JPWO2019224953A1 - SiCエピタキシャル基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
SiCバルク基板(1)上に2.0μm/h以下の初期成長速度から成長速度を速くしながらSiC成長速度変化層(2)を形成する。SiC成長速度変化層(2)の成長速度変化率を720μm/h2以下とする。SiC成長速度変化層(2)の成長開始時の炭素に対する窒素のモル流量比を2.4以下とする。
Description
本発明は、SiCエピタキシャル基板の製造方法に関する。
SiCはSiと比較して絶縁破壊電界強度が約10倍高く、バンドギャップが3倍である等の優れた物性を持つ。このため、近年、SiCは主に電力制御用パワーデバイス材料として注目されている。SiCを用いたパワーデバイスは、電力損失の大幅な低減、小型化などが可能であり、電源電力変換時の省エネルギー化を実現できる。このため、電気自動車の高性能化、太陽電池システム等の高機能化等、低炭素社会実現の上でSiCパワーデバイスはキーデバイスとなる。SiCパワーデバイスの活性層は、高精度のドーピング密度及び膜厚制御が求められるため、4H−SiCバルク単結晶上にCVD(Chemical Vapor Deposition:熱化学気相堆積法)等によりエピタキシャル成長される。
SiCパワーデバイスの歩留低下要因の一つとして、エピタキシャル成長時に発生する三角欠陥がある。近年、三角欠陥密度の低減による歩留向上が必要となっている。このために、低成長速度でエピタキシャル成長した後に成長速度を速くしながら成長速度変化層をエピタキシャル成長する方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
先行技術では、膜厚30nm未満の成長速度変化層を2500μm/h2以上の成長速度変化率でエピタキシャル成長していた。従って、成長時間10秒以下で原料供給量を急激に増加させるため、表面平坦性に影響を与える各原料ガス供給量比の制御性が悪く、表面が平坦なSiCエピタキシャル基板を安定して製造することが困難であった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は三角欠陥密度が低く良好な表面平坦性を持つSiCエピタキシャル基板を安定して製造することができる方法を得るものである。
本発明に係るSiCエピタキシャル基板の製造方法は、SiCバルク基板上に2.0μm/h以下の初期成長速度から成長速度を速くしながらSiC成長速度変化層を形成する工程を備え、前記SiC成長速度変化層の成長速度変化率を720μm/h2以下とし、前記SiC成長速度変化層の成長開始時の炭素に対する窒素のモル流量比を2.4以下とすることを特徴とする。
本発明では、SiC成長速度変化層の初期成長速度を2.0μm/h以下とし、SiC成長速度変化層の成長速度変化率を720μm/h2以下とし、SiC成長速度変化層の成長開始時の炭素に対する窒素のモル流量比を2.4以下とする。これにより、三角欠陥密度が低く良好な表面平坦性を持つSiCエピタキシャル基板を安定して製造することができる。
実施の形態に係るSiCエピタキシャル基板の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係るSiCエピタキシャル基板を示す断面図である。SiCバルク基板1上にSiC成長速度変化層2、SiCバッファ層3及びSiCドリフト層4が順に積層されている。
図1は、実施の形態1に係るSiCエピタキシャル基板を示す断面図である。SiCバルク基板1上にSiC成長速度変化層2、SiCバッファ層3及びSiCドリフト層4が順に積層されている。
続いて、本実施の形態に係るSiCエピタキシャル基板の製造方法を説明する。図2は、実施の形態1に係るSiCエピタキシャル成長過程における成長速度の時間変化を模式的に示すグラフである。結晶成長方法としてCVDを用いる。ここでは、シリコン原料として、SiH4(モノシラン)、炭素原料として、C3H8(プロパン)を用いる。ただし、シリコン原料としてSiH2Cl2(ジクロロシラン)又はSiHCl3(トリクロロシラン)、炭素原料としてCH4(メタン)又はC2H4(エチレン)を用いてもよい。これらの原料ガス以外に、HCl(塩化水素)等の還元性ガス又はN2(窒素)等のドーパントガスを供給してもよい。
まず、SiCバルク基板1として、主面となる(0001)面(C面)に対して<11−20>方向へ4度のオフ角を有する4H−SiCバルク単結晶基板を準備する。ここで、オフ角は4度に限ったものではなく、2度〜10度の範囲内であればよい。具体的には、SiCバルク基板1に対し、機械研磨、及び酸性又はアルカリ性を呈する薬液を用いた化学機械研磨により平坦化処理を行う。さらに、アセトンを用いて超音波洗浄を施し有機物を除去する。次に、SiCバルク基板1に対していわゆるRCA洗浄を行う。即ち、SiCバルク基板1を、75℃±5℃に加熱したアンモニア水と過酸化水素水の混合液(1:9)に10分間浸した後に、75℃±5℃に加熱した塩酸と過酸化水素水の混合液(1:9)に浸す。さらに、SiCバルク基板1を、体積比率で5%程度のフッ酸を含む水溶液に浸し、更に純水により置換処理を施すことにより、SiCバルク基板1に対する表面洗浄を行う。
次に、SiCバルク基板1をCVD装置に導入する。CVD装置内を約10kPa程度まで真空引きする。その後、SiCバルク基板1を1400℃〜1700℃程度まで加熱し、還元性ガス雰囲気中でのアニール工程を実施する。次に、CVD装置内にSiH4ガスを25sccm、C3H8ガスを9.0sccm、N2ガスを30sccmの流量で供給し、SiCバルク基板1上に初期成長速度2.0μm/h、N/Cモル流量比2.2でSiC成長速度変化層2のエピタキシャル成長を開始する。開始直後より、1分間でSiH4ガスを200sccm、C3H8ガスを72sccm、N2ガスを1000sccmまで線形に増加させる。これにより、初期成長速度から成長速度を速くしながら膜厚0.13μmのSiC成長速度変化層2をエピタキシャル成長させる。この時の成長速度変化率は(14[μm/h]−2[μm/h])/(1/60[h])=720μm/h2となる。ただし、成長速度変化率が720μm/h2以下であれば、成長速度の変化は線形、指数関数的、対数的など、任意の変化方法でよい。また、N/Cモル流量比はSiC成長速度変化層2の成長中に任意に変化させてもよい。その後、成長速度14μm/hで膜厚2μmのSiCバッファ層3、膜厚10μmのSiCドリフト層4を順に成長する。この際にSiCバッファ層3及びSiCドリフト層4のキャリア濃度がそれぞれ2×1018cm−3、8×1015cm−3となるようにN2ガスを供給する。その後、原料ガス供給を停止し、室温まで降温する。
初期成長速度を2.0μm/h以下と低成長速度とすることで、成長初期のSi又はCの原料過多に起因した二次元核形成の抑制と同時にステップフロー成長が促進される。また、成長初期のN/Cモル流量比を2.4以下とすることで、ドーパントであるN過多に起因した二次元核形成の抑制と同時にステップフロー成長が促進される。また、成長速度変化率を720μm/h2以下とすることで、再現性良くSiH4ガス、C3H8ガス、N2ガス流量を制御することができる。これにより、表面平坦性に影響を与えるC/Si比等の原料供給量比を成長速度変化中でも所望の値に制御することができる。
続いて、本実施の形態の効果を比較例1〜3と比較して説明する。図3は、比較例1に係るSiCエピタキシャル成長過程における成長速度の時間変化を模式的に示すグラフである。比較例1では、SiC成長速度変化層2の初期成長速度が3.5μm/h、速度変化率が2500μm/h2、N/Cモル流量比が7.8である。
図4は、比較例2に係るSiCエピタキシャル成長過程における成長速度の時間変化を模式的に示すグラフである。比較例2では、SiC成長速度変化層2の初期成長速度が2.0μm/h、速度変化率が2500μm/h2、N/Cモル流量比が7.8である。比較例2は比較例1に比べて初期成長速度が低く、三角欠陥密度が低く良好な表面平坦性を持つ。
図5は、比較例3に係るSiCエピタキシャル成長過程における成長速度の時間変化を模式的に示すグラフである。比較例3では、SiC成長速度変化層2の初期成長速度が2.0μm/h、速度変化率が720μm/h2、N/Cモル流量比が7.8である。比較例3は比較例2に比べて速度変化率が低く、更に三角欠陥密度が低く良好な表面平坦性を持つ。
実施の形態1では、SiC成長速度変化層2の初期成長速度が2.0μm/h、速度変化率が720μm/h2、N/Cモル流量比が2.4である。実施の形態1は比較例3に比べて成長開始時のN/Cモル流量比が小さく、更に三角欠陥密度が低く良好な表面平坦性を持つ。
表1に示すように、実施の形態1は比較例1と比較して三角欠陥密度が0.79→0.13個/cm2に改善し、表面平坦性(RMS:Root mean square)が1.4→0.75nmに改善する。よって、本実施の形態により、三角欠陥密度が低く良好な表面平坦性を持つSiCエピタキシャル基板を安定して製造することができることが分かる。
実施の形態2.
図6は、実施の形態2に係るSiCエピタキシャル基板を示す断面図である。実施の形態1のSiC成長速度変化層2の代わりに、第1及び第2のSiC成長速度変化層2a,2bが設けられている。
図6は、実施の形態2に係るSiCエピタキシャル基板を示す断面図である。実施の形態1のSiC成長速度変化層2の代わりに、第1及び第2のSiC成長速度変化層2a,2bが設けられている。
続いて、本実施の形態に係るSiCエピタキシャル基板の製造方法を説明する。図7は、実施の形態2に係るSiCエピタキシャル成長過程における成長速度の時間変化を模式的に示すグラフである。
まず、実施の形態1と同様にSiCバルク基板1を準備し、表面洗浄等を行ってSiCバルク基板1をCVD装置に導入する。約10kPa程度まで真空引きを行う。その後、1400℃〜1700℃程度まで加熱し、還元性ガス雰囲気中でのアニール工程を実施する。次に、SiH4ガスを25sccm、C3H8ガスを9.0sccm、N2ガスを30sccmの流量で供給し、SiCバルク基板1上に初期成長速度2.0μm/h、N/Cモル流量比2.2で第1のSiC成長速度変化層2aのエピタキシャル成長を開始する。
開始直後より、7分間でSiH4ガスを43sccm、C3H8ガスを15.5sccm、N2ガスを215sccmまで線形に増加させる。これにより、初期成長速度から成長速度を速くしながら膜厚0.29μmの第1のSiC成長速度変化層2aをエピタキシャル成長させる。この時の成長速度変化率は(3[μm/h]−2[μm/h])/(7/60[h])=8.6μm/h2となる。その後、1分間でSiH4ガスを200sccm、C3H8ガスを72sccm、N2ガスを1000sccmまで線形に増加させながら、膜厚0.14μmの第2のSiC成長速度変化層2bをエピタキシャル成長させる。この時の成長速度変化率は(14[μm/h]−3[μm/h])/(1/60[h])=660μm/h2となる。ここでは、成長速度変化層を2層としているが、成長速度変化率が720μm/h2以下であれば、層数に制限はない。但し、成長速度変化層が2層の場合、第1のSiC成長速度変化層2aの成長速度変化率を第2のSiC成長速度変化層2bの成長速度変化率より小さくし、両者を720μm/h2以下とする。これら成長速度変化層の成長速度の変化は線形、指数関数的、対数的など、任意の変化方法でよい。また、N/Cモル流量比は成長速度変化層の成長中に任意に変化させてもよい。その後の工程は実施の形態1と同様である。
1 SiCバルク基板、2 SiC成長速度変化層、2a 第1のSiC成長速度変化層、2b 第2のSiC成長速度変化層、3 SiCバッファ層、4 SiCドリフト層
Claims (4)
- SiCバルク基板上に2.0μm/h以下の初期成長速度から成長速度を速くしながらSiC成長速度変化層を形成する工程を備え、
前記SiC成長速度変化層の成長速度変化率を720μm/h2以下とし、
前記SiC成長速度変化層の成長開始時の炭素に対する窒素のモル流量比を2.4以下とすることを特徴とするSiCエピタキシャル基板の製造方法。 - SiCバルク基板上に2.0μm/h以下の初期成長速度から成長速度を速くしながら第1のSiC成長速度変化層と第2のSiC成長速度変化層を順に形成する工程と、
前記第2のSiC成長速度変化層の上にSiCバッファ層とSiCドリフト層を順に形成する工程とを備え、
前記第2のSiC成長速度変化層の成長速度変化率を前記第1のSiC成長速度変化層の成長速度変化率よりも大きくすることを特徴とするSiCエピタキシャル基板の製造方法。 - 前記第1及び第2のSiC成長速度変化層の成長速度変化率を720μm/h2以下とすることを特徴とする請求項2に記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。
- 前記第1のSiC成長速度変化層の成長開始時の炭素に対する窒素のモル流量比を2.4以下とすることを特徴とする請求項2又は3に記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。
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