JP7094649B1 - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

本開示は、原料ミストの原料の利用効率を高めた成膜装置の構造を提供することを目的とする。そして、本開示の成膜装置（１１）において、成膜室（９０１）は、超音波振動動作によって、原料溶液（３６）をミスト化して原料ミスト（ＭＴ）を生成するミスト発生機能を有し、成膜室（９０１）内にミスト空間（ＳＭ１）が得られる。成膜室（９０２）もミスト生成機能を有し、成膜室（９０２）内にミスト空間（ＳＭ２）が得られる。コンベア（５３）は、ミスト空間（ＳＭ１）を通過するように複数の基板（１０）を移動させる第１のミスト空間通過処理、及びミスト空間（ＳＭ２）を通過するように複数の基板（１０）を移動させる第２のミスト空間通過処理を実行する。

Description

本開示は、太陽電池などの電子デバイスの製造に用いられ、基板上に薄膜を成膜する成膜装置に関するものである。

基板上に膜を成膜する方法として、化学気相成長（ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)）法がある。しかしながら、化学気相成長法では真空下での成膜が必要な場合が多くなり、真空ポンプなどに加えて、大型の真空容器を用いる必要がある。さらに、化学気相成長法では、コスト等の観点から、成膜される基板として大面積のものを採用することが困難である、という問題があった。そこで、大気圧下における成膜処理が可能なミスト法が、注目されている。

ミスト法を利用した成膜装置に関する従来技術として、例えば特許文献１に開示された成膜装置がある。

図１１は従来の成膜装置の概略構成を示す説明図である。図１１にＸＹＺ直交座標系を記している。

図１１に示すように、従来の成膜装置１９は、加熱室８５１及び８５２、成膜室９５１及び９５２、２つの薄膜形成ノズル１０１、２組の赤外光照射器２及び４の組合せ並びにコンベア５３を主要構成要素として含んでいる。

基板搬送部であるコンベア５３はベルト５２の上面に複数の基板１０を載置しつつ、複数の基板１０を搬送方向（Ｘ方向）に搬送している。コンベア５３は左右両端に設けられた搬送用の一対のローラ５１と、一対のローラ５１に架け渡された無端状の搬送用のベルト５２とを備えている。

コンベア５３は、一対のローラ５１の回転駆動によって、上方側（＋Ｚ方向側）のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることができる。

コンベア５３の一対のローラ５１のうち、一方は加熱室８５１外の左方（－Ｘ方向）に設けられ、他方は成膜室９５２の右方（＋Ｘ方向）に設けられる。また、ベルト５２の中央部は、加熱室８５１、加熱室８５２、成膜室９５１及び成膜室９５２のうちいずれかの内部に設けられる。

加熱室８５１及び８５２それぞれの左右（－Ｘ方向，＋Ｘ方向）の側面の一部に設けられる一対の開口部１８８が設けられ、成膜室９５１及び９５２それぞれの左右の側面の一部に設けられる一対の開口部１９８が設けられる。

加熱室８５１及び８５２と成膜室９５１及び９５２は、加熱室８５１、成膜室９５１、加熱室８５２及び成膜室９５２の順で左方から右方にかけて隣接して設けられる。また、加熱室８５１の右側の開口部１８８と成膜室９５１の左側の開口部１９８とが共用され、成膜室９５１の右側の開口部１９８と加熱室８５２の左側の開口部１８８とが共用され、加熱室８５２の右側の開口部１８８と成膜室９５２の開口部１９８とが共用される。

したがって、ベルト５２は一対のローラ５１の回転駆動により、加熱室８５１及び８５２の内部、成膜室９５１及び９５２の内部並びに外部との間を移動することができる。

コンベア５３の一部は加熱室８５１及び８５２に収納される。加熱室８５１及び８５２の内部及び周辺の構成は同じであるため、以下では加熱室８５１を中心に説明する。

加熱室８５１は、上部容器８３、下部容器８４及び一対の開口部１８８により構成される。Ｚ方向である高さ方向において上部容器８３と下部容器８４との間に一対の開口部１８８が位置する。したがって、加熱室８５１内の開口部１８８，１８８間に設けられるコンベア５３は下部容器８４の主要部より高く、上部容器８３の主張部より低い位置に配置される。

加熱室８５１の周辺において、赤外光照射器２は下部容器８４外の下方（－Ｚ方向）側のコンベア５３から離れた位置に、図示しない固定手段より固定される。

加熱室８５１の周辺において、赤外光照射器４は上部容器８３外の上方（＋Ｚ方向）側のコンベア５３から離れた位置に、図示しない固定手段より固定される。赤外光照射器２及び赤外光照射器４により加熱機構が構成される。

赤外光照射器２は、＋Ｚ方向（第１の方向）に向けて赤外光を照射して基板１０を加熱する第１方向加熱処理を行っている。

赤外光照射器４は、＋Ｚ方向と反対方向となる－Ｚ方向（第２の方向）に向けて赤外光を照射して基板１０を加熱する第２方向加熱処理を行っている。

また、加熱室８５１は、赤外光照射器２及び４の加熱処理（第１方向加熱処理及び第２方向加熱処理）の実行時に、基板１０を内部に収容している。

加熱室８５１は、加熱処理を行う際、エアカーテン７により上部容器８３，下部容器８４間の開口部１８８を塞ぐことにより、ベルト５２上に載置された複数の基板１０を外部から遮断することができる。

加熱室８５２も加熱室８５１と同様な構成であり、かつ、加熱室８５１と同様に加熱室８５２外に赤外光照射器２及び４が設けられる。

このように、従来の成膜装置１９は、第１の加熱機構として加熱室８５１の外部周辺に設けられた赤外光照射器２及び４を有し、第２の加熱機構として加熱室８５２の外部周辺に設けられた赤外光照射器２及び４を有している。

そして、加熱室８５１内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４により第１の加熱処理を実行し、加熱室８５２内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４により第２の加熱処理を実行している。これら第１及び第２の加熱処理がそれぞれ上述した第１方向加熱処理及び第２方向加熱処理を含んでいる。以下、第１及び第２の加熱処理を総称する際、単に「加熱処理」と称する場合がある。

成膜室９５１及び９５２はそれぞれ薄膜形成ノズル１０１及びコンベア５３の一部を収納する。成膜室９５１及び９５２の内部構成は同じであるため、以下では成膜室９５１を中心に説明する。

成膜室９５１は、上部容器９１、下部容器９２及び一対の開口部１９８により構成される。Ｚ方向である高さ方向において上部容器９１と下部容器９２との間に一対の開口部１９８が位置する。したがって、成膜室９５１内の開口部１９８，１９８間に設けられるコンベア５３は下部容器３４の主要部より高く、上部容器８３の主張部より低い位置に配置される。

成膜室９５１において、薄膜形成ノズル１０１は上部容器９１内に図示しない固定手段により固定配置される。この際、薄膜形成ノズル１０１は、噴射面１Ｓとベルト５２の上面とが対向する位置関係で配置される。

成膜室９５１において、薄膜形成ノズル１０１は、噴射面１Ｓに設けられた噴射口から下方（－Ｚ方向）に原料ミストＭＴを噴射する第１のミスト噴射処理を実行する。

成膜室９５２も成膜室９５１と同様な構成であり、かつ、成膜室９５１と同様に内部に薄膜形成ノズル１０１を有している。

このように、従来の成膜装置１９は、成膜室９５１内に設けられた薄膜形成ノズル１０１を有し、成膜室９５２内に設けられた薄膜形成ノズル１０１を有している。成膜室９５１内の薄膜形成ノズル１０１が第１のミスト噴射部となり、成膜室９５２内の薄膜形成ノズル１０１が第２のミスト噴射部となる。

そして、成膜室９５１内に設けられた薄膜形成ノズル１０１により第１のミスト噴射処理を実行し、成膜室９５２内に設けられた薄膜形成ノズル１０１により第２のミスト噴射処理を実行している。以下、第１及び第２のミスト噴射処理を総称する場合、単に「ミスト噴射処理」と称する場合がある。

成膜室９５１及び９５２はそれぞれ、第１及び第２のミスト噴射処理を行う際、エアカーテン７により上部容器９１，下部容器９２間の開口部１９８を塞ぐことにより、薄膜形成ノズル１０１、及びベルト５２上に載置された複数の基板１０を外部から遮断することができる。

したがって、従来の成膜装置１９は、エアカーテン７によって加熱室８５１及び８５２それぞれの一対の開口部１８８並びに成膜室９５１及び９５２それぞれの一対の開口部１９８を全て閉状態にし、コンベア５３のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることにより、成膜環境を設定することができる。

従来の成膜装置１９は、上記成膜環境下で、加熱室８５１及び８５２内の基板１０に対して行う加熱処理と成膜室９５１及び９５２内で行うミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように、２組の赤外光照射器２及び４の組合せと２つの薄膜形成ノズル１０１とをそれぞれ分離して配置している。

そして、従来の成膜装置１９は、上記成膜環境下で、加熱室８５１内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４の赤外光照射による第１の加熱処理を実行した後、成膜室９５１内で薄膜形成ノズル１０１による第１のミスト噴射処理を実行する。

その後、成膜装置１９は、上記成膜環境下で、加熱室８５２内の複数の基板１０に対し赤外光照射器２及び４の赤外光照射による第２の加熱処理を実行した後、成膜室９５２内で薄膜形成ノズル１０１による第２のミスト噴射処理を実行する。

その結果、従来の成膜装置１９は、最終的に成膜室９５２においてベルト５２の上面に載置された基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

このように、従来の成膜装置１９は、基板１０と接触関係をもたせることなく、２組の赤外光照射器２及び４の組合せによって基板１０を加熱することができるため、基板１０の形状に関わらず均一な加熱を、基板１０を変形させることなく行うことができる。

さらに、従来の成膜装置１９は、加熱処理とミスト噴射処理とが互いに影響を受けないように２組の赤外光照射器２及び４と２つの薄膜形成ノズル１０１とをそれぞれ分離して配置している。このため、成膜装置１９は、第１及び第２の加熱処理並びに第１及び第２のミスト噴射処理それぞれの実行時に、原料ミスト蒸発現象の発生を確実に回避することができる。

その結果、従来の成膜装置１９は、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

従来の成膜装置１９は、上述したように、第１及び第２の加熱処理並びに第１及び第２のミスト噴射処理間で影響を受けないように、第１及び第２の加熱機構並びに第１及び第２のミスト噴射部は、第１、第２の順で交互に配置されている。

そして、従来の成膜装置１９は、第１及び第２の加熱処理と第１及び第２のミスト噴射処理とを第１，第２の順で交互に実行することを特徴としている。

したがって、従来の成膜装置１９は、２回交互に繰り返される加熱処理及びミスト噴射処理を実行することにより、成膜される薄膜の膜厚を厚くしたり、膜質が異なる２つの膜による積層構造で薄膜を形成したりすることができる。

図１２は図１１で示した成膜室９５１の詳細構成を示す説明図である。図１２にＸＹＺ直交座標系を記している。

同図に示すように、成膜室９５１とは離れて配置されるミスト発生器７５から、成膜室９５１に原料ミストＭＴが供給されている。具体的には、ミスト発生器７５と成膜室９５１内の薄膜形成ノズル１０１とがミスト供給管１０５を介して接続されている。

ミスト発生器７５は、容器６１、超音波振動子６２及び搬送ガス供給管６５を主要構成要素として含んでいる。

容器６１は原料溶液６６を収容し、底面に超音波振動子６２が取り付けられる。そして、超音波振動子６２の超音波振動動作によって、原料溶液６６をミスト化して原料ミストＭＴを生成することにより、容器６１内に原料ミストＭＴが存在するミスト空間ＳＭ９を得ている。

ミスト空間ＳＭ９内の原料ミストＭＴは搬送ガス供給管６５から取り込まれる搬送ガスＧ０によって搬送され、ミスト供給管１０５を介して薄膜形成ノズル１０１に供給される。その結果、薄膜形成ノズル１０１から原料ミストＭＴを基板１０に向けて噴射する第１のミスト噴射処理を実行することができる。

なお、薄膜形成ノズル１０１は、成膜処理に用いられなかった原料ミストＭＴを、ミスト排気管１０３を介して外部に排気することができ、上部容器９１は。成膜処理に用いられなかった原料ミストＭＴを、ミスト排気管９３を介して外部に排気することができる。

また、成膜室９５２も成膜室９５１と同様な構成であり、かつ、成膜室９５１と同様にミスト発生器７５が外部に設けられ、ミスト排気管１０３及びミスト排気管９３を有する。

国際公開第２０１９／２３４９１７号

特許文献１で代表される原料ミストＭＴを利用した、従来の成膜装置は上記のように構成されている。

しかし、従来の成膜装置１９は、成膜室９５１内の成膜工程において、薄膜形成ノズル１０１より基板１０に噴射する（吹き付ける）第１のミスト噴射処理を実行することにより、基板１０の表面上に薄膜を成膜している。なお、成膜室９５２内の成膜工程も成膜室９５１内と同様に行われる。以下、成膜室９５１を代表して説明する。

このため、薄膜の成膜に使用されなかった原料ミストＭＴは、薄膜形成ノズル１０１に設けられたミスト排気管１０３を介して外部に排気される。また、薄膜の成膜に使用されず、薄膜形成ノズル１０１の周辺に分散した原料ミストＭＴについては、成膜室９５１の上部容器９１に設けられたミスト排気管９３を介して排気される。成膜室９５１外に排気された原料ミストＭＴは、再利用されることはない。

このように、従来の成膜装置１９の成膜室９５１では、ミスト発生器７５で生成された原料ミストＭＴの一部のみが、薄膜の成膜に利用されているため、原料ミストＭＴの原料（原料溶液６６）の利用効率が低いという問題点があった。

特に、原料ミストＭＴの原料にインジウムやガリウム、希土類元素（レアアース）に代表されるレアメタルや、金、銀などの貴金属が含まれる場合、原料のコストが非常に高くなるため、上述した低い原料利用効率は、ランニングコストを増大させてしまう。

本開示では、上記のような問題点を解決し、原料ミストの原料の利用効率を高めた成膜装置の構造を提供することを目的とする。

本開示における成膜装置は、 基板を搬送する搬送処理を実行する基板搬送部と、原料ミストが存在するミスト空間を内部に有する成膜室とを備え、前記成膜室は、原料溶液を収容する原料溶液用容器と、前記原料溶液用容器の底面に設けられる少なくとも一つの超音波振動子とを含み、前記少なくとも一つの超音波振動子による超音波振動動作によって、前記原料溶液をミスト化して前記原料ミストを生成することにより、前記ミスト空間が得られ、前記基板搬送部による前記搬送処理は、前記ミスト空間を通過するように前記基板を移動させるミスト空間通過処理を含み、前記ミスト空間通過処理の実行時に前記基板上に薄膜が成膜され、前記成膜室は、前記原料溶液用容器の上方に配置される上方容器と、前記ミスト空間内で前記原料ミストを循環させる循環用送風動作を実行する循環用ファンとをさらに含む。

本開示の成膜装置において、原料溶液用容器内の原料溶液を直接ミスト化して原料ミストを生成することにより、成膜室内でミスト空間を得ている。そして、基板搬送部は、上記ミスト空間を通過するように基板を移動させるミスト空間通過処理を実行することにより、基板上に薄膜が成膜される。

したがって、本開示の成膜装置は、原料ミストの利用効率が高いミスト空間内で薄膜を成膜することができるため、原料溶液を有効に利用することができる効果を奏する。

本開示の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

実施の形態１の成膜装置の概略構成を示す説明図である。 図１で示した成膜室を異なる視点から視た概略構造を示す説明図である。 実施の形態２の成膜装置の概略構成を示す説明図である。 図３で示した成膜室を異なる視点から視た概略構造を示す説明図である。 図３で示した加熱室を上方から視た構成を示す説明図である。 実施の形態３の成膜装置（その１）に用いられる成膜室の構成を示す説明図である。 実施の形態３の成膜装置（その２）に用いられる成膜室の構成を示す説明図である。 実施の形態４の成膜装置（その１）に用いられる成膜室の構成を示す説明図である。 実施の形態４の成膜装置（その２）に用いられる成膜室の構成を示す説明図である。 実施の形態５の成膜装置の概略構成を示す説明図である。 従来の成膜装置の概略構成を示す説明図である。 図１１で示した成膜室の詳細構成を示す説明図である。

＜実施の形態１＞
図１は実施の形態１の成膜装置１１の概略構成を示す説明図である。図１にＸＹＺ直交座標系を記している。

図１に示すように、実施の形態１の成膜装置１１は、加熱室８０１及び８０２、成膜室９０１及び９０２並びにコンベア５３を主要構成要素として含んでいる。

基板搬送部であるコンベア５３はベルト５２の上面に複数の基板１０を載置しつつ、複数の基板１０を搬送方向（Ｘ方向）に搬送している。コンベア５３は左右両端に設けられた搬送用の一対のローラ５１と、一対のローラ５１に架け渡された無端状の搬送用のベルト５２とを備えている。

コンベア５３は、一対のローラ５１の回転駆動によって、上方側（＋Ｚ方向側）のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させる搬送処理を実行することができる。

コンベア５３の一対のローラ５１のうち、一方は加熱室８０１外の左方（－Ｘ方向）に設けられ、他方は成膜室９０２の右方（＋Ｘ方向）に設けられる。また、ベルト５２の中央部は、加熱室８０１内、加熱室８０１，成膜室９０１間、成膜室９０１内、成膜室９０１，加熱室８０２間、加熱室８０２内、加熱室８０２，成膜室９０２間、及び、成膜室９０２内に設けられる。

加熱室８０１及び８０２と成膜室９０１及び９０２とは、加熱室８０１、成膜室９０１、加熱室８０２及び成膜室９０２の順で左方（－Ｘ方向）から右方（＋Ｘ方向）にかけて設けられる。

加熱室８０１及び８０２それぞれの左右の側面の一部に一対の開口部８８が設けられ、成膜室９０１及び９０２それぞれの左右の側面の一部に一対の開口部９８が設けられる。

したがって、ベルト５２は一対のローラ５１の回転駆動により、加熱室８０１及び８０２それぞれの一対の開口部８８、並びに成膜室９０１及び９０２それぞれの一対の開口部９８を介して、加熱室８０１、成膜室９０１、加熱室８０２及び成膜室９０２の順で移動することができる。

コンベア５３の一部は加熱室８０１及び８０２に収納される。加熱室８０１及び８０２の内部及び周辺の構成は同じであるため、以下では加熱室８０１を中心に説明する。

加熱室８０１は、上部容器８１、下部容器８２、一対の開口部８８並びに赤外光照射器２及び４を主要構成要素として含んでいる。方向である高さ方向において上部容器８１と下部容器８２との間に一対の開口部８８が位置する。したがって、加熱室８０１内の開口部８８，８８間に設けられるコンベア５３は下部容器８２の主要部より高く、上部容器８１の主要部より低い位置に配置される。

加熱室８０１の内部において、下部容器８２の底面上に第１方向加熱部である赤外光照射器２が設けられる。したがって、赤外光照射器２はベルト５２の下方に配置される。

加熱室８０１の内部において、上部容器８１の上面下に第２方向加熱部であるである赤外光照射器４が設けられる。したがって、赤外光照射器４は、ベルト５２の上方に配置される。

したがって、加熱室８５１内において、赤外光照射器２と赤外光照射器４とに挟まれた空間が加熱空間ＨＳ１となる。

なお、赤外光照射器２及び４は共に、加熱室８０１内のベルト５２の上面領域（線状の一対のコンベアチェーンに挟まれる領域）と平面視して重複する位置に配置される。

赤外光照射器２はランプ載置台２１及び複数の赤外光ランプ２２から構成され、ランプ載置台２１の上部に複数の赤外光ランプ２２が取り付けられる。したがって、赤外光照射器２は複数の赤外光ランプ２２から上方に向けて赤外光を照射することができる。

このように、第１方向加熱部である赤外光照射器２は、＋Ｚ方向（第１の方向）を照射方向とした赤外光を加熱空間ＨＳ１に向けて照射して、加熱空間ＨＳ１を加熱する第１方向加熱処理を行う。したがって、加熱空間ＨＳ１内にベルト５２上に載置された基板１０が存在する場合は、第１方向加熱処理によって基板１０を加熱することができる。

赤外光照射器４はランプ載置台４１及び複数の赤外光ランプ４２から構成され、ランプ載置台４１の下部に複数の赤外光ランプ４２が取り付けられる。したがって、赤外光照射器４は複数の赤外光ランプ４２から下方（－Ｚ方向）に向けて赤外光を照射することができる。

このように、第２方向加熱部である赤外光照射器４は、－Ｚ方向（第２の方向）を照射方向とした赤外光を加熱空間ＨＳ１に向けて照射して、加熱空間ＨＳ２内のベルト５２上に載置された基板１０を加熱する第２方向加熱処理を行う。したがって、加熱空間ＨＳ１内にベルト５２上に載置された基板１０が存在する場合は、第２方向加熱処理によって基板１０を加熱することができる。なお、第２の方向である－Ｚ方向は、第１の方向である＋Ｚ方向と反対方向となる。

上述した加熱室８０１の特徴と同様な特徴を加熱室８０２有している。なお、加熱空間ＨＳ２は加熱空間ＨＳ１に対応する。

このように、実施の形態１の成膜装置１１は、第１の加熱機構として加熱室８０１の内部に設けられた赤外光照射器２及び４を有し、第２の加熱機構として加熱室８０２の内部に設けられた赤外光照射器２及び４を有している。

そして、加熱室８０１内の複数の基板１０に対し、赤外光照射器２及び４によって加熱空間ＨＳ１を加熱する第１の加熱処理を実行している。同様に、加熱室８０２内の複数の基板１０に対し、赤外光照射器２及び４によって、加熱空間ＨＳ２を加熱する第２の加熱処理を実行している。これら第１及び第２の加熱処理がそれぞれ上述した第１方向加熱処理及び第２方向加熱処理を含んでいる。

基板搬送部であるコンベア５３は、搬送処理として、第１の加熱空間である加熱空間ＨＳ１を通過するように複数の基板１０を移動させる第１の加熱空間通過処理を実行する。

同様に、コンベア５３は、搬送処理として、第２の加熱空間である加熱空間ＨＳ２を通過するように複数の基板１０を移動させる第２の加熱空間通過処理を実行する。

以下、第１及び第２の加熱空間通過処理を総称して、単に「加熱空間通過処理」と称する場合がある。

加熱室８０１及び８０２は、第１及び第２の加熱空間通過処理が実行される際、エアカーテン７により上部容器８１，下部容器８２間の開口部８８を塞ぐことにより、加熱空間ＨＳ及びベルト５２上に載置された複数の基板１０を外部から遮断することができる。なお、加熱空間ＨＳは加熱空間ＨＳ１及びＨＳ２の総称を意味する。

成膜室９０１及び９０２はそれぞれ上部容器３１、下部容器３２、２つの超音波振動子３８を主要構成要素として含んでいる。成膜室９０１及び９０２の内部構成は同じであるため、以下では成膜室９０１を中心に説明する。

図２は図１の視点Ｐ１から視た成膜室９０１の概略構造を示す説明図である。図２にＸＹＺ直交座標系を示している。以下、図１及び図２を参照して、成膜室９０１の構成を説明する。

成膜室９０１は、下部容器３２、２つの超音波振動子３８、及び上部容器３１を主要構成要素として含んでいる。なお、図１及び図２において、２つの超音波振動子３８は模式的に図示されており、実際の配置位置を反映したものではない。

図２に示すように、上部容器３１の下方の一部を開口し、下部容器３２の上方の一部を開口するにより、Ｚ方向である高さ方向において上部容器３１と下部容器３２との間に一対の開口部９８が設けられる。そして、成膜室９０１内の開口部９８，９８間にコンベア５３が設けられる。

原料溶液用容器である下部容器３２は原料溶液３６を収容している。２つの超音波振動子３８（少なくとも一つの超音波振動子）は下部容器３２の底面に設けられる。

成膜室９０１は、２つの超音波振動子３８による超音波振動動作によって、原料溶液３６をミスト化して原料ミストＭＴを生成する。その結果、原料ミストＭＴが成膜室９０１内で滞留し、充満することによりミスト空間ＳＭ１が得られる。このように、成膜室９０１はミスト発生機能を有しており、内部にミスト空間ＳＭ１を得ている。

なお、下部容器３２に収容される原料溶液３６の温度及び液面高さ並びに２つの超音波振動子３８の出力は、所望の成膜精度が得られるように設定されている。

上述した成膜室９０１の特徴と同様な特徴を成膜室９０２も有している。すなわち、成膜室９０２はミスト発生機能を有しており、内部にミスト空間ＳＭ２を得ている。

このように、実施の形態１の成膜装置１１は、第１の成膜室である成膜室９０１内にミスト空間ＳＭ１（第１のミスト空間）を生成し、第２の成膜室である成膜室９０２内にミスト空間ＳＭ２（第２のミスト空間）を生成している。

基板搬送部であるコンベア５３は、搬送処理として、第１の成膜室である成膜室９０１内のミスト空間ＳＭ１を通過するように複数の基板１０を移動させる第１のミスト空間通過処理を実行することができる。

同様に、コンベア５３は、搬送処理として、第２の成膜室である成膜室９０２内のミスト空間ＳＭ２を通過するように複数の基板１０を移動させる第２のミスト空間通過処理を実行することができる。

以下、ミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２を総称して、単に「ミスト空間ＳＭ」と称する場合がある。また、第１及び第２のミスト空間通過処理を総称して、単に「ミスト空間通過処理」と称する場合がある。

成膜室９０１（９０２）は、ミスト空間通過処理が実行される際、エアカーテン７により上部容器３１，下部容器３２間の一対の開口部９８を塞ぐことにより、ミスト空間ＳＭ及びベルト５２上に載置された複数の基板１０を外部から遮断することができる。

したがって、実施の形態１の成膜装置１１は、エアカーテン７によって加熱室８０１及び８０２それぞれの一対の開口部８８並びに成膜室９０１及び９０２それぞれの一対の開口部９８を全て閉状態にし、コンベア５３のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させる搬送処理を実行することにより、成膜環境を設定することができる。

上述したように、コンベア５３による搬送処理は、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理が含まれる。

実施の形態１の成膜装置１１は、上記成膜環境下で、加熱室８０１及び８０２内の加熱空間ＨＳ１及びＨＳ２と成膜室９０１及び９０２内のミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２とが互いに影響を受けないように、加熱室８０１及び８０２と成膜室９０１及び９０２とをそれぞれ分離して配置している。

以下、同一の基板１０を成膜対象として実施の形態１の成膜装置１１の成膜内容を説明する。

実施の形態１の成膜装置１１は、成膜対象の基板１０に対し、上記成膜環境下で、コンベア５３による搬送処理として、上記第１の加熱空間通過処理を実行した後、上記第１のミスト空間通過処理を実行する。

その後、成膜装置１１は、成膜対象の基板１０に対し、上記成膜環境下で、コンベア５３による搬送処理として、上記第２の加熱空間通過処理を実行した後、上記第２のミスト空間通過処理を実行する。

第１及び第２のミスト空間通過処理の実行時に、成膜対象の基板１０の表面と原料ミストＭＴが接触し薄膜が成長する。

その結果、実施の形態１の成膜装置１１は、最終的に成膜室９０２においてベルト５２の上面に載置された、成膜対象の基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

このように、実施の形態１の成膜装置１１は、基板１０と接触関係をもたせることなく、２組の赤外光照射器２及び４の組合せによって基板１０を加熱することができるため、基板１０の形状に関わらず均一な加熱を、基板１０を変形させることなく行うことができる。

さらに、実施の形態１の成膜装置１１は、加熱空間ＨＳ１及びＨＳ２とミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２とが互いに影響を受けないように、加熱室８０１及び８０２と成膜室９０１及び９０２とをそれぞれ分離して配置している。

すなわち、加熱室８０１及び８０２内に設けられる２組の赤外光照射器２及び４の組合せと、成膜室９０１及び９０２とを分離して配置している。このため、成膜装置１１は、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理それぞれの実行時に、原料ミスト蒸発現象の発生を確実に回避することができる。

なお、「原料ミスト蒸発現象」とは、ミスト空間ＳＭ内の原料ミストＭＴが赤外光を吸収することにより加熱されて蒸発する現象を意味する。

その結果、実施の形態１の成膜装置１１は、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

実施の形態１の成膜装置１１において、原料溶液用容器である下部容器３２内の原料溶液３６を直接ミスト化して原料ミストＭＴを生成することにより、成膜室９５１及び９５２内にミスト空間ＳＭ（ＳＭ１及びＳＭ２）を得ている。

そして、基板搬送部であるコンベア５３は、ミスト空間ＳＭを通過するように複数の基板１０を移動させるミスト空間通過処理を実行することにより、基板１０の表面上に薄膜が成膜される。

成膜室９０１（９０２）はミスト発生器としての機能を有している。したがって、成膜対象の基板１０の成膜処理に利用されなかった原料ミストＭＴは、その後にミスト空間ＳＭを通過する他の基板１０の成膜に使用することができる。

加えて、ミスト空間ＳＭ内の原料ミストＭＴが沈降して下部容器３２に溜まっている原料溶液３６に戻る。原料溶液３６は２つの超音波振動子３８の超音波振動動作によって常にミスト化されているため、沈降した原料ミストＭＴを原料溶液３６として再利用することができる。したがって、成膜装置１１は、原料溶液３６の高い利用効率を図ることができる。

このように、実施の形態１の成膜装置１１は、原料ミストＭＴの利用効率が高いミスト空間ＳＭ（ＳＭ１及びＳＭ２）内で薄膜を成膜することができるため、原料溶液３６を有効に利用することができる効果を奏する。

さらに、実施の形態１の成膜装置１１は、第１及び第２の加熱処理それぞれとして、第１方向加熱処理と第２方向加熱処理とを併せて行うことにより、第１及び第２の加熱空間通過処理それぞれの実行時に複数の基板１０を均一に加熱することができる。なお、実施の形態１において、第１の方向は＋Ｚ方向、第２の方向は－Ｚ方向となる。

また、成膜装置１１は基板搬送部としてコンベア５３を用いている。コンベア５３は、複数の基板１０それぞれの表面が原料溶液用容器である下部容器３２の底面と平行となる平行配置関係で、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理を実行している。

したがって、実施の形態１の成膜装置１１は、コンベア５３のベルト５２上に複数の基板１０を安定性良く載置して、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理を実行することできる。

実施の形態１の成膜装置１１は、上述したように、第１及び第２の加熱機構並びに第１及び第２の成膜室は、第１、第２の順で交互に配置されている。なお、第１の加熱機構は、加熱室８０１内の赤外光照射器２及び４の組合せであり、第２の加熱機構は、加熱室８０２内の赤外光照射器２及び４の組合せである。また、第１の成膜室は成膜室９０１である、第２の成膜室は成膜室９０２である。

そして、実施の形態１の成膜装置１１は、第１及び第２の加熱空間通過処理と第１及び第２のミスト空間通過処理とを第１，第２の順で交互に実行することを特徴としている。

したがって、実施の形態１の成膜装置１１は、２回交互に繰り返される加熱空間通過処理及びミスト空間通過処理を実行することにより、成膜される薄膜の膜厚を厚くしたり、膜質が異なる２つの膜による積層構造で薄膜を形成したりすることができる。

なお、上述した成膜装置１１では、２つの加熱機構と２つの成膜室による組合せを示したが、ｎ（ｎ≧２）個の加熱機構とｎ個の成膜室による組合せによる拡張変形例を実現することができる。

上記拡張変形例は、加熱空間ＨＳ１～ＨＳｎにて第１～第ｎの加熱処理を実行する第１～第ｎの加熱機構を有し、ミスト空間ＳＭ１～ＳＭｎを生成する第１～第ｎの成膜室を有している。なお、加熱空間ＨＳ１～ＨＳｎは第１～第ｎの加熱空間に相当し、ミスト空間ＳＭ１～ＳＭｎは第１～第ｎのミスト空間に相当する。

そして、基板搬送部であるコンベア５３は、搬送処理として、第１～第ｎの成膜室内のミスト空間ＳＭ１～ＳＭｎを通過するように複数の基板１０を移動させる第１～第ｎのミスト空間通過処理を実行することができる。

同様に、コンベア５３は、搬送処理として、加熱空間ＨＳ１～ＨＳｎを通過するように複数の基板１０を移動させる第１～第ｎの加熱空間通過処理を実行することができる。したがって、第１～第ｎの加熱機構を内部に有する第１～第ｎの加熱室内で複数の基板１０を加熱することができる。

上記拡張変形例は、加熱空間ＨＳ１～ＨＳｎ及びミスト空間ＳＭ１～ＳＭｎが互いに影響を受けないように、第１～第ｎの加熱機構及び第１～第ｎの成膜室を、第１～第ｎの順で交互に分離して配置している。

そして、上記拡張変形例は、第１～第ｎの加熱空間通過処理と第１～第ｎのミスト空間通過処理とを第１，第２，…第ｎの順で交互に実行することを特徴としている。

したがって、上記拡張変形例は、ｎ（≧２）回交互に繰り返して加熱空間通過処理及びミスト空間通過処理を実行することにより、成膜される薄膜の膜厚を厚くしたり、膜質が異なるｎ層の膜による積層構造で薄膜を形成したりすることができる。

＜実施の形態２＞
図３は実施の形態２の成膜装置１２の概略構成を示す説明図である。図４は図３の視点Ｐ２から視た成膜室１９１の構成を示す説明図である。図５は、上方（＋Ｚ方向）から視た加熱室１８１の構成を示す説明図である。図３～図５それぞれにＸＹＺ直交座標系を記している。

図３～図５に示すように、実施の形態２の成膜装置１２は、加熱室１８１及び１８２、成膜室１９１及び１９２、赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの組合せ並びに搬送チェーン２５を主要構成要素として含んでいる。

なお、図５では、搬送チェーン２５の図示を省略し、図３では、赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの図示を省略している。

図３及び図４に示すように、基板搬送部である搬送チェーン２５は基板吊り下げ部２５ｐを有し、基板吊り下げ部２５ｐを介して複数の基板１０それぞれを上方から吊り下げている。この際、図５に示すように、複数の基板１０は、搬送方向（＋Ｘ方向）を基準として、左側（＋Ｙ方向側）が表面、右側（－Ｙ方向側）が裏面になるように吊り下げられる。

搬送チェーン２５は図示しない駆動手段によって搬送方向（Ｘ方向）に移動可能であり、搬送チェーン２５の移動に伴って複数の基板１０を搬送方向に移動させる搬送処理が行える。

搬送チェーン２５の一端は加熱室１８１外の左方（－Ｘ方向）に設けられ、他端は成膜室１９２外の右方（＋Ｘ方向）に設けられる。

また、搬送チェーン２５の中央部は、加熱室１８１内、加熱室１８１，成膜室１９１間、成膜室１９１内、成膜室１９１，加熱室１８２間、加熱室１８２内、加熱室１８２，成膜室１９２間、及び、成膜室１９２内に設けられる。

加熱室１８１及び１８２並びに成膜室１９１及び１９２は、加熱室１８１、成膜室１９１、加熱室１８２及び成膜室１９２の順で左方から右方にかけて設けられる。

加熱室１８１及び１８２の内部及び周辺の構成は同じであるため、以下では加熱室１８１を中心に説明する。

図３に示すように、搬送チェーン２５の一部は加熱室１８１内に収納される。図５に示すように、加熱室１８１は、右方容器８５、左方容器８６及び一対の開口部８９により構成される。加熱室１８１内に複数の基板１０が存在する場合、右方容器８５は複数の基板１０の右側（－Ｙ方向側）に位置し、左方容器８６は複数の基板１０の左側（＋Ｙ方向側）に位置する。

Ｙ方向である幅方向において右方容器８５と左方容器８６との間に一対の開口部８９が位置する。したがって、加熱室１８１内の開口部８９，８９間に設けられる搬送チェーン２５は、搬送方向（Ｘ方向）を基準として、右方容器８５の主要部より左側（＋Ｙ方向側）、かつ、左方容器８６の主要部より右側（－Ｙ方向側）に配置される。

加熱室１８１は、赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒから照射される赤外光を吸収することなく、透過性に優れた赤外光透過材料を構成材料としている。具体的には、加熱室１８１は構成材料として石英ガラスを採用している。石英ガラス以外の赤外光透過材料として、例えば、ゲルマニウム、シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが考えられる。

第１方向加熱部である赤外光照射器２Ｒは、搬送方向（＋Ｘ方向）を基準として、右方容器８５外の右方（－Ｙ方向）側に、図示しない固定手段より固定される。したがって、赤外光照射器２Ｒは搬送チェーン２５から離れて配置される。赤外光照射器２Ｒは赤外光照射器２と同様、ランプ載置台２１及び赤外光ランプ２２を主要構成要素として含んでいる。

第２方向加熱部であるである赤外光照射器２Ｌは、搬送方向を基準として、左方容器８６外の左方（＋Ｙ方向）側に、図示しない固定手段より固定される。したがって、赤外光照射器２Ｌは搬送チェーン２５から離れて配置される。赤外光照射器２Ｒ及び赤外光照射器２Ｌの組合せにより加熱機構が構成される。赤外光照射器２Ｌは、赤外光照射器２と同様、ランプ載置台２１及び赤外光ランプ２２を主要構成要素として含んでいる。

なお、赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒは共に加熱室１８１内の複数の基板１０と同程度の高さで配置される。

第１方向加熱部である赤外光照射器２Ｒは、＋Ｙ方向（第１の方向）に照射方向とした赤外光を加熱空間ＨＳ１に向けて照射して、加熱空間ＨＳ１を加熱する第１方向加熱処理を行っている。搬送方向を基準として左方となる＋Ｙ方向は基板１０の裏面から表面に向かう方向となる。

したがって、加熱空間ＨＳ１内に基板吊り下げ部２５ｐにより吊り下げられた基板１０が存在する場合は、第１方向加熱処理によって基板１０を加熱することができる。

第２方向加熱部である赤外光照射器２Ｌは、－Ｙ方向（第２の方向）に向けて赤外光を照射して加熱空間ＨＳ１を加熱する第２方向加熱処理を行っている。搬送方向を基準として右方となる－Ｙ方向は基板１０の表面から裏面に向かう方向となる。したがって、第２の方向である－Ｙ方向は、第１の方向である＋Ｙ方向と反対方向となる。

したがって、加熱空間ＨＳ１内に基板吊り下げ部２５ｐにより吊り下げられた基板１０が存在する場合は、第２方向加熱処理によって基板１０を加熱することができる。

加熱室１８２も加熱室１８１と同様な構成であり、かつ、加熱室１８１と同様に加熱室８５２外に赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒが設けられる。

加熱室１８１用の赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの組合せが第１の加熱機構に相当し、加熱室１８２用の赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの組合せが第２の加熱機構に相当する。

基板搬送部である搬送チェーン２５は、搬送処理として、第１の加熱空間である加熱空間ＨＳ１を通過するように複数の基板１０を移動させる第１の加熱空間通過処理を実行する。

同様に、搬送チェーン２５は、搬送処理として、第２の加熱空間である加熱空間ＨＳ２を通過するように複数の基板１０を移動させる第２の加熱空間通過処理を実行する。

加熱室１８１及び１８２はそれぞれ、第１及び第２の加熱空間通過処理が実行される際、エアカーテン７により右方容器８５，左方容器８６間の開口部８９を塞ぐことにより、加熱空間ＨＳ１及びＨＳ２を外部から遮断することができる。

このように、実施の形態２の成膜装置１２は、第１の加熱機構として加熱室１８１の外部周辺に設けられた赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒを有し、第２の加熱機構として加熱室１８２の外部周辺に設けられた赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒを有している。

成膜室１９１及び１９２はそれぞれ上部容器３３、下部容器３４、２つの超音波振動子３８を主要構成要素として含んでいる。成膜室１９１及び１９２の内部構成は同じであるため、以下では成膜室１９１を中心に説明する。成膜室１９１は搬送チェーン２５の一部を収納する。

図３及び図４に示すように、Ｚ方向である高さ方向において上部容器３３と下部容器３４との間に一対の開口部９９が設けられる。そして、成膜室１９１内の開口部９９，９９間に搬送チェーン２５が設けられる。

具体的には、図４に示すように、上部容器３３の下方の一部を開口し、下部容器３４の上方の一部を開口するにより、Ｚ方向である高さ方向において上部容器３３と下部容器３４との間に一対の開口部９９が設けられる。そして、成膜室１９１内の開口部９９，９９間に搬送チェーン２５が設けられる。

原料溶液用容器である下部容器３４は、実施の形態１の下部容器３２と同様、原料溶液３６を収容している。２つの超音波振動子３８（少なくとも一つの超音波振動子）は下部容器３４の底面に設けられる。

なお、図３及び図４において、２つの超音波振動子３８は模式的に図示されており、実際の配置位置を反映したものではない。

成膜室１９１は、２つの超音波振動子３８による超音波振動動作によって、原料溶液３６をミスト化して原料ミストＭＴを生成する。その結果、原料ミストＭＴが成膜室１９１内で滞留し、充満することによりミスト空間ＳＭ１が得られる。このように、成膜室１９１はミスト発生機能を有している。

上述した成膜室１９１の特徴と同様な特徴を成膜室１９２も有している。すなわち、成膜室１９２はミスト発生機能を有しており、内部にミスト空間ＳＭ２を得ている。

このように、実施の形態２の成膜装置１２は、第１の成膜室である成膜室１９１内にミスト空間ＳＭ１（第１のミスト空間）を生成し、第２の成膜室である成膜室１９２内にミスト空間ＳＭ２（第２のミスト空間）を生成している。

基板搬送部である搬送チェーン２５は、搬送処理として、第１の成膜室である成膜室１９１内のミスト空間ＳＭ１を通過するように複数の基板１０を移動させる第１のミスト空間通過処理を実行することができる。

同様に、搬送チェーン２５は、搬送処理として、第２の成膜室である成膜室１９２内のミスト空間ＳＭ２を通過するように複数の基板１０を移動させる第２のミスト空間通過処理を実行することができる。

成膜室１９１（１９２）は、ミスト空間通過処理が実行される際、エアカーテン７により上部容器３３，下部容器３４間の開口部９９を塞ぐことにより、ミスト空間ＳＭ及び基板吊り下げ部２５ｐで吊り下げられた複数の基板１０を外部から遮断することができる。

したがって、実施の形態２の成膜装置１２は、加熱室１８１及び１８２それぞれの一対の開口部８９並びに成膜室１９１及び１９２それぞれの一対の開口部９９を全てエアカーテン７によって閉状態にし、搬送チェーン２５を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させる搬送処理を実行することにより、成膜環境を設定することができる。

上述したように、搬送処理は、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理が含まれる。

実施の形態２の成膜装置１２は、上記成膜環境下で、加熱室１８１及び１８２内の加熱空間ＨＳ１及びＨＳ２と成膜室１９１及び１９２内のミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２とが互いに影響を受けないように、加熱室１８１及び１８２と成膜室１９１及び１９２とをそれぞれ分離して配置している。

以下、同一の基板１０を成膜対象として実施の形態２の成膜装置１２の成膜内容を説明する。

実施の形態２の成膜装置１２は、成膜対象の基板１０に対し、上記成膜環境下で、搬送チェーン２５による搬送処理として、上記第１の加熱空間通過処理を実行した後、上記第１のミスト空間通過処理を実行する。

その後、成膜装置１２は、成膜対象の基板１０に対し、上記成膜環境下で、搬送チェーン２５による搬送処理として、上記第２の加熱空間通過処理を実行した後、上記第２のミスト空間通過処理を実行する。

その結果、実施の形態２の成膜装置１２は、最終的に成膜室１９２において基板吊り下げ部２５ｐによって吊り下げられた、成膜対象の基板１０の表面上及び裏面上それぞれに薄膜を成膜することができる。

このように、実施の形態２の成膜装置１２は、基板１０と接触関係をもたせることなく、２組の赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの組合せによって基板１０を加熱することができるため、基板１０の形状に関わらず均一な加熱を、基板１０を変形させることなく行うことができる。

さらに、実施の形態２の成膜装置１２は、加熱空間ＨＳ１及びＨＳ２とミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２とが互いに影響を受けないように、加熱室１８１及び１８２と成膜室１９１及び１９２とをそれぞれ分離して配置している。

すなわち、加熱室１８１及び１８２内の設けられる２組の赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの組合せと、成膜室１９１及び１９２とを分離して配置している。このため、成膜装置１２は、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理それぞれの実行時に、上記原料ミスト蒸発現象の発生を確実に回避することができる。

その結果、実施の形態２の成膜装置１２は、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

実施の形態２の成膜装置１２において、原料溶液用容器である下部容器３４内の原料溶液３６を直接ミスト化して原料ミストＭＴを生成することにより、成膜室１９１及び１９２内にミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２を得ている。

そして、基板搬送部であるコンベア５３は、ミスト空間ＳＭ（ＳＭ１及びＳＭ２）を通過するように複数の基板１０を移動させるミスト空間通過処理を実行することにより、基板１０の表面上及び裏面上それぞれに薄膜が成膜される。

すなわち、成膜室１９１及び１９２はそれぞれミスト発生器としての機能を有している。したがって、実施の形態２の成膜装置１２は、実施の形態１の成膜装置１１と同様、原料ミストＭＴの利用効率が高いミスト空間ＳＭ内で薄膜を成膜することができるため、原料溶液３６を有効に利用することができる効果を奏する。

さらに、実施の形態２の成膜装置１２は、第１及び第２の加熱処理それぞれとして、第１方向加熱処理と第２方向加熱処理とを併せて行うことにより、第１及び第２の加熱空間通過処理それぞれの実行時に複数の基板１０を均一に加熱することができる。なお、実施の形態２において、第１の方向は＋Ｙ方向、第２の方向は－Ｙ方向となる。

また、成膜装置１２は基板搬送部として搬送チェーン２５を用いている。搬送チェーン２５は、複数の基板１０それぞれの表面が原料溶液用容器である下部容器３４の底面と垂直となる垂直配置関係で、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理を実行している。

したがって、第１及び第２のミスト空間通過処理の実行時に、成膜室１９１及び１９２内において、複数の基板１０の表面及び裏面それぞれの大部分（基板吊り下げ部２５ｐの取付領域を除く領域）とミスト空間ＳＭ内の原料ミストＭＴとの接触を図ることができる。

その結果、実施の形態２の成膜装置１２は、複数の基板１０の表面上に加え、裏面上にも薄膜を成膜することができる。

実施の形態２の成膜装置１２は、上述したように、第１及び第２の加熱機構並びに第１及び第２の成膜室は、第１、第２の順で交互に配置されている。なお、第１の加熱機構は、加熱室１８１用の赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの組合せであり、第２の加熱機構は、加熱室１８２用の赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒの組合せである。また、第１の成膜室は成膜室１９１である、第２の成膜室は成膜室１９２である。

そして、実施の形態２の成膜装置１２は、第１及び第２の加熱空間通過処理と第１及び第２のミスト空間通過処理とを第１，第２の順で交互に実行することを特徴としている。

したがって、実施の形態２の成膜装置１２は、２回交互に繰り返される加熱空間通過処理及びミスト空間通過処理を実行することにより、成膜される薄膜の膜厚を厚くしたり、膜質が異なる２つの膜による積層構造で薄膜を形成したりすることができる。

なお、実施の形態２の成膜装置１２においても、実施の形態１と同様な拡張変形例を実現することができる。

＜実施の形態３＞
上述した実施の形態１及び実施の形態２では、成膜室にミスト発生機能を持たせていることを特徴としている。

上述した特徴を有する実施の形態１及び実施の形態２では、成膜室内にミスト空間ＳＭが存在している。ミスト空間ＳＭ内の原料ミストＭＴは、重力の影響により鉛直方向（－Ｚ方向）に原料ミストＭＴの濃度勾配ができる可能性がある。すなわち、ミスト空間ＳＭの高所（＋Ｚ方向側）では原料ミストＭＴの濃度が比較的低く、低所（－Ｚ方向側）では原料ミストＭＴの濃度が比較的高くなる可能性がある。

加えて、２つの超音波振動子３８からの距離によって、ミスト空間ＳＭ内におけるＸＹ平面で規定される水平方向に原料ミストＭＴの濃度分布が生じる可能性もある。なぜなら、超音波振動子３８に近い程、原料ミストＭＴの濃度が高くなり、超音波振動子３８から遠い程、原料ミストＭＴの濃度が低くなる傾向があるからである。

さらに、実施の形態１の成膜装置１１におけるベルト５２や基板１０の存在、実施の形態２の成膜装置１２における搬送チェーン２５や基板１０の存在が、ミスト空間ＳＭにおける原料ミストＭＴの濃度不均一の原因となる場合も考えられる。

ミスト空間ＳＭに原料ミストＭＴの濃度勾配が存在する状態で薄膜を成膜した場合、基板１０に接触する原料ミストＭＴの濃度が不均一となり、結果として薄膜の均一性が損なわれる懸念材料がある。

上述したミスト空間ＳＭの濃度勾配に関する懸念材料に改善を施したのが以下で述べる実施の形態３の成膜装置１３及び実施の形態４の成膜装置１４である。なお、成膜装置１３は成膜装置１３Ａ及び１３Ｂの総称であり、成膜装置１４は成膜装置１４Ａ及び１４Ｂの総称である。

図６及び図７は実施の形態３の成膜装置１３（１３Ａ，１３Ｂ）に用いられる成膜室の構成を示す説明図である。図６及び図７それぞれにＸＹＺ直交座標系を記している。

図６は実施の形態１の構成を基準とした成膜装置１３Ａの成膜室９０１Ｂを示しており、図７は実施の形態２の構成を基準とした成膜装置１３Ｂの成膜室１９１Ｂを示している。なお、説明の都合上、図６では開口部９８の図示を省略し、図７では開口部９９の図示を省略している。

成膜装置１３Ａの全体構成は、図１及び図２で示した実施の形態１の成膜装置１１の構成を基準として、成膜室９０１及び９０２に置き換えて、成膜室９０１Ｂ及び９０２Ｂを設けたことを特徴としている。なお、成膜室９０１Ｂ及び９０２Ｂ以外の加熱室８０１及び８０２、コンベア５３は、実施の形態１の成膜装置１１と同じであるため、説明を省略する。

成膜室９０１Ｂ及び９０２Ｂの内部構成は同じであるため、以下では、図６を参照して、成膜室９０１Ｂを中心に説明する。

成膜室９０１Ｂでは、下部容器３２の対向する一対の側面それぞれに取付部材５５を介して循環用ファン４５を設けている。すなわち、下部容器３２内において、対向する一対の側面付近に一対の循環用ファン４５を設けている。

図６に示すように、成膜室９０１Ｂは、原料溶液用容器である下部容器３２と、下部容器３２の上方に配置される上部容器３１と、ミスト空間ＳＭ１内で原料ミストＭＴを循環させる循環用送風動作を実行する一対の循環用ファン４５とを含んでいる。なお、下部容器３２が原料溶液３６を収容すること、下部容器３２の底面に２つの超音波振動子３８が設けられる構成は、実施の形態１の成膜室９０１と同様である。

また、一対の循環用ファン４５は、下部容器３２に収容された原料溶液３６の上面から少し高い位置でかつ、ベルト５２の下方に配置され、上方（＋Ｚ方向）に循環気流Ｃ４５が生じるように循環用送風動作を実行する。したがって、一対の循環用ファン４５の循環用送風動作がベルト５２上に載置された基板１０の移動に影響を与えることはない。

このような構成において、成膜室９０１Ｂは、２つの超音波振動子３８による超音波振動動作によって、原料溶液３６をミスト化して原料ミストＭＴを生成している。この際、一対の循環用ファン４５は循環用送風動作を行い、下方から上方に向かう方向（＋Ｚ方向）に一対の循環気流Ｃ４５を発生させる。

したがって、原料溶液３６からミスト化された原料ミストＭＴの一部が一対の循環気流Ｃ４５によって上方に強制的に移動されるため、重力の影響により鉛直方向（－Ｚ方向）に沿った原料ミストＭＴの濃度勾配を緩和することができる。

このように、一対の循環用ファン４５による循環用送風動作によって、ミスト空間ＳＭ１内で原料ミストＭＴを循環させる循環処理が行える。

成膜室９０２Ｂも成膜室９０１Ｂと同様な構成であり、内部に一対の循環用ファン４５が設けられる。なお、ミスト空間ＳＭ２はミスト空間ＳＭ１に対応する。

その結果、成膜装置１３Ａにおいて、成膜室９０１Ｂ及び９０２Ｂは、ミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２における原料ミストＭＴの濃度分布の均一化を図ることができる。

次に、図７で示した成膜装置１３Ｂの成膜室１９１Ｂについて説明する。

成膜装置１３Ｂの全体構成は、図３～図５で示した実施の形態２の成膜装置１２の構成を基準として、成膜室１９１及び１９２に置き換えて、成膜室１９１Ｂ及び１９２Ｂを設けたことを特徴としている。なお、成膜室１９１Ｂ及び１９２Ｂ以外の加熱室１８１及び１８２、搬送チェーン２５及び基板吊り下げ部２５ｐは、実施の形態２の成膜装置１２と同じであるため、説明を省略する。

成膜室１９１Ｂ及び１９２Ｂの内部構成は同じであるため、以下では、図７を参照して、成膜室１９１Ｂを中心に説明する。

成膜室１９１Ｂでは、下部容器３４の対向する一対の側面それぞれに取付部材５５を介して循環用ファン４５を設けている。すなわち、下部容器３４内において、対向する一対の側面付近に一対の循環用ファン４５を設けている。

図７に示すように、成膜室１９１Ｂは、原料溶液用容器である下部容器３４と、下部容器３４の上方に配置される上部容器３３と、ミスト空間ＳＭ１内で原料ミストＭＴを循環させる循環用送風動作を実行する一対の循環用ファン４５とを含んでいる。なお、下部容器３４が原料溶液３６を収容すること、下部容器３４の底面に２つの超音波振動子３８が設けられる構成は、実施の形態２の成膜室９０１と同様である。

また、一対の循環用ファン４５は、下部容器３４に収容された原料溶液３６の上面から少し高い位置で、かつ、基板吊り下げ部２５ｐで吊り下げられた基板１０の下端より低い位置され、上方（＋Ｚ方向）に循環気流Ｃ４５が生じるように循環用送風動作を実行する。したがって、一対の循環用ファン４５のファン動作が搬送チェーン２５の基板吊り下げ部２５ｐに吊り下げられた基板１０の移動に影響を与えることはない。

このような構成において、成膜装置１３Ｂは、２つの超音波振動子３８による超音波振動動作によって、原料溶液３６をミスト化して原料ミストＭＴを生成している。この際、一対の循環用ファン４５は循環用送風動作を行い、下方から上方に向かう方向（＋Ｚ方向）に一対の循環気流Ｃ４５を発生させる。

したがって、原料溶液３６からミスト化された原料ミストＭＴの一部が一対の循環気流Ｃ４５によって上方に強制的に移動されることにより、重力の影響による鉛直方向（－Ｚ方向）に沿った原料ミストＭＴの濃度勾配を緩和することができる。

このように、一対の循環用ファン４５による循環用送風動作によって、ミスト空間ＳＭ１内で原料ミストＭＴを循環させる循環処理が行える。

成膜室１９２Ｂも成膜室１９１Ｂと同様な構成であり、内部に一対の循環用ファン４５が設けられる。なお、ミスト空間ＳＭ２はミスト空間ＳＭ１に対応する。

その結果、成膜室１９１Ｂ及び１９２Ｂは、ミスト空間ＳＭ１及びＳＭ２における原料ミストＭＴの濃度分布の均一化を図ることができる。

このように、実施の形態３の成膜装置１３Ａ及び１３Ｂは共に一対の循環用ファン４５が実行する循環用送風動作によって、ミスト空間ＳＭ（ＳＭ１及びＳＭ２）内の原料ミストＭＴを循環させることにより、ミスト空間ＳＭ内の原料ミストＭＴの濃度の均一化を図ることができる。

その結果、実施の形態３の成膜装置１３Ａは、複数の基板１０の表面上に精度良く薄膜を成膜することができる。同様に、成膜装置１３Ｂは、複数の基板１０の表面上及び裏面上それぞれに精度良く薄膜を成膜することができる。

＜実施の形態４＞
図８及び図９は実施の形態４の成膜装置１４（１４Ａ，１４Ｂ）に用いられる成膜室の構成を示す説明図である。図８及び図９それぞれにＸＹＺ直交座標系を記している。

図８は実施の形態１の構成を基準とした成膜装置１４Ａの成膜室９０１Ｃを示しており、図９は実施の形態２の構成を基準とした成膜装置１４Ｂの成膜室１９１Ｃを示している。なお、成膜装置１４は成膜装置１４Ａ及び１４Ｂの総称である。

成膜装置１４Ａの全体構成は、図１及び図２で示した実施の形態１の成膜装置１１の構成を基準として、成膜室９０１及び９０２に置き換えて、成膜室９０１Ｃ及び９０２Ｃを設けたことを特徴としている。なお、成膜室９０１Ｃ及び９０２Ｃ以外の加熱室８０１及び８０２、コンベア５３は、実施の形態１の成膜装置１１と同じであるため、説明を省略する。

成膜室９０１Ｃ及び９０２Ｃの内部構成は同じであるため、以下では、図８を参照して、成膜室９０１Ｃを中心に説明する。

成膜室９０１Ｃは、成膜室９０１Ｂと同様、一対の循環用ファン４５を有し、さらに以下の特徴を有している。

成膜室９０１Ｃ内において、下部容器３２の底面上に一対の取付部材５６を上方（＋Ｚ方向）に立設させ、一対の取付部材５６の上方先端部に吹付用ファン４６を取り付けている。吹付用ファン４６は平面視してベルト５２の中心部と重複するように配置される。

成膜室９０１Ｃ内において、上部容器３１の上面下に一対の取付部材５７を下方（－Ｚ方向）に立設させ、一対の取付部材５７の下方先端部に吹付用ファン４７を取り付けている。吹付用ファン４７は平面視してベルト５２の中心部と重複し、かつ、吹付用ファン４６に平面視して一致するように配置される。

図８に示すように、成膜室９０１Ｃは、実施の形態３の成膜室９０１Ｂの構成に加え、さらに、上述した吹付用ファン４６及び４７を設けたことを特徴としている。

また、第１方向吹付用ファンである吹付用ファン４６は、下部容器３２に収容された原料溶液３６の上面及び一対の循環用ファン４５よりも高い位置でかつ、ベルト５２の下方に配置される。吹付用ファン４６は、第１の吹付方向である上方（＋Ｚ方向）に吹付気流Ｃ４６が生じるように第１の吹付用送風動作を実行する。したがって、吹付用ファン４６の第１の吹付用送風動作がベルト５２上に載置された基板１０の移動に影響を与えることはない。

第２方向吹付用ファンである吹付用ファン４７は、ベルト５２の上方に配置され、第２の吹付方向である下方（－Ｚ方向）に吹付気流Ｃ４７が生じるように第１の吹付用送風動作を実行する。したがって、吹付用ファン４７の第２の吹付用送風動作がベルト５２上に載置された基板１０の移動に影響を与えることはない。

すなわち、第１方向吹付用ファンである吹付用ファン４６は、第１の吹付方向である＋Ｚ方向に沿って、原料ミストＭＴを成膜経路ＲＦ１に向けて吹き付ける第１の吹付用送風動作を実行する。同様に、第２方向吹付用ファンである吹付用ファン４７は、第２の吹付方向である－Ｚ方向に沿って、原料ミストＭＴを成膜経路ＲＦ１に向けて吹き付ける第２の吹付用送風動作を実行する。

図１及び図８に示すように、コンベア５３によるミスト空間通過処理は、ミスト空間ＳＭ１の成膜経路ＲＦ１を通過するように、複数の基板１０を移動させる処理である。

このような構成において、成膜装置１４Ａは、実施の形態３の成膜装置１３Ａと同様、一対の循環用ファン４５の循環用送風動作によって一対の循環気流Ｃ４５を生成することにより、ミスト空間ＳＭ１における原料ミストＭＴの均一化を図っている。

さらに、成膜装置１４Ａは、吹付用ファン４６の第１の吹付用送風動作により、上方の成膜経路ＲＦ１に向けて吹付気流Ｃ４６を発生させ、吹付用ファン４７の第２の吹付用送風動作により、下方の成膜経路ＲＦ１に向けて吹付気流Ｃ４７を発生させている。

したがって、第１方向及び第２方向吹付用ファンである吹付用ファン４６及び４７が実行する第１及び第２の吹付用送風動作によって、原料ミストＭＴの成膜経路ＲＦ１への供給速度を高くし、成膜経路ＲＦ１における原料ミストＭＴの濃度を高い状態で均一にすることができる。

成膜室９０２Ｃも成膜室９０１Ｃと同様な構成であり、内部に一対の循環用ファン４５、吹付用ファン４６及び４７が設けられる。なお、ミスト空間ＳＭ２はミスト空間ＳＭ１に対応し、成膜経路ＲＦ２は成膜経路ＲＦ１に対応する。

次に、図９で示した成膜装置１４Ｂの成膜室１９１Ｃについて説明する。

成膜室１９１Ｃ及び１９２Ｃの内部構成は同じであるため、以下では、図９を参照して、成膜室１９１Ｃを中心に説明する。

成膜室１９１Ｃは、成膜室１９１Ｂと同様、一対の循環用ファン４５を有し、さらに、以下の特徴を有している。

成膜室１９１Ｃ内において、下部容器３４の一方の側面（－Ｙ側の側面）に設けられた一対の取付部材５８を介して吹付用ファン４８を設けている。成膜室１９１Ｃ内において、下部容器３４の他方の側面（＋Ｙ側の側面）に設けられた取付部材５９を介して吹付用ファン４９を設けている。

吹付用ファン４８及び４９は同じ高さで、かつ、ＸＺ平面で平面視して基板１０の通過領域と重複するように配置される。さらに、吹付用ファン４８及び４９は、ＸＺ平面で平面視して互いに合致する。

図９に示すように、成膜室１９１Ｃは、実施の形態３の成膜室１９１Ｂの構成に加え、さらに、上述した吹付用ファン４８及び４９を設けたことを特徴としている。

図３及び図９に示すように、搬送チェーン２５による第１のミスト空間通過処理は、ミスト空間ＳＭ１の成膜経路ＲＦ１１を通過するように、複数の基板１０を移動させる処理である。

このような構成において、成膜装置１４Ｂは、成膜装置１３Ｂと同様、一対の循環用ファン４５の循環用送風動作によって一対の循環気流Ｃ４５を生成することにより、ミスト空間ＳＭ１における原料ミストＭＴの均一化を図っている。

さらに、成膜装置１４Ｂは、吹付用ファン４８の第１の吹付用送風動作により、右方（＋Ｙ方向）の成膜経路ＲＦ１１に向けて吹付気流Ｃ４８を発生させ、吹付用ファン４９の第２の吹付用送風動作により、左方（－Ｙ方向）の成膜経路ＲＦ１１に向けて吹付気流Ｃ４９を発生させている。

すなわち、第１方向吹付用ファンである吹付用ファン４８は、第１の吹付方向である＋Ｙ方向に沿って、原料ミストＭＴを成膜経路ＲＦ１１に向けて吹き付ける第１の吹付用送風動作を実行する。同様に、第２方向吹付用ファンである吹付用ファン４９は、第２の吹付方向である－Ｙ方向に沿って、原料ミストＭＴを成膜経路ＲＦ１１に向けて吹き付ける第２の吹付用送風動作を実行する。

したがって、吹付用ファン４８及び４９が実行する第１及び第２の吹付用送風動作によって、原料ミストＭＴの成膜経路ＲＦ１への供給速度を高くすることにより、成膜経路ＲＦ１１における原料ミストＭＴの濃度を高い状態で均一にすることができる。

成膜室１９２Ｃも成膜室１９１Ｃと同様な構成であり、内部に一対の循環用ファン４５、吹付用ファン４８及び４９が設けられる。なお、ミスト空間ＳＭ２はミスト空間ＳＭ１に対応し、成膜経路ＲＦ１２は成膜経路ＲＦ１１に対応する。

このように、実施の形態４の成膜装置１４Ａは、吹付用ファン４６及び４７が実行する吹付用送風動作（第１及び第２の吹付用送風動作）によって、成膜室９０１Ｃ（９０２Ｃ）内の成膜経路ＲＦ１（ＲＦ２）における原料ミストＭＴの濃度を高い状態で均一にすることができる。

同様に、実施の形態４の成膜装置１４Ｂは、吹付用ファン４８及び４９が実行する吹付用送風動作によって、成膜室１９１Ｃ（１９２Ｃ）内の成膜経路ＲＦ１１（ＲＦ１２）における原料ミストＭＴの濃度が高い状態で均一にすることができる。

その結果、実施の形態４の成膜装置１４（１４Ａ及び１４Ｂ）は、薄膜の成膜速度及び成膜精度を高めることができる。

さらに、実施の形態４の成膜装置１４Ａは、高さ方向（Ｚ方向）において成膜経路ＲＦ１（ＲＦ２）を挟んで対向する吹付用ファン４６及び４７が実行する第１及び第２の吹付用送風動作によって、成膜経路ＲＦ１における原料ミストＭＴの濃度をより高く、かつ、より均一にすることができる。

同様に、実施の形態４の成膜装置１４Ｂは、水平方向（Ｙ方向）において成膜経路ＲＦ１１（ＲＦ１２）を挟んで対向する吹付用ファン４８及び４９が実行する第１及び第２の吹付用送風動作によって、成膜経路ＲＦ１１における原料ミストＭＴの濃度をより高く、かつ、より均一にすることができる。

なお、前述したように、第１方向吹付用ファンに、成膜装置１４Ａの吹付用ファン４６及び成膜装置１４Ｂの吹付用ファン４８が相当し、第２方向吹付用ファンに、成膜装置１４Ａの吹付用ファン４７及び成膜装置１４Ｂの吹付用ファン４９が相当する。

＜実施の形態５＞
図１０は実施の形態５の成膜装置１５の概略構成を示す説明図である。図１０にＸＹＺ直交座標系を記している。

図１０に示すように、実施の形態５の成膜装置１５は、成膜室５００、赤外光照射器４及びコンベア５３を主要構成要素として含んでいる。

基板搬送部であるコンベア５３はベルト５２の上面に複数の基板１０を載置しつつ、複数の基板１０を搬送方向（Ｘ方向）に搬送している。コンベア５３は左右両端に設けられた搬送用の一対のローラ５１と、一対のローラ５１に架け渡された無端状の搬送用のベルト５２とを備えている。

コンベア５３は、一対のローラ５１の回転駆動によって、上方側（＋Ｚ方向側）のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させることができる。

コンベア５３の一対のローラ５１のうち、一方は成膜室５００の左方（－Ｘ方向）に設けられ、他方は成膜室５００の右方（＋Ｘ方向）に設けられる。また、ベルト５２の中央部は、成膜室５００の内部に設けられる。

したがって、ベルト５２は一対のローラ５１の回転駆動により、成膜室５００の左右（－Ｘ方向，＋Ｘ方向）の側面の一部に設けられる一対の開口部６８を介して、成膜室５００の内部及び外部との間を移動することができる。

成膜室５００の周辺において、赤外光照射器４は上部容器３１外の上方（＋Ｚ方向）側のコンベア５３から離れた位置に、図示しない固定手段より固定される。赤外光照射器４により加熱機構が構成される。

なお、赤外光照射器４は、成膜室５００内のベルト５２の上面領域と平面視して重複する位置に配置される。

赤外光照射器４はランプ載置台４１及び複数の赤外光ランプ４２から構成され、ランプ載置台４１の下部に複数の赤外光ランプ４２が取り付けられる。したがって、赤外光照射器４は複数の赤外光ランプ４２から下方（－Ｚ方向）に向けて赤外光を照射することができる。

したがって、第２方向加熱部である赤外光照射器４は、－Ｚ方向（第２の方向）を照射方向とした赤外光を加熱空間ＨＳ５に向けて照射して、加熱空間ＨＳ５を加熱する加熱処理を行う。したがって、加熱空間ＨＳ５内にベルト５２上に載置された基板１０が存在する場合は、加熱処理によって基板１０を加熱することができる。

このように、実施の形態５の成膜装置１５は、加熱機構として成膜室５００の外部に赤外光照射器４を有している。そして、赤外光照射器４によって、成膜室５００内の加熱空間ＨＳ５を加熱する加熱処理を実行している。

成膜室５００は上部容器３１、下部容器３２、２つの超音波振動子３８を主要構成要素として含んでいる。

成膜室５００の左右の側面の一部に一対の開口部６８が設けられる。一対の開口部６８は、Ｚ方向である高さ方向において上部容器３１と下部容器３２との間に一対の開口部６８が設けられる。そして、成膜室５００内の開口部６８，６８間にコンベア５３が設けられる。

原料溶液用容器である下部容器３２は原料溶液３６を収容している。２つの超音波振動子３８（少なくとも一つの超音波振動子）は下部容器３２の底面に設けられる。

成膜室５００は、２つの超音波振動子３８による超音波振動動作によって、原料溶液３６をミスト化して原料ミストＭＴを生成する。その結果、原料ミストＭＴが成膜室５００内で滞留し、充満することによりミスト空間ＳＭ５が得られる。このように、成膜室５００はミスト発生機能を有している。

また、ミスト空間ＳＭ５及び加熱空間ＨＳ５は共に成膜室５００内に存在し、ミスト空間ＳＭと加熱空間ＨＳ５とは大部分が互いに重複する関係になる。

このように、実施の形態５の成膜装置１５は、成膜室５００内にミスト空間ＳＭ５を生成している。

基板搬送部であるコンベア５３は、搬送処理として、成膜室５００内のミスト空間ＳＭを通過するように複数の基板１０を移動させるミスト空間通過処理を実行することができる。ミスト空間通過処理の実行時に複数の基板１０は成膜経路ＲＦ５を通過する。

加熱空間ＨＳ５とミスト空間ＳＭとが重複しているため、ミスト空間通過処理の実行時に、同時に加熱空間ＨＳに存在する複数の基板１０を加熱することができる。

成膜室５００は、ミスト空間通過処理が実行される際、エアカーテン７により一対の開口部６８を塞ぐことにより、ベルト５２上に載置された複数の基板１０、ミスト空間ＳＭ５及び加熱空間ＨＳ５を外部から遮断することができる。

したがって、実施の形態５の成膜装置１５は、エアカーテン７によって成膜室５００の一対の開口部６８を閉状態にし、コンベア５３のベルト５２を搬送方向（Ｘ方向）に沿って移動させる搬送処理を実行することにより、成膜環境を設定することができる。上述したように、搬送処理には、ミスト空間通過処理が含まれる。

以下、同一の基板１０を成膜対象として実施の形態５の成膜装置１５の成膜内容を説明する。

実施の形態５の成膜装置１５は、上記成膜環境下で、コンベア５３による搬送処理として、上記ミスト空間通過処理を実行する。このミスト空間通過処理の実行時に赤外光照射器４による加熱空間ＨＳ５を加熱する加熱処理が併せて実行される。したがって、上記ミスト空間通過処理の実行時に成膜対象の基板１０は加熱される。

その結果、実施の形態５の成膜装置１５は、成膜室５００内にて、ベルト５２の上面に載置された基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

このように、実施の形態５の成膜装置１５は、基板１０と接触関係をもたせることなく、赤外光照射器４によって基板１０を加熱することができるため、基板１０の形状に関わらず均一な加熱を、基板１０を変形させることなく行うことができる。

その結果、実施の形態５の成膜装置１５は、成膜品質や成膜速度を落とすことなく、基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

実施の形態５の成膜装置１５は、実施の形態１の成膜装置１１と同様、成膜室５００がミスト発生機能を有している。このため、成膜装置１５は、原料ミストＭＴの利用効率が高いミスト空間ＳＭ内で薄膜を成膜することができるため、原料溶液３６を有効に利用することができる効果を奏する。

さらに、実施の形態５の成膜装置１５は、基板搬送部であるコンベア５３によるミスト空間通過処理の実行時に成膜対象の基板１０は加熱されるため、比較的短期間で複数の基板１０の表面上に薄膜を成膜することができる。

加えて、ミスト空間通過処理時に成膜対象の基板１０が加熱されるため、成膜対象の基板１０の温度設定を熱効率良く行える。

＜変形例＞
図１及び図２で示した実施の形態１である成膜装置１１の変形例として、理想環境を実現するための構成を考察する。

以下では、搬送処理の搬送方向（Ｘ方向）における搬送用移動速度ＶＭが一定であることを前提として、加熱室８０１内で実行される第１の加熱空間通過処理と、成膜室９０１内で実行される第１のミスト空間通過処理について考察する。なお、搬送処理には、第１及び第２の加熱空間通過処理並びに第１及び第２のミスト空間通過処理が含まれる。

ここで、理想環境を実現するには、加熱室８０１内で実行される第１の加熱空間通過処理は、必要加熱空間通過時間ＴＨを必要とし、成膜室９０１内で第１のミスト空間通過処理は必要ミスト空間通過時間ＴＭの実行を必要とすると場合を考える。

必要加熱空間通過時間ＴＨは、第１の加熱機構（赤外光照射器２及び４）の第１の加熱処理の加熱内容等を考慮して決定され、必要ミスト空間通過時間ＴＭはミスト空間ＳＭ１内の原料ミストＭＴの濃度設定内容等を考慮して決定される。

したがって、必要加熱空間通過時間ＴＨを要する第１の加熱空間通過処理が実行され、その後、必要ミスト空間通過時間ＴＭを要する第１のミスト空間通過処理を実行することにより、成膜室９０１内にて目標膜厚を満足する薄膜を高品質に成膜する理想環境が実現できる。理想環境となる構成を実現したのが実施の形態１の変形例となる。

図１に示すように、加熱空間ＨＳ１における搬送方向の距離が加熱工程長ＬＨとして規定され、ミスト空間ＳＭ１（成膜経路ＲＦ１）における搬送方向の距離が成膜工程長ＬＭとして規定される。そして、コンベア５３の搬送処理における基板１０の移動速度が搬送用移動速度ＶＭして規定され、搬送用移動速度ＶＭは一定である。

実施の形態１の変形例では、加熱工程長ＬＨ及び搬送用移動速度ＶＭは、必要加熱空間通過時間ＴＨを満足するように設定される。すなわち、式(1)｛ＬＨ／ＶＭ＝ＴＨ…(1)｝を満足するように、加熱工程長ＬＨ及び搬送用移動速度ＶＭが設定される。

同様にして、実施の形態１の変形例では、成膜工程長ＬＭ及び搬送用移動速度ＶＭは、必要ミスト空間通過時間ＴＭを満足するように設定される。すなわち、式(2)｛ＬＭ／ＶＭ＝ＴＭ…(2)｝を満足するように、成膜工程長ＬＭ及び搬送用移動速度ＶＭが設定される。

例えば、所定の温度に加熱された加熱空間ＨＳ１内で基板１０が目標温度に到達するまでの必要加熱空間通過時間ＴＨが１０秒の場合、搬送用移動速度ＶＭが１０ｃｍ／ｓの速度の際、加熱工程長ＬＨを１００ｃｍに設定すれば良い。

さらに、ミスト空間ＳＭ１内で基板１０が目標膜厚に到達するまでの必要ミスト空間通過時間ＴＭが１５秒の場合、搬送用移動速度ＶＭが１０ｃｍ／ｓの速度の際、成膜工程長ＬＭを１５０ｃｍに設定すれば良い。

このように、実施の形態１の変形例は、加熱工程長ＬＨ及び搬送用移動速度ＶＭを、式(1)を満足するように設定し、成膜工程長ＬＭ及び搬送用移動速度ＶＭを、式(2)を満足するように設定している。

このため、実施の形態１の変形例は、加熱空間ＨＳ１の設定温度を必要以上に高めることなく、成膜対象の基板１０の温度が目標温度に達成するように第１の加熱処理を実行することができる。

さらに、実施の形態１の変形例は、ミスト空間ＳＭ１における原料ミストＭＴの濃度を必要以上に高めることなく、成膜対象の基板１０上に精度良く目標膜厚の薄膜を成膜することができる。

なお、加熱室８０２においても、加熱室８０１と同様に、加熱工程長ＬＨ及び搬送用移動速度ＶＭを設定することができ、成膜室９０２においても成膜室９０１と同様に成膜工程長ＬＭ及び搬送用移動速度ＶＭを設定することができる。

また、実施の形態２においても、実施の形態１の変形例と同様、加熱工程長ＬＨ、成膜工程長ＬＭ及び搬送用移動速度ＶＭが設定された変形例が実現可能である。

＜その他＞
図１，図３、図５及び図１０～図１２では、模式的にエアカーテン７を図示している。エアカーテン７は、加熱室や成膜室の内部に設けても、加熱室や成膜室の外部に設けても良い。要は、加熱室や成膜室の内部を外部から遮断できれば良い。

なお、本開示は、その開示の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。

例えば、実施の形態５では、実施の形態１と同様、基板搬送部としてコンベア５３を用いたが、実施の形態２のように、基板搬送部として搬送チェーン２５を用いても良い。この場合、加熱機構として、赤外光照射器４に代えて赤外光照射器２Ｌ及び２Ｒが用いられる。

また、実施の形態５の成膜装置１５における成膜室５００内に実施の形態３で示した一対の循環用ファン４５を設ける構成や、実施の形態４で示した吹付用ファン４６及び４７を設ける構成も可能である。

２，２Ｒ，２Ｌ，４ 赤外光照射器
１１～１５，１３Ａ，１３Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ 成膜装置
１８１，１８２，８０１，８０２ 加熱室
１９１，１９１Ｂ，１９１Ｃ，１９２，１９２Ｂ，１９２Ｃ，５００，９０１，９０１Ｂ，９０１Ｃ，９０２，９０２Ｂ，９０２Ｃ 成膜室
２１，４１ ランプ載置台
２２，４２ 赤外光ランプ
２５ 搬送チェーン
３１，３３，８１ 上部容器
３２，３４，８２ 下部容器
３６ 原料溶液
３８ 超音波振動子
４５ 循環用ファン
４６～４９ 吹付用ファン
５１ ローラ
５２ ベルト
５３ コンベア
６８，８８，８９，９８，９９ 開口部
８５ 右方容器
８６ 左方容器
ＨＳ１，ＨＳ２，ＨＳ５ 加熱空間
ＭＴ 原料ミスト
ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ５ ミスト空間

Claims (10)

1. 基板を搬送する搬送処理を実行する基板搬送部と、
   原料ミストが存在するミスト空間を内部に有する成膜室とを備え、
   前記成膜室は、
   原料溶液を収容する原料溶液用容器と、
   前記原料溶液用容器の底面に設けられる少なくとも一つの超音波振動子とを含み、
   前記少なくとも一つの超音波振動子による超音波振動動作によって、前記原料溶液をミスト化して前記原料ミストを生成することにより、前記ミスト空間が得られ、
   前記基板搬送部による前記搬送処理は、前記ミスト空間を通過するように前記基板を移動させるミスト空間通過処理を含み、前記ミスト空間通過処理の実行時に前記基板上に薄膜が成膜され、
   前記成膜室は、
   前記原料溶液用容器の上方に配置される上方容器と、
   前記ミスト空間内で前記原料ミストを循環させる循環用送風動作を実行する循環用ファンとをさらに含む、
   成膜装置。
2. 請求項１記載の成膜装置であって、
   加熱空間にて前記基板を加熱する加熱処理を実行する加熱機構をさらに備え、
   前記加熱空間と前記ミスト空間とが互いに影響を受けないように、前記加熱機構及び前記成膜室は分離して配置され、
   前記基板搬送部による前記搬送処理は、前記加熱空間を通過するように前記基板を移動させる加熱空間通過処理を含み、
   前記加熱空間通過処理の実行後に、前記ミスト空間通過処理が実行される、
   成膜装置。
3. 請求項２記載の成膜装置であって、
   前記加熱機構は、
   第１の方向を照射方向とした赤外光を前記加熱空間に向けて照射して、前記基板を加熱する第１方向加熱処理を行う第１方向加熱部と、
   第２の方向を照射方向とした赤外光を前記加熱空間に向けて照射して、前記基板を加熱する第２方向加熱処理を行う第２方向加熱部とを含み、
   前記第２の方向は前記第１の方向の反対方向であり、
   前記加熱処理は前記第１方向加熱処理と前記第２方向加熱処理とを含む、
   成膜装置。
4. 請求項２または請求項３に記載の成膜装置であって、
   前記加熱機構は、第１～第ｎ（ｎ≧２）の加熱空間にて第１～第ｎの加熱処理を実行する第１～第ｎの加熱機構を含み、前記加熱空間は第１～第ｎの加熱空間を含み、前記加熱処理は第１～第ｎの加熱処理を含み、
   前記成膜室は、各々が前記原料溶液用容器及び前記少なくとも一つの超音波振動子を有する第１～第ｎの成膜室を含み、第１～第ｎの成膜室内で第１～第ｎのミスト空間が得られ、前記ミスト空間は第１～第ｎのミスト空間を含み、
   前記ミスト空間通過処理は、前記第１～第ｎのミスト空間を通過するように前記基板を移動させる第１～第ｎのミスト空間通過処理を含み、
   前記加熱空間通過処理は、前記第１～第ｎの加熱空間を通過するように前記基板を移動させる第１～第ｎの加熱空間通過処理を含み、
   前記第１～第ｎの加熱空間及び前記第１～第ｎのミスト空間が影響を受けないように、前記第１～第ｎの加熱機構及び前記第１～第ｎの成膜室はそれぞれ分離して配置され、
   前記第１～第ｎの加熱空間通過処理と前記第１～第ｎのミスト空間通過処理とが第１～第ｎの順で交互に実行されることを特徴とする、
   成膜装置。
5. 請求項１から請求項４のうち、いずれか１項に記載の成膜装置であって、
   前記基板搬送部は、前記基板の表面が前記原料溶液用容器の底面と平行となる平行配置関係で前記ミスト空間通過処理を実行する、
   成膜装置。
6. 請求項１から請求項４のうち、いずれか１項に記載の成膜装置であって、
   前記基板搬送部は、前記基板の表面が前記原料溶液用容器の底面と垂直となる垂直配置関係で前記ミスト空間通過処理を実行する、
   成膜装置。
7. 請求項１記載の成膜装置であって、
   前記基板搬送部による前記ミスト空間通過処理は、前記ミスト空間内の成膜経路を通過するように前記基板を移動させる処理であり、
   前記成膜室は、
   前記成膜経路に向けて前記原料ミストを吹き付けるための吹付用送風動作を実行する吹付用ファンをさらに含む、
   成膜装置。
8. 請求項７記載の成膜装置であって、
   前記吹付用ファンは、
   第１の吹付方向に沿って、前記原料ミストを前記成膜経路に向けて吹き付ける第１の吹付用送風動作を実行する第１方向吹付用ファンと、
   第２の吹付方向に沿って、前記原料ミストを前記成膜経路に向けて吹き付ける第２の吹付用送風動作を実行する第２方向吹付用ファンとを含み、
   前記第２の吹付方向は、前記第１の吹付方向と反対方向であり、
   前記吹付用送風動作は、前記第１及び第２の吹付用送風動作を含む、
   成膜装置。
9. 請求項２記載の成膜装置であって、
   前記基板搬送部が実行する前記搬送処理において、前記基板の搬送方向に沿った移動速度が搬送用移動速度として規定され、
   前記加熱空間における前記搬送方向の距離が加熱工程長として規定され、前記ミスト空間における前記搬送方向の距離が成膜工程長として規定され、
   前記加熱空間通過処理は必要加熱空間通過時間の実行を必要とし、前記ミスト空間通過処理は必要ミスト空間通過時間の実行を必要とし、
   前記加熱工程長及び前記搬送用移動速度は、前記必要加熱空間通過時間を満足するように設定され、前記成膜工程長及び前記搬送用移動速度は、前記必要ミスト空間通過時間を満足するように設定される、
   成膜装置。
10. 請求項１記載の成膜装置であって、
    加熱空間にて前記基板を加熱する加熱処理を実行する加熱機構をさらに備え、
    前記加熱空間と前記ミスト空間とは互いに重複し、
    前記基板搬送部による前記ミスト空間通過処理の実行時に前記基板は加熱される、
    成膜装置。

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