JPWO2018164126A1 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、位相差フィルム、円偏光板 - Google Patents

Abstract

本発明は、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びに、位相差フィルムおよび円偏光板の提供に関する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと円偏光板とを有する、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、円偏光板が、偏光子と位相差フィルムとを有し、位相差フィルムが、偏光子側から、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板を有し、ポジティブＡプレート、および、第１ポジティブＣプレートが所定の光学特性を示し、ポジティブＡプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とが直交し、ポジティブＡプレートの面内遅相軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が４５±１０°である。

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、位相差フィルム、および、円偏光板に関する。

従来から、外光反射による悪影響を抑制するために、円偏光板が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置などに使用されている。円偏光板としては、例えば、特許文献１に記載されるように、λ／２板およびλ／４板からなる位相差板（いわゆる広帯域のλ／４板）と、偏光子とを組み合わせた態様が開示されている。

国際公開第２０１３／１３７４６４号パンフレット

一方、近年、有機ＥＬ表示装置に代表される表示装置においては、視野角特性のより一層の向上が求められている。より具体的には、円偏光板を含む表示装置においては、斜め方向から視認した際の外光反射のより一層の低減が求められている。
本発明者が、特許文献１に記載の円偏光板を含む有機ＥＬ表示装置の外光反射特性について検討を行ったところ、斜め方向から視認した際の外光反射の抑制が昨今求められるレベルまで到達しておらず、更なる改良が必要であった。
また、斜め方向からの視認時において、方位角を変えて視認した際に、色味の変化が小さいことも求められている。つまり、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制されることが求められている。

本発明は、上記実情に鑑みて、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを課題とする。
また、本発明は、表示装置に適用した際に、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、位相差フィルムおよび円偏光板を提供することも課題とする。

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、所定の構成の位相差フィルムを用いることにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。

（１） 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを有する、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
円偏光板が、偏光子と、位相差フィルムとを有し、
位相差フィルムが、偏光子側から、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板を有し、
ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、８０〜１２０ｎｍであり、
第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１１０〜−７０ｎｍであり、
ポジティブＡプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とが直交し、
ポジティブＡプレートの面内遅相軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が４５±１０°である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（２） 位相差フィルムが、λ／４板の第１ポジティブＣプレート側とは反対側に、さらに第２ポジティブＣプレートを有し、
第２ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−５０ｎｍである、（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（３） λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０である、（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（４） ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、９０〜１１０ｎｍである、（１）〜（３）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（５） 第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−７５ｎｍである、（１）〜（４）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（６） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板、のうち少なくとも１つが、逆波長分散性を示す、（１）〜（５）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（７） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板の全てが、逆波長分散性を示す、（１）〜（６）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（８） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、（１）〜（７）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（９） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートをこの順で有し、
ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、８０〜１２０ｎｍであり、
第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１１０〜−７０ｎｍであり、
第２ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−５０ｎｍであり、
ポジティブＡプレートの面内遅相軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が４５±１０°である、位相差フィルム。
（１０） ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、９０〜１１０ｎｍである、（９）に記載の位相差フィルム。
（１１） 第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−７５ｎｍである、（９）または（１０）に記載の位相差フィルム。
（１２） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートの全てが、逆波長分散性を示す、（９）〜（１１）のいずれかに記載の位相差フィルム。
（１３） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートのいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、（９）〜（１２）のいずれかに記載の位相差フィルム。
（１４） 偏光子、および、偏光子上に配置された（９）〜（１３）のいずれかに記載の位相差フィルムを有し、
偏光子側から、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートがこの順で配置され、
ポジティブＡプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。
（１５） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板をこの順で有し、
ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、８０〜１２０ｎｍであり、
第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１１０〜−７０ｎｍであり、
λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０であり、
ポジティブＡプレートの面内遅相軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が４５±１０°である、位相差フィルム。
（１６） ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、９０〜１１０ｎｍである、（１５）に記載の位相差フィルム。
（１７） 第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−７５ｎｍである、（１５）または（１６）に記載の位相差フィルム。
（１８） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板、の全てが、逆波長分散性を示す、（１５）〜（１７）のいずれかに記載の位相差フィルム。
（１９） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、（１５）〜（１８）のいずれかに記載の位相差フィルム。
（２０） 偏光子、および、偏光子上に配置された（１５）〜（１９）のいずれかに記載の位相差フィルムを有し、
偏光子側から、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートがこの順で配置され、
ポジティブＡプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。
（２１） ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートの厚みが、それぞれ６μｍ以下である、（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

本発明によれば、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供できる。
また、本発明によれば、表示装置に適用した際に、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、位相差フィルムおよび円偏光板を提供できる。

本発明の位相差フィルムの第１実施態様の断面図である。 本発明の位相差フィルムの第１実施態様における、ポジティブＡプレートの面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の円偏光板の第１実施態様の断面図である。 本発明の円偏光板の第１実施態様における、偏光子の吸収軸、ポジティブＡプレートの面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施態様の断面図である。 本発明の位相差フィルムの第２実施態様の断面図である。 本発明の位相差フィルムの第２実施態様における、ポジティブＡプレートの面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の円偏光板の第２実施態様の断面図である。 本発明の円偏光板の第２実施態様における、偏光子の吸収軸、ポジティブＡプレートの面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の第２実施態様の断面図である。 各軸方向のオーダーパラメータを説明するための図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。まず、本明細書で用いられる用語について説明する。

本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折率（ＮＡＲ−４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ−Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルタとの組み合わせで測定できる。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。
また、本明細書において、Ｎｚファクターとは、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で与えられる値である。

なお、本明細書では、「可視光」とは、３８０〜８００ｎｍのことをいう。
また、本明細書において、角度（例えば「９０°」などの角度）、およびその関係（例えば「直交」、「平行」、および「４５°で交差」など）については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±１０°の範囲内であることなどを意味し、厳密な角度との誤差は、５°以下であることが好ましく、３°以下であることがより好ましい。

なお、本明細書において、Ａプレートは以下のように定義される。
Ａプレートは、ポジティブＡプレート（正のＡプレート）とネガティブＡプレート（負のＡプレート）との２種があり、フィルム面内の遅相軸方向（面内での屈折率が最大となる方向）の屈折率をｎｘ、面内の遅相軸と面内で直交する方向の屈折率をｎｙ、厚さ方向の屈折率をｎｚとしたとき、ポジティブＡプレートは式（Ａ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＡプレートは式（Ａ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＡプレートはＲｔｈが正の値を示し、ネガティブＡプレートはＲｔｈが負の値を示す。
式（Ａ１） ｎｘ＞ｎｙ≒ｎｚ
式（Ａ２） ｎｙ＜ｎｘ≒ｎｚ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｙ−ｎｚ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、−１０〜１０ｎｍ、好ましくは−５〜５ｎｍの場合も「ｎｙ≒ｎｚ」に含まれ、（ｎｘ−ｎｚ）×ｄが、−１０〜１０ｎｍ、好ましくは−５〜５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｚ」に含まれる。
Ｃプレートは、ポジティブＣプレート（正のＣプレート）とネガティブＣプレート（負のＣプレート）との２種があり、ポジティブＣプレートは式（Ｃ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＣプレートは式（Ｃ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＣプレートはＲｔｈが負の値を示し、ネガティブＣプレートはＲｔｈが正の値を示す。
式（Ｃ１） ｎｚ＞ｎｘ≒ｎｙ
式（Ｃ２） ｎｚ＜ｎｘ≒ｎｙ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、０〜１０ｎｍ、好ましくは０〜５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｙ」に含まれる。

本明細書において、偏光子の「吸収軸」は、吸光度の最も高い方向を意味する。「透過軸」は、「吸収軸」と９０°の角度をなす方向を意味する。
本明細書において、ネガティブＡプレートおよびポジティブＡプレートの「面内遅相軸」は、面内において屈折率が最大となる方向を意味する。

以下に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）、位相差フィルム、および、円偏光板について図面を参照して説明する。
なお、以下では、位相差フィルム、円偏光板、および、有機ＥＬ表示装置の順に説明を行う。

＜＜第１実施態様＞＞
＜位相差フィルム＞
本発明の位相差フィルムの第１実施態様について図面を参照して説明する。図１に、本発明の位相差フィルムの第１実施態様の断面図を示す。なお、本発明における図は模式図であり、各層の厚みの関係および位置関係などは必ずしも実際のものとは一致しない。
位相差フィルム１０Ａは、ポジティブＡプレート１２と、第１ポジティブＣプレート１４と、λ／４板１６Ａと、第２ポジティブＣプレート１８とをこの順で有する。
また、図２において、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸、および、λ／４板１６Ａの面内遅相軸の関係を示す。図２中、ポジティブＡプレート１２およびλ／４板１６Ａ中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
以下、位相差フィルム１０Ａに含まれる各部材について詳述する。

（ポジティブＡプレート）
ポジティブＡプレートは、後述する円偏光板中において最も偏光子側に配置される層である。なお、ポジティブＡプレートは、単層構造であることが好ましい。
ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは、８０〜１２０ｎｍであり、有機ＥＬ表示装置を斜め方向から視認した際の外光反射および／または色味変化がより抑制される点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、９０〜１１０ｎｍが好ましい。

ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、４０〜６０ｎｍが好ましく、４５〜５５ｎｍがより好ましい。

ポジティブＡプレートは、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記順波長分散性および逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、ポジティブＡプレートが順波長分散性を示すとは、ポジティブＡプレートの面内レタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブＡプレートの面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、ポジティブＡプレートが逆波長分散性を示すとは、ポジティブＡプレートの面内レタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブＡプレートの面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。

ポジティブＡプレートの面内レタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、ポジティブＡプレートのＲｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．７０以上１．００未満であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、ポジティブＡプレートのＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．００超１．２０以下であることが好ましく、１．０２〜１．１０であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｅ（４５０）およびＲｅ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび波長６５０ｎｍで測定したポジティブＡプレートの面内レタデーションを示す。

ポジティブＡプレートの厚みは特に制限されず、面内レタデーションが所定の範囲となるように調整されるが、位相差フィルムの薄型化の点から、６．０μｍ以下が好ましく、０．５〜５．０μｍがより好ましく、０．５〜２．０μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、ポジティブＡプレートの厚みとは、ポジティブＡプレートの平均厚みを意図する。上記平均厚みは、ポジティブＡプレートの任意の５点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

ポジティブＡプレートは、液晶化合物を用いて形成される層であることが好ましい。ただし、上述した面内レタデーションなど所定の特性を満たせば、他の材料で構成されていてもよい。例えば、ポリマーフィルム（特に、延伸処理が施されたポリマーフィルム）から形成されていてもよい。
なお、従来、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）は剛直な平面型が主流であったが、近年、折り畳みが可能なフレキシブルな有機ＥＬ表示パネルが提案されている。このようなフレキシブルな有機ＥＬ表示パネルに用いる円偏光板としては、それ自体がフレキシブル性に優れることが求められる。この観点からは、液晶化合物を用いて形成されたポジティブＡプレートであれば、ポリマーフィルムよりもフレキシブル性に優れるため、フレキシブルな有機ＥＬ表示パネルに好適に適用できる。
また、後段で詳述する第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートも、上記理由から、それぞれ、液晶化合物を用いて形成されることが好ましい。
つまり、液晶化合物を用いて形成されたポジティブＡプレート、液晶化合物を用いて形成された第１ポジティブＣプレート、液晶化合物を用いて形成されたλ／４板、および、液晶化合物を用いて形成された第２ポジティブＣプレートを含む円偏光板であれば、フレキシブルな有機ＥＬ表示パネルにより好適に適用できる。

液晶化合物の種類は特に制限されないが、その形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（円盤状液晶化合物。ディスコティック液晶化合物）とに分類できる。さらにそれぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男 著，２頁，岩波書店，１９９２）。なお、２種以上の棒状液晶化合物、２種以上の円盤状液晶化合物、または、棒状液晶化合物と円盤状液晶化合物との混合物を用いてもよい。

ポジティブＡプレートは、光学特性の温度変化および湿度変化を小さくできることから、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）を用いて形成されることがより好ましい。液晶化合物は２種類以上の混合物でもよく、その場合、少なくとも１つが２以上の重合性基を有していることが好ましい。
つまり、ポジティブＡプレートは、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
上記重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合またはカチオン重合が可能な重合性基が好ましい。
ラジカル重合性基としては、公知のラジカル重合性基を用いることができ、アクリロイル基またはメタアクリロイル基が好ましい。
カチオン重合性基としては、公知のカチオン重合性基を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基などが挙げられる。なかでも、脂環式エーテル基またはビニルオキシ基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基がより好ましい。
特に、好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。

なかでも、ポジティブＡプレートを形成する際に用いられる重合性基を有する液晶化合物としては、一般式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。
一般式（Ｉ） Ｌ₁−Ｇ₁−Ｄ₁−Ａｒ−Ｄ₂−Ｇ₂−Ｌ₂

Ｄ₁およびＤ₂は、それぞれ独立に、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＣＲ¹Ｒ²−、−ＣＲ¹Ｒ²−ＣＲ³Ｒ⁴−、−Ｏ−ＣＲ¹Ｒ²−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−ＣＲ³Ｒ⁴−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ¹Ｒ²−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ³Ｒ⁴−、−ＣＲ¹Ｒ²−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ³Ｒ⁴−、−ＮＲ¹−ＣＲ²Ｒ³−、−ＣＲ¹Ｒ²−ＮＲ³−、−ＣＯ−ＮＲ¹−、または、−ＮＲ¹−ＣＯ−を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、およびＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｇ₁およびＧ₂は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、または、−ＮＲ⁶−で置換されていてもよく、Ｒ⁶は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｌ₁およびＬ₂は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｌ₁およびＬ₂からなる群から選ばれる少なくとも一種が、重合性基を有する１価の基を表す。
Ａｒは、一般式（ＩＩ−１）、一般式（ＩＩ−２）、一般式（ＩＩ−３）、または、一般式（ＩＩ−４）で表される２価の芳香環基を表す。

Ｑ₁は、−Ｓ−、−Ｏ−、または−ＮＲ¹¹−を表し、Ｒ¹¹は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｙ₁は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。Ｚ₁、Ｚ₂、および、Ｚ₃は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、１価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ¹²Ｒ¹³または−ＳＲ¹²を表す。Ｚ₁およびＺ₂は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成してもよく、Ｒ¹²およびＲ¹³は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ａ₁およびＡ₂は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＮＲ²¹−（Ｒ²¹は水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−および−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｘは水素原子または置換基が結合していてもよい第１４〜１６族の非金属原子を表す。Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ＡｘおよびＡｙが有する芳香環は置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとは結合して、環を形成していてもよい。Ｑ₂は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。

一般式（Ｉ）で表される化合物の各置換基の定義および好ましい範囲については、特開２０１２−２１０６８号公報に記載の化合物（Ａ）のＤ¹、Ｄ²、Ｇ¹、Ｇ²、Ｌ¹、Ｌ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｘ¹、Ｙ¹、Ｑ¹、および、Ｑ²に関する記載をそれぞれ上記一般式（Ｉ）のＤ₁、Ｄ₂、Ｇ₁、Ｇ₂、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｑ_１、Ｙ₁、Ｚ₁、および、Ｚ₂について参照でき、特開２００８−１０７７６７号公報に記載の一般式（Ｉ）で表される化合物のＡ₁、Ａ₂、および、Ｘに関する記載をそれぞれ上記一般式（Ｉ）のＡ₁、Ａ₂、および、Ｘについて参照でき、国際公開第２０１３／０１８５２６号パンフレットに記載の一般式（Ｉ）で表される化合物のＡｘ、Ａｙ、および、Ｑ¹に関する記載をそれぞれ上記一般式（Ｉ）に関するＡｘ、Ａｙ、および、Ｑ₂について参照できる。Ｚ₃については、特開２０１２−２１０６８号公報に記載の化合物（Ａ）のＱ¹に関する記載を参照できる。

Ｌ₁およびＬ₂の一方は、−Ｄ₃−Ｇ₃−Ｓｐ−Ｐ₃で表される基であることが好ましい。また、Ｌ₁およびＬ₂の両方が、−Ｄ₃−Ｇ₃−Ｓｐ−Ｐ₃で表される基であってもよい。
Ｄ₃は、Ｄ₁と同義である。
Ｇ₃は、単結合、炭素数６〜１２の２価の芳香環基もしくは複素環基、または、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、上記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、または、−ＮＲ⁷−で置換されていてもよく、ここでＲ⁷は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｓｐは、単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ⁸−、または、これらを組み合わせた基を表す。上記組み合わせた基としては、例えば、−（ＣＨ₂）_n−、−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、および、−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ₂）_n−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−が挙げられる。ここで、ｎは２〜１２の整数を表し、ｍは２〜６の整数を表し、Ｒ⁸は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。なお、ｎが３以上の場合、−（ＣＨ₂）_n−で表されるアルキレン基は分岐していてもよい。
Ｐ₃は重合性基を示す。重合性基の定義は、上述した通りである。

ポジティブＡプレートの形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
なかでも、面内レタデーションの制御がしやすい点から、重合性基を有する液晶化合物（以後、単に「重合性液晶化合物」とも称する）を含むポジティブＡプレート形成用組成物（以後、単に「組成物」とも称する）を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させ、得られた塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施して、ポジティブＡプレートを形成する方法が好ましい。
以下、上記方法の手順について詳述する。

まず、支持体上に、組成物を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させる。
使用される組成物は、重合性液晶化合物を含む。重合性液晶化合物の定義は、上述した通りである。

組成物中における重合性液晶化合物の含有量は特に制限されないが、面内レタデーションの制御がしやすい点から、組成物中の全固形分に対して、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、９９質量％以下の場合が多い。
なお、組成物中の全固形分には、溶媒は含まれない。

上記組成物には、上述した重合性液晶化合物以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、組成物には、重合開始剤が含まれていてもよい。使用される重合開始剤は、重合反応の形式に応じて選択され、例えば、熱重合開始剤、および、光重合開始剤が挙げられる。例えば、光重合開始剤としては、α−カルボニル化合物、アシロインエーテル、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、および、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせなどが挙げられる。
組成物中における重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜２０質量％が好ましく、０．５〜５質量％がより好ましい。

また、組成物には、重合性モノマーが含まれていてもよい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。重合性モノマーとしては、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましく、上記の重合性基を有する液晶化合物と共重合性のものがより好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報中の段落［００１８］〜［００２０］に記載のものが挙げられる。
組成物中における重合性モノマーの含有量は、重合性液晶化合物の全質量に対して、１〜５０質量％が好ましく、２〜３０質量％がより好ましい。

また、組成物には、界面活性剤が含まれていてもよい。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、フッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば、特開２００１−３３０７２５号公報中の段落［００２８］〜［００５６］に記載の化合物、および、特願２００３−２９５２１２号明細書中の段落［００６９］〜［０１２６］に記載の化合物が挙げられる。

また、組成物には、溶媒が含まれていてもよい。溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、アミド（例：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例：ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例：ピリジン）、炭化水素（例：ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例：クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル）、ケトン（例：アセトン、メチルエチルケトン）、および、エーテル（例：テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が挙げられる。なお、２種類以上の有機溶媒を用いてもよい。

また、組成物には、垂直配向剤、および、水平配向剤などの各種配向制御剤が含まれていてもよい。これらの配向制御剤は、界面側において液晶化合物を水平または垂直に配向制御可能な化合物である。
さらに、組成物には、上記成分以外に、密着改良剤、可塑剤、および、ポリマーなどの他の添加剤が含まれていてもよい。

使用される支持体は、組成物を塗布するための基材として機能を有する部材である。支持体は、組成物を塗布および硬化させた後に剥離される仮支持体であってもよい。

支持体（仮支持体）としては、プラスチックフィルムの他、ガラス基板を用いてもよい。プラスチックフィルムを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオレフィン、セルロース誘導体、シリコーン、および、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。
支持体の厚みは、５〜１０００μｍ程度であればよく、１０〜２５０μｍが好ましく、１５〜９０μｍがより好ましい。

なお、必要に応じて、支持体上には、配向層を配置してもよい。
配向層は、一般的には、ポリマーを主成分とする。配向層用ポリマーとしては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。利用されるポリマーは、ポリビニルアルコール、ポリイミド、または、その誘導体が好ましい。
なお、配向層には、公知のラビング処理が施されることが好ましい。
配向層の厚みは、０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０１〜１μｍがより好ましい。

組成物の塗布方法としては、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、および、ワイヤーバー法などが挙げられる。いずれの方法で塗布する場合においても、単層塗布が好ましい。

支持体上に形成された塗膜に、配向処理を施して、塗膜中の重合性液晶化合物を配向させる。
配向処理は、室温により塗膜を乾燥させる、または、塗膜を加熱することにより行うことができる。サーモトロピック性液晶化合物の場合、一般に温度または圧力の変化により、塗膜中の相状態を液晶相に転移させることができる。リオトロピック性をもつ液晶化合物の場合には、溶媒量などの組成比によっても、塗膜中の相状態を液晶相に転移させることができる。
なお、塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０〜１５０℃が好ましく、加熱時間としては１０秒間〜５分間が好ましい。

次に、重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して硬化処理を施す。
重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して実施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点から、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
光照射処理の照射条件は特に制限されないが、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ²の照射量が好ましい。

（第１ポジティブＣプレート）
第１ポジティブＣプレートは、後述する円偏光板中において上記ポジティブＡプレートを介して偏光子上に配置される層である。なお、第１ポジティブＣプレートは、単層構造であることが好ましい。
第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、−１１０〜−７０ｎｍである。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、−１００〜−７０ｎｍが好ましく、−１００〜−７５ｎｍがより好ましい。

第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、０〜１０ｎｍが好ましい。

第１ポジティブＣプレートは、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記順波長分散性および逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、第１ポジティブＣプレートが順波長分散性を示すとは、第１ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、第１ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、第１ポジティブＣプレートが逆波長分散性を示すとは、第１ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、第１ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。

なお、第１ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、第１ポジティブＣプレートのＲｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）は、０．７０以上１．００未満であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、第１ポジティブＣプレートのＲｔｈ（６５０）／Ｒｔｈ（５５０）は、１．００超１．２０以下であることが好ましく、１．０２〜１．１０であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｔｈ（４５０）およびＲｔｈ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび波長６５０ｎｍで測定した第１ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションを示す。

第１ポジティブＣプレートの厚みは特に制限されず、厚み方向のレタデーションが所定の範囲となるように調整されるが、位相差フィルムの薄型化の点から、６．０μｍ以下が好ましく、０．５〜５．０μｍがより好ましく、１〜２．５μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、第１ポジティブＣプレートの厚みとは、第１ポジティブＣプレートの平均厚みを意図する。上記厚みは、第１ポジティブＣプレートの任意の５点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

第１ポジティブＣプレートを構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述したポジティブＡプレートで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、第１ポジティブＣプレートは、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
第１ポジティブＣプレートの形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブＡプレートを形成する方法が挙げられる。

（λ／４板）
λ／４板は、後述する円偏光板中において上記第１ポジティブＣプレートと後述する第２ポジティブＣプレートとの間に配置される層である。なお、λ／４板は、単層構造であることが好ましい。
λ／４板（λ／４機能を有する板）とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板である。より具体的には、所定の波長λｎｍにおける面内レタデーションがλ／４（または、この奇数倍）を示す板である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）は、１００〜２００ｎｍが好ましく、１２０〜１６０ｎｍがより好ましく、１３０〜１５０ｎｍがさらに好ましい。

λ／４板の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、５０〜１００ｎｍが好ましく、６０〜８０ｎｍがより好ましく、６５〜７５ｎｍがさらに好ましい。

λ／４板は、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記順波長分散性および逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、λ／４板が順波長分散性を示すとは、λ／４板の面内レタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、λ／４板の面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、λ／４板が逆波長分散性を示すとは、λ／４板の面内レタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、λ／４板の面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。

λ／４板の面内レタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、λ／４板のＲｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．７０以上１．００未満であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、λ／４板のＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．００超１．２０以下であることが好ましく、１．０２〜１．１０であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｅ（４５０）およびＲｅ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび波長６５０ｎｍで測定したλ／４板の面内レタデーションを示す。

λ／４板の厚みは特に制限されず、面内レタデーションが所定の範囲となるように調整されるが、位相差フィルムの薄型化の点から、６．０μｍ以下が好ましく、０．５〜５．０μｍがより好ましく、０．５〜２．５μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、λ／４板の厚みとは、λ／４板の平均厚みを意図する。上記平均厚みは、λ／４板の任意の５点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

図２に示すように、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸と、λ／４板１６Ａの面内遅相軸とのなす角度θは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、４５±１０°の範囲が好ましい。言い換えると、角度θは３５〜５５°の範囲が好ましい。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、角度θは４０〜５０°がより好ましく、４２〜４８°がさらに好ましい。
なお、上記角度θとは、ポジティブＡプレート１２表面の法線方向から視認した際の、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とλ／４板１６Ａの面内遅相軸とのなす角度を意図する。

λ／４板を構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述したポジティブＡプレートで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、λ／４板は、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
λ／４板の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブＡプレートを形成する方法が挙げられる。

（第２ポジティブＣプレート）
第２ポジティブＣプレートは、後述する円偏光板中において上記λ／４板の偏光子側とは反対側の表面上に配置される層である。言い換えれば、λ／４板の第１ポジティブＣプレート側とは反対側に配置される層である。なお、第２ポジティブＣプレートは、単層構造であることが好ましい。
第２ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、−１００〜−５０ｎｍである。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、−９０〜−６０ｎｍが好ましく、−８０〜−６０ｎｍがより好ましい。

第２ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、０〜１０ｎｍが好ましい。

第２ポジティブＣプレートは、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記順波長分散性および逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、第２ポジティブＣプレートが順波長分散性を示すとは、第２ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、第２ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、第２ポジティブＣプレートが逆波長分散性を示すとは、第２ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、第２ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。

なお、第２ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、第２ポジティブＣプレートのＲｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）は、０．７０以上１．００未満であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、第２ポジティブＣプレートのＲｔｈ（６５０）／Ｒｔｈ（５５０）は、１．００超１．２０以下であることが好ましく、１．０２〜１．１０であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｔｈ（４５０）およびＲｔｈ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび波長６５０ｎｍで測定した第２ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションを示す。

第２ポジティブＣプレートの厚みは特に制限されず、厚み方向のレタデーションが所定の範囲となるように調整されるが、位相差フィルムの薄型化の点から、６．０μｍ以下が好ましく、０．５〜５．０μｍがより好ましく、０．５〜２．０μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、第２ポジティブＣプレートの厚みとは、第２ポジティブＣプレートの平均厚みを意図する。上記厚みは、第２ポジティブＣプレートの任意の５点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

第２ポジティブＣプレートを構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述したポジティブＡプレートで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、第２ポジティブＣプレートは、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
第２ポジティブＣプレートの形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブＡプレートを形成する方法が挙げられる。

なお、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートのうち少なくとも１つが逆波長分散性を示すことが好ましく、全てが逆波長分散性を示すことがより好ましい。

（その他の層）
上記位相差フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲で、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレート以外の他の層を含んでいてもよい。
例えば、位相差フィルムは、液晶化合物の配向方向を規定する機能を有する配向層を含んでいてもよい。配向層の配置位置は特に制限されないが、例えば、ポジティブＡプレートと第１ポジティブＣプレートとの間、第１ポジティブＣプレートとλ／４板との間、および、λ／４板と第２ポジティブＣプレートとの間が挙げられる。
配向層を構成する材料、および、配向層の厚みは、上述した通りである。
また、位相差フィルムは、各層間を接着するための接着層または粘着層を含んでいてもよい。

位相差フィルムの製造方法は特に制限されず、例えば、それぞれ用意したポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートを接着剤または粘着剤を介して貼り合わせる方法が挙げられる。

上記位相差フィルムは、種々の用途に適用でき、特に、反射防止用途に好適に適用できる。より具体的には、有機ＥＬ表示装置などの表示装置の反射防止用途に好適に適用できる。

＜円偏光板＞
本発明の円偏光板の第１実施態様について図面を参照して説明する。図３に、本発明の円偏光板の第１実施態様の断面図を示す。
円偏光板２０Ａは、偏光子２２と、ポジティブＡプレート１２と、第１ポジティブＣプレート１４と、λ／４板１６Ａと、第２ポジティブＣプレート１８とをこの順で有する。
また、図４において、偏光子２２の吸収軸、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸、および、λ／４板１６Ａの面内遅相軸の関係を示す。図４中、偏光子２２中の矢印は吸収軸の方向を表し、ポジティブＡプレート１２およびλ／４板１６Ａ中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
以下、円偏光板２０Ａに含まれる各部材について詳述する。
まず、円偏光板２０Ａに含まれるポジティブＡプレート１２、第１ポジティブＣプレート１４、λ／４板１６Ａ、および、第２ポジティブＣプレート１８の態様は、上述した通りである。

（偏光子）
偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材（直線偏光子）であればよく、例えば、吸収型偏光子が挙げられる。
吸収型偏光子としては、例えば、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、および、ポリエン系偏光子が挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子とがあり、いずれも適用できる。なかでも、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
また、基材上にポリビニルアルコール層を形成した積層フィルムの状態で延伸および染色を施すことで偏光子を得る方法として、特許第５０４８１２０号公報、特許第５１４３９１８号公報、特許第５０４８１２０号公報、特許第４６９１２０５号公報、特許第４７５１４８１号公報、および、特許第４７５１４８６号公報に記載の方法が挙げられ、これらの偏光子に関する公知の技術も好ましく利用できる。
なかでも、取り扱い性の点から、偏光子は、ポリビニルアルコール系樹脂（−ＣＨ₂−ＣＨＯＨ−を繰り返し単位として含むポリマー、特に、ポリビニルアルコールおよびエチレン−ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１つが好ましい。）を含む偏光子であることが好ましい。

偏光子の厚みは特に制限されないが、取り扱い性に優れると共に、光学特性にも優れる点より、３５μｍ以下が好ましく、３〜２５μｍがより好ましく、４〜１５μｍがさらに好ましい。上記厚みであれば、画像表示装置の薄型化にも対応可能となる。

図４に示すように、偏光子２２の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とは、直交する。直交の定義は上述した通りであり、言い換えれば、偏光子２２の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度は８０〜１００°である。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、偏光子２２の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度は８５〜９５°がより好ましく、８７〜９３°がさらに好ましい。
なお、上記角度とは、偏光子２２表面の法線方向から視認した際の、偏光子２２の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度を意図する。

また、図４に示すように、偏光子２２の吸収軸とλ／４板１６Ａの面内遅相軸とのなす角度θは、４５±１０°であることが好ましい。つまり、偏光子２２の吸収軸とλ／４板１６Ａの面内遅相軸とのなす角度θは、３５〜５５°が好ましい。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、偏光子２２の吸収軸とλ／４板１６Ａの面内遅相軸とのなす角度θは、４０〜５０°がより好ましく、４２〜４８°がさらに好ましい。
なお、上記角度θとは、偏光子２２表面の法線方向から視認した際の、偏光子２２の吸収軸とλ／４板１６Ａの面内遅相軸とのなす角度を意図する。

（その他の層）
上記円偏光板２０Ａは、本発明の効果を損なわない範囲で、偏光子２２、ポジティブＡプレート１２、第１ポジティブＣプレート１４、λ／４板１６Ａ、および、第２ポジティブＣプレート１８以外の他の層を含んでいてもよい。
例えば、円偏光板２０Ａは、液晶化合物の配向方向を規定する機能を有する配向層を含んでいてもよい。配向層の配置位置は特に制限されない。
配向層を構成する材料、および、配向層の厚みは、上述した通りである。
また、円偏光板２０Ａは、各層間を接着するための接着層または粘着層を含んでいてもよい。

さらに、偏光子の表面上には、偏光子保護フィルムが配置されていてもよい。
偏光子保護フィルムの構成は特に制限されず、例えば、透明支持体またはハードコート層であってもよく、透明支持体とハードコート層との積層体であってもよい。
ハードコート層としては、公知の層を使用でき、例えば、上述した多官能モノマーを重合硬化して得られる層であってもよい。
また、透明支持体としては、公知の透明支持体が挙げられる。また、透明支持体を形成する材料としては、トリアセチルセルロースに代表されるセルロースポリマー（以下、セルロースアシレートという）、熱可塑性ノルボルネン樹脂（日本ゼオン（株）製のゼオネックスおよびゼオノア、並びに、ＪＳＲ（株）製のアートンなど）、アクリル樹脂、および、ポリエステル樹脂が挙げられる。
偏光子保護フィルムの厚みは特に限定されないが、円偏光板の厚みを薄くできる点から、４０μｍ以下が好ましく、２５μｍ以下がより好ましい。

円偏光板の製造方法は特に制限されず、例えば、それぞれ用意した偏光子、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートを接着剤または粘着剤を介して貼り合わせる方法が挙げられる。

上記円偏光板は、種々の用途に適用でき、特に、反射防止用途に好適に適用できる。より具体的には、有機ＥＬ表示装置などの表示装置の反射防止用途に好適に適用できる。

＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施態様について図面を参照して説明する。図５に、本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図を示す。
有機ＥＬ表示装置２４Ａは、偏光子２２と、ポジティブＡプレート１２と、第１ポジティブＣプレート１４と、λ／４板１６Ａと、第２ポジティブＣプレート１８と、有機ＥＬ表示パネル２６とをこの順で有する。なお、図５に示すように、円偏光板２０Ａ中の偏光子２２が視認側に配置される。
有機ＥＬ表示パネル２６は、電極間（陰極および陽極間）に有機発光層（有機エレクトロルミネッセンス層）を挟持してなる有機ＥＬ素子を用いて構成された表示パネルである。
有機ＥＬ表示パネル２６の構成は特に制限されず、公知の構成が採用される。

＜＜第２実施態様＞＞
＜位相差フィルム＞
本発明の位相差フィルムの第２実施態様について図面を参照して説明する。図６に、本発明の位相差フィルムの第２実施態様の断面図を示す。
位相差フィルム１０Ｂは、ポジティブＡプレート１２と、第１ポジティブＣプレート１４と、および、λ／４板１６Ｂとをこの順で有する。
また、図７において、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸、および、λ／４板Ｂ１６の面内遅相軸の関係を示す。図７中、ポジティブＡプレート１２およびλ／４板１６Ｂ中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
図６に示す位相差フィルム１０Ｂは、λ／４板１６Ｂの点を除いて、図１に示す位相差フィルム１０Ａと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では、主に、λ／４板１６Ｂについて詳述する。
なお、位相差フィルム１０Ｂは、上述した位相差フィルム１０Ａが有していてもよい他の層を有していてもよい。

（λ／４板）
λ／４板は、上記第１ポジティブＣプレートのポジティブＡプレート側とは反対側に配置される層である。なお、λ／４板は、単層構造であることが好ましい。
λ／４板（λ／４機能を有する板）とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板である。
位相差フィルムの第２実施態様中のλ／４板と、位相差フィルムの第１実施態様中のλ／４板とは、位相差フィルムの第２実施態様中のλ／４板が所定のＮｚファクターの範囲である点以外は、同様の特性を有する。
具体的には、位相差フィルムの第２実施態様中のλ／４板の面内レタデーション、厚み方向のレタデーション、および、厚みの範囲は、位相差フィルムの第２実施態様中のλ／４板の面内レタデーション、厚み方向のレタデーション、および、厚みの範囲とそれぞれ同じである。
また、位相差フィルムの第２実施態様中のλ／４板は、位相差フィルムの第１実施態様中のλ／４板と同様に、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。
さらに、図７中の位相差フィルムの第２実施態様中のλ／４板１６Ｂの面内遅相軸と、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度θは、位相差フィルムの第１実施態様中のλ／４板１６Ａの面内遅相軸と、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度θと同じである。

λ／４板のＮｚファクターは、０．３０〜０．７０であり、本発明の効果がより優れる点で、０．４０〜０．６０が好ましく、０．４５〜０．５５がより好ましい。Ｎｚファクターの算出方法は上述の通りである。

一般的に、液晶化合物の配向の程度を表すパラメータとして、オーダーパラメータが知られている。オーダーパラメータは、結晶のように分布がない場合に１、液体状態のように完全にランダムな場合に０となる。例えば、ネマチック液晶では、通常０．６程度の値をとるといわれている。オーダーパラメータについては、例えば、ＤＥ ＪＥＵ，Ｗ．Ｈ．（著） 「液晶の物性」（共立出版、１９９１年、１１頁）に詳しく記載があり、次の式で表される。

ここでθは、配向要素（例えば、液晶化合物）の平均的な配向軸方向と、各配向要素の軸とのなす角度である。

本明細書においては、図１１に示すように、λ／４板などの位相差板の面内遅相軸方向をｘ軸、面内で遅相軸方向と直交する方向をｙ軸、位相差板の厚み方向をｚ軸とし、配向解析により得られた液晶化合物に由来するメソゲン基の平均配向方向Ｍと、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸との角度をそれぞれθ_Ｘ、θ_Ｙ、θ_Ｚとしたとき、メソゲン基のｘ方向のオーダーパラメータＳｘ、ｙ方向のオーダーパラメータＳｙ、ｚ方向のオーダーパラメータＳｚはそれぞれ下記式で表される。
なお、メソゲン基とは、液晶化合物に含まれる構造であり、剛直かつ配向性を有する官能基である。メソゲン基の構造としては、例えば、芳香環基および脂環基からなる群から選択される基が、複数個、直接または連結基（例えば、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは、水素原子、または、アルキル基を表す）、または、これらを組み合わせた基）を介して連なった構造が挙げられる。

位相差板中のメソゲン基の各方向におけるオーダーパラメータの測定方法としては、偏光ラマンスペクトル測定が挙げられる。
より具体的には、測定装置としては、偏光ラマンスペクトル測定にはｎａｎｏｆｉｄｅｒ（東京インスツルメンツ社製）を用いる。まず、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）を用いて、位相差板の面内遅相軸（ｘ軸）方向を特定する。次に、位相差板の主面（ｘｙ面）、位相差板の第１断面（ｘｚ面）、および、位相差板の第２断面（ｙｚ面）を測定面として、偏光ラマンスペクトル測定を行う。なお、上記第１断面および第２断面は、位相差板を所定の方向で切断して露出される断面である。第１断面はｘ軸に平行で、かつ、主面に対して垂直な方向で位相差板を切断して形成される断面である。第２断面は、ｙ軸に平行で、かつ、主面に対して垂直な方向で位相差板を切断して形成される断面である。
偏光ラマンスペクトル測定の具体的な方法としては、所定の励起波長（例えば、７８５ｎｍ）で偏光をいくつかの角度で回転させ、それに対して平行な方向と垂直な方向との偏光ラマンスペクトルを測定する。次に、Naoki Hayashi, Tatsuhisa Kato, Phys. Rev. E, 63, 021706 (2001)に記載の方法に従って、位相差板中に含まれるメソゲン基の骨格に由来するピークをもつバンドに対し、理論的に導いた式により最小二乗法に基づくフィッティング解析を行い、測定面内の２次オーダーパラメータＳｘｙ、Ｓｙｘ、Ｓｙｚ、Ｓｚｙ、Ｓｘｚ、および、Ｓｚｘを算出する。さらに以下の式に基づき各軸方向のオーダーパラメータＳｘ、Ｓｙ、および、Ｓｚを算出する。
Ｓｘ＝（Ｓｘｙ＋Ｓｘｚ）／２
Ｓｙ＝（Ｓｙｘ＋Ｓｙｚ）／２
Ｓｚ＝（Ｓｚｘ＋Ｓｚｙ）／２
なお、位相差板中におけるメソゲン基の構造は、熱分解ＧＣ−ＭＳ（Gas chromatography-mass spectrometry）、ＩＲ（infrared）スペクトル測定、および、ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）測定により決定できる。使用される液晶化合物の構造が予めわかっている場合は、その構造より位相差板中におけるメソゲン基の構造を決定できる。

なお、メソゲン基の配向解析に用いる構造部位がメソゲン基の基準軸に平行である場合、解析結果をそのまま用いることができる。また、メソゲン基の配向解析に用いる構造部位がメソゲン基の基準軸に直交している場合、解析結果をメソゲン基の基準軸に方向に変換する。例えば、メソゲン基の配向解析に用いる構造部位がメソゲン基の基準軸に直交している液晶化合物がネマチック液晶性を示す場合は、液晶化合物は一軸性で配向しているため、上記測定により得られた測定値（Ｓ_Ｘ⊥、Ｓ_Ｙ⊥、Ｓ_Ｚ⊥）を以下の式（Ｘ）〜式（Ｚ）により変換することにより、各軸に沿ったメソゲン基のオーダーパラメータを算出できる。
なお、上記基準軸はオーダーパラメータを算出する際の軸であり、メソゲン基の種類によって異なる。詳細は、後段で詳述する。

上記オーダーパラメータを算出する際には、メソゲン基の種類によって基準軸が変わる。具体的には、メソゲン基が棒状である場合、メソゲン基の長軸を基準としてオーダーパラメータが算出される。つまり、メソゲン基の長軸が基準軸となり、メソゲン基の長軸の平均配向方向と、上述したｘ軸、ｙ軸、および、ｚ軸とのなす角度をそれぞれθ_Ｘ、θ_Ｙ、および、θ_Ｚとして、オーダーパラメータを算出する。
また、メソゲン基が円盤状である場合、メソゲン基の円盤面に直交する軸を基準としてオーダーパラメータが算出される。つまり、メソゲン基の円盤面に直交する軸が基準軸となり、メソゲン基の円盤面に直交する軸の平均配向方向と、上述したｘ軸、ｙ軸、および、ｚ軸とのなす角度をそれぞれθ_Ｘ、θ_Ｙ、および、θ_Ｚとして、オーダーパラメータを算出する。

λ／４板において、液晶化合物由来のメソゲン基が棒状の場合は、式（Ａ１）〜（Ａ３）の要件を満たすことが好ましい。
式（Ａ１） Ｓｘ＞Ｓｚ＞Ｓｙ
式（Ａ２） −０．３＜Ｓｚ＜０．２（好ましくは、−０．１０＜Ｓｚ＜０．１０）
式（Ａ３） Ｓｘ＞０．０５
上記Ｓｘは、０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、０．４以下の場合が多い。
また、Ｓｙは、−０．１以下であることが好ましく、−０．２以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、−０．４以上の場合が多い。
また、Ｓｘの絶対値とＳｙの絶対値との差は、０．１以下であることが好ましく、０．０４以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が好ましい。

λ／４板において、液晶化合物由来のメソゲン基が円盤状の場合、式（Ａ４）〜（Ａ６）の要件を満たす。
式（Ａ４） Ｓｙ＞Ｓｚ＞Ｓｘ
式（Ａ５） −０．２＜Ｓｚ＜０．３（好ましくは、−０．１０＜Ｓｚ＜０．１０）
式（Ａ６） Ｓｙ＞０．０５
上記Ｓｘは、−０．１以下であることが好ましく、−０．２以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、−０．４以上の場合が多い。
また、Ｓｙは、０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、０．４以下の場合が多い。
また、Ｓｘの絶対値とＳｙの絶対値との差は、０．１以下であることが好ましく、０．０４以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が好ましい。

λ／４板を構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述したポジティブＡプレートで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、λ／４板は、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
λ／４板の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブＡプレートを形成する方法が挙げられる。

なお、λ／４板を作製する際には、必要に応じて、硬化処理が施された膜に対して延伸処理および収縮処理の少なくとも一方を施す工程をさらに実施してもよい。
本工程では、延伸処理および収縮処理の両方を実施してもよく、例えば、一方向では延伸処理、他方向では収縮処理などのように方向に応じて処理の種類を変更してもよい。
延伸処理の方法としては、一軸延伸および二軸延伸などの公知の延伸処理の方法が挙げられる。
収縮処理（特に、熱収縮処理）の方法としては、例えば、特開２００６−２１５１４２号公報、特開２００７−２６１１８９号公報、および、特許４２２８７０３号公報などに記載の方法を参照できる。
また、上述した支持体としては、延伸時の加熱処理の際に特定の方向に収縮する支持体（熱収縮性支持体）なども挙げられる。例えば、このような支持体を用いることにより、特定の方向に延伸させつつ、支持体の収縮方向においては硬化膜を収縮させることもできる。

硬化膜に対して延伸処理および／または収縮処理を施す方向は、使用される重合性液晶化合物の種類およびその配向方向によって、適宜最適な方向が選択される。
例えば、重合性液晶化合物として棒状液晶化合物を用い、かつ、塗膜表面に対して垂直方向に重合性液晶化合物が配向している場合は、硬化膜の表面（主面）に平行な一方向に硬化膜を延伸させ、かつ、面内において上記一方向に直交する方向に硬化膜を収縮させることにより、所定のＮｚファクターを示すλ／４板を得ることができる。
上記では、延伸処理および収縮処理の方法を示したが、本発明は上記に制限されず、使用される液晶化合物の種類に応じて適宜最適な処理が実施される。

＜円偏光板＞
本発明の円偏光板の第２実施態様について図面を参照して説明する。図８に、本発明の円偏光板の第１実施態様の断面図を示す。
円偏光板２０Ｂは、偏光子２２と、ポジティブＡプレート１２と、第１ポジティブＣプレート１４と、λ／４板１６Ｂとをこの順で有する。
また、図９において、偏光子２２の吸収軸、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸、および、λ／４板１６Ｂの面内遅相軸の関係を示す。図９中、偏光子２２中の矢印は吸収軸の方向を表し、ポジティブＡプレート１２およびλ／４板１６Ｂ中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
図８に示す円偏光板２０Ｂは、λ／４板１６Ｂの点を除いて、図３に示す円偏光板２０Ａと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、λ／４板１６Ｂの態様は、上述した通りである。
なお、円偏光板２０Ｂ中における偏光子２２の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度、および、偏光子２２の吸収軸とλ／４板１６Ｂの面内遅相軸とのなす角度θは、それぞれ、円偏光板２０Ａ中における偏光子２２の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度、および、偏光子２２の吸収軸とλ／４板１６Ａの面内遅相軸とのなす角度θと同じである。

円偏光板の製造方法は特に制限されず、例えば、それぞれ用意した偏光子、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板を接着剤または粘着剤を介して貼り合わせる方法が挙げられる。

上記円偏光板は、種々の用途に適用でき、特に、反射防止用途に好適に適用できる。より具体的には、有機ＥＬ表示装置などの表示装置の反射防止用途に好適に適用できる。

＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の有機ＥＬ表示装置の第２実施態様について図面を参照して説明する。図１０に、本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図を示す。
有機ＥＬ表示装置２４Ｂは、偏光子２２と、ポジティブＡプレート１２と、第１ポジティブＣプレート１４と、および、λ／４板１６Ｂと、有機ＥＬ表示パネル２６とをこの順で有する。なお、図１０に示すように、円偏光板２０Ｂ中の偏光子２２が視認側に配置される。
図１０に示す有機ＥＬ表示装置２４Ｂは、λ／４板１６Ｂの点を除いて、図５に示す有機ＥＬ表示装置２４Ａと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、λ／４板１６Ｂの態様は、上述した通りである。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。

［実施例１］
＜＜偏光子の作製＞＞
＜保護膜の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し攪拌して、各成分を溶解し、コア層セルロースアシレートドープを調製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
アセチル置換度２．８８のセルロースアセテート １００質量部
エステルオリゴマー（化合物１−１） １０質量部
耐久性改良剤（化合物１−２） ４質量部
紫外線吸収剤（化合物１−３） ３質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４３８質量部
メタノール（第２溶媒） ６５質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

［外層セルロースアシレートドープの作製］
上記のコア層セルロースアシレートドープ９０質量部に下記組成のマット剤分散液を１０質量部加え、外層セルロースアシレートドープを調製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
平均粒子サイズ２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６質量部
メタノール（第２溶媒） １１質量部
コア層セルロースアシレートドープ１ １質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

［セルロースアシレートフィルムの作製］
上記コア層セルロースアシレートドープとその両側に外層セルロースアシレートドープとを３層同時に流延口から２０℃のドラム上に流延した。ドラム上のフィルムの溶媒含有率が略２０質量％の状態となったところでフィルムを剥ぎ取り、剥ぎ取ったフィルムの幅方向の両端をテンタークリップで固定し、フィルム中の残留溶媒が３〜１５質量％の状態で、フィルムを横方向に１．２倍延伸しつつ乾燥した。その後、延伸されたフィルムを熱処理装置のロール間に搬送することにより、厚み２５μｍのセルロースアシレートフィルムを作製し、偏光板保護膜とした。

＜ハードコート層の作製＞
ハードコート層形成用の塗布液として、下記表１に記載のハードコート用硬化性組成物を調製した。

上記ハードコート用硬化性組成物を、上記にて作製した偏光板保護膜の表面上へ塗布した。その後、偏光板保護膜上の塗膜を１００℃で６０秒間乾燥し、窒素０．１％以下の条件でＵＶ（紫外線）を１．５ｋＷ、３００ｍＪにて塗膜に照射し、硬化させ、厚み３μｍのハードコート層を有するハードコート層付保護膜を作製した。なお、ハードコート層の厚みの調整は、スロットダイを用い、ダイコート法において塗布量を調整することにより行った。

＜保護膜付き偏光子の作製＞
１）フィルムのケン化
作製したハードコート層付保護膜を３７℃に調温した４．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液（ケン化液）に１分間浸漬した後、ハードコート層付保護膜を取り出して水洗した。その後、ハードコート層付保護膜を０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸水溶液に３０秒間浸漬した後、ハードコート層付保護膜を取り出して、さらに水洗浴に通した。そして、得られたフィルムをエアナイフによる水切りを３回繰り返し、水を落とした後に７０℃の乾燥ゾーンに１５秒間滞留させて乾燥し、ケン化処理したハードコート層付保護膜を作製した。
２）偏光子の作製
特開２００１−１４１９２６号公報の実施例１に従い、乾燥条件を変更して、２対のニップロール間に周速差を与え、長手方向に延伸し、幅１３３０ｍｍ、厚み１５μｍの偏光子を作製した。
３）貼り合わせ
作製した偏光子と、ケン化処理したハードコート層付保護膜とを、ＰＶＡ（（株）クラレ製、ＰＶＡ−１１７Ｈ）３質量％水溶液を接着剤として、偏光子の吸収軸とフィルム（ハードコート層付保護膜）の長手方向とが平行となるようにロールツーロールで貼りあわせて保護膜付き偏光子を作製した。
このとき、セルロースアシレートフィルムと偏光子とが対向するように、偏光子と、ケン化処理したハードコート層付保護膜とを貼り合わせた。

＜＜ポジティブＡプレートの作製＞＞
＜仮支持体の作製＞
下記一般式（ＩＩ）で表されるラクトン環構造を有するアクリル系樹脂｛共重合モノマー質量比＝メタクリル酸メチル／２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸メチル＝８／２、ラクトン環化率約１００％、ラクトン環構造の含有割合１９．４％、重量平均分子量１３３０００、メルトフローレート６．５ｇ／１０分（２４０℃、１０ｋｇｆ）、Ｔｇ１３１℃｝９０質量部と、アクリロニトリル−スチレン（ＡＳ）樹脂｛トーヨーＡＳ ＡＳ２０、東洋スチレン社製｝１０質量部との混合物（Ｔｇ１２７℃）のペレットを二軸押出機に供給し、約２８０℃でシート状に溶融押出しした。その後、溶融押出しされたシートを、縦一軸延伸機において、給気温度１３０℃、シート面温度１２０℃、延伸速度３０％／分、および、延伸倍率３５％で縦延伸した。その後、縦延伸されたシートを、テンター式延伸機において、給気温度１３０℃、シート面温度１２０℃、延伸速度３０％／分、および、延伸倍率３５％で横延伸した。その後、横延伸されたシートを、巻取り部前で両端部を切り落とし、長さ４０００ｍのロールフィルムとして巻き取りして、厚み４０μｍの長尺状の仮支持体を作製した。

上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子であり、Ｒ²およびＲ³はメチル基である。

＜配向層の形成＞
上記仮支持体上に、下記組成の配向層形成用塗布液を＃１４のワイヤーバーで連続的に塗布した。配向層形成用塗布液が塗布された仮支持体を、６０℃の温風で６０秒間、さらに１００℃の温風で１２０秒間乾燥し、仮支持体上に塗膜を形成した。さらに、塗膜に対して、仮支持体の長手方向にラビング処理を施し、配向層を形成した。
使用した変性ポリビニルアルコールの鹸化度は９６．８％であった。

−配向層形成用塗布液の組成−
下記の変性ポリビニルアルコール １０質量部
水 ３０８質量部
メタノール ７０質量部
イソプロパノール ２９質量部
光重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）２９５９、ＢＡＳＦ社製）
０．８質量部

変性ポリビニルアルコールの組成割合は、モル分率である。

＜ポジティブＡプレートの形成＞
次に、後述する表２に示す組成物１を、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させて、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、ポジティブＡプレート（膜厚：１．６μｍ）を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、ポジティブＡプレートを有するフィルムＡを得た。

なお、表２中の数値は、質量部を表す。

棒状液晶化合物（１）

棒状液晶化合物（２）

棒状液晶化合物（３）

垂直配向剤１

垂直配向剤２

＜＜第１ポジティブＣプレートの作製＞＞
上記＜＜ポジティブＡプレートの作製＞＞で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。ただし、＜配向層の形成＞の際に、ラビング処理は実施しなかった。

＜第１ポジティブＣプレートの形成＞
次に、上述した表２に示す組成物２を、ＭＥＫに溶解させて、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、第１ポジティブＣプレート（膜厚：１．４μｍ）を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、第１ポジティブＣプレートを有するフィルムＢを得た。

＜＜λ／４板の作製（Ａ）＞＞
上記＜＜ポジティブＡプレートの作製＞＞で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。

＜λ／４板の形成＞
次に、上述した表２に示す組成物１を、ＭＥＫに溶解させて、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、λ／４板（膜厚：２．２μｍ）を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、λ／４板を有するフィルムＣを得た。

＜＜第２ポジティブＣプレートの作製＞＞
上記＜＜ポジティブＡプレートの作製＞＞で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。ただし、＜配向層の形成＞の際に、ラビング処理は実施しなかった。

＜第２ポジティブＣプレートの形成＞
次に、上述した表２に示す組成物２を、ＭＥＫに溶解させて、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、第２ポジティブＣプレート（膜厚：１．１μｍ）を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、第２ポジティブＣプレートを有するフィルムＤを得た。

＜＜円偏光板の作製＞＞
上記で得られた保護膜付き偏光子の偏光子側の表面上に、偏光子とポジティブＡプレートとが対向するように市販のアクリル接着剤（東亜合成株式会社製ＵＶ−３３００）を介して、保護膜付き偏光子とフィルムＡとを貼り合わせて、貼合体を得た。メタルハライドランプを用いて、仮支持体側から照射量１００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を上記貼合体に照射して、接着剤を硬化させた後、得られたフィルムから仮支持体を剥離した。
上記フィルムＡの代わりに、フィルムＢ〜フィルムＤを用いて上記と同様の手順を繰り返し、偏光子上に、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートをさらに貼り合わせた。上記手順によって、偏光子、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートをこの順で有する円偏光板を作製した。
なお、後述する表３に示す「ポジティブＡプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度（°）」、「ポジティブＡプレートの面内遅相軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度（°）」、および、「λ／４板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度（°）」に記載の角度となるように、各層の貼り合わせを実施した。

［実施例２〜６、比較例１〜７］
＜＜ポジティブＡプレートの作製＞＞、＜＜第１ポジティブＣプレートの作製＞＞および＜＜第２ポジティブＣプレートの作製＞＞の際の組成物の種類および厚みを後述する表３に記載の通り変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、円偏光板を作製した。

なお、フィルムＡ〜フィルムＤからそれぞれ仮支持体を剥離し、ポジティブＡプレートおよびλ／４板のＲｅ(５５０)、Ｒｔｈ(５５０)、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）、および、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）を、第１ポジティブＣプレートおよび第２ポジティブＣプレートのＲｅ(５５０)、Ｒｔｈ(５５０)、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）、および、Ｒｔｈ（６５０）／Ｒｔｈ（５５０）をＡｘｏＳｃａｎにより測定した。

［円偏光板の有機ＥＬ表示パネルへの実装および表示性能の評価］
（円偏光板の有機ＥＬ表示装置への実装）
有機ＥＬ表示パネル搭載のＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ Ｓ ＩＶを分解し、円偏光板を剥離して、実施例１〜６および比較例１〜７の円偏光板をそれぞれ有機ＥＬ表示パネル上に貼合し、有機ＥＬ表示装置を作製した。

（表示性能の評価）
作製した有機ＥＬ表示装置について、明光下にて反射率および反射色味を評価した。外光反射光が最も視認されやすい黒表示にて、極角４５度から蛍光灯を映し込んだときの反射光を観察した。具体的には、視野角方向（極角４５度、方位角を１５度刻みで０〜１６５度）の反射光を分光放射計ＳＲ―３（トプコン社製）により測定し、比較例１を基準として下記の基準で評価した。
（反射率）
Ａ：比較例１での反射光の最大輝度に対する、反射光の最大輝度の割合が４０％以下である場合
Ｂ：比較例１での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が４０％超６０％以下である場合
Ｃ：比較例１での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が６０％超８０％以下である場合
Ｄ：比較例１での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が８０％超である場合

（色味変化）
色味変化（反射色味変化）は、全測定角度での反射光の色味ａ^＊およびｂ^＊の変化の大きさΔａ^＊ｂ^＊を下記式で定義した。

Ａ：比較例１での反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）に対する、反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）の割合が４０％以下である場合
Ｂ：比較例１での反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）に対する、反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）の割合が４０％超６０％以下である場合
Ｃ：比較例１での反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）に対する、反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）の割合が６０％超８０％以下である場合
Ｄ：比較例１での反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）に対する、反射光の反射色味変化（Δａ^＊ｂ^＊）の割合が８０％超である場合

表３に示すように、本発明の有機ＥＬ表示装置においては、所望の効果が得られた。
特に、実施例１、２および５の比較より、ポジティブＡプレートのＲｅ（５５０）が９０〜１１０ｎｍの場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例１、３および６の比較より、第１ポジティブＣプレートのＲｔｈが−１００以上（−１００〜−７５ｎｍ）の場合、より効果が優れることが確認された。
一方で、ポジティブＡプレートおよび第１ポジティブＣプレートを設けていない比較例１、ポジティブＡプレートのＲｅ（５５０）が所定の範囲外の比較例２、４および７、並びに、第１ポジティブＣプレートのＲｔｈ（５５０）が所定の範囲外の比較例３、５および６においては、所望の効果が得られなかった。
また、ＷＯ２０１３−１３７４６４号の実施例１０９に記載の円偏光板を作製して、実施例１と同様の手順に従って、各種評価を行ったところ、反射率はＤ、色味変化はＤの評価であった。

［実施例７］
＜＜λ／４板の作製（Ａ）＞＞
上記＜＜λ／２板の作製＞＞で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。ただし、＜配向層の形成＞の際に、ラビング処理は実施しなかった。

＜液晶層の形成＞
次に、棒状液晶化合物がネマチック相で垂直配向されて固定化された液晶層の形成について説明する。
後述する表４に示す組成物４を、ＭＥＫに溶解して、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗布膜中において棒状液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、液晶層（膜厚：８μｍ）を形成した。

＜変形＞
上記のように作製した仮支持体および液晶層を含むフィルムを、４辺をテンターで固定したバッチ延伸機において、給気温度１４０℃、フィルム面温度１３０℃、変形速度３０％／分で所定の変形倍率（Ｘ方向８０％延伸、Ｙ方向１０％収縮）になるよう変形した。その後、得られたフィルムの４辺の端部を切り落とし、延伸された仮支持体とλ／４板とを含むフィルムＥを得た。

＜＜円偏光板の作製＞＞
上記で得られた保護膜付き偏光子の偏光子側の表面上に、偏光子とポジティブＡプレートとが対向するように市販のアクリル接着剤（東亜合成株式会社製ＵＶ−３３００）を介して、保護膜付き偏光子とフィルムＡとを貼り合わせて、貼合体を得た。メタルハライドランプを用いて、仮支持体側から照射量１００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を上記貼合体に照射して、接着剤を硬化させた後、得られたフィルムから仮支持体を剥離した。
上記フィルムＡの代わりに、フィルムＢおよびフィルムＥを用いて上記と同様の手順を繰り返し、偏光子上に、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板をさらに貼り合わせた。上記手順によって、偏光子、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板をこの順で有する円偏光板を作製した。
なお、後述する表５に示す「ポジティブＡプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度（°）」、「ポジティブＡプレートの面内遅相軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度（°）」、および、「λ／４板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度（°）」に記載の角度となるように、各層の貼り合わせを実施した。

［実施例８〜１１］
＜＜ポジティブＡプレートの作製＞＞、および、＜＜第１ポジティブＣプレートの作製＞＞の際の厚みを後述する表５に記載の通り変更した以外は、実施例７と同様の手順に従って、円偏光板を作製した。

得られた実施例８〜１１の円偏光板を用いて、上述した［円偏光板の有機ＥＬ表示パネルへの実装および表示性能の評価］を実施した。結果を表５に示す。

組成物４の組成を表４に示す。なお、表４中の数値は、質量部を表す。

なお、フィルムＥから延伸された仮支持体を剥離し、λ／４板のＲｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)、および、遅相軸方向をＡｘｏＳｃａｎにより測定し、さらに、Ｎｚファクターを算出した。
また、上述した方法に従って、実施例７〜１１で用いられたλ／４板中のメソゲン基のオーダーパラメータを算出したところ、Ｓｘは０．２９９、Ｓｙは−０．３０１、Ｓｚは０．００２であった。

表５に示すように、本発明の有機ＥＬ表示装置においては、所望の効果が得られた。
特に、実施例７〜９の比較より、ポジティブＡプレートのＲｅ（５５０）が９０〜１１０ｎｍの場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例７、１０および１１の比較より、第１ポジティブＣプレートのＲｔｈが−１００〜−７５ｎｍの場合、より効果が優れることが確認された。

１０Ａ、１０Ｂ 位相差フィルム
１２ ポジティブＡプレート
１４ 第１ポジティブＣプレート
１６Ａ，１６Ｂ λ／４板
１８ 第２ポジティブＣプレート
２０Ａ，２０Ｂ 円偏光板
２２ 偏光子
２４Ａ，２４Ｂ 有機ＥＬ表示装置
２６ 有機ＥＬ表示パネル

Claims (20)

1. 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、前記有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを有する、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記円偏光板が、偏光子と、位相差フィルムとを有し、
   前記位相差フィルムが、前記偏光子側から、ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板を有し、
   前記ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、８０〜１２０ｎｍであり、
   前記第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１１０〜−７０ｎｍであり、
   前記ポジティブＡプレートの面内遅相軸と前記偏光子の吸収軸とが直交し、
   前記ポジティブＡプレートの面内遅相軸と前記λ／４板の面内遅相軸とのなす角度が４５±１０°である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 前記位相差フィルムが、前記λ／４板の前記第１ポジティブＣプレート側とは反対側に、さらに第２ポジティブＣプレートを有し、
   前記第２ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−５０ｎｍである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 前記λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 前記ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、９０〜１１０ｎｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 前記第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−７５ｎｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、および、前記λ／４板、のうち少なくとも１つが、逆波長分散性を示す、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、および、前記λ／４板の全てが、逆波長分散性を示す、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
8. 前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、および、前記λ／４板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
9. ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、λ／４板、および、第２ポジティブＣプレートをこの順で有し、
   前記ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、８０〜１２０ｎｍであり、
   前記第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１１０〜−７０ｎｍであり、
   前記第２ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−５０ｎｍであり、
   前記ポジティブＡプレートの面内遅相軸と前記λ／４板の面内遅相軸とのなす角度が４５±１０°である、位相差フィルム。
10. 前記ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、９０〜１１０ｎｍである、請求項９に記載の位相差フィルム。
11. 前記第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−７５ｎｍである、請求項９または１０に記載の位相差フィルム。
12. 前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、前記λ／４板、および、前記第２ポジティブＣプレートの全てが、逆波長分散性を示す、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
13. 前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、前記λ／４板、および、前記第２ポジティブＣプレートのいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
14. 偏光子、および、前記偏光子上に配置された請求項９〜１３のいずれか１項に記載の位相差フィルムを有し、
    前記偏光子側から、前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、前記λ／４板、および、前記第２ポジティブＣプレートがこの順で配置され、
    前記ポジティブＡプレートの面内遅相軸と前記偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。
15. ポジティブＡプレート、第１ポジティブＣプレート、および、λ／４板をこの順で有し、
    前記ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、８０〜１２０ｎｍであり、
    前記第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１１０〜−７０ｎｍであり、
    前記λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０であり、
    前記ポジティブＡプレートの面内遅相軸と前記λ／４板の面内遅相軸とのなす角度が４５±１０°である、位相差フィルム。
16. 前記ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが、９０〜１１０ｎｍである、請求項１５に記載の位相差フィルム。
17. 前記第１ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションが、−１００〜−７５ｎｍである、請求項１５または１６に記載の位相差フィルム。
18. 前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、および、前記λ／４板、の全てが、逆波長分散性を示す、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
19. 前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、および、前記λ／４板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
20. 偏光子、および、前記偏光子上に配置された請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の位相差フィルムを有し、
    前記偏光子側から、前記ポジティブＡプレート、前記第１ポジティブＣプレート、前記λ／４板、および、前記第２ポジティブＣプレートがこの順で配置され、
    前記ポジティブＡプレートの面内遅相軸と前記偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。