JP2016115806A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016115806A JP2016115806A JP2014253272A JP2014253272A JP2016115806A JP 2016115806 A JP2016115806 A JP 2016115806A JP 2014253272 A JP2014253272 A JP 2014253272A JP 2014253272 A JP2014253272 A JP 2014253272A JP 2016115806 A JP2016115806 A JP 2016115806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- semiconductor element
- metal
- semiconductor device
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
図1に、本実施形態に係る半導体装置1の構成を示す。
次に、図2を参照して、上述の金属被膜M1および金属被膜M2を形成する工程例を説明する。ここでは、金属被膜M1および金属被膜M2をニッケルなどからなるめっき層により構成する場合の工程例を説明する。
本実施形態の半導体装置1では、絶縁基板13bの側面E1に金属被膜M1が設けられている。また、絶縁基板23bの側面E2に金属被膜M2が設けられている。金属被膜M1および金属被膜M2とモールド樹脂41との密着性は良好である。したがって、絶縁基板13bおよび絶縁基板23bに対するモールド樹脂41の密着性は、当該金属被膜が設けられない場合と比較して向上する。また、これら金属被膜上に密着性強化材を塗布することにより、金属被膜とモールド樹脂41との密着性、したがって絶縁基板13bおよび絶縁基板23bに対するモールド樹脂41の密着性は、さらに向上する。
11 金属ブロック
12、22 ヒートスプレッダ
13、23 放熱板
13a、13c、23a、23c 金属層
13b、23b 絶縁基板
31、32、33 接合層
41 モールド樹脂
51 セラミックス膜
51a 改質膜
61 レーザ装置
D 半導体素子
E1、E2 側面
M1、M2 金属被膜
Claims (1)
- 半導体素子と、
前記半導体素子からの熱を放熱する放熱板と、
前記半導体素子および前記放熱板の周囲を封止する封止樹脂とを備え、
前記放熱板は、
セラミックスよりなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の両面に積層された金属層とを有し、
前記絶縁基板の側面に金属被膜が設けられている、
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014253272A JP6299578B2 (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014253272A JP6299578B2 (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016115806A true JP2016115806A (ja) | 2016-06-23 |
JP6299578B2 JP6299578B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=56140223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014253272A Active JP6299578B2 (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6299578B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190103402A1 (en) * | 2017-10-02 | 2019-04-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7309127B2 (ja) | 2019-10-11 | 2023-07-18 | Toto株式会社 | 自動水栓装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093924A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Kyocera Corp | セラミック配線基板およびこれを用いた電子装置の製造方法 |
JP2007201036A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
JP2008041752A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュールおよび半導体モジュール用放熱板 |
JP2014060410A (ja) * | 2008-04-09 | 2014-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-12-15 JP JP2014253272A patent/JP6299578B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093924A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Kyocera Corp | セラミック配線基板およびこれを用いた電子装置の製造方法 |
JP2007201036A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
JP2008041752A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュールおよび半導体モジュール用放熱板 |
JP2014060410A (ja) * | 2008-04-09 | 2014-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190103402A1 (en) * | 2017-10-02 | 2019-04-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6299578B2 (ja) | 2018-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107863328B (zh) | 使用冷却流体冷却并且包括屏蔽层的封装体 | |
US9397017B2 (en) | Substrate structures and methods of manufacture | |
US9984951B2 (en) | Sintered multilayer heat sinks for microelectronic packages and methods for the production thereof | |
US8987875B2 (en) | Balanced stress assembly for semiconductor devices | |
US9230889B2 (en) | Chip arrangement with low temperature co-fired ceramic and a method for forming a chip arrangement with low temperature co-fired ceramic | |
JP2010514208A (ja) | 回路ダイの熱的性能の高いパッケージング | |
JP2015088757A (ja) | 低温工程を使用した高温半導体デバイスパッケージ及び構造のための方法及び装置 | |
JP2018049938A (ja) | 半導体装置 | |
US20220369468A1 (en) | Substrate structures and methods of manufacture | |
JP2015233035A (ja) | 半導体装置 | |
US10141199B2 (en) | Selecting a substrate to be soldered to a carrier | |
JP2014150203A (ja) | パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 | |
JP6299578B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016072354A (ja) | パワーモジュール | |
JPWO2015132969A1 (ja) | 絶縁基板及び半導体装置 | |
TWI528596B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
JP2011054889A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
TW201415683A (zh) | 接合導熱基板與金屬層的方法 | |
US20120181066A1 (en) | Package carrier | |
JP2013016766A (ja) | パワーモジュールパッケージ及びその製造方法 | |
JP6380076B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014143342A (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
US20230154811A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2016201505A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016162888A (ja) | 電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180212 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6299578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |