JP6548404B2 - 多層基板、発光装置および多層基板の製造方法 - Google Patents
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Description
上記の多層基板では、第3の誘電体層は、厚さ方向に沿って原子密度が段階的に変化することが好ましい。
上記の多層基板では、第3の誘電体層は、基台に近い下面側から基台とは反対側の上面側にかけて原子密度が高くなることが好ましい。
上記の多層基板では、第4の誘電体層は、互いに屈折率が異なる複数種類の誘電体層が積層して形成された多層膜であることが好ましい。
上記の製造方法における第3の誘電体層を形成する工程では、第3の誘電体層の下面から上面にかけて膜応力が5MPaから15MPaまで変化するように、イオン電子ビームの運動エネルギーを変化させることが好ましい。
10 実装基板
12 Al基台
13 Ag層
14,16 Al2O3層
15,17 誘電体多層膜
15A,17A SiO2層
15B,17B TiO2層
20 回路基板
30 LED素子
40 反射枠
50 封止樹脂
Claims (6)
- 基台と、
前記基台より上に形成された金属製の光反射層と、
前記光反射層の上に形成されて前記光反射層を保護する第1の誘電体層と、
前記第1の誘電体層の上に互いに屈折率が異なる複数種類の誘電体層が積層して形成された光反射性の多層膜である第2の誘電体層と、
前記第2の誘電体層の上に形成され上面と下面で原子密度が異なる第3の誘電体層と、
前記第3の誘電体層の上に互いに屈折率が異なる複数種類の誘電体層が積層して形成された光反射性の多層膜である第4の誘電体層と、を有し、
前記第3の誘電体層は、厚さ方向の全体にわたって同じ材料で構成され、厚さ方向に沿って原子密度が段階的に変化する、
ことを特徴とする多層基板。 - 前記第3の誘電体層は多層構造を有し、前記多層構造を形成する各層の内部では原子密度が一定である、請求項1に記載の多層基板。
- 前記第3の誘電体層は、前記基台に近い下面側から前記基台とは反対側の上面側にかけて原子密度が高くなる、請求項1または2に記載の多層基板。
- 多層基板と、
前記多層基板上に実装された発光素子と、
を有し、
前記多層基板は、
基台と、
前記基台より上に形成された金属製の光反射層と、
前記光反射層の上に形成されて前記光反射層を保護する第1の誘電体層と、
前記第1の誘電体層の上に互いに屈折率が異なる複数種類の誘電体層が積層して形成された光反射性の多層膜である第2の誘電体層と、
前記第2の誘電体層の上に形成され上面と下面で原子密度が異なる第3の誘電体層と、
前記第3の誘電体層の上に互いに屈折率が異なる複数種類の誘電体層が積層して形成された光反射性の多層膜である第4の誘電体層と、を有し、
前記第3の誘電体層は、厚さ方向の全体にわたって同じ材料で構成され、厚さ方向に沿って原子密度が段階的に変化する、
ことを特徴とする発光装置。 - 基台より上に金属製の光反射層を形成する工程と、
前記光反射層の上に、イオンアシスト蒸着により、前記光反射層を保護する第1の誘電体層を形成する工程と、
前記第1の誘電体層の上に互いに屈折率が異なる複数種類の誘電体層を積層させて光反射性の多層膜である第2の誘電体層を形成する工程と、
前記第2の誘電体層の上に、イオン電子ビームの運動エネルギーを段階的に変化させたイオンアシスト蒸着により、上面と下面の間で厚さ方向に沿って原子密度が段階的に変化する第3の誘電体層を厚さ方向の全体にわたって同じ材料で形成する工程と、
前記第3の誘電体層の上に互いに屈折率が異なる複数種類の誘電体層を積層させて光反射性の多層膜である第4の誘電体層を形成する工程と、
を有することを特徴とする多層基板の製造方法。 - 前記第3の誘電体層を形成する工程では、前記第3の誘電体層の下面から上面にかけて膜応力が5MPaから15MPaまで変化するように、イオン電子ビームの運動エネルギーを変化させる、請求項5に記載の製造方法。
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