JPWO2020008294A5 - - Google Patents
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023096241A JP7531660B2 (ja) | 2018-07-06 | 2023-06-12 | 金属酸窒化物膜及び表示装置 |
| JP2024123599A JP2024163913A (ja) | 2018-07-06 | 2024-07-30 | 金属酸窒化物膜 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018128964 | 2018-07-06 | ||
| JP2018128964 | 2018-07-06 | ||
| PCT/IB2019/055287 WO2020008294A1 (ja) | 2018-07-06 | 2019-06-24 | 金属酸窒化物膜の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023096241A Division JP7531660B2 (ja) | 2018-07-06 | 2023-06-12 | 金属酸窒化物膜及び表示装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020008294A1 JPWO2020008294A1 (ja) | 2021-08-02 |
| JPWO2020008294A5 true JPWO2020008294A5 (https=) | 2022-06-10 |
| JP7296381B2 JP7296381B2 (ja) | 2023-06-22 |
Family
ID=69060795
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020528536A Active JP7296381B2 (ja) | 2018-07-06 | 2019-06-24 | 金属酸窒化物膜の作製方法 |
| JP2023096241A Active JP7531660B2 (ja) | 2018-07-06 | 2023-06-12 | 金属酸窒化物膜及び表示装置 |
| JP2024123599A Pending JP2024163913A (ja) | 2018-07-06 | 2024-07-30 | 金属酸窒化物膜 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023096241A Active JP7531660B2 (ja) | 2018-07-06 | 2023-06-12 | 金属酸窒化物膜及び表示装置 |
| JP2024123599A Pending JP2024163913A (ja) | 2018-07-06 | 2024-07-30 | 金属酸窒化物膜 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11728163B2 (https=) |
| JP (3) | JP7296381B2 (https=) |
| KR (1) | KR102943468B1 (https=) |
| CN (2) | CN119753828A (https=) |
| WO (1) | WO2020008294A1 (https=) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230060303A1 (en) * | 2020-02-14 | 2023-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
| WO2025079560A1 (ja) * | 2023-10-11 | 2025-04-17 | 住友化学株式会社 | 金属窒化物、膜、積層体、素子、デバイス、膜の製造方法、磁気トンネル接合素子、及び、磁気デバイス |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07262801A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜発光素子及び発光装置 |
| JP4404995B2 (ja) | 1999-07-26 | 2010-01-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Ａ面サファイア基板を用いたＺｎＯ系化合物半導体発光素子およびその製法 |
| KR100694928B1 (ko) | 1999-07-26 | 2007-03-14 | 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 | ＺｎＯ계 화합물 반도체발광소자 및 그 제조방법 |
| EP1374309A1 (en) * | 2001-03-30 | 2004-01-02 | The Regents Of The University Of California | Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
| US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
| JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
| CN101600820B (zh) | 2006-12-28 | 2012-08-15 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 蓝宝石基材及其制备方法 |
| JP5490368B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2014-05-14 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー | エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 |
| CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
| JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP2011029238A (ja) | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Fujifilm Corp | 結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ |
| JP6095914B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2017-03-15 | 三菱重工業株式会社 | エアフィルタ自動清掃機構の制御装置、方法、プログラム、およびそれを備えた空気調和機 |
| JP6217196B2 (ja) | 2013-07-11 | 2017-10-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体材料、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法 |
| TWI672804B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置的製造方法 |
| JP6901473B2 (ja) | 2016-05-26 | 2021-07-14 | 住友化学株式会社 | 金属酸窒化物半導体膜の製造方法および金属酸窒化物半導体膜 |
| JP2017216445A (ja) | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 出光興産株式会社 | 膜、膜の製造方法、積層体及び半導体デバイス |
| US10461197B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor |
| US10347483B2 (en) * | 2017-05-29 | 2019-07-09 | Franck Natali | Rare earth nitride structure or device and fabrication method |
-
2019
- 2019-06-24 CN CN202411921844.XA patent/CN119753828A/zh active Pending
- 2019-06-24 US US17/257,071 patent/US11728163B2/en active Active
- 2019-06-24 CN CN201980039953.XA patent/CN112335024B/zh active Active
- 2019-06-24 KR KR1020217003197A patent/KR102943468B1/ko active Active
- 2019-06-24 JP JP2020528536A patent/JP7296381B2/ja active Active
- 2019-06-24 WO PCT/IB2019/055287 patent/WO2020008294A1/ja not_active Ceased
-
2023
- 2023-06-12 JP JP2023096241A patent/JP7531660B2/ja active Active
- 2023-08-11 US US18/232,881 patent/US12315717B2/en active Active
-
2024
- 2024-07-30 JP JP2024123599A patent/JP2024163913A/ja active Pending
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