JPWO2019102572A1 - 半導体装置及び半導体部品 - Google Patents
半導体装置及び半導体部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019102572A1 JPWO2019102572A1 JP2019507360A JP2019507360A JPWO2019102572A1 JP WO2019102572 A1 JPWO2019102572 A1 JP WO2019102572A1 JP 2019507360 A JP2019507360 A JP 2019507360A JP 2019507360 A JP2019507360 A JP 2019507360A JP WO2019102572 A1 JPWO2019102572 A1 JP WO2019102572A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- winding
- unit
- semiconductor device
- capacitor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 157
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/18—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using inductive devices, e.g. transformers
- G01R15/181—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using inductive devices, e.g. transformers using coils without a magnetic core, e.g. Rogowski coils
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7815—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with voltage or current sensing structure, e.g. emulator section, overcurrent sensing cell
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Description
第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部と、前記電流を取り囲むようにして設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、前記巻線部又は前記巻戻し線部に接続された積分回路構成部と、を有する半導体層と、
を備え、
前記積分回路構成部が、抵抗部、コンデンサ部及びオペアンプ部のいずれか1つ以上を有し、
前記抵抗部が、前記巻線部又は前記巻戻し線部に電気的に接続され、
前記コンデンサ部が、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器に電気的に接続され、
前記オペアンプ部が、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器と、前記コンデンサ部又は外部に設けられたコンデンサに電気的に接続されてもよい。
前記積分回路構成部は、前記抵抗部を有してもよい。
前記積分回路構成部は、前記コンデンサ部を有してもよい。
前記積分回路構成部は、前記抵抗部及び前記コンデンサ部を有し、
前記抵抗部及び前記コンデンサ部は、外部に設けられたオペアンプに電気的に接続されてもよい。
前記積分回路構成部は、前記抵抗部、前記コンデンサ部及び前記オペアンプ部を有してもよい。
前記巻戻し線部は、前記巻線部内を通過しなくてもよい。
前記半導体層は、
電流を取り囲むようにして設けられた巻線部と、
前記電流を取り囲むようにして設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、
前記巻線部又は前記巻戻し線部に接続された積分回路構成部と、を有し、
前記積分回路構成部が、抵抗部、コンデンサ部及びオペアンプ部のいずれか1つ以上を有し、
前記抵抗部が、前記巻線部又は前記巻戻し線部に電気的に接続され、
前記コンデンサ部が、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器に電気的に接続され、
前記オペアンプ部が、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器と、前記コンデンサ部又は外部に設けられたコンデンサに電気的に接続されてもよい。
《構成》
本実施の形態で「一方側」とは図2の上方側を意味し、「他方側」とは図2の下方側を意味する。また、図2の上下方向(他方から一方に向かう方向及び一方から他方に向かう方向)を「第一方向」とし、図2の左右方向を「第二方向」とし、図2の紙面表裏方向を「第三方向」とする。第二方向及び第三方向を含む面内方向を「面方向」といい、図2の上方から見た場合を「平面視」という。
次に、本実施の形態による半導体装置100の製造方法の一例について説明する。
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果の一例について説明する。なお、「作用・効果」で説明するあらゆる態様を、上記構成で採用することができる。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第5の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第6の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第7の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第8の実施の形態について説明する。
10 巻線部
50 巻戻し線部
61 第一電極
62 第二電極
100 半導体装置
150 半導体部品
110 抵抗器
115 抵抗部
120 コンデンサ
125 コンデンサ部
130 オペアンプ
135 オペアンプ部
Claims (7)
- 第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部と、前記電流を取り囲むようにして設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、前記巻線部又は前記巻戻し線部に接続された積分回路構成部と、を有する半導体層と、
を備え、
前記積分回路構成部は、抵抗部、コンデンサ部及びオペアンプ部のいずれか1つ以上を有し、
前記抵抗部は、前記巻線部又は前記巻戻し線部に電気的に接続され、
前記コンデンサ部は、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器に電気的に接続され、
前記オペアンプ部は、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器と、前記コンデンサ部又は外部に設けられたコンデンサに電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 前記積分回路構成部は、前記抵抗部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記積分回路構成部は、前記コンデンサ部を有することを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記積分回路構成部は、前記抵抗部及び前記コンデンサ部を有し、
前記抵抗部及び前記コンデンサ部は、外部に設けられたオペアンプに電気的に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記積分回路構成部は、前記抵抗部、前記コンデンサ部及び前記オペアンプ部を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記巻戻し線部は、前記巻線部内を通過しないことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体層を備えた半導体部品であって、
前記半導体層は、
電流を取り囲むようにして設けられた巻線部と、
前記電流を取り囲むようにして設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、
前記巻線部又は前記巻戻し線部に接続された積分回路構成部と、を有し、
前記積分回路構成部は、抵抗部、コンデンサ部及びオペアンプ部のいずれか1つ以上を有し、
前記抵抗部は、前記巻線部又は前記巻戻し線部に電気的に接続され、
前記コンデンサ部は、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器に電気的に接続され、
前記オペアンプ部は、前記抵抗部又は外部に設けられた抵抗器と、前記コンデンサ部又は外部に設けられたコンデンサに電気的に接続されることを特徴とする半導体部品。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/042133 WO2019102572A1 (ja) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 半導体装置及び半導体部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019102572A1 true JPWO2019102572A1 (ja) | 2019-11-21 |
JP6732104B2 JP6732104B2 (ja) | 2020-07-29 |
Family
ID=66631870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019507360A Active JP6732104B2 (ja) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 半導体装置及び半導体部品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11280812B2 (ja) |
EP (1) | EP3715870A4 (ja) |
JP (1) | JP6732104B2 (ja) |
WO (1) | WO2019102572A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3715868A4 (en) * | 2017-11-24 | 2021-06-09 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | DETECTION SUBSTRATE, ARRANGEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING A DETECTION SUBSTRATE |
EP3819651A4 (en) * | 2018-07-04 | 2022-03-16 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | ELECTRONIC MODULE |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10247718A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 電流検知部付き縦型半導体素子 |
JP2004119926A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 変流器及び変流器システム |
WO2006059218A2 (de) * | 2004-12-04 | 2006-06-08 | Landis+Gyr Ag | Integrierte vorrichtung zur messung eines wechselstroms |
JP2006196778A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | コイル及びそれを用いた電流センサ |
JP2012088318A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Tektronix Inc | 電流データ・サンプル補正方法及び装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002005966A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 導電体の電流分布測定装置およびこの導電体の電流分布測定装置を用いた電気装置 |
JP3574409B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2004-10-06 | 株式会社中央電機計器製作所 | 電流センサ及び電流測定回路 |
JP2003315373A (ja) | 2002-04-18 | 2003-11-06 | Toshiba Corp | 電流検出装置及び半導体装置 |
US8783577B2 (en) * | 2005-03-15 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device having the same |
JP5547031B2 (ja) | 2010-10-21 | 2014-07-09 | 日置電機株式会社 | ロゴスキーコイルおよび電流検出装置 |
KR101127478B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-03-22 | 한국과학기술원 | 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로 |
FR2979792B1 (fr) * | 2011-09-07 | 2013-10-11 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de courant |
US9116179B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-08-25 | Covidien Lp | System and method for voltage and current sensing |
US10041978B2 (en) * | 2013-02-15 | 2018-08-07 | Nxp Usa, Inc. | Integrated circuit with integrated current sensor |
US11094446B2 (en) * | 2018-04-06 | 2021-08-17 | Eaton Intelligent Power Limited | Rogowski coil with low permeability core |
-
2017
- 2017-11-24 US US16/494,218 patent/US11280812B2/en active Active
- 2017-11-24 EP EP17933113.7A patent/EP3715870A4/en active Pending
- 2017-11-24 WO PCT/JP2017/042133 patent/WO2019102572A1/ja unknown
- 2017-11-24 JP JP2019507360A patent/JP6732104B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10247718A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 電流検知部付き縦型半導体素子 |
JP2004119926A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 変流器及び変流器システム |
WO2006059218A2 (de) * | 2004-12-04 | 2006-06-08 | Landis+Gyr Ag | Integrierte vorrichtung zur messung eines wechselstroms |
JP2006196778A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Works Ltd | コイル及びそれを用いた電流センサ |
JP2012088318A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Tektronix Inc | 電流データ・サンプル補正方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019102572A1 (ja) | 2019-05-31 |
EP3715870A4 (en) | 2021-06-16 |
JP6732104B2 (ja) | 2020-07-29 |
EP3715870A1 (en) | 2020-09-30 |
US11280812B2 (en) | 2022-03-22 |
US20210123953A1 (en) | 2021-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6999692B2 (ja) | 半導体装置、半導体部品及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007121239A (ja) | 電流センサ及びその製造方法 | |
WO2019102569A1 (ja) | 半導体部品、組合体及び半導体部品の製造方法 | |
JP6732104B2 (ja) | 半導体装置及び半導体部品 | |
JP6995879B2 (ja) | 検出用基板、組合体及び検出用基板の製造方法 | |
JP2010256316A (ja) | 電流センサ | |
JP2007292544A (ja) | 磁気デバイス | |
WO2019102568A1 (ja) | 半導体装置、組合体及び半導体装置の製造方法 | |
WO2019102573A1 (ja) | 半導体装置、半導体部品及び半導体装置の製造方法 | |
WO2020008544A1 (ja) | 電子モジュール | |
JP5665422B2 (ja) | 磁束検出装置および磁束検出装置の製造方法 | |
JP5708124B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009111036A (ja) | 薄膜トランスおよびその製造方法 | |
JP4797980B2 (ja) | 薄膜トランスおよびその製造方法 | |
US20120235694A1 (en) | Dynamic quantity sensor and manufacturing method thereof | |
CN112352163B (zh) | 电子模块 | |
JP2015078906A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
JP7319771B2 (ja) | 電流検出器及びパワーモジュール | |
JP2016152311A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
JP2017045964A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013093347A (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200616 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6732104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |