KR102290763B1 - 차폐부를 포함하는 칩 패키지 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N niobium dioxide Inorganic materials O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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Abstract
본 발명은 칩 패키지에 관한 것으로 보다 상세하게는 칩에서 방출되는 광선에 대한 차폐부를 포함하는 칩 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지는 도전부와 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 적어도 하나의 절연부로 구성된 칩 기판; 상기 칩 기판에 실장된 광소자; 상기 칩 기판의 상면을 봉지하는 봉지부; 상기 봉지부를 상기 칩 기판에 접합하는 접합제; 및 상기 봉지부에 형성되어 상기 광소자의 광선이 상기 접착제로 진입하는 것을 차단하는 차폐부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 미리 형성된 홈에 접합제가 도포되며, 접합제와 봉지부 사이에 차폐부가 추가로 형성되어 광소자로부터 방출되는 빛으로부터의 노출을 막아 접합제가 변성되는 것을 방지할 수 있으며, 렌즈 접합의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 고가의 내성 있는 접합제를 사용하지 않아도 되고, 기존의 사용 재료를 그대로 이용가능 하므로 비용 절감의 효과가 있으며, 저비용의 기존 접합 재료를 이용하여 고비용의 UV 패키지에 응용할 수 있는 장점이 있다.
Description
본 발명은 칩 패키지에 관한 것으로 보다 상세하게는 칩에서 방출되는 광선에 대한 차폐부를 포함하는 칩 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 칩 기판에 UV나 LED와 같은 광소자 칩이 실장되는 경우에는 광반사 성능을 높이기 위해 공간을 형성하고, 형성된 공간에 칩을 실장하고 실장 공간을 성형된 렌즈로 봉지하는 것을 통해 칩 패키지를 제조하였다.
이때, 렌즈를 통한 봉지에 있어 이용되는 접합제(Si 등)는 UV와 같은 광소자 칩으로부터 방출되는 빛에 노출되게 되고 이에 대한 내성이 없어, 시간이 지나게 되면 변성되거나 경화되어 패키지의 신뢰성을 저하시키는 문제가 있었다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 광소자에서 방출되는 빛으로부터 접합제의 노출을 차단시키는 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 제안하는 것을 목적으로 한다.
보다 상세하게는 봉지부재의 일부에 광소자에서 방출되는 빛으로부터 접합제의 노출을 차단시키는 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 제안하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지는 도전부와 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 적어도 하나의 절연부로 구성된 칩 기판; 상기 칩 기판에 실장된 광소자; 상기 칩 기판의 상면을 봉지하는 봉지부; 상기 봉지부를 상기 칩 기판에 접합하는 접합제; 및 상기 봉지부에 형성되어 상기 광소자의 광선이 상기 접착제로 진입하는 것을 차단하는 차폐부를 포함한다.
상기 차폐부는 상기 접합제와 상기 봉지부 사이에 형성되어 상기 광소자에서 방출되는 UV선을 반사 또는 흡수하는 금속막인 것이 바람직하다.
상기 차폐부는 상기 접합제와 상기 봉지부 사이에 형성되어 상기 광소자에서 방출되는 UV선을 반사 또는 흡수하는 서로 다른 굴절율을 갖는 물질층을 교차하여 증착시킨 광학 코팅층인 것이 바람직하다.
상기 차폐부는 상기 봉지부의 상면에 형성되어 상기 광소자에서 방출되어 상기 칩 패키지 외부에서 반사된 광선이 상기 접착제로 진입하는 것을 차단하는 것이 바람직하다.
상기 봉지부는 소정의 각도를 갖는 경사면을 가지며 하방으로 돌출되며, 상기 차폐부는 상기 접합제와 상기 봉지부 사이에서 상기 경사면을 따라 형성되어 상기 광소자에서 방출되는 UV선을 반사 또는 흡수하는 것을 특징으로 하는 차폐부를 포함한다.
상기 차폐부는 상기 봉지부의 외곽을 둘러 형성되어 상기 광소자의 광선을 흡수하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 미리 형성된 홈에 접합제가 도포되며, 접합제와 봉지부 사이에 차폐부가 추가로 형성되어 광소자로부터 방출되는 빛으로부터의 노출을 막아 접합제가 변성되는 것을 방지할 수 있으며, 렌즈 접합의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 고가의 내성 있는 접합제를 사용하지 않아도 되고, 기존의 사용 재료를 그대로 이용가능 하므로 비용 절감의 효과가 있으며, 저비용의 기존 접합 재료를 이용하여 고비용의 UV 패키지에 응용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 2는 도 1에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 보다 상세히 나타내는 도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 2는 도 1에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 보다 상세히 나타내는 도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 도이다.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와같이 특별히 열거된 실시예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
또한, 발명을 설명함에 있어서 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 홈부를 포함하는 칩 기판의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하는데, 편의상 칩으로서 UV LED를 예로 들어 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면 본 실시예에 따른 차폐부를 포함하는 칩 패키지는 칩 기판(100), 광소자(200), 봉지부(300), 접합제(400), 차폐부(500)를 포함한다.
본 실시예에서 칩 기판은 도전부와, 도전부를 분리시키는 절연부로 구성될 수 있다. 도전부는 실장되는 칩(200)에 전극을 인가한다. 즉 도전부는 칩(200)에 전극을 인가하기 위하여 도전성 물질로 형성되며, 도전부의 하부는 전극이 형성된 PCB 기판 등과 접합하여 외부로부터 전극을 인가 받는다. 본 실시예에서 도전부는 알루미늄 판재를 이용하여 형성될 수 있다.
절연부는 칩(200)의 전극부 각각에 전극을 인가하기 위하여 도전부를 전기적으로 분리시킨다. 즉, 칩(200)에 양극과 음극의 전극을 각각 인가하기 위하여 도전부를 전기적으로 분리시키며, 분리된 각각의 도전부는 외부로 부터 양극과 음극을 각각 인가 받을 수 있다.
나아가 본 실시예에서 도전부는 적어도 두개 이상의 칩에 전극을 인가하기 위하여 복수로 형성될 수 있다.
또한, 본 실시예에서 절연부는 적어도 두개 이상의 칩에 다른 전극을 인가하기 위하여 복수의 도전부를 분리하기 위하여 복수로 형성된다. 즉 도 1을 참조하면, 하나의 단위 기판(100)에서 절연부는 세 개의 도전부 사이에서 두 개가 형성될 수 있다.
본 실시예에서 절연부는 합성수지 재질의 절연 필름으로 구현될 수 있다. 이 경우 액상 접합제등을 사용하여 도전부와 절연부를 접합하는데, 접합력을 증진시키기 위해 합성수지 재질의 접합 필름을 개재시킨 상태에서 접합할 수도 있다. 이때 접합력을 더욱 증진시키기 위해 상온상압보다 높은 온도와 압력의 유지가 가능한 고온고압실에서 접합 공정을 수행할 수도 있을 것이며, 이외에도 접합면에 기계적 또는 화학적 방법으로 거칠기를 부여한 후에 접합 공정을 수행할 수도 있을 것이다.
즉, 본 실시예에서 도전부와 절연부는 도전부의 적어도 한면, 바람직하게는 절연부와 마주보는 면에 대하여 아노다이징(anodizing) 처리가 되고 이를 통해 절연부와 접합될 수 있다. 즉 도전부가 알루미늄 재질로 이루어진 경우에 접합력을 증진시키기 위해 접합 공전 전에 각각의 접합면을 아노다이징 처리할 수도 있으며, 이렇게 아노다이징 처리된 표면에 상기한 거칠기를 부여할 수도 있을 것이다.
나아가 본 실시예에서 절연부는 도전부가 알루미늄 기판(100)인 경우에는 도전부의 마주보는 면을 아노다이징하고 이를 접합하는 것을 통해 형성할 수도 있을 것이다.
다음, 본 실시예에서 차폐부를 포함하는 칩 패키지는 칩(200)이 실장되는 공간을 형성하기 위하여 도전부의 내측방향으로 오목한 캐비티를 형성한다. 즉 도 1을 참조하면, 칩(200)이 실장되는 기판(100)의 표면은 외부면 보다 오목한 형상으로 형성된다. 즉, 기판(100)은 칩(200)이 실장되는 부분 주위로 외벽이 형성된 형상이 된다.
즉, 본 실시예에서 칩은 캐비티 내에서 형성된 공간에서 도전부 상에 실장되며 칩의 실장 후 캐비티를 렌즈 등으로 봉지하여 칩 패키지를 제조할 수 있다.
본 실시예에서 봉지부(300)는 칩 기판의 상면을 봉지한다.
봉지부(300)는 칩의 종류에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들어 UV-C 패키지에 대해서는 쿼츠를 이용할 수 있으며, UV-B, A 패키지에 대해서는 글라스를 이용할 수 있다. 접합제(400)는 봉지부와 칩 기판(100)을 접합한다. 접합제(400)는 실리콘 등을 이용할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 칩 기판(100)은 홈부(110)를 더 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 홈부(110)는 캐비티의 외부에서 캐비티와 이격되어 소정의 깊이로 오목하게 형성된다.
본 실시예에서 홈부(110)는 캐비티를 따라 연속으로 형성되는 것이 바람직하다. 즉 칩 패키지 제조 시 봉지하기 위한 봉지부(300)와 접촉면적을 넓히기 위하여 연속적으로 형성되어 봉지부(300)와 칩 기판(100)의 접합력을 더욱 높일 수 있다. 또한 연속적으로 형성됨에 따라 접합제(400)를 홈부(110)에 주입하는 경우 한번의 주입 공정을 통해 주입 할 수 있으므로 공정상 이점이 있다.
다만, 홈부(110)의 형성을 위한 공정을 고려하여 도 1은 두 개의 홈부(110)로 분할하여 형성될 수 있음은 물론이다.
즉, 본 실시예에서는 캐비티의 외곽을 따라, 봉지부(300)가 접촉하는 접촉 면에서 소정의 홈으로 이루어지는 공간에 접합제를 주입하고 봉지부(300)를 접합한다. 이때 봉지부(300) 접합 시 사용하는 접합제가 접합부위 내외로 오버플로우 될 수 있으므로, 이를 예방하고 접합제의 정량 사용을 위하여 봉지부(300)와의 접합면에 추가적인 홈이 마련될 수 있다.
본 실시예에서 차폐부(500)는 봉지부에 형성되어 광소자(200)의 광선이 접착제로 진입하는 것을 차단한다.
이하 도 2를 참조하여, 본 실시예에 따른 차폐부(500)를 포함하는 칩 패키지의 봉지부(300)에 대하여 설명한다. 도 2는 도 1에 따른 차폐부(500)를 포함하는 칩 패키지의 봉지부(300)를 확대하여 나타내는 도이다.
본 실시예에 따른 봉지부(300)는 차폐부(500)를 더 포함한다.
본 실시예에서 차폐부(500)는 캐비티의 외부에서 캐비티와 이격되어 소정의 깊이로 오목하게 형성되는 홈부(110)와 대응되도록 봉지부(300)의 일면에 형성된다.
봉지부(300)의 일면이라는 것은 도 2에서는 봉지부(300)의 하면에 형성되며, 기판의 접합제(400)와 봉지부의 하면 사이에 형성되는 것일 수 있다.
본 실시예에서 차폐부(500)는 접합제(400)와 봉지부(300) 사이에 형성되어 광소자(200)에서 방출되는 UV선(210)을 반사 또는 흡수하는 금속막일 수 있다.
보다 구체적으로는 UV 대역에서의 투과율(1 - 반사율 - 흡수율)이 5% 미만이 되는 두께로 증착 또는 코팅을 통하여 봉지부의 하면에 형성될 수 있다. 금속막의 증착 방법으로는 PVD(Thermal Evaporation, E-Beam Evaporation, Sputtering 등), CVD 등 이 이용될 수 있다. 또한, 증착시 부착력 향상을 위해 Cr, Ti, Ni 등을 부착층(Adhesive Layer)으로 사용할 수 있으며, 코팅을 이용하는 경우에는 금속-유기 바인더 혼합물 형태의 페이스트를 인쇄하는 것으로 이용할 수 도 있다.
또한, 본 실시예에서 차폐부(500)는 접합제(400)와 봉지부(300) 사이에 형성되어 광소자(200)에서 방출되는 UV선을 반사 또는 흡수하는 서로 다른 굴절율을 갖는 물질층을 교차하여 증착시킨 광학 코팅층일 수 있다.
즉, 저굴절율 물질과 고굴절율 물질을 교차해서 증착하며, 저굴절율 물질로 SiO2, 고굴절율 물질로 TiO2, Ta2O5, NbO2 등을 사용할 수 있다.
이때 증착 방법은 E-Beam Evaporation 또는 Reactive Sputtering을 이용할 수 있으며. 각 층의 두께와 층 수는 해당 UV 대역에서 최대의 반사가 이루어 지도록 설계하는 것이 바람직하다. 일반적으로 투과율을 3% 미만으로 설계할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 차폐부(500)의 폭은 바람직하게는 홈부(110)에 위치하게 되는 접합제(400)의 폭을 커버할 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다.
즉, 차폐부(220)의 두께가 접합제(400)의 폭 보다 얇은 경우에는 도 2와 같이 봉지부(300)의 면에 반사된 광선(210)의 접합제(400)로의 진입을 차폐할 수 없게 된다.
이하 도 3을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 차폐부(500)를 포함하는 칩 패키지의 봉지부(300)에 대하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 칩 패키지는 봉지부(300)의 상면에 차폐부(500)를 더 포함할 수 있다. 즉 상술한 실시예에 따른 봉지부의 하면에 형성되는 차폐부(500)를 제1 차폐부(510)으로 하며, 봉지부의 상면에 추가적으로 제2 차폐부(520)를 추가로 형성할 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 제2 차폐부(520)는 봉지부의 상면에 형성되어 광소자(200)에서 방출되어 칩 패키지 외부(10)에서 반사된 광선(210)이 접착제로 진입하는 것을 방지 할 수 있다.
이하 도 4를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 차폐부(500)를 포함하는 칩 패키지의 봉지부(300)에 대하여 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 봉지부(300)는 소정의 각도를 갖는 경사면을 가지며 하방으로 돌출되며, 차폐부(500)는 접합제(400)와 봉지부(300) 사이에서 경사면을 따라 형성될 수 있다.
즉, 봉지부(300)의 형상을 경사면을 주어 돌출되도록 도 4와 같이 가공하고 차폐부(500)를 이러한 경사면까지 연속되도록 형성함으로써 도 1 내지 3에서 봉지부(300)와 칩 기판(100)의 틈 사이로 새어 들어가는 광선(210)을 차단하는 것도 가능하다.
나아가, 또 다른 실시예로 도 5를 참조하면, 도 4에 따른 차폐부(500)를 제 1 차폐부(510)로 구성하고, 도 3에 따른 제2 차폐부(520)를 추가로 구성하는 것도 가능하다.
따라서, 제1 차폐부(510)는 봉지부(300)의 경사면까지 연속되도록 형성되어 도 1 내지 3에서 봉지부(300)와 칩 기판(100)의 틈 사이로 새어 들어가는 광선(210)을 차단하며, 제2 차폐부(520)는 봉지부(300)의 상면에 형성되어 광소자(200)에서 방출되어 칩 패키지 외부(10)에서 반사된 광선(210)이 접착제로 진입하는 것을 방지 할 수 있다.
추가적으로 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 차폐부(500)를 포함하는 칩 패키지의 봉지부(300)는 봉지부(300)의 외곽을 둘러 형성되어 광소자(200)의 광선(210)을 흡수하는 흡수부로 구성된 차폐부(600)를 포함할 수 있다.
즉, 글래스나 쿼츠에 부분적으로 금속 이온 도핑을 이용하여 UV 흡수부로 차폐부(600)를 구성하고 이를 봉지부(300)의 외곽과 접합하여 구성할 수 있다. 이때, 금속 이온으로는 Cu, In 등의 금속 이온이 이용될 수 있으며, 궁극적으로는 UV 대역의 투과율(1 - 흡수율 - 반사율)이 10% 이하가 되도록 금속 이온을 도핑하는 것이 바람직하다.
이상 본 발명에 따르면, 차폐부(500)를 봉지부(300)에 추가로 구성하여 광소자(200)로부터 방출되는 빛에 대한 접합제(400)의 노출을 막아 접합제(400)가 변성되는 것을 방지할 수 있으며, 봉지부(렌즈) 접합의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 고가의 내성 있는 접합제(400)를 사용하지 않아도 되고, 기존의 사용 재료를 그대로 이용가능 하므로 비용 절감의 효과가 있으며, 저비용의 기존 접합 재료를 이용하여 고비용의 UV 패키지에 응용할 수 있는 장점이 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (6)
- 도전부와 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 적어도 하나의 절연부로 구성되되, 상기 도전부의 내측방향으로 상광하협 형태의 캐비티가 형성되고 그 캐비티의 상단에서부터 외측방향으로 하기의 봉지부를 안착시키기 위한 접촉면이 소정 깊이의 홈 형태로 형성되며, 상기 접촉면에는 상기 캐비티의 상단에서 소정 거리 이격되어 소정 깊이로 오목하게 형성되되 상기 캐비티의 외곽을 따라 연속하는 라인 형태로 홈부가 형성되어 있는 칩 기판과;
상기 칩 기판에 형성된 상기 캐비티 내의 도전부 상에 실장된 광소자와;
상기 홈부에 주입되어 하기 봉지부를 상기 칩 기판에 접합하는 접합제와;
상기 접촉면에 안착시 상기 접합제에 의해 상기 칩 기판의 상면을 봉지하는 봉지부와;
상기 봉지부의 외측 하면 또는 외측의 하면 및 상면에 형성되어 상기 광소자의 광선이 상기 접합제로 진입하는 것을 차단하는 차폐부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 차폐부를 포함하는 칩 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 차폐부는 상기 접합제와 상기 봉지부 사이에 형성되어 상기 광소자에서 방출되는 UV선을 반사 또는 흡수하는 금속막인 것을 특징으로 하는 차폐부를 포함하는 칩 패키지 - 제 1 항에 있어서,
상기 차폐부는 상기 접합제와 상기 봉지부 사이에 형성되어 상기 광소자에서 방출되는 UV선을 반사 또는 흡수하는 서로 다른 굴절율을 갖는 물질층을 교차하여 증착시킨 광학 코팅층인 것을 특징으로 하는 차폐부를 포함하는 칩 패키지 - 삭제
- 도전부와 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 적어도 하나의 절연부로 구성되되, 상기 도전부의 내측방향으로 상광하협 형태의 캐비티가 형성되고 그 캐비티의 상단에서부터 외측방향으로 하기의 봉지부를 안착시키기 위한 접촉면이 소정 깊이의 홈 형태로 형성되며, 상기 접촉면에는 상기 캐비티의 상단에서 소정 거리 이격되어 소정 깊이로 오목하게 형성되되 상기 캐비티의 외곽을 따라 연속하는 라인 형태로 홈부가 형성되어 있는 칩 기판과;
상기 칩 기판에 형성된 상기 캐비티 내의 도전부 상에 실장된 광소자와;
상기 홈부에 주입되어 하기 봉지부를 상기 칩 기판에 접합하는 접합제와;
상기 접촉면에 안착시 상기 접합제에 의해 상기 칩 기판의 상면을 봉지하는 봉지부와;
상기 봉지부의 외측 하면 또는 외측의 하면 및 상면에 형성되어 상기 광소자의 광선이 상기 접합제로 진입하는 것을 차단하는 차폐부;를 포함하되,
상기 봉지부의 하면 일부는 소정의 각도를 갖는 경사면을 가지고 하방으로 돌출되며,
상기 차폐부는 상기 접합제와 상기 봉지부 사이에서 상기 경사면을 따라 형성되어 상기 광소자에서 방출되는 UV선을 반사 또는 흡수하는 것을 특징으로 하는 차폐부를 포함하는 칩 패키지. - 도전부와 상기 도전부를 전기적으로 분리시키는 적어도 하나의 절연부로 구성되되, 상기 도전부의 내측방향으로 상광하협 형태의 캐비티가 형성되고 그 캐비티의 상단에서부터 외측방향으로 하기의 봉지부를 안착시키기 위한 접촉면이 소정 깊이의 홈 형태로 형성되며, 상기 접촉면에는 상기 캐비티의 상단에서 소정 거리 이격되어 소정 깊이로 오목하게 형성되되 상기 캐비티의 외곽을 따라 연속하는 라인 형태로 홈부가 형성되어 있는 칩 기판과;
상기 칩 기판에 형성된 상기 캐비티 내의 도전부 상에 실장된 광소자와;
상기 홈부에 주입되어 하기 봉지부를 상기 칩 기판에 접합하는 접합제와;
상기 접촉면에 안착시 상기 접합제에 의해 상기 칩 기판의 상면을 봉지하는 봉지부와;
상기 봉지부에 형성되어 상기 광소자의 광선이 상기 접합제로 진입하는 것을 차단하는 차폐부;를 포함하되,
상기 차폐부는 상기 봉지부의 외곽을 둘러 형성되어 상기 광소자의 광선을 흡수하는 것을 특징으로 하는 차폐부를 포함하는 칩 패키지.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150001143A KR102290763B1 (ko) | 2015-01-06 | 2015-01-06 | 차폐부를 포함하는 칩 패키지 |
| US14/986,801 US9496470B2 (en) | 2015-01-06 | 2016-01-04 | Chip package having a light shield |
| CN201610007353.3A CN105762261A (zh) | 2015-01-06 | 2016-01-06 | 具有遮光罩的芯片封装 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150001143A KR102290763B1 (ko) | 2015-01-06 | 2015-01-06 | 차폐부를 포함하는 칩 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160084652A KR20160084652A (ko) | 2016-07-14 |
| KR102290763B1 true KR102290763B1 (ko) | 2021-08-20 |
Family
ID=56286950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150001143A KR102290763B1 (ko) | 2015-01-06 | 2015-01-06 | 차폐부를 포함하는 칩 패키지 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9496470B2 (ko) |
| KR (1) | KR102290763B1 (ko) |
| CN (1) | CN105762261A (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106848031A (zh) * | 2015-12-04 | 2017-06-13 | 财团法人工业技术研究院 | 紫外光发光二极管的封装结构 |
| US10025044B1 (en) * | 2017-01-17 | 2018-07-17 | International Business Machines Corporation | Optical structure |
| CN112750934A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-04 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外led封装结构及其封装方法 |
| WO2023042792A1 (ja) * | 2021-09-16 | 2023-03-23 | 旭化成株式会社 | 紫外線照射装置 |
| TWI806751B (zh) * | 2022-08-25 | 2023-06-21 | 福懋科技股份有限公司 | 半導體密封封裝結構及其製作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130194464A1 (en) | 2011-08-11 | 2013-08-01 | Sony Corporation | Image pickup apparatus and camera module |
| CN203733847U (zh) * | 2013-12-25 | 2014-07-23 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | Led封装结构 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101516358B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2015-05-04 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
| CN103855274B (zh) * | 2013-12-25 | 2016-08-17 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | Led封装结构及其封装方法 |
-
2015
- 2015-01-06 KR KR1020150001143A patent/KR102290763B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-01-04 US US14/986,801 patent/US9496470B2/en active Active
- 2016-01-06 CN CN201610007353.3A patent/CN105762261A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130194464A1 (en) | 2011-08-11 | 2013-08-01 | Sony Corporation | Image pickup apparatus and camera module |
| CN203733847U (zh) * | 2013-12-25 | 2014-07-23 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | Led封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105762261A (zh) | 2016-07-13 |
| US20160197252A1 (en) | 2016-07-07 |
| KR20160084652A (ko) | 2016-07-14 |
| US9496470B2 (en) | 2016-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |