JPWO2019234917A1 - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、低コストで基板上に薄膜を成膜することができる成膜装置を提供することを目的とする。実施の形態１の成膜装置（１１）は、加熱室（８０）内で行う加熱処理と成膜室（９０）内で行うミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、赤外光照射器（２，４）及び薄膜形成ノズル（１）が互いに分離して配置されている。実施の形態１の成膜装置（１１）は、加熱室（８０）内で赤外光照射器（２，４）の赤外光照射による加熱処理を実行した後、成膜室（９０）内で薄膜形成ノズル（１）によるミスト噴射処理を実行する。

Description

この発明は、太陽電池などの電子デバイスの製造に用いられ、基板上に膜を成膜する成膜装置に関するものである。

基板上に膜を成膜する方法として、化学気相成長（ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)）法がある。しかしながら、化学気相成長法では真空下での成膜が必要な場合が多くなり、真空ポンプなどに加えて、大型の真空容器を用いる必要がある。さらに、化学気相成長法では、コスト等の観点から、成膜される基板として大面積のものを採用することが困難である、という問題があった。そこで、大気圧下における成膜処理が可能なミスト法が、注目されている。

ミスト法を利用した成膜装置に関する従来技術として、例えば特許文献１に係る技術が存在している。

特許文献１に係る技術では、ミスト噴射用ノズル等を含むミスト噴射ヘッド部の底面に設けられる原料溶液噴出口及び反応材料噴出口から、大気中に配置されている基板に対してミスト化された原料溶液及び反応材料が噴射されている。当該噴射により、基板上には膜が成膜される。なお、反応材料は原料溶液との反応に寄与する材料を意味する。

図７は従来の成膜装置の概略構成を示す説明図である。同図に示すように、基板載置部である基板積載ステージ３０は上面に複数の基板１０を載置している。

基板積載ステージ３０は真空吸着による吸着機構３１を有し、この吸着機構３１により、載置した複数の基板１０それぞれの裏面全体を、基板積載ステージ３０の上面上に吸着することができる。さらに、基板積載ステージ３０は吸着機構３１の下方に加熱機構３２が設けられており、この加熱機構３２により、基板積載ステージ３０の上面に載置した複数の基板１０に対する加熱処理を実行することができる。

薄膜形成ノズル１（ミスト噴射部）は噴射面１Ｓに設けられた噴射口から下方に原料ミストＭＴを噴射するミスト噴射処理を実行する。なお、原料ミストＭＴは原料溶液をミスト化して得られるミストであり、薄膜形成ノズル１によって原料ミストＭＴを大気中に噴射することができる。

薄膜形成ノズル１、基板積載ステージ３０、基板積載ステージ３０の上面に載置された複数の基板１０は全て成膜室６０に収納される。成膜室６０は上部容器６８、下部容器６９及び扉６７により構成される。成膜室６０は、成膜処理を行う際、扉６７を閉状態にして上部容器６８，下部容器６９間の開口部を塞ぐことにより、薄膜形成ノズル１、基板積載ステージ３０及び複数の基板１０を外部から遮断することができる。

したがって、成膜室６０の扉６７を閉状態にし、加熱機構３２の加熱処理中に、薄膜形成ノズル１によりミスト噴射処理を実行することにより、基板積載ステージ３の上面に載置された基板１０上に薄膜を成膜することができる。

このように、従来の成膜装置は、薄膜形成ノズル１によるミスト噴射処理と加熱機構３２による加熱処理とを同時に実行することにより基板１０上に薄膜を成膜している。

国際公開第２０１７／０６８６２５号

上述したように、従来の成膜装置は、成膜対象物となる基材である基板１０を上面上に載置する基板積載ステージ３０の内部に加熱機構３２を設け、基板積載ステージ３０を平面型加熱手段として用いるのが一般的であった。

基板積載ステージ３０のような平面型加熱手段を用いる場合、基板積載ステージ３０の上面と基板１０の下面とを接触させ、基板積載ステージ３０，基板１０間を伝熱させて基板１０の加熱処理を実行することになる。

しかし、基板１０が平板形状ではなく、その下面が湾曲したものや、下面に凹凸がある構造を呈する場合、平面型加熱手段では、基板積載ステージ３０の上面と基板１０の裏面との接触が局所的になる。このため、加熱機構３２による加熱処理の実行時に基板１０の加熱が不均一になったり、基板１０に反りが発生して変形したりする等の問題点があった。

本発明では、上記のような問題点を解決し、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板上に薄膜を成膜することができる成膜装置を提供することを目的とする。

この発明に係る成膜装置は、基板を搬送する基板搬送部と、赤外光ランプを有し、前記赤外光ランプから赤外光を照射して前記基板を加熱する加熱処理を実行する加熱機構と、原料溶液をミスト化して得られる原料ミストを噴射するミスト噴射処理を実行するミスト噴射部とを備え、前記加熱処理と前記ミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、前記加熱機構及び前記ミスト噴射部は分離して配置され、前記基板搬送部によって前記基板を搬送させつつ、前記加熱機構による加熱処理の実行後に、前記ミスト噴射部によるミスト噴射処理を実行して前記基板の表面に薄膜を成膜する。

請求項１記載の本願発明の成膜装置は、赤外光ランプから赤外光を照射して基板を加熱する加熱処理を実行する加熱機構を備えているため、加熱機構による加熱処理の実行により基板の形状に関わらず、基板を均一に加熱することができる。

さらに、加熱処理とミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように加熱機構及びミスト噴射部は分離して配置されているため、加熱処理及びミスト噴射処理それぞれの実行時に、原料ミストが赤外光を吸収することにより加熱されて蒸発するという原料ミスト蒸発現象の発生を確実に回避することができる。

その結果、請求項１記載の本願発明の成膜装置は、加熱機構による加熱処理の実行後、ミスト噴射部によるミスト噴射処理を実行することにより、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板の表面に薄膜を成膜することができる。

この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

この発明の実施の形態１である成膜装置の概略構成を示す説明図である。 この発明の実施の形態２である成膜装置の概略構成を示す説明図である。 実施の形態２の第１の変形例を模式的に示す説明図である。 実施の形態２の第２の変形例を模式的に示す説明図である。 この発明の実施の形態３である成膜装置の概略構成を示す説明図（その１）である。 この発明の実施の形態３である成膜装置の概略構成を示す説明図（その２）である。 従来の成膜装置の概略構成を示す説明図である。

＜前提技術＞
図７で示した従来技術を改良し、基板積載ステージ３０内に加熱機構３２を設けることなく、赤外光ランプから赤外光を照射して基板１０を加熱する加熱処理を実行する赤外光照射器を加熱機構として別途設け、基板積載ステージ３０から離れて配置する構成が新規な前提技術として考えられる。

上記前提技術は、加熱機構として赤外光照射器を用いることにより、基材となる基板１０に接触することなく電磁波である赤外線で直接加熱できるため、基板１０の形状に関わらず均一に加熱することが可能となる。

しかし、上記前提技術においても、原料ミストＭＴが赤外光照射器から照射される赤外光を吸収し、原料ミストＭＴが加熱されて蒸発するという原料ミスト蒸発現象が発生するため、成膜品質、成膜速度が低下する問題点が残存している。また、原料ミスト蒸発現象は赤外光照射器による加熱処理の妨げになるという問題点も有している。

以下で述べる実施の形態１〜実施の形態３は、従来技術及び上述した前提技術の問題点を併せて解消することを目的としている。

＜実施の形態１＞
図１はこの発明の実施の形態１である成膜装置の概略構成を示す説明図である。図１にＸＹＺ直交座標系を記す。

図１に示すように、実施の形態１の成膜装置１１は、加熱室８０、成膜室９０、薄膜形成ノズル１、赤外光照射器２及び４並びにコンベア５３を主要構成要素として含んでいる。

基板搬送部であるコンベア５３はベルト５２の上面に複数の基板１０を載置しつつ、複数の基板１０を搬送方向（Ｘ方向）に搬送している。コンベア５３は左右（−Ｘ方向，＋Ｘ方向）両端に設けられた搬送用の一対のローラ５１と、一対のローラ５１に架け渡された無端状の搬送用のベルト５２とを備えている。なお、ベルト５２はＹ方向両端に設けられた一対の線状のコンベアチェーンの組合せにより構成される。

コンベア５３は、一対のローラ５１の回転駆動によって、上方側（＋Ｚ方向側）のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることができる。

コンベア５３の一対のローラ５１のうち、一方は加熱室８０外の左方（−Ｘ方向）に設けられ、他方は成膜室９０外の右方（＋Ｘ方向）に設けられる。また、ベルト５２は中央部が加熱室８０及び成膜室９０のうちいずれかの内部に設けられる。

ベルト５２は一対のローラ５１の回転駆動により、加熱室８０の左右（−Ｘ方向，＋Ｘ方向）の側面の一部に設けられる一対の開口部８８、及び成膜室９０の左右の側面の一部に設けられる開口部９８を介して、加熱室８０の内部、成膜室９０の内部及び外部との間を移動することができる。

加熱室８０及び成膜室９０は隣接して設けられ、加熱室８０の右側の開口部８８と、成膜室９０の左側の開口部９８とは共用される。

コンベア５３の一部、及び赤外光照射器２，４は加熱室８０内に収納される。加熱室８０は上部容器８１、下部容器８２及び一対の開口部８８により構成される。Ｚ方向である高さ方向において上部容器８１と下部容器８２との間に一対の開口部８８が位置する。したがって、加熱室８０内の開口部８８，８８間に設けられるコンベア５３は下部容器８２より高く、上部容器８１より低い位置に配置される。

第１方向加熱部である赤外光照射器２は下部容器８２内のコンベア５３から離れた位置に、図示しない固定手段より固定される。第２方向加熱部であるである赤外光照射器４は上部容器８１内のコンベア５３から離れた位置に、図示しない固定手段より固定される。赤外光照射器２及び赤外光照射器４の組合せにより加熱機構が構成される。

なお、赤外光照射器２及び４は共に、加熱室８０内のベルト５２の上面領域（線状の一対のコンベアチェーンに挟まれる領域）と平面視して重複する位置に配置される。

赤外光照射器２はランプ載置台２１及び複数の赤外光ランプ２２から構成され、ランプ載置台２１の上部に複数の赤外光ランプ２２が取り付けられる。したがって、赤外光照射器２は複数の赤外光ランプ２２から上方（＋Ｚ方向）に向けて赤外光を照射することができる。赤外光照射器２による上述した赤外光照射によってベルト５２の上面に載置した複数の基板１０に対する加熱処理（第１方向加熱処理）を実行することができる。

赤外光照射器４はランプ載置台４１及び複数の赤外光ランプ４２から構成され、ランプ載置台４１の下部に複数の赤外光ランプ４２が取り付けられる。したがって、赤外光照射器４は複数の赤外光ランプ４２から下方（−Ｚ方向）に向けて赤外光を照射することができる。赤外光照射器４による上述した赤外光照射によってベルト５２の上面に載置した複数の基板１０に対する加熱処理（第２の方向加熱処理）を実行することができる。

このように、第１方向加熱部である赤外光照射器２は、＋Ｚ方向（第１の方向）に向けて赤外光を照射して複数の基板１０を加熱する第１方向加熱処理を行っている。＋Ｚ方向は基板１０の裏面から表面に向かう方向となる。

一方、第２方向加熱部である赤外光照射器４は、＋Ｚ方向と反対方向となる−Ｚ方向（第２の方向）に向けて赤外光を照射して複数の基板１０を加熱する第２方向加熱処理を行っている。−Ｚ方向は基板１０の表面から裏面に向かう方向となる。

また、成膜装置１１は、赤外光照射器２及び４による加熱処理（第１方向加熱処理及び第２方向加熱処理）の実行時に、基板１０並びに赤外光照射器２及び４を内部に収容する加熱室８０を有している。

加熱室８０は、加熱処理を行う際、エアカーテン７により上部容器８１，下部容器８２間の開口部８８を塞ぐことにより、ベルト５２上に載置された複数の基板１０並びに赤外光照射器２及び４を外部から遮断することができる。

薄膜形成ノズル１及びコンベア５３の一部は成膜室９０内に収納される。成膜室９０は上部容器９１、下部容器９２及び一対の開口部９８により構成される。Ｚ方向である高さ方向において上部容器９１と下部容器９２との間に一対の開口部９８が位置する。したがって、成膜室９０内の開口部９８，９８間に設けられるコンベア５３は下部容器９２より高く、上部容器９１より低い位置に配置される。

ミスト噴射部である薄膜形成ノズル１は上部容器９１内に図示しない固定手段により固定配置される。この際、薄膜形成ノズル１は、噴射面１Ｓとベルト５２の上面とが対向する位置関係で配置される。

薄膜形成ノズル１は噴射面１Ｓに設けられた噴射口から下方（−Ｚ方向）に原料ミストＭＴを噴射するミスト噴射処理を実行する。なお、原料ミストＭＴは原料溶液をミスト化して得られるミストであり、薄膜形成ノズル１によって原料ミストＭＴを大気中に噴射することができる。

成膜室９０は、ミスト噴射処理を行う際、エアカーテン７により上部容器９１，下部容器９２間の開口部９８を塞ぐことにより、薄膜形成ノズル１、及びベルト５２上に載置された複数の基板１０を外部から遮断することができる。

したがって、実施の形態１の成膜装置１１は、エアカーテン７によって加熱室８０の一対の開口部８８及び成膜室９０の一対の開口部９８を共に閉状態にし、コンベア５３のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることにより、成膜環境を設定することができる。

実施の形態１の成膜装置１１は、上記成膜環境下で、加熱室８０内で行う加熱処理と成膜室９０内で行うミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、赤外光照射器２及び４並びに薄膜形成ノズル１を互いに分離して配置している。

そして、実施の形態１の成膜装置１１は、上記成膜環境下で、加熱室８０内で赤外光照射器２及び４の赤外光照射による加熱処理を実行した後、成膜室９０内で薄膜形成ノズル１によるミスト噴射処理を実行する。

その結果、実施の形態１の成膜装置１１は、成膜室９０内においてベルト５２の上面に載置された基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

このように、実施の形態１の成膜装置１１は、基板搬送部であるコンベア５３から離れて設けられ、赤外光ランプ２２及び４２から赤外光を照射して複数の基板１０を加熱する加熱処理を実行する赤外光照射器２及び４の組合せを加熱機構として備えている。

したがって、実施の形態１の成膜装置１１は、基板１０と接触関係をもたせることなく、赤外光照射器２及び４によって基板１０を加熱することができるため、基板１０の形状に関わらず均一な加熱を、基板１０を変形させることなく行うことができる。

さらに、加熱処理とミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように赤外光照射器２及び４と薄膜形成ノズル１とが互いに分離して配置されているため、加熱処理及びミスト噴射処理それぞれの実行時に、原料ミストが赤外光を吸収することにより加熱されて蒸発するという原料ミスト蒸発現象の発生を確実に回避することができる。

その結果、実施の形態１の成膜装置１１は、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板１０上に薄膜を成膜することができる。

加えて、加熱室８０内で行う加熱処理として、赤外光照射器２による第１方向加熱処理と赤外光照射器４による第２方向加熱処理とを同時に行っている。したがって、上記第１方向加熱処理によって基板１０の裏面から加熱し、かつ、上記第２方向加熱処理によって基板１０の表面から加熱することができる。

その結果、実施の形態１の成膜装置１１は、加熱室８０内において基板１０をより均一に加熱することができる。

さらに、実施の形態１の成膜装置１１は、加熱機構である赤外光照射器２及び４を加熱室８０内に設けることにより、加熱室８０を介することなく赤外光を基板１０に照射することができる分、赤外光の照射効率を高めることができる。

なお、コンベア５３の下方（−Ｚ方向）に位置する赤外光照射器２からの赤外光の照射は、上方（＋Ｚ方向）に向けて行われているため、赤外光はコンベア５３のベルト５２（上方側及び下方側）を介して複数の基板１０に照射されることになる。

この点を考慮して、ベルト５２を一対の線状のコンベアチェーンの組合せにより構成し、赤外光通過用の開口部分が存在する構造にする第１の対応と、赤外光を吸収することなく、赤外光の透過性に優れた赤外光透過材料をベルト５２の構成材料とする第２の対応が考えられる。

したがって、ベルト５２に関し、上記第１及び第２の対応のうち少なくとも一つの対応を採用することにより、ベルト５２による赤外光の吸収度合を必要最小限に抑えることができる。

第２の対応の具体例を以下に述べる。赤外光透過材料として、例えば、ゲルマニウム、シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが考えられる。ただし、ベルト５２として使用するための強度を満足する必要がある。

一方、コンベア５３の上方（＋Ｚ方向）に位置する赤外光照射器４からの赤外光の照射は、下方（−Ｚ方向）に向けて行われており、基板１０に直接照射されるため、上述した第１及び第２対応を考える必要はない。

＜実施の形態２＞
図２はこの発明の実施の形態２である成膜装置の概略構成を示す説明図である。図２にＸＹＺ直交座標系を記す。

図２に示すように、実施の形態２の成膜装置１２は、加熱室８０１及び８０２、成膜室９０１及び９０２、２つの薄膜形成ノズル１、２組の赤外光照射器２及び４の組合せ並びにコンベア５３を主要構成要素として含んでいる。

基板搬送部であるコンベア５３はベルト５２の上面に複数の基板１０を載置しつつ、複数の基板１０を搬送方向（Ｘ方向）に搬送している。コンベア５３は左右両端に設けられた搬送用の一対のローラ５１と、一対のローラ５１に架け渡された無端状の搬送用のベルト５２とを備えている。

コンベア５３は、一対のローラ５１の回転駆動によって、上方側（＋Ｚ方向側）のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることができる。

コンベア５３の一対のローラ５１のうち、一方は加熱室８０１外の左方（−Ｘ方向）に設けられ、他方は成膜室９０２の右方（＋Ｘ方向）に設けられる。また、ベルト５２の中央部は、加熱室８０１、加熱室８０２、成膜室９０１及び成膜室９０２のうちいずれかの内部に設けられる。

したがって、ベルト５２は一対のローラ５１の回転駆動により、加熱室８０１及び８０２それぞれの左右（−Ｘ方向，＋Ｘ方向）の側面の一部に設けられる一対の開口部８８、及び成膜室９０１及び９０２それぞれの左右の側面の一部に設けられる一対の開口部９８を介して、加熱室８０１及び８０２の内部、成膜室９０１及び９０２の内部並びに外部との間を移動することができる。

加熱室８０１及び８０２と成膜室９０１及び９０２は、加熱室８０１、成膜室９０１、加熱室８０２及び成膜室９０２の順で左方から右方にかけて隣接して設けられる。また、加熱室８０１の右側の開口部８８と成膜室９０１の左側の開口部９８とが共用され、成膜室９０１の右側の開口部９８と加熱室８０２の左側の開口部８８とが共用され、加熱室８０２の右側の開口部８８と成膜室９０２の開口部９８とが共用される。

コンベア５３の一部は加熱室８０１及び８０２に収納される。加熱室８０１及び８０２の内部及び周辺の構成は同じであるため、以下では加熱室８０１を中心に説明する。

加熱室８０１は、上部容器８３、下部容器８４及び一対の開口部８８により構成される。Ｚ方向である高さ方向において上部容器８３と下部容器８４との間に一対の開口部８８が位置する。したがって、加熱室８０１内の開口部８８，８８間に設けられるコンベア５３は下部容器８４より高く、上部容器８３より低い位置に配置される。

加熱室８０１の周辺において、第１方向加熱部である赤外光照射器２は下部容器８４外の下方（−Ｚ方向）側のコンベア５３から離れた位置に、図示しない固定手段より固定される。

加熱室８０１の周辺において、第２方向加熱部であるである赤外光照射器４は上部容器８３外の上方（＋Ｚ方向）側のコンベア５３から離れた位置に、図示しない固定手段より固定される。赤外光照射器２及び赤外光照射器４により加熱機構が構成される。

なお、赤外光照射器２及び４は共に、加熱室８０１内のベルト５２の上面領域（線状の一対のコンベアチェーンに挟まれる領域）と平面視して重複する位置に配置される。

加熱室８０１及び８０２はそれぞれ、赤外光照射器２及び４から照射される赤外光を吸収することなく、透過性に優れた赤外光透過材料を構成材料としている。具体的には、加熱室８０１及び８０２はそれぞれ構成材料として石英ガラスを採用している。

第１方向加熱部である赤外光照射器２は、実施の形態１と同様、＋Ｚ方向（第１の方向）に向けて赤外光を照射して基板１０を加熱する第１方向加熱処理を行っている。

第２方向加熱部である赤外光照射器４は、実施の形態１と同様、＋Ｚ方向と反対方向となる−Ｚ方向（第２の方向）に向けて赤外光を照射して基板１０加熱する第２方向加熱処理を行っている。

また、加熱室８０１は、赤外光照射器２及び４の加熱処理（第１方向加熱処理及び第２方向加熱処理）の実行時に、基板１０を内部に収容している。

加熱室８０１は、加熱処理を行う際、エアカーテン７により上部容器８３，下部容器８４間の開口部８８を塞ぐことにより、ベルト５２上に載置された複数の基板１０を外部から遮断することができる。

このように、実施の形態２の成膜装置１２は、第１の加熱機構として加熱室８０１の外部周辺に設けられた赤外光照射器２及び４を有し、第２の加熱機構として加熱室８０２の外部周辺に設けられた赤外光照射器２及び４を有している。

そして、加熱室８０１内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４により第１の加熱処理を実行し、加熱室８０２内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４により第２の加熱処理を実行している。これら第１及び第２の加熱処理がそれぞれ上述した第１方向加熱処理及び第２方向加熱処理を含んでいる。

成膜室９０１及び９０２はそれぞれ薄膜形成ノズル１及びコンベア５３の一部を収納する。成膜室９０１及び９０２の内部構成は同じであるため、以下では成膜室９０１を中心に説明する。

成膜室９０１は、上部容器９１、下部容器９２及び一対の開口部９８により構成される。Ｚ方向である高さ方向において上部容器９１と下部容器９２との間に一対の開口部９８が位置する。したがって、成膜室９０１内の開口部９８，９８間に設けられるコンベア５３は下部容器４より高く、上部容器８３より低い位置に配置される。

成膜室９０１において、ミスト噴射部である薄膜形成ノズル１は上部容器９１内に図示しない固定手段により固定配置される。この際、薄膜形成ノズル１は、噴射面１Ｓとベルト５２の上面とが対向する位置関係で配置される。

成膜室９０１において、薄膜形成ノズル１は、実施の形態１と同様、噴射面１Ｓに設けられた噴射口から下方（−Ｚ方向）に原料ミストＭＴを噴射するミスト噴射処理を実行する。

このように、実施の形態２の成膜装置１２は、第１のミスト噴射部として成膜室９０１内に設けられた薄膜形成ノズル１を有し、第２のミスト噴射部として成膜室９０２内に設けられた薄膜形成ノズル１を有している。

そして、成膜室９０１内に設けられた薄膜形成ノズル１により第１のミスト噴射処理を実行し、成膜室９０２内に設けられた薄膜形成ノズル１により第２の加熱処理を実行している。

成膜室９０１及び９０２はそれぞれ、ミスト噴射処理を行う際、エアカーテン７により上部容器９１，下部容器９２間の開口部９８を塞ぐことにより、薄膜形成ノズル１、及びベルト５２上に載置された複数の基板１０を外部から遮断することができる。

したがって、実施の形態１の成膜装置１２は、エアカーテン７によって加熱室８０１及び８０２それぞれの一対の開口部８８並びに成膜室９０１及び９０２それぞれの一対の開口部９８を全て閉状態にし、コンベア５３のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることにより、成膜環境を設定することができる。

実施の形態２の成膜装置１２は、上記成膜環境下で、加熱室８０１及び８０２内の基板１０に対して行う加熱処理と成膜室９０１及び９０２内で行うミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、２組の赤外光照射器２及び４の組合せと２つの薄膜形成ノズル１とをそれぞれ分離して配置している。

そして、実施の形態２の成膜装置１２は、上記成膜環境下で、加熱室８０１内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４の赤外光照射による第１の加熱処理を実行した後、成膜室９０１内で薄膜形成ノズル１による第１のミスト噴射処理を実行する。

その後、成膜装置１２は、上記成膜環境下で、加熱室８０２内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４の赤外光照射による第２の加熱処理を実行した後、成膜室９０２内で薄膜形成ノズル１による第２のミスト噴射処理を実行する。

その結果、実施の形態２の成膜装置１２は、最終的に成膜室９０２においてベルト５２の上面に載置された基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

このように、実施の形態２の成膜装置１２は、実施の形態１と同様、基板１０と接触関係をもたせることなく、２組の赤外光照射器２及び４の組合せによって基板１０を加熱することができるため、基板１０の形状に関わらず均一な加熱を、基板１０を変形させることなく行うことができる。

さらに、実施の形態２の成膜装置１２は、実施の形態１と同様、加熱処理とミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように２組の赤外光照射器２及び４と２つの薄膜形成ノズル１とをそれぞれ分離して配置している。このため、成膜装置１２は、第１及び第２の加熱処理並びに第１及び第２のミスト噴射処理それぞれの実行時に、上記原料ミスト蒸発現象の発生を確実に回避することができる。

その結果、実施の形態２の成膜装置１２は、実施の形態１と同様、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

実施の形態２の成膜装置１２は、上述したように、第１及び第２の加熱処理並びに第１及び第２のミスト噴射処理間で影響を受けないように、第１及び第２の加熱機構並びに第１及び第２ミスト噴射部は、第１、第２の順で交互に配置されている。

そして、実施の形態２の成膜装置１２は、第１及び第２の加熱処理と第１及び第２のミスト噴射処理とを第１，第２の順で交互に実行することを特徴としている。

したがって、実施の形態２の成膜装置１２は、２回交互に繰り返される加熱処理及びミスト噴射処理を実行することにより、成膜される薄膜の膜厚を厚くしたり、膜質が異なる２つの膜による積層構造で薄膜を形成したりすることができる。

なお、上述した成膜装置１２では、２つの加熱機構と２つのミスト噴射部による組合せを示したが、ｎ（ｎ≧２）個の加熱機構とｎ個のミスト噴射部による組合せによる拡張変形例を実現することができる。

上記拡張変形例は、第１〜第ｎの加熱処理を実行する第１〜第ｎの加熱機構を有し、第１〜第ｎのミスト噴射処理を実行する第１〜第ｎのミスト噴射部を有している。

上記拡張変形例は、第１〜第ｎの加熱処理及び第１〜第ｎのミスト噴射処理間で影響を受けないように、第１〜第ｎの加熱機構及び第１〜第ｎのミスト噴射部を、第１〜第ｎの順で交互に分離して配置している。

そして、上記拡張変形例は、第１〜第ｎの加熱処理と第１〜第ｎのミスト噴射処理とを第１，第２，…第ｎの順で交互に実行することを特徴としている。

したがって、上記拡張変形例は、ｎ（≧２）回交互に繰り返して加熱処理及びミスト噴射処理を実行することにより、成膜される薄膜の膜厚を厚くしたり、膜質が異なるｎ層の膜による積層構造で薄膜を形成したりすることができる。

加えて、実施の形態２の成膜装置１２は、加熱室８０１及び８０２内の基板１０に対して行う第１及び第２の加熱処理として、実施の形態１と同様、赤外光照射器２による第１方向加熱処理と赤外光照射器４による第２方向加熱処理とを同時に行っている。

その結果、実施の形態２の成膜装置１２は、実施の形態１と同様、加熱室８０１及び８０２それぞれ内において基板１０をより均一に加熱することができる。

さらに、実施の形態２の成膜装置１２は、加熱機構である赤外光照射器２及び４を加熱室８０１及び８０２の外部に設けることにより、赤外光ランプ２２及び４２の取り換え等、赤外光照射器２及び４のメンテナンスの簡略化を図ることができる。

加えて、実施の形態２の成膜装置１２の加熱室８０１及び８０２は、赤外光ランプ２２及び４２から照射される赤外光に対し、透過性に優れた赤外光透過材料である石英ガラスを構成材料としている。

このため、第１方向加熱処理によって加熱室８０１及び８０２それぞれの下部容器８４の底面を介して基板１０を加熱する際の下部容器６２の底面による赤外光の吸収度合を必要最小限に抑えることができる効果を奏する。同様に、第２方向加熱処理によって加熱室８０１及び８０２それぞれの上部容器８３の上面を介して基板１０を加熱する際の上部容器８３の上面による赤外光の吸収度合を必要最小限に抑えることができる効果を奏する。

また、赤外光透過材料として、石英ガラス以外に、例えば、ゲルマニウム、シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが考えられる。

なお、実施の形態２の成膜装置１２においても、実施の形態１と同様、ベルト５２による赤外光吸収に関する上記第１及び第２の対応のうち少なくとも一つの対応を採用しても良い。

（変形例）
実施の形態２の変形例として以下の構成が考えられる。変形例において、赤外光照射器２及び４の組合せである加熱機構が複数存在する第１の構成、薄膜形成ノズル１であるミスト噴射部が複数存在する第２の構成のうち、少なくとも一つの構成が設定されている。

図３は実施の形態２の第１の変形例を模式的に示す説明図である。図３にＸＹＺ直交座標系を記している。同図に示すように、加熱室８１１、加熱室８１２及び成膜室９１１の順で搬送方向に沿って隣接して配置し、実施の形態２の第１の変形例である成膜装置１２Ｘを構成している。すなわち、成膜装置１２Ｘでは上記第１の構成が設定されている。

なお、図３では図示しないが、加熱室８１１及び８１２は加熱室８０１及び８０２と同様、内部にコンベア５３の一部を有し、外部周辺に赤外光照射器２及び４を有しており、成膜室９１１は成膜室９０１と同様、内部にコンベア５３の一部と薄膜形成ノズル１とを有している。また、コンベア５３による基板１０の搬送方向は左から右である。

実施の形態２の第１の変形例である成膜装置１２Ｘは、上記第１の構成が設定されているため、ミスト噴射処理を挟むことなく、加熱室８１１及び８１２内の基板１０に対し２回連続して加熱処理を実行することにより、基板１０の温度設定を比較的容易に行える効果を奏する。

なお、図３で示す例ではミスト噴射処理を挟むことなく、２回連続して加熱処理を行ったが、ミスト噴射処理を挟むことなく、３回以上連続して加熱処理を実行する拡張構成も考えられる。すなわち、少なくとも二つの加熱機構によって、ミスト噴射処理を挟むことなく連続して加熱処理を行う拡張構成が考えられる。この場合、成膜装置１２Ｘの上記効果を高めることが期待される。

図４は実施の形態２の第２の変形例を模式的に示す説明図である。図４にＸＹＺ直交座標系を記している。同図に示すように、加熱室８２１、成膜室９２１及び９２２の順で搬送方向に沿って隣接して配置し、実施の形態２の第２の変形例である成膜装置１２Ｙを構成している。すなわち、成膜装置１２Ｙでは上記第２の構成が設定されている。

なお、図４では図示しないが、加熱室８２１は加熱室８０１同様、内部にコンベア５３の一部を有し、外部周辺に赤外光照射器２及び４を有しており、成膜室９２１及び９２２は成膜室９０１及び９０２と同様、内部にコンベア５３の一部と薄膜形成ノズル１とを有している。また、基板１０の搬送方向は左から右である。

実施の形態２の第２の変形例である成膜装置１２Ｙは、上記第２の構成が設定されているため、加熱処理を挟むことなく、２回連続して成膜室９２１及び９２２内でミスト噴射処理を実行することにより、基板１０の温度が異なる環境下で成膜される積層構造の薄膜を形成することができる効果を奏する。

なお、図４で示す例では加熱処理を挟むことなく、２回連続してミスト噴射処理を行ったが、加熱処理を挟むことなく、３回以上連続して加熱処理を実行する拡張構成も考えられる。すなわち、少なくとも二つのミスト噴射部によって、加熱処理を挟むことなく連続してミスト噴射処理を行う拡張構成が考えられる。この場合、成膜装置１２Ｙの上記効果を高めることが期待される。

また、実施の形態２の第３の変形例として、上記第１の構成と上記第２の構成とが共に設定され、成膜装置１２Ｘの加熱室８１１及び８１２と、成膜装置１２Ｙの成膜室９２１及び９２２とを組み合わせた成膜装置を実現してもよい。

＜実施の形態３＞
図５及び図６はこの発明の実施の形態３である成膜装置の概略構成を示す説明図である。図５は上方から視た構成を示し、図６は図１，図２と同様、側面から視た構成を示している。図５及び図６それぞれにＸＹＺ直交座標系を記す。

図５及び図６に示すように、実施の形態３の成膜装置１３は、加熱室１８、成膜室１９、薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌの組合せ、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌの組合せ並びに搬送チェーン２５を主要構成要素として含んでいる。なお、図５では、搬送チェーン２５の図示を省略し、図６では、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌ並びに薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌの図示を省略している。

図６に示すように、基板搬送部である搬送チェーン２５は基板吊り下げ部２５ｐを有し、基板吊り下げ部２５ｐを介して複数の基板１０それぞれを上方から吊り下げている。この際、複数の基板１０は、搬送方向（＋Ｘ方向）を基準として、左側（＋Ｙ方向側）が表面、右側（−Ｙ方向側）が裏面になるように吊り下げられる。

搬送チェーン２５は図示しない駆動手段によって搬送方向（Ｘ方向）に移動可能であり、搬送チェーン２５の移動に伴って複数の基板１０を搬送方向に移動させることができる。

搬送チェーン２５の一端は加熱室１８外の左方（−Ｘ方向）に設けられ、他端は成膜室１９外の右方（＋Ｘ方向）に設けられる。

また、搬送チェーン２５の中央部が、加熱室１８及び成膜室１９のうちいずれかの内部に設けられ、加熱室１８の左右（−Ｘ方向，＋Ｘ方向）側面の一部に設けられる一対の開口部８９、成膜室１９の左右側面に設けられる開口部９９を介して、加熱室１８の内部、成膜室１９の内部及び外部との間を移動することができる。

加熱室１８と成膜室１９は、加熱室１８及び成膜室１９の順で左方から右方にかけて隣接して設けられる。また、加熱室１８の右側の開口部８９と成膜室１９の左側の開口部９９とが共用される。

搬送チェーン２５の一部は加熱室１８内に収納される。加熱室１８は、右方容器８５、左方容器８６及び一対の開口部８９により構成される。Ｙ方向である幅方向において右方容器８５と左方容器８６との間に一対の開口部８９が位置する。したがって、加熱室１８内の開口部８９，８９間に設けられる搬送チェーン２５は、搬送方向（Ｘ方向）を基準として、右方容器８５より左側（＋Ｙ方向側）、かつ、左方容器８６より右側（−Ｙ方向側）に配置される。

加熱室１８は、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌから照射される赤外光を吸収することなく、透過性に優れた赤外光透過材料を構成材料としている。具体的には、加熱室１８は構成材料として石英ガラスを採用している。石英ガラス以外の赤外光透過材料として、例えば、ゲルマニウム、シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが考えられる。

第１方向加熱部である赤外光照射器２Ｒは、搬送方向（＋Ｘ方向）を基準として、右方容器８５外の右方（−Ｙ方向）側に、図示しない固定手段より固定される。したがって、赤外光照射器２Ｒは搬送チェーン２５から離れて配置される。

第２方向加熱部であるである赤外光照射器２Ｌは、搬送方向を基準として、左方容器８６外の左方（＋Ｙ方向）側に、図示しない固定手段より固定される。したがって、赤外光照射器２Ｌは搬送チェーン２５から離れて配置される。赤外光照射器２Ｒ及び赤外光照射器２Ｌの組合せにより加熱機構が構成される。

なお、図４では図示していないが、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌは共に加熱室１８内の複数の基板１０と同程度の高さで配置される。

第１方向加熱部である赤外光照射器２Ｒは、＋Ｙ方向（第１の方向）に向けて赤外光を照射して基板１０を加熱する第１方向加熱処理を行っている。搬送方向を基準として左方となる＋Ｙ方向は基板１０の裏面から表面に向かう方向となる。

第２方向加熱部である赤外光照射器２Ｌは、＋Ｙ方向と反対方向となる−Ｙ方向（第２の方向）に向けて赤外光を照射して基板１０加熱する第２方向加熱処理を行っている。搬送方向を基準として右方となる−Ｙ方向は基板１０の表面から裏面に向かう方向となる。

また、加熱室１８は、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌの加熱処理（第１方向加熱処理及び第２方向加熱処理）の実行時に、基板１０を内部に収容している。

加熱室１８は、加熱処理を行う際、エアカーテン７により右方容器８５，左方容器８６間の開口部８９を塞ぐことにより、基板吊り下げ部２５ｐによって吊り下げられている複数の基板１０を外部から遮断することができる。

このように、実施の形態３の成膜装置１３は、加熱機構として加熱室１８の外部周辺に設けられた赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌを有している。

そして、加熱室１８の外部周辺に設けられた赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌにより加熱処理を実行している。

成膜室１９は薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌ並びに搬送チェーン２５の一部を収納する。成膜室１９は右方容器９５、左方容器９６及び一対の開口部９９により構成される。Ｙ方向である幅方向において右方容器９５と左方容器９６との間に一対の開口部９９が位置する。したがって、成膜室１９内の開口部９９，９９間に設けられる搬送チェーン２５は、搬送方向を基準として、右方容器９５より左側、かつ、左方容器９６より右側に配置される。

第１方向ミスト噴射部である薄膜形成ノズル１Ｒは右方容器９５内に図示しない固定手段により固定配置される。この際、薄膜形成ノズル１Ｒは、噴射面１Ｓと基板１０の裏面とが対向する位置関係で配置される。

第２方向ミスト噴射部である薄膜形成ノズル１Ｌは左方容器９６内に図示しない固定手段により固定配置される。この際、薄膜形成ノズル１Ｌは、噴射面１Ｓと基板１０の表面とが対向する位置関係で配置される。

成膜室１９内において、薄膜形成ノズル１Ｒは、噴射面１Ｓに設けられた噴射口から左方（＋Ｙ方向）に原料ミストＭＴを噴射する第１方向ミスト噴射処理を実行する。

成膜室１９内において、薄膜形成ノズル１Ｌは、噴射面１Ｓに設けられた噴射口から右方（−Ｙ方向）に原料ミストＭＴを噴射する第２方向ミスト噴射処理を実行する。

このように、実施の形態３の成膜装置１３は、第１方向ミスト噴射部として薄膜形成ノズル１Ｒを有し、第２方向ミスト噴射部とし薄膜形成ノズル１Ｌを有している。したがって、実施の形態３の成膜装置１３は、薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌの組合せによりミスト噴射部を構成し、ミスト噴射処理は第１方向ミスト噴射処理及び第２方向ミスト噴射処理の組合せを含んでいる。

成膜室１９はミスト噴射処理を行う際、エアカーテン７により右方容器９５，左方容器９６間の開口部９９を塞ぐことにより、薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌ並びに基板吊り下げ部２５ｐから吊り下げられている複数の基板１０を外部から遮断することができる。

したがって、実施の形態３の成膜装置１３は、エアカーテン７によって加熱室１８の一対の開口部８９及び成膜室１９の一対の開口部９９を共に閉状態にし、搬送チェーン２５を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることにより、成膜環境を設定することができる。

実施の形態３の成膜装置１３は、上記成膜環境下で、加熱室１８内の基板１０に対して行う加熱処理と成膜室１９内で行うミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌと薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌとを互いに分離して配置している。

そして、実施の形態３の成膜装置１３は、上記成膜環境下で、加熱室１８内の基板１０に対し赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌの赤外光照射による加熱処理を実行した後、成膜室９０１内で薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌによるミスト噴射処理を実行する。

その結果、実施の形態３の成膜装置１３は、成膜室９０１において搬送チェーン２５に吊り下げられた基板１０の表面上及び裏面上それぞれに薄膜を成膜することができる。

このように、実施の形態３の成膜装置１３は、実施の形態１と同様、基板１０と接触関係をもたせることなく、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌによって基板１０を加熱することができるため、基板１０の形状に関わらず均一な加熱を、基板１０を変形させることなく行うことができる。

さらに、成膜装置１３は、実施の形態１と同様、加熱処理とミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌと薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌとが互いに分離して配置されているため、ミスト噴射処理の実行時に、上記原料ミスト蒸発現象の発生を確実に回避することができる。

その結果、実施の形態３の成膜装置１３は、実施の形態１と同様、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板１０上に薄膜を成膜することができる。

加えて、加熱室１８内の基板１０に対して行う加熱処理として、赤外光照射器２Ｒによる第１方向加熱処理と赤外光照射器２Ｌによる第２方向加熱処理とを同時に行っている。したがって、上記第１方向加熱処理によって基板１０の裏面から加熱し、かつ、上記第２方向加熱処理によって基板１０の表面から加熱することができる。

その結果、実施の形態３の成膜装置１３は、実施の形態１と同様、加熱室８０内において基板１０をより均一に加熱することができる。

加えて、実施の形態３の成膜装置１３は、薄膜形成ノズル１Ｒによる第１方向ミスト噴射処理と薄膜形成ノズル１Ｌによる第２方向ミスト噴射処理とを同時行うことにより、基板の裏面及び表面それぞれに薄膜を成膜することができる。

さらに、実施の形態３の成膜装置１３は、加熱機構である赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌを加熱室１８外に設けることにより、赤外光ランプ２２の取り換え等、赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌのメンテナンスの簡略化を図ることができる。

加えて、実施の形態３の成膜装置１３の加熱室１８は、赤外光ランプ２２及び４２から照射される赤外光に対し、透過性に優れた赤外光透過材料である石英ガラスを構成材料としている。

このため、第１方向加熱処理によって加熱室１８の右方容器８５の側面を介して基板１０を加熱する際の右方容器８５の側面による赤外光の吸収度合を必要最小限に抑えることができる効果を奏する。同様に、第２方向加熱処理によって加熱室１８の左方容器８６の側面を介して基板１０を加熱する際の左方容器８６の側面による赤外光の吸収度合を必要最小限に抑えることができる効果を奏する。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。

この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

１，１Ｒ，１Ｌ 薄膜形成ノズル
２，２Ｒ，２Ｌ，４ 赤外光照射器
１１〜１３，１２Ｘ，１２Ｙ 成膜装置
１８，８０，８０１，８０２，８１１，８１２，８２１ 加熱室
１９，９０，９０１，９０２，９１１，９２１，９２２ 成膜室
２１，４１ ランプ載置台
２２，４２ 赤外光ランプ
２５ 搬送チェーン
５１ ローラ
５２ ベルト
５３ コンベア
８１，８３，９１ 上部容器
８２，８４，９２ 下部容器
８５，９５ 右方容器
８６，９６ 左方容器
８８，８９，９８，９９ 開口部

したがって、成膜室６０の扉６７を閉状態にし、加熱機構３２の加熱処理中に、薄膜形成ノズル１によりミスト噴射処理を実行することにより、基板積載ステージ３０の上面に載置された基板１０上に薄膜を成膜することができる。

この発明に係る成膜装置は、基板を搬送する基板搬送部と、赤外光ランプを有し、前記赤外光ランプから赤外光を照射して前記基板を加熱する加熱処理を実行する加熱機構と、原料溶液をミスト化して得られる原料ミストを噴射するミスト噴射処理を実行するミスト噴射部とを備え、前記加熱処理と前記ミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、前記加熱機構及び前記ミスト噴射部は分離して配置され、前記基板搬送部によって前記基板を搬送させつつ、前記加熱機構による前記加熱処理の実行後に、他の処理を介在させることなく、前記ミスト噴射部による前記ミスト噴射処理を実行して前記基板の表面に薄膜を成膜する。

成膜室９０１は、上部容器９１、下部容器９２及び一対の開口部９８により構成される。Ｚ方向である高さ方向において上部容器９１と下部容器９２との間に一対の開口部９８が位置する。したがって、成膜室９０１内の開口部９８，９８間に設けられるコンベア５３は下部容器９２より高く、上部容器９１より低い位置に配置される。

したがって、実施の形態２の成膜装置１２は、エアカーテン７によって加熱室８０１及び８０２それぞれの一対の開口部８８並びに成膜室９０１及び９０２それぞれの一対の開口部９８を全て閉状態にし、コンベア５３のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることにより、成膜環境を設定することができる。

なお、図４で示す例では加熱処理を挟むことなく、２回連続してミスト噴射処理を行ったが、加熱処理を挟むことなく、３回以上連続してミスト噴射処理を実行する拡張構成も考えられる。すなわち、少なくとも二つのミスト噴射部によって、加熱処理を挟むことなく連続してミスト噴射処理を行う拡張構成が考えられる。この場合、成膜装置１２Ｙの上記効果を高めることが期待される。

そして、実施の形態３の成膜装置１３は、上記成膜環境下で、加熱室１８内の基板１０に対し赤外光照射器２Ｒ及び２Ｌの赤外光照射による加熱処理を実行した後、成膜室１９内で薄膜形成ノズル１Ｒ及び１Ｌによるミスト噴射処理を実行する。

その結果、実施の形態３の成膜装置１３は、成膜室１９において搬送チェーン２５に吊り下げられた基板１０の表面上及び裏面上それぞれに薄膜を成膜することができる。

Claims (8)

1. 基板（１０）を搬送する基板搬送部（５３，２５）と、
   赤外光ランプ（２２，４２）を有し、前記赤外光ランプから赤外光を照射して前記基板を加熱する加熱処理を実行する加熱機構（２，４，２Ｒ，２Ｌ）と、
   原料溶液をミスト化して得られる原料ミスト（ＭＴ）を噴射するミスト噴射処理を実行するミスト噴射部（１）とを備え、
   前記加熱処理と前記ミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、前記加熱機構及び前記ミスト噴射部は分離して配置され、
   前記基板搬送部によって前記基板を搬送させつつ、前記加熱機構による加熱処理の実行後に、前記ミスト噴射部によるミスト噴射処理を実行して前記基板の表面に薄膜を成膜する、
   成膜装置。
2. 請求項１記載の成膜装置であって、
   前記加熱機構は、第１〜第ｎ（ｎ≧２）の加熱処理を実行する第１〜第ｎの加熱機構を含み、前記加熱処理は第１〜第ｎの加熱処理を含み、
   前記ミスト噴射部は、第１〜第ｎのミスト噴射処理を実行する第１〜第ｎのミスト噴射部を含み、前記ミスト噴射処理は第１〜第ｎのミスト噴射処理を含み、
   前記第１〜第ｎの加熱処理及び前記第１〜第ｎのミスト噴射処理間で影響を受けないように、前記第１〜第ｎの加熱機構及び前記第１〜第ｎのミスト噴射部はそれぞれ分離して配置され、
   前記第１〜第ｎの加熱処理と前記第１〜第ｎのミスト噴射処理とが第１〜第ｎの順で交互に実行されることを特徴とする、
   成膜装置。
3. 請求項１記載の成膜装置であって、
   前記加熱機構が複数の加熱機構を含む第１の構成、及び前記ミスト噴射部が複数のミスト噴射部を含む第２の構成のうち、少なくとも一つの構成が設定され、
   前記第１の構成の場合、前記複数の加熱機構のうち少なくとも二つの加熱機構によって、前記ミスト噴射処理を挟むことなく連続して前記加熱処理が実行され、
   前記第２の構成の場合、前記複数のミスト噴射部のうち少なくとも二つのミスト噴射部によって、前記加熱処理を挟むことなく連続して前記ミスト噴射処理が実行される、
   成膜装置。
4. 請求項１から請求項３のうち、いずれか１項に記載の成膜装置であって、
   前記加熱機構は、
   第１の方向に向けて赤外光を照射して前記基板を加熱する第１方向加熱処理を行う第１方向加熱部（２，２Ｒ）と、
   前記第１の方向と反対方向となる第２の方向に向けて赤外光を照射して前記基板を加熱する第２方向加熱処理を行う第２方向加熱部（４，２Ｌ）とを含み、
   前記加熱処理は前記第１方向加熱処理と前記第２方向加熱処理とを含む、
   成膜装置。
5. 請求項４記載の成膜装置であって、
   前記ミスト噴射部は、
   前記第１の方向に向けて前記原料ミストを噴射する第１方向ミスト噴射処理を実行する第１方向ミスト噴射部（１Ｒ）と、
   前記第１の方向と反対方向となる第２の方向に向けて前記原料ミストを噴射する第２方向ミスト噴射処理を実行する第２方向ミスト噴射部（１Ｌ）とを含み、
   前記ミスト噴射処理は前記第１方向ミスト噴射処理と前記第２方向ミスト噴射処理とを含む、
   成膜装置。
6. 請求項４または請求項５記載の成膜装置であって、
   前記第１の方向は基板の裏面から表面に向かう方向であり、
   前記第２の方向は基板の表面から裏面に向かう方向である、
   成膜装置。
7. 請求項１記載の成膜装置であって、
   前記加熱処理の実行時に、前記基板及び前記加熱機構を内部に収容する加熱室（８０）と、
   前記ミスト噴射処理の実行時に、前記基板及び前記ミスト噴射部を内部に収容する成膜室（９０）とをさらに備える、
   成膜装置。
8. 請求項１記載の成膜装置であって、
   前記加熱処理の実行時に、前記基板を内部に収容する加熱室（８０１，８０２，１８）と、
   前記ミスト噴射処理の実行時に、前記ミスト噴射部を内部に収容する成膜室（９０１，９０２，１９）をさらに備え、
   前記加熱機構は前記加熱室外に配置され、前記加熱室を介して前記基板を加熱し、
   前記加熱室は、前記赤外光ランプから照射される赤外光に対し、透過性に優れた赤外光透過材料を構成材料とする、
   成膜装置。

Images