JPWO2020027244A1 - 化合物 - Google Patents

化合物 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020027244A1
JPWO2020027244A1 JP2020530408A JP2020530408A JPWO2020027244A1 JP WO2020027244 A1 JPWO2020027244 A1 JP WO2020027244A1 JP 2020530408 A JP2020530408 A JP 2020530408A JP 2020530408 A JP2020530408 A JP 2020530408A JP WO2020027244 A1 JPWO2020027244 A1 JP WO2020027244A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
atomic
coordinates
oxygen
species
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020530408A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6761920B2 (ja
Inventor
佐々木　健一
健一 佐々木
絵美 川嶋
絵美 川嶋
井上　一吉
一吉 井上
雅敏 柴田
雅敏 柴田
篤史 八百
篤史 八百
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP6761920B2 publication Critical patent/JP6761920B2/ja
Publication of JPWO2020027244A1 publication Critical patent/JPWO2020027244A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/04—Isothermal recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30—Three-dimensional structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/77—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/761—Unit-cell parameters, e.g. lattice constants

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、アルミニウム元素（Ａｌ）及び酸素元素（Ｏ）から形成され、格子定数が、ａ＝１０．０７±０．１５Å，ｂ＝１０．４５±０．１５Å，ｃ＝１１．０１±０．１５Å，α＝１１１．７０±０．５０°，β＝１０７．７０±０．５０°，及びγ＝９０．００±０．５０°であり、結晶系が三斜晶を示す化合物。

Description

本発明は、化合物に関する。
薄膜トランジスタに用いられる酸化物半導体は、汎用のアモルファスシリコン（アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略記する場合がある。）に比べて高いキャリア移動度を有し、光学バンドギャップが大きく、低温で成膜できる。そのため、酸化物半導体は、大型、高解像度、及び高速駆動が要求される次世代ディスプレイへの適用、並びに耐熱性の低い樹脂基板等への適用が期待されている。上記酸化物半導体（膜）の形成に当たっては、スパッタリングターゲットをスパッタリングするスパッタリング法が好適に用いられている。これは、スパッタリング法で形成された薄膜が、イオンプレーティング法、真空蒸着法、又は電子ビーム蒸着法で形成された薄膜に比べ、膜面方向（膜面内）における成分組成及び膜厚等の面内均一性に優れており、スパッタリング法によれば、スパッタリングターゲットと同じ成分組成の薄膜を形成できるためである。
特許文献１には、酸化インジウム、酸化ガリウム、及び酸化アルミニウムからなる焼結体で、前記ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．１５以上０．４９以下であり、前記アルミニウムの含有量がＡｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）原子数比で０．０００１以上０．２５未満であり、ビックスバイト型構造のＩｎ２Ｏ３相と、Ｉｎ２Ｏ３相以外の生成相としてβ−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相、あるいはβ−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相と（Ｇａ，Ｉｎ）２Ｏ３相を含む酸化物焼結体に関する記載がある。Ｇａの添加量が２０ａｔ％、かつＡｌの添加量が１ａｔ％である混合物、並びにＧａの添加量が２５ａｔ％、かつＡｌの添加量が５ａｔ％である混合物のそれぞれを１４００℃で２０時間焼成した場合、ＸＲＤチャートからＩｎ２Ｏ３相及びＧａＩｎＯ３相が析出することが記載されている。
国際公開第２０１６／０８４６３６号
酸化物化合物は、バンドギャップが大きいことから、トランジスタ又はダイオード等の半導体デバイスに酸化物化合物を適用した時にリーク電流が低いことが特徴である。一方、酸化物化合物は、バンドギャップが大きいため半導体として安定的にキャリア濃度を制御できないこと、また十分な伝導性が得られないという課題がある。これら課題を解決できる、新規化合物への要望がある。具体的には、一般的なＳｉ半導体のバンドギャップに比べて十分広い酸化物半導体材料を作製できる化合物が要望されている。
本発明の目的は、一般的なＳｉ半導体のバンドギャップに比べて十分広い酸化物半導体材料を作製できる化合物を提供することである。
本発明によれば、以下の化合物が提供される。
［１］． インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、アルミニウム元素（Ａｌ）及び酸素元素（Ｏ）から形成され、
格子定数が、
ａ ＝ １０．０７±０．１５Å，
ｂ ＝ １０．４５±０．１５Å，
ｃ ＝ １１．０１±０．１５Å，
α＝１１１．７０±０．５０°，
β＝１０７．７０±０．５０°，及び
γ＝ ９０．００±０．５０°であり、
結晶系が三斜晶を示す化合物。
［２］．空間群がＰ−１もしくはＰ１である、［１］に記載の化合物。
［３］．空間群がＰ−１であり、下記に示す原子配置を有する、［１］に記載の化合物。
ただし、下記原子配置における金属は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.36、ｚ＝0.87）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.12、ｚ＝0.62）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21、ｙ＝0.85、ｚ＝0.39）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23、ｙ＝0.11、ｚ＝0.97）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.29、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.12、ｚ＝0.63）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.14、ｚ＝0.01）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.69、ｙ＝0.18、ｚ＝0.32）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.09、ｙ＝0.88、ｚ＝0.03）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.06、ｙ＝0.61、ｚ＝0.46）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.15、ｙ＝0.40、ｚ＝0.19）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.26、ｙ＝0.36、ｚ＝0.54）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.61、ｚ＝0.45）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.48、ｙ＝0.40、ｚ＝0.23）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.84、ｙ＝0.39、ｚ＝0.23）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.73、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.03、ｙ＝0.45、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.05、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.74、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.23、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.51、ｚ＝0.09）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.79、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.19、ｙ＝0.21、ｚ＝0.84）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.23、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.25、ｙ＝0.66、ｚ＝0.49）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.27、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.30、ｙ＝0.26、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.33、ｙ＝0.44、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.39、ｙ＝0.73、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.24、ｚ＝0.07）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.43、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.51、ｚ＝0.11）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.47、ｙ＝0.79、ｚ＝0.15）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.25、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.64、ｙ＝0.03、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.34、ｚ＝0.23）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.72、ｙ＝0.03、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.78、ｙ＝0.51、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.25、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
［４］．空間群がＰ１であり、下記に示す原子配置を有する、請求項１に記載の化合物。
ただし、下記原子配置における金属はＩｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.36、ｚ＝0.87）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.12、ｚ＝0.62）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21、ｙ＝0.85、ｚ＝0.39）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23、ｙ＝0.11、ｚ＝0.97）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.29、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.12、ｚ＝0.63）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.14、ｚ＝0.01）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.69、ｙ＝0.18、ｚ＝0.32）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.09、ｙ＝0.88、ｚ＝0.03）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.06、ｙ＝0.61、ｚ＝0.46）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.15、ｙ＝0.40、ｚ＝0.19）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.26、ｙ＝0.36、ｚ＝0.54）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.61、ｚ＝0.45）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.48、ｙ＝0.40、ｚ＝0.23）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.84、ｙ＝0.39、ｚ＝0.23）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.64、ｚ＝0.13）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.87、ｙ＝0.88、ｚ＝0.38）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.79、ｙ＝0.15、ｚ＝0.61）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.77、ｙ＝0.89、ｚ＝0.03）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.71、ｙ＝0.36、ｚ＝0.89）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.54、ｙ＝0.88、ｚ＝0.37）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.42、ｙ＝0.86、ｚ＝0.99）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.36、ｚ＝0.89）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.31、ｙ＝0.82、ｚ＝0.68）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.91、ｙ＝0.12、ｚ＝0.97）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.98、ｙ＝0.87、ｚ＝0.70）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.94、ｙ＝0.39、ｚ＝0.54）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.85、ｙ＝0.60、ｚ＝0.81）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.74、ｙ＝0.64、ｚ＝0.46）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.87、ｚ＝0.70）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.59、ｙ＝0.39、ｚ＝0.55）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.52、ｙ＝0.60、ｚ＝0.77）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.16、ｙ＝0.61、ｚ＝0.77）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.73、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.03、ｙ＝0.45、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.05、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.74、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.23、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.51、ｚ＝0.09）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.79、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.19、ｙ＝0.21、ｚ＝0.84）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.23、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.25、ｙ＝0.66、ｚ＝0.49）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.27、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.30、ｙ＝0.26、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.33、ｙ＝0.44、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.39、ｙ＝0.73、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.24、ｚ＝0.07）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.43、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.51、ｚ＝0.11）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.47、ｙ＝0.79、ｚ＝0.15）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.25、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.64、ｙ＝0.03、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.34、ｚ＝0.23）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.72、ｙ＝0.03、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.78、ｙ＝0.51、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.25、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.98、ｙ＝0.27、ｚ＝0.64）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.97、ｙ＝0.55、ｚ＝0.72）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.95、ｙ＝0.98、ｚ＝0.60）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.90、ｙ＝0.26、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.90、ｙ＝0.77、ｚ＝0.94）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.88、ｙ＝0.49、ｚ＝0.91）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.88、ｙ＝0.53、ｚ＝0.43）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.87、ｙ＝0.21、ｚ＝0.83）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.81、ｙ＝0.79、ｚ＝0.16）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.77、ｚ＝0.64）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.75、ｙ＝0.34、ｚ＝0.51）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.73、ｙ＝0.98、ｚ＝0.88）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.70、ｙ＝0.74、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.67、ｙ＝0.56、ｚ＝0.71）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.98、ｚ＝0.60）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.61、ｙ＝0.27、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.59、ｙ＝0.76、ｚ＝0.93）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.53、ｚ＝0.43）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.54、ｙ＝0.49、ｚ＝0.89）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.53、ｙ＝0.21、ｚ＝0.85）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.75、ｚ＝0.64）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.36、ｙ＝0.97、ｚ＝0.88）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.66、ｚ＝0.77）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.28、ｙ＝0.97、ｚ＝0.60）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.22、ｙ＝0.49、ｚ＝0.88）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.75、ｚ＝0.94）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.98、ｚ＝0.88）
［５］．空間群がＰ−１であり、下記に示す原子配置を有する、［１］に記載の化合物。
ただし、下記原子配置における金属は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04478、ｙ＝0.36228、ｚ＝0.86934）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.12677、ｙ＝0.11682、ｚ＝0.62279）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21268、ｙ＝0.8504、ｚ＝0.38665）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23283、ｙ＝0.11047、ｚ＝0.97132）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.28695、ｙ＝0.64349、ｚ＝0.10627）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.45663、ｙ＝0.11849、ｚ＝0.62655）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58343、ｙ＝0.14455、ｚ＝0.0065）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62181、ｙ＝0.6417、ｚ＝0.10725）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.68785、ｙ＝0.18413、ｚ＝0.31614）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.08662、ｙ＝0.88097、ｚ＝0.03282）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02388、ｙ＝0.13328、ｚ＝0.30129）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.0627、ｙ＝0.6051、ｚ＝0.4561）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.1503、ｙ＝0.3962、ｚ＝0.1949）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.2624、ｙ＝0.36429、ｚ＝0.5374）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34051、ｙ＝0.1304、ｚ＝0.29845）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4081、ｙ＝0.6082、ｚ＝0.4509）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4821、ｙ＝0.39651、ｚ＝0.22899）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.8369、ｙ＝0.39245、ｚ＝0.23049）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0157、ｙ＝0.7332、ｚ＝0.3627）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0295、ｙ＝0.4499、ｚ＝0.285）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0518、ｙ＝0.0204、ｚ＝0.4013）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0975、ｙ＝0.7442、ｚ＝0.6484）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1004、ｙ＝0.231、ｚ＝0.0611）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.121、ｙ＝0.5054、ｚ＝0.0929）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1218、ｙ＝0.4677、ｚ＝0.5675）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1323、ｙ＝0.7893、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1917、ｙ＝0.2052、ｚ＝0.837）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1998、ｙ＝0.2293、ｚ＝0.3578）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2461、ｙ＝0.6607、ｚ＝0.4873）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2703、ｙ＝0.0197、ｚ＝0.1161）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2975、ｙ＝0.2578、ｚ＝0.6451）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3274、ｙ＝0.4429、ｚ＝0.2908）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.017、ｚ＝0.3996）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3852、ｙ＝0.7303、ｚ＝0.3495）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4077、ｙ＝0.2385、ｚ＝0.0657）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.425、ｙ＝0.4654、ｚ＝0.5745）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4569、ｙ＝0.5063、ｚ＝0.1142）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.472、ｙ＝0.7862、ｚ＝0.1502）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.2483、ｚ＝0.3581）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6404、ｙ＝0.0285、ｚ＝0.122）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6587、ｙ＝0.3356、ｚ＝0.2257）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7171、ｙ＝0.0302、ｚ＝0.3985）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7808、ｙ＝0.5096、ｚ＝0.1234）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8007、ｙ＝0.2465、ｚ＝0.0562）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9644、ｙ＝0.0248、ｚ＝0.117）
［６］．空間群がＰ１であり、下記に示す原子配置を有する、［１］に記載の化合物。
ただし、下記原子配置における金属はＩｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04478、ｙ＝0.36228、ｚ＝0.86934）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.12677、ｙ＝0.11682、ｚ＝0.62279）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21268、ｙ＝0.8504、ｚ＝0.38665）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23283、ｙ＝0.11047、ｚ＝0.97132）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.28695、ｙ＝0.64349、ｚ＝0.10627）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.45663、ｙ＝0.11849、ｚ＝0.62655）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58343、ｙ＝0.14455、ｚ＝0.0065）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62181、ｙ＝0.6417、ｚ＝0.10725）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.68785、ｙ＝0.18413、ｚ＝0.31614）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.08662、ｙ＝0.88097、ｚ＝0.03282）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02388、ｙ＝0.13328、ｚ＝0.30129）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.0627、ｙ＝0.6051、ｚ＝0.4561）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.1503、ｙ＝0.3962、ｚ＝0.1949）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.2624、ｙ＝0.36429、ｚ＝0.5374）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34051、ｙ＝0.1304、ｚ＝0.29845）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4081、ｙ＝0.6082、ｚ＝0.4509）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4821、ｙ＝0.39651、ｚ＝0.22899）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.8369、ｙ＝0.39245、ｚ＝0.23049）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.95522、ｙ＝0.63772、ｚ＝0.13066）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.87323、ｙ＝0.88318、ｚ＝0.37721）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.78732、ｙ＝0.1496、ｚ＝0.61335）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.76717、ｙ＝0.88953、ｚ＝0.02868）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.71305、ｙ＝0.35651、ｚ＝0.89373）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.54337、ｙ＝0.88151、ｚ＝0.37345）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41657、ｙ＝0.85545、ｚ＝0.9935）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.37819、ｙ＝0.3583、ｚ＝0.89275）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.31215、ｙ＝0.81587、ｚ＝0.68386）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.91338、ｙ＝0.11903、ｚ＝0.96718）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.97612、ｙ＝0.86672、ｚ＝0.69871）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.9373、ｙ＝0.3949、ｚ＝0.5439）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.8497、ｙ＝0.6038、ｚ＝0.8051）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.7376、ｙ＝0.63571、ｚ＝0.4626）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.65949、ｙ＝0.8696、ｚ＝0.70155）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.5919、ｙ＝0.3918、ｚ＝0.5491）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.5179、ｙ＝0.60349、ｚ＝0.77101）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.1631、ｙ＝0.60755、ｚ＝0.76951）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0157、ｙ＝0.7332、ｚ＝0.3627）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0295、ｙ＝0.4499、ｚ＝0.285）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0518、ｙ＝0.0204、ｚ＝0.4013）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0975、ｙ＝0.7442、ｚ＝0.6484）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1004、ｙ＝0.231、ｚ＝0.0611）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.121、ｙ＝0.5054、ｚ＝0.0929）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1218、ｙ＝0.4677、ｚ＝0.5675）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1323、ｙ＝0.7893、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1917、ｙ＝0.2052、ｚ＝0.837）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1998、ｙ＝0.2293、ｚ＝0.3578）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2461、ｙ＝0.6607、ｚ＝0.4873）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2703、ｙ＝0.0197、ｚ＝0.1161）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2975、ｙ＝0.2578、ｚ＝0.6451）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3274、ｙ＝0.4429、ｚ＝0.2908）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.017、ｚ＝0.3996）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3852、ｙ＝0.7303、ｚ＝0.3495）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4077、ｙ＝0.2385、ｚ＝0.0657）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.425、ｙ＝0.4654、ｚ＝0.5745）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4569、ｙ＝0.5063、ｚ＝0.1142）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.472、ｙ＝0.7862、ｚ＝0.1502）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.2483、ｚ＝0.3581）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6404、ｙ＝0.0285、ｚ＝0.122）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6587、ｙ＝0.3356、ｚ＝0.2257）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7171、ｙ＝0.0302、ｚ＝0.3985）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7808、ｙ＝0.5096、ｚ＝0.1234）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8007、ｙ＝0.2465、ｚ＝0.0562）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9644、ｙ＝0.0248、ｚ＝0.117）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9843、ｙ＝0.2668、ｚ＝0.6373）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9705、ｙ＝0.5501、ｚ＝0.715）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9482、ｙ＝0.9796、ｚ＝0.5987）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9025、ｙ＝0.2558、ｚ＝0.3516）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8996、ｙ＝0.769、ｚ＝0.9389）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.879、ｙ＝0.4946、ｚ＝0.9071）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8782、ｙ＝0.5323、ｚ＝0.4325）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8677、ｙ＝0.2107、ｚ＝0.83）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8083、ｙ＝0.7948、ｚ＝0.163）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8002、ｙ＝0.7707、ｚ＝0.6422）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7539、ｙ＝0.3393、ｚ＝0.5127）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7297、ｙ＝0.9803、ｚ＝0.8839）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7025、ｙ＝0.7422、ｚ＝0.3549）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6726、ｙ＝0.5571、ｚ＝0.7092）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.983、ｚ＝0.6004）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6148、ｙ＝0.2697、ｚ＝0.6505）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.5923、ｙ＝0.7615、ｚ＝0.9343）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.575、ｙ＝0.5346、ｚ＝0.4255）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.5431、ｙ＝0.4937、ｚ＝0.8858）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.528、ｙ＝0.2138、ｚ＝0.8498）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.5、ｙ＝0.7517、ｚ＝0.6419）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3596、ｙ＝0.9715、ｚ＝0.878）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3413、ｙ＝0.6644、ｚ＝0.7743）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2829、ｙ＝0.9698、ｚ＝0.6015）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2192、ｙ＝0.4904、ｚ＝0.8766）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1993、ｙ＝0.7535、ｚ＝0.9438）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0356、ｙ＝0.9752、ｚ＝0.883）
本発明の一態様に係る化合物によれば、一般的なＳｉ半導体のバンドギャップに比べて十分広い酸化物半導体材料を作製できる化合物を提供することができる。
実施例２に係る単結晶の（１０．１２ ０．００ ２．０９）面のプリセッション写真である。 実施例２に係る単結晶の（０．００ １２．７８ −６．６１）面のプリセッション写真である。 実施例２に係る単結晶の（１１．９５ −７．０８ ０．００）面のプリセッション写真である。
本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前に記載される数値を下限値とし、「〜」の後に記載される数値を上限値として含む範囲を意味する。
〔化合物〕
本実施形態に係る化合物（以下、化合物Ａと称する場合がある。）は、インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、アルミニウム元素（Ａｌ）及び酸素元素（Ｏ）から形成される。
化合物Ａの格子定数は、
ａ ＝ １０．０７±０．１５Å，
ｂ ＝ １０．４５±０．１５Å，
ｃ ＝ １１．０１±０．１５Å，
α＝１１１．７０±０．５０°，
β＝１０７．７０±０．５０°，及び
γ＝ ９０．００±０．５０°である。
化合物Ａは、結晶系が三斜晶を示す化合物である。
本実施形態に係る化合物Ａにおいて、格子定数は、好ましくは、
ａ ＝ １０．０７±０．１３Å，
ｂ ＝ １０．４５±０．１３Å，
ｃ ＝ １１．０１±０．１３Å，
α＝１１１．７０±０．４０°，
β＝１０７．７０±０．４０°，及び
γ＝ ９０．００±０．４０°である。
本実施形態に係る化合物Ａにおいて、格子定数は、より好ましくは、
ａ ＝ １０．０７±０．１０Å，
ｂ ＝ １０．４５±０．１０Å，
ｃ ＝ １１．０１±０．１０Å，
α＝１１１．７０±０．３０°，
β＝１０７．７０±０．３０°，及び
γ＝ ９０．００±０．３０°である。
本明細書において、単位Åは、１０−１０ｍに相当する。
化合物Ａの格子定数及び原子座標は、化合物Ａの単結晶粒について単結晶Ｘ線構造解析装置でＸＲＤパターンを測定し、このＸＲＤパターンについて単結晶構造解析ソフトウェアを用いて結晶構造解析を行って得られた結果を用いる。
作製したサンプルの粉末ＸＲＤパターンはＪＣＰＤＳ （Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｏｆ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄ）、及びＩＣＳＤ （Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｄａｔａｂａｓｅ）で一致するものがなく、本実施形態に係る化合物Ａは、未知の結晶構造化合物であることが判明した。
［結晶構造解析］
本実施形態に係る化合物Ａの結晶構造は、酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末、及び酸化インジウム粉末を混合焼結し作製した単結晶粒を単結晶Ｘ線構造解析装置Ｄ８ ＱＵＥＳＴ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて測定できる。この時のＸ線源はＭｏＫαであり、波長は０．７１０７３Åであり、管電圧は５０ｋＶであり、管電流は１ｍＡであり、照射径は２００μｍφであり、得られたＸＲＤパターンを単結晶構造解析ソフトウェアＡＰＥＸ３（Ｂｒｕｋｅｒ社製）で解析することで結晶構造を同定することができる。この時、単結晶粒の結晶粒径は、測定の容易性の観点から、３０μｍ以上であることが好ましい。
本実施形態に係る化合物Ａにおいて、インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及びアルミニウム元素（Ａｌ）の好ましい原子比は下記式（１）〜（３）で表される範囲である。
３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）≦６２ ・・・（１）
１５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）≦４５ ・・・（２）
８≦Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）≦３５ ・・・（３）
（式（１）〜（３）中、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａは、それぞれ酸化物焼結体中のインジウム元素、アルミニウム元素及びガリウム元素の原子数を示す。）
＜原子比の測定方法＞
本明細書における原子比は、誘導結合プラズマ発光分光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）により測定できる。
＜結晶系、及び空間群＞
本実施形態に係る化合物Ａの結晶系が三斜晶であり、化合物Ａは、空間群Ｐ−１に帰属可能な結晶構造を有することが好ましい。なお、空間群「Ｐ−１」における「Ｐ」と「１」との間に記載の「−」は、本来「１」の上に付して記載される（以下、他の空間群の表記についても同様である）。
（化合物Ａの第一の態様）
本実施形態に係る化合物Ａの第一の態様は、空間群がＰ−１であり、下記に示す原子配置を有する。ただし、下記原子配置における金属は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.36、ｚ＝0.87）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.12、ｚ＝0.62）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21、ｙ＝0.85、ｚ＝0.39）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23、ｙ＝0.11、ｚ＝0.97）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.29、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.12、ｚ＝0.63）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.14、ｚ＝0.01）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.69、ｙ＝0.18、ｚ＝0.32）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.09、ｙ＝0.88、ｚ＝0.03）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.06、ｙ＝0.61、ｚ＝0.46）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.15、ｙ＝0.40、ｚ＝0.19）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.26、ｙ＝0.36、ｚ＝0.54）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.61、ｚ＝0.45）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.48、ｙ＝0.40、ｚ＝0.23）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.84、ｙ＝0.39、ｚ＝0.23）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.73、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.03、ｙ＝0.45、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.05、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.74、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.23、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.51、ｚ＝0.09）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.79、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.19、ｙ＝0.21、ｚ＝0.84）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.23、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.25、ｙ＝0.66、ｚ＝0.49）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.27、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.30、ｙ＝0.26、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.33、ｙ＝0.44、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.39、ｙ＝0.73、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.24、ｚ＝0.07）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.43、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.51、ｚ＝0.11）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.47、ｙ＝0.79、ｚ＝0.15）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.25、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.64、ｙ＝0.03、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.34、ｚ＝0.23）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.72、ｙ＝0.03、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.78、ｙ＝0.51、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.25、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
以上が、本実施形態に係る化合物Ａの第一の態様における原子配置である。
（化合物Ａの第二の態様）
本実施形態に係る化合物Ａの第二の態様は、空間群がＰ−１であり、下記に示す原子配置を有する。ただし、下記原子配置における金属は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04478、ｙ＝0.36228、ｚ＝0.86934）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.12677、ｙ＝0.11682、ｚ＝0.62279）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21268、ｙ＝0.8504、ｚ＝0.38665）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23283、ｙ＝0.11047、ｚ＝0.97132）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.28695、ｙ＝0.64349、ｚ＝0.10627）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.45663、ｙ＝0.11849、ｚ＝0.62655）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58343、ｙ＝0.14455、ｚ＝0.0065）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62181、ｙ＝0.6417、ｚ＝0.10725）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.68785、ｙ＝0.18413、ｚ＝0.31614）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.08662、ｙ＝0.88097、ｚ＝0.03282）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02388、ｙ＝0.13328、ｚ＝0.30129）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.0627、ｙ＝0.6051、ｚ＝0.4561）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.1503、ｙ＝0.3962、ｚ＝0.1949）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.2624、ｙ＝0.36429、ｚ＝0.5374）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34051、ｙ＝0.1304、ｚ＝0.29845）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4081、ｙ＝0.6082、ｚ＝0.4509）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4821、ｙ＝0.39651、ｚ＝0.22899）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.8369、ｙ＝0.39245、ｚ＝0.23049）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0157、ｙ＝0.7332、ｚ＝0.3627）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0295、ｙ＝0.4499、ｚ＝0.285）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0518、ｙ＝0.0204、ｚ＝0.4013）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0975、ｙ＝0.7442、ｚ＝0.6484）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1004、ｙ＝0.231、ｚ＝0.0611）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.121、ｙ＝0.5054、ｚ＝0.0929）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1218、ｙ＝0.4677、ｚ＝0.5675）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1323、ｙ＝0.7893、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1917、ｙ＝0.2052、ｚ＝0.837）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1998、ｙ＝0.2293、ｚ＝0.3578）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2461、ｙ＝0.6607、ｚ＝0.4873）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2703、ｙ＝0.0197、ｚ＝0.1161）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2975、ｙ＝0.2578、ｚ＝0.6451）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3274、ｙ＝0.4429、ｚ＝0.2908）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.017、ｚ＝0.3996）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3852、ｙ＝0.7303、ｚ＝0.3495）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4077、ｙ＝0.2385、ｚ＝0.0657）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.425、ｙ＝0.4654、ｚ＝0.5745）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4569、ｙ＝0.5063、ｚ＝0.1142）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.472、ｙ＝0.7862、ｚ＝0.1502）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.2483、ｚ＝0.3581）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6404、ｙ＝0.0285、ｚ＝0.122）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6587、ｙ＝0.3356、ｚ＝0.2257）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7171、ｙ＝0.0302、ｚ＝0.3985）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7808、ｙ＝0.5096、ｚ＝0.1234）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8007、ｙ＝0.2465、ｚ＝0.0562）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9644、ｙ＝0.0248、ｚ＝0.117）
以上が、本実施形態に係る化合物Ａの第二の態様における原子配置である。
また、本実施形態に係る化合物Ａの結晶系が三斜晶であり、化合物Ａは、空間群Ｐ１に帰属可能な結晶構造を有することが好ましい。
（化合物Ａの第三の態様）
本実施形態に係る化合物Ａの第三の態様は、空間群がＰ１であり、下記に示す原子配置を有する。ただし、下記原子配置における金属はＩｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.36、ｚ＝0.87）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.12、ｚ＝0.62）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21、ｙ＝0.85、ｚ＝0.39）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23、ｙ＝0.11、ｚ＝0.97）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.29、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.12、ｚ＝0.63）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.14、ｚ＝0.01）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.69、ｙ＝0.18、ｚ＝0.32）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.09、ｙ＝0.88、ｚ＝0.03）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.06、ｙ＝0.61、ｚ＝0.46）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.15、ｙ＝0.40、ｚ＝0.19）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.26、ｙ＝0.36、ｚ＝0.54）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.61、ｚ＝0.45）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.48、ｙ＝0.40、ｚ＝0.23）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.84、ｙ＝0.39、ｚ＝0.23）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.64、ｚ＝0.13）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.87、ｙ＝0.88、ｚ＝0.38）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.79、ｙ＝0.15、ｚ＝0.61）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.77、ｙ＝0.89、ｚ＝0.03）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.71、ｙ＝0.36、ｚ＝0.89）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.54、ｙ＝0.88、ｚ＝0.37）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.42、ｙ＝0.86、ｚ＝0.99）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.36、ｚ＝0.89）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.31、ｙ＝0.82、ｚ＝0.68）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.91、ｙ＝0.12、ｚ＝0.97）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.98、ｙ＝0.87、ｚ＝0.70）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.94、ｙ＝0.39、ｚ＝0.54）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.85、ｙ＝0.60、ｚ＝0.81）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.74、ｙ＝0.64、ｚ＝0.46）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.87、ｚ＝0.70）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.59、ｙ＝0.39、ｚ＝0.55）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.52、ｙ＝0.60、ｚ＝0.77）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.16、ｙ＝0.61、ｚ＝0.77）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.73、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.03、ｙ＝0.45、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.05、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.74、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.23、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.51、ｚ＝0.09）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.79、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.19、ｙ＝0.21、ｚ＝0.84）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.23、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.25、ｙ＝0.66、ｚ＝0.49）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.27、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.30、ｙ＝0.26、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.33、ｙ＝0.44、ｚ＝0.29）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.39、ｙ＝0.73、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.24、ｚ＝0.07）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.43、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.51、ｚ＝0.11）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.47、ｙ＝0.79、ｚ＝0.15）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.25、ｚ＝0.36）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.64、ｙ＝0.03、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.34、ｚ＝0.23）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.72、ｙ＝0.03、ｚ＝0.40）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.78、ｙ＝0.51、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.25、ｚ＝0.06）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.98、ｙ＝0.27、ｚ＝0.64）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.97、ｙ＝0.55、ｚ＝0.72）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.95、ｙ＝0.98、ｚ＝0.60）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.90、ｙ＝0.26、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.90、ｙ＝0.77、ｚ＝0.94）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.88、ｙ＝0.49、ｚ＝0.91）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.88、ｙ＝0.53、ｚ＝0.43）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.87、ｙ＝0.21、ｚ＝0.83）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.81、ｙ＝0.79、ｚ＝0.16）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.77、ｚ＝0.64）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.75、ｙ＝0.34、ｚ＝0.51）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.73、ｙ＝0.98、ｚ＝0.88）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.70、ｙ＝0.74、ｚ＝0.35）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.67、ｙ＝0.56、ｚ＝0.71）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.98、ｚ＝0.60）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.61、ｙ＝0.27、ｚ＝0.65）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.59、ｙ＝0.76、ｚ＝0.93）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.53、ｚ＝0.43）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.54、ｙ＝0.49、ｚ＝0.89）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.53、ｙ＝0.21、ｚ＝0.85）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.75、ｚ＝0.64）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.36、ｙ＝0.97、ｚ＝0.88）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.66、ｚ＝0.77）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.28、ｙ＝0.97、ｚ＝0.60）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.22、ｙ＝0.49、ｚ＝0.88）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.75、ｚ＝0.94）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.98、ｚ＝0.88）
以上が、本実施形態に係る化合物Ａの第三の態様における原子配置である。
（化合物Ａの第四の態様）
本実施形態に係る化合物Ａの第四の態様は、空間群がＰ１であり、下記に示す原子配置を有する。ただし、下記原子配置における金属は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
金属が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含み、
酸素が配置される原子座標は、
ｘ±０．０１、
ｙ±０．０１、
ｚ±０．０１の幅を含む。
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04478、ｙ＝0.36228、ｚ＝0.86934）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.12677、ｙ＝0.11682、ｚ＝0.62279）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21268、ｙ＝0.8504、ｚ＝0.38665）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23283、ｙ＝0.11047、ｚ＝0.97132）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.28695、ｙ＝0.64349、ｚ＝0.10627）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.45663、ｙ＝0.11849、ｚ＝0.62655）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58343、ｙ＝0.14455、ｚ＝0.0065）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62181、ｙ＝0.6417、ｚ＝0.10725）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.68785、ｙ＝0.18413、ｚ＝0.31614）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.08662、ｙ＝0.88097、ｚ＝0.03282）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02388、ｙ＝0.13328、ｚ＝0.30129）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.0627、ｙ＝0.6051、ｚ＝0.4561）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.1503、ｙ＝0.3962、ｚ＝0.1949）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.2624、ｙ＝0.36429、ｚ＝0.5374）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34051、ｙ＝0.1304、ｚ＝0.29845）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4081、ｙ＝0.6082、ｚ＝0.4509）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.4821、ｙ＝0.39651、ｚ＝0.22899）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.8369、ｙ＝0.39245、ｚ＝0.23049）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.95522、ｙ＝0.63772、ｚ＝0.13066）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.87323、ｙ＝0.88318、ｚ＝0.37721）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.78732、ｙ＝0.1496、ｚ＝0.61335）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.76717、ｙ＝0.88953、ｚ＝0.02868）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.71305、ｙ＝0.35651、ｚ＝0.89373）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.54337、ｙ＝0.88151、ｚ＝0.37345）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41657、ｙ＝0.85545、ｚ＝0.9935）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.37819、ｙ＝0.3583、ｚ＝0.89275）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.31215、ｙ＝0.81587、ｚ＝0.68386）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.91338、ｙ＝0.11903、ｚ＝0.96718）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.97612、ｙ＝0.86672、ｚ＝0.69871）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.9373、ｙ＝0.3949、ｚ＝0.5439）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.8497、ｙ＝0.6038、ｚ＝0.8051）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.7376、ｙ＝0.63571、ｚ＝0.4626）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.65949、ｙ＝0.8696、ｚ＝0.70155）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.5919、ｙ＝0.3918、ｚ＝0.5491）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.5179、ｙ＝0.60349、ｚ＝0.77101）
原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.1631、ｙ＝0.60755、ｚ＝0.76951）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0157、ｙ＝0.7332、ｚ＝0.3627）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0295、ｙ＝0.4499、ｚ＝0.285）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0518、ｙ＝0.0204、ｚ＝0.4013）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0975、ｙ＝0.7442、ｚ＝0.6484）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1004、ｙ＝0.231、ｚ＝0.0611）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.121、ｙ＝0.5054、ｚ＝0.0929）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1218、ｙ＝0.4677、ｚ＝0.5675）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1323、ｙ＝0.7893、ｚ＝0.17）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1917、ｙ＝0.2052、ｚ＝0.837）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1998、ｙ＝0.2293、ｚ＝0.3578）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2461、ｙ＝0.6607、ｚ＝0.4873）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2703、ｙ＝0.0197、ｚ＝0.1161）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2975、ｙ＝0.2578、ｚ＝0.6451）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3274、ｙ＝0.4429、ｚ＝0.2908）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.017、ｚ＝0.3996）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3852、ｙ＝0.7303、ｚ＝0.3495）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4077、ｙ＝0.2385、ｚ＝0.0657）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.425、ｙ＝0.4654、ｚ＝0.5745）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.4569、ｙ＝0.5063、ｚ＝0.1142）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.472、ｙ＝0.7862、ｚ＝0.1502）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.2483、ｚ＝0.3581）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6404、ｙ＝0.0285、ｚ＝0.122）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6587、ｙ＝0.3356、ｚ＝0.2257）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7171、ｙ＝0.0302、ｚ＝0.3985）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7808、ｙ＝0.5096、ｚ＝0.1234）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8007、ｙ＝0.2465、ｚ＝0.0562）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9644、ｙ＝0.0248、ｚ＝0.117）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9843、ｙ＝0.2668、ｚ＝0.6373）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9705、ｙ＝0.5501、ｚ＝0.715）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9482、ｙ＝0.9796、ｚ＝0.5987）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.9025、ｙ＝0.2558、ｚ＝0.3516）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8996、ｙ＝0.769、ｚ＝0.9389）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.879、ｙ＝0.4946、ｚ＝0.9071）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8782、ｙ＝0.5323、ｚ＝0.4325）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8677、ｙ＝0.2107、ｚ＝0.83）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8083、ｙ＝0.7948、ｚ＝0.163）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.8002、ｙ＝0.7707、ｚ＝0.6422）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7539、ｙ＝0.3393、ｚ＝0.5127）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7297、ｙ＝0.9803、ｚ＝0.8839）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.7025、ｙ＝0.7422、ｚ＝0.3549）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6726、ｙ＝0.5571、ｚ＝0.7092）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.983、ｚ＝0.6004）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.6148、ｙ＝0.2697、ｚ＝0.6505）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.5923、ｙ＝0.7615、ｚ＝0.9343）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.575、ｙ＝0.5346、ｚ＝0.4255）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.5431、ｙ＝0.4937、ｚ＝0.8858）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.528、ｙ＝0.2138、ｚ＝0.8498）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.5、ｙ＝0.7517、ｚ＝0.6419）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3596、ｙ＝0.9715、ｚ＝0.878）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.3413、ｙ＝0.6644、ｚ＝0.7743）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2829、ｙ＝0.9698、ｚ＝0.6015）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.2192、ｙ＝0.4904、ｚ＝0.8766）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.1993、ｙ＝0.7535、ｚ＝0.9438）
原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.0356、ｙ＝0.9752、ｚ＝0.883）
以上が、本実施形態に係る化合物Ａの第四の態様における原子配置である。
＜バンドギャップ＞
化合物Ａのバンドギャップは、１．１ｅＶ以上４．８ｅＶ以下であることが好ましく、１．５ｅＶ以上４．５ｅＶ以下であることがより好ましく、２．０ｅＶ以上４．０ｅＶ以下であることがさらに好ましく、３．０ｅＶ以上３．７ｅＶ以下であることがよりさらに好ましい。また、化合物Ａのバンドギャップは、２．９ｅＶ以上３．３ｅＶ以下であることも好ましい。
化合物Ａのバンドギャップは、単結晶シリコンよりもバンドギャップが大きいため、化合物Ａは、パワー半導体用の材料として優れている。また、化合物Ａのバンドギャップは、β−ガリア（β−Ｇａ２Ｏ３）のバンドギャップよりも小さいが、熱伝導性、及びバルク抵抗値の観点では、化合物Ａの方がβ−ガリア（β−Ｇａ２Ｏ３）よりも有利であり、化合物Ａの方がβ−ガリア（β−Ｇａ２Ｏ３）よりも特性のバランスが良く、次世代材料として有望である。
バンドギャップの測定方法は、次の通りである。焼結体サンプルについて、拡散反射スペクトルを測定し、横軸の波長をエネルギー（単位は、ｅＶである。）に変換したスペクトルにおいて反射率が急激に下がる領域を直線（第一の直線）で近似し、この直線（第一の直線）と、同じスペクトルにおいて最大反射率を通りエネルギー軸に平行な直線（第二の直線）と、の交点からバンドギャップを算出する。拡散反射スペクトルは、積分球ユニットＩＳＮ−７２３（日本分光株式会社製）を備えた分光光度計Ｖ−６７０（日本分光株式会社製）を用いて測定できる。
本実施形態に係る化合物Ａは、バンドギャップが広く、伝導性を向上させることができる。本実施形態に係る化合物Ａによれば、一般的なＳｉ半導体のバンドギャップに比べてバンドギャップが十分に広い酸化物半導体材料を作製できる。
［化合物Ａの製造方法］
本実施形態に係る化合物Ａの製造方法は、特に限定されないが、固相反応法、気相反応法、融液法、溶液法、ゾルゲル法、スパッタリング法、ＴＥＯＳ−ＣＶＤ、ミストＣＶＤ、イオンプレーティング法、真空蒸着法、又は電子ビーム蒸着法により製造できる。
インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及びアルミニウム元素（Ａｌ）を含む化合物Ａは、例えば、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、及びアルミニウム酸化物を焼結することにより得られる。
例えば、１５００℃で焼結して得た多結晶の焼結体の中から化合物Ａの単結晶粒を抽出できる。
〔焼結体〕
本実施形態に係る焼結体は、本実施形態に係る化合物Ａを含む焼結体であり、本実施形態に係る化合物Ａのみからなる焼結体であることが好ましい。
作製した焼結体(単結晶粒)を単結晶Ｘ線構造解析装置Ｄ８ ＱＵＥＳＴ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて測定し、得られたＸＲＤパターンをＡＰＥＸ３（Ｂｒｕｋｅｒ社製）で解析することで格子定数を算出することができる。
＜バルク抵抗＞
本実施形態に係る化合物Ａのバルク抵抗は、０．１ｍΩ・ｃｍ以上５００ｍΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、０．１ｍΩ・ｃｍ以上１００ｍΩ・ｃｍ以下であることがより好ましく、０．５ｍΩ・ｃｍ以上５０ｍΩ・ｃｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍΩ・ｃｍ以上３０ｍΩ・ｃｍ以下であることがよりさらに好ましい。
本実施形態に係る化合物Ａのバルク抵抗が５００ｍΩ・ｃｍ以下であれば、抵抗が十分に低い化合物であり半導体として伝導率を有する。また、本実施形態に係る化合物Ａのバルク抵抗が０．１ｍΩ・ｃｍ以上であれば、本実施形態に係る化合物Ａは、半導体材料としてより好適である。
バルク抵抗は、実施例に記載の方法により測定できる。
＜化合物Ａの用途＞
本実施形態に係る化合物Ａをデバイス用の部材として用いる場合、化合物Ａの形状は、特に限定されないが、例えば、焼結体、基板、薄膜、もしくは微粒子、またはこれらのデバイスを作製する前の前駆体として用いてもよい。
本実施形態に係る化合物Ａを焼結体として用いる場合の例としては、スパッタリングターゲット、抵抗体、バリスタ積層セラミックコンデンサ、スロットダイ、積層フェライトチップインダクタ、チップバリスタ、サーミスタ、及び圧電アクチュエータなどにも適用できる。
本実施形態に係る化合物Ａを基板又は薄膜として用いる場合の例は、電界効果型トランジスタ、論理回路、メモリ回路、及び差動増幅回路、パワー半導体素子、（整流）ダイオード素子、ショットキーバリアダイオード素子、ジャンクショントランジスタ素子、静電気放電（ＥＳＤ）保護ダイオード、過渡電圧保護（ＴＶＳ）ダイオード、発光ダイオード、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、ショットキーソース／ドレインＭＯＳＦＥＴ、アバランシェ増倍型光電変換素子、固体撮像素子、太陽電池素子、光センサ素子、表示素子、及び抵抗変化メモリ等にも適用できる。
上記の本実施形態に係る化合物Ａを基板又は薄膜として用いる場合の素子を用いた電子回路は、電気機器、電子機器、車両、又は動力機関等に用いることができる。
以下、本発明を実施例と比較例を用いて説明する。しかしながら、本発明はこれら実施例に限定されない。
［結晶構造解析に用いる単結晶の作製法］
（実施例１、２、３及び４）
表１に示す金属組成比率（ａｔ％）となるように酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末、及び酸化インジウム粉末を合計７０ｇとなるように秤量した。秤量した粉末を瑪瑙（めのう）製のポットに入れ、サイズが２ｍｍΦ、重さが１５０ｇである撹拌子としてのジルコニアボール、サイズが５ｍｍΦ、重さが１５０ｇである撹拌子としてのジルコニアボール、バインダーとしてＰＶＡ（Ｐｏｌｙ（ｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）（ポリビニルアルコール））を０．３５ｇ、及び純水５６ｇを入れ、遊星型ボールミルにより２２０ｒｐｍで６時間混合粉砕を行った。その後、１２０℃の炉に入れ乾燥させ、６００μｍメッシュのふるいで混合粉末のみを取出した。
この混合粉末８ｇを１インチφの金型に入れ、２０ｋＰａ／ｃｍ２の圧力でプレス成型体を作製した。
次に、この緻密化したプレス成型体をプラチナるつぼに入れ大気圧焼成炉に設置して、５℃／ｍｉｎで８００℃まで昇温した後、８００℃で１時間保持した後、５℃／ｍｉｎで１３５０℃まで昇温した後、２４時間焼結し、放置冷却して室温まで温度を下げ多結晶の焼結体とした。この多結晶の焼結体を再び５℃／ｍｉｎで１５７５℃まで昇温した後、２時間焼結し、放置冷却して単結晶を作製した。
得られた多結晶の焼結体、及び焼結体から取り出した単結晶粒について、以下の評価を行った。
（比較例１）
以下の仕様のシリコンウエハに関して評価を実施した。
・基板厚み：６５０μｍ
・比抵抗 ：８．７Ωｃｍ
・導電性 ：Ｐ型
・結晶方位：＜１００＞
［評価］
実施例１、２、３、４、及び比較例１について以下の評価を実施し、評価結果を表１に示す。比較例１に係るシリコンウエハについても、
（１）格子定数及び原子座標
実施例１、２、３、及び４について、作製した単結晶粒を単結晶Ｘ線構造解析装置Ｄ８ ＱＵＥＳＴ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いてＸＲＤパターンを測定した。ＸＲＤパターンの測定条件として、Ｘ線源はＭｏＫα、波長は０．７１０７３Å、Ｘ線の管電圧は５０ｋＶ、管電流は１ｍＡ、照射径は２００μｍφであった。得られたＸＲＤパターンを単結晶構造解析ソフトウェアＡＰＥＸ３（Ｂｒｕｋｅｒ社製）で解析して、格子定数、結晶系、空間群、原子比及び原子座標を得た。なお、作製した単結晶粒の結晶粒径は３０μｍ以上だった。
（２）バルク抵抗（ｍΩ・ｃｍ）
得られた化合物のバルク抵抗は、多結晶の焼結体表面を研磨して、焼結体の内側を露出させて得た面について測定した。バルク抵抗（単位は、ｍΩ・ｃｍとした。）を、抵抗率計ロレスタ（三菱化学株式会社製）を使用して、四探針法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４：１９９４）に基づき測定した。
測定箇所は、焼結体を研磨して露出させた面の中心の１箇所、及び焼結体を研磨して露出させた面の四隅と中心との中間点の４箇所、計５箇所とし、５箇所の測定箇所の平均値をバルク抵抗値とした。
（３）多結晶の焼結体のバンドギャップ
多結晶の焼結体サンプルについて、拡散反射スペクトルを測定し、横軸の波長をエネルギー（単位は、ｅＶとした。）に変換したスペクトルにおいて反射率が急激に下がる領域を直線（第一の直線）で近似し、この直線（第一の直線）と、同じスペクトルにおいて最大反射率を通りエネルギー軸に平行な直線（第二の直線）と、の交点からバンドギャップを算出した。拡散反射スペクトルは積分球ユニットＩＳＮ−７２３（日本分光株式会社製）を備えた分光光度計Ｖ−６７０（日本分光株式会社製）を用いて測定した。
（４）単結晶粒の原子比
単結晶粒の原子比（金属組成比率）は、単結晶Ｘ線構造解析装置Ｄ８ ＱＵＥＳＴ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いてＸＲＤパターンを測定し、得られたＸＲＤパターンを単結晶構造解析ソフトウェアＡＰＥＸ３（Ｂｒｕｋｅｒ社製）で解析することによって得られた。実施例１〜４に係る単結晶粒は、表１に示す金属組成比率（単位は、ａｔ％とした。）であることを確認した。
比較例１に係るシリコンウエハについても、上記「（２）バルク抵抗」及び「（３）多結晶の焼結体のバンドギャップ」に記載の方法と同様にしてバルク抵抗及びバンドギャップを測定した。
〔評価結果〕
（実施例２）
図１に実施例２に係る単結晶の（１０．１２ ０．００ ２．０９）面のプリセッション写真を示す。
図２に実施例２に係る単結晶の（０．００ １２．７８ −６．６１）面のプリセッション写真を示す。
図３に実施例２に係る単結晶の（１１．９５ −７．０８ ０．００）面のプリセッション写真を示す。
プリセッション写真は、上記「（１）格子定数及び原子座標」において、作製した焼結体（単結晶粒）を単結晶Ｘ線構造解析装置Ｄ８ ＱＵＥＳＴ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて測定したＸＲＤパターンに相当する。
表１に実施例１〜４並びに比較例１に係る焼結体の特性評価結果を示す。なお、表１の結晶系、空間群、格子定数について、実施例１〜４については上記「(１)格子定数及び原子座標」に記載の方法で得られた結果を示した。
実施例２に係る酸化物焼結体が含む化合物Ａの原子座標を表２及び表３に示す。表４には、表２の原子座標の数値を小数点以下第２位まで表示して示し、表５には、表３の原子座標の数値を小数点以下第２位まで表示して示す。
実施例１に係る酸化物焼結体が含む化合物Ａの原子座標を表６及び表７に示す。表８には、表６の原子座標の数値を小数点以下第２位まで表示して示し、表９には、表７の原子座標の数値を小数点以下第２位まで表示して示す。
表１より、実施例１、２、３及び４に係る化合物Ａは、規定する格子定数（ａ、ｂ、ｃ、α、β、及びγ）の範囲を満たす結晶相を含むことが分かった。
表１より、実施例１、２、３及び４に係る化合物Ａは、一般的なＳｉ半導体のバンドギャップに比べて十分広い酸化物半導体材料を作製できる化合物であることが分かった。

Claims (4)

  1. インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、アルミニウム元素（Ａｌ）及び酸素元素（Ｏ）から形成され、
    格子定数が、
    ａ ＝ １０．０７±０．１５Å，
    ｂ ＝ １０．４５±０．１５Å，
    ｃ ＝ １１．０１±０．１５Å，
    α＝１１１．７０±０．５０°，
    β＝１０７．７０±０．５０°，及び
    γ＝ ９０．００±０．５０°であり、
    結晶系が三斜晶を示す化合物。
  2. 空間群がＰ−１もしくはＰ１である、請求項１に記載の化合物。
  3. 空間群がＰ−１であり、下記に示す原子配置を有する、請求項１に記載の化合物。
    ただし、下記原子配置における金属は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
    金属が配置される原子座標は、
    ｘ±０．０１、
    ｙ±０．０１、
    ｚ±０．０１の幅を含み、
    酸素が配置される原子座標は、
    ｘ±０．０１、
    ｙ±０．０１、
    ｚ±０．０１の幅を含む。
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.36、ｚ＝0.87）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.12、ｚ＝0.62）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21、ｙ＝0.85、ｚ＝0.39）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23、ｙ＝0.11、ｚ＝0.97）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.29、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.12、ｚ＝0.63）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.14、ｚ＝0.01）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.69、ｙ＝0.18、ｚ＝0.32）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.09、ｙ＝0.88、ｚ＝0.03）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.06、ｙ＝0.61、ｚ＝0.46）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.15、ｙ＝0.40、ｚ＝0.19）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.26、ｙ＝0.36、ｚ＝0.54）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.61、ｚ＝0.45）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.48、ｙ＝0.40、ｚ＝0.23）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.84、ｙ＝0.39、ｚ＝0.23）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.73、ｚ＝0.36）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.03、ｙ＝0.45、ｚ＝0.29）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.05、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.74、ｚ＝0.65）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.23、ｚ＝0.06）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.51、ｚ＝0.09）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.79、ｚ＝0.17）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.19、ｙ＝0.21、ｚ＝0.84）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.23、ｚ＝0.36）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.25、ｙ＝0.66、ｚ＝0.49）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.27、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.30、ｙ＝0.26、ｚ＝0.65）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.33、ｙ＝0.44、ｚ＝0.29）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.39、ｙ＝0.73、ｚ＝0.35）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.24、ｚ＝0.07）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.43、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.51、ｚ＝0.11）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.47、ｙ＝0.79、ｚ＝0.15）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.25、ｚ＝0.36）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.64、ｙ＝0.03、ｚ＝0.12）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.34、ｚ＝0.23）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.72、ｙ＝0.03、ｚ＝0.40）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.78、ｙ＝0.51、ｚ＝0.12）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.25、ｚ＝0.06）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
  4. 空間群がＰ１であり、下記に示す原子配置を有する、請求項１に記載の化合物。
    ただし、下記原子配置における金属はＩｎ、Ｇａ、及びＡｌのいずれか一つ、もしくはＩｎ，Ｇａ，及びＡｌのいずれか二つ以上が、一定の比率で同一原子座標を共有している状態であり、
    金属が配置される原子座標は、
    ｘ±０．０１、
    ｙ±０．０１、
    ｚ±０．０１の幅を含み、
    酸素が配置される原子座標は、
    ｘ±０．０１、
    ｙ±０．０１、
    ｚ±０．０１の幅を含む。
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.36、ｚ＝0.87）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.12、ｚ＝0.62）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.21、ｙ＝0.85、ｚ＝0.39）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.23、ｙ＝0.11、ｚ＝0.97）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.29、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.12、ｚ＝0.63）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.14、ｚ＝0.01）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.64、ｚ＝0.11）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.69、ｙ＝0.18、ｚ＝0.32）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.09、ｙ＝0.88、ｚ＝0.03）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.06、ｙ＝0.61、ｚ＝0.46）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.15、ｙ＝0.40、ｚ＝0.19）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.26、ｙ＝0.36、ｚ＝0.54）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.13、ｚ＝0.30）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.61、ｚ＝0.45）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.48、ｙ＝0.40、ｚ＝0.23）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.84、ｙ＝0.39、ｚ＝0.23）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.64、ｚ＝0.13）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.87、ｙ＝0.88、ｚ＝0.38）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.79、ｙ＝0.15、ｚ＝0.61）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.77、ｙ＝0.89、ｚ＝0.03）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.71、ｙ＝0.36、ｚ＝0.89）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.54、ｙ＝0.88、ｚ＝0.37）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.42、ｙ＝0.86、ｚ＝0.99）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.36、ｚ＝0.89）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.31、ｙ＝0.82、ｚ＝0.68）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.91、ｙ＝0.12、ｚ＝0.97）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.98、ｙ＝0.87、ｚ＝0.70）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.94、ｙ＝0.39、ｚ＝0.54）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.85、ｙ＝0.60、ｚ＝0.81）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.74、ｙ＝0.64、ｚ＝0.46）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.87、ｚ＝0.70）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.59、ｙ＝0.39、ｚ＝0.55）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.52、ｙ＝0.60、ｚ＝0.77）
    原子種：金属、原子座標（ｘ＝0.16、ｙ＝0.61、ｚ＝0.77）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.02、ｙ＝0.73、ｚ＝0.36）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.03、ｙ＝0.45、ｚ＝0.29）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.05、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.74、ｚ＝0.65）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.10、ｙ＝0.23、ｚ＝0.06）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.51、ｚ＝0.09）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.12、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.13、ｙ＝0.79、ｚ＝0.17）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.19、ｙ＝0.21、ｚ＝0.84）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.23、ｚ＝0.36）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.25、ｙ＝0.66、ｚ＝0.49）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.27、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.30、ｙ＝0.26、ｚ＝0.65）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.33、ｙ＝0.44、ｚ＝0.29）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.38、ｙ＝0.02、ｚ＝0.40）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.39、ｙ＝0.73、ｚ＝0.35）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.41、ｙ＝0.24、ｚ＝0.07）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.43、ｙ＝0.47、ｚ＝0.57）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.46、ｙ＝0.51、ｚ＝0.11）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.47、ｙ＝0.79、ｚ＝0.15）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.25、ｚ＝0.36）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.64、ｙ＝0.03、ｚ＝0.12）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.66、ｙ＝0.34、ｚ＝0.23）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.72、ｙ＝0.03、ｚ＝0.40）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.78、ｙ＝0.51、ｚ＝0.12）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.25、ｚ＝0.06）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.96、ｙ＝0.02、ｚ＝0.12）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.98、ｙ＝0.27、ｚ＝0.64）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.97、ｙ＝0.55、ｚ＝0.72）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.95、ｙ＝0.98、ｚ＝0.60）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.90、ｙ＝0.26、ｚ＝0.35）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.90、ｙ＝0.77、ｚ＝0.94）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.88、ｙ＝0.49、ｚ＝0.91）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.88、ｙ＝0.53、ｚ＝0.43）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.87、ｙ＝0.21、ｚ＝0.83）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.81、ｙ＝0.79、ｚ＝0.16）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.80、ｙ＝0.77、ｚ＝0.64）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.75、ｙ＝0.34、ｚ＝0.51）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.73、ｙ＝0.98、ｚ＝0.88）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.70、ｙ＝0.74、ｚ＝0.35）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.67、ｙ＝0.56、ｚ＝0.71）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.62、ｙ＝0.98、ｚ＝0.60）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.61、ｙ＝0.27、ｚ＝0.65）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.59、ｙ＝0.76、ｚ＝0.93）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.58、ｙ＝0.53、ｚ＝0.43）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.54、ｙ＝0.49、ｚ＝0.89）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.53、ｙ＝0.21、ｚ＝0.85）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.50、ｙ＝0.75、ｚ＝0.64）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.36、ｙ＝0.97、ｚ＝0.88）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.34、ｙ＝0.66、ｚ＝0.77）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.28、ｙ＝0.97、ｚ＝0.60）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.22、ｙ＝0.49、ｚ＝0.88）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.20、ｙ＝0.75、ｚ＝0.94）
    原子種：酸素、原子座標（ｘ＝0.04、ｙ＝0.98、ｚ＝0.88）
JP2020530408A 2018-08-01 2019-08-01 化合物 Active JP6761920B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018145480 2018-08-01
JP2018145480 2018-08-01
PCT/JP2019/030135 WO2020027244A1 (ja) 2018-08-01 2019-08-01 化合物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6761920B2 JP6761920B2 (ja) 2020-09-30
JPWO2020027244A1 true JPWO2020027244A1 (ja) 2020-10-01

Family

ID=69231206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020530408A Active JP6761920B2 (ja) 2018-08-01 2019-08-01 化合物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11760650B2 (ja)
JP (1) JP6761920B2 (ja)
KR (1) KR102436599B1 (ja)
CN (1) CN112512974B (ja)
TW (1) TWI770407B (ja)
WO (1) WO2020027244A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023176591A1 (ja) * 2022-03-16 2023-09-21 出光興産株式会社 焼結体、スパッタリングターゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、電子機器、及び焼結体の製造方法
JP7430843B1 (ja) 2023-09-14 2024-02-13 株式会社アルバック 酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014050793A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Ｒｏｃａ株式会社 半導体装置又は結晶、および、半導体装置又は結晶の製造方法
JP2014234337A (ja) * 2013-06-04 2014-12-15 株式会社Flosfia 酸化物結晶薄膜の製造方法
WO2015005202A1 (ja) * 2013-07-09 2015-01-15 株式会社Flosfia 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法
JP2019009405A (ja) * 2017-06-28 2019-01-17 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032422A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 出光興産株式会社 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
TW201119971A (en) * 2009-09-30 2011-06-16 Idemitsu Kosan Co Sintered in-ga-zn-o-type oxide
JP2013018660A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Sharp Corp 複無機化合物系およびその利用、並びに、複無機化合物系の製造方法
JP5965338B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-03 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
JP6284710B2 (ja) * 2012-10-18 2018-02-28 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
JP6352194B2 (ja) * 2013-01-16 2018-07-04 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及び当該酸化物半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ
JP2014214359A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及び当該酸化物半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ
JP5528612B1 (ja) 2013-07-09 2014-06-25 Ｒｏｃａ株式会社 半導体装置
JP5800209B2 (ja) * 2014-04-25 2015-10-28 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法
KR20170024579A (ko) * 2014-06-26 2017-03-07 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결체, 스퍼터링용 타겟 및 그것을 이용하여 얻어지는 산화물 반도체 박막
US10128108B2 (en) 2014-11-25 2018-11-13 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target
WO2017017966A1 (ja) * 2015-07-30 2017-02-02 出光興産株式会社 結晶質酸化物半導体薄膜、結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法及び薄膜トランジスタ
US20170144920A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Giga Solar Materials Corp. Crystalline oxides, preparation thereof and conductive pastes containing the same
JP6904517B2 (ja) 2016-06-30 2021-07-14 株式会社Flosfia 結晶性酸化物半導体膜およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014050793A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Ｒｏｃａ株式会社 半導体装置又は結晶、および、半導体装置又は結晶の製造方法
JP2014234337A (ja) * 2013-06-04 2014-12-15 株式会社Flosfia 酸化物結晶薄膜の製造方法
WO2015005202A1 (ja) * 2013-07-09 2015-01-15 株式会社Flosfia 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法
JP2019009405A (ja) * 2017-06-28 2019-01-17 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI770407B (zh) 2022-07-11
CN112512974B (zh) 2022-12-23
KR20210035198A (ko) 2021-03-31
TW202018137A (zh) 2020-05-16
KR102436599B1 (ko) 2022-08-25
JP6761920B2 (ja) 2020-09-30
CN112512974A (zh) 2021-03-16
US20210309535A1 (en) 2021-10-07
WO2020027244A1 (ja) 2020-02-06
US11760650B2 (en) 2023-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5928856B2 (ja) ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）結晶相からなる酸化物半導体用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP4875135B2 (ja) Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット
JP2017095346A (ja) 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
JPWO2009157535A6 (ja) ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）結晶相からなる酸化物半導体用スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN115340360A (zh) 氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶
KR20130113458A (ko) 산화물 소결체 및 그 제조방법, 스퍼터링 타겟, 산화물 투명 도전막 및 그 제조방법, 그리고 태양 전지
JP6761920B2 (ja) 化合物
Préaud et al. SPS‐assisted synthesis of InGaO3 (ZnO) m ceramics, and influence of m on the band gap and the thermal conductivity
JP7263408B2 (ja) 結晶質酸化物薄膜、アモルファス酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器
JP5501306B2 (ja) Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット
CN109071359B (zh) 氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜
WO2018143280A1 (ja) 非晶質酸化物半導体膜、酸化物焼結体、及び薄膜トランジスタ
TW201835002A (zh) 氧化物半導體膜、薄膜電晶體、氧化物燒結體及濺鍍靶材
TW201831405A (zh) 氧化物半導體及半導體裝置
KR102095828B1 (ko) 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃
Gupta et al. Effect of substrate temperature on structural and optoelectrical properties of silver doped zinc oxide thin films
Zainun et al. Crystalline Size Effect on the Electrical Properties of Zinc Oxide Nano‐Structured Thin Films for Solar Cell Applications
WO2016050809A1 (en) Semiconductor comprising gallium doped zinc cadmium oxide

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200602

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200602

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200901

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200907

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6761920

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150