JPWO2019065965A1 - 導電性ペースト - Google Patents
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Abstract
Description
第1の平均粒子径として平均粒子径が1〜500nmの範囲内にある銀粒子と、
アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、インジウム、スズ、ガリウム、ゲルマニウム及びビスマスの群から選択される1つ又は2つ以上の金属と、
アミン化合物と、
を含み、前記アミン化合物の物質量が、前記金属の物質量以上である。なお、本実施形態に係る導電性ペーストは、更にその他の成分を含んでいても良い。
本実施形態に係る導電性ペーストは、無機粒子として、平均粒子径が1〜500nmの範囲内にある銀粒子を含む。
D10:銀粒子の体積基準における10%積算径(μm)
D50:銀粒子の体積基準における50%積算径(μm)
D90:銀粒子の体積基準における90%積算径(μm)
本実施形態に係る異種金属とは、銀とは異なる金属のことを指し、銀に対する接合性が低い基材に対する、本実施形態に係る導電性ペーストの接合性を向上させるための金属を指す。具体的には、電子材料分野において基材となり得る、銀を主成分として含む導電性ペーストにおいて接合性が低い、ニッケルなどの金属、酸化アルミニウム、酸化インジウムスズ(ITO)などの金属酸化物、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、ガラス、シリコンなどの半導体材料などの材料に対する、導電性ペーストの接合性を向上させるための金属を指す。
一般的に、2種類の材料Aと材料Bとを接合させる場合、AとBとが相互拡散しやすいほど接合が容易となる。電子材料分野において具体例を挙げると、ニッケル、シリコン及びシリコンカーバイドなどは、銀と相互拡散しづらい元素を含むため、銀を主原料として含む導電性ペーストは、ニッケル、シリコン及びシリコンカーバイドなどの基材に対して接合性が低かった。
条件2:基材よりも標準電極電位が低く、かつ銀と合金化する元素:
条件3:基材よりも標準電極電位が低い第一元素と、標準電極電位が銀と第一元素の間にある第二元素群を含み、第二元素は銀と第一元素の両者と合金化する元素。
ここで、E0は標準電極電位、△G0は酸化反応の標準ギブスエネルギー変化、Kはその平行定数、Fはファラデー定数、Tは絶対温度、nは酸化反応に関与する電子数である。従って、標準電極電位は温度により変動するので、図6においては25℃における標準電極電位を採用している。
本実施形態に係る導電性ペーストは更に、アミン化合物を含む。この際、導電性ペースト中におけるアミン化合物の含有量は、アミン化合物の物質量が、上記説明した異種金属の物質量以上となるようにする。なお、導電性ペースト中におけるアミン化合物の含有量は、第1の平均粒子径を有する銀粒子及び第2の平均粒子径を有する銀粒子に被覆しているアミン化合物と、系中に遊離しているアミン化合物と、の合計量を意味する。
本実施形態に係る導電性ペーストは、導電性ペーストの特性を向上させるためのその他の成分を含んでいても良い。
その他の成分としては、例えば、無機粒子として、上述の第1の平均粒子径よりも大きい第2の平均粒子径を有する銀粒子が挙げられる。なお、本実施形態における、平均粒子径は、レーザー回折法により測定された粒度分布(体積基準)において積算値50%の粒子径を指す。
D10:銀粒子の体積基準における10%積算径(μm)
D50:銀粒子の体積基準における50%積算径(μm)
D90:銀粒子の体積基準における90%積算径(μm)
《異なる粒子径を有する銀粒子を混合することの効果》
本実施形態に係る導電性ペーストは、第1の平均粒子径を有する銀粒子と、第1の平均粒子径よりも大きい第2の平均粒子径を有する銀粒子とを含むことが好ましい。第2の平均粒子径を有する銀粒子間の隙間に、第1の平均粒子径を有する銀粒子が入り込むため、空間率が減少し、銀粒子の充填率が向上する。また、銀粒子表面に形成される溶剤被覆剤(被覆膜)の量が多い第1の平均粒子径を有する銀粒子の使用量を低減することができる。結果として、本実施形態に係る導電性ペーストを半導体素子接合用途で使用する場合、焼成後により緻密な接合層が得られ、高い接合強度が実現される。
その他の成分としては、導電性ペーストの特性を失わない限り特に限定されないが、例えば、分散体中に粒子を安定的に分散させるために、末端に官能基などを有する分散剤を含んでいてもよい。分散剤を含むことにより、分散剤の官能基を粒子の表面に配位させて粒子同士の接近を阻害することで粒子の再凝集を抑制し、粒子の分散性を向上させることができる。
《異種金属の溶解性》
アミン化合物を使用することで、異種金属が系中に溶解しやすくなることを確認した実施例について下記に説明する。
導電性ペーストの材料として、下記の材料を準備した。
第1の平均粒子径を有する銀粒子その2:銀微粒子(昭栄化学工業株式会社製、製品名:AG−202、平均粒径250nm)、
異種金属(塩)その1:2−エチルヘキサン酸マンガン(II)ミネラルスピリット溶液(和光純薬製、Mn:8質量%)、
異種金属(塩)その2:オクタン酸ジルコニウム(IV)(三津和化学薬品株式会社製、Zr:13.5質量%)、
異種金属(塩)その3:2−エチルヘキサン酸クロム(III)(Strem製、Cr:9質量%)、
異種金属(塩)その4:2−エチルヘキサン酸アルミニウム(III)(ナカライテスク製、Al:8.2質量%)、
異種金属(塩)その5:2−エチルヘキサン酸チタン(IV)(楠本化成製、Ti:7.7質量%)、
異種金属(塩)その6:2−エチルヘキサン酸銅(II)(三津和化学薬品製、Cu:18.2質量%)、
異種金属(塩)その7:2−エチルヘキサン酸亜鉛(II)(和光純薬工業製、Zn:15.0質量%)、
異種金属(塩)その8:酢酸インジウム(III)(和光純薬工業製、In:39.3質量%)、
異種金属(塩)その9:2−エチルヘキサン酸スズ(II)(和光純薬工業製、Sn:29.3質量%)、
異種金属(塩)その10:2−エチルヘキサン酸ビスマス(II)(Strem製、Bi:32.7質量%)、
異種金属(塩)その11:酢酸ロジウム(II)(東京化成工業製、Ru:46.6質量%)、
異種金属(塩)その12:アセチルアセトンルテニウム(III)(東京化成工業製、Rh:25.4質量%)、
異種金属(塩)その13:酢酸パラジウム(II)(和光純薬工業製、Pd:47.4質量%)、
溶剤その1:AF7号ソルベント(JX日鉱日石エネルギー製、蒸留温度260〜278℃)、
上記の銀微粒子35質量部、アルキルアミンとしてドデシルアミン(分子量185.36)7質量部、有機溶剤としてトルエン(沸点110.6℃)58質量部を含む、平均粒子径5nmの銀微粒子の分散液、又は上記銀微粒子分散液から、溶媒を減圧蒸留により留去して、銀微粒子のスラリーを得た。このスラリーを熱分析装置にて500℃まで昇温して測定し、質量減少率から銀含有率を算出したところ、得られたスラリーの銀含有率は83.3%であった。
し、導電性ペーストを得た。異種金属塩を使用する場合は、導電性ペースト中の銀質量に対する各異種金属塩量を算出して、後述する表1に記載の通りの量で添加した。
導電性ペーストの材料として、下記の材料を準備した。
第2の平均粒子径を有する銀粒子その1:銀粉(DOWAエレクトロニクス株式会社製、製品名:Ag−2−1C、平均粒径1.0μm)、
第2の平均粒子径を有する銀粒子その2:銀粉(株式会社徳力本店製、製品名:TC-506C、平均粒径4.0μm)、
分散剤その1:2−エチルヘキシルオキシプロピルアミン(広栄化学工業製、分子量187.32)、
分散剤その2:ネオデカン酸(ヘキシオンスペシャルティケミカルズ製、分子量172.26)、
異種金属(塩)その14:2−エチルヘキサン酸マンガン(II)ミネラルスピリット溶液(和光純薬工業製、Mn量:8質量%)、
異種金属(塩)その15:オクタン酸ジルコニウム(IV)(三津和化学薬品製、Zr量:13.5質量%)、
異種金属(塩)その16:2−エチルヘキサン酸クロム(III)(Strem製、Cr量:9質量%)、
異種金属(塩)その17:2−エチルヘキサン酸アルミニウム(II)(ナカライテスク製、Al量:8.2質量%)、
異種金属(塩)その18:2−エチルヘキサン酸チタン(IV)(楠本化成製、Ti量:7.7質量%)、
異種金属(塩)その19:2−エチルヘキサン酸銅(II)(三津和化学薬品製、Cu量:18.2質量%)、
異種金属(塩)その20:2−エチルヘキサン酸亜鉛(II) ミネラルスピリット溶液(和光純薬工業製、Zn量:15.0質量%)、
異種金属(塩)その21:酢酸インジウム(III)(和光純薬工業製、In量:39.3質量%)、
異種金属(塩)その22:2−エチルヘキサン酸スズ(II)(和光純薬工業製、Sn量:29.3質量%)、
異種金属(塩)その23:2−エチルヘキサン酸ビスマス(II)(和光純薬工業製、Bi量:32.7質量%)、
異種金属(塩)その24:アセチルアセトンルテニウム(III)(東京化成工業製、Ru量:46.6質量%)、
異種金属(塩)その25:酢酸ロジウム(II)(東京化成工業製、Rh量:46.6質量%)、
異種金属(塩)その26:酢酸パラジウム(II)(和光純薬工業製、Pd量:47.4質量%)、
異種金属(塩)その27:酢酸マンガン(II)(和光純薬工業製、Mn量:31.8質量%)、
溶剤その2:ヘキシルカルビトール(分子量190.28、沸点258℃)。
実施例及び比較例で得られた導電性ペーストについて、下記の方法で基材への接合性評価試験を実施した。
ニッケル板(日本冶金工業株式会社製、純度99%)の各々に対して、実施例及び比較例で得られた導電性ペーストを所定の量で塗布した。その後、導電性ペーストを塗布した各々の金属板を、有風乾燥炉 (エスペック株式会社製、商品名:STH−120)を用いて大気中300℃で60分間加熱して、導電性ペーストを焼結させた。導電性ペーストの塗布量は、焼成後の導電性ペーストの膜(以後、焼成膜)の膜厚が15μmとなるように設定した。
また、一部の実施例及び比較例で得られた導電性ペーストを用いて、窒素雰囲気下、300℃30分、10MPaで加圧して銅板と、シリコン側からみてチタンスパッタ/ニッケルめっき付シリコンチップ(5mm2)を接合させた。得られた接合体に対して、シリコンチップのシェア強度を測定した。
Claims (6)
- 第1の平均粒子径として平均粒子径が1〜500nmの範囲内にある銀粒子と、
アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、インジウム、スズ、ガリウム、ゲルマニウム及びビスマスの群から選択される1つ又は2つ以上の金属と、
アミン化合物と、
を含み、
前記アミン化合物の物質量が、前記金属の物質量以上である、
導電性ペースト。 - 前記第1の平均粒子径よりも大きい第2の平均粒子径を有する銀粒子を更に有する、
請求項1に記載の導電性ペースト。 - 前記第2の平均粒子径は、0.1μm〜10μmの範囲内である、
請求項2に記載の導電性ペースト。 - 前記金属は、前記導電性ペースト中において、粒子、金属酸化物、金属塩及び有機金属錯体の群から選択される1つ又は2つ以上の形態で存在する、
請求項1に記載の導電性ペースト。 - 前記導電性ペースト中の銀の質量に対する、前記金属の質量は、0.001質量%〜5質量%の範囲内である、
請求項1に記載の導電性ペースト。 - 請求項1に記載の導電性ペーストを加熱処理することにより得られる、焼成膜。
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