JPWO2020067299A1 - モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

モジュール（１０１）は、主面（１ａ）および側面（１ｃ）を有する基板（１）と、主面（１ａ）に実装された電子部品と、主面（１ａ）および前記電子部品を覆う封止樹脂（２）と、封止樹脂（２）の表面（２ｕ）および基板（１）の側面（１ｃ）を覆うシールド膜（５）とを備える。封止樹脂（２）は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分（７）と、無機酸化物を主成分とする粒状のフィラー（８）とを含む。シールド膜（５）と接する封止樹脂（２）の表面では、フィラー（８）の一部の粒は部分的に樹脂成分（７）から露出しており、樹脂成分（７）の表面は窒素官能基を含み、シールド膜（５）は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている。

Description

本発明は、モジュールおよびその製造方法に関するものである。
特開２０１６−２１９７１１号公報（特許文献１）には、絶縁樹脂層を備える配線基板が記載されている。特許文献１では、絶縁樹脂層の表面には窒素官能基が存在しており、絶縁樹脂層と下地金属層とは、窒素官能基を介して密着している。特許文献１には、絶縁樹脂層の上面を窒素プラズマ処理することにより、絶縁樹脂層の表面に窒素官能基が形成されることが記載されている。
特許第６３３１８７９号（特許文献２）には、電子素子をモールド部材で封止した電子装置が記載されている。樹脂とフィラーとからなるモールド部材の表面で、樹脂からフィラーを露出させることで、凹凸面が形成されている。特許文献２では、凹凸面を形成することで、モールド部材の表面積が大きくなり、放熱効率の向上が可能となる旨が記載されている。
特開２０１６−２１９７１１号公報 特許第６３３１８７９号
特許文献１では、絶縁樹脂層と下地金属層とは、窒素官能基を介して密着できるように記載されているが、全ての金属が窒素官能基と密着するわけではない。したがって、密着性を向上させるという効果は必ず得られるとは限らない。
また、フィラーを含有する封止樹脂の表面に金属膜を形成する場合、樹脂成分中の窒素官能基と金属膜との密着だけでは、密着性が十分ではない。また、特許文献２に示されるように、フィラーが封止樹脂から露出した構成において、さらに、金属膜が安定してその場に固定されるためには、金属膜を樹脂成分と密着させるだけでなくフィラーとも密着させる必要があるが、従来、金属膜を樹脂成分およびフィラーに同時に密着させることができていなかった。
そこで、本発明は、シールド膜を樹脂成分およびフィラーの両方に密着させることができるモジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づくモジュールは、主面および側面を有する基板と、上記主面に実装された電子部品と、上記主面および上記電子部品を覆う封止樹脂と、上記封止樹脂の表面および上記基板の上記側面を覆うシールド膜とを備え、上記封止樹脂は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分と、無機酸化物を主成分とする粒状のフィラーとを含み、上記シールド膜と接する上記封止樹脂の表面では、上記フィラーの一部の粒は部分的に上記樹脂成分から露出しており、上記樹脂成分の表面は窒素官能基を含み、上記シールド膜は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている。
本発明によれば、シールド膜を樹脂成分およびフィラーの両方に密着させることができる。
本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの断面図である。 図１におけるＺ１部の拡大図である。 窒素官能基の構造を示す図である。 図１におけるＺ２部の拡大図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第１工程でのＺ１部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第１工程でのＺ２部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第２工程でのＺ１部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第２工程でのＺ２部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第３工程でのＺ１部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第３工程でのＺ２部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第４工程でのＺ１部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第４工程でのＺ２部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第５工程でのＺ１部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第５工程でのＺ２部の拡大断面図である。 窒素イオンの照射処理後の封止樹脂２の表面の第１の写真である。 窒素イオンの照射処理後の封止樹脂２の表面の第２の写真である。 フィラーの粒およびその近傍の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールのＺ１部の拡大図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの断面図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの変形例の断面図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールの断面図である。 図２１におけるＺ１部の拡大図である。 図２１におけるＺ３部の拡大図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールの第１の変形例のＺ１部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールの第１の変形例のＺ３部の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールの第２の変形例の断面図である。
図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
（実施の形態１）
図１〜図４を参照して、本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０１の断面図を図１に示す。モジュール１０１は、基板１と、電子部品３ａ，３ｂと、封止樹脂２と、シールド膜５とを備える。図１におけるＺ１部の拡大図を図２に示す。窒素官能基を図３に示す。図中の「Ｘ」は、不動態金属であり遷移金属である金属の原子を意味する。図中の「Ｏ」は酸素原子を意味する。図１におけるＺ２部の拡大図を図４に示す。
モジュール１０１は、主面１ａおよび側面１ｃを有する基板１と、基板１の主面１ａに実装された電子部品３ａ，３ｂと、主面１ａおよび電子部品３ａ，３ｂを覆う封止樹脂２と、封止樹脂２の表面および基板１の側面１ｃを覆うシールド膜５とを備える。基板１はセラミック基板であっても樹脂基板であってもよい。ここでは、主面１ａに複数の電子部品が実装されている例を示したが、主面１ａに１個の電子部品のみが実装された構成であってもよい。封止樹脂２は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分７と、無機酸化物を主成分とする粒状のフィラー８とを含む。ここでいう「主成分とする」とは、重量比率で半分以上を占めている状態を指す。本実施の形態では、樹脂成分は有機樹脂からなり、フィラーは無機酸化物からなる。また、ここでいう有機樹脂は、たとえばエポキシ樹脂であってよい。フィラー８を構成する無機酸化物は、たとえばＳｉＯ2である。図２に示されるように、シールド膜５と接する封止樹脂２の表面では、フィラー８の一部の粒は部分的に樹脂成分７から露出している。露出していない部分は、樹脂成分７の中に埋没している。樹脂成分７の表面は窒素官能基を含む。窒素官能基は、図３に示したようなものである。シールド膜５は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている。ここでいう「不動態金属」とは、不動態を作りやすい金属を意味する。
ここで示す例では、シールド膜５は、封止樹脂２との接触面に密着層５ａを含む。シールド膜５は、密着層５ａと、導電層５ｂと、防錆層５ｃとの３層構造となっている。
本実施の形態では、シールド膜５が封止樹脂２との接触面に密着層５ａを含み、密着層５ａは、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されているので、後述の原理によりシールド膜５を封止樹脂２の樹脂成分７ともフィラー８とも密着させることができる。
まず、密着層５ａとフィラー８とが密着する原理について説明する。これには、密着層５ａの不動態金属としての性質を利用する。密着層５ａの材料は、フィラー８に含まれる酸素と結合することによって、フィラー８と密着する。密着層５ａの材料は酸素と結合することによって酸化され、その結果、不動態を形成する。密着層５ａの材料が酸化されたものは不動態であるので、酸化は表層から数ｎｍ〜数十ｎｍの深さまでに限定され、それ以上は進行しない。したがって、信頼性が高く、強固な密着を得ることができる。なお、エポキシ樹脂からなる樹脂成分７とフィラー８との密着は、フィラー８の露出部以外の部分が樹脂成分７に埋没していることで確保することができる。
次に、密着層５ａと樹脂成分７とが密着する原理について説明する。これには、密着層５ａの遷移金属としての性質を利用する。密着層５ａを形成する前に樹脂成分７のエポキシ樹脂成分すなわち樹脂成分７の表面に窒素官能基を形成しておく。遷移金属は窒素官能基と配位結合する性質があるので、密着層５ａの材料は、樹脂成分７の窒素官能基と配位結合により密着する。
図４に示されるように、基板１は、側面１ｃに露出するように電極６を内蔵し、側面１ｃにおいて電極６と密着層５ａとが電気的に接続されていることが好ましい。これは、露出している電極６が過度に窒化されることがないことで、実現され得る。電極６はたとえばＧＮＤ電極であってよい。基板１の側面１ｃにおいて電極６と密着層５ａとが電気的に接続されていることによって、電極６とシールド膜５とを同電位とすることができる。特に、電極６がＧＮＤ電極である場合には、シールド膜５に囲まれた内部空間を良好にシールドすることができる。
（製造方法）
本実施の形態におけるモジュールの製造方法について説明する。本実施の形態におけるモジュールの製造方法は、主面１ａおよび側面１ｃを有し、主面１ａに電子部品が実装された基板１を用意する工程と、主面１ａおよび前記電子部品を覆うように封止樹脂２を形成する工程と、封止樹脂２の表面および基板１の側面１ｃに窒素イオンを照射する工程と、封止樹脂２の表面および基板１の側面１ｃを覆うようにシールド膜５を形成する工程とを含み、封止樹脂２は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分７と無機酸化物を主成分とする粒状のフィラー８とを含み、シールド膜５は、封止樹脂２との接触面に密着層５ａを含み、密着層５ａと接する封止樹脂２の表面では、フィラー８の一部の粒は部分的に樹脂成分７から露出しており、密着層５ａは、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている。樹脂成分７を構成する有機樹脂は、たとえばエポキシ樹脂であってよい。上述の各工程について図を参照しつつ説明する。
封止樹脂２は既に形成されており、シールド膜５はまだ形成されていないものとする。封止樹脂２は、基板１の主面１ａに実装されたいくつかの電子部品を覆っている。封止樹脂２の上面、すなわち、図１におけるＺ１部に相当する部分を拡大したところを図５に示す。フィラー８はいずれの粒もほぼ全体が樹脂成分７に埋没しており、封止樹脂２の上面２ｕはほぼ平坦である。フィラー８としては、大小さまざまなサイズの球状の粒があり、これらは封止樹脂２の内部にランダムに位置している。この時点では、フィラー８が上面２ｕから突出している箇所はほとんど存在しない。
基板１の側面１ｃに電極６が露出している箇所、すなわち、図１におけるＺ２部に相当する部分を拡大したところを図６に示す。電極６の露出している部分には酸化膜６ａが形成されている。酸化膜６ａは、電極６の材料が空気中の酸素と反応して形成されたものである。
以下、製造途中の構造体においても、図１におけるＺ１部、Ｚ２部に相当する部分のことを、それぞれ単に「Ｚ１部」、「Ｚ２部」という。これら２ヶ所の様子に注目しつつ説明を続ける。他の実施の形態においても同様の呼び名を用いる。
次に窒素イオンを照射する。Ｚ１部では図７に示すようになる。すなわち、照射される窒素イオン１５によって封止樹脂２の表層部がエッチング除去される。フィラー８より樹脂成分７の方がエッチングレートが高いので、樹脂成分７が選択的にエッチング除去される。この結果、樹脂成分７に埋没していたフィラー８の一部の粒は樹脂成分７から露出する。露出する部分においては各粒の一部が樹脂成分７から突出した状態となる。一部が露出した粒においても当該粒の他の部分は樹脂成分７に埋没した状態となる。窒素イオン１５の照射により、樹脂成分７がエッチングされるだけでなく、同時に、樹脂成分７のエポキシ樹脂成分が改質され、表面に窒素官能基が生成される。
窒素イオン１５を照射した際、Ｚ２部では図８に示すようになる。すなわち、電極６から酸化膜６ａが除去される。ただし、電極６の露出面に窒化膜が形成されることを避けたい場合、イオン照射源はモジュールから離して設置し、チャンバ内部に積極的に窒素を導入せず、モジュールを過度に窒素雰囲気にさらさないことが望ましい。このようにすることで、露出している電極６が過度に窒化されることを避けられるので、後述のシールド膜の密着性が損なわれることを避けることができる。
窒素イオン照射に関しては、窒素官能基生成レートがエッチングレートより高い条件が選択可能である場合には、その１通りの条件だけで処理することが可能であるが、複数通りの条件を組み合わせて順次切り替える方式で処理してもよい。たとえば、初期はエッチングレートが高い条件で処理し、次に窒素官能基生成レートが高い条件で処理するような、複数段階に分けた処理をしてもよい。あるいは、初期はＡｒイオン照射でエッチング処理し、次に窒素イオン照射で窒素官能基を生成させる処理であってもよい。封止樹脂２の側面に露出している樹脂成分７の表面においても窒素官能基は生成される。
次に、シールド膜５の一部として密着層５ａを形成する。そのためには、密着層５ａの材料となる金属Ｘをスパッタまたは蒸着で付着させる。Ｚ１部では、図９に示すように金属粒子１６が飛来して封止樹脂２の表面に付着する。ただし、金属Ｘは、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金の中から選択される。ここでいう「不動態金属」とは、不動態を作りやすい金属を意味する。不動態金属でありかつ遷移金属である金属としては、たとえばＴｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏを挙げることができる。これらのいずれかを含む合金としてはたとえばＳＵＳなどがある。金属Ｘは、フィラー８との間では、フィラー８中の酸素と結合する。また、金属Ｘは、樹脂成分７のエポキシ樹脂成分との間では、表面に生成された窒素官能基と結合する。金属ＸがＳＵＳである場合には、ＳＵＳに含まれるＣｒまたはＮｉが密着に寄与する。こうして、密着層５ａを２つの異なる材料に対して同時に密着させることができる。
Ｚ２部においては、図１０に示すように、密着層５ａの材料である金属Ｘが側面１ｃに付着する。電極６の表面にあった酸化膜は既に除去されているので、金属Ｘは、電極６の材料に直接付着する。
金属Ｘの付着を続けた結果、Ｚ１部においては、図１１に示すように密着層５ａが形成される。Ｚ２部においては、図１２に示すように密着層５ａが形成される。
密着層５ａを覆うように導電層５ｂを形成する。Ｚ１部においては、図１３に示すように導電層５ｂが形成される。Ｚ２部においては、図１４に示すように導電層５ｂが形成される。導電層５ｂの材料としては、抵抗率が低い金属材料が好ましい。導電層５ｂの材料はたとえばＣｕであってよい。
導電層５ｂを覆うようにさらに防錆層５ｃを形成してもよい。防錆層５ｃを形成することによって、図１、図２および図４に示した構造が得られる。防錆層５ｃの材料は、不動態金属であることが望ましい。防錆層５ｃの材料は、密着層５ａの材料と同じであってもよい。
窒素イオンの照射処理後の封止樹脂２の表面のＦＥ−ＳＥＭ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ−Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像を図１５および図１６に示す。図１５に示されたのは、樹脂成分７に比べてフィラー８の配合量が多い例である。図１６に示されたのは、樹脂成分７に比べてフィラー８の配合量が少ない例である。窒素イオンの照射時間は、コストと効果との両立の観点から３〜１５分が望ましい。図１５および図１６に示したのは、この条件により封止樹脂２を深さ約３μｍまでエッチングした状態で表面を垂直な方向から見たところの写真である。封止樹脂２には、フィラー径が１０ｎｍ以上３０μｍ以下のさまざまな粒径の粒が混在している。フィラー配合量は、封止樹脂の全樹脂成分に対して７０重量％以上９５重量％以下である。図１５および図１６に示した例において、フィラー８の露出部の直径ｄは１０ｎｍ以上７００ｎｍ以下であった。直径が小さいフィラー８の粒は、処理中に封止樹脂２から脱落することもありうるが、振動を与えることなどにより封止樹脂２の表面から除去することができるので問題にはならない。
図１５または図１６に示されるフィラー８の粒の１つに注目し、粒およびその近傍を拡大した断面図を図１７に示す。窒素イオンの照射前の表面Ｅ１に比べて、照射を行なうことによりエッチングされた後の表面Ｅ２は約３μｍ下がっている。ここでは、直径Ｄが３０μｍとなっているフィラー８を表示している。この粒のエッチングした後に露出する部分の直径ｄは２０μｍとなっている。封止樹脂２の表面に露出するフィラー８の露出部直径は１０ｎｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
（実施の形態２）
図１８を参照して、本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュールの基本的な構成は、実施の形態１で説明したものと同じである。実施の形態１に比べて、本実施の形態におけるモジュールでは、封止樹脂２の表面２ｕの状態が異なる。Ｚ１部の部分拡大断面図を図１８に示す。
本実施の形態では、フィラー８の粒が樹脂成分７から露出する箇所では、前記粒の露出面は平坦になっている。すなわち、封止樹脂２の表面２ｕにおいて、フィラー８の突出量は実施の形態１に比べて小さく、ほぼ平坦となっている。このような表面２ｕを有するモジュールは、実施の形態１で説明した製造方法に、さらに以下の工程を追加的に含むことによって得ることができる。
本実施の形態におけるモジュールの製造方法は、フィラー８の粒が樹脂成分７から部分的に露出する封止樹脂２の表面２ｕを研削または研磨することによって、フィラー８の粒の露出部分を平坦にする工程を含む。平坦にする工程は、窒素イオンを照射する工程より前に行なうことが好ましい。このような工程を含むことで、フィラー８が突出している部分を除去してフィラー８の露出面を平坦にすることができる。図１８では、封止樹脂２の表面２ｕにおいてフィラー８の露出面が樹脂成分７の露出面と同一平面上にあるように表示されているが、フィラー８の露出面が樹脂成分７の露出面に比べて少し突出していてもよい。このような段差が生じることは、フィラー８が樹脂成分７より硬くて削られにくいこと、および、フィラー８のイオンによるエッチングレートが樹脂成分７のイオンによるエッチングレートより低いことに起因する。
本実施の形態では、フィラー８の粒の露出部分を平坦にする工程として封止樹脂２の表面２ｕを研削または研磨するので、フィラー８の露出部の直径を容易に大きくすることができ、フィラー８と密着層５ａとが密着する面積を容易に増やすことができる。
たとえばフィラー８の直径Ｄが３０μｍである場合、窒素イオンの照射によるエッチングで露出部直径ｄを３０μｍにするには、長時間のイオンガン照射を要する。しかし、本実施の形態で示したように、封止樹脂２の表面２ｕを研削または研磨することによってフィラー８の露出部直径を拡大する方法を採用した場合には、長時間のイオンガン照射を必要とせず、容易にフィラー８の露出部直径を所望のサイズにまで拡大することができる。露出部直径を３０μｍにすることも容易に可能である。
（実施の形態３）
図１９を参照して、本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュールの基本的な構成は、実施の形態１で説明したものと同じである。実施の形態１に比べて、本実施の形態におけるモジュールでは、以下の点が異なる。本実施の形態では、基板１の両面に何らかの部品が実装されている。本実施の形態では、封止樹脂が基板１の両面に形成されている。本実施の形態におけるモジュール１０２の断面図を図１９に示す。
本実施の形態におけるモジュール１０２は、第１主面としての主面１ａと前記第１主面とは反対側にある第２主面としての主面１ｂと側面１ｃとを有する基板１と、前記第１主面および前記第２主面にそれぞれ実装された電子部品と、前記第１主面および前記第１主面に実装された電子部品を覆う第１封止樹脂２１と、前記第２主面および前記第２主面に実装された電子部品を覆う第２封止樹脂２２と、第１封止樹脂２１の表面２１ｕ、基板１の側面１ｃおよび第２封止樹脂２２の側面を覆う第１シールド膜としてのシールド膜５とを備える。第１封止樹脂２１は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分７と、無機酸化物を主成分とする粒状のフィラー８とを含む。第１シールド膜としてのシールド膜５と接する第１封止樹脂２１の表面２１ｕでは、フィラー８の一部の粒は部分的に樹脂成分７から露出している。樹脂成分７の表面は窒素官能基を含む。第１シールド膜は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている。基板１の主面１ｂには、部品３ｃが実装されている。部品３ｃは第２封止樹脂２２に覆われている。第２封止樹脂２２は表面２２ｕを有する。表面２２ｕは露出している。基板１の主面１ｂには、柱状導体４ｂが設置されている。柱状導体４ｂの基板１とは反対側の端にはハンダバンプ４ａが接続されている。外部端子４は、ハンダバンプ４ａと柱状導体４ｂとを含む。ハンダバンプ４ａは、第２封止樹脂２２から突出している。柱状導体４ｂは第２封止樹脂２２を貫通するように配置されている。樹脂成分７を構成する有機樹脂は、たとえばエポキシ樹脂であってよい。前記第１シールド膜は、第１封止樹脂２１との接触面に密着層５ａを含むことが好ましい。柱状導体は、突起電極、金属ピン、めっきなどで形成されていてもよい。あるいは、柱状導体の代わりにはんだバンプを用いてもよい。
図１９では、シールド膜５の内訳が詳しく表示されていないので、密着層５ａは表示されていないが、Ｚ１部、Ｚ２部における部分拡大断面図はそれぞれ図２、図４に示したものと同様である。第１封止樹脂２１の上面では、図２に示すようにフィラー８の粒が部分的に突出する。
本実施の形態においても、実施の形態１で説明したのと同様の効果を得ることができる。
本実施の形態におけるモジュールの第１の変形例として、第１封止樹脂２１の上面の状態が、図１８に示すようなものであってもよい。すなわち、図１８に示すように、第１封止樹脂２１の上面においてフィラー８の粒の露出部が平坦となっているものであってもよい。
本実施の形態におけるモジュールの第２の変形例として、図２０に示すモジュール１０３のようなものであってもよい。主面１ｂに実装された部品３ｃの下面が第２封止樹脂２２から露出している。モジュール１０２に比べればモジュール１０３では、第２封止樹脂２２が薄くなっている。第１封止樹脂２１の上面の状態は、図２に示すものであっても図１８に示すものであってもよい。
（実施の形態４）
図２１を参照して、本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュールの基本的な構成は、実施の形態３で説明したものと同じである。実施の形態３に比べて、本実施の形態におけるモジュールでは、以下の点が異なる。
本実施の形態におけるモジュール１０４の断面図を図２１に示す。モジュール１０４は、第１シールド５１と、第２シールド５２とを備える。第１シールド５１は、第１封止樹脂２１の上面および側面を覆い、さらに、基板１の側面１ｃを覆い、さらに第２封止樹脂２２の側面を覆う。本実施の形態におけるモジュールは、第２封止樹脂２２の表面２２ｕを部分的に覆う第２シールド膜５２を備える。
図２１におけるＺ１部を拡大したところを図２２に示す。第１封止樹脂２１に含まれるフィラー８が部分的に樹脂成分７から露出し、突出している。Ｚ２部を拡大したところは図４と同様である。Ｚ３部を拡大したところを図２３に示す。第２封止樹脂２２の密着層５ａと接する第２封止樹脂２２の表面では、第２封止樹脂２２に含まれるフィラー８の一部の粒が部分的に樹脂成分７から露出している。ここで示す例では、フィラー８の一部の粒が突出している。外部端子４は、第２シールド５２を避けた位置に配置されている。第２シールド５２は、第１シールド５１と電気的に接続されていてもよい。第２シールド５２を第１シールド５１に電気的に接続する方法としては、たとえば、第２シールド５２の一部を、外部端子４の間を通して第１シールド５１に達するまで延在させることとしてもよい。第２シールド５２の材料は、第１シールド５１の材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。第２シールド膜５２は、第２封止樹脂２２との接触面に密着層５ａを含むことが好ましい。
本実施の形態においても、実施の形態１で説明したのと同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、第１シールド膜５１に加えて第２シールド膜５２を備えるが、第２シールド膜５２に関しても密着層５ａと第２封止樹脂２２とを十分に密着させることができる。
本実施の形態におけるモジュールの第１の変形例として、図２４および図２５に示すようなものも考えられる。図２４は、この変形例のモジュールのＺ１部を拡大したところであり、図２５は、この変形例のモジュールのＺ３部を拡大したところである。第１封止樹脂２１の表面２１ｕにおいて、フィラー８の突出量は実施の形態１に比べて小さく、ほぼ平坦となっている。第２封止樹脂２２の表面２２ｕにおいても、フィラー８の突出量は実施の形態１に比べて小さく、ほぼ平坦となっている。
本実施の形態におけるモジュールの第２の変形例として、図２６にモジュール１０５を示す。モジュール１０５では、基板１の主面１ｂに実装された部品３ｃが第２封止樹脂２２から露出しており、この部品３ｃの露出面に接するように第２シールド膜５２が配置されている。モジュール１０５においても、Ｚ１部およびＺ３部に関して、図２２、図２３にそれぞれ示したような構成とするか、あるいは、図２４、図２５にそれぞれ示したような構成とするか、選択可能である。
なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
１ 基板、１ａ，１ｂ 主面、１ｃ 側面、２ 封止樹脂、２ｕ，２１ｕ，２２ｕ 表面、３ａ，３ｂ，３ｃ 部品、４ 外部端子、４ａ ハンダバンプ、４ｂ 柱状導体、５ シールド膜、５ａ 密着層、５ｂ 導電層、５ｃ 防錆層、６ 電極、６ａ 酸化膜、７ 樹脂成分、８ フィラー、１５ 窒素イオン、１６ 金属粒子、２１ 第１封止樹脂、２２ 第２封止樹脂、５１ 第１シールド膜、５２ 第２シールド膜、１０１，１０２，１０３，１０４，１０５ モジュール。

Claims (10)

  1. 主面および側面を有する基板と、
    前記主面に実装された電子部品と、
    前記主面および前記電子部品を覆う封止樹脂と、
    前記封止樹脂の表面および前記基板の前記側面を覆うシールド膜とを備え、
    前記封止樹脂は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分と、無機酸化物を主成分とする粒状のフィラーとを含み、
    前記シールド膜と接する前記封止樹脂の表面では、前記フィラーの一部の粒は部分的に前記樹脂成分から露出しており、
    前記樹脂成分の表面は窒素官能基を含み、
    前記シールド膜は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている、モジュール。
  2. 前記シールド膜は、前記封止樹脂との接触面に密着層を含む、請求項１に記載のモジュール。
  3. 前記基板は、前記側面に露出するように電極を内蔵し、前記側面において前記電極と前記密着層とが電気的に接続されている、請求項２に記載のモジュール。
  4. 第１主面と前記第１主面とは反対側にある第２主面と側面とを有する基板と、
    前記第１主面および前記第２主面にそれぞれ実装された電子部品と、
    前記第１主面および前記電子部品を覆う第１封止樹脂と、
    前記第２主面および前記電子部品を覆う第２封止樹脂と、
    前記第１封止樹脂の表面、前記基板の前記側面および前記第２封止樹脂の側面を覆う第１シールド膜とを備え、
    前記第１封止樹脂は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分と、無機酸化物を主成分とする粒状のフィラーとを含み、
    前記第１シールド膜と接する前記第１封止樹脂の表面では、前記フィラーの一部の粒は部分的に前記樹脂成分から露出しており、
    前記樹脂成分の表面は窒素官能基を含み、
    前記第１シールド膜は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている、モジュール。
  5. 前記第１シールド膜は、前記封止樹脂との接触面に密着層を含む、請求項４に記載のモジュール。
  6. 前記第２封止樹脂の表面を部分的に覆う第２シールド膜を備え、
    前記第２封止樹脂の前記第２シールド膜と接する前記第２封止樹脂の表面では、前記フィラーの一部の粒は部分的に前記樹脂成分から露出している、請求項４に記載のモジュール。
  7. 前記第２シールド膜は、前記第２封止樹脂との接触面に密着層を含む、請求項６に記載のモジュール。
  8. 前記フィラーの粒が前記樹脂成分から露出する箇所では、前記粒の露出面は平坦になっている、請求項１から７のいずれかに記載のモジュール。
  9. 主面および側面を有し、前記主面に電子部品が実装された基板を用意する工程と、
    前記主面および前記電子部品を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
    前記封止樹脂の表面および前記基板の前記側面に窒素イオンを照射する工程と、
    前記封止樹脂の表面および前記基板の前記側面を覆うようにシールド膜を形成する工程とを含み、
    前記封止樹脂は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分と無機酸化物を主成分とする粒状のフィラーとを含み、
    前記シールド膜と接する前記封止樹脂の表面では、前記フィラーの一部の粒は部分的に前記樹脂成分から露出しており、
    前記シールド膜は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている、モジュールの製造方法。
  10. 前記フィラーの粒が前記樹脂成分から部分的に露出する前記封止樹脂の表面を、研削または研磨することによって、前記フィラーの粒の露出部分を平坦にする工程を含む、請求項９に記載のモジュールの製造方法。
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