JPWO2019195367A5

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Publication number: JPWO2019195367A5
Application number: JP2020553629A
Authority: JP
Publication date: 2022-04-08

Claims

方法であって、
炭窒化シリコンで形成された層を、前記炭窒化シリコンで形成された層が、フォトニクス構造の光信号伝送領域を通って延在する第１の部分を含むように、さらに、前記炭窒化シリコンで形成された層が、導電材料形成物上に形成された第２の部分を含むように、堆積することであって、前記光信号伝送領域を通って延在する第１の部分は、誘電体スタック上に形成される、堆積することと、
前記光信号伝送領域内に前記誘電体スタックを露出させるために、前記誘電体スタック上に形成された、前記炭窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分を除去することと、
被覆誘電材料の層を、前記被覆誘電材料の層の一部分が前記炭窒化シリコンで形成された層上に形成され、前記被覆誘電材料の層の一部分が前記光信号伝送領域内に形成された前記誘電体スタックの露出部分上に形成されるように、堆積することと、
前記被覆誘電材料の上面が水平面内に延在するように、前記被覆誘電材料の層を平坦化することと、を含む、方法。
前記方法は、前記第１の部分の前記除去に続き、前記光信号伝送領域から前記炭窒化シリコンで形成された層の残留量を洗浄することを含む、請求項１に記載の方法。
前記方法は、前記炭窒化シリコンで形成された層の前記堆積の前に、作製の中間段階で前記フォトニクス構造の平坦な上面を画定するために前記フォトニクス構造を平坦化することであって、それによって、前記平坦な上面が部分的に前記誘電体スタックによって画定され、かつ部分的に前記導電材料形成物によって画定される、平坦化することを含み、炭窒化シリコンで形成された層の前記堆積は、前記平坦な上面に前記炭窒化シリコンで形成された層を堆積することを含む、請求項１または２に記載の方法。
フォトニクス構造の前記光信号伝送領域は、第１の垂直に延在する平面と離間した第２の垂直に延在する平面との間に画定され、前記炭窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の前記除去は、前記炭窒化シリコンで形成された層の高さを通した前記光信号伝送領域内の光信号の伝送を促進する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
前記炭窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の前記除去は、前記炭窒化シリコンで形成された層の高さを通した前記光信号伝送領域内の光信号の伝送を促進する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
炭窒化シリコンで形成された層の前記堆積によって、前記炭窒化シリコンで形成された層は、第１の垂直に延在する平面と第２の垂直に延在する平面との間に画定されたフォトニクス構造の光信号伝送領域を通って延在する前記第１の部分を含み、さらに、前記炭窒化シリコンで形成された層は、導電材料形成物上に形成された前記第２の部分を含み、前記光信号伝送領域を通って延在する前記第１の部分は、前記誘電体スタック上に形成され、さらに、前記炭窒化シリコンで形成された層は、第２の導電材料形成物上に形成された第３の部分を含み、前記第２の導電材料形成物は、前記導電材料形成物から離間され、かつ前記導電材料形成物と共通の高さにある、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
前記導電材料形成物は、銅（Ｃｕ）で形成された金属化層によって画定された導電材料形成物である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
炭窒化シリコンで形成された層の前記堆積は、第１の高さで表面上に前記炭窒化シリコンで形成された層を堆積することを含み、前記方法は、前記誘電体スタック内にフォトニクスデバイスを作製することを含み、前記フォトニクスデバイスは前記第１の高さを通して光信号を送信または受信するように構成されている、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
炭窒化シリコンで形成された層の前記堆積は、第１の高さで表面上に前記炭窒化シリコンで形成された層を堆積することを含み、前記方法は、前記誘電体スタック内に、前記第１の高さを通して光信号を送信または受信するフォトニクスデバイスを作製することを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
前記方法は、前記被覆誘電材料の層上にフォトニクス構造を作製することを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
前記方法が、前記被覆誘電材料の層上に導波管を作製することを含み、前記作製することは、前記被覆誘電材料の層上に導波管材料を堆積することと、導波管を画定するために前記導波管材料をパターン形成することと、前記導波管上に酸化物を堆積して、前記酸化物を平坦化することと、を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
方法であって、
窒化シリコンで形成された層を、前記窒化シリコンで形成された層が、フォトニクス構造の光信号伝送領域を通って延在する第１の部分を含むように、さらに、前記窒化シリコンで形成された層が、導電材料形成物上に形成された第２の部分を含むように、堆積することであって、前記光信号伝送領域を通って延在する前記第１の部分は、誘電体スタック上に形成される、堆積することと、
前記光信号伝送領域内に前記誘電体スタックを露出させるために、前記誘電体スタック上に形成された、前記窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の材料を除去することと、
被覆誘電材料の層を、前記被覆誘電材料の層の一部分が前記窒化シリコンで形成された層上に形成され、前記被覆誘電材料の層の一部分が前記光信号伝送領域内に形成された前記誘電体スタックの前記露出された部分上に形成されるように、堆積することと、
前記被覆誘電材料の上面が水平面内に延在するように、前記被覆誘電材料の層を平坦化することと、を含む、方法。
フォトニクス構造の前記光信号伝送領域は、第１の垂直に延在する平面と離間した第２の垂直に延在する平面との間に画定され、前記窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の前記除去は、前記窒化シリコンで形成された層の高さを通した前記光信号伝送領域内の光信号の伝送を促進する、請求項１２に記載の方法。
前記窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の前記除去は、前記窒化シリコンで形成された層の高さを通した前記光信号伝送領域内の光信号の伝送を促進する、請求項１２または１３に記載の方法。
前記方法は、前記除去に続いて、前記光信号伝送領域から前記窒化シリコンで形成された層の残留量の洗浄を含み、前記除去および前記洗浄の実施は、前記光信号伝送領域から除去される前記窒化シリコンで形成された層の材料全体を本質的にもたらす、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
前記光信号伝送領域内に前記誘電体スタックを露出させるために、前記誘電体スタック上に形成された、前記窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の材料の前記除去は、有機リソグラフィパターン形成スタックの使用を含み、前記有機リソグラフィパターン形成スタックの残留部分を洗浄することを含む、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
前記方法は、前記窒化シリコンで形成された層の前記堆積の前に、前記フォトニクス構造を平坦化して、窒化シリコンで形成された層の前記堆積の実行時に、前記フォトニクス構造が作製段階にあるようにすることを含み、前記フォトニクス構造の平坦な上面は、前記導電材料形成物および前記誘電体スタックによって画定されている、請求項１２から１６のいずれか一項に記載の方法。
前記方法は、前記窒化シリコンで形成された層の前記堆積の前に、前記フォトニクス構造を平坦化して、窒化シリコンで形成された層の前記堆積の実行時に、前記フォトニクス構造が作製段階にあるようにすることを含み、前記フォトニクス構造の平坦な上面は、前記導電材料形成物および前記誘電体スタックによって画定されており、窒化シリコンで形成された層の前記堆積は、前記フォトニクス構造の前記平坦な上面に前記窒化シリコンで形成された層を堆積することを含む、請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法。
窒化シリコンで形成された層の前記堆積は、前記窒化シリコンで形成された層の第３の部分が第２の導電材料形成物上に形成され、前記第２の導電材料形成物は、前記導電材料形成物から離間され、かつ前記導電材料形成物と共通の高さにあるように実行される、請求項１２から１８のいずれか一項に記載の方法。
前記導電材料形成物は、銅（Ｃｕ）で形成された金属化層導電材料形成物である、請求項１２から１９のいずれか一項に記載の方法。
前記光信号伝送領域内に前記誘電体スタックを露出させるために、前記誘電体スタック上に形成された、前記窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の材料の前記除去は、前記光信号伝送領域内で窒化シリコン導波管をパターン形成することを含み、前記窒化シリコン導波管は、前記窒化シリコンで形成された層によって画定される、請求項１２から２０のいずれか一項に記載の方法。
前記光信号伝送領域内に前記誘電体スタックを露出させるために、前記誘電体スタック上に形成された、前記窒化シリコンで形成された層の前記第１の部分の材料の前記除去は、前記光信号伝送領域内で、前記窒化シリコンで形成された層によって画定された窒化シリコン導波管をパターン形成することを含み、前記窒化シリコン導波管は、基準座標系の基準Ｘ軸と平行に延在する光透過軸を有し、前記第１の垂直に延在する平面および前記第２の垂直に延在する平面は、前記基準座標系のＸＺ平面に平行に延在する、請求項１３に記載の方法。
窒化シリコンで形成された層の前記堆積は、第１の高さで表面上に前記窒化シリコンで形成された層を堆積することを含み、前記方法は、前記誘電体スタックを含む前記誘電体スタック内に、フォトニクスデバイスを作製することを含み、前記フォトニクスデバイスは、前記第１の高さを通して光信号を送信または受信するように構成されている、請求項１２から２２のいずれか一項に記載の方法。
窒化シリコンで形成された層の前記堆積は、第１の高さで表面上に前記窒化シリコンで形成された層を堆積することを含み、前記方法は、前記誘電体スタック内に、前記第１の高さを通して光信号を送信または受信するフォトニクスデバイスを作製することを含む、請求項１２から２３のいずれか一項に記載の方法。
フォトニクス構造の光信号伝送領域を通って延在する第１の部分と、導電材料形成物の上に形成された第２の部分とを含むバリア層であって、前記光信号伝送領域を通って延在する前記第１の部分は誘電体スタックの上に形成される、前記バリア層を堆積すること、
前記光信号伝送領域内の前記誘電体スタックを露出させるべく、前記誘電体スタックの上に形成された前記バリア層の前記第１の部分を除去すること、
被覆誘電材料の層の一部が前記バリア層の上に設けられ、被覆誘電材料の前記層の一部が前記光信号伝送領域内に形成された前記誘電体スタックの前記露出した部分の上に設けられるよう、被覆誘電材料の前記層を堆積すること、
前記被覆誘電材料の上面が水平面内に延在するよう、被覆誘電材料の前記層を平坦化することと
を備える方法。
前記方法は、前記バリア層を前記堆積することの前に、作製の中間段階で前記フォトニクス構造の平坦な上面を画定するべく、前記平坦な上面が部分的に前記誘電体スタックで画定され、部分的に前記導電材料形成物で画定されるように、前記フォトニクス構造を平坦化することを含み、
前記バリア層を前記堆積することは、前記平坦な上面の上に前記バリア層を堆積することを含む、請求項２５に記載の方法。
フォトニクス構造の前記光信号伝送領域は、第１の垂直延在面と、離間した第２の垂直延在面との間に画定され、
前記バリア層の前記第１の部分を前記除去することは、前記光信号伝送領域内の光信号の前記バリア層の高さを通した伝送を促進する
請求項２５または２６に記載の方法。
前記バリア層の前記第１の部分を前記除去することは、前記光信号伝送領域内の光信号の前記バリア層の高さを通した伝送を促進する
請求項２５または２６に記載の方法。
前記バリア層を前記堆積することは、第２の導電材料形成物の上に形成された第３の部分をさらに含み、
第２の導電材料形成物は、前記導電材料形成物から離間しており、前記導電材料形成物と共通する高さにある、請求項２５から２８のいずれか１項に記載の方法。
前記方法は、被覆誘電材料の前記層の上にフォトニクス構造を作製することを含む請求項２５から２９のいずれか１項に記載の方法。
前記方法が、被覆誘電材料の前記層の上に導波管を作製することを含み、前記作製することは、被覆誘電材料の前記層の上に導波管材料を堆積することと、導波管を画定するために前記導波管材料をパターン形成することと、前記導波管の上に酸化物を堆積して、前記酸化物を平坦化することと、を含む、請求項２５から３０のいずれか一項に記載の方法。
前記光信号伝送領域内に前記誘電体スタックを露出させるために、前記誘電体スタック上に形成された、窒化シリコンで形成された前記層の前記第１の部分の材料の前記除去は、前記光信号伝送領域内で窒化シリコン導波管をパターン形成することを含み、前記窒化シリコン導波管は、窒化シリコンで形成された前記層によって画定される、請求項２５から３１のいずれか一項に記載の方法。