JPWO2019087725A1

JPWO2019087725A1 - チップ抵抗器

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Publication number: JPWO2019087725A1
Application number: JP2019550985A
Authority: JP
Inventors: 高徳篠浦
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2017-11-02
Filing date: 2018-10-11
Publication date: 2020-11-19
Anticipated expiration: 2038-10-11
Also published as: WO2019087725A1; DE112018005181T5; JP2022120073A; CN111344818A; JP7086985B2; US11322280B2; US20200328014A1; US20210151225A1; CN111344818B; US10937573B2; JP7382451B2

Abstract

本開示の一側面によるとチップ抵抗器が提供される。前記チップ抵抗器は、基板と、抵抗体層と、第１導電層と、絶縁層と、第２導電層と、第３導電層と、第４導電層と、を備える。前記基板は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面および前記裏面の間に位置する側面と、を有する。前記抵抗体層は、前記主面に配置されている。前記第１導電層は、前記主面に配置され、前記抵抗体層に導通する。前記絶縁層は、前記抵抗体層と前記第１導電層とを覆い、前記第１導電層上に位置する第１端縁を有する。前記第２導電層は、前記第１端縁を跨いで、前記第１導電層および前記絶縁層を覆い、前記絶縁層上に位置する第２端縁を有する。前記第３導電層は、前記第２端縁を跨いで、前記第２導電層および前記絶縁層を覆い、前記第２導電層上に位置する第３端縁を有する。前記第４導電層は、前記第３端縁を跨いで、前記第２導電層および前記第３導電層を覆う。前記第３導電層と前記第４導電層との接合強度は、前記第２導電層と前記第４導電層との接合強度よりも強い。

Description

本開示は、チップ抵抗器に関する。

従来のチップ抵抗器の一例は、基板、抵抗体層、導電層、めっき層および絶縁層を備えている。抵抗体層は、基板の主面に形成されている。導電層は、抵抗体層と接触することにより、抵抗体層と導通している。絶縁層は、抵抗体層のすべてと導電層の一部とを覆っている。また、めっき層は、導電層のうち絶縁層から露出する部分を覆っている。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部平面図である。本開示の第１実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部底面図である。図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第１実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部拡大断面図である。本開示の第１実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部拡大断面図である。本開示の第１実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部拡大断面図である。図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第２実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部拡大断面図である。本開示の第３実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部平面図である。図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。図９のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第３実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部拡大断面図である。本開示の第３実施形態に係るチップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。図１４のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。本開示の第３実施形態に係るチップ抵抗器の製造工程を示す要部拡大断面図である。本開示の第４実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部平面図である。図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。図１８のＸＸ−ＸＸ線に沿う断面図である。図１８のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。図１８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図１８のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第５実施形態に係るチップ抵抗器を示す断面図である。本開示の第５実施形態に係るチップ抵抗器を示す要部拡大断面図である。本開示の第５実施形態に係るチップ抵抗器の製造工程を示す要部拡大断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルを付して用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。

図１〜図７は、本開示の第１実施形態に係るチップ抵抗器を示している。本実施形態のチップ抵抗器Ａ１は、基板１、抵抗体層２、一対の第１導電層３、一対の第２導電層４、一対の第３導電層５、一対の第４導電層６、一対の第５導電層７および絶縁層９を備えている。

図１は、チップ抵抗器Ａ１を示す平面図である。図２は、チップ抵抗器Ａ１を示す底面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、チップ抵抗器Ａ１を示す要部拡大断面図である。図５は、チップ抵抗器Ａ１を示す要部拡大断面図である。図６は、チップ抵抗器Ａ１を示す要部拡大断面図である。図７は、図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。なお、図１においては、理解の便宜上、基板１、抵抗体層２および第１導電層３以外の構成要素を省略しており、図２においては、基板１および第６導電層８以外の構成要素を省略している。これらの図において、チップ抵抗器Ａ１の基板１の厚さ方向が、ｚ方向である。ｘ方向およびｙ方向は、ｚ方向に対してそれぞれ直角である方向である。また、ｚ方向視を、便宜上平面視と称する場合がある。

基板１は、抵抗体層２、一対の第１導電層３、一対の第２導電層４、一対の第３導電層５、一対の第４導電層６、一対の第５導電層７および絶縁層９を支持している。基板１は、主面１１、裏面１２および一対の側面１３を有する。図示された例においては、基板１は、略直方体形状である。また、図示された例においては、基板１は、ｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする長矩形状である。基板１は、少なくとも表面が絶縁性を有しており、一般的には絶縁材料からなる。基板１の材料としては、たとえばＡｌ₂Ｏ₃やＡｌＮ等のセラミックスが挙げられる。基板１の大きさは特に限定されず、その一例を挙げると、ｘ方向寸法およびｙ方向寸法が、０．２ｍｍ〜４ｍｍ程度、ｚ方向寸法が、０．１〜０．８ｍｍ程度である。

主面１１および裏面１２は、ｚ方向において互いに反対側を向く面である。一対の側面１３は、ｘ方向において互いに反対側を向いており、各々が主面１１および裏面１２の間に位置する。図示された例においては、基板１は、複数の傾斜面１５を有している。傾斜面１５は、側面１３と主面１１および裏面１２のいずれかとの間に介在している。傾斜面１５は、ｚ方向に対して傾いている。傾斜面１５は、たとえば基板１を形成するための基板材料を分割するために設けられた溝の一部が残存したものである。

抵抗体層２は、基板１の主面１１に配置されており、チップ抵抗器Ａ１の抵抗値を規定する部位である。抵抗体層２の形状は特に限定されず、図示された例においては、図１に示すようにｘ方向およびｙ方向に沿う２対の辺を有する略矩形状である。図示された例においては、抵抗体層２は、ｚ方向視において基板１の外縁から内方に離間している。

抵抗体層２の材質は特に限定されず、チップ抵抗器Ａ１として求められる抵抗値を実現可能な材料を適宜採用すればよい。抵抗体層２の材質としては、たとえばＲｕＯ₂やＡｇ−Ｐｄ合金等を含む材質が挙げられ、さらにガラスを含んでもよい。抵抗体層２の厚さは、特に限定されず、たとえば５μｍ〜１０μｍであり、好ましくは、７μｍ〜８μｍである。このような抵抗体層２は、たとえばＲｕＯ₂やＡｇ−Ｐｄ合金等の金属粒子とガラスフリットとを含有したペーストを基板１の材料となる基板材料にシルクスクリーン等を用いて印刷し、このペーストを焼成することにより形成される。

一対の第１導電層３は、主面１１に配置されており、抵抗体層２を挟んでｘ方向両側に設けられている。第１導電層３は、抵抗体層２に導通している。図４に示すように、図示された例においては、抵抗体層２が被覆部２１を有している。被覆部２１は、第１導電層３を覆う部分である。これにより、第１導電層３は、抵抗体層２に導通している。図１に示すように、図示された例においては、第１導電層３は、ｚ方向視において略矩形状である。また、第１導電層３は、ｚ方向視において側面１３に到達している。第１導電層３は、ｙ方向において基板１の端縁から離れている。図示された例においては、第１導電層３は、傾斜被覆部３１および曲面部３２を有する。傾斜被覆部３１は、基板１の傾斜面１５を覆う部分である。曲面部３２は、傾斜被覆部３１のｚ方向上方に位置する凸曲面からなる部分である。

第１導電層３の材質は特に限定されず、抵抗体層２と適切に導通し、且つ抵抗体層２の材質よりも電気抵抗率が低い材質が選定される。第１導電層３の材質としては、たとえばＡｇおよびガラスを含む混合材料が挙げられる。第１導電層３の厚さは特に限定されず、たとえば、５〜１２μｍであり、好ましくは、７〜１０μｍである。このような第１導電層３は、たとえばＡｇ粒子およびガラスフリットを含有したペーストを基板１の材料となる基板材料にシルクスクリーン等を用いて印刷し、このペーストを焼成することにより形成される。

絶縁層９は、抵抗体層２および一対の第１導電層３を覆っており、これらを保護するためのものである。図示された例においては、絶縁層９は、抵抗体層２のすべてと、一対の第１導電層３の一部ずつと、を覆っている。絶縁層９は、第１端縁９３を有している。第１端縁９３は、第１導電層３上に位置し、ｙ方向に延びる端縁である。図７に示すように、図示された例においては、絶縁層９は、基板１のｙ方向端縁に到達していていないが、絶縁層９が基板１のｙ方向端縁に到達した構成であってもよい。

絶縁層９は、単層または複数層の絶縁材料からなる。絶縁層９の材質としては、たとえばガラス層やエポキシ樹脂が挙げられる。絶縁層９の厚さは特に限定されず、たとえば１５〜４０μｍである。また、図４に示すように、図示された例においては、絶縁層９は、ｘ方向中央側から第１端縁９３に向かうにしたがい、ｚ方向の厚さが徐々に薄くなる部分を有する形状である。このような絶縁層９は、たとえばガラスペーストを抵抗体層２および第１導電層３上にシルクスクリーン等を用いて印刷し、このペーストを焼成することにより形成される。

一対の第２導電層４は、ｘ方向に互いに離間して設けられている。第２導電層４は、絶縁層９の第１端縁９３を跨いで、第１導電層３および絶縁層９を覆っている。図示された例においては、第２導電層４は、第１導電層３のうち第１導電層３から露出した部分と、絶縁層９の一部と、を覆っている。また、図示された例においては、第２導電層４は、第１導電層３の曲面部３２を露出させている。第２導電層４は、第２端縁４１を有する。第２端縁４１は、絶縁層９上に位置しており、ｙ方向に延びる端縁である。第２端縁４１は、第１端縁９３に対してｘ方向中央寄りに位置している。

また、第２導電層４は、第２膨出部４２および曲面部４４を有している。第２膨出部４２は、ｚ方向において基板１から離間するように膨出した形状の部分であり、ｘ方向において第１端縁９３よりも概ね基板１の側面１３側に位置している。頂点４３は、第２膨出部４２のうちｚ方向において基板１から最も離間した部分である。凹部４５は、第２膨出部４２のｘ方向端部であり、概ね第１端縁９３上に位置する凹んだ部分である。曲面部４４は、第１導電層３の曲面部３２に対してｚ方向上方に隣接する部分であり、凸曲面からなる部分である。

第２導電層４の材質は特に限定されず、第１導電層３と適切に導通し、且つ抵抗体層２の材質よりも電気抵抗率が低い材質が選定される。第２導電層４の材質としては、たとえば導電粒子および合成樹脂を含む混合材料が挙げられる。導電粒子は、たとえばカーボン粒子である。また、カーボン粒子の形状は特に限定されず、球形や薄片状等が挙げられる。図５および図６に示すように、図示された例においては、第２導電層４は、薄片状のカーボン粒子を含む。このカーボン粒子は、たとえば厚さ方向と直角である長手方向寸法が５〜１５μｍ程度、短手方向寸法が２〜５μｍ程度である。また、第２導電層４が、薄片状のカーボン粒子を含むことにより、第２導電層４の表面は、凹凸形状となっている。第２導電層４の厚さは特に限定されず、たとえば、１０〜２５μｍであり、好ましくは、１２〜１５μｍである。このような第２導電層４は、たとえば薄片状のカーボン粒子を含む、可撓性エポキシ樹脂を主材としたペーストを第１導電層３および絶縁層９上にシルクスクリーン等を用いて印刷し、このペーストを焼成することにより形成される。

一対の第３導電層５は、ｘ方向に互いに離間して設けられている。第３導電層５は、第２導電層４の第２端縁４１を跨いで、第２導電層４および絶縁層９を覆っている。図示された例においては、第３導電層５は、第２導電層４の一部と、絶縁層９の一部と、を覆っている。第３導電層５は、第３端縁５１および第４端縁５４を有する。第３端縁５１は、第２導電層４上に位置しており、ｙ方向に延びる端縁である。第４端縁５４は、絶縁層９上に位置しており、ｙ方向に延びる端縁である。図示された例においては、第３端縁５１は、ｘ方向において絶縁層９の第１端縁９３と第２導電層４の第２端縁４１との間に位置している。

また、第３導電層５は、第３膨出部５２を有しており、図示された例においては、第３導電層５が第３膨出部５２からなる。第３膨出部５２は、ｚ方向において基板１から離間するように膨出した形状の部分である。頂点５３は、第３膨出部５２のうちｚ方向において基板１から最も離間した部分である。図示された例においては、頂点５３は、ｚ方向において頂点４３よりも基板１から離間している。また、第３膨出部５２のうち頂点５３を含む部分の厚さは、第２導電層４のうち第３膨出部５２が覆う部分の厚さよりも厚い。

第３導電層５の材質は特に限定されず、第２導電層４と適切に導通し、且つ抵抗体層２の材質よりも電気抵抗率が低い材質が選定される。第３導電層５の材質としては、たとえば導電粒子および合成樹脂を含む混合材料が挙げられる。導電粒子は、たとえばＡｇ粒子である。また、Ａｇ粒子の形状は特に限定されず、球形や薄片状等が挙げられる。図６に示すように、図示された例においては、第３導電層５は、合成樹脂５０１および薄片状の金属粒子５０２を含む。この金属粒子５０２は、たとえば厚さ方向と直角である長手方向寸法が５〜１５μｍ程度、短手方向寸法が２〜５μｍ程度であり、図示された例においては、これらの寸法が第２導電層４のカーボン粒子４０２よりも小さい。また、第３導電層５が、薄片状の金属粒子５０２を含むことにより、第３導電層５の表面は、凹凸形状となっている。このような第３導電層５は、たとえば薄片状のＡｇ粒子を含む、可撓性エポキシ樹脂を主材としたペーストを第２導電層４および絶縁層９上にシルクスクリーン等を用いて印刷し、このペーストを焼成することにより形成される。

一対の第６導電層８は、裏面１２に配置されており、ｘ方向両側に設けられている。図２に示すように、図示された例においては、第６導電層８は、ｚ方向視において略矩形状である。また、第６導電層８は、ｚ方向視において側面１３に到達している。第６導電層８は、ｙ方向において基板１の端縁から離れている。図示された例においては、第６導電層８は、傾斜被覆部８１を有する。傾斜被覆部８１は、基板１の傾斜面１５を覆う部分である。

第６導電層８の材質は特に限定されず、抵抗体層２の材質よりも電気抵抗率が低い材質が選定される。第６導電層８の材質としては、たとえばＡｇおよびガラスを含む混合材料が挙げられる。第６導電層８の厚さは特に限定されず、たとえば、５〜１２μｍであり、好ましくは、７〜１０μｍである。このような第６導電層８は、たとえばＡｇ粒子およびガラスフリットを含有したペーストを基板１の材料となる基板材料にシルクスクリーン等を用いて印刷し、このペーストを焼成することにより形成される。

一対の第４導電層６は、ｘ方向に両側に設けられている。図３に示すように、第４導電層６は、主面部６１、裏面部６２および側面部６３を有する。主面部６１は、第１導電層３、第２導電層４、第３導電層５および絶縁層９等を介して主面１１によって支持された部位である。裏面部６２は、第６導電層８を介して裏面１２に支持された部位であり、第６導電層８を覆っている。側面部６３は、側面１３に形成された部位である。

図４に示すように、第４導電層６の主面部６１は、第２導電層４および第３導電層５を覆っており、図示された例においては、第２導電層４のすべておよび第３導電層５のすべてを覆っている。これにより、第３導電層５の第４端縁５４は、第４導電層６によって覆われている。また、第４導電層６の主面部６１の一部は、絶縁層９上に位置している。

第４導電層６は、単層または複数層の金属層からなる。金属層は、たとえばスパッタリング等の薄膜形成手法によって形成されたものや、めっきによって形成されたものが挙げられる。図示された例においては、スパッタリングによって形成された下地層（図示略）と下地層上に形成されためっき層（図示略）とからなる。第４導電層６の材質は特に限定されず、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属またはこれらを含む合金が挙げられる。第４導電層６の厚さは、たとえば３μｍ〜７μｍである。第４導電層６は、基板１、第２導電層４、第３導電層５および第６導電層８の表面形状に沿った形状となっている。

第２導電層４、第３導電層５および第４導電層６の材質は、第３導電層５と第４導電層６との接合強度が、第２導電層４と第４導電層６との接合強度よりも強い関係となるように選定される。上述した例においては、第２導電層４および第３導電層５に含有される合成樹脂が同等の組成である場合、第２導電層４に含まれるカーボン粒子４０２が、第３導電層５に含まれる金属粒子５０２よりも、第４導電層６との接合強度を高める機能を発揮すると考えられる。

一対の第５導電層７は、ｘ方向に両側に設けられている。図３に示すように、第５導電層７は、主面部７１、裏面部７２および側面部７３を有する。主面部７１は、第１導電層３、第２導電層４、第３導電層５、第４導電層６および絶縁層９等を介して主面１１によって支持された部位である。裏面部７２は、第４導電層６および第６導電層８を介して裏面１２に支持された部位であり、第４導電層６の裏面部６２を覆っている。側面部７３は、第４導電層６を介して側面１３に支持された部位であり、第４導電層６の側面部６３を覆っている。

図４に示すように、第５導電層７の主面部７１は、第４導電層６の主面部６１を覆っており、図示された例においては、主面部６１のすべてを覆っている。また、第５導電層７の主面部７１の一部は、絶縁層９上に位置している。

第５導電層７は、単層または複数層の金属層からなる。金属層は、たとえばＳｎ等の金属またはこれを含む合金が挙げられる。第４導電層６の厚さは、たとえば３μｍ〜７μｍである。第５導電層７は、たとえば電解バレルめっきによってＳｎを析出させることによって形成される。

第５導電層７は、第４導電層６の表面形状に沿った形状となっている。図４に示すように、第５導電層７の主面部７１は、頂点７５、頂点７６および凹部７７を有する。頂点７５は、第２導電層４の第２膨出部４２の頂点４３上に概ね位置する部分である。頂点７６は、第３導電層５の第３膨出部５２の頂点５３上に概ね位置する部分である。凹部７７は、絶縁層９の第１端縁９３および第２導電層４の凹部４５上に概ね位置する部分である。すなわち、凹部７７は、ｘ方向において頂点７５と頂点７６との間に位置している。凹部７７は、頂点７５と頂点７６との間においてｚ方向に凹んだ部分である。頂点７５は、凹部７７と側面１３との間において基板１からｚ方向に最も離間した部位である。頂点７６は、凹部７７よりもｘ方向中央側において、基板１からｚ方向に最も離間した部位である。図示された例においては、頂点７６は、頂点７５よりもｚ方向において基板１から離間している。また、頂点７５は、頂点７５および頂点７６よりもｚ方向において基板１に近い。また、頂点７６は、ｚ方向視において絶縁層９と重なる位置にある。

次に、チップ抵抗器Ａ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、図４に示すように、第２導電層４の第２端縁４１は、第３導電層５によって覆われている。これにより、第２導電層４と絶縁層９との境界である第２端縁４１から、使用環境によって存在しうる外部の気体や液体等が、第１導電層３へと進入することを抑制することが可能である。これにより、第１導電層３の変質等を抑制することが可能であり、第１導電層３の導通不良等を回避することができる。また、第３導電層５は、第４導電層６との接合強度が、第２導電層４と第４導電層６との接合強度よりも強い。このため、第４導電層６のうち第２端縁４１と重なる部分が剥離したり、当該箇所に亀裂が生じることを抑制することが可能である。これにより、外部の気体や液体等の進入を抑制することが可能である。したがって、チップ抵抗器Ａ１の機能低下を抑制することができる。特に、本実施形態においては、第１導電層３が、Ａｇを含んでいる。外部の気体や液体等の進入により、このＡｇが硫化すると、第１導電層３が絶縁化されることが懸念される。本実施形態によれば、第１導電層３の硫化を抑制することが可能であり、第１導電層３の絶縁化を回避することができる。

図５および図６に示すように、第２導電層４は、薄片状のカーボン粒子４０２を含んでいる。これにより、第２導電層４の表面を凹凸形状とすることが可能であり、第３導電層５および第４導電層６との接合強度を高めることができる。また、カーボン粒子４０２は、第２導電層４の表面に露出する面積を増大するのに適しており、第２導電層４と第３導電層５および第４導電層６とをより確実に導通させることができる。また、カーボン粒子４０２が露出することは、第４導電層６との接合強度を高めるのに好ましい。

図６に示すように、第３導電層５は、薄片状のＡｇからなる金属粒子５０２を含んでいる。これにより、第３導電層５と第４導電層６との接合強度を高めることができる。また、金属粒子５０２は、合成樹脂５０１から露出しやすいため、金属粒子５０２と第２導電層４のカーボン粒子４０２とが接しやすい。これは、第２導電層４と第３導電層５とをより確実に導通させるのに適している。

図４に示すように、第３導電層５の第３端縁５１は、絶縁層９の第１端縁９３と第２導電層４の第２端縁４１との間に位置している。このため、仮に第３端縁５１において外部の気体や液体等が進入したとしても、第３端縁５１と第１導電層３との間には、絶縁層９が介在している。このため、液体等がｚ方向下方に浸透したとしても、この液体等が第１導電層３に到達することを絶縁層９によって回避することが可能である。したがって、第１導電層３の変質等を防止することができる。また、第１導電層３の硫化を抑制することが可能であり、第１導電層３の絶縁化を回避することができる。

チップ抵抗器Ａ１を電子機器等の回路基板等に実装する場合、基板１の裏面１２が回路基板に正対する姿勢で実装される。この際、第５導電層７には、導電性接合材としてのはんだが付着する。はんだは、第５導電層７の裏面部７２に付着することに加えて、側面部７３および主面部７１に付着することが好ましい場合がある。ただし、はんだが主面部７１の全てを覆い、絶縁層９に到達することは好ましくない。本実施形態においては、第５導電層７の頂点７６が、基板１から最も離間した部位となっている。これにより、はんだを頂点７６において留まらせることが可能であり、はんだが第３導電層５を超えて絶縁層９に至ることを防止することができる。また、頂点７６を設ける観点から、第３導電層５が第３膨出部５２を有し、頂点５３が頂点４３よりもｚ方向において高い位置にあることが好ましい。第３膨出部５２のうち頂点５３を含む部分は、第２導電層４のうち第３導電層５によって覆われた部分よりも厚い。これにより、頂点５３および頂点７６をより高い部位とすることができる。また、第５導電層７が頂点７５を有することにより、頂点７５においてもはんだを留まらせる効果が期待できる。頂点７５を設ける観点から、第２導電層４が第２膨出部４２を有し、頂点４３が形成されていることが好ましい。また、第５導電層７が凹部７７を有することにより、凹部７７においてもはんだを留まらせることが可能である。凹部７７を設ける観点から、第２導電層４が凹部４５を有することが好ましい。

基板１の傾斜面１５を覆う第３導電層５の傾斜被覆部３１は、その表面がｚ方向に対して若干傾いた面となりやすい。次に、曲面部３２は、傾斜被覆部３１に繋がる凸曲面からなる。そして、第２導電層４の曲面部４４は、第１導電層３の曲面部３２に続く凸曲面であり、曲面部３２よりも緩やかな凸曲面である。このような構成により、第１導電層３および第２導電層４のうち基板１の傾斜面１５および主面１１の境界付近を覆う部分が、過大な段差等を有しないなだらかな形状となる。これにより、当該部分を覆う第４導電層６および第５導電層７がなだらかな形状となり、その厚さがより均一となりやすい。したがって、第１導電層３および第２導電層４のうち傾斜面１５および主面１１の境界付近を覆う部分が、第４導電層６や第５導電層７から露出してしまうことを抑制することができる。

図８〜図２６は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

図８は、本開示の第２実施形態に係るチップ抵抗器を示している。本実施形態のチップ抵抗器Ａ２は、第３導電層５の構成が上述した実施形態と異なっている。

本実施形態においては、第３導電層５は、第３膨出部５２および第４膨出部５５を有している。第４膨出部５５は、第３膨出部５２と同様に、ｚ方向において基板１から離間するように膨出した部分である。第４膨出部５５は、第３膨出部５２と離間しており、ｘ方向において第４膨出部５５と側面１３との間に位置している。図示された例においては、第４膨出部５５は、第１端縁９３のｚ方向上方に配置されており、第２導電層４の凹部４５を覆っている。また、第４膨出部５５は、第２導電層４の曲面部４４を露出させている。

このような実施形態によっても、チップ抵抗器Ａ２の機能低下を抑制することができる。また、第３導電層５が、第３膨出部５２に加えて第４膨出部５５を有することにより、第４導電層６が剥離したり、第４導電層６と第２導電層４および第３導電層５との間に亀裂が生じることを抑制するのに好ましい。

図９〜図１６は、本開示の第３実施形態に係るチップ抵抗器を示している。本実施形態のチップ抵抗器Ａ３は、抵抗体層２の導通経路を延長することにより、サージ電流が流れた場合の損傷等を抑制することが意図された構成である。

図９は、チップ抵抗器Ａ３を示す要部平面図である。図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図９のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、チップ抵抗器Ａ３を示す要部拡大断面図である。図１４は、チップ抵抗器Ａ３の製造工程を示す平面図である。図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。図１６は、図１４のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。図１７は、チップ抵抗器Ａ３の製造工程を示す要部拡大断面図である。

本実施形態においては、第１導電層３は、延出部３３を有している。延出部３３は、ｘ方向中央に向けて延出する部分である。また、抵抗体層２は、延出部２３を有している。延出部２３は、ｘ方向外方に向けて延出する部分である。延出部２３のうち延出部３３に重なる部分が、被覆部２１となっている。

抵抗体層２は、複数の溝２２を有している。溝２２は、抵抗体層２の内方に向かって入り込む形状とされた細長い切り欠き部分である。なお、理解の便宜上、同図においては、溝２２を一点鎖線によって囲んでおり、以降の図においても同様である。本実施形態においては、服薄の溝２２は、いずれもｙ方向を長手方向とする細長い形状である。複数の溝２２は、ｙ方向図中上側に設けられたものと、ｙ方向図中下側に設けられたものとが、交互に配置されている。このような複数の溝２２が設けられることにより、抵抗体層２は、蛇行形状とされており、チップ抵抗器Ａ１の抵抗体層２と比べて導通経路が延長されている。複数の溝２２は、いずれもがｙ方向に沿っている。

本実施形態においては、複数の溝２２は、第１溝２２１および第２溝２２２を含んでいる。図９および図１３に示すように、第１溝２２１は、主面１１を露出させている。第２溝２２２は、基板１に形成された溝部１７とｚ方向視において一致している。図１０〜図１２に示すように、溝部１７は、主面１１から凹んでおり、図示された例においては、ｙ方向を長手方向とする細長形状である。図示された例においては、ｘ方向中央寄りに２つの第１溝２２１が配置され、ｘ方向外方に２つの第２溝２２２が配置されている。２つの第１溝２２１は、ｙ方向において互いに反対側に設けられており、２つの第２溝２２２は、ｙ方向において互いに反対側に設けられている。

本実施形態においては、絶縁層９は、第１絶縁層９１および第２絶縁層９２を有している。第１絶縁層９１は、基板１および抵抗体層２を直接覆っている。第２絶縁層９２は、第１絶縁層９１と第１絶縁層９１の周辺に位置する抵抗体層２および第１導電層３とを覆っている。図１０および図１１に示すように、第１絶縁層９１は、抵抗体層２の延出部２３の一部を除き、抵抗体層２の大部分を覆っており、第１導電層３を覆っていない。第１絶縁層９１および第２絶縁層９２の材質は特に限定されない。図示された例においては、第１絶縁層９１は、たとえばガラスからなり、第２絶縁層９２は、エポキシ樹脂からなる。絶縁層９の形成においては、たとえばガラスペーストを印刷した後に焼成することにより第１絶縁層９１を形成し、第１絶縁層９１を覆うようにエポキシ樹脂を主剤としたペーストを印刷した後に焼成することにより、第２絶縁層９２を形成する。

図１３に示すように、主面１１のうち第１溝２２１から露出する部分は、第１絶縁層９１によって覆われている。一方、図１０〜図１２に示すように、第１絶縁層９１は、溝９１１を有する。溝９１１は、ｚ方向視において基板１の溝部１７とその全体が一致する開口部分である。すなわち、溝部１７と第２溝２２２と溝９１１とは、ｚ方向視において互いに一致している。このため、溝部１７は、第１絶縁層９１によっては覆われておらず、第２絶縁層９２によって覆われている。言い換えると、第２絶縁層９２は、第１絶縁層９１の溝９１１を通じて抵抗体層２の第２溝２２２および基板１の溝部１７に充填されている。溝部１７、第２溝２２２および溝９１１の内面は、互いの間に段差等を有さず、滑らかに繋がっている。

図１４〜図１７は、チップ抵抗器Ａ３の製造工程の一例を示している。本例においては、基板１を複数個形成可能な基板材料１０を用いている。図１４〜図１６に示すように、基板材料１０の主面１１に、抵抗体層２、第１導電層３および第１絶縁層９１を印刷および焼成により形成する。なお、図１４においては、理解の便宜上第１絶縁層９１を省略している。抵抗体層２は、２つの溝２２および２つの凹部２４を有している。２つの溝２２は、いずれも第１溝２２１である。基板１には、上述した溝部１７は、いまだ形成されていない。基板１のうち溝部１７が設けられる箇所は、抵抗体層２および第１絶縁層９１によって覆われている。すなわち、抵抗体層２は、第２溝２２２を有しておらず、第１絶縁層９１は、溝９１１を有していない。図示された例においては、２つの凹部２４が、後述の工程において第２溝２２２を形成すべき場所を示すものとして利用される。

次いで、図１４および図１７に示すように、レーザー光Ｌを用いて抵抗体層２のトリミングを行う。このトリミングの目的としては、たとえば抵抗体層２の導通経路の延長や抵抗体層２の抵抗値の調整が挙げられる。図１４に示すように、凹部２４から矢印で示された経路にレーザー光Ｌを走査させる。これにより、図１７に示すように、第１絶縁層９１および抵抗体層２のうちレーザー光Ｌが照射された部分が、全厚にわたって除去される。また、基板１のうちレーザー光Ｌが照射された部分が除去される。これにより、基板１に溝部１７が形成され、抵抗体層２および第１絶縁層９１に第２溝２２２および溝９１１が形成される。このような手法を採用することにより、溝部１７、第２溝２２２および溝９１１は、ｚ方向視において互いに一致する。また、溝部１７、第２溝２２２および溝９１１の内面は、互いの間に段差等を有さず、滑らかに繋がる。

このような実施形態によっても、チップ抵抗器Ａ３の機能低下を抑制することができる。また、抵抗体層２の導通経路が延長されていることにより、サージ電流が流れた場合の損傷等を抑制することが可能である。

図１８〜図２３は、本開示の第４実施形態に係るチップ抵抗器を示している。

図１８は、チップ抵抗器Ａ４を示す要部平面図である。図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。図２０は、図１８のＸＸ−ＸＸ線に沿う断面図である。図２１は、図１８のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図１８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図２３は、図１８のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。なお、図１８においては、理解の便宜上、基板１、抵抗体層２および第１導電層３以外の構成要素を省略している。

本実施形態のチップ抵抗器Ａ４は、ｚ方向視におけるｘ方向寸法とｙ方向寸法との比率が、チップ抵抗器Ａ１〜チップ抵抗器Ａ３とは異なっている。本実施形態においては、チップ抵抗器Ａ４のｙ方向寸法は、ｘ方向寸法よりも長い。

一対の第１導電層３は、基板１の主面１１においてｘ方向両側に設けられている。図１８における図中右方の第１導電層３は、図中左方の第１導電層３よりもｙ方向寸法が短く、ｙ方向において図中上側に偏って配置されている。

上述したチップ抵抗器Ａ３と同様に、本実施形態においても抵抗体層２の導通経路が延長されている。抵抗体層２は、複数の溝２２を有している。本実施形態においては、複数の溝２２は、第２溝２２２のみを含むが、上述した第１溝２２１を含んでいてもよい。２つの第２溝２２２は、ｘ方向を長手方向とするものと、ｙ方向を長手方向とするものとを含む。図１８、図２０、図２１および図２３に示すように、第２溝２２２は、基板１の溝部１７とｚ方向視において一致している。また、第２溝２２２は、第１絶縁層９１の溝９１１とｚ方向視において一致している。このような第２溝２２２は、たとえば図１７に示した手法と同様の手法によって形成することができる。

このような実施形態によっても、チップ抵抗器Ａ４の機能低下を抑制することができる。また、抵抗体層２の導通経路が延長されていることにより、サージ電流が流れた場合の損傷等を抑制することが可能である。

図２４〜図２６は、本開示の第５実施形態に係るチップ抵抗器を示している。

図２４は、チップ抵抗器Ａ５を示す断面図である。図２５は、チップ抵抗器Ａ５を示す要部拡大断面図である。図２６は、チップ抵抗器Ａ５の製造工程を示す要部拡大断面図である。

図２４および図２５に示すように、チップ抵抗器Ａ５は、基板１、抵抗体層２、第１導電層３、下地導電層６０、第４導電層６および第５導電層７を備えている。基板１、抵抗体層２および第１導電層３の構成は、たとえば上述したチップ抵抗器Ａ１と同様である。絶縁層９は、上述したチップ抵抗器Ａ３およびチップ抵抗器Ａ４と同様に、第１絶縁層９１および第２絶縁層９２を有している。

下地導電層６０は、金属層からなり、たとえばスパッタリングによって形成されたＮｉ層である。下地導電層６０の厚さは特に限定されず、たとえば３００ｎｍ〜７００ｎｍである。下地導電層６０は、主面部６０１、裏面部６０２および側面部６０３を有する。

主面部６０１は、抵抗体層２、第１導電層３および第１絶縁層９１を介して基板１の主面１１に支持されている。主面部６０１は、第１絶縁層９１の第１端縁９３を跨いで、第１絶縁層９１および第１導電層３を覆っている。裏面部６０２は、第６導電層８を介して基板１の裏面１２に支持されている。裏面部６０２は、第６導電層８の一部を覆っている。側面部６０３は、側面１３に支持されており、側面１３および第１導電層３の傾斜被覆部３１を覆っている。

図２５に示すように、第２絶縁層９２は、下地導電層６０の主面部６０１の一部を覆っている。第２絶縁層９２の第５端縁９４は、主面部６０１上に位置しており、第１端縁９３に対してｘ方向中央寄りに位置している。

第４導電層６の主面部６１は、下地導電層６０の主面部６０１のうち第２絶縁層９２から露出した部分を覆っている。すなわち、主面部６１は、第２絶縁層９２の第５端縁９４に対して概ねｘ方向外側に設けられている。

第５導電層７の主面部７１は、第４導電層６の主面部６１を覆っている。主面部７１は、第２絶縁層９２の第５端縁９４近傍の一部を覆い得るが、第２絶縁層９２のほとんどを露出させている。

図２６は、チップ抵抗器Ａ５の製造工程例を示している。基板材料１０に、抵抗体層２、第１導電層３および第１絶縁層９１を、たとえば印刷および焼成を用いて形成する。次いで、マスクＭを用いて第１絶縁層９１の一部を露出させた状態で、スパッタリングにより下地導電層６０を形成する。これにより、下地導電層６０の主面部６０１は、第１絶縁層９１の一部を覆う構成となる。この後は、第１絶縁層９１と下地導電層６０の主面部６０１の一部とを覆うように、第２絶縁層９２を形成する。そして、第４導電層６および第５導電層７を順次形成することにより、チップ抵抗器Ａ５が得られる。

このような実施形態によれば、第５端縁９４を挟んで、絶縁層９の第２絶縁層９２と第４導電層６の主面部６１とが、下地導電層６０の主面部６０１に接合される。下地導電層６０は、スパッタリングを用いて形成されるため、下地導電層６０が形成された領域は、微小な凹凸を有する微細な粗面となり易い。このため、第２絶縁層９２および主面部６１と、第１絶縁層９１との接合強度を高めることが可能であり、第５端縁９４から外部の気体や液体等が内部に進入することを抑制することが可能である。したがって、チップ抵抗器Ａ５の機能低下を抑制することができる。また、第１導電層３の硫化を抑制することが可能であり、第１導電層３の絶縁化を回避することができる。

本開示に係るチップ抵抗器は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るチップ抵抗器の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面および前記裏面の間に位置する側面と、を有する基板と、
前記主面に配置された抵抗体層と、
前記主面に配置され、前記抵抗体層に導通する第１導電層と、
前記抵抗体層と前記第１導電層とを覆い、前記第１導電層上に位置する第１端縁を有する絶縁層と、
前記第１端縁を跨いで、前記第１導電層および前記絶縁層を覆い、前記絶縁層上に位置する第２端縁を有する、第２導電層と、
前記第２端縁を跨いで、前記第２導電層および前記絶縁層を覆い、前記第２導電層上に位置する第３端縁を有する、第３導電層と、
前記第３端縁を跨いで、前記第２導電層および前記第３導電層を覆う第４導電層と、を備え、
前記第３導電層と前記第４導電層との接合強度は、前記第２導電層と前記第４導電層との接合強度よりも強い、チップ抵抗器。
〔付記２〕
前記第１導電層は、Ａｇを含む、付記１に記載のチップ抵抗器。
〔付記３〕
前記第２導電層は、合成樹脂およびカーボンを含む、付記１または２に記載のチップ抵抗器。
〔付記４〕
前記第２導電層に含まれるカーボンは、薄片状である、付記３に記載のチップ抵抗器。
〔付記５〕
前記第３導電層は、合成樹脂およびＡｇを含む、付記１ないし４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
〔付記６〕
前記第３導電層に含まれるＡｇは、薄片状である、付記５に記載のチップ抵抗器。
〔付記７〕
前記第３端縁は、前記第１端縁と前記第２端縁との間に位置する、付記１ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
〔付記８〕
前記第３導電層は、前記絶縁層上に位置する第４端縁を有する、付記７に記載のチップ抵抗器。
〔付記９〕
前記第４導電層は、前記第４端縁を覆う、付記８に記載のチップ抵抗器。
〔付記１０〕
前記第２導電層は、前記基板の前記側面と前記絶縁層の前記第１端縁との間において前記基板の前記主面から離間するように膨出した第２膨出部を有する、付記１ないし９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
〔付記１１〕
前記第３導電層は、前記基板の前記基板から離間するように膨出した第３膨出部を有する、付記１０に記載のチップ抵抗器。
〔付記１２〕
前記第３膨出部の頂点は、前記第２膨出部の頂点よりも前記基板の前記主面から離間している、付記１１に記載のチップ抵抗器。
〔付記１３〕
前記第４導電層は、Ｎｉを含む、付記１ないし１２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
〔付記１４〕
前記第４導電層を覆う第５導電層を備える、付記１ないし１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
〔付記１５〕
前記第５導電層は、Ｓｎを含む、付記１４に記載のチップ抵抗器。
〔付記１６〕
前記抵抗体層は、複数の溝を有する、付記１ないし１５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
〔付記１７〕
前記複数の溝は、
前記基板の前記主面を露出させる第１溝と、
前記基板に形成された前記主面から凹む溝部と前記厚さ方向視において一致する第２溝と、を含む、付記１６に記載のチップ抵抗器。
〔付記１８〕
第１方向に離間する一対の前記第１導電層を備えており、
前記複数の溝は、前記第１方向と直角である第２方向に沿っている、付記１６または１７に記載のチップ抵抗器。
〔付記１９〕
第１方向に離間する一対の前記第１導電層を備えており、
前記複数の溝は、前記第１方向に沿うものと、前記第１方向と直角である第２方向に沿ったものと、を含んでいる、付記１６または１７に記載のチップ抵抗器。

Claims

厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面および前記裏面の間に位置する側面と、を有する基板と、
前記主面に配置された抵抗体層と、
前記主面に配置され、前記抵抗体層に導通する第１導電層と、
前記抵抗体層と前記第１導電層とを覆い、前記第１導電層上に位置する第１端縁を有する絶縁層と、
前記第１端縁を跨いで、前記第１導電層および前記絶縁層を覆い、前記絶縁層上に位置する第２端縁を有する、第２導電層と、
前記第２端縁を跨いで、前記第２導電層および前記絶縁層を覆い、前記第２導電層上に位置する第３端縁を有する、第３導電層と、
前記第３端縁を跨いで、前記第２導電層および前記第３導電層を覆う第４導電層と、を備え、
前記第３導電層と前記第４導電層との接合強度は、前記第２導電層と前記第４導電層との接合強度よりも強い、チップ抵抗器。
前記第１導電層は、Ａｇを含む、請求項１に記載のチップ抵抗器。
前記第２導電層は、合成樹脂およびカーボンを含む、請求項１または２に記載のチップ抵抗器。
前記第２導電層に含まれるカーボンは、薄片状である、請求項３に記載のチップ抵抗器。
前記第３導電層は、合成樹脂およびＡｇを含む、請求項１ないし４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記第３導電層に含まれるＡｇは、薄片状である、請求項５に記載のチップ抵抗器。
前記第３端縁は、前記第１端縁と前記第２端縁との間に位置する、請求項１ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記第３導電層は、前記絶縁層上に位置する第４端縁を有する、請求項７に記載のチップ抵抗器。
前記第４導電層は、前記第４端縁を覆う、請求項８に記載のチップ抵抗器。
前記第２導電層は、前記基板の前記側面と前記絶縁層の前記第１端縁との間において前記基板の前記主面から離間するように膨出した第２膨出部を有する、請求項１ないし９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記第３導電層は、前記基板の前記基板から離間するように膨出した第３膨出部を有する、請求項１０に記載のチップ抵抗器。
前記第３膨出部の頂点は、前記第２膨出部の頂点よりも前記基板の前記主面から離間している、請求項１１に記載のチップ抵抗器。
前記第４導電層は、Ｎｉを含む、請求項１ないし１２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記第４導電層を覆う第５導電層を備える、請求項１ないし１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記第５導電層は、Ｓｎを含む、請求項１４に記載のチップ抵抗器。
前記抵抗体層は、複数の溝を有する、請求項１ないし１５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記複数の溝は、
前記基板の前記主面を露出させる第１溝と、
前記基板に形成された前記主面から凹む溝部と前記厚さ方向視において一致する第２溝と、を含む、請求項１６に記載のチップ抵抗器。
第１方向に離間する一対の前記第１導電層を備えており、
前記複数の溝は、前記第１方向と直角である第２方向に沿っている、請求項１６または１７に記載のチップ抵抗器。
第１方向に離間する一対の前記第１導電層を備えており、
前記複数の溝は、前記第１方向に沿うものと、前記第１方向と直角である第２方向に沿ったものと、を含んでいる、請求項１６または１７に記載のチップ抵抗器。