WO2019102568A1

WO2019102568A1 - 半導体装置、組合体及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: WO2019102568A1
Application number: PCT/JP2017/042129
Authority: WO
Inventors: 瑞枝山地; 吉田　賢一; 和之指田; 鈴木　健一; 九里　伸治
Original assignee: 新電元工業株式会社
Priority date: 2017-11-24
Filing date: 2017-11-24
Publication date: 2019-05-31

Abstract

半導体装置１００は、第一電極６１と、第二電極６２と、前記第一電極６１と前記第二電極６２との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部１０と、前記電流を取り囲むようにして設けられ、前記巻線部１０の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部５０と、を含む半導体層１と、を有する。

Description

半導体装置、組合体及び半導体装置の製造方法

　本発明は、半導体層に巻線部を有する半導体装置、組合体及び半導体装置の製造方法に関する。

　従来から、ロゴスキーコイルを利用した電流検出センサが知られている。このロゴスキーコイルはコアレスコイルであり、巻芯と、巻芯に巻かれた巻線と、巻線の終端部に接続され始端部側に戻る巻戻し線とを有している（例えば、特開２０１２－８８２２４号参照）。また、ロゴスキーコイルは積分器に接続され、この積分器によって出力電圧を積分することで測定対象における電流の変化を測定することができる。このようなロゴスキーコイルでは、単位距離あたりの巻数が多ければ多いほど、その感度が高くなる。

　他方、半導体装置（例えばスイッチング素子）に流れる電流の変化を検知するセンサが提案されている。しかしながら、従前から存在するセンサでは半導体装置内で流れる電流の変化を十分な精度で検出できず、またセンサも含めて考えると装置全体の大きさが大型化するという問題がある。

　本発明は、大きさが大きくなりすぎることなく、かつ精度よく動作を検出できる半導体装置、組合体及び半導体装置の製造方法を提供する。

　本発明による半導体装置は、
　第一電極と、
　第二電極と、
　前記第一電極と前記第二電極との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部と、前記電流を取り囲むようにして設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、を含む半導体層と、
　を備えてもよい。

　本発明による半導体装置において、
　前記巻戻し線部は、前記巻線部内を通過しなくてもよい。

　本発明による半導体装置において、
　前記巻戻し線部は前記巻線部の周縁外方を取り囲むようにして設けられてもよい。

　本発明による半導体装置において、
　前記第一電極側を一方側とし、前記第二電極側を他方側とした場合に、
　前記巻線部は、周縁内方に向かって延びた第二線部と、一方側から他方側に向かって前記第二線部の端部から延びた第三線部と、前記第三線部の端部から周縁外方に向かって延びた第四線部と、他方側から一方側に向かって前記第四線部の端部から延びた第五線部と、を有してもよい。

　本発明による半導体装置において、
　前記巻戻し線部は前記巻線部の周縁内方であって前記電流を取り囲むようにして設けられてもよい。

　本発明による半導体装置において、
　前記第一電極側を一方側とし、前記第二電極側を他方側とした場合に、
　前記巻線部は、周縁外方に向かって延びた第二線部と、一方側から他方側に向かって前記第二線部の端部から延びた第三線部と、前記第三線部の端部から周縁内方に向かって延びた第四線部と、他方側から一方側に向かって前記第四線部の端部から延びた第五線部と、を有してもよい。

　本発明による半導体装置において、
　前記巻戻し線部は、前記巻線部の一方側に位置づけられてもよい。

　本発明による半導体装置において、
　前記巻線部の一部又は前記巻戻し線部は、前記半導体層の一方側端部よりも一方側に位置してもよい。

　本発明による組合体は、
　第一電極と、第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部を含む半導体層と、を有する半導体装置と、
　前記半導体装置の周縁外方に設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、を備えてもよい。

　本発明による半導体装置の製造方法は、
　半導体層に部分的に第一絶縁膜を形成する工程と、
　前記第一絶縁膜を利用してトレンチを形成する工程と、
　前記トレンチの内側壁及び内底面に第二絶縁膜を形成する工程と、
　前記第二絶縁膜が形成されたトレンチ内及び前記半導体層の一方側に前記導電性材料を設ける工程と、
　前記導電性材料をパターニングすることで、巻線部と、巻線部の周縁内方又は周縁外方に巻戻し線部を形成する工程と、
　前記巻線部及び前記巻戻し線部を第三絶縁膜で覆う工程と、
　を備えてもよい。

　本発明による半導体装置の製造方法は、
　半導体層に部分的に第一絶縁膜を形成する工程と、
　前記第一絶縁膜を利用してトレンチを形成する工程と、
　前記トレンチの内側壁及び内底面に第二絶縁膜を形成する工程と、
　前記第二絶縁膜が形成されたトレンチ内に導電性材料を設ける工程と、
　前記導電性材料をパターニングすることで巻線部を形成する工程と、
　前記巻線部を第三絶縁膜で覆う工程と、
　前記巻線部の終端部に対応する位置において、前記第三絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　前記コンタクトホール内及び前記第三絶縁膜に導電性材料を設ける工程と、
　前記導電性材料をパターニングすることで巻戻し線部を形成する工程と、
　を備えてもよい。

　本発明では、半導体層に巻線部が設けられていることから、半導体装置の製造技術を利用することで巻線部の構成を微細化することができ、単位長さあたりにおいて巻数を増やすことができる。このため、電流の変化を精度よく検出できる。また、このように微細化が可能であることから、巻線部及び巻戻し線部を半導体層に設けても、半導体装置の大きさが大きくなることを防止できる。

図１は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる半導体装置の平面図である。図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる半導体装置の縦断面であり、図２（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる別の半導体装置の縦断面である。図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる半導体装置の斜視面であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）で示した半導体装置の縦断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ａ）で示した半導体装置の平面図である。図３（ａ）では、図３（ｂ）とは異なる縦断面を示すために、図３（ｂ）（ｃ）の右側の部分は示していない。図４（ａ）は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる半導体装置の製造工程を説明するための斜視面であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）で示した半導体装置の縦断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ａ）で示した半導体装置の平面図である。図４（ａ）では、図４（ｂ）とは異なる縦断面を示すために、図４（ｂ）（ｃ）の右側の部分は示していない。図５（ａ）は、図４（ａ）から進んだ製造工程を説明するための斜視面であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）で示した半導体装置の縦断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）で示した半導体装置の平面図である。図６（ａ）は、図５（ａ）から進んだ製造工程を説明するための斜視面であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）で示した半導体装置の縦断面図であり、図６（ｃ）は、図６（ａ）で示した半導体装置の平面図である。図７（ａ）は、図６（ａ）から進んだ製造工程を説明するための斜視面であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）で示した半導体装置の縦断面図であり、図７（ｃ）は、図７（ａ）で示した半導体装置の平面図である。図８（ａ）は、図７（ａ）から進んだ製造工程を説明するための斜視面であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）で示した半導体装置の縦断面図であり、図８（ｃ）は、図８（ａ）で示した半導体装置の平面図である。図９は、本発明の第１の実施の形態で用いられうるさらに別の半導体装置の縦断面図である。図９では、巻戻し線部が巻線部内を通過することを示すために、縦断面であれば見えない紙面のおもて面側の第二直線部も示している。図１０は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる半導体装置と積分回路との関係を示した図である。図１１は、本発明の第２の実施の形態で用いられうる半導体装置の縦断面図である。図１２は、本発明の第２の実施の形態で用いられうる半導体装置の平面図である。図１３は、本発明の第３の実施の形態で用いられうる半導体装置の平面図である。図１４（ａ）は、本発明の第４の実施の形態で用いられうる半導体装置の縦断面であり、図１４（ｂ）は、本発明の第４の実施の形態で用いられうる別の半導体装置の縦断面である。図１５は、本発明の第５の実施の形態で用いられうる半導体装置の縦断面である。図１６は、本発明の第５の実施の形態で用いられうる別の半導体装置の縦断面である。図１７は、本発明の第５の実施の形態で用いられうるさらに別の半導体装置の縦断面である。図１８は、本発明の第６の実施の形態で用いられうる半導体装置の平面図である。図１９は、本発明の第６の実施の形態で用いられうる別の半導体装置の平面図である。図２０は、本発明の第７の実施の形態で用いられうる半導体装置の縦断面である。図２１は、本発明の第７の実施の形態で用いられうる別の半導体装置の縦断面である。図２２は、本発明の第８の実施の形態で用いられうる半導体装置の平面図である。図２３（ａ）は図２２の直線Ａ－Ａにおける縦断面図であり、図２３（ｂ）は図２２の直線Ｂ－Ｂにおける縦断面である。

第１の実施の形態
《構成》
　本実施の形態で「一方側」とは図２の上方側を意味し、「他方側」とは図２の下方側を意味する。また、図２の上下方向（他方から一方に向かう方向及び一方から他方に向かう方向）を「第一方向」とし、図２の左右方向を「第二方向」とし、図２の紙面表裏方向を「第三方向」とする。第二方向及び第三方向を含む面内方向を「面方向」といい、図２の上方から見た場合を「平面視」という。

　図２（ａ）に示すように、本実施の形態の半導体装置１００は、第一電極６１と、第二電極６２と、第一電極６１と第二電極６２との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部１０と、当該電流を取り囲むようにして設けられ、巻線部１０の終端部で接続されて終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部５０と、を含む半導体層１（図１も参照）と、を有してもよい。半導体の材料としては、シリコン、炭化珪素、窒化ガリウム等の材料を用いることができる。図２（ａ）に示す態様では、電流が上方から下方に向かって流れている態様を示しているが、あくまでも一例であり、電流は下方から上方に向かって流れるようにしてもよい。図２で「１０，５０」という符号が用いられているが、これらは疑似的なロゴスキーコイルが用いられてもよいし、ロゴスキーコイルが用いられてもよいことを意味している。

　巻線部１０及び巻戻し線部５０はポリシリコン等の半導体材料から形成されてもよいが、これに限られることはなく、銅、アルミ等の金属材料等から形成され、金属膜が巻線部１０及び巻戻し線部５０となってもよい。

　巻戻し線部５０は、巻線部１０内を通過しないようにしてもよい。本実施の形態では、図１に示すように、巻戻し線部５０は巻線部１０の周縁外方を取り囲むようにして設けられている。巻線部１０内は酸化膜等の絶縁材料で埋められてもよい（図３に示す後述する第三絶縁膜９３を参照）。

　図１では、巻戻し線部５０が巻線部１０内を通過しない態様を用いて説明しているが、これに限られることはなく、図９に示すように、巻戻し線部５０が巻線部１０内を通過する態様を用いてもよい。なお本実施の形態では、図１に示す態様を「疑似的なロゴスキーコイル」と呼び、図９に示す態様を「ロゴスキーコイル」と呼ぶ。

　図３に示すように、巻線部１０は、巻線方向に沿った第一直線部１１と、第一直線部１１の端部から周縁内方（図３右側）かつ巻線方向に向かって面方向（第二方向及び第三方向を含む方向）で延びた第二直線部１２と、第二直線部１２の端部から一方側から他方側に向かって延びた第三直線部１３と、第三直線部１３の端部から周縁外方（図３左側）かつ巻線方向に直交する方向に向かって面方向で延びた第四直線部１４と、他方側から一方側に向かって第四直線部１４の端部から延びた第五直線部１５とを有してもよい（第一態様）。また、巻線部１０の終端部では、第五直線部１５の端部から周縁外方に向かって面方向で延びた第六直線部１６が設けられ、第六直線部１６の端部と巻戻し線部５０の始端部とが接続されてもよい。巻戻し線部５０は面方向に延びてもよい。

　このような態様とは異なり、巻線部１０は、巻線方向に沿った第一直線部１１と、第一直線部１１の端部から周縁内方かつ巻線方向に向かって面方向で延びた第二直線部１２と、他方側から一方側に向かって第二直線部１２の端部から延びた第三直線部１３と、第三直線部１３の端部から周縁外方かつ巻線方向に直交する方向に向かって面方向で延びた第四直線部１４と、一方側から他方側に向かって第四直線部１４の端部から延びた第五直線部１５とを有してもよい（第二態様）。また、巻線部１０の終端部では、第五直線部１５の端部から周縁外方に向かって面方向で延びた第六直線部１６が設けられ、第六直線部１６の端部と巻戻し線部５０の始端部とが接続されてもよい。巻戻し線部５０は面方向に延びてもよい。

　なお、後述する製造方法を採用することを考えると、後に述べた第二態様ではなく先に述べた第一態様を採用することで巻戻し線部５０を一方側に位置づけることができ、その結果として製造工程を簡易なものにすることができる点で有益である。

　上記態様では、線部として「直線部」を用いて説明した。つまり、第一線部の一例として第一直線部１１を用い、第二線部の一例として第二直線部１２を用い、第三線部の一例として第三直線部１３を用い、第四線部の一例として第四直線部１４を用い、第五線部の一例として第五直線部１５を用い、第六線部の一例として第六直線部１６を用いる態様を用いて説明したが、これに限られることはない。各線部は曲線であってもよいし、複数の線部のうちの一部だけが直線部となってもよい。なお、製造工程の容易さからすると、第二線部及び第四線部は直線部となることが有益であり、つまり、第二直線部１２及び第四直線部１４となることが有益である。

　また、上記態様では、縦断面で見たときに、第二直線部１２、第三直線部１３、第四直線部１４及び第五直線部１５によって矩形状が形成される態様であったが（図３及び図９参照）、このような態様に限られることはなく、縦断面で見たときに三角形状となってもよいし、より多くの角を有する多角形（五角形状以上）となってもよい。

　第一電極６１は第一主面に設けられ、第二電極６２は第二主面に設けられてもよい。なお図２では上面が第一主面となり下面が第二主面となっている。また、半導体装置１００は、スイッチング素子であってもよく、例えば縦型ＭＯＳＦＥＴであってもよい。図２（ｂ）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴに本実施の形態の態様が採用される場合には、第一電極６１がソース電極であり、第二電極６２がドレイン電極であってもよい。そして、疑似的なロゴスキーコイルはソース電極及びドレイン電極の間に流れる電流を取り囲むように設けられてもよい。なお、図２（ｂ）の符号６３はゲート電極である。

　本実施の形態の半導体層１の巻戻し線部５０及び巻線部１０は、図１０に示すように、半導体装置１００の外部に設けられた抵抗部１１０、コンデンサ１２０及びオペアンプ１３０に接続されることで、積分回路が形成されてもよい。このような態様には限られず、半導体層１に積分回路の抵抗部１１０、コンデンサ１２０又は抵抗部１１０及びコンデンサ１２０が形成されてもよい。一例として、図１０では、巻線部１０の始端部に接続された巻線電極パッド１９が抵抗部１１０に接続され、抵抗部１１０がコンデンサ１２０及びオペアンプ１３０の反転入力端子に接続され、巻戻し線部５０の終端部に接続された巻戻し線電極パッド５９がオペアンプ１３０の非反転入力端子に接続されている。

　図１に示すように、巻線部１０は、第二方向に延びたＡ方向巻線部３１と、Ａ方向巻線部３１の端部に接続されるとともに第三方向に延びたＢ方向巻線部３２と、Ｂ方向巻線部３２の端部に接続されるとともに第二方向に延びたＣ方向巻線部３３と、Ｃ方向巻線部３３の端部に接続されるとともに第三方向に延びたＤ方向巻線部３４とを有してもよい。このような態様を採用した場合には、直線形状で各方向巻線部３１－３４を形成することができ、比較的容易に製造することができる点で有益である。本実施の形態では４つの方向巻線部３１－３４を用いて説明するが、これに限られることはなく、３つの方向巻線部によって面方向で三角形状が形成されるようにしてもよいし、５つ以上の方向巻線部によって面方向で多角形状が形成されるようになってもよい。

　また、Ａ方向巻線部３１、Ｂ方向巻線部３２、Ｃ方向巻線部３３及びＤ方向巻線部３４の長さは対応してもよい。長さが対応するというのは、Ａ方向巻線部３１、Ｂ方向巻線部３２、Ｃ方向巻線部３３及びＤ方向巻線部３４の各々が、これらＡ方向巻線部３１、Ｂ方向巻線部３２、Ｃ方向巻線部３３及びＤ方向巻線部３４の平均値の±５％以内にあることを意味している。Ａ方向巻線部３１、Ｂ方向巻線部３２、Ｃ方向巻線部３３及びＤ方向巻線部３４の各々に含まれる巻線の数は同数となってもよい。また、Ａ方向巻線部３１と巻線電極パッド１９が接続される関係から、Ａ方向巻線部３１の巻き数が、Ｂ方向巻線部３２、Ｃ方向巻線部３３及びＤ方向巻線部３４の巻き数よりも例えば１つ又は２つ若しくはそれ以上短くなっていてもよい。

≪製造方法≫
　次に、本実施の形態による半導体装置１００の製造方法の一例について説明する。

　ウエハ等の半導体層１の上面に熱酸化膜又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって酸化膜等からなる第一絶縁膜９１を形成する（図４参照）。なお、第一絶縁膜９１にはレジスト膜も含まれている。

　次に、フォトリソグラフィによってトレンチを形成するための領域をパターニングし、その後で、第一絶縁膜９１をドライエッチングする（図４参照）。

　次に、第一絶縁膜９１をマスクとして半導体層１をドライエッチングする（図５参照）。エッチングされた側壁のダメージ層をＣＤＥ（Chemical Dry Etching），犠牲酸化膜又はＨ_２アニール等によって除去してもよい。

　次に、トレンチの内側壁及び内底面に熱酸化膜又はＣＶＤ酸化膜等の第二絶縁膜９２を形成する（図６参照）。なお、第一絶縁膜９１が例えばレジスト膜からなる場合には、このような態様とは異なり、第二絶縁膜９２を形成される前に第一絶縁膜９１が除去され、その後で第二絶縁膜９２が設けられてもよい。

　次に、トレンチ内部をポリシリコン等の導電性材料９５で埋め込み、第一絶縁膜９１の上面にもポリシリコン等の導電性材料９５を積み上げるようにする（図７参照）。このようにすることで、第二絶縁膜９２が形成されたトレンチ内及び第一絶縁膜９１上に導電性材料９５が設けられることになる。このときに第一絶縁膜９１に積み上がる導電性材料９５の厚みは例えば０．５μｍ～２μｍ程であってもよい。

　次に、フォトリソグラフィによって巻線部１０及び巻戻し線部５０を形成するためのパターニングを行う（図８参照）。この際、トレンチの内底面及び内側面に残る導電性材料９５の厚みは第一絶縁膜９１に積み上がる導電性材料９５の厚みと同じ厚みとなり、例えば０．５μｍ～２μｍ程となってもよい。このように同じ厚みとすることで、各直線部１１－１６及び巻戻し線部５０内に流れる電流を一定のものにでき、検出精度を高めることができる点で有益である。図８に示す巻線部１０は、巻線方向に沿った第一直線部１１と、第一直線部１１の端部から周縁内方かつ巻線方向に向かって面方向で延びた第二直線部１２と、一方側から他方側に向かって第二直線部１２の端部から延びた第三直線部１３と、第三直線部１３の端部から周縁外方かつ巻線方向に直交する方向に向かって面方向で延びた第四直線部１４と、他方側から一方側に向かって第四直線部１４の端部から延びた第五直線部１５と、巻線部１０の終端部において、第五直線部１５の端部から周縁外方に向かって面方向で延びた第六直線部１６とを有している。巻戻し線部５０は面方向に延びてもよい。

　次に酸化膜等の絶縁材料でトレンチ内部を埋め込むとともに、上面にも絶縁材料を積み上げるようにする（図３参照）。より具体的には、ＣＶＤ、ＳＯＧ（Spin on Glass）等で酸化膜等の第三絶縁膜９３で埋め込み、上面にも層間絶縁膜等の第三絶縁膜９３を設ける。

　次に、ポリシリコン等の導電性材料９５で形成した巻線部１０の始端部と巻戻し線部５０の終端部の層間絶縁膜等の第三絶縁膜９３にコンタクトホールを開けるためのフォトリソグラフィを行う。その後、ドライエッチングによって層間絶縁膜等の第三絶縁膜９３にコンタクトホールを開け、コンタクトホールを開けた部分に電極用ワイヤ等のＰＡＤとなるメタルを形成し、巻線電極パッド１９及び巻戻し線電極パッド５９を形成する（図１参照）。

《作用・効果》
　次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果の一例について説明する。なお、「作用・効果」で説明するあらゆる態様を、上記構成で採用することができる。

　本実施の形態のような巻線部１０を採用した場合には、半導体装置１００の製造技術を利用することで巻線部１０の構成を微細化することができ、単位長さあたりにおいて巻数を増やすことができる。このため、電流の変化を精度よく検出できる。また、このように微細化が可能であることから、巻線部１０及び巻戻し線部５０を半導体層１に設けても、半導体装置１００の大きさが大きくなることを防止できる。

　また、本実施の形態のように第一電極６１と第二電極６２の配置位置が決まった半導体装置１００において半導体層１に巻線部１０及び巻戻し線部５０を形成することから、測定対象となる第一電極６１と第二電極６２との間に流れる電流に対して、巻線部１０及び巻戻し線部５０を正確に位置づけることができる。また、位置ずれが起こらないので、位置ずれによる影響を受けることもない。このため、バラツキ無く電流の変化を測定することができる。

　巻戻し線部５０が巻線部１０内を通過しない態様を採用した場合には、製造工程を容易にすることができる点で非常に有益である。つまり、図９に示すように巻戻し線部５０が巻線部１０内を通過する態様を採用した場合には、巻戻し線部５０を巻線部１０内に形成する工程が煩雑なものとなり、製造コストが上がってしまう。他方、図３乃至図８を用いて説明したように、巻戻し線部５０を巻線部１０内に形成しないようにすることで、格段に製造工程を容易にすることができ、製造コストを低減できる点で有益である。

　半導体装置１００がＭＯＳＦＥＴのようなスイッチング素子である場合にはＯＮとＯＦＦを切り替える際に電流が変化することから、本実施の形態における疑似的なロゴスキーコイル及びロゴスキーコイルを採用することは有益である。

　図２に示すように、第一電極６１が半導体層１の第一主面に設けられ、第二電極６２が半導体層１の第二主面に設けられる態様を採用した場合には、第一主面と第二主面との間を電流が流れ、この電流を取り囲むようにして巻線部１０及び巻戻し線部５０が設けられることから、前述したような製造方法（図３乃至図８参照）を採用することができる。このため、製造工程を簡易なものにすることができ、量産を考えた場合に現実的な製造方法とすることができる点で有益である。

　図３（ａ）（ｂ）に示すように、巻線部１０の第一直線部１１、第二直線部１２及び第六直線部１６と巻戻し線部５０の高さ位置が同じ態様を採用した場合には、図７及び図８に示すように、これらに対して同じ工程を採用することができる点で有益である。つまり、第一絶縁膜９１の上面に導電性材料９５を積み上げ（図７参照）、導電性材料９５をエッチングすることで生成することができる（図８参照）点で有益である。

　本実施の形態を採用することで巻戻し線部５０を巻線部１０の周縁外方に位置づけることができる。このため、第一電極６１と第二電極６２との間で流れる電流に巻線部１０を極力近接して配置させることができる点で有益である。

第２の実施の形態
　次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。

　第１の実施の形態では、巻戻し線部５０が巻線部１０の周縁外方に設けられる態様となっていたが、第２の実施の形態では、図１２に示すように巻戻し線部５０が巻線部１０の周縁内方に設けられる態様となっている。その他については、第１の実施の形態で採用したあらゆる構成を第２の実施の形態でも採用することができる。第１の実施の形態で説明した部材に対しては同じ符号を付して説明する。

　本実施の形態では、第１の実施の形態とは異なり、巻線方向に沿った第一直線部１１と、第一直線部１１の端部から周縁外方（図１１の左側）かつ巻線方向に向かって面方向で延びた第二直線部１２と、一方側から他方側に向かって第二直線部１２の端部から延びた第三直線部１３と、第三直線部１３の端部から周縁内方（図１１の右側）かつ巻線方向に直交する方向に向かって延びた第四直線部１４と、他方側から一方側に向かって第四直線部１４の端部から延びた第五直線部１５とを有してもよい（第三態様）（図１１参照）。また、巻線部１０の終端部では、第五直線部１５の端部から周縁内方（図１１の右側）に向かって面方向で延びた第六直線部１６が設けられ、第六直線部１６の端部と巻戻し線部５０の始端部とが接続されてもよい。巻戻し線部５０は面方向に延びてもよい。

　また、このような態様とは異なり、巻線方向に沿った第一直線部１１と、第一直線部１１の端部から周縁外方かつ巻線方向に向かって面方向で延びた第二直線部１２と、他方側から一方側に向かって第二直線部１２の端部から延びた第三直線部１３と、第三直線部１３の端部から周縁内方かつ巻線方向に直交する方向に向かって延びた第四直線部１４と、一方側から他方側に向かって第四直線部１４の端部から延びた第五直線部１５とを有してもよい（第四態様）。また、巻線部１０の終端部では、第五直線部１５の端部から周縁内方に向かって面方向で延びた第六直線部１６が設けられ、第六直線部１６の端部と巻戻し線部５０の始端部とが接続されてもよい。巻戻し線部５０は面方向に延びてもよい。

　第１の実施の形態で用いた製造方法を採用することを考えると、後に述べた第四態様ではなく先に述べた第三態様を採用することで、巻戻し線を一方側に位置づけることができ、その結果として製造工程を簡易なものにすることができる点で有益である。

　本実施の形態を採用することで巻線部１０を巻戻し線部５０の周縁外方に位置づけることができる。このため、巻線部１０の長さを長く取ることができ、巻線部１０の巻き数を増やすことができる。この結果、電流の変化の検知精度を高めることを期待できる点で有益である。

第３の実施の形態
　次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。

　上記各実施の形態では、巻線部１０が、第二方向に延びたＡ方向巻線部３１と、Ａ方向巻線部３１の端部に接続されるとともに第三方向に延びたＢ方向巻線部３２と、Ｂ方向巻線部３２の端部に接続されるとともに第二方向に延びたＣ方向巻線部３３と、Ｃ方向巻線部３３の端部に接続されるとともに第三方向に延びたＤ方向巻線部３４とを有する態様であったが、これらに限られることはない。一例としては、図１３に示すように、平面視（第二方向及び第三方向を含む平面）において巻線部１０及び巻戻し線部５０の各々が円形状となってもよい。また、平面視において巻線部１０及び巻戻し線部５０の各々が三角形状となってもよい。その他については、上記各実施の形態で採用したあらゆる構成を本実施の形態でも採用することができる。上記各実施の形態で説明した部材に対しては同じ符号を付して説明する。

　図１３に示すような態様を採用した場合には、第一電極６１と第二電極６２との間に流れる電流をバランスよく検出できることを期待できる。なお、製造工程の容易さからすると、第１の実施の形態又は第２の実施の形態のようにＡ方向巻線部３１、Ｂ方向巻線部３２、Ｃ方向巻線部３３及びＤ方向巻線部３４のような直線状の形態を繋ぎ合わせる態様である方が有益である。

第４の実施の形態
　次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。

　上記各実施の形態では、一つの半導体層１内に巻線部１０と巻戻し線部５０の両方が設けられていたが、第４の実施の形態では、第一電極６１及び第二電極６２が設けられた半導体層１に巻線部１０だけが設けられ、別の半導体層又は別の部材に巻戻し線部５０が設けられている。その他については、上記各実施の形態で採用したあらゆる構成を本実施の形態でも採用することができる。上記各実施の形態で説明した部材に対しては同じ符号を付して説明する。

　一例として、図１４（ａ）に示すように巻戻し線部５０は金属線からなり、半導体装置１００の周縁を取り囲むように配意されてもよい。この場合には、半導体装置の側壁に巻戻し線部５０を位置付けるための溝部５が設けられてもよい。

　また、図１４（ｂ）に示すように、巻線部１０の設けられた半導体層１とは別の半導体層２００に巻戻し線部５０が形成され、当該別の半導体層２００が巻線部１０の設けられた半導体層１を取り囲むように設けられてもよい。

第５の実施の形態
　次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。

　上記各実施の形態では、一つの疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルが設けられている態様であったが、第５の実施の形態では、複数の疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルが設けられている。その他については、上記各実施の形態で採用したあらゆる構成を本実施の形態でも採用することができる。上記各実施の形態で説明した部材に対しては同じ符号を付して説明する。

　図１５に示すように、疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルが第一方向で整列して配置されてもよい。より具体的には、巻線部１０と巻線部１０内を通過しない巻戻し線部５０（疑似的なロゴスキーコイル）、又は、巻線部１０と巻線部１０内を通過する巻戻し線部５０（ロゴスキーコイル）が第一方向で並んで設けられてもよい。この態様を採用した場合には、第一方向の２箇所以上で電流の変化を検知することができるので、より正確に電流の変化を検知することができる点で有益である。但し、この態様では、巻線部１０及び巻戻し線部５０を第一方向で積み重ねるようにして配置する必要があることから、第１の実施の形態と比較すると製造工程が煩雑になることには留意が必要である。

　図１６に示すように、疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルの外周側に別の疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルが配置されてもよい。より具体的には、巻線部１０と巻線部１０内を通過しない巻戻し線部５０（疑似的なロゴスキーコイル）、又は、巻線部１０と巻線部１０内を通過する巻戻し線部５０（ロゴスキーコイル）が第二方向又は第三方向で並んで設けられてもよい。この態様を採用した場合にも、より正確に電流の変化を検知することができる点で有益である。また、この態様では、第１の実施の形態と同様の製造工程を採用することができる点でも有益である。

　これらの態様が組み合わされてもよく、図１７に示すように、第一方向で疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルが積層され、かつ疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルの外周側に別の疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルが設けられてもよい。より具体的には、巻線部１０と巻線部１０内を通過しない巻戻し線部５０（疑似的なロゴスキーコイル）、又は、巻線部１０と巻線部１０内を通過する巻戻し線部５０（ロゴスキーコイル）が第二方向又は第三方向で並んで設けられ、かつ、第一方向でも並んで設けられてもよい。

第６の実施の形態
　次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。

　本実施の形態では、第二線部及び第四線部に関して、前述した態様と異なる例を用いて説明する。上記各実施の形態で採用したあらゆる構成を本実施の形態でも採用することができる。上記各実施の形態で説明した部材に対しては同じ符号を付して説明する。

　本実施の形態では、図１８に示すように、巻線部１０が、周縁内方かつ巻線方向に直交する方向に向かって面方向で延びた第二直線部１２と、第二直線部１２の端部から一方側から他方側に向かって延びた第三直線部１３と、第三直線部１３の端部から周縁外方かつ巻線方向に向かって面方向で延びた第四直線部１４と、他方側から一方側に向かって第四直線部１４の端部から延びた第五直線部１５とを有してもよい。

　また、別の態様としては、図１９に示すように、巻線部１０が、周縁内方かつ巻線方向に向かって面方向で延びた第二直線部１２と、第二直線部１２の端部から一方側から他方側に向かって延びた第三直線部１３と、第三直線部１３の端部から周縁外方かつ巻線方向に向かって面方向で延びた第四直線部１４と、他方側から一方側に向かって第四直線部１４の端部から延びた第五直線部１５とを有してもよい。

　なお、前述したように直線部はあくまでも一例であり、巻線部１０を構成する線部の形状は様々な態様を採用することができ、例えば曲線とすることもできる。

第７の実施の形態
　次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。

　上記では、半導体装置１００として図２、図１４乃至図１７に示す態様を用いて説明したが、これとは異なる素子構造を有する半導体装置１００を採用することはもちろん可能である。例えば、図２０に示すように、素子構造としてプレーナゲートタイプの縦型パワーＭＯＳＦＥＴを有する態様を採用してもよい。上記各実施の形態で採用したあらゆる構成を本実施の形態でも採用することができる。上記各実施の形態で説明した部材に対しては同じ符号を付して説明する。

　また、図２０に示す態様とは異なり、図２１に示すように、巻線部１０の一部及び／又は巻戻し線部５０は、半導体層１の一方側端部よりも一方側に位置してもよい。より具体的には、一方側に第一直線部１１のような第一線部、第二直線部１２のような第二線部及び巻戻し線部５０が設けられる態様において、第一線部、第二線部及び巻戻し線部５０が半導体層１の一方側の面に載置するようにして設けられ、これら第一線部、第二線部及び巻戻し線部５０が半導体層１の一方側端部よりも一方側に位置するようにしてもよい。

　この態様を採用した場合には、第一線部、第二線部及び巻戻し線部５０を半導体層１の一方側に載置して形成できるので、製造工程が容易になる。また、図２１に示すように第二電極６２が第一電極６１よりも幅方向において小さい場合には、第二電極６２から第一電極６１に流れる電流は、一方側の領域で周縁内方に集まることになる。このため、疑似的なロゴスキーコイル又はロゴスキーコイルを極力一方側に位置づけ、その一部が半導体層１よりも一方側に位置するような構成を採用することで、より効率よく電流の変化を検出することができるようになる点でも有益である。

第８の実施の形態
　次に、本発明の第８の実施の形態について説明する。

　本実施の形態では、図２２及び図２３に示すように、巻戻し線部５０が巻線部１０の一方側に位置づけられるようになっている。上記各実施の形態で採用したあらゆる構成を本実施の形態でも採用することができる。上記各実施の形態で説明した部材に対しては同じ符号を付して説明する。本実施の形態の変形例として、巻戻し線部５０は巻線部１０の他方側に位置づけられてもよい。

　本実施の形態によれば、巻戻し線部５０を巻線部１０の一方側又は他方側に位置づけるので、面方向における大きさが大きくなることを抑制できる点で有益である。本実施の形態の製造工程の一例としては、前述した製造工程とは異なり、以下のような工程を採用することになる。

　ウエハ等の半導体層１の上面に熱酸化膜又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって酸化膜等からなる第一絶縁膜９１を形成する（図４参照）。

　次に、トレンチの内側壁及び内底面に熱酸化膜又はＣＶＤ酸化膜等の第二絶縁膜９２を形成する（図６参照）。

　次に、トレンチ内部をポリシリコン等の導電性材料９５で埋め込み、第一絶縁膜９１の上面にもポリシリコン等の導電性材料９５を積み上げるようにする（図７参照）。このようにすることで、第二絶縁膜９２が形成されたトレンチ内及び第一絶縁膜９１上に導電性材料９５が設けられることになる。

　次に、フォトリソグラフィによって巻線部１０を形成するためのパターニングを行う（図２３（ａ）参照）。

　次に酸化膜等の絶縁材料でトレンチ内部を埋め込むとともに、上面にも絶縁材料を積み上げるようにする。より具体的には、ＣＶＤ、ＳＯＧ（Spin on Glass）等で酸化膜等の第三絶縁膜９３で埋め込み、上面にも層間絶縁膜等の第三絶縁膜９３を設ける。

　次に、巻線部１０の終端部に対応する位置において、第三絶縁膜９３にコンタクトホールを形成する（図２２及び図２３（ｂ）参照）。

　次に、コンタクトホール内及び第三絶縁膜９３上に導電性材料９５を設ける。そして、この導電性材料９５をパターニングすることで巻戻し線部５０を巻線部１０の一方側に形成する。この結果、巻線部１０の終端部と巻戻し線部５０の始端部は第一方向で延びる連結体１８によって連結されることになる。なお、この際に用いる導電性材料９５は巻線部１０を形成する際に用いた導電性材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

　巻線電極パッド１９及び巻戻し線電極パッド５９は、コンタクトホールを適切な場所に形成して、コンタクトホールを開けた部分に電極用ワイヤ等のＰＡＤとなるメタルを形成し、巻線電極パッド１９及び巻戻し線電極パッド５９を形成すればよい（図２２参照）。

　上述した各実施の形態の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。

１　　　　半導体層
１０　　　巻線部
１１　　　第一直線部
１２　　　第二直線部
１３　　　第三直線部
１４　　　第四直線部
１５　　　第五直線部
１６　　　第六直線部
５０　　　巻戻し線部
６１　　　第一電極
６２　　　第二電極
９１　　　第一絶縁膜
９２　　　第二絶縁膜
９３　　　第三絶縁膜
１００　　半導体装置

Claims

　第一電極と、
　第二電極と、
　前記第一電極と前記第二電極との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部と、前記電流を取り囲むようにして設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、を含む半導体層と、
　を備えたことを特徴とする半導体装置。
　前記巻戻し線部は、前記巻線部内を通過しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　前記巻戻し線部は前記巻線部の周縁外方を取り囲むようにして設けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
　前記第一電極側を一方側とし、前記第二電極側を他方側とした場合に、
　前記巻線部は、周縁内方に向かって延びた第二線部と、一方側から他方側に向かって前記第二線部の端部から延びた第三線部と、前記第三線部の端部から周縁外方に向かって延びた第四線部と、他方側から一方側に向かって前記第四線部の端部から延びた第五線部と、を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
　前記巻戻し線部は前記巻線部の周縁内方であって前記電流を取り囲むようにして設けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
　前記第一電極側を一方側とし、前記第二電極側を他方側とした場合に、
　前記巻線部は、周縁外方に向かって延びた第二線部と、一方側から他方側に向かって前記第二線部の端部から延びた第三線部と、前記第三線部の端部から周縁内方に向かって延びた第四線部と、他方側から一方側に向かって前記第四線部の端部から延びた第五線部と、を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
　前記巻戻し線部は、前記巻線部の一方側に位置づけられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
　前記巻線部の一部又は前記巻戻し線部は、前記半導体層の一方側端部よりも一方側に位置することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
　第一電極と、第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間で流れる電流を取り囲むようにして設けられた巻線部を含む半導体層と、を有する半導体装置と、
　前記半導体装置の周縁外方に設けられ、前記巻線部の終端部で接続されて前記終端部から始端部側に向かって戻る巻戻し線部と、を備える組合体。
　半導体層に部分的に第一絶縁膜を形成する工程と、
　前記第一絶縁膜を利用してトレンチを形成する工程と、
　前記トレンチの内側壁及び内底面に第二絶縁膜を形成する工程と、
　前記第二絶縁膜が形成されたトレンチ内及び前記半導体層の一方側に導電性材料を設ける工程と、
　前記導電性材料をパターニングすることで、巻線部と、巻線部の周縁内方又は周縁外方に巻戻し線部を形成する工程と、
　を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　半導体層に部分的に第一絶縁膜を形成する工程と、
　前記第一絶縁膜を利用してトレンチを形成する工程と、
　前記トレンチの内側壁及び内底面に第二絶縁膜を形成する工程と、
　前記第二絶縁膜が形成されたトレンチ内に導電性材料を設ける工程と、
　前記導電性材料をパターニングすることで巻線部を形成する工程と、
　前記巻線部を第三絶縁膜で覆う工程と、
　前記巻線部の終端部に対応する位置において、前記第三絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　前記コンタクトホール内及び前記第三絶縁膜に導電性材料を設ける工程と、
　前記導電性材料をパターニングすることで巻戻し線部を形成する工程と、
　を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。