JPWO2020055537A5

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Publication number: JPWO2020055537A5
Application number: JP2021506560A
Authority: JP
Publication date: 2023-06-07
Anticipated expiration: 2039-08-14

Description

方法は、半導体材料の第１の表面と反対側にある半導体材料の第２の表面から基板を除去することと、複数のＬＥＤを形成するように隣接するメサ形状の各対間にトレンチをパターニングすることと、を含んでもよい。方法は、複数のＬＥＤのうちの１つに対応する半導体材料の第２の表面の一部にレンズを形成することを含んでもよい。代替的にはまたはさらに、方法は、自然放出率を高めるように半導体材料の第２の表面の構造を形成することを含んでよく、構造は、複数のＬＥＤのうちの１つに対応する。

代替的にはまたはさらに、方法は、隣接するメサ形状間の間隙内にパッシベーション層を形成する前に、隣接するメサ形状のそれぞれの側壁に反射層を堆積させることを含んでもよい。代替的にはまたはさらに、方法は、半導体材料の第１の表面にベースウエハーをボンディングする前に、半導体材料の第１の表面、およびパッシベーション層上にコンタクト層を堆積させることと、コンタクト層上にボンディング層を堆積させることと、を含んでもよい。ベースウエハーは、コンタクト層およびボンディング層を介して半導体材料の第１の表面にボンディングされてよい。作られたボンディング層およびコンタクト層は、異なる金属または同じ金属から作られてよい。

図６Ｂに示されるように、複数の隣接するメサ形状６９０は、半導体材料６０１に複数の間隙６５０をパターニングすることによって形成されてよい。パターニングは、異方性エッチングなどの任意の適した方法によって行われてよい。メサ形状６９０の形状は、ＬＥＤの製造が完了すると、対応するＬＥＤから抽出される光量を増大または最適化させるように選定され得る。例えば、メサ形状６９０は、放物線形状、または別の非垂直な形状を有するように形成されてよい。反射層６５５は、各メサ形状６９０の少なくとも１つの側壁上に形成されてよい。反射層６５５は、銀または金などの任意の適した材料から作られてよい。反射層６５５は、蒸発またはスパッタリングなどの任意の適した方法によって形成されてよい。

Claims

複数の隣接するメサ形状を形成するように半導体材料をエッチングすることであって、前記半導体材料は１つまたは複数のエピタキシャル層を含む、エッチングすることと、
前記複数の隣接するメサ形状間の間隙内にパッシベーション層を形成することと、
前記パッシベーション層および前記半導体材料を平坦化することにより、前記パッシベーション層の表面と、前記半導体材料の第１の表面とを含む平坦な表面を生成することと、
前記平坦な表面上にコンタクト層を形成することと、
前記コンタクト層にベースウエハーをボンディングすることと、を含む方法。
前記半導体材料の前記第１の表面とは反対側にある前記半導体材料の第２の表面から基板を除去することと、
複数の発光ダイオードを形成するように前記隣接するメサ形状の各対間にトレンチをパターニングすることと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記複数の発光ダイオードのうちの１つに対応する前記半導体材料の前記第２の表面の一部にレンズを形成することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
自然放出率を高めるように前記半導体材料の前記第２の表面上に構造を形成することをさらに含み、前記構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの１つに対応する、請求項２に記載の方法。
第１のコンタクトを前記半導体材料上に形成することをさらに含み、前記第１のコンタクトは、第１の極性を有し、前記第１のコンタクトは、前記複数の隣接するメサ形状が形成される前または後に形成される、請求項１に記載の方法。
第２のコンタクトを形成することをさらに含み、前記第２のコンタクトは、前記第１のコンタクトの前記第１の極性とは反対である第２の極性を有する、請求項５に記載の方法。
前記第２のコンタクトは、分散されたコンタクト、または大きい領域のコンタクト、のうちの少なくとも１つである、請求項６に記載の方法。
前記ベースウエハーを前記半導体材料の前記第１の表面にボンディングする前に、
前記半導体材料の前記第１の表面、および前記パッシベーション層上にボンディング層を堆積させること、をさらに含み、
前記ベースウエハーは、前記ボンディング層を介して前記半導体材料の前記第１の表面にボンディングされる、請求項１に記載の方法。
前記ベースウエハーは、金属間ボンディングによって前記ボンディング層にボンディングされる、請求項８に記載の方法。
前記ベースウエハーは、共晶ボンディングによって前記ボンディング層にボンディングされる、請求項８に記載の方法。
前記ベースウエハーは、酸化物ボンディングによって前記ボンディング層にボンディングされる、請求項８に記載の方法。
前記ベースウエハーは、陽極ボンディング、熱圧着ボンディング、紫外線ボンディング、またはフュージョンボンディングのうちの少なくとも１つによって前記ボンディング層にボンディングされる、請求項８に記載の方法。
前記隣接するメサ形状間の間隙内に前記パッシベーション層を形成する前に、前記隣接するメサ形状のそれぞれの側壁に反射層を堆積させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記半導体材料は、順に、ｎ型層、量子井戸層、およびｐ型層を含む、請求項１に記載の方法。
前記半導体材料の前記第１の表面に前記ベースウエハーをボンディングする前に、
前記コンタクト層上にボンディング層を堆積させること、をさらに含み、
前記ベースウエハーは、前記コンタクト層および前記ボンディング層を介して前記半導体材料の前記第１の表面にボンディングされる、請求項１に記載の方法。
前記ボンディング層および前記コンタクト層は、異なる金属から作られる、請求項１５に記載の方法。
前記ボンディング層および前記コンタクト層は、同じ金属から作られる、請求項１５に記載の方法。
前記隣接するメサ形状のそれぞれは、非垂直な側壁を有する、請求項１に記載の方法。
前記隣接するメサ形状のそれぞれは、放物線形状を有する、請求項１に記載の方法。
前記ベースウエハーは、複数のドライバ回路を含み、前記方法は、前記ベースウエハーを前記半導体材料の前記第１の表面にボンディングする間に、前記複数のドライバ回路を前記隣接するメサ形状と位置合わせすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記複数の発光ダイオードのうちの１つに対応する前記半導体材料の前記第２の表面の一部を粗面化することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
前記基板は、前記基板と前記半導体材料との間の界面にレーザビームを集光することによって除去される、請求項２に記載の方法。
前記トレンチは、リソグラフィによってパターニングされる、請求項２に記載の方法。