JPWO2020013242A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1には、半導体上の中央部に、バリアハイトが小さくなる金属を配置し、半導体上の周辺部に、バリアハイトが大きくなる金属と半導体とのショットキーコンタクトを形成して、逆方向耐圧を大きくし、さらに順方向立ち上がり電圧を小さくすることが記載されている。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて本発明を完成させるに至った。
[1] n型半導体層と電極との間に1または2以上のp型半導体が設けられている半導体装置であって、前記p型半導体の一部または全部が、前記電極内に突出していることを特徴とする半導体装置。
[2] 前記p型半導体が、前記電極内に埋め込まれている前記[1]記載の半導体装置。
[3] 3以上の前記p型半導体が設けられている前記[1]または[2]に記載の半導体装置。
[4] 前記n型半導体層が、酸化物半導体を主成分として含む前記[1]〜[3]のいずれかに記載の半導体装置。
[5] 前記n型半導体層が、ガリウム化合物を主成分として含む前記[1]〜[4]のいずれかに記載の半導体装置。
[6] 前記n型半導体層が、コランダム構造または六方晶構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む前記[1]〜[5]のいずれかに記載の半導体装置。
[7] 前記p型半導体が、周期律表第13族および第9族から選ばれる1種または2種以上の金属を含む酸化物半導体である前記[1]〜[6]のいずれかに記載の半導体装置。
[8] 前記p型半導体が、ガリウムを含む酸化物半導体である前記[1]〜[7]のいずれかに記載の半導体装置。
[9] 前記p型半導体が、コランダム構造または六方晶構造を有する結晶性酸化物半導体である前記[1]〜[8]のいずれかに記載の半導体装置。
[10] 10以上の前記p型半導体が設けられている前記[1]〜[9]のいずれかに記載の半導体装置。
[11] 前記p型半導体が、前記n型半導体層上にエピタキシャル成長している前記[1]〜[10]のいずれかに記載の半導体装置。
[12] 前記p型半導体が、横方向成長領域を含む前記[1]〜[11]のいずれかに記載の半導体装置。
[13] ダイオードである前記[1]〜[12]のいずれかに記載の半導体装置。
[14] ジャンクションバリアショットキーダイオードである前記[1]〜[13]のいずれかに記載の半導体装置。
[15] パワーデバイスである前記[1]〜[14]のいずれかに記載の半導体装置。
[16] 半導体装置を備える半導体システムであって、前記半導体装置が、前記[1]〜[15]のいずれかに記載の半導体装置である半導体システム。
霧化・液滴化工程は、前記原料溶液を霧化または液滴化する。前記原料溶液の霧化手段または液滴化手段は、前記原料溶液を霧化または液滴化できさえすれば特に限定されず、公知の手段であってよいが、本発明においては、超音波を用いる霧化手段または液滴化手段が好ましい。超音波を用いて得られたミストまたは液滴は、初速度がゼロであり、空中に浮遊するので好ましく、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、空間に浮遊してガスとして搬送することが可能なミストであるので衝突エネルギーによる損傷がないため、非常に好適である。液滴サイズは、特に限定されず、数mm程度の液滴であってもよいが、好ましくは50μm以下であり、より好ましくは100nm〜10μmである。
前記原料溶液は、霧化または液滴化が可能であり、n型半導体層を形成可能な原料を含んでいれば特に限定されず、無機材料であっても、有機材料であってもよいが、本発明においては、前記原料が、金属または金属化合物であるのが好ましく、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケル、コバルト、亜鉛、マグネシウム、カルシウム、シリコン、イットリウム、ストロンチウムおよびバリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含むのがより好ましい。
搬送工程では、キャリアガスでもって前記ミストまたは前記液滴を成膜室内に搬送する。前記キャリアガスとしては、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、窒素やアルゴン等の不活性ガス、または水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスなどが好適な例として挙げられる。また、キャリアガスの種類は1種類であってよいが、2種類以上であってもよく、流量を下げた希釈ガス(例えば10倍希釈ガス等)などを、第2のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も1箇所だけでなく、2箇所以上あってもよい。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、0.01〜20L/分であるのが好ましく、1〜10L/分であるのがより好ましい。希釈ガスの場合には、希釈ガスの流量が、0.001〜2L/分であるのが好ましく、0.1〜1L/分であるのがより好ましい。
成膜工程では、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、基体上に、前記半導体膜を成膜する。熱反応は、熱でもって前記ミストまたは液滴が反応すればそれでよく、反応条件等も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。本工程においては、前記熱反応を、通常、溶媒の蒸発温度以上の温度で行うが、高すぎない温度(例えば1000℃)以下が好ましく、650℃以下がより好ましく、300℃〜650℃が最も好ましい。また、熱反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよいが、非酸素雰囲気下または酸素雰囲気下で行われるのが好ましい。また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、大気圧下で行われるのが好ましい。なお、膜厚は、成膜時間を調整することにより、設定することができる。
前記基体は、前記半導体膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。
なお、前記電極内に突出しているp型半導体は複数であるのが好ましく、3以上のp型半導体であるのがより好ましく、このような場合、p型半導体からp型半導体への距離は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、本発明においては、0.125μm〜4μmであるのが好ましい。また、前記p型半導体層は、さらに、前記n型半導体層に埋め込まれているのも好ましく、このような場合の前記n型半導体層に埋め込まれているp型半導体の深さは、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、本発明においては、0.125μm〜4μmであるのが好ましい。また、本発明においては、前記p型半導体が、前記n型半導体層上にエピタキシャル成長しているのが好ましく、前記p型半導体が横方向成長領域を含むのも好ましい。このような好ましいp型半導体を用いることにより、例えば、前記結晶性酸化物半導体がコランダム構造を有する場合等であっても、JBSダイオードとしての性能をより良好に発現することができる。
昇華工程は、金属酸化物ガスの固体状物(例えば粉末等)を昇華させ、ガス状とすることにより、金属酸化物ガスを得る。前記金属酸化物ガスとしては、ガス状のp型酸化物半導体に含まれる金属の金属酸化物などが挙げられるが、前記金属酸化物の価数などは、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、1価であってもよいし、2価であってもよい。3価であってもよいし、4価であってもよい。本発明においては、前記金属酸化物が、周期律表の第9族金属を含有するのが好ましく、イリジウムを含有するのがより好ましい。なお、前記p型酸化物半導体が混晶を含む場合には、前記金属酸化物が、イリジウムと、イリジウム以外の第9族金属又は第13族金属とを含有するのも好ましい。上記したような好ましい金属酸化物を用いることにより、バンドギャップが2.4eV以上のものが得られたりするので、より広いバンドギャップやより優れた電気特性をp型半導体において発揮することができる。
結晶成長工程では、前記金属酸化物ガスを前記基体表面近傍で結晶成長させて、前記基体表面の一部または全部に成膜する。結晶成長温度は、昇華工程の加熱温度よりも低い温度であるのが好ましく、900℃以下がより好ましく、500℃〜900℃が最も好ましい。また、結晶成長は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸化雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよく、また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、酸化雰囲気下で行われるのが好ましく、大気圧下で行われるのも好ましく、酸化雰囲気下でかつ大気圧下で行われるのがより好ましい。なお、「酸化雰囲気」は、金属酸化物の結晶又は混晶が形成できる雰囲気であれば特に限定されず、酸素または酸素含有化合物の存在下であればそれでよく、例えば、酸素を含むキャリアガスを用いたり、酸化剤を用いたりして酸化雰囲気とすること等が挙げられる。また、膜厚は、成膜時間を調整することにより、設定することができる。また、本発明においては、金属酸化物ガスにp型ドーパントを含めて本工程に付し、p型ドーピングを行ってもよい。前記p型ドーパントとしては、例えば、Mg、H、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Tl、Pb、N、P等及びこれらの2種以上の元素などが挙げられる。本発明においては、前記p型ドーパントが、周期律表の第1族金属又は第2族金属であるのが好ましく、第2族金属であるのがより好ましく、マグネシウム(Mg)であるのが最も好ましい。また、本発明においては、本工程で得られたp型半導体をアニール処理してもよい。
上記説明においては、ガードリング5を最後に形成したが、本発明においては、電極(バリア電極)2を形成する前にガードリング5を形成するのも好ましく、このように形成することにより、電極形成時の金属による影響を抑えることができる。
参考例1では、n型半導体層上へのp型半導体の形成およびp型半導体によるバリアハイトの調整について評価を行った。
1−1.p型半導体層の形成
1−1−1.成膜装置
図9を用いて、参考例で用いたミストCVD装置19を説明する。ミストCVD装置19は、基板20を載置するサセプタ21と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段22aと、キャリアガス供給手段22aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23aと、キャリアガス(希釈)を供給するキャリアガス(希釈)供給手段22bと、キャリアガス(希釈)供給手段22bから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23bと、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる供給管27と、供給管27の周辺部に設置されたヒーター28とを備えている。サセプタ21は、石英からなり、基板20を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室となる供給管27とサセプタ21をどちらも石英で作製することにより、基板20上に形成される膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
臭化ガリウムと臭化マグネシウムを超純水に混合し、ガリウムに対するマグネシウムの原子比が1:0.01および臭化ガリウム0.1モル/Lとなるように水溶液を調整し、この際、ハロゲン化水素酸を体積比で20%含有させ、これを原料溶液とした。
上記1−1−2.で得られた原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、基板20として、ミストCVDを用いて形成されたn+型半導体層(α−Ga203)を表面に有するサファイア基板をサセプタ21上に設置し、ヒーター28を作動させて成膜室27内の温度を520℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23a、23bを開いて、キャリアガス源であるキャリアガス供給手段22a、22bからキャリアガスを成膜室27内に供給し、成膜室27の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を1L/分に、キャリアガス(希釈)の流量を1L/分にそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして窒素を用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを霧化させてミストを生成した。このミストが、キャリアガスによって成膜室27内に導入され、大気圧下、520℃にて、成膜室27内でミストが反応して、基板20上に半導体膜が形成された。なお、成膜時間は60分間であった。
XRD回折装置を用いて、上記1−1−4.にて得られた膜の相の同定を行ったところ、ハロゲン化水素酸として臭化水素酸を用いて得られた膜はα−Ga203であった。
p型半導体層においてマグネシウムがp型ドーパントとして正常に機能しているかどうかを確かめるために、上記1−1.にて得られたα−Ga203膜につき、IV測定を実施した。IV測定の結果を図15に示す。図15から明らかなように、優れた整流性を示し、n+型半導体層とp型半導体層とが良好なPN接合を形成していた。また、マグネシウムがp型ドーパントとして正常に機能していることから、p型半導体の形成によってバリアハイトを調整できることがわかる。
参考例2では、n型半導体層上へのp型半導体としてのα―Ir2O3の形成およびp型半導体によるバリアハイトの調整について評価を行った。
2−1−1.成膜装置
図19を用いて、参考例で用いた成膜装置を説明する。図19の成膜装置51は、キャリアガス供給源と連結されている石英筒52と、石英筒52内に石英製の原料用設置台54とが設けられており、原料用設置台54上に原料55が載置されている。原料用設置台周辺の石英筒52の筒外にはヒーター3が円筒状に設けられており、原料55を加熱できるように構成されている。また、石英筒52の奥には石英基板台がサセプタ57として設置されており、サセプタ57が結晶成長温度内になるように設置位置が調整されている。
原料用設置台54上に、原料55としてIrO2粉末を載置し、基板56として、サファイア基板をサセプタ57上に設置した。次に、ヒーター53の温度を850℃にまで昇温し、原料用設置台54上に載置されたIrO2粉末を加熱することにより、IrO2粉末を昇華させて、ガス状の酸化イリジウムを生成した。
次に、ヒーター53の温度を850℃に保持したまま、キャリアガス供給源からキャリアガスを石英筒52内に供給し、上記2−1−2.にて生成した金属酸化物ガス(ガス状の酸化イリジウム)を、石英筒52を通して基板56に供給した。なお、キャリアガスの流量は1.0L/分であり、キャリアガスとして酸素を用いた。この金属酸化物ガスが、大気圧下で、基板56の表面近傍にて反応することにより、基板上に膜が形成された。なお、成膜時間は120分間であった。
上記2−1.にて得られた膜について、X線回析装置を用いて膜の同定をしたところ、得られた膜は、α−Ir2O3膜であった。また、上記2−1.で得られたp型半導体層上に、ミストCVD法を用いてα−Ga2O3膜からなるn−型半導体層およびn+型半導体層を形成した後、IV測定を実施した。その結果、優れた整流性を示し、n−型半導体層とp型半導体層とが良好なPN接合を形成していた。また、p型半導体の形成によってバリアハイトを調整できることがわかった。
1.n+型半導体層の形成
1−1.成膜装置
図16を用いて、本実施例で用いたミストCVD装置109を説明する。ミストCVD装置109は、キャリアガスを供給するキャリアガス源22aと、キャリアガス源22aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23aと、キャリアガス(希釈)を供給するためのキャリアガス(希釈)源22bと、キャリアガス(希釈)源22bから送り出されるキャリアガス(希釈)の流量を調節するための流量調節弁23bと、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、成膜室30と、ミスト発生源24から成膜室30までをつなぐ石英製供給管27と、成膜室30内に設置されたホットプレート(ヒーター)28とを備えている。ホットプレート28上には、基板20が設置されている。
0.1モル/L臭化ガリウム水溶液に臭化スズを、ガリウムとスズの物質量比が1:0.12となるように溶解し、この際、臭化水素酸を体積比で15%加え、これを原料溶液とした。
上記1−2.で得られた原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、基板20として、表面にバッファ層としてアンドープα−Ga2O3層が形成されたm面サファイア基板を用いて、ホットプレート28上に設置し、ホットプレート28を作動させて基板温度を600℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23a、23bを開いて、キャリアガス源であるキャリアガス供給装置22a、22bからキャリアガスを成膜室30内に供給し、成膜室30の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を1.0L/分に、キャリアガス(希釈)の流量を1.0L/分にそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして窒素を用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを霧化させてミスト(霧化液滴)24bを生成させた。このミスト24bが、キャリアガスによって、供給管27内を通って、成膜室30内に導入され、大気圧下、600℃にて、基板20上にてミストが熱反応して、基板20上に成膜した。成膜時間は1時間であった。得られた膜は、X線回折装置を用いて同定したところ、α−Ga2O3単結晶膜であった。
原料溶液として、臭化ガリウムを超純水に混合して、臭化ガリウム0.1mol/Lとなるように水溶液を調整し、この際、臭化水素酸を体積比で10%加えたものを用いたこと、成膜時間を50分間としたこと、以外は、上記1.と同様にして、上記1.で得られたn+型半導体層上に、n−型半導体層を成膜した。得られた膜は、X線回折装置を用いて同定したところ、α−Ga2O3単結晶膜であった。なお、n−型半導体層は、n+型半導体層の一部が露出するように、マスクを用いてパターン形成した。
上記2.で得られたn−型半導体層上に、SiO2膜を成膜し、ついで、フォトリソグラフィーおよびウェットエッチングを行うことにより、p型埋込層形成用のマスクパターンを形成した。
原料溶液として、0.1モル/L臭化ガリウム水溶液に臭化マグネシウムを、ガリウムとマグネシウムの物質量比が1:0.1となるように溶解し、この際、ハロゲン化水素酸を体積比で20%加えたものを用いたこと、成膜温度を540℃としたこと、および成膜時間を30分間としたこと以外は、上記1.と同様にして、上記3.にて得られたマスクパタ上にp型半導体を形成した。なお、ショットキー電極の両端とn−型半導体層との間に位置するp型半導体は、ガードリングとして形成した。得られたp型半導体は、X線回折装置を用いて同定したところ、α−Ga2O3単結晶であった。
上記3.で形成したSiO2マスクパターンをエッチングにより除去した後、上記4.にて得られたp型半導体の一部がn−型半導体層内に埋め込まれるように、n−型半導体層を再成長させた。なお、n−型半導体層の成長は、成膜時間を25分間としたこと以外は、上記2.と同様にして行った。また、埋め込まれたp型半導体の数は、40本であった。
上記5.にて得られた、p型半導体が埋め込まれたn−型半導体層上に、ショットキー電極として、Coを形成した。なお、Coの形成は、EB蒸着を用いて行った。また、膜厚は200nmであった。
上記2.において露出させたn+型半導体層上に、オーミック電極としてTiを形成した。なお、Tiの形成は、EB蒸着を用いて行った。また、膜厚は200nmであった。
得られたJBSダイオードの断面の一部をTEMを用いて観察したところ、図18から明らかなとおり、p型半導体がn型半導体層内に埋め込まれており、かつ、ショットキー電極内に突出していることがわかった。さらに、p型半導体は良好な横方向成長領域を含むことがわかった。
1.n+型半導体層の形成
原料溶液として、0.1モル/L臭化ガリウム水溶液に臭化スズを、ガリウムとスズの物質量比が1:1:0.04となるように溶解し、この際、臭化水素酸を体積比で15%加えたものを用いたこと、成膜時間を10分間としたこと以外は、実施例1の1.n+型半導体層の形成と同様にして、成膜を行った。得られた膜は、X線回折装置を用いて同定したところ、α−Ga2O3単結晶膜であった。
成膜時間を20分間としたこと以外は、実施例1の2.n−型半導体層の形成と同様にして、成膜を行った。得られた膜は、X線回折装置を用いて同定したところ、α−Ga2O3単結晶膜であった。
フォトリソグラフィーおよびドライエッチングを用いて、上記2.で得られたn−型半導体層に、p型半導体埋め込み用の溝を形成した。
成膜時間を14分間としたこと以外は、実施例1の4.p型半導体の埋め込み形成と同様にして、上記3.で形成したp型半導体を成膜した。なお、埋め込まれたp型半導体の数は、75本であった。
上記4.にて得られた、p型半導体が埋め込まれたn−型半導体層上に、実施例1の6.ショットキー電極の形成と同様にして、ショットキー電極を形成した。
エッチングによって露出さ表面の一部を露出させたn+型半導体層上に、実施例1の7.オーミック電極の形成と同様にして、オーミック電極を形成した。
得られたJBSダイオードの断面の一部を実施例1と同様にして観察したところ、p型半導体がn型半導体層内に埋め込まれており、かつ、ショットキー電極内に突出していることがわかった。さらに、p型半導体は良好な横方向成長領域を含むことがわかった。
p型半導体の形成を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、SBDを作製した。
p型半導体の形成を、前記p型半導体が電極内に突出しないように行ったこと、およびp型半導体を2つ設けたこと以外は、実施例1と同様にして、JBSダイオードを作製した。
実施例2および比較例1にて得られたJBSダイオードにつき、I−V測定を行った。結果を図17に示す。図17から明らかように、実施例2のJBSダイオードによれば、比較例1のSBDと比較して、電界集中がより抑制され、耐圧性により優れていることが分かる。また、順方向のI−V測定の結果から、比較例1のSBDと比較して、実施例2のJBSダイオードのコンタクト抵抗がより低減していることがわかった。実施例1のJBSダイオードにつき、同様にしてI−V測定を行ったところ、実施例2のJBSダイオードと同等の電気特性を有することがわかった。また、比較例2のJBSダイオードは、比較例1のSBDと同等の電気特性を有することがわかった。
2 電極(バリア電極)
3 n型半導体層
4 オーミック電極
5 ガードリング
19 ミストCVD装置
20 基板
21 サセプタ
22a キャリアガス供給手段
22b キャリアガス(希釈)供給手段
23a 流量調節弁
23b 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 供給管
28 ヒーター
29 排気口
51 成膜装置
52 石英筒
53 ヒーター
54 原料設置台
55 原料
56 基板
57 サセプタ
109 ミストCVD装置
170 電源システム
171 電源装置
172 電源装置
173 制御回路
180 システム装置
181 電子回路
182 電源システム
192 インバータ
193 トランス
194 整流MOSFET
195 DCL
196 PWM制御回路
197 電圧比較器
Claims (16)
- n型半導体層と電極との間に1または2以上のp型半導体が設けられている半導体装置であって、前記p型半導体の一部または全部が、前記電極内に突出していることを特徴とする半導体装置。
- 前記p型半導体が、前記電極内に埋め込まれている請求項1記載の半導体装置。
- 3以上の前記p型半導体が設けられている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記n型半導体層が、酸化物半導体を主成分として含む請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記n型半導体層が、ガリウム化合物を主成分として含む請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記n型半導体層が、コランダム構造または六方晶構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記p型半導体が、周期律表第13族および第9族から選ばれる1種または2種以上の金属を含む酸化物半導体である請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記p型半導体が、ガリウムを含む酸化物半導体である請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記p型半導体が、コランダム構造または六方晶構造を有する結晶性酸化物半導体である請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置。
- 10以上の前記p型半導体が設けられている請求項1〜9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記p型半導体が、前記n型半導体層上にエピタキシャル成長している請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記p型半導体が、横方向成長領域を含む請求項1〜11のいずれかに記載の半導体装置。
- ダイオードである請求項1〜12のいずれかに記載の半導体装置。
- ジャンクションバリアショットキーダイオードである請求項1〜13のいずれかに記載の半導体装置。
- パワーデバイスである請求項1〜14のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体装置を備える半導体システムであって、前記半導体装置が、請求項1〜15のいずれかに記載の半導体装置である半導体システム。
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