JPWO2019171205A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 第１の酸化物と、第２の酸化物と、第３の酸化物と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、を有し、
   前記第１の酸化物は、前記第１の導電体の下面と接し、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の酸化物の下面と接し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の絶縁体の下面と接し、
   前記第３の酸化物は、前記第２の酸化物の下面と接し、
   前記第１の酸化物は、ｃ軸配向した第１の結晶領域を有し、
   前記第１の結晶領域のｃ軸は、前記第１の絶縁体側の前記第１の酸化物の面と概略垂直であり、
   前記第２の酸化物は、ｃ軸配向した第２の結晶領域を有し、
   前記第２の結晶領域のｃ軸は、前記第１の絶縁体側の前記第２の酸化物の面と概略垂直であり、
   前記第２の絶縁体は、前記第３の酸化物の上方に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第２の酸化物の端部と接し、
   前記第２の導電体及び前記第３の導電体は、前記第３の酸化物上で前記第２の酸化物を介して対向して位置する半導体装置。
2. 請求項１において、
   さらに開口を有する第３の絶縁体を有し、
   前記第３の絶縁体は、前記第２の酸化物の下面の一部、前記第２の導電体の上面の一部及び側面、前記第３の導電体の上面の一部及び側面、ならびに前記第３の酸化物の側面と接し、
   前記開口を介して、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物が接する半導体装置。
3. 第１の酸化物と、第２の酸化物と、第３の酸化物と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第１の導電体と、を有し、
   前記第１の酸化物は、前記第１の導電体の下面と接し、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の酸化物の下面と接し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の絶縁体の下面と接し、
   前記第３の酸化物は、前記第２の酸化物の下面と接し、
   前記第１の酸化物は、ｃ軸配向した第１の結晶領域を有し、
   前記第１の結晶領域のｃ軸は、前記第１の絶縁体側の前記第１の酸化物の面と概略垂直であり、
   前記第２の酸化物は、ｃ軸配向した第２の結晶領域を有し、
   前記第２の結晶領域のｃ軸は、前記第１の絶縁体側の前記第２の酸化物の面と概略垂直であり、
   前記第２の絶縁体は、前記第３の酸化物の上方に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第２の酸化物の端部と接し、
   前記第３の酸化物は、第１の領域と、前記第１の領域を挟む第２の領域及び第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第１の導電体と重なる領域を有し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域は、リン、ホウ素、アルミニウムまたはマグネシウムから選ばれる一以上を有する半導体装置。
4. 請求項３において、
   さらに開口を有する第３の絶縁体を有し、
   前記第３の絶縁体は、前記第２の酸化物の下面の一部、ならびに前記第３の酸化物の上面の一部及び側面と接し、
   前記開口を介して、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物が接する半導体装置。
5. 第１の酸化物と、第２の酸化物と、第３の酸化物と、第１の絶縁体と、導電体と、を有し、
   前記第１の酸化物は、前記導電体の側面及び下面を覆い、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の酸化物の側面及び下面を覆い、
   前記第２の酸化物は、前記第１の絶縁体の側面及び下面を覆い、
   前記第３の酸化物は、前記第２の酸化物の下面と接し、
   前記第１の酸化物は、ｃ軸配向した第１の結晶領域を有し、
   前記第１の結晶領域のｃ軸は、前記第１の絶縁体側の前記第１の酸化物の面と概略垂直である半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記第３の酸化物は、第１の領域と、前記第１の領域を挟む第２の領域及び第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記導電体と重なる領域を有し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域は、リン、ホウ素、アルミニウムまたはマグネシウムから選ばれる一以上を有する半導体装置。
7. 第１の酸化物と、第２の酸化物と、第３の酸化物と、第１の絶縁体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、を有し、
   前記第１の酸化物は、前記第１の導電体の側面及び下面を覆い、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の酸化物の側面及び下面を覆い、
   前記第２の酸化物は、前記第１の絶縁体の側面及び下面を覆い、
   前記第３の酸化物は、前記第２の酸化物の下面と接し、
   前記第１の酸化物は、ｃ軸配向した第１の結晶領域を有し、
   前記第１の結晶領域のｃ軸は、前記第１の絶縁体側の前記第１の酸化物の面と概略垂直であり、
   前記第２の導電体及び前記第３の導電体は、前記第３の酸化物上で前記第２の酸化物を介して対向して位置する半導体装置。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第２の酸化物は、ｃ軸配向した第２の結晶領域を有し、
   前記第２の結晶領域のｃ軸は、前記第１の絶縁体側の前記第２の酸化物の面と概略垂直である半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記第３の酸化物は、ｃ軸配向した第３の結晶領域を有し、
   前記第２の結晶領域は、前記第３の結晶領域のｃ軸と異なる方向にｃ軸を有する半導体装置。
10. 請求項９において、
    前記第１の結晶領域は、前記第３の結晶領域のｃ軸と異なる方向にｃ軸を有する半導体装置。
11. 絶縁体と、導電体と、前記絶縁体と前記導電体との間の第１の酸化物と、前記絶縁体をはさんで前記第１の酸化物と対向する第２の酸化物と、を有し、
    前記第１の酸化物は、ｃ軸配向した第１の結晶領域を有し、
    前記第１の結晶領域のｃ軸は、前記絶縁体側の前記第１の酸化物の面と概略垂直であり、
    前記第２の酸化物は、ｃ軸配向した第２の結晶領域を有し、
    前記第２の結晶領域のｃ軸は、前記絶縁体側の前記第２の酸化物の面と概略垂直である積層体。