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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021161126A1 (ja) * 2020-02-14 2021-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
WO2025079560A1 (ja) * 2023-10-11 2025-04-17 住友化学株式会社 金属窒化物、膜、積層体、素子、デバイス、膜の製造方法、磁気トンネル接合素子、及び、磁気デバイス

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07262801A (ja) * 1994-03-25 1995-10-13 Murata Mfg Co Ltd 薄膜発光素子及び発光装置
JP4404995B2 (ja) * 1999-07-26 2010-01-27 独立行政法人産業技術総合研究所 A面サファイア基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法
EP1912298A1 (en) 1999-07-26 2008-04-16 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
CA2442985C (en) * 2001-03-30 2016-05-31 The Regents Of The University Of California Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
EP1443130B1 (en) 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
RU2414550C1 (ru) * 2006-12-28 2011-03-20 Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. Сапфировая подложка (варианты)
JP5490368B2 (ja) * 2007-03-26 2014-05-14 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP2011029238A (ja) 2009-07-21 2011-02-10 Fujifilm Corp 結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ
JP6095914B2 (ja) * 2012-07-31 2017-03-15 三菱重工業株式会社 エアフィルタ自動清掃機構の制御装置、方法、プログラム、およびそれを備えた空気調和機
JP6217196B2 (ja) 2013-07-11 2017-10-25 三菱電機株式会社 半導体材料、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法
TWI672804B (zh) * 2014-05-23 2019-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置的製造方法
KR20190013872A (ko) 2016-05-26 2019-02-11 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 금속 산질화물 반도체막의 제조 방법 및 금속 산질화물 반도체막
JP2017216445A (ja) 2016-05-31 2017-12-07 出光興産株式会社 膜、膜の製造方法、積層体及び半導体デバイス
US10461197B2 (en) 2016-06-03 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor
US10347483B2 (en) * 2017-05-29 2019-07-09 Franck Natali Rare earth nitride structure or device and fabrication method

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