JPWO2018193664A1 - 成膜装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2017年4月18日に日本国に出願された特願2017−81840号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
一方、不要な反応生成物を前述のように基板保持部を加熱しながら水素を供給する場合、シリコンや3C−SiC共に、十分除去することはできない。
図示するように、クリーニング後に成膜したSiC膜の表面には非常に多くの欠陥が存在する。
検討の結果、ClF3ガスを用いた上記除去及び水素アニール後に成膜した際に、SiC膜中に含まれる不要な不純物の量が少ないことが判明した。例えば、処理室内に水素ガスを流しながら、サセプタの温度を上げて所定時間保持する水素アニールを行うことにより、SiC膜のキャリア濃度を所望の値にすることができ、水素アニールによりSiC膜中の不要な不純物の濃度を減らすことができた。
例えば、ClF3ガスの流量が1000sccmと多い場合、水素アニール後に成膜したSiC膜の欠陥マップは、図2(B)の欠陥マップと同様になり、SiC膜の表面には非常に多くの欠陥が存在する。
処理容器11には、排気ライン12が接続されており、処理容器11は、排気ライン12により所定の減圧状態(圧力)に調整することが可能となっている。排気ライン12は、処理容器11に一端が接続される排気管12aを有する。排気管12aは、排気マニホールド等から成り、処理容器側とは反対側にメカニカルブースターポンプ等からなる真空ポンプ12bが接続されている。排気管12aにおける処理容器11と真空ポンプ12bとの間には、APC(自動圧力制御)バルブや比例制御弁等からなる、処理容器11内の圧力を調整する圧力調整部12cが設けられている。また、処理容器11には、圧力計13が設けられており、圧力調整部12cによる処理容器11内の圧力の調整は、圧力計13での計測結果に基づいて行われる。
処理容器11の内部には、図4に示すように、被処理基板としてのSiC基板Wを保持すると共に加熱する基板保持部15が設けられている。なお、SiC基板Wの表面の面方位は例えば(0001)である。
成膜装置1では、基板Wは、基板W自身のコイル14からの誘導加熱に加えて、誘導加熱された基板保持部15からの輻射や熱伝導により加熱される。このような構成にすることにより、基板Wを、効率的に、また、温度の均一性を良好に加熱することが可能になっている。なお、処理容器本体11aは、温度上昇に耐えるとともに、誘電損失が少ない材料(例えば石英)により構成される。また、基板保持部15の載置台15a及び収容構造体15bは、耐熱性が高くかつ誘導加熱による加熱が容易な導電性材料で形成されており、例えば、保護膜としてのSiC膜で表面がコーティングされたグラファイト製の部材から構成される。
基板保持部15は、例えば、いわゆるバルク材料と呼ばれる程度に密度が大きいカーボン材料を用いて形成され、断熱材16は、例えば、上記バルク材料に比べて空隙率が著しく大きい繊維状のカーボン材料を用いて形成される。
なお、図示は省略するが、断熱材16の外側には、断熱材16を処理容器11から離間させた状態で該断熱材16を保持するための保持構造体が設けられている。
処理容器11内には、ガス供給ライン17により成膜の原料となる原料ガス等が供給されるよう構成されている。ガス供給ライン17は、処理容器11に接続されるガス供給管17aと、該ガス供給管17aに接続されるガス供給管17b1〜17b5とを有する。
ガス供給管17b1には、ガス供給源17e1が接続され、該供給源17e1からSiH4ガスが供給される。同様に、ガスライン17b2〜17b5にはそれぞれガス供給源17e2〜17e5が接続され、各ガス供給源17e2〜17e5からC3H8ガス、H2ガス、ClF3ガス、Arガスが供給される。
また、処理容器11のクリーニングの際には、ガス供給管17b3〜17b5からClF3ガス、H2ガス、Arガスのうちの1種が、または、これらのうちの2種以上のガスが混合されて、処理容器11に供給される。
なお、大気導入ライン18は、処理容器11内を大気雰囲気とすることができればよく、接続先は排気管12aに限られない。また、配管18aには大気から塵や埃等を除去するため不図示のフィルタを設けることが好ましい。
次に、成膜装置1を用いた、成膜処理と該成膜装置1のクリーニング処理とを含む基板処理を説明する。図5は、第1の実施形態に係る上記基板処理の一例を説明するためのフローチャートを示す図である。
まず、不図示の搬送手段を用いて、不図示のゲートバルブを介して、基板Wを処理容器11内に搬入し、載置台15a上に載置する(ステップS1)。
また、このClF3ガスを用いた除去工程では、断熱材16や処理容器11等については著しい劣化はない。成膜装置1では、誘導加熱により基板保持部15のみを選択的に加熱することができるからである。
3SiC+8ClF3→3SiF4+3CF4+4Cl2
3Si+4ClF3→3SiF4+2Cl2
3SiHX+4ClF3→3SiF4+4HCl+nH2
このように上記所定の物質を除去することできるため、一連のクリーニング処理の後に成膜したSiC膜中の不要な不純物及び欠陥の量を大幅に減らすことができる。
本発明者らの検討によれば、例えば、ClF3ガスにより載置台15a上の3C−SiCの表面が変質され、該表面がカーボンリッチ層となることがある。また、三角欠陥の原因として、成膜雰囲気中のパーティクルの存在や高C/Si条件での成長が知られており、カーボンリッチ層からの炭素の粉が三角欠陥の原因となるパーティクルとなる可能性や、カーボンリッチ層がエッチングされて発生したCH系ガスが成長雰囲気のカーボンリッチ化を促した可能性が考えられる。
水素アニールを行うことで、カーボンリッチ化した3C−SiCを除去することができる。
したがって、一連のクリーニング処理の後に成膜したSiC膜中の不要な不純物及び欠陥の量をさらに減らすことができる。
なお、この大気を排出する工程に用いるガスは、水分や酸素を含まず、上記後の成膜時にドーパントとして取り込まれることがなければ、Arガス以外であってもよい。
図6は、第2の実施形態に係る基板処理の一例を説明するためのフローチャートを示す図である。
図7に示すように、実施例は比較例1に比べてボロン濃度が非常に低く、デバイスとして使用可能な基準レベル(0.01ppm以下)を満たしている。
図8(A)及び図9(A)に示すように、比較例2では、三角欠陥がSiC基板W全体に亘って観察された。
それに対し、実施例では、図8(B)及び図9(B)に示すように、三角欠陥はほとんど観察されなかった。
図7〜図9からも明らかなように、第1の実施形態のクリーニング方法のように、ClF3ガスを用いた反応生成物除去工程後に、大気導入による残留物質の除去工程を行うことにより、一連のクリーニング処理の後に成膜したSiC膜中の不要な不純物及び欠陥の量を大幅に減らすことができる。以下では、大気導入による残留物質の除去工程の作用効果について考察する。
また、比較のために、ClF3ガスを用いた反応生成物の除去後に、処理容器11内にArガスを導入したときに、真空ポンプ12bから排気された気体についてFTIR分析を行った。このFTIR分析の際、Arガスの流量が7slm、処理容器11内の圧力が72kPa、収容構造体15bの温度が550℃となるように制御しながら、Arガスを処理容器11内に供給した。
また、後者の比較のためのFTIR分析によれば、ClF3ガスを用いたクリーニング直後に大気に代えてArガスすなわち水分を含まないガスを導入した場合、同様に導入直後にSiF4ガスが急激に増加するが、処理容器11内の圧力が上昇してもHFガスは発生しない。
なお、処理容器11内の上記フッ素化合物の一例としてのCXFYは、例えば以下反応式に従って大気中の水分と反応し、HFガスとして排出されるものと考えられる。
CXFY+2H2O→CXF(Y−4)+4HF+O2
不要な反応生成物質の除去工程におけるClF3ガスが小さい場合は、大気ガスの導入による残留物質の除去工程を行わずに、上述の水素アニール工程のみを行うようにしてもよい。
11 処理容器
12 排気ライン
12a 排気管
12b 真空ポンプ
12c 圧力調整部
13 圧力計
14 コイル
14a 高周波電源
15 基板保持部
15a 載置台
15b 収容構造体
16 断熱材
17 ガス供給ライン
18 大気導入ライン
18b 大気導入口
18c 質量流量コントローラ
18d バルブ
100 制御部
Claims (7)
- 被処理基板を保持する基板保持部が内部に設けられ該内部が減圧された処理容器に、原料ガスを供給すると共に、前記被処理基板を加熱し、該被処理基板上に成膜を行う成膜装置のクリーニング方法であって、
成膜中に生成され前記被処理基板以外の部分に付着した反応生成物を、成膜後に前記処理容器内にフッ素系クリーニングガスを供給することにより除去する反応生成物除去工程と、
該反応生成物除去工程で残留し、次の成膜時に不要な不純物及び欠陥の要因となる物質を、前記処理容器内に大気を供給することにより除去する残留物除去工程と、を含む。 - 請求項1に記載の成膜装置のクリーニング方法において、
前記反応生成物除去工程で残留し、前記残留物除去工程で除去することができない物質を、前記処理容器内に水素を供給することにより除去する追加除去工程を含む。 - 請求項2に記載の成膜装置のクリーニング方法において、
前記基板保持部は、加熱され、当該基板保持部からの伝熱及び/または輻射により当該基板保持部が保持する前記被処理基板を加熱し、
前記追加除去工程における前記基板保持部の温度は1500℃以上である。 - 請求項1に記載の成膜装置のクリーニング方法において、
前記処理容器に前記原料ガスを供給し、前記基板保持部の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程を含む。 - 請求項3に記載の成膜装置のクリーニング方法において、
前記追加除去工程に続いて、前記処理容器に前記原料ガスを供給し、前記基板保持部の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程を含む。 - 請求項1に記載の成膜装置のクリーニング方法において、
前記基板保持部は、加熱され、当該基板保持部からの伝熱及び/または輻射により当該基板保持部が保持する前記被処理基板を加熱し、
前記反応生成物除去工程における前記基板保持部の温度は、成膜時の温度より低く、400℃以上600℃以下である。 - 被処理基板を保持する基板保持部が内部に設けられ排気ラインが接続された処理容器に、原料ガスを供給すると共に、前記被処理基板を加熱し、該被処理基板上に成膜を行う成膜装置であって、
前記処理容器内にフッ素系クリーニングガスを供給するフッ素系クリーニングガス供給ラインと、前記処理容器内に大気を導入する大気導入ラインと、前記排気ラインと、を制御し、成膜中に生成され前記被処理基板以外の部分に付着した反応生成物を、成膜後に前記処理容器内にフッ素系クリーニングガスを供給することにより除去すると共に、残留し、次の成膜時に不要な不純物及び欠陥の要因となる物質を、前記処理容器内に大気を供給することにより除去する制御部を備える。
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