JPWO2019141733A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. レーザ部品（１００）のためのハウジングカバー（２００）を製造する方法であって、
   酸化アルミを含む少なくとも部分的に放射透過性の窓（２０１）を設けることと、
   前記窓（２０１）のための銅担体（２０２）を設けることと、
   前記銅担体上の酸化物領域（２０３）内に酸化銅（２０４）を形成することと、
   前記酸化物領域（２０３）に前記窓（２０１）を配置することと、
   前記酸化物領域（２０３）内の前記窓（２０１）と前記酸化銅（２０４）との間に共晶接合（２０５）を形成することと、
   それによって、前記窓（２０１）を前記銅担体（２０２）に固定することと、
   を含む、方法。
2. 前記窓（２０１）は、サファイヤ窓（２０６）を有し、前記方法は、
   前記サファイヤ窓（２０６）と前記酸化銅（２０４）が共通接触面（２０７）を有するように、前記サファイヤ窓（２０６）を直接的に前記酸化物領域（２０３）上に配置することと、
   前記サファイヤ窓（２０６）と前記酸化銅（２０４）との間に直接的に前記共晶接合（２０５）を形成することと、
   を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記銅担体（２０２）の表面（２０８）上に平坦な前記酸化銅（２０４）を形成すること、
   前記サファイヤ窓（２０６）と前記銅担体（２０２）の前記表面（２０８）との間の前記接触面（２０７）の全体上に前記共晶接合（２０５）を形成することと、
   を含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記サファイヤ窓（２０６）の表面（２１１）上に被膜を形成することと、
   前記被膜の外側の前記サファイヤ窓（２０６）の前記表面（２１１）上に前記共晶接合（２０５）を形成することと、
   を含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記窓（２０１）の所定の領域（２１３）に酸化アルミ層（２１２）を適用することであって、前記領域（２１３）を前記酸化物領域（２０３）に対応させる、適用することと、
   前記酸化アルミ層（２１２）と前記酸化銅（２０４）との間に前記共晶接合（２０５）を形成することと、
   を含む、請求項１乃至４のいずれか１項記載の方法。
6. 前記窓が前記所定の領域（２１３）の外部に酸化アルミを含まないよう、前記酸化アルミ層（２１２）を前記窓の前記所定の領域（２１３）に適用することと、
   前記窓（２０１）及び前記銅担体（２０２）が、前記所定の領域（２１３）の外部で互いに距離（２１５）を有するように、前記窓（２０１）を前記銅担体（２０２）に固定することと、
   を含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記酸化銅（２０４）を前記銅担体（２０２）の表面（２０８）上に平坦に形成することと、
   前記窓（２０１）の表面（２１１）の全体にわたって酸化アルミ層（２１２）を適用することと、
   前記銅担体（２０２）の前記表面（２０８）の前記窓（２０１）間に接触面（２０７）の全体上に前記共晶接合（２０６）を形成することと、
   を含む、請求項５に記載の方法。
8. 気相蒸着の手段によって酸化アルミ層（２１２）を適用すること、
   を含む、請求項５乃至７のいずれか１項記載の方法。
9. レーザ部品（１００）の製造方法であって、
   請求項１乃至８のいずれか１項記載の方法により製造されたハウジングカバー（２００）を設けることと、
   ハウジング本体（１０１）を設けることと、
   前記ハウジング本体（１０１）に半導体レーザダイオード（１０５）を配置することと、
   前記ハウジングカバー（２００）と共に前記ハウジング本体（１０１）を前記レーザ部品（１００）のビーム出力側（１０６）上に封止することと、
   を含む、方法。
10. レーザ部品（１００）のためのハウジングカバーであって、
    酸化アルミを含む少なくとも部分的に放射透過性の窓（２０１）と、
    酸化物領域（２０３）に酸化銅（２０４）を含む銅担体（２０２）と、
    前記窓（２０１）と酸化物領域（２０３）にある前記酸化銅（２０４）との間に前記窓（２０１）を前記銅担体（２０２）に固定する、共晶接合（２０５）と、
    を含む、ハウジングカバー。
11. 前記窓（２０１）は、サファイヤ窓（２０６）を有し、
    前記共晶接合（２０５）は、前記サファイヤ窓（２０６）と前記酸化銅（２０４）との間に直接的に存在する、
    請求項１０に記載のハウジングカバー。
12. 前記サファイヤ窓（２０６）は、前記銅担体（２０２）に対向する表面（２１１）上に被覆を有し、
    前記共晶接合（２０５）は、前記被覆の外部に形成される、
    請求項１１に記載のハウジングカバー。
13. 前記窓（２０１）は、前記窓（２０１）の所定の領域（２１３）に酸化アルミ層（２１２）を有し、前記領域（２１３）は、前記酸化物領域（２０３）に対応し、
    前記共晶接合（２０５）は、前記酸化アルミ層（２１２）と前記酸化銅（２０４）との間にある、
    請求項１０乃至１２のいずれか１項記載のハウジングカバー。
14. 前記共晶接合（２０５）の外側の前記窓（２０１）が、前記銅担体（２０２）からの距離（２１５）を有する、請求項１０乃至１３のいずれか１項記載のハウジングカバー。
15. 請求項１０乃至１４のいずれか１項記載のハウジングカバー（２００）と、
    ハウジング本体（１０１）と、
    前記ハウジング本体（１０１）に配置された半導体レーザダイオード（１０５）であって、前記ハウジング本体（１０１）は、前記レーザ部品（１００）のビーム出力側（１０６）において前記ハウジングカバー（２００）で封止されている、半導体レーザダイオード（１０５）と、
    を含む、レーザ部品。