JPWO2019188030A5 - - Google Patents
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Description
上記保管容器の金属製容器は、少なくとも内部（ＩＦ７と接触する内壁）が耐食性金属製またはセラミックス製であることが好ましい。耐食性金属またはセラミックスとして、ニッケル、ニッケル基合金、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、マンガン鋼、アルミニウム、アルミニウム基合金、チタン、チタン基合金、白金、またはアルミナ等が挙げられる。この中でも、安価で取り扱い容易の観点から、金属製容器は、ニッケル、ニッケル基合金等のニッケル製またはＳＵＳ製がより好ましい。なお、ＳＵＳを使用する場合、ＩＦ７の充填前に、フッ素化合物ガスやフッ素ガスを流通し、表面に不動態皮膜を形成するなどの処理を行うことが好ましい。これにより、高純度を維持したままＩＦ７を保管・搬送することが可能である。
以下、参考形態の例を付記する。
１． ＩＦ ５ とＩＦ ７ とを含有し、前記ＩＦ ５ の含有量が、前記ＩＦ ５ と前記ＩＦ ７ との合計に対して、体積基準で１ｐｐｍ以上２％以下である、基板処理用ガス。
２． １．に記載の基板処理用ガスであって、
前記ＩＦ ５ の含有量が、前記ＩＦ ５ とＩＦ ７ との合計に対して、体積基準で１％以下である、基板処理用ガス。
３． １．または２．に記載の基板処理用ガスであって、
前記ＩＦ ７ の含有量が、当該基板処理用ガス全体に対して、体積基準で５０％以上である、基板処理用ガス。
４． １．から３．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスであって、
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選択される一種以上の金属を含有し、含有される前記金属のそれぞれの含有量が、当該基板処理用ガス全体に対して、質量基準で１００ｐｐｂ以下である、基板処理用ガス。
５． １．から４．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスであって、
エッチングガスに用いる、基板処理用ガス。
６． １．から５．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスを内部に充填してなる、保管容器。
７． １．から５．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスを用いて、シリコンをプラズマレスでドライエッチングする基板処理方法。
８． シリコンのドライエッチングを１０回行った場合に、
エッチング速度の平均値が１００ｎｍ／ｍｉｎ以上であり、
エッチング速度の標準偏差が１０以下であることを特徴とする、７．に記載の基板処理方法。
以下、参考形態の例を付記する。
１． ＩＦ ５ とＩＦ ７ とを含有し、前記ＩＦ ５ の含有量が、前記ＩＦ ５ と前記ＩＦ ７ との合計に対して、体積基準で１ｐｐｍ以上２％以下である、基板処理用ガス。
２． １．に記載の基板処理用ガスであって、
前記ＩＦ ５ の含有量が、前記ＩＦ ５ とＩＦ ７ との合計に対して、体積基準で１％以下である、基板処理用ガス。
３． １．または２．に記載の基板処理用ガスであって、
前記ＩＦ ７ の含有量が、当該基板処理用ガス全体に対して、体積基準で５０％以上である、基板処理用ガス。
４． １．から３．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスであって、
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選択される一種以上の金属を含有し、含有される前記金属のそれぞれの含有量が、当該基板処理用ガス全体に対して、質量基準で１００ｐｐｂ以下である、基板処理用ガス。
５． １．から４．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスであって、
エッチングガスに用いる、基板処理用ガス。
６． １．から５．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスを内部に充填してなる、保管容器。
７． １．から５．のいずれか１つに記載の基板処理用ガスを用いて、シリコンをプラズマレスでドライエッチングする基板処理方法。
８． シリコンのドライエッチングを１０回行った場合に、
エッチング速度の平均値が１００ｎｍ／ｍｉｎ以上であり、
エッチング速度の標準偏差が１０以下であることを特徴とする、７．に記載の基板処理方法。
Claims (15)
- ＩＦ５とＩＦ７とを含有し、前記ＩＦ５の含有量が、前記ＩＦ５と前記ＩＦ７との合計に対して、体積基準で１ｐｐｍ以上２％以下である、基板処理用ガス。
- 請求項１に記載の基板処理用ガスであって、
前記ＩＦ５の含有量が、前記ＩＦ５とＩＦ７との合計に対して、体積基準で１％以下である、基板処理用ガス。 - 請求項１または２に記載の基板処理用ガスであって、
前記ＩＦ ５ の含有量が、前記ＩＦ ５ とＩＦ ７ との合計に対して、体積基準で１０ｐｐｍ以上である、基板処理用ガス。 - 請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理用ガスであって、
前記ＩＦ７の含有量が、当該基板処理用ガス全体に対して、体積基準で５０％以上である、基板処理用ガス。 - 請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理用ガスであって、
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選択される一種以上の金属を含有し、含有される前記金属のそれぞれの含有量が、当該基板処理用ガス全体に対して、質量基準で１００ｐｐｂ以下である、基板処理用ガス。 - 請求項５に記載の基板処理用ガスであって、
前記金属のそれぞれの含有量が、当該基板処理用ガス全体に対して、質量基準で０．１ｐｐｂ以上である、基板処理用ガス。 - 請求項１から６のいずれか１項に記載の基板処理用ガスであって、
エッチングガスに用いる、基板処理用ガス。 - 請求項７に記載の基板処理用ガスであって、
酸化性ガス及び／又は不活性ガスと併用して使用される、基板処理用ガス。 - 請求項８に記載の基板処理用ガスであって、
前記酸化性ガスが、Ｏ ２ 、Ｏ ３ 、ＣＯ ２ 、ＣＯＣｌ ２ 、ＣＯＦ ２ 、Ｎ ２ Ｏ、ＮＯ、ＮＯ ２ 、ＨＦ、Ｆ ２ 、ＮＦ ３ 、Ｃｌ ２ 、Ｂｒ ２ 、Ｉ ２ 、ＹＦｎ（Ｙ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、１≦ｎ≦５）からなる群から選ばれる一つ以上を含む、基板処理用ガス。 - 請求項８または９に記載の基板処理用ガスであって、
前記不活性ガスが、Ｎ ２ 、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ、Ｋｒからなる群から選ばれる一つ以上を含む、基板処理用ガス。 - 請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板処理用ガスを内部に充填してなる、保管容器。
- 請求項１１に記載の保管容器であって、
金属製容器を備える、保管容器。 - 請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板処理用ガスを用いて、シリコンをプラズマレスでドライエッチングする基板処理方法。
- 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
シリコンのドライエッチングを１０回行った場合に、
エッチング速度の平均値が１００ｎｍ／ｍｉｎ以上であり、
エッチング速度の標準偏差が１０以下であることを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項１３または１４に記載の基板処理方法であって、
シリコンのドライエッチングを１０回行った場合に、
エッチング速度の平均値が２００ｎｍ／ｍｉｎ以上であり、
エッチング速度の標準偏差が５以下であることを特徴とする、基板処理方法。
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