JP6773887B2 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、位相差フィルム、円偏光板 - Google Patents
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Description
本発明者が、特許文献1に記載の円偏光板を含む有機EL表示装置の外光反射特性について検討を行ったところ、斜め方向から視認した際の外光反射の抑制が昨今求められるレベルまで到達しておらず、更なる改良が必要であった。
また、斜め方向からの視認時において、方位角を変えて視認した際に、色味の変化が小さいことも求められている。つまり、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制されることが求められている。
また、本発明は、表示装置に適用した際に、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、位相差フィルムおよび円偏光板を提供することも課題とする。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
円偏光板が、偏光子と、位相差フィルムとを有し、
位相差フィルムが、偏光子側から、ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板を有し、
ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、80〜120nmであり、
第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−110〜−70nmであり、
ポジティブAプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とが直交し、
ポジティブAプレートの面内遅相軸とλ/4板の面内遅相軸とのなす角度が45±10°である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(2) 位相差フィルムが、λ/4板の第1ポジティブCプレート側とは反対側に、さらに第2ポジティブCプレートを有し、
第2ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−50nmである、(1)に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(3) λ/4板のNzファクターが0.30〜0.70である、(1)に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(4) ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、90〜110nmである、(1)〜(3)のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(5) 第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−75nmである、(1)〜(4)のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(6) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板、のうち少なくとも1つが、逆波長分散性を示す、(1)〜(5)のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(7) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板の全てが、逆波長分散性を示す、(1)〜(6)のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(8) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、(1)〜(7)のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
(9) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートをこの順で有し、
ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、80〜120nmであり、
第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−110〜−70nmであり、
第2ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−50nmであり、
ポジティブAプレートの面内遅相軸とλ/4板の面内遅相軸とのなす角度が45±10°である、位相差フィルム。
(10) ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、90〜110nmである、(9)に記載の位相差フィルム。
(11) 第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−75nmである、(9)または(10)に記載の位相差フィルム。
(12) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートの全てが、逆波長分散性を示す、(9)〜(11)のいずれかに記載の位相差フィルム。
(13) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートのいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、(9)〜(12)のいずれかに記載の位相差フィルム。
(14) 偏光子、および、偏光子上に配置された(9)〜(13)のいずれかに記載の位相差フィルムを有し、
偏光子側から、ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートがこの順で配置され、
ポジティブAプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。
(15) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板をこの順で有し、
ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、80〜120nmであり、
第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−110〜−70nmであり、
λ/4板のNzファクターが0.30〜0.70であり、
ポジティブAプレートの面内遅相軸とλ/4板の面内遅相軸とのなす角度が45±10°である、位相差フィルム。
(16) ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、90〜110nmである、(15)に記載の位相差フィルム。
(17) 第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−75nmである、(15)または(16)に記載の位相差フィルム。
(18) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板、の全てが、逆波長分散性を示す、(15)〜(17)のいずれかに記載の位相差フィルム。
(19) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、(15)〜(18)のいずれかに記載の位相差フィルム。
(20) 偏光子、および、偏光子上に配置された(15)〜(19)のいずれかに記載の位相差フィルムを有し、
偏光子側から、ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートがこの順で配置され、
ポジティブAプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。
(21) ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートの厚みが、それぞれ6μm以下である、(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
また、本発明によれば、表示装置に適用した際に、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、位相差フィルムおよび円偏光板を提供できる。
本発明において、Re(λ)およびRth(λ)はAxoScan OPMF−1(オプトサイエンス社製)において、波長λで測定した値である。AxoScanにて平均屈折率((nx+ny+nz)/3)と膜厚(d(μm))を入力することにより、
遅相軸方向(°)
Re(λ)=R0(λ)
Rth(λ)=((nx+ny)/2−nz)×d
が算出される。
なお、R0(λ)は、AxoScan OPMF−1で算出される数値として表示されるものであるが、Re(λ)を意味している。
また、ポリマーハンドブック(JOHN WILEY&SONS,INC)、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する:セルロースアシレート(1.48)、シクロオレフィンポリマー(1.52)、ポリカーボネート(1.59)、ポリメチルメタクリレート(1.49)、および、ポリスチレン(1.59)。
また、本明細書において、Nzファクターとは、Nz=(nx−nz)/(nx−ny)で与えられる値である。
また、本明細書において、角度(例えば「90°」などの角度)、およびその関係(例えば「直交」、「平行」、および「45°で交差」など)については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±10°の範囲内であることなどを意味し、厳密な角度との誤差は、5°以下であることが好ましく、3°以下であることがより好ましい。
Aプレートは、ポジティブAプレート(正のAプレート)とネガティブAプレート(負のAプレート)との2種があり、フィルム面内の遅相軸方向(面内での屈折率が最大となる方向)の屈折率をnx、面内の遅相軸と面内で直交する方向の屈折率をny、厚さ方向の屈折率をnzとしたとき、ポジティブAプレートは式(A1)の関係を満たすものであり、ネガティブAプレートは式(A2)の関係を満たすものである。なお、ポジティブAプレートはRthが正の値を示し、ネガティブAプレートはRthが負の値を示す。
式(A1) nx>ny≒nz
式(A2) ny<nx≒nz
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、(ny−nz)×d(ただし、dはフィルムの厚みである)が、−10〜10nm、好ましくは−5〜5nmの場合も「ny≒nz」に含まれ、(nx−nz)×dが、−10〜10nm、好ましくは−5〜5nmの場合も「nx≒nz」に含まれる。
Cプレートは、ポジティブCプレート(正のCプレート)とネガティブCプレート(負のCプレート)との2種があり、ポジティブCプレートは式(C1)の関係を満たすものであり、ネガティブCプレートは式(C2)の関係を満たすものである。なお、ポジティブCプレートはRthが負の値を示し、ネガティブCプレートはRthが正の値を示す。
式(C1) nz>nx≒ny
式(C2) nz<nx≒ny
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、(nx−ny)×d(ただし、dはフィルムの厚みである)が、0〜10nm、好ましくは0〜5nmの場合も「nx≒ny」に含まれる。
本明細書において、ネガティブAプレートおよびポジティブAプレートの「面内遅相軸」は、面内において屈折率が最大となる方向を意味する。
なお、以下では、位相差フィルム、円偏光板、および、有機EL表示装置の順に説明を行う。
<位相差フィルム>
本発明の位相差フィルムの第1実施態様について図面を参照して説明する。図1に、本発明の位相差フィルムの第1実施態様の断面図を示す。なお、本発明における図は模式図であり、各層の厚みの関係および位置関係などは必ずしも実際のものとは一致しない。
位相差フィルム10Aは、ポジティブAプレート12と、第1ポジティブCプレート14と、λ/4板16Aと、第2ポジティブCプレート18とをこの順で有する。
また、図2において、ポジティブAプレート12の面内遅相軸、および、λ/4板16Aの面内遅相軸の関係を示す。図2中、ポジティブAプレート12およびλ/4板16A中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
以下、位相差フィルム10Aに含まれる各部材について詳述する。
ポジティブAプレートは、後述する円偏光板中において最も偏光子側に配置される層である。なお、ポジティブAプレートは、単層構造であることが好ましい。
ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションは、80〜120nmであり、有機EL表示装置を斜め方向から視認した際の外光反射および/または色味変化がより抑制される点(以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する)で、90〜110nmが好ましい。
なお、ポジティブAプレートが順波長分散性を示すとは、ポジティブAプレートの面内レタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブAプレートの面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、ポジティブAプレートが逆波長分散性を示すとは、ポジティブAプレートの面内レタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブAプレートの面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。
なお、上記Re(450)およびRe(650)は、それぞれ波長450nmおよび波長650nmで測定したポジティブAプレートの面内レタデーションを示す。
なお、本明細書において、ポジティブAプレートの厚みとは、ポジティブAプレートの平均厚みを意図する。上記平均厚みは、ポジティブAプレートの任意の5点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。
なお、従来、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル(有機EL表示パネル)は剛直な平面型が主流であったが、近年、折り畳みが可能なフレキシブルな有機EL表示パネルが提案されている。このようなフレキシブルな有機EL表示パネルに用いる円偏光板としては、それ自体がフレキシブル性に優れることが求められる。この観点からは、液晶化合物を用いて形成されたポジティブAプレートであれば、ポリマーフィルムよりもフレキシブル性に優れるため、フレキシブルな有機EL表示パネルに好適に適用できる。
また、後段で詳述する第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートも、上記理由から、それぞれ、液晶化合物を用いて形成されることが好ましい。
つまり、液晶化合物を用いて形成されたポジティブAプレート、液晶化合物を用いて形成された第1ポジティブCプレート、液晶化合物を用いて形成されたλ/4板、および、液晶化合物を用いて形成された第2ポジティブCプレートを含む円偏光板であれば、フレキシブルな有機EL表示パネルにより好適に適用できる。
つまり、ポジティブAプレートは、重合性基を有する液晶化合物(棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物)が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
上記重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合またはカチオン重合が可能な重合性基が好ましい。
ラジカル重合性基としては、公知のラジカル重合性基を用いることができ、アクリロイル基またはメタアクリロイル基が好ましい。
カチオン重合性基としては、公知のカチオン重合性基を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基などが挙げられる。なかでも、脂環式エーテル基またはビニルオキシ基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基がより好ましい。
特に、好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。
一般式(I) L1−G1−D1−Ar−D2−G2−L2
G1およびG2は、それぞれ独立に、炭素数5〜8の2価の脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−O−、−S−、または、−NR6−で置換されていてもよく、R6は水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表す。
L1およびL2は、それぞれ独立に、1価の有機基を表し、L1およびL2からなる群から選ばれる少なくとも一種が、重合性基を有する1価の基を表す。
Arは、一般式(II−1)、一般式(II−2)、一般式(II−3)、または、一般式(II−4)で表される2価の芳香環基を表す。
D3は、D1と同義である。
G3は、単結合、炭素数6〜12の2価の芳香環基もしくは複素環基、または、炭素数5〜8の2価の脂環式炭化水素基を表し、上記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−O−、−S−、または、−NR7−で置換されていてもよく、ここでR7は水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表す。
Spは、単結合、アルキレン基、−O−、−C(=O)−、−NR8−、または、これらを組み合わせた基を表す。上記組み合わせた基としては、例えば、−(CH2)n−、−(CH2)n−O−、−(CH2−O−)n−、−(CH2CH2−O−)m、−O−(CH2)n−、−O−(CH2)n−O−、−O−(CH2−O−)n−、−O−(CH2CH2−O−)m、−C(=O)−O−(CH2)n−、−C(=O)−O−(CH2)n−O−、−C(=O)−O−(CH2−O−)n−、−C(=O)−O−(CH2CH2−O−)m、−C(=O)−NR8−(CH2)n−、−C(=O)−NR8−(CH2)n−O−、−C(=O)−NR8−(CH2−O−)n−、−C(=O)−NR8−(CH2CH2−O−)m、および、−(CH2)n−O−C(=O)−(CH2)n−C(=O)−O−(CH2)n−O−が挙げられる。ここで、nは2〜12の整数を表し、mは2〜6の整数を表し、R8は水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表す。なお、nが3以上の場合、−(CH2)n−で表されるアルキレン基は分岐していてもよい。
P3は重合性基を示す。重合性基の定義は、上述した通りである。
なかでも、面内レタデーションの制御がしやすい点から、重合性基を有する液晶化合物(以後、単に「重合性液晶化合物」とも称する)を含むポジティブAプレート形成用組成物(以後、単に「組成物」とも称する)を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させ、得られた塗膜に対して硬化処理(紫外線の照射(光照射処理)または加熱処理)を施して、ポジティブAプレートを形成する方法が好ましい。
以下、上記方法の手順について詳述する。
使用される組成物は、重合性液晶化合物を含む。重合性液晶化合物の定義は、上述した通りである。
なお、組成物中の全固形分には、溶媒は含まれない。
例えば、組成物には、重合開始剤が含まれていてもよい。使用される重合開始剤は、重合反応の形式に応じて選択され、例えば、熱重合開始剤、および、光重合開始剤が挙げられる。例えば、光重合開始剤としては、α−カルボニル化合物、アシロインエーテル、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、および、トリアリールイミダゾールダイマーとp−アミノフェニルケトンとの組み合わせなどが挙げられる。
組成物中における重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、0.01〜20質量%が好ましく、0.5〜5質量%がより好ましい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。重合性モノマーとしては、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましく、上記の重合性基を有する液晶化合物と共重合性のものがより好ましい。例えば、特開2002−296423号公報中の段落[0018]〜[0020]に記載のものが挙げられる。
組成物中における重合性モノマーの含有量は、重合性液晶化合物の全質量に対して、1〜50質量%が好ましく、2〜30質量%がより好ましい。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、フッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば、特開2001−330725号公報中の段落[0028]〜[0056]に記載の化合物、および、特願2003−295212号明細書中の段落[0069]〜[0126]に記載の化合物が挙げられる。
さらに、組成物には、上記成分以外に、密着改良剤、可塑剤、および、ポリマーなどの他の添加剤が含まれていてもよい。
支持体の厚みは、5〜1000μm程度であればよく、10〜250μmが好ましく、15〜90μmがより好ましい。
配向層は、一般的には、ポリマーを主成分とする。配向層用ポリマーとしては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。利用されるポリマーは、ポリビニルアルコール、ポリイミド、または、その誘導体が好ましい。
なお、配向層には、公知のラビング処理が施されることが好ましい。
配向層の厚みは、0.01〜10μmが好ましく、0.01〜1μmがより好ましい。
配向処理は、室温により塗膜を乾燥させる、または、塗膜を加熱することにより行うことができる。サーモトロピック性液晶化合物の場合、一般に温度または圧力の変化により、塗膜中の相状態を液晶相に転移させることができる。リオトロピック性をもつ液晶化合物の場合には、溶媒量などの組成比によっても、塗膜中の相状態を液晶相に転移させることができる。
なお、塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては50〜150℃が好ましく、加熱時間としては10秒間〜5分間が好ましい。
重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して実施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点から、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
光照射処理の照射条件は特に制限されないが、50〜1000mJ/cm2の照射量が好ましい。
第1ポジティブCプレートは、後述する円偏光板中において上記ポジティブAプレートを介して偏光子上に配置される層である。なお、第1ポジティブCプレートは、単層構造であることが好ましい。
第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションであるRth(550)は、−110〜−70nmである。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、−100〜−70nmが好ましく、−100〜−75nmがより好ましい。
なお、第1ポジティブCプレートが順波長分散性を示すとは、第1ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、第1ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、第1ポジティブCプレートが逆波長分散性を示すとは、第1ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、第1ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。
なお、上記Rth(450)およびRth(650)は、それぞれ波長450nmおよび波長650nmで測定した第1ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションを示す。
なお、本明細書において、第1ポジティブCプレートの厚みとは、第1ポジティブCプレートの平均厚みを意図する。上記厚みは、第1ポジティブCプレートの任意の5点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。
第1ポジティブCプレートの形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブAプレートを形成する方法が挙げられる。
λ/4板は、後述する円偏光板中において上記第1ポジティブCプレートと後述する第2ポジティブCプレートとの間に配置される層である。なお、λ/4板は、単層構造であることが好ましい。
λ/4板(λ/4機能を有する板)とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に(または、円偏光を直線偏光に)変換する機能を有する板である。より具体的には、所定の波長λnmにおける面内レタデーションがλ/4(または、この奇数倍)を示す板である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、波長550nmにおける面内レタデーションRe(550)は、100〜200nmが好ましく、120〜160nmがより好ましく、130〜150nmがさらに好ましい。
なお、λ/4板が順波長分散性を示すとは、λ/4板の面内レタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、λ/4板の面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、λ/4板が逆波長分散性を示すとは、λ/4板の面内レタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、λ/4板の面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。
なお、上記Re(450)およびRe(650)は、それぞれ波長450nmおよび波長650nmで測定したλ/4板の面内レタデーションを示す。
なお、本明細書において、λ/4板の厚みとは、λ/4板の平均厚みを意図する。上記平均厚みは、λ/4板の任意の5点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。
なお、上記角度θとは、ポジティブAプレート12表面の法線方向から視認した際の、ポジティブAプレート12の面内遅相軸とλ/4板16Aの面内遅相軸とのなす角度を意図する。
λ/4板の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブAプレートを形成する方法が挙げられる。
第2ポジティブCプレートは、後述する円偏光板中において上記λ/4板の偏光子側とは反対側の表面上に配置される層である。言い換えれば、λ/4板の第1ポジティブCプレート側とは反対側に配置される層である。なお、第2ポジティブCプレートは、単層構造であることが好ましい。
第2ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションであるRth(550)は、−100〜−50nmである。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、−90〜−60nmが好ましく、−80〜−60nmがより好ましい。
なお、第2ポジティブCプレートが順波長分散性を示すとは、第2ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、第2ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、第2ポジティブCプレートが逆波長分散性を示すとは、第2ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、第2ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。
なお、上記Rth(450)およびRth(650)は、それぞれ波長450nmおよび波長650nmで測定した第2ポジティブCプレートの厚み方向のレタデーションを示す。
なお、本明細書において、第2ポジティブCプレートの厚みとは、第2ポジティブCプレートの平均厚みを意図する。上記厚みは、第2ポジティブCプレートの任意の5点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。
第2ポジティブCプレートの形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブAプレートを形成する方法が挙げられる。
上記位相差フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲で、ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレート以外の他の層を含んでいてもよい。
例えば、位相差フィルムは、液晶化合物の配向方向を規定する機能を有する配向層を含んでいてもよい。配向層の配置位置は特に制限されないが、例えば、ポジティブAプレートと第1ポジティブCプレートとの間、第1ポジティブCプレートとλ/4板との間、および、λ/4板と第2ポジティブCプレートとの間が挙げられる。
配向層を構成する材料、および、配向層の厚みは、上述した通りである。
また、位相差フィルムは、各層間を接着するための接着層または粘着層を含んでいてもよい。
本発明の円偏光板の第1実施態様について図面を参照して説明する。図3に、本発明の円偏光板の第1実施態様の断面図を示す。
円偏光板20Aは、偏光子22と、ポジティブAプレート12と、第1ポジティブCプレート14と、λ/4板16Aと、第2ポジティブCプレート18とをこの順で有する。
また、図4において、偏光子22の吸収軸、ポジティブAプレート12の面内遅相軸、および、λ/4板16Aの面内遅相軸の関係を示す。図4中、偏光子22中の矢印は吸収軸の方向を表し、ポジティブAプレート12およびλ/4板16A中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
以下、円偏光板20Aに含まれる各部材について詳述する。
まず、円偏光板20Aに含まれるポジティブAプレート12、第1ポジティブCプレート14、λ/4板16A、および、第2ポジティブCプレート18の態様は、上述した通りである。
偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材(直線偏光子)であればよく、例えば、吸収型偏光子が挙げられる。
吸収型偏光子としては、例えば、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、および、ポリエン系偏光子が挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子とがあり、いずれも適用できる。なかでも、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
また、基材上にポリビニルアルコール層を形成した積層フィルムの状態で延伸および染色を施すことで偏光子を得る方法として、特許第5048120号公報、特許第5143918号公報、特許第5048120号公報、特許第4691205号公報、特許第4751481号公報、および、特許第4751486号公報に記載の方法が挙げられ、これらの偏光子に関する公知の技術も好ましく利用できる。
なかでも、取り扱い性の点から、偏光子は、ポリビニルアルコール系樹脂(−CH2−CHOH−を繰り返し単位として含むポリマー、特に、ポリビニルアルコールおよびエチレン−ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも1つが好ましい。)を含む偏光子であることが好ましい。
なお、上記角度とは、偏光子22表面の法線方向から視認した際の、偏光子22の吸収軸とポジティブAプレート12の面内遅相軸とのなす角度を意図する。
なお、上記角度θとは、偏光子22表面の法線方向から視認した際の、偏光子22の吸収軸とλ/4板16Aの面内遅相軸とのなす角度を意図する。
上記円偏光板20Aは、本発明の効果を損なわない範囲で、偏光子22、ポジティブAプレート12、第1ポジティブCプレート14、λ/4板16A、および、第2ポジティブCプレート18以外の他の層を含んでいてもよい。
例えば、円偏光板20Aは、液晶化合物の配向方向を規定する機能を有する配向層を含んでいてもよい。配向層の配置位置は特に制限されない。
配向層を構成する材料、および、配向層の厚みは、上述した通りである。
また、円偏光板20Aは、各層間を接着するための接着層または粘着層を含んでいてもよい。
偏光子保護フィルムの構成は特に制限されず、例えば、透明支持体またはハードコート層であってもよく、透明支持体とハードコート層との積層体であってもよい。
ハードコート層としては、公知の層を使用でき、例えば、上述した多官能モノマーを重合硬化して得られる層であってもよい。
また、透明支持体としては、公知の透明支持体が挙げられる。また、透明支持体を形成する材料としては、トリアセチルセルロースに代表されるセルロースポリマー(以下、セルロースアシレートという)、熱可塑性ノルボルネン樹脂(日本ゼオン(株)製のゼオネックスおよびゼオノア、並びに、JSR(株)製のアートンなど)、アクリル樹脂、および、ポリエステル樹脂が挙げられる。
偏光子保護フィルムの厚みは特に限定されないが、円偏光板の厚みを薄くできる点から、40μm以下が好ましく、25μm以下がより好ましい。
本発明の有機EL表示装置の第1実施態様について図面を参照して説明する。図5に、本発明の有機EL表示装置の断面図を示す。
有機EL表示装置24Aは、偏光子22と、ポジティブAプレート12と、第1ポジティブCプレート14と、λ/4板16Aと、第2ポジティブCプレート18と、有機EL表示パネル26とをこの順で有する。なお、図5に示すように、円偏光板20A中の偏光子22が視認側に配置される。
有機EL表示パネル26は、電極間(陰極および陽極間)に有機発光層(有機エレクトロルミネッセンス層)を挟持してなる有機EL素子を用いて構成された表示パネルである。
有機EL表示パネル26の構成は特に制限されず、公知の構成が採用される。
<位相差フィルム>
本発明の位相差フィルムの第2実施態様について図面を参照して説明する。図6に、本発明の位相差フィルムの第2実施態様の断面図を示す。
位相差フィルム10Bは、ポジティブAプレート12と、第1ポジティブCプレート14と、および、λ/4板16Bとをこの順で有する。
また、図7において、ポジティブAプレート12の面内遅相軸、および、λ/4板B16の面内遅相軸の関係を示す。図7中、ポジティブAプレート12およびλ/4板16B中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
図6に示す位相差フィルム10Bは、λ/4板16Bの点を除いて、図1に示す位相差フィルム10Aと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では、主に、λ/4板16Bについて詳述する。
なお、位相差フィルム10Bは、上述した位相差フィルム10Aが有していてもよい他の層を有していてもよい。
λ/4板は、上記第1ポジティブCプレートのポジティブAプレート側とは反対側に配置される層である。なお、λ/4板は、単層構造であることが好ましい。
λ/4板(λ/4機能を有する板)とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に(または、円偏光を直線偏光に)変換する機能を有する板である。
位相差フィルムの第2実施態様中のλ/4板と、位相差フィルムの第1実施態様中のλ/4板とは、位相差フィルムの第2実施態様中のλ/4板が所定のNzファクターの範囲である点以外は、同様の特性を有する。
具体的には、位相差フィルムの第2実施態様中のλ/4板の面内レタデーション、厚み方向のレタデーション、および、厚みの範囲は、位相差フィルムの第2実施態様中のλ/4板の面内レタデーション、厚み方向のレタデーション、および、厚みの範囲とそれぞれ同じである。
また、位相差フィルムの第2実施態様中のλ/4板は、位相差フィルムの第1実施態様中のλ/4板と同様に、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。
さらに、図7中の位相差フィルムの第2実施態様中のλ/4板16Bの面内遅相軸と、ポジティブAプレート12の面内遅相軸とのなす角度θは、位相差フィルムの第1実施態様中のλ/4板16Aの面内遅相軸と、ポジティブAプレート12の面内遅相軸とのなす角度θと同じである。
ここでθは、配向要素(例えば、液晶化合物)の平均的な配向軸方向と、各配向要素の軸とのなす角度である。
なお、メソゲン基とは、液晶化合物に含まれる構造であり、剛直かつ配向性を有する官能基である。メソゲン基の構造としては、例えば、芳香環基および脂環基からなる群から選択される基が、複数個、直接または連結基(例えば、−CO−、−O−、−NR−(Rは、水素原子、または、アルキル基を表す)、または、これらを組み合わせた基)を介して連なった構造が挙げられる。
より具体的には、測定装置としては、偏光ラマンスペクトル測定にはnanofider(東京インスツルメンツ社製)を用いる。まず、AxoScan OPMF−1(オプトサイエンス社製)を用いて、位相差板の面内遅相軸(x軸)方向を特定する。次に、位相差板の主面(xy面)、位相差板の第1断面(xz面)、および、位相差板の第2断面(yz面)を測定面として、偏光ラマンスペクトル測定を行う。なお、上記第1断面および第2断面は、位相差板を所定の方向で切断して露出される断面である。第1断面はx軸に平行で、かつ、主面に対して垂直な方向で位相差板を切断して形成される断面である。第2断面は、y軸に平行で、かつ、主面に対して垂直な方向で位相差板を切断して形成される断面である。
偏光ラマンスペクトル測定の具体的な方法としては、所定の励起波長(例えば、785nm)で偏光をいくつかの角度で回転させ、それに対して平行な方向と垂直な方向との偏光ラマンスペクトルを測定する。次に、Naoki Hayashi, Tatsuhisa Kato, Phys. Rev. E, 63, 021706 (2001)に記載の方法に従って、位相差板中に含まれるメソゲン基の骨格に由来するピークをもつバンドに対し、理論的に導いた式により最小二乗法に基づくフィッティング解析を行い、測定面内の2次オーダーパラメータSxy、Syx、Syz、Szy、Sxz、および、Szxを算出する。さらに以下の式に基づき各軸方向のオーダーパラメータSx、Sy、および、Szを算出する。
Sx=(Sxy+Sxz)/2
Sy=(Syx+Syz)/2
Sz=(Szx+Szy)/2
なお、位相差板中におけるメソゲン基の構造は、熱分解GC−MS(Gas chromatography-mass spectrometry)、IR(infrared)スペクトル測定、および、NMR(nuclear magnetic resonance)測定により決定できる。使用される液晶化合物の構造が予めわかっている場合は、その構造より位相差板中におけるメソゲン基の構造を決定できる。
なお、上記基準軸はオーダーパラメータを算出する際の軸であり、メソゲン基の種類によって異なる。詳細は、後段で詳述する。
また、メソゲン基が円盤状である場合、メソゲン基の円盤面に直交する軸を基準としてオーダーパラメータが算出される。つまり、メソゲン基の円盤面に直交する軸が基準軸となり、メソゲン基の円盤面に直交する軸の平均配向方向と、上述したx軸、y軸、および、z軸とのなす角度をそれぞれθX、θY、および、θZとして、オーダーパラメータを算出する。
式(A1) Sx>Sz>Sy
式(A2) −0.3<Sz<0.2(好ましくは、−0.10<Sz<0.10)
式(A3) Sx>0.05
上記Sxは、0.1以上であることが好ましく、0.2以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、0.4以下の場合が多い。
また、Syは、−0.1以下であることが好ましく、−0.2以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、−0.4以上の場合が多い。
また、Sxの絶対値とSyの絶対値との差は、0.1以下であることが好ましく、0.04以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、0が好ましい。
式(A4) Sy>Sz>Sx
式(A5) −0.2<Sz<0.3(好ましくは、−0.10<Sz<0.10)
式(A6) Sy>0.05
上記Sxは、−0.1以下であることが好ましく、−0.2以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、−0.4以上の場合が多い。
また、Syは、0.1以上であることが好ましく、0.2以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、0.4以下の場合が多い。
また、Sxの絶対値とSyの絶対値との差は、0.1以下であることが好ましく、0.04以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、0が好ましい。
λ/4板の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブAプレートを形成する方法が挙げられる。
本工程では、延伸処理および収縮処理の両方を実施してもよく、例えば、一方向では延伸処理、他方向では収縮処理などのように方向に応じて処理の種類を変更してもよい。
延伸処理の方法としては、一軸延伸および二軸延伸などの公知の延伸処理の方法が挙げられる。
収縮処理(特に、熱収縮処理)の方法としては、例えば、特開2006−215142号公報、特開2007−261189号公報、および、特許4228703号公報などに記載の方法を参照できる。
また、上述した支持体としては、延伸時の加熱処理の際に特定の方向に収縮する支持体(熱収縮性支持体)なども挙げられる。例えば、このような支持体を用いることにより、特定の方向に延伸させつつ、支持体の収縮方向においては硬化膜を収縮させることもできる。
例えば、重合性液晶化合物として棒状液晶化合物を用い、かつ、塗膜表面に対して垂直方向に重合性液晶化合物が配向している場合は、硬化膜の表面(主面)に平行な一方向に硬化膜を延伸させ、かつ、面内において上記一方向に直交する方向に硬化膜を収縮させることにより、所定のNzファクターを示すλ/4板を得ることができる。
上記では、延伸処理および収縮処理の方法を示したが、本発明は上記に制限されず、使用される液晶化合物の種類に応じて適宜最適な処理が実施される。
本発明の円偏光板の第2実施態様について図面を参照して説明する。図8に、本発明の円偏光板の第1実施態様の断面図を示す。
円偏光板20Bは、偏光子22と、ポジティブAプレート12と、第1ポジティブCプレート14と、λ/4板16Bとをこの順で有する。
また、図9において、偏光子22の吸収軸、ポジティブAプレート12の面内遅相軸、および、λ/4板16Bの面内遅相軸の関係を示す。図9中、偏光子22中の矢印は吸収軸の方向を表し、ポジティブAプレート12およびλ/4板16B中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
図8に示す円偏光板20Bは、λ/4板16Bの点を除いて、図3に示す円偏光板20Aと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、λ/4板16Bの態様は、上述した通りである。
なお、円偏光板20B中における偏光子22の吸収軸とポジティブAプレート12の面内遅相軸とのなす角度、および、偏光子22の吸収軸とλ/4板16Bの面内遅相軸とのなす角度θは、それぞれ、円偏光板20A中における偏光子22の吸収軸とポジティブAプレート12の面内遅相軸とのなす角度、および、偏光子22の吸収軸とλ/4板16Aの面内遅相軸とのなす角度θと同じである。
本発明の有機EL表示装置の第2実施態様について図面を参照して説明する。図10に、本発明の有機EL表示装置の断面図を示す。
有機EL表示装置24Bは、偏光子22と、ポジティブAプレート12と、第1ポジティブCプレート14と、および、λ/4板16Bと、有機EL表示パネル26とをこの順で有する。なお、図10に示すように、円偏光板20B中の偏光子22が視認側に配置される。
図10に示す有機EL表示装置24Bは、λ/4板16Bの点を除いて、図5に示す有機EL表示装置24Aと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、λ/4板16Bの態様は、上述した通りである。
<<偏光子の作製>>
<保護膜の作製>
下記の組成物をミキシングタンクに投入し攪拌して、各成分を溶解し、コア層セルロースアシレートドープを調製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
アセチル置換度2.88のセルロースアセテート 100質量部
エステルオリゴマー(化合物1−1) 10質量部
耐久性改良剤(化合物1−2) 4質量部
紫外線吸収剤(化合物1−3) 3質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 438質量部
メタノール(第2溶媒) 65質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――
上記のコア層セルロースアシレートドープ90質量部に下記組成のマット剤分散液を10質量部加え、外層セルロースアシレートドープを調製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
平均粒子サイズ20nmのシリカ粒子
(AEROSIL R972、日本アエロジル(株)製) 2質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 76質量部
メタノール(第2溶媒) 11質量部
コア層セルロースアシレートドープ1 1質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――
上記コア層セルロースアシレートドープとその両側に外層セルロースアシレートドープとを3層同時に流延口から20℃のドラム上に流延した。ドラム上のフィルムの溶媒含有率が略20質量%の状態となったところでフィルムを剥ぎ取り、剥ぎ取ったフィルムの幅方向の両端をテンタークリップで固定し、フィルム中の残留溶媒が3〜15質量%の状態で、フィルムを横方向に1.2倍延伸しつつ乾燥した。その後、延伸されたフィルムを熱処理装置のロール間に搬送することにより、厚み25μmのセルロースアシレートフィルムを作製し、偏光板保護膜とした。
ハードコート層形成用の塗布液として、下記表1に記載のハードコート用硬化性組成物を調製した。
1)フィルムのケン化
作製したハードコート層付保護膜を37℃に調温した4.5mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液(ケン化液)に1分間浸漬した後、ハードコート層付保護膜を取り出して水洗した。その後、ハードコート層付保護膜を0.05mol/Lの硫酸水溶液に30秒間浸漬した後、ハードコート層付保護膜を取り出して、さらに水洗浴に通した。そして、得られたフィルムをエアナイフによる水切りを3回繰り返し、水を落とした後に70℃の乾燥ゾーンに15秒間滞留させて乾燥し、ケン化処理したハードコート層付保護膜を作製した。
2)偏光子の作製
特開2001−141926号公報の実施例1に従い、乾燥条件を変更して、2対のニップロール間に周速差を与え、長手方向に延伸し、幅1330mm、厚み15μmの偏光子を作製した。
3)貼り合わせ
作製した偏光子と、ケン化処理したハードコート層付保護膜とを、PVA((株)クラレ製、PVA−117H)3質量%水溶液を接着剤として、偏光子の吸収軸とフィルム(ハードコート層付保護膜)の長手方向とが平行となるようにロールツーロールで貼りあわせて保護膜付き偏光子を作製した。
このとき、セルロースアシレートフィルムと偏光子とが対向するように、偏光子と、ケン化処理したハードコート層付保護膜とを貼り合わせた。
<仮支持体の作製>
下記一般式(II)で表されるラクトン環構造を有するアクリル系樹脂{共重合モノマー質量比=メタクリル酸メチル/2−(ヒドロキシメチル)アクリル酸メチル=8/2、ラクトン環化率約100%、ラクトン環構造の含有割合19.4%、重量平均分子量133000、メルトフローレート6.5g/10分(240℃、10kgf)、Tg131℃}90質量部と、アクリロニトリル−スチレン(AS)樹脂{トーヨーAS AS20、東洋スチレン社製}10質量部との混合物(Tg127℃)のペレットを二軸押出機に供給し、約280℃でシート状に溶融押出しした。その後、溶融押出しされたシートを、縦一軸延伸機において、給気温度130℃、シート面温度120℃、延伸速度30%/分、および、延伸倍率35%で縦延伸した。その後、縦延伸されたシートを、テンター式延伸機において、給気温度130℃、シート面温度120℃、延伸速度30%/分、および、延伸倍率35%で横延伸した。その後、横延伸されたシートを、巻取り部前で両端部を切り落とし、長さ4000mのロールフィルムとして巻き取りして、厚み40μmの長尺状の仮支持体を作製した。
上記仮支持体上に、下記組成の配向層形成用塗布液を#14のワイヤーバーで連続的に塗布した。配向層形成用塗布液が塗布された仮支持体を、60℃の温風で60秒間、さらに100℃の温風で120秒間乾燥し、仮支持体上に塗膜を形成した。さらに、塗膜に対して、仮支持体の長手方向にラビング処理を施し、配向層を形成した。
使用した変性ポリビニルアルコールの鹸化度は96.8%であった。
下記の変性ポリビニルアルコール 10質量部
水 308質量部
メタノール 70質量部
イソプロパノール 29質量部
光重合開始剤(IRGACURE(登録商標)2959、BASF社製)
0.8質量部
変性ポリビニルアルコールの組成割合は、モル分率である。
次に、後述する表2に示す組成物1を、MEK(メチルエチルケトン)に溶解させて、固形分濃度が10質量%となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、120℃で2分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を120℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて120℃、100mJ/cm2にて紫外線照射して、ポジティブAプレート(膜厚:1.6μm)を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、ポジティブAプレートを有するフィルムAを得た。
上記<<ポジティブAプレートの作製>>で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。ただし、<配向層の形成>の際に、ラビング処理は実施しなかった。
次に、上述した表2に示す組成物2を、MEKに溶解させて、固形分濃度が10質量%となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、120℃で2分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を120℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて120℃、100mJ/cm2にて紫外線照射して、第1ポジティブCプレート(膜厚:1.4μm)を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、第1ポジティブCプレートを有するフィルムBを得た。
上記<<ポジティブAプレートの作製>>で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。
次に、上述した表2に示す組成物1を、MEKに溶解させて、固形分濃度が10質量%となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、120℃で2分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を120℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて120℃、100mJ/cm2にて紫外線照射して、λ/4板(膜厚:2.2μm)を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、λ/4板を有するフィルムCを得た。
上記<<ポジティブAプレートの作製>>で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。ただし、<配向層の形成>の際に、ラビング処理は実施しなかった。
次に、上述した表2に示す組成物2を、MEKに溶解させて、固形分濃度が10質量%となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、120℃で2分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を120℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて120℃、100mJ/cm2にて紫外線照射して、第2ポジティブCプレート(膜厚:1.1μm)を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、第2ポジティブCプレートを有するフィルムDを得た。
上記で得られた保護膜付き偏光子の偏光子側の表面上に、偏光子とポジティブAプレートとが対向するように市販のアクリル接着剤(東亜合成株式会社製UV−3300)を介して、保護膜付き偏光子とフィルムAとを貼り合わせて、貼合体を得た。メタルハライドランプを用いて、仮支持体側から照射量100mJ/cm2の紫外線を上記貼合体に照射して、接着剤を硬化させた後、得られたフィルムから仮支持体を剥離した。
上記フィルムAの代わりに、フィルムB〜フィルムDを用いて上記と同様の手順を繰り返し、偏光子上に、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートをさらに貼り合わせた。上記手順によって、偏光子、ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートをこの順で有する円偏光板を作製した。
なお、後述する表3に示す「ポジティブAプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度(°)」、「ポジティブAプレートの面内遅相軸とλ/4板の面内遅相軸とのなす角度(°)」、および、「λ/4板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度(°)」に記載の角度となるように、各層の貼り合わせを実施した。
<<ポジティブAプレートの作製>>、<<第1ポジティブCプレートの作製>>および<<第2ポジティブCプレートの作製>>の際の組成物の種類および厚みを後述する表3に記載の通り変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、円偏光板を作製した。
(円偏光板の有機EL表示装置への実装)
有機EL表示パネル搭載のSAMSUNG社製GALAXY S IVを分解し、円偏光板を剥離して、実施例1〜6および比較例1〜7の円偏光板をそれぞれ有機EL表示パネル上に貼合し、有機EL表示装置を作製した。
作製した有機EL表示装置について、明光下にて反射率および反射色味を評価した。外光反射光が最も視認されやすい黒表示にて、極角45度から蛍光灯を映し込んだときの反射光を観察した。具体的には、視野角方向(極角45度、方位角を15度刻みで0〜165度)の反射光を分光放射計SR―3(トプコン社製)により測定し、比較例1を基準として下記の基準で評価した。
(反射率)
A:比較例1での反射光の最大輝度に対する、反射光の最大輝度の割合が40%以下である場合
B:比較例1での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が40%超60%以下である場合
C:比較例1での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が60%超80%以下である場合
D:比較例1での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が80%超である場合
色味変化(反射色味変化)は、全測定角度での反射光の色味a*およびb*の変化の大きさΔa*b*を下記式で定義した。
B:比較例1での反射光の反射色味変化(Δa*b*)に対する、反射光の反射色味変化(Δa*b*)の割合が40%超60%以下である場合
C:比較例1での反射光の反射色味変化(Δa*b*)に対する、反射光の反射色味変化(Δa*b*)の割合が60%超80%以下である場合
D:比較例1での反射光の反射色味変化(Δa*b*)に対する、反射光の反射色味変化(Δa*b*)の割合が80%超である場合
特に、実施例1、2および5の比較より、ポジティブAプレートのRe(550)が90〜110nmの場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例1、3および6の比較より、第1ポジティブCプレートのRthが−100以上(−100〜−75nm)の場合、より効果が優れることが確認された。
一方で、ポジティブAプレートおよび第1ポジティブCプレートを設けていない比較例1、ポジティブAプレートのRe(550)が所定の範囲外の比較例2、4および7、並びに、第1ポジティブCプレートのRth(550)が所定の範囲外の比較例3、5および6においては、所望の効果が得られなかった。
また、WO2013−137464号の実施例109に記載の円偏光板を作製して、実施例1と同様の手順に従って、各種評価を行ったところ、反射率はD、色味変化はDの評価であった。
<<λ/4板の作製(A)>>
上記<<λ/2板の作製>>で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。ただし、<配向層の形成>の際に、ラビング処理は実施しなかった。
次に、棒状液晶化合物がネマチック相で垂直配向されて固定化された液晶層の形成について説明する。
後述する表4に示す組成物4を、MEKに溶解して、固形分濃度が10質量%となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、120℃で2分間加熱熟成を行って、塗布膜中において棒状液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を120℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて120℃、100mJ/cm2にて紫外線照射して、液晶層(膜厚:8μm)を形成した。
上記のように作製した仮支持体および液晶層を含むフィルムを、4辺をテンターで固定したバッチ延伸機において、給気温度140℃、フィルム面温度130℃、変形速度30%/分で所定の変形倍率(X方向80%延伸、Y方向10%収縮)になるよう変形した。その後、得られたフィルムの4辺の端部を切り落とし、延伸された仮支持体とλ/4板とを含むフィルムEを得た。
上記で得られた保護膜付き偏光子の偏光子側の表面上に、偏光子とポジティブAプレートとが対向するように市販のアクリル接着剤(東亜合成株式会社製UV−3300)を介して、保護膜付き偏光子とフィルムAとを貼り合わせて、貼合体を得た。メタルハライドランプを用いて、仮支持体側から照射量100mJ/cm2の紫外線を上記貼合体に照射して、接着剤を硬化させた後、得られたフィルムから仮支持体を剥離した。
上記フィルムAの代わりに、フィルムBおよびフィルムEを用いて上記と同様の手順を繰り返し、偏光子上に、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板をさらに貼り合わせた。上記手順によって、偏光子、ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板をこの順で有する円偏光板を作製した。
なお、後述する表5に示す「ポジティブAプレートの面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度(°)」、「ポジティブAプレートの面内遅相軸とλ/4板の面内遅相軸とのなす角度(°)」、および、「λ/4板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度(°)」に記載の角度となるように、各層の貼り合わせを実施した。
<<ポジティブAプレートの作製>>、および、<<第1ポジティブCプレートの作製>>の際の厚みを後述する表5に記載の通り変更した以外は、実施例7と同様の手順に従って、円偏光板を作製した。
また、上述した方法に従って、実施例7〜11で用いられたλ/4板中のメソゲン基のオーダーパラメータを算出したところ、Sxは0.299、Syは−0.301、Szは0.002であった。
特に、実施例7〜9の比較より、ポジティブAプレートのRe(550)が90〜110nmの場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例7、10および11の比較より、第1ポジティブCプレートのRthが−100〜−75nmの場合、より効果が優れることが確認された。
12 ポジティブAプレート
14 第1ポジティブCプレート
16A,16B λ/4板
18 第2ポジティブCプレート
20A,20B 円偏光板
22 偏光子
24A,24B 有機EL表示装置
26 有機EL表示パネル
Claims (20)
- 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、前記有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを有する、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記円偏光板が、偏光子と、位相差フィルムとを有し、
前記位相差フィルムが、前記偏光子側から、ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板を有し、
前記ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、80〜120nmであり、
前記第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−110〜−70nmであり、
前記ポジティブAプレートの面内遅相軸と前記偏光子の吸収軸とが直交し、
前記ポジティブAプレートの面内遅相軸と前記λ/4板の面内遅相軸とのなす角度が45±10°である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 前記位相差フィルムが、前記λ/4板の前記第1ポジティブCプレート側とは反対側に、さらに第2ポジティブCプレートを有し、
前記第2ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−50nmである、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 前記λ/4板のNzファクターが0.30〜0.70である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、90〜110nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−75nmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、および、前記λ/4板、のうち少なくとも1つが、逆波長分散性を示す、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、および、前記λ/4板の全てが、逆波長分散性を示す、請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、および、前記λ/4板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、λ/4板、および、第2ポジティブCプレートをこの順で有し、
前記ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、80〜120nmであり、
前記第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−110〜−70nmであり、
前記第2ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−50nmであり、
前記ポジティブAプレートの面内遅相軸と前記λ/4板の面内遅相軸とのなす角度が45±10°である、位相差フィルム。 - 前記ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、90〜110nmである、請求項9に記載の位相差フィルム。
- 前記第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−75nmである、請求項9または10に記載の位相差フィルム。
- 前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、前記λ/4板、および、前記第2ポジティブCプレートの全てが、逆波長分散性を示す、請求項9〜11のいずれか1項に記載の位相差フィルム。
- 前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、前記λ/4板、および、前記第2ポジティブCプレートのいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、請求項9〜12のいずれか1項に記載の位相差フィルム。
- 偏光子、および、前記偏光子上に配置された請求項9〜13のいずれか1項に記載の位相差フィルムを有し、
前記偏光子側から、前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、前記λ/4板、および、前記第2ポジティブCプレートがこの順で配置され、
前記ポジティブAプレートの面内遅相軸と前記偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。 - ポジティブAプレート、第1ポジティブCプレート、および、λ/4板をこの順で有し、
前記ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、80〜120nmであり、
前記第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−110〜−70nmであり、
前記λ/4板のNzファクターが0.30〜0.70であり、
前記ポジティブAプレートの面内遅相軸と前記λ/4板の面内遅相軸とのなす角度が45±10°である、位相差フィルム。 - 前記ポジティブAプレートの波長550nmにおける面内レタデーションが、90〜110nmである、請求項15に記載の位相差フィルム。
- 前記第1ポジティブCプレートの波長550nmにおける厚み方向のレタデーションが、−100〜−75nmである、請求項15または16に記載の位相差フィルム。
- 前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、および、前記λ/4板、の全てが、逆波長分散性を示す、請求項15〜17のいずれか1項に記載の位相差フィルム。
- 前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、および、前記λ/4板のいずれも、液晶化合物を用いて形成される層である、請求項15〜18のいずれか1項に記載の位相差フィルム。
- 偏光子、および、前記偏光子上に配置された請求項15〜19のいずれか1項に記載の位相差フィルムを有し、
前記偏光子側から、前記ポジティブAプレート、前記第1ポジティブCプレート、前記λ/4板、および、前記第2ポジティブCプレートがこの順で配置され、
前記ポジティブAプレートの面内遅相軸と前記偏光子の吸収軸とが直交する、円偏光板。
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