
前記第2の基板に積層され、前記第1の光電変換素子または前記第2の光電変換素子で生成された信号を処理するロジック回路を有する第3の基板を備えた、
(18)に記載の撮像素子。
(20)
撮像素子と、
前記撮像素子へ入射光を導くための光学系と、
前記撮像素子から出力される信号を処理する処理部と、を備え、
前記撮像素子は、
第1の光電変換素子と第2の光電変換素子が形成された第1の基板と、
前記第1の基板に形成され、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された第1の配線と、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された画素トランジスタが形成された第2の基板と、
前記第2の基板に形成された第2の配線と、
前記第1の基板と前記第2の基板を貫通するように形成され、かつ、前記第1の配線および前記第2の配線と接続された第3の配線と、を備える、
電子機器。
Claims (20)
- 複数の光電変換素子が形成される第1の基板と、
2以上の前記光電変換素子を単位とする組ごとに、該組が共有する画素トランジスタが形成される第2の基板と、
前記第1の基板に形成される複数の要素のうち、それぞれが前記光電変換素子ごとに形成される複数の第1の要素が共有する第2の要素に繋がる配線であって、前記第2の基板に形成される第1の配線に対して、1つのコンタクトで接続され、かつ、該複数の第1の要素が接続される第2の配線と、を備える、
撮像素子。 - 前記第2の配線は、
2以上の前記光電変換素子の集合ごとに、
該集合に含まれる2以上の前記光電変換素子と1対1に対応する複数の前記第1の要素が接続され、該複数の前記第1の要素が共有する前記第2の要素に繋がる前記第1の配線に対して1つのコンタクトで接続される、
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2の配線は、前記第2の基板よりも光入射面側に配置される、
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の基板には、前記光電変換素子ごとに、前記光電変換素子から出力される電気信号を前記画素トランジスタへ転送するための転送トランジスタが形成され、
前記第2の基板には、1以上の前記組ごとに、該組に含まれる2以上の前記転送トランジスタの各々から転送された電気信号を増幅して出力する1つの増幅トランジスタを少なくとも含む前記画素トランジスタが形成され、
前記第1の要素は、前記転送トランジスタの出力端子側を含み、
前記第2の要素は、前記増幅トランジスタのゲートを含む、
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記転送トランジスタの出力端子側は、前記光電変換素子から出力される電気信号を一時的に保持するフローティングディフュージョンである、
請求項4に記載の撮像素子。 - 前記転送トランジスタはN型のトランジスタであり、
前記第2の配線はP型のポリシリコンで形成される、
請求項4に記載の撮像素子。 - 前記第1の要素は、前記光電変換素子に接続される電極を含み、
前記第2の要素は、基準電位が供給される基準電位線を含み、
前記電極はP型のポリシリコンで形成され、
複数の前記電極を、前記基準電位線に繋がる前記第1の配線に対して1つのコンタクトで接続するための前記第2の配線は、N型のポリシリコンで形成される、
請求項6に記載の撮像素子。 - 前記転送トランジスタはP型のトランジスタであり、
前記第2の配線はN型のポリシリコンで形成される、
請求項4に記載の撮像素子。 - 前記第1の要素は、前記光電変換素子に接続される電極を含み、
前記第2の要素は、基準電位が供給される基準電位線を含み、
前記電極はN型のポリシリコンで形成され、
複数の前記電極を、前記基準電位線に繋がる前記第1の配線に対して1つのコンタクトで接続するための前記第2の配線はP型のポリシリコンで形成される、
請求項8に記載の撮像素子。 - 前記第1の要素は、前記光電変換素子に接続される電極を含み、
前記第2の要素は、基準電位が供給される基準電位線を含む、
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2の配線はタングステンを含んで形成される、
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2の配線は、前記第2の基板の第1の半導体領域と前記第2の基板の第2の半導体領域との間に形成された絶縁領域内に配置される、
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2の配線は、前記第2の要素と前記第1の配線との間に配置される、
請求項1に記載の撮像素子。 - 撮像素子と、
前記撮像素子へ入射光を導くための光学系と、
前記撮像素子から出力される信号を処理する処理部と、を備え、
前記撮像素子は、
複数の光電変換素子が形成される第1の基板と、
2以上の前記光電変換素子を単位とする組ごとに、該組が共有する画素トランジスタが形成される第2の基板と、
前記第1の基板に形成される複数の要素のうち、それぞれが前記光電変換素子ごとに形成される複数の第1の要素を、該複数の第1の要素が共有する第2の要素に繋がる配線であって前記第2の基板に形成される第1の配線に対して、1つのコンタクトで接続するための第2の配線と、を備える、
電子機器。 - 第1の光電変換素子と第2の光電変換素子が形成された第1の基板と、
前記第1の基板に形成され、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された第1の配線と、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された画素トランジスタが形成された第2の基板と、
前記第2の基板に形成された第2の配線と、
前記第1の基板と前記第2の基板を貫通するように形成され、かつ、前記第1の配線および前記第2の配線と接続された第3の配線と、を備える、
撮像素子。 - 前記画素トランジスタは、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタの少なくともいずれか1つを有する、
請求項15に記載の撮像素子。 - 前記第1の基板は、前記第1の光電変換素子に接続された第1の転送トランジスタと、前記第2の光電変換素子に接続された第2の転送トランジスタとを有する、
請求項15に記載の撮像素子。 - 前記第1の配線は、前記第1の転送トランジスタと接続された第1のフローティングディフュージョン領域と、前記第2の転送トランジスタと接続された第2のフローティングディフュージョン領域とに接続された、
請求項17に記載の撮像素子。 - 前記第2の基板に積層され、前記第1の光電変換素子または前記第2の光電変換素子で生成された信号を処理するロジック回路を有する第3の基板を備えた、
請求項18に記載の撮像素子。 - 撮像素子と、
前記撮像素子へ入射光を導くための光学系と、
前記撮像素子から出力される信号を処理する処理部と、を備え、
前記撮像素子は、
第1の光電変換素子と第2の光電変換素子が形成された第1の基板と、
前記第1の基板に形成され、前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された第1の配線と、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とに接続された画素トランジスタが形成された第2の基板と、
前記第2の基板に形成された第2の配線と、
前記第1の基板と前記第2の基板を貫通するように形成され、かつ、前記第1の配線および前記第2の配線と接続された第3の配線と、を備える、
電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018195638 | 2018-10-17 | ||
JP2018195638 | 2018-10-17 | ||
PCT/JP2019/040372 WO2020080327A1 (ja) | 2018-10-17 | 2019-10-15 | 撮像素子および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020080327A1 true JPWO2020080327A1 (ja) | 2021-09-16 |
JP7472032B2 JP7472032B2 (ja) | 2024-04-22 |
Family
ID=70283447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020553169A Active JP7472032B2 (ja) | 2018-10-17 | 2019-10-15 | 撮像素子および電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210343776A1 (ja) |
EP (1) | EP3869563A4 (ja) |
JP (1) | JP7472032B2 (ja) |
KR (1) | KR20210075075A (ja) |
CN (1) | CN112689900A (ja) |
TW (1) | TW202029487A (ja) |
WO (1) | WO2020080327A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022049487A (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-29 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2022092536A (ja) * | 2020-12-10 | 2022-06-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
WO2024024269A1 (ja) * | 2022-07-26 | 2024-02-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100782463B1 (ko) * | 2005-04-13 | 2007-12-05 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 |
JP2007228460A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
JP5985136B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
KR101648200B1 (ko) * | 2009-10-22 | 2016-08-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP5500007B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-05-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
CN111223881B (zh) * | 2012-03-30 | 2023-04-21 | 株式会社尼康 | 拍摄元件以及拍摄装置 |
US9774801B2 (en) * | 2014-12-05 | 2017-09-26 | Qualcomm Incorporated | Solid state image sensor with enhanced charge capacity and dynamic range |
US10014333B2 (en) * | 2015-08-26 | 2018-07-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Back-side illuminated pixels with interconnect layers |
-
2019
- 2019-10-14 TW TW108136925A patent/TW202029487A/zh unknown
- 2019-10-15 KR KR1020217008366A patent/KR20210075075A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-10-15 EP EP19874154.8A patent/EP3869563A4/en active Pending
- 2019-10-15 JP JP2020553169A patent/JP7472032B2/ja active Active
- 2019-10-15 CN CN201980059496.0A patent/CN112689900A/zh active Pending
- 2019-10-15 WO PCT/JP2019/040372 patent/WO2020080327A1/ja unknown
- 2019-10-15 US US17/284,699 patent/US20210343776A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3869563A4 (en) | 2022-01-26 |
CN112689900A (zh) | 2021-04-20 |
TW202029487A (zh) | 2020-08-01 |
US20210343776A1 (en) | 2021-11-04 |
JP7472032B2 (ja) | 2024-04-22 |
KR20210075075A (ko) | 2021-06-22 |
WO2020080327A1 (ja) | 2020-04-23 |
EP3869563A1 (en) | 2021-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI806909B (zh) | 攝像裝置 | |
JP2020096225A (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
JP7399105B2 (ja) | 固体撮像素子および映像記録装置 | |
WO2020170936A1 (ja) | 撮像装置 | |
WO2020189534A1 (ja) | 撮像素子および半導体素子 | |
WO2020090403A1 (ja) | 固体撮像素子および撮像装置 | |
WO2020100577A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
WO2021100579A1 (ja) | 撮像素子および撮像素子の製造方法 | |
JPWO2020044943A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2020179494A1 (ja) | 半導体装置および撮像装置 | |
JP7472032B2 (ja) | 撮像素子および電子機器 | |
WO2020241717A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2020189473A1 (ja) | 撮像装置および撮像装置の製造方法ならびに半導体装置 | |
WO2022172711A1 (ja) | 光電変換素子および電子機器 | |
WO2020129712A1 (ja) | 撮像装置 | |
WO2022014400A1 (ja) | 配線構造およびその製造方法、ならびに撮像装置 | |
WO2022254824A1 (ja) | 撮像素子 | |
TW202322378A (zh) | 光檢測元件及光檢測裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7472032 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |