JPWO2019163324A1 - 保護素子及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1.背景
2.保護素子の構成例
3.保護素子の動作例
4.保護素子の製造方法
5.変形例
5.1.第1の変形例
5.2.第2の変形例
5.3.第3の変形例
5.4.第4の変形例
5.5.第5の変形例
6.適用例
まず、図1を参照して、本開示に係る技術の背景について説明する。図1は、本開示に係る技術が適用される保護素子10を説明する模式的な回路図である。
まず、図2〜図4を参照して、本実施形態に係る保護素子10の構成例について説明する。図2は、本実施形態に係る保護素子10の平面構成を示す平面図であり、図3は、図2のA−AA線で保護素子10を切断した断面構成を示す断面図であり、図4は、図2のB−BB線で保護素子10を切断した断面構成を示す断面図である。
続いて、図5〜図7を参照して、本実施形態に係る保護素子10の動作例について説明する。図5は、本実施形態に係る保護素子10の等価回路を示す回路図である。図6は、保護素子10が反グランド方向のサージ電流を流す際の動作を説明する模式的な断面図であり、図7は、保護素子10がグランド方向のサージ電流を流す際の動作を説明する模式的な断面図である。
次に、図8A〜図8Dを参照して、本実施形態に係る保護素子10の製造方法について説明する。図8A〜図8Dは、本実施形態に係る保護素子10を製造する各工程を説明する模式的な平面図及び断面図である。
以下では、図9A〜図9Eを参照して、本実施形態に係る保護素子10の変形例について説明する。
まず、図9Aを参照して、第1の変形例に係る保護素子10Aについて説明する。図9Aは、第1の変形例に係る保護素子10Aの構成を説明する模式的な平面図である。
次に、図9Bを参照して、第2の変形例に係る保護素子10Bについて説明する。図9Bは、第2の変形例に係る保護素子10Bの構成を説明する模式的な断面図である。
次に、図9Cを参照して、第3の変形例に係る保護素子10Cについて説明する。図9Cは、第3の変形例に係る保護素子10Cの構成を説明する模式的な断面図である。
続いて、図9Dを参照して、第4の変形例に係る保護素子10Dについて説明する。図9Dは、第4の変形例に係る保護素子10Dの構成を説明する模式的な断面図である。
次に、図9Eを参照して、第5の変形例に係る保護素子10Eについて説明する。図9Eは、第5の変形例に係る保護素子10Eの構成を説明する模式的な断面図である。
本実施形態に係る保護素子10は、種々の電子機器に搭載される回路内に搭載することができる。続いて、図10A〜図10Cを参照して、本実施形態に係る保護素子10が適用され得る電子機器の例について説明する。図10A〜図10Cは、本実施形態に係る保護素子10が搭載され得る電子機器の一例を示す外観図である。
(1)
半導体基板に設けられた第1導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はI/O配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第1導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、保護素子。
(2)
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の両終端は、それぞれ前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記両終端のドレイン領域の各々と挟む外側の前記素子領域には、前記ボディコンタクト領域がそれぞれ設けられる、前記(1)に記載の保護素子。
(3)
前記連結電極は、第1方向に延伸する互いに平行な一対の直線にて設けられ、
前記複数のフィンガー電極は、前前記第1方向と直交する第2方向に延伸し、前記連結電極の互いに平行な一対の直線の間を架け渡すように設けられる、前記(1)又は(2)に記載の保護素子。
(4)
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ゲート電極にて囲まれた前記素子領域にそれぞれ設けられる、前記(3)に記載の保護素子。
(5)
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の周囲の前記素子領域には、前記ゲート電極を挟んで、前記グランド配線にそれぞれ電気的に接続される前記ボディコンタクト領域が設けられる、前記(4)に記載の保護素子。
(6)
前記素子領域は、互いに素子分離層にて電気的に離隔されており、
前記ボディコンタクト領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同じ前記素子領域に設けられる、前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の保護素子。
(7)
前記ボディコンタクト領域のさらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第2導電型の追加ドレイン領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域さらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第1導電型の追加ボディコンタクト領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域は、前記電源又はI/O配線に電気的に接続され、前記追加ボディコンタクト領域は、前記グランド配線に電気的に接続される、前記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の保護素子。
(8)
前記ボディコンタクト領域は、前記終端のドレイン領域とPN接合を形成する、前記(1)〜(7)のいずれか一項に記載の保護素子。
(9)
前記半導体基板は、支持基板の上にシリコン酸化膜及び半導体層が順に積層された基板である、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の保護素子。
(10)
前記半導体基板は、PD−SOI基板又はFD−SOI基板である、前記(9)に記載の保護素子。
(11)
前記支持基板及び前記シリコン酸化膜の間には、ポリシリコン層がさらに設けられる、前記(9)又は(10)に記載の保護素子。
(12)
前記半導体基板は、サファイア基板の上に半導体層が積層された基板である、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の保護素子。
(13)
内部回路と、
前記内部回路と並列に接続された保護素子と、
を備え、
前記保護素子は、
半導体基板に設けられた第1導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はI/O配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第1導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、半導体装置。
10 保護素子
11 GGMOS
12 PN接合ダイオード
20 内部回路
30 電源又はI/O配線
40 グランド配線
100 半導体基板
110 素子領域
110B ボディコンタクト領域
110D ドレイン領域
110S ソース領域
120 ゲート電極
121 連結電極
123 フィンガー電極
125 ゲート絶縁膜
130B ボディコンタクト
130D ドレインコンタクト
130S ソースコンタクト
140B ボディ電極
140D ドレイン電極
140S ソース電極
150 絶縁層
Claims (13)
- 半導体基板に設けられた第1導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はI/O配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第1導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、保護素子。 - 一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の両終端は、それぞれ前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記両終端のドレイン領域の各々と挟む外側の前記素子領域には、前記ボディコンタクト領域がそれぞれ設けられる、請求項1に記載の保護素子。
- 前記連結電極は、第1方向に延伸する互いに平行な一対の直線にて設けられ、
前記複数のフィンガー電極は、前前記第1方向と直交する第2方向に延伸し、前記連結電極の互いに平行な一対の直線の間を架け渡すように設けられる、請求項1に記載の保護素子。 - 前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ゲート電極にて囲まれた前記素子領域にそれぞれ設けられる、請求項3に記載の保護素子。
- 前記ソース領域及び前記ドレイン領域の周囲の前記素子領域には、前記ゲート電極を挟んで、前記グランド配線にそれぞれ電気的に接続される前記ボディコンタクト領域が設けられる、請求項4に記載の保護素子。
- 前記素子領域は、互いに素子分離層にて電気的に離隔されており、
前記ボディコンタクト領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と同じ前記素子領域に設けられる、請求項1に記載の保護素子。 - 前記ボディコンタクト領域のさらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第2導電型の追加ドレイン領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域さらに外側の前記素子領域には、前記フィンガー電極を挟んで第1導電型の追加ボディコンタクト領域がさらに設けられ、
前記追加ドレイン領域は、前記電源又はI/O配線に電気的に接続され、前記追加ボディコンタクト領域は、前記グランド配線に電気的に接続される、請求項1に記載の保護素子。 - 前記ボディコンタクト領域は、前記終端のドレイン領域とPN接合を形成する、請求項1に記載の保護素子。
- 前記半導体基板は、支持基板の上にシリコン酸化膜及び半導体層が順に積層された基板である、請求項1に記載の保護素子。
- 前記半導体基板は、PD−SOI基板又はFD−SOI基板である、請求項9に記載の保護素子。
- 前記支持基板及び前記シリコン酸化膜の間には、ポリシリコン層がさらに設けられる、請求項9に記載の保護素子。
- 前記半導体基板は、サファイア基板の上に半導体層が積層された基板である、請求項1に記載の保護素子。
- 内部回路と、
前記内部回路と並列に接続された保護素子と、
を備え、
前記保護素子は、
半導体基板に設けられた第1導電型の素子領域と、
前記素子領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、所定の間隔にて配列された複数のフィンガー電極、及び前記複数のフィンガー電極を連結する連結電極を有するゲート電極と、
前記フィンガー電極の各々の間の前記素子領域に交互に設けられる第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、
を備え、
前記ドレイン領域は、電源又はI/O配線に電気的に接続され、前記ゲート電極及び前記ソース領域は、グランド配線に電気的に接続され、
一方向に配列された前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方の終端は、前記ドレイン領域であり、前記フィンガー電極を前記終端のドレイン領域と挟む外側の前記素子領域には、前記グランド配線に電気的に接続され、前記素子領域よりも高濃度の第1導電型であるボディコンタクト領域が設けられる、半導体装置。
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