CN112136203A - SiC外延基板的制造方法 - Google Patents

SiC外延基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112136203A
CN112136203A CN201880093554.7A CN201880093554A CN112136203A CN 112136203 A CN112136203 A CN 112136203A CN 201880093554 A CN201880093554 A CN 201880093554A CN 112136203 A CN112136203 A CN 112136203A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic
growth rate
growth
rate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880093554.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112136203B (zh
Inventor
畠中奖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN112136203A publication Critical patent/CN112136203A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112136203B publication Critical patent/CN112136203B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02447—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

一边从小于或等于2.0μm/h的初始生长速度起加快生长速度一边在SiC块体基板(1)之上形成SiC生长速度变化层(2)。使SiC生长速度变化层(2)的生长速度变化率小于或等于720μm/h2。使SiC生长速度变化层(2)的生长开始时的氮相对于碳的摩尔流量比小于或等于2.4。

Description

SiC外延基板的制造方法
技术领域
本发明涉及SiC外延基板的制造方法。
背景技术
SiC具有与Si相比绝缘破坏电场强度高约10倍、带隙为3倍等优异的物性。因此，近年来，SiC主要作为电力控制用功率器件材料而受到关注。使用了SiC的功率器件能够实现电力损耗的大幅降低、小型化等，能够实现电源电力转换时的节能化。因此，在电动汽车的高性能化、太阳能电池系统等的高功能化等低碳社会的实现方面，SiC功率器件成为关键器件。SiC功率器件的有源层要求高精度的掺杂密度以及膜厚控制，因此通过CVD(ChemicalVapor Deposition：热化学气相沉积法)等在4H-SiC块体(bulk)单晶之上外延生长。
作为SiC功率器件的成品率降低的主要原因之一，有在外延生长时产生的三角缺陷。近年来，需要通过降低三角缺陷密度来提高成品率。因此，公开了在以低生长速度进行了外延生长之后，一边加快生长速度一边对生长速度变化层进行外延生长的方法(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2013-239606号公报
发明内容
在现有技术中，以大于或等于2500μm/h2的生长速度变化率而外延生长出膜厚小于30nm的生长速度变化层。因此，在小于或等于10秒的生长时间使原料供给量急剧增加，所以对表面平坦性造成影响的各原料气体供给量比的控制性差，难以稳定地制造表面平坦的SiC外延基板。
本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到能够稳定地制造三角缺陷密度低、具有良好的表面平坦性的SiC外延基板的方法。
本发明所涉及的SiC外延基板的制造方法的特征在于，具有一边从小于或等于2.0μm/h的初始生长速度起加快生长速度一边在SiC块体基板之上形成SiC生长速度变化层的工序，使所述SiC生长速度变化层的生长速度变化率小于或等于720μm/h2，使所述SiC生长速度变化层的生长开始时的氮相对于碳的摩尔流量比小于或等于2.4。
发明的效果
在本发明中，使SiC生长速度变化层的初始生长速度小于或等于2.0μm/h，使SiC生长速度变化层的生长速度变化率小于或等于720μm/h2，使SiC生长速度变化层的生长开始时的氮相对于碳的摩尔流量比小于或等于2.4。由此，能够稳定地制造三角缺陷密度低、具有良好的表面平坦性的SiC外延基板。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的SiC外延基板的剖面图。
图2是示意性地表示实施方式1所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。
图3是示意性地表示对比例1所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。
图4是示意性地表示对比例2所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。
图5是示意性地表示对比例3所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。
图6是表示实施方式2所涉及的SiC外延基板的剖面图。
图7是示意性地表示实施方式2所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。
具体实施方式
参照附图对实施方式所涉及的SiC外延基板的制造方法进行说明。对相同或者对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。
实施方式1.
图1是表示实施方式1所涉及的SiC外延基板的剖面图。在SiC块体基板1之上依次层叠有SiC生长速度变化层2、SiC缓冲层3以及SiC漂移层4。
接着，对本实施方式所涉及的SiC外延基板的制造方法进行说明。图2是示意性地表示实施方式1所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。作为晶体生长方法，使用CVD。这里，作为硅原料，使用SiH4(甲硅烷)，作为碳原料，使用C3H8(丙烷)。但是，也可以是作为硅原料，使用SiH2Cl2(二氯硅烷)或者SiHCl3(三氯硅烷)，作为碳原料，使用CH4(甲烷)或者C2H4(乙烯)。除了这些原料气体之外，还可以供给HCl(氯化氢)等还原性气体或者N2(氮)等掺杂剂气体。
首先，作为SiC块体基板1，准备相对于作为主面的(0001)面(C面)向<11-20>方向具有4度的偏角(off angle)的4H-SiC块体单晶基板。这里，偏角不限于4度，只要在2度～10度的范围内即可。具体地，通过机械磨削以及使用了呈酸性或者碱性的药液的化学机械磨削对SiC块体基板1进行平坦化处理。然后，使用丙酮实施超声波清洗，去除有机物。接着，对SiC块体基板1进行所谓RCA清洗。即，在将SiC块体基板1浸泡于加热至75℃±5℃的氨水和过氧化氢水溶液的混合液(1:9)中10分钟后，浸泡于加热至75℃±5℃的盐酸和过氧化氢水溶液的混合液(1:9)中。然后，将SiC块体基板1浸泡于按体积比率而包含5％左右的氢氟酸的水溶液中，再通过纯水实施置换处理，由此进行对SiC块体基板1的表面清洗。
接着，将SiC块体基板1导入CVD装置。将CVD装置内抽真空至约10kPa左右。然后，将SiC块体基板1加热至1400℃～1700℃左右，实施在还原性气体气氛中的退火工序。接着，向CVD装置内以25sccm的流量供给SiH4气体、以9.0sccm的流量供给C3H8气体、以30sccm的流量供给N2气体，在SiC块体基板1之上以初始生长速度2.0μm/h、N/C摩尔流量比2.2开始SiC生长速度变化层2的外延生长。在刚开始后的1分钟的期间，使SiH4气体线性增加至200sccm、C3H8气体线性增加至72sccm、N2气体线性增加至1000sccm。由此，一边从初始生长速度起加快生长速度，一边外延生长出膜厚0.13μm的SiC生长速度变化层2。此时的生长速度变化率为(14[μm/h]-2[μm/h])/(1/60[h])＝720μm/h2。但是，只要生长速度变化率小于或等于720μm/h2，则生长速度的变化可以是线性、指数函数方式、对数方式等任意的变化方法。另外，N/C摩尔流量比也可以在SiC生长速度变化层2的生长过程中任意地变化。然后，以生长速度14μm/h依次生长膜厚2μm的SiC缓冲层3、膜厚10μm的SiC漂移层4。此时，供给N2气体，以使得SiC缓冲层3以及SiC漂移层4的载流子浓度分别成为2×1018cm-3、8×1015cm-3。然后，停止进行原料气体供给，降温至室温。
通过将初始生长速度设定为小于或等于2.0μm/h的低生长速度，从而抑制了因生长初期的Si或者C的原料过多而引起的二维成核，同时促进了台阶流动生长(step-flowgrowth)。另外，通过使生长初期的N/C摩尔流量比小于或等于2.4，从而抑制了因作为掺杂剂的N过多而引起的二维成核，同时促进了台阶流动生长。另外，通过使生长速度变化率小于或等于720μm/h2，从而能够以良好的再现性对SiH4气体、C3H8气体、N2气体的流量进行控制。由此，在生长速度变化过程中也能够将对表面平坦性造成影响的C/Si比等原料供给量比控制为期望的值。
接着，与对比例1～3进行对比来说明本实施方式的效果。图3是示意性地表示对比例1所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。在对比例1中，SiC生长速度变化层2的初始生长速度为3.5μm/h、速度变化率为2500μm/h2、N/C摩尔流量比为7.8。
图4是示意性地表示对比例2所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。在对比例2中，SiC生长速度变化层2的初始生长速度为2.0μm/h、速度变化率为2500μm/h2、N/C摩尔流量比为7.8。对比例2与对比例1相比，初始生长速度低，三角缺陷密度低，具有良好的表面平坦性。
图5是示意性地表示对比例3所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。在对比例3中，SiC生长速度变化层2的初始生长速度为2.0μm/h、速度变化率为720μm/h2、N/C摩尔流量比为7.8。对比例3与对比例2相比，速度变化率低，并且三角缺陷密度低，具有良好的表面平坦性。
在实施方式1中，SiC生长速度变化层2的初始生长速度为2.0μm/h、速度变化率为720μm/h2、N/C摩尔流量比为2.4。实施方式1与对比例3相比，生长开始时的N/C摩尔流量比小，并且三角缺陷密度低，具有良好的表面平坦性。
如表1所示，实施方式1与对比例1相比，三角缺陷密度改善为0.79→0.13个/cm2，表面平坦性(RMS：Root mean square)改善为1.4→0.75nm。因此，可知根据本实施方式，能够稳定地制造三角缺陷密度低且具有良好的表面平坦性的SiC外延基板。
【表1】
Figure BDA0002784402810000051
实施方式2.
图6是表示实施方式2所涉及的SiC外延基板的剖面图。设置有第一SiC生长速度变化层2a以及第二SiC生长速度变化层2b以取代实施方式1的SiC生长速度变化层2。
接着，对本实施方式所涉及的SiC外延基板的制造方法进行说明。图7是示意性地表示实施方式2所涉及的SiC外延生长过程中的生长速度随时间的变化的曲线图。
首先，与实施方式1同样地准备SiC块体基板1，进行表面清洗等，将SiC块体基板1导入CVD装置。抽真空至约10kPa左右。然后，加热至1400℃～1700℃左右，在还原性气体气氛中实施退火工序。接着，以25sccm的流量供给SiH4气体、以9.0sccm的流量供给C3H8气体、以30sccm的流量供给N2气体，在SiC块体基板1之上以初始生长速度2.0μm/h、N/C摩尔流量比2.2开始第一SiC生长速度变化层2a的外延生长。
在刚开始后的7分钟的期间，使SiH4气体线性增加至43sccm、使C3H8气体线性增加至15.5sccm、使N2气体线性增加至215sccm。由此，一边从初始生长速度起加快生长速度，一边外延生长出膜厚0.29μm的第一SiC生长速度变化层2a。此时的生长速度变化率为(3[μm/h]-2[μm/h])/(7/60[h])＝8.6μm/h2。然后，一边在1分钟的期间使SiH4气体线性增加至200sccm、C3H8气体线性增加至72sccm、N2气体线性增加至1000sccm，一边外延生长出膜厚0.14μm的第二SiC生长速度变化层2b。此时的生长速度变化率为(14[μm/h]-3[μm/h])/(1/60[h])＝660μm/h2。这里，将生长速度变化层设为2层，但如果生长速度变化率小于或等于720μm/h2，则层数没有限制。但是，在生长速度变化层是2层的情况下，使第一SiC生长速度变化层2a的生长速度变化率小于第二SiC生长速度变化层2b的生长速度变化率，将两者设为小于或等于720μm/h2。这些生长速度变化层的生长速度的变化可以是线性、指数函数方式、对数方式等任意的变化方法。另外，N/C摩尔流量比也可以在生长速度变化层的生长过程中任意地变化。其后的工序与实施方式1相同。
接着，与实施方式1进行对比来说明本实施方式的效果。在实施方式1中，生长速度变化层2的初始生长速度为2.0μm/h，速度变化率为720μm/h2，N/C摩尔流量比为2.4。在实施方式2中，第一SiC生长速度变化层2a的初始生长速度为2.0μm/h、速度变化率为8.6μm/h2、N/C摩尔流量比为2.4、第二SiC生长速度变化层2b的速度变化率为660μm/h2。如表2所示，在实施方式2中RMS改善为0.75→0.50nm，与实施方式1相比能够实现进一步的改善。
【表2】
Figure BDA0002784402810000071
标号的说明
1 SiC块体基板，2 SiC生长速度变化层，2a第一SiC生长速度变化层，2b第二SiC生长速度变化层，3 SiC缓冲层，4 SiC漂移层。

Claims (4)

1.一种SiC外延基板的制造方法，其特征在于，
具有一边从小于或等于2.0μm/h的初始生长速度起加快生长速度一边在SiC块体基板之上形成SiC生长速度变化层的工序，
使所述SiC生长速度变化层的生长速度变化率小于或等于720μm/h2，
使所述SiC生长速度变化层的生长开始时的氮相对于碳的摩尔流量比小于或等于2.4。
2.一种SiC外延基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
一边从小于或等于2.0μm/h的初始生长速度起加快生长速度一边在SiC块体基板之上依次形成第一SiC生长速度变化层和第二SiC生长速度变化层；以及
在所述第二SiC生长速度变化层之上依次形成SiC缓冲层和SiC漂移层，
使所述第二SiC生长速度变化层的生长速度变化率大于所述第一SiC生长速度变化层的生长速度变化率。
3.根据权利要求2所述的SiC外延基板的制造方法，其特征在于，
使所述第一SiC生长速度变化层以及所述第二SiC生长速度变化层的生长速度变化率小于或等于720μm/h2。
4.根据权利要求2或3所述的SiC外延基板的制造方法，其特征在于，
使所述第一SiC生长速度变化层的生长开始时的氮相对于碳的摩尔流量比小于或等于2.4。
CN201880093554.7A 2018-05-23 2018-05-23 SiC外延基板的制造方法 Active CN112136203B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/019878 WO2019224953A1 (ja) 2018-05-23 2018-05-23 ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112136203A true CN112136203A (zh) 2020-12-25
CN112136203B CN112136203B (zh) 2024-04-09

Family

ID=68616819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880093554.7A Active CN112136203B (zh) 2018-05-23 2018-05-23 SiC外延基板的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11107677B2 (zh)
JP (1) JP6927429B2 (zh)
CN (1) CN112136203B (zh)
WO (1) WO2019224953A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023069926A (ja) * 2021-11-08 2023-05-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法及び気相成長装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63156095A (ja) * 1986-12-19 1988-06-29 Sanyo Electric Co Ltd ＳｉＣ単結晶の液相エピタキシヤル成長方法
US20120280254A1 (en) * 2009-12-14 2012-11-08 Showa Denko K.K. Sic epitaxial wafer and method for manufacturing same
CN103228827A (zh) * 2010-11-17 2013-07-31 新日铁住金株式会社 外延碳化硅单晶基板的制造方法
JP2013239606A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法
CN103820768A (zh) * 2014-03-11 2014-05-28 中国科学院半导体研究所 4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法
US20150354090A1 (en) * 2013-02-13 2015-12-10 Mitsubishi Electric Corporation Sic epitaxial wafer production method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954593B2 (ja) 2006-04-18 2012-06-20 新日本製鐵株式会社 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を用いてなるデバイス
JP2012171811A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Bridgestone Corp 炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法
TW201417150A (zh) * 2012-10-31 2014-05-01 Lg Innotek Co Ltd 磊晶晶圓
WO2014084550A1 (ko) * 2012-11-30 2014-06-05 엘지이노텍 주식회사 에피택셜 웨이퍼, 이를 이용한 스위치 소자 및 발광 소자
CN105008598B (zh) * 2013-07-09 2018-01-19 富士电机株式会社 碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置
JP6338490B2 (ja) * 2014-08-27 2018-06-06 三菱電機株式会社 炭化珪素エピタキシャルウエハ、炭化珪素半導体装置および炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法
JP6796407B2 (ja) * 2016-06-27 2020-12-09 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63156095A (ja) * 1986-12-19 1988-06-29 Sanyo Electric Co Ltd ＳｉＣ単結晶の液相エピタキシヤル成長方法
US20120280254A1 (en) * 2009-12-14 2012-11-08 Showa Denko K.K. Sic epitaxial wafer and method for manufacturing same
CN103228827A (zh) * 2010-11-17 2013-07-31 新日铁住金株式会社 外延碳化硅单晶基板的制造方法
JP2013239606A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法
US20150354090A1 (en) * 2013-02-13 2015-12-10 Mitsubishi Electric Corporation Sic epitaxial wafer production method
CN103820768A (zh) * 2014-03-11 2014-05-28 中国科学院半导体研究所 4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
朱明星;石彪;陈义;刘学超;施尔畏;: "4H-SiC高速同质外延研究", 无机材料学报, no. 08 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20210125824A1 (en) 2021-04-29
WO2019224953A1 (ja) 2019-11-28
JP6927429B2 (ja) 2021-08-25
US11107677B2 (en) 2021-08-31
JPWO2019224953A1 (ja) 2021-03-11
CN112136203B (zh) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101478331B1 (ko) 에피택셜 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법
CN111029246B (zh) 一种降低SiC外延层中三角形缺陷的方法
US5471946A (en) Method for producing a wafer with a monocrystalline silicon carbide layer
JPH01162326A (ja) β−炭化シリコン層の製造方法
US7029995B2 (en) Methods for depositing amorphous materials and using them as templates for epitaxial films by solid phase epitaxy
EP2673799B1 (en) Epitaxy of high tensile silicon alloy for tensile strain applications
JP2007201336A (ja) 半導体積層体の形成方法
CN112309832B (zh) 可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法
JP6304699B2 (ja) エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法
WO2014122854A1 (ja) 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
CN104078331A (zh) 单晶4H-SiC衬底及其制造方法
CN104867818B (zh) 一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法
WO2018230301A1 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
CN112466745A (zh) 一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片
KR100676521B1 (ko) 저온 산화물 배면 실 형성 방법 및 이를 사용하여 제조되는웨이퍼
JP2006501664A (ja) エピタキシャル層を形成する方法および装置
CN112136203B (zh) SiC外延基板的制造方法
CN104810248A (zh) 适用于4°和8°偏轴硅面碳化硅衬底的原位处理方法
JP2003209059A (ja) エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ並びにその製造方法
JP4916479B2 (ja) 炭化珪素エピタキシャル用基板の製造方法
CN110323126B (zh) 一种Si/SiC/石墨烯材料的制备方法
JP2006036613A (ja) ケイ素基板上に立方晶炭化ケイ素結晶膜を形成する方法
CN117293015B (zh) 硅衬底的碳化硅外延层的生长方法以及硅基碳化硅外延片
KR102399813B1 (ko) 탄화규소 에피 웨이퍼 및 그 제조방법
KR101169018B1 (ko) 단결정 실리콘 박막 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant