JPWO2017170510A1 - メッキ処理方法、メッキ処理装置、および、センサー装置 - Google Patents

Abstract

基板（ＦＳ）を長尺方向に搬送しつつ、基板（ＦＳ）の表面に導電体で形成された導電パターン（ＰＴ）の一部に選択的にメッキを施すメッキ処理方法であって、導電パターン（ＰＴ）のうち特定パターン部分（ＳＰＴ）に接続され、且つ、長尺方向に沿って延びる補助パターン（ＡＰＴ）を導電材料で基板（ＦＳ）上に形成することと、基板（ＦＳ）の表面を長尺方向に沿って所定距離に亘って電解メッキ液（ＬＱ１）に接触させることと、基板（ＦＳ）上の少なくとも特定パターン部分（ＳＰＴ）が電解メッキ液（ＬＱ１）と接触している間、基板（ＦＳ）の表面が電解メッキ液（ＬＱ１）から離れた位置に設けられた電極部材（１９）を補助パターン（ＡＰＴ）と接触させ、電極部材（１９）を介して電解メッキ液（ＬＱ１）に電圧を印加することと、を含む。

Description

本発明は、電解メッキ法を用いて基板上にメッキ処理を施すメッキ処理方法およびそれを実施するためのメッキ処理装置と、電解メッキ法を用いて形成されたセンサー装置とに関する。

特許第３１９３７２１号公報には、基板に対して一様に形成された導電性材料の上に電気メッキによるメッキ処理を施す際に、電気メッキを施す部分（例えば、電極となる部分）以外の部分をレジスト層でカバーすることで、電気メッキを選択的に施して、グルコースなどの特定の成分を検出するためのセンサー電極を製造する製造方法が開示されている。

しかしながら、既に導電性の材料で形成されたパターンの一部分に電気メッキ（電解メッキ）を施す場合においては、導電性のパターンの一部に正確に重ね合わせてレジスト層を精密にパターニングしなければならない。特に、重ね合わせすべき導電性パターンの一部が微細になるにつれてパターニングの精度も厳しくなり、パターニングの作業が難しくなる。そのため、電気メッキを施したい部分に簡易に選択的なメッキ処理を施すことができなかった。電気メッキ処理される基板が樹脂フィルムやプラスチックなどのフレキシブルな薄板である場合は、基板自体の温度、湿度、テンションなどの影響による伸縮や変形が数百ｐｐｍ程度と大きくなる場合があり、パターニングのための位置決めや重ね合せは、さらに難しくなる。

本発明の第１の態様は、長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に導電体で形成された導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理方法であって、前記導電パターンのうち電解メッキを施す特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向に沿って延びる補助パターンを導電材料で前記シート基板上に形成することと、前記シート基板の表面が前記長尺方向に沿って所定距離に亘って電解メッキ液と接触するように、前記シート基板を搬送することと、前記シート基板上の少なくとも前記特定パターン部分が前記電解メッキ液と接触している間、前記シート基板の表面が前記電解メッキ液から離れた位置に設けられた電極部材を前記補助パターンと接触させ、前記電極部材を介して前記電解メッキ液に電圧を印加することと、を含む。

本発明の第２の態様は、長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に導電体で形成された導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理方法であって、前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第１の特定位置に前記長尺方向に沿って延びる第１の補助パターンと、前記導電パターンのうち前記第１の特定パターン部分とは異なる第２の特定パターン部分に接続され、且つ、第１の特定位置とは異なる前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第２の特定位置に前記長尺方向に沿って延びる第２の補助パターンとを、導電材料で前記シート基板上に形成することと、前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させることと、前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第１の電極部材を前記第１の補助パターンに接触させ、前記第１の電極部材を介して前記第１の電解メッキ液に電圧を印加することと、前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第２の電解メッキ液に接触させることと、前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触した後の位置であって、前記第２の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第２の電極部材を前記第２の補助パターンに接触させ、前記第２の電極部材を介して前記第２の電解メッキ液に電圧を印加することと、を含む。

本発明の第３の態様は、長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に導電体で形成された導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理方法であって、前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分および前記第１の特定のパターン部分とは異なる第２の特定パターン部分の各々に接続され、且つ、前記長尺方向に沿って延びる補助パターンを導電材料で前記シート基板上に形成することと、前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させることと、前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第１の電極部材を前記補助パターンに接触させ、前記第１の電極部材を介して前記第１の電解メッキ液に電圧を印加することと、前記第１の電解メッキ液による電解メッキの後に、前記第１の特定パターン部分と前記補助パターンとの電気的な接続を切断することと、前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第２の電解メッキ液に接触させることと、前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触した後の位置であって、前記第２の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第２の電極部材を前記補助パターンに接触させ、前記第２の電極部材を介して前記第２の電解メッキ液に電圧を印加することと、を含む。

本発明の第４の態様は、長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に形成された導電体による導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理装置であって、前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って電解メッキ液に接触させる接液部と、前記シート基板の搬送方向に関して、前記接液部の上流側または下流側に設けられ、前記導電パターンのうち電解メッキを施す特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の特定位置に前記長尺方向に沿って延びるように前記シート基板上に形成された導電性の補助パターンと接触する電極部材と、前記電極部材を介して前記電解メッキ液に電解メッキ用の電圧を印加する電源部と、を備える。

本発明の第５の態様は、長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に形成された導電体による導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理装置であって、前記シート基板上には、前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第１の特定位置に前記長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の第１の補助パターンと、前記導電パターンのうち前記第１の特定パターン部分とは異なる第２の特定パターン部分に接続され、且つ、第１の特定位置とは異なる前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第２の特定位置に前記長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の第２の補助パターンが形成されており、前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させる第１の接液部と、前記シート基板の搬送方向に関して、前記第１の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記第１の補助パターンと接触して前記第１の電解メッキ液に電解メッキ用の電圧を印加するための第１の電極部材と、前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って前記第１の電解メッキ液とは異なる第２の電解メッキ液に接触させる第２の接液部と、前記シート基板の搬送方向に関して、前記第２の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記第２の補助パターンと接触して前記第２の電解メッキ液に電解メッキ用の電圧を印加するための第２の電極部材と、を備える。

本発明の第６の態様は、長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に形成された導電体による導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理装置であって、前記シート基板上には、前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分および前記第１の特定のパターン部分とは異なる第２の特定パターン部分の各々に接続され、且つ、前記長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の補助パターンが形成されており、前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させる第１の接液部と、前記シート基板の搬送方向に関して、前記第１の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記補助パターンと接触して前記第１の電解メッキ液に電圧を印加するための第１の電極部材と、前記第１の電解メッキ液による電解メッキの後に、前記第１の特定パターン部分と前記補助パターンとの電気的な接続を切断する切断部と、前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第２の電解メッキ液に接触させる第２の接液部と、前記シート基板の搬送方向に関して、前記第２の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記補助パターンと接触して前記第２の電解メッキ液に電圧を印加するための第２の電極部材と、を備える。

本発明の第７の態様は、複数の電極を被検出体に接触させたときに前記電極間の電気的な変化に基づいて、前記被検出体に含まれる特定成分を検査するセンサー装置であって、複数の電極を所定の間隔で担持する基板と、前記複数の電極の各々の第１層は第１の導電材料による薄膜で構成され、前記複数の電極のうち第１電極は、前記第１の導電材料とは異なる第２の導電材料が電解メッキで前記第１層の上に積層した薄膜で構成され、前記複数の電極のうち第２電極は、前記第１の導電材料および前記第２の導電材料とは異なる第３の導電材料が電解メッキで前記第１層の上に積層した薄膜で構成される。

本発明の第８の態様は、複数の電極を被検出体に接触させたときに前記電極間で生じる電気的な変化に基づいて、前記被検出体に含まれる特定成分を検査するセンサー装置であって、複数の電極を所定の間隔で担持する基板と、前記複数の電極の各々の第１層は第１の導電材料による薄膜で構成され、前記複数の電極のうちの第１電極と第２電極は、前記第１の導電材料とは異なる第２の導電材料を電解メッキで前記第１層の上に薄膜として積層した第２層を有し、前記第２電極は、さらに前記第１の導電材料および前記第２の導電材料とは異なる第３の導電材料を電解メッキで前記第２層の上に薄膜として積層した第３層を有する。

本発明の第９の態様は、被検出体に接触する少なくとも一対の電極を備え、前記電極間の電気的な変化に基づいて、前記被検出体の物理的または化学的な特性を計測するセンサー装置であって、可撓性を有する長尺のシート基板の長尺方向に沿った複数の位置の各々に形成された前記一対の電極を有する複数の電極部と、前記電極部ごとに設けられ、前記電極部の前記一対の電極間の電気的な変化を検出する複数の検出回路部と、前記検出回路部の各々に電源電圧を供給するために、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って連続して形成される導電性の電源ライン部と、前記検出回路部の各々で検出された検出信号を伝送するために、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って連続して形成される導電性の信号伝送ライン部と、を備え、前記一対の電極は、前記電源ライン部用の配線パターン部と同じ第１の導電材料で構成される第１層を有し、前記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極は、前記第１の導電材料と異なる第２の導電材料を前記第１層の上に電解メッキで積層した第２層を有する。

第１の実施の形態のメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。 シート基板上に形成された導電パターンおよび補助パターンの一例を示す図である。 第１の補助パターンが形成されたシート基板の幅方向の第１の特定位置に対応した領域に図１に示す電極ローラの電極部材を設けた場合の例を示している。 第２の補助パターンが形成されたシート基板の幅方向の第２の特定位置に対応した領域に図１に示す電極ローラの電極部材を設けた場合の例を示している。 図５Ａおよび図５Ｂは、図３または図４に示す電極ローラの電極部材にメッキ用の電圧を印加するための他の変形例を示す図である。 血糖値計測センサー装置の回路構成の一例を示す図である。 第２の実施の形態の導電パターンおよび補助パターンの一例を示す図である。 第２の実施の形態のメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。 シート基板の導電パターン上にレジスト層を積層した図である。 第１および第２の実施の形態の変形例１における血糖値計測センサー装置の電極部および配線に応じたパターンの一例を示す図である。 第３の実施の形態によるリボン状のセンサー装置の概略構成図である。 図１１のセンサー装置の検出ユニットの構成を示す図である。 植物の種子を収納したリボン状のセンサー装置の概略構成を示す図である。 第４の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。 第１〜第４の各実施の形態におけるメッキ処理用の導電パターンの作成に関する変形例を説明する図である。 第５の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。 第６の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。 第７の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。

本発明の態様に係るメッキ処理方法およびそれを実施するメッキ処理装置、並びに、メッキ処理方法を用いて形成されたセンサー装置について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。なお、本発明の態様は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、多様な変更または改良を加えたものも含まれる。つまり、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれ、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態のメッキ処理装置１０の概略的な構成を示す概略構成図である。なお、以下の説明においては、特に断わりのない限り、重力方向をＺ方向とするＸ・Ｙ・Ｚの直交座標系を設定し、図に示す矢印にしたがって、Ｘ方向、Ｙ方向、および、Ｚ方向を説明する。

メッキ処理装置１０は、可撓性のフィルム状のシート基板ＦＳにメッキ処理を施して、基板上にパターン層を形成する装置である。メッキ処理装置１０は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイ（フィルム状のディスプレイ）、フィルム状のタッチパネル、液晶表示パネル用のフィルム状のカラーフィルター、フレキシブル配線、または、フレキシブル・センサなどを構成するパターン層を形成する。本実施の形態では、被検出体の物理的または化学的な特性を計測するセンサー装置の電極部を構成するパターン層を形成する。

メッキ処理装置１０は、シート基板（以下、基板という）ＦＳをロール状に巻いた供給ロールＦＲ１から基板ＦＳが送出され、送出された基板ＦＳを回収ロールＦＲ２で巻き取る、いわゆる、ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式で搬送される基板ＦＳに対して、メッキ処理、洗浄処理、乾燥処理を連続的に施すというものである。つまり、メッキ処理装置１０は、供給ロールＦＲ１から供給された後、回収ロールＦＲ２で巻き取られるまでの間に、基板ＦＳに対してメッキ処理、洗浄処理、乾燥処理を連続的に施す。基板ＦＳは、基板ＦＳの移動方向（搬送方向）が長手方向（長尺）となり、幅方向が短手方向（短尺）となる帯状の形状を有する。

なお、本第１の実施の形態では、Ｘ方向は、メッキ処理装置１０の設置面に対して平行な水平面内において、基板ＦＳが供給ロールＦＲ１から回収ロールＦＲ２に向かう方向（基板ＦＳの搬送方向）である。Ｙ方向は、前記水平面内においてＸ方向と直交する方向であり、基板ＦＳの幅方向（短尺方向）である。供給ロールＦＲ１の回転軸と回収ロールＦＲ２の回転軸の各々は、ＸＹ平面（装置を設置する床面）と平行であるとともに、互いに平行になるように設置される。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（上方向）であり、重力が働く方向と平行である。なお、基板ＦＳの搬送方向を＋Ｘ方向とし、重力が働く方向を−Ｚ方向とする。

基板ＦＳの材料としては、例えば、樹脂フィルム、または、ステンレス鋼などの金属または合金からなる箔（フォイル）などが用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリアリレート樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、および、酢酸ビニル樹脂のうち、少なくとも１つ以上を含んだものを用いてもよい。また、基板ＦＳの厚みや剛性（ヤング率）は、基板ＦＳに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲であればよい。基板ＦＳの母材として、厚みが２５μｍ〜２００μｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）などのフィルムは、シート基板の典型である。

基板ＦＳは、メッキ処理装置１０内で施される処理において熱を受ける場合があるため、熱膨張係数が顕著に大きくない材質の基板を選定することが好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって熱膨張係数を抑えることができる。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、または酸化ケイ素などでもよい。また、基板ＦＳは、フロート法などで製造された厚さ１００μｍ程度までの極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、または、金属箔などを貼り合わせた積層体であってもよい。さらに基板ＦＳは、光透過性を持たなくてもよい場合は、アルミニウム、ステンレス、銅などの金属材料を圧延して金属箔（フォイル）として可撓性を持たせたものであってもよい。

ところで、基板ＦＳの可撓性（flexibility）とは、基板ＦＳに自重程度の力を加えてもせん断したり破断したりすることはなく、その基板ＦＳを撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。基板ＦＳの材質、大きさ、厚さ、基板ＦＳ上に成膜される層構造、温度、または、湿度などの環境に応じて、可撓性の程度は変わる。いずれにしろ、本第１の実施の形態によるメッキ処理装置１０内の搬送路に設けられる各種の搬送用ローラ、回転ドラムなどの搬送方向転換用の部材に基板ＦＳを正しく巻き付けた場合に、座屈して折り目がついたり、破損（破れや割れが発生）したりせずに、基板ＦＳを滑らかに搬送できれば、可撓性の範囲といえる。

また、基板ＦＳの表面には、導電性の材料（導電材料）で導電パターンが形成されている。この導電パターンは、製造したいセンサー装置の少なくとも電極部Ｅに応じたパターンを有する。本第１の実施の形態では、人間の血液（被検出体）に含まれる糖分を検出する血糖値計測センサー装置（センサー装置、血糖計）の電極部Ｅに応じたパターンが形成されているものとする。なお、基板ＦＳの母材を金属箔（アルミニウム、ステンレス、銅など）とした場合は、それ自体が導電材料であることから、基板ＦＳの表面全体に一定の厚み（例えば数μｍ以下）で耐熱性の絶縁被膜を堆積させておき、その絶縁被膜の上に導電パターンを形成するようにしてもよい。

図２は、少なくとも血糖値計測センサー装置の電極部Ｅに応じて形成された複数のパターンＰＴａ（図２の二点鎖線で囲む領域のパターン）を含む、基板ＦＳの表面上に形成された全体の導電パターンＰＴを示す図である。この複数のパターンＰＴａは、基板ＦＳ上に規則的に配列して形成されている。導電パターンＰＴは、基板ＦＳの表面上（基板ＦＳ上）のパターン形成領域Ｆ（図３、図４参照）に形成されている。この導電パターンＰＴを形成する導電材料（導電体）は、電流を通すものであればよいが、本第１の実施の形態では、非貴金属の銅（Ｃｕ）を用いるものとする。表面に導電材料による薄膜（Ｃｕ層）が一様に積層された基板ＦＳに対して、露光装置によるリソグラフィ工程と前記薄膜を部分的に除去するエッチング工程とを施すことによって、この導電パターンＰＴを基板ＦＳ上に形成してもよい。つまり、導電材料による薄膜の上にフォトレジスト層を積層し、露光装置によって少なくとも電極部Ｅに応じたパターンを露光した後、現像処理を施す。その後、基板ＦＳをエッチング液に浸すことで、現像処理が施された後のフォトレジスト層をマスクとして導電材料の薄膜（Ｃｕ層）が部分的に除去されて、導電パターンＰＴが出現する。

また、導電パターンＰＴを、露光装置を用いた光パターニング工程と、無電解メッキで析出させる無電解メッキ工程とによって形成してもよい。その一例として、例えば、紫外線の照射を受けた部分だけフッ素基が除去されてメッキ還元能（アミン基）が発現する感光性シランカップリング剤（感光性メッキ還元剤）による薄膜を基板ＦＳの表面上の全体、または指定された部分領域内に一様に積層した後、露光装置によって少なくとも電極部Ｅに応じたパターンを露光し、その後、基板ＦＳの表面を無電解メッキ液（パラジウムイオンを含む溶液）と接液（接触）させることで導電パターンＰＴを析出させてもよい。さらに他の方法としては、基板ＦＳの表面に微細な液滴を吐出する精密なインクジェットプリンタや微細な印刷版（凸版、凹版、シルクスクリーンなど）を用いて、金属ナノ粒子を含む導電性インクで基板ＦＳ上に直接導電パターンＰＴを描画してもよい。この場合、露光装置を用いた上記の方法に比べると簡便ではあるが、導電パターンＰＴとして形成される電極や配線部の線幅の微細化には限界がある。

図２に示すように、導電パターンＰＴは、作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥ、および、参照電極（基準電極）ＲＥの３つの電極からなる電極部Ｅ（詳しくは図６で説明）と、各々の電極に接続された配線ＬＷ、ＬＣ、ＬＲとに応じた形状のパターンＰＴａを複数有する。作用電極ＷＥのパターン部分は円形の形状を有し、参照電極ＲＥのパターン部分は作用電極ＷＥを囲むように環状に形成され、対極電極ＣＥのパターン部分はさらに参照電極ＲＥを囲むように形成されている。この導電パターンＰＴのうち、同一材料で電解メッキ（電気メッキ）されるパターン部分を特定パターン部分ＳＰＴと呼び、特定パターン部分ＳＰＴは、導電パターンＰＴの中で他のパターン部分と接続されていない孤立した孤立パターン部分である。

本第１の実施の形態では、作用電極ＷＥおよび対極電極ＣＥの各部分を第１の材料（例えば、金、白金、パラジウムなどの貴金属）で電解メッキするが、それら作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥの各々と接続された配線ＬＷ、ＬＣの各パターン部分も、同一の材料である第１の材料（例えば、金、白金、パラジウムなどの貴金属）で電解メッキされる。そして、参照電極ＲＥおよび参照電極ＲＥに接続される配線ＬＲの各パターン部分は、第１の材料とは異なる第２の材料（例えば、銀などの貴金属）で電解メッキされる。したがって、図２に示す導電パターンＰＴにおいては、複数のパターンＰＴａのうち、作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥおよび配線ＬＷ、ＬＣを形成するパターン部分が第１の特定パターン部分ＳＰＴ（以下、ＳＰＴ１）となり、参照電極ＲＥおよび配線ＬＲを形成するパターン部分が第２の特定パターン部分ＳＰＴ（以下、ＳＰＴ２）となる。この第１の特定パターン部分ＳＰＴ１と第２の特定パターン部分ＳＰＴ２とは、基板ＦＳ上で互いに電気的に非接続状態となるようにパターン設計されている。

また、基板ＦＳ上には、さらに、特定パターン部分ＳＰＴの各々と接続されてＹ方向に延びる細い配線パターンＡＰＴｓと、この配線パターンＡＰＴｓと接続され、基板ＦＳの幅方向（Ｙ方向）の特定位置に基板ＦＳの長尺方向（Ｘ方向）に沿って延びる補助パターンＡＰＴが形成されている。この補助パターンＡＰＴ（および配線パターンＡＰＴｓ）は、特定パターン部分ＳＰＴが複数ある場合には、複数の特定パターン部分ＳＰＴの各々に対応して複数設けられ、複数の補助パターンＡＰＴ（および配線パターンＡＰＴｓ）は互いに電気的に非接続である。したがって、複数の補助パターンＡＰＴが形成される基板ＦＳの幅方向における特定位置も互いに異なることになる。補助パターンＡＰＴを形成する導電材は、電解メッキ時に電流を流すものであればよい。本第１の実施の形態では、補助パターンＡＰＴおよび配線パターンＡＰＴｓを形成する材料として導電パターンＰＴと同じ材料である銅（Ｃｕ）を用いるが、導電パターンＰＴの材料とは異なる材料であってもよい。また、補助パターンＡＰＴは、電解メッキ用の電源からの一方の極性の電極部材（ローラ電極など）と確実に接触し続けられるように、Ｙ方向の幅が比較的に大きく設定される。

本第１の実施の形態では、導電パターンＰＴは、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１と第２の特定パターン部分ＳＰＴ２とを有するので、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１に接続される第１の補助パターンＡＰＴ（以下、ＡＰＴ１）と、第２の特定パターン部分ＳＰＴ２に接続される第２の補助パターンＡＰＴ（以下、ＡＰＴ２）とが基板ＦＳ上に形成されている。第１の補助パターンＡＰＴ１は、基板ＦＳの幅方向の第１の特定位置（例えば、基板ＦＳの＋Ｙ方向側の端部）に基板ＦＳの長尺方向に沿って延びている。第２の補助パターンＡＰＴ２は、第１の特定位置とは異なる基板ＦＳの幅方向の第２の特定位置（例えば、基板ＦＳの−Ｙ方向側の端部）に基板ＦＳの長尺方向に沿って延びている。

この補助パターンＡＰＴは、表面に導電材料による薄膜が一様に積層された基板ＦＳに対して、露光装置によるリソグラフィ工程と前記薄膜を部分的に除去するエッチング工程とを施すことによって、基板ＦＳ上に形成されてもよい。また、補助パターンＡＰＴは、露光装置を用いた光パターニング工程と、導電材料による薄膜を無電解メッキで析出させる無電解メッキ工程とによって形成されてもよい。補助パターンＡＰＴは、導電パターンＰＴの形成の際に一緒に形成されてもよく、導電パターンＰＴの形成とは別のタイミングで形成されてもよい。

なお、作用電極ＷＥおよび配線ＬＷを形成するパターン部分と、対極電極ＣＥおよび配線ＬＣを形成するパターン部分とを、さらに別々の材料で電解メッキする場合は、複数のパターンＰＴａのうち、作用電極ＷＥおよび配線ＬＷを形成するパターン部分を第１の特定パターン部分ＳＰＴ１とし、対極電極ＣＥおよび配線ＬＣを形成するパターン部分を第３の特定パターン部分ＳＰＴ３とすればよい。そして、第１の補助パターンＡＰＴ１は、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１と接続され、第３の特定パターン部分ＳＰＴ３は、別途設けられた第３の補助パターンＡＰＴ３に接続される。この第１の特定パターン部分と第３の特定パターン部分とは互いに電気的に非接続状態となるように配線設計される。もちろん、第１の補助パターンＡＰＴ１、第２の補助パターンＡＰＴ２、第３の補助パターンＡＰＴ３同士も互いに電気的に絶縁された状態となるように配置されるが、場合よってはその絶縁のために絶縁層を形成する工程が必要となることもある。

図１の説明に戻り、メッキ処理装置１０は、制御部１２、基板搬送機構１４、処理槽１６、電圧印加部１８、洗浄槽２０、および、乾燥部２２を備える。制御部１２は、メッキ処理装置１０内の各部を制御する。制御部１２は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、前記コンピュータが前記記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の制御部１２として機能する。

基板搬送機構１４は、案内ローラＲ１〜Ｒ１１を備える。案内ローラＲ１〜Ｒ１１は、供給ロールＦＲ１と回収ロールＦＲ２との間に設けられ、基板ＦＳの搬送方向の上流側からこの順で配置されている。基板ＦＳが基板搬送機構１４の案内ローラＲ１〜Ｒ１１に掛け渡されて搬送されることによって、メッキ処理装置１０内で搬送される基板ＦＳの搬送路が規定される。案内ローラＲ１〜Ｒ１１は、基板ＦＳと接触しながら基板ＦＳを支持しつつ、基板ＦＳの長尺方向に回転するように配置されている。案内ローラＲ１〜Ｒ３、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１は、基板ＦＳの表面（メッキが施される処理面）とは反対側の面（裏面）と接触するように配置されている。案内ローラＲ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ１０は、基板ＦＳの表面と接触するように配置されている。供給ロールＦＲ１、回収ロールＦＲ２、および、案内ローラＲ１〜Ｒ１１の回転軸は、Ｙ方向と平行している。制御部１２は、供給ロールＦＲ１および回収ロールＦＲ２の各々に設けられた図示しない回転駆動源のモータを制御することで、基板ＦＳの搬送速度を制御する。

なお、供給ロールＦＲ１および回収ロールＦＲ２の各々に回転駆動用のモータが取り付けられている場合、それらモータの回転トルクなどを制御することで、供給ロールＦＲ１と回収ロールＦＲ２との間の基板ＦＳに、長尺方向のテンションを与えることができる。そのために、案内ローラＲ１〜Ｒ１１のうちの少なくとも１つには、基板ＦＳに作用するテンションを計測するためのロードセルなどを設けるのがよい。さらに、供給ロールＦＲ１から長尺方向に送り出される基板ＦＳの幅方向の位置が大きく変動しないように、例えば、案内ローラＲ１とＲ２の間の位置（或いは供給ロールＦＲ１の直後の位置）に、基板ＦＳの幅方向の端部（エッジ部）のＹ方向への位置変化を計測するエッジセンサーを設け、そのエッジセンサーの計測結果に応答して、供給ロールＦＲ１のＹ方向位置をサーボ制御でシフトさせるエッジポジション制御機構（ＥＰＣユニット）を設けておくとよい。

処理槽（メッキ槽）１６は、基板ＦＳに対して電解メッキ処理を施すための電解メッキ液ＬＱ１を保持する。電解メッキ液ＬＱ１には、金錯イオン、白金錯イオン、または、銀錯イオンなどの貴金属のいずれか１つの錯イオンが所定の濃度で混入されている。処理槽１６には、電解メッキ液ＬＱ１の温度を調整するための温度調節器（図示略）が設けられ、環境温度の変化に関らず、電解メッキ液ＬＱ１の温度がメッキ析出に適した適正温度に維持されるように制御される。案内ローラＲ４、Ｒ５は、基板ＦＳの表面（処理面）が電解メッキ液ＬＱ１に浸るように処理槽１６内に設けられ、案内ローラＲ３、Ｒ６は、処理槽１６に対して＋Ｚ方向側に設けられている。案内ローラＲ４、Ｒ５は、処理槽１６によって保持されている電解メッキ液ＬＱ１の液面（表面）より−Ｚ方向側に位置する。これにより、案内ローラＲ３と案内ローラＲ６との間に掛け渡される基板ＦＳの長尺方向に沿った一部の表面が、処理槽１６によって保持されている電解メッキ液ＬＱ１と接液（接触）するように、基板ＦＳを搬送することができる。この案内ローラＲ４、Ｒ５は、基板ＦＳの表面（処理面）を長尺方向に沿って所定距離に亘って電解メッキ液ＬＱ１に接液させる接液部として機能する。また、案内ローラＲ４、Ｒ５自体、およびそれらの回転軸などは、電解メッキ液ＬＱ１によって腐食されたりメッキされたりしないような絶縁性の材料としてもよい。

電圧印加部１８は、制御部１２による制御の下、電解メッキ液ＬＱ１に対して電解メッキ用の電圧を印加する。電圧印加部１８は、電源部１８ａとメッキすべき金属種に対応した電極プレート１８ｂと電極ローラ１８ｃとを有する。電源部１８ａは、直流の電圧を発生し、発生した電圧を２つの出力端子（図示略）から出力する。電極プレート１８ｂは、電源部１８ａの一方の出力端子（正極側）に接続され、処理槽１６に保持されている電解メッキ液ＬＱ１と接液するように配置されている。電源部１８ａの他方の出力端子（負極側）は、接地されているとともに、電極ローラ１８ｃの外周に設けられた環状の電極部材１９（図３、図４参照）に接続されている。電極ローラ１８ｃは、外周面の全体または電極部材１９が形成される環状部分が絶縁体で形成され、案内ローラＲ２と案内ローラＲ３との間で、基板ＦＳが電解メッキ液ＬＱ１と接触する前の乾燥状態となっている位置に配置される。電極ローラ１８ｃは、Ｙ軸と平行な回転軸（回転中心線）を有し、基板ＦＳの表面を支持して基板ＦＳの長尺方向に回転可能である。電極ローラ１８ｃは、電極ローラ１８ｃに設けられた電極部材１９が基板ＦＳの表面（処理面）と所定の密着力で接触した状態で回転するように配置されている。電極部材１９は、基板ＦＳ上に形成された補助パターンＡＰＴと接するように電極ローラ１８ｃに設けられている。補助パターンＡＰＴが複数ある場合は、いずれか１つの補助パターンＡＰＴのみと接するように電極部材１９が電極ローラ１８ｃに設けられている。つまり、電極部材１９は、補助パターンＡＰＴが形成された基板ＦＳの幅方向の特定位置に対応した領域に設けられている。図３に示す例では、電極部材１９は、第１の補助パターンＡＰＴ１が形成された基板ＦＳの幅方向の第１の特定位置（基板ＦＳの＋Ｙ方向側の端部）に対応した領域に設けられている。図４は、第２の補助パターンＡＰＴ２が形成された基板ＦＳの幅方向の第２の特定位置（基板ＦＳの−Ｙ方向側の端部）に対応した領域に電極部材１９を設けた場合の例を示している。

なお、電極部材１９は、一例として、図５Ａに示すようにパイプ状に丸めた薄い金属板（例えば洋銀板など）とし、電極ローラ１８ｃの外周面のＹ方向の一部分に環状に被覆した絶縁膜１８ｄの上にかぶせるように固着したものでもよい。電源部１８ａの他方の出力端子（負極側）との接続は、図５Ａのように、弾性変形する薄い金属片（例えば燐青銅板など）による集電ブラシＥａを所定の押圧力で電極部材１９に接触させ続ければよい。或いは、図５Ｂに示すように、転動可能な集電ローラＥｂを所定の押圧力で電極部材１９に接触させ続けてもよい。また、図５Ａ、５Ｂのような集電ブラシＥａや集電ローラＥｂを設けずに、電極部材１９と電源部１８ａの他方の出力端子（負極側）とを電気的に接続する構成も可能である。その一例としては、電極ローラ１８ｃの全体を導電体（金属）で構成し、電極ローラ１８ｃの外周面のうちの電極部材１９となる環状部分以外を絶縁膜で被覆した構成とする。そして、電源部１８ａの他方の出力端子（負極側）を電極ローラ１８ｃの軸受（金属性のベアリング）に接続すればよい。

ここで、図３に示すように、電極部材１９が第１の補助パターンＡＰＴ１と接するように配置されている場合は、電極部材１９および第１の補助パターンＡＰＴ１を介して第１の特定パターン部分ＳＰＴ１に電源部１８ａの負極側の電位が印加される。そのため、電源部１８ａの正極側の電位が印加され且つ電解メッキ液ＬＱ１と接触している電極プレート１８ｂと、電解メッキ液ＬＱ１に接触している基板ＦＳ上に形成された第１の特定パターン部分ＳＰＴ１との間で、電解メッキ液ＬＱ１に電解メッキ用の電圧が印加される。したがって、電解メッキ液ＬＱ１に接液している第１の補助パターンＡＰＴ１および第１の特定パターン部分ＳＰＴ１上には、貴金属の薄膜が析出する。基板ＦＳは、搬送方向（＋Ｘ方向）に連続して搬送されるので、長尺方向に亘って基板ＦＳ上に形成された第１の特定パターン部分ＳＰＴ１上には、貴金属の薄膜が順次析出することになる。本第１の実施の形態では、第１の補助パターンＡＰＴ１および第１の特定パターン部分ＳＰＴ１に、銀以外の貴金属（例えば、白金（Ｐｔ）または金（Ａｕ）など）の薄膜を電解メッキによって形成するものとする。図３の配置から明らかなように、円筒状の電極ローラ１８ｃに環状に形成される電極部材１９のＹ方向の寸法と、第１の補助パターンＡＰＴ１のＹ方向の幅との関係は、パターン形成領域Ｆと第１の補助パターンＡＰＴ１とのＹ方向の隙間とＥＰＣユニットによる基板ＦＳのＹ方向の位置決め精度とを考慮して設定される。

また、図４に示すように、電極部材１９が第２の補助パターンＡＰＴ２と接するように配置されている場合は、電極部材１９および第２の補助パターンＡＰＴ２を介して第２の特定パターン部分ＳＰＴ２に電源部１８ａの負極側の電位が印加される。したがって、電解メッキ液ＬＱ１に接液している第２の補助パターンＡＰＴ２および第２の特定パターン部分ＳＰＴ２に、貴金属の薄膜を析出することができる。したがって、図３と図４との場合とで、電解メッキ液ＬＱ１に混入する錯イオンの材質を変えることで、第１の補助パターンＡＰＴ１および第１の特定パターン部分ＳＰＴに形成する薄膜の材料とは異なる材料の薄膜を第２の補助パターンＡＰＴおよび第２の特定パターン部分ＳＰＴに形成することが可能となる。本実施の形態では、第２の補助パターンＡＰＴ２および第２の特定パターン部分ＳＰＴ２には、銀（Ａｇ）の薄膜を形成するものとする。

洗浄槽２０は、制御部１２による制御の下、電解メッキされた基板ＦＳに対して洗浄処理を施すためのものである。洗浄槽２０内には、基板ＦＳの搬送方向を−Ｚ方向から＋Ｚ方向に転換する案内ローラＲ７が設けられるとともに、案内ローラＲ７の上方には洗浄液（例えば、水）ＬＱ２を基板ＦＳの表面（メッキ処理面）に対して放出する洗浄ノズル２０ａが設けられ、案内ローラＲ７の側方には洗浄液（例えば、水）ＬＱ２を基板ＦＳの裏面（メッキ処理面の裏側）に対して放出する洗浄ノズル２０ｃが設けられている。上方の洗浄ノズル２０ａは、−Ｘ方向側とＸ方向側との２方向に洗浄液ＬＱ２をシャワー状に放出する。案内ローラＲ７は、洗浄槽２０内であって、洗浄ノズル２０ａに対して−Ｚ方向側に設けられ、案内ローラＲ６、Ｒ８は、洗浄槽２０に対して＋Ｚ方向側に設けられている。これにより、案内ローラＲ６から案内ローラＲ７に向かう基板ＦＳは、洗浄ノズル２０ａに対して−Ｘ方向側の位置で、その表面（メッキ処理面）が洗浄ノズル２０ａ側を向くように、−Ｚ方向側に搬送される。また、案内ローラＲ７から案内ローラＲ８に向かう基板ＦＳは、洗浄ノズル２０ａに対して＋Ｘ方向側の位置で、その表面（処理面）が洗浄ノズル２０ａを向くように＋Ｚ方向側に搬送される。したがって、案内ローラＲ６から案内ローラＲ７に向かう基板ＦＳの表面は、洗浄槽２０に設けられた洗浄ノズル２０ａから−Ｘ方向側に放出される洗浄液ＬＱ２によって洗浄される。同様にして、案内ローラＲ７から案内ローラＲ８に向かう基板ＦＳの表面は、洗浄槽２０内に設けられた洗浄ノズル２０ａから＋Ｘ方向側に放出される洗浄液ＬＱ２によって洗浄される。同様に、案内ローラＲ６から案内ローラＲ７に向かう基板ＦＳの裏面は、洗浄ノズル２０ｃから−Ｘ方向側に放出される洗浄液ＬＱ２によって洗浄され、案内ローラＲ７から案内ローラＲ８に向かう基板ＦＳの裏面は、洗浄ノズル２０ｃから＋Ｘ方向側に放出される洗浄液ＬＱ２によって洗浄される。また、洗浄ノズル２０ａ、２０ｃから放出された洗浄液ＬＱ２を洗浄槽２０の外部へ排出するための排出口２０ｂが洗浄槽２０の底壁に設けられている。

乾燥部２２は、制御部１２による制御の下、洗浄処理が施された基板ＦＳに対して乾燥処理を施す。乾燥部２２内には、熱を発生する熱発生源２２ａが設けられている。熱発生源２２ａとしては、ドライエアーなどの乾燥用エアー（温風）を基板ＦＳの表面に吹き付けるブロワー、赤外線光源、または、セラミックヒータなどである。案内ローラＲ１０は、乾燥部２２内（乾燥部２２の筐体内）であって、熱発生源２２ａに対して−Ｚ方向側に設けられ、案内ローラＲ９、Ｒ１１は、乾燥部２２に対して＋Ｚ方向側に設けられている。これにより、案内ローラＲ９から案内ローラＲ１０に向かう基板ＦＳは、熱発生源２２ａに対して−Ｘ方向側の位置で、その表面（処理面）が熱発生源２２ａ側を向くように、−Ｚ方向側に搬送される。また、案内ローラＲ１０から案内ローラＲ１１に向かう基板ＦＳは、熱発生源２２ａに対して＋Ｘ方向側の位置で、その表面（処理面）が熱発生源２２ａを向くように＋Ｚ方向側に搬送される。したがって、案内ローラＲ９から案内ローラＲ１１に向かう基板ＦＳの表面を、乾燥部２２内に設けられた熱発生源２２ａによって効率よく乾燥させることができる。乾燥部２２内の温度は、基板ＦＳの母材の材質によって上限が決まる。例えば、母材がＰＥＴ樹脂の基板ＦＳでは１０５℃程度が上限であり、母材がＰＥＮ樹脂、ポリカーボネート樹脂、金属箔の基板ＦＳでは、それ以上の上限温度に設定できる。但し、乾燥時の温度が高いと母材が樹脂製の基板ＦＳでは大きな伸縮が発生するおそれがある。基板ＦＳ上に形成される導電パターンＰＴ、補助パターンＡＰＴ、配線パターンＡＰＴｓなどは金属性であるため、熱膨張係数の大きな違いから、基板ＦＳ上の各種パターンがひび割れ（クラック）したり、基板ＦＳから剥離したりする。そのようなことが起こらないように、許容される基板ＦＳ（母材）の伸縮率（％、ｐｐｍ）を越えないような乾燥温度を設定するのがよい。

以上のような構成を有するメッキ処理装置１０と、導電パターンＰＴおよび補助パターンＡＰＴが形成された基板ＦＳを用いて、導電パターンＰＴに形成される薄膜の材料を特定パターン部分ＳＰＴ毎に異ならせることができる。つまり、異なる材料の薄膜を選択的に導電パターンＰＴ上に形成することができる。具体的には、まず、複数のメッキ処理装置１０を用意する。そして、第１のメッキ処理装置１０の処理槽１６は、第１の貴金属の錯イオン（例えば、金錯イオンまたは白金錯イオンなどの銀以外の貴金属の錯イオン）が混入された電解メッキ液（第１の電解メッキ液）ＬＱ１を保持し、第１のメッキ処理装置１０の電極ローラ１８ｃを、電極部材（第１の電極部材）１９が図３に示すように第１の補助パターンＡＰＴ１と接するように設ける。これにより、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１上に第１の貴金属（例えば、金または白金）の薄膜が形成される。そして、基板ＦＳを回収した第１のメッキ処理装置１０用の回収ロールＦＲ２を、第２のメッキ処理装置１０用の供給ロールＦＲ１として装填する。この第２のメッキ処理装置１０の処理槽１６は、第１の貴金属とは異なる第２の貴金属である銀の錯イオンが混入された電解メッキ液（第２の電解メッキ液）ＬＱ１を保持し、第２のメッキ処理装置１０の電極ローラ１８ｃは、電極部材（第２の電極部材）１９が図４に示すように第２の補助パターンＡＰＴ２と接するように設けられている。これにより、第２の特定パターン部分ＳＰＴ２上に銀の薄膜が形成される。

なお、基板ＦＳの幅方向の中心に対して対称となるように、第１の補助パターンＡＰＴ１が形成される基板ＦＳの幅方向における第１の特定位置と第２の補助パターンＡＰＴ２が形成される基板ＦＳの幅方向（Ｙ方向）における第２の特定位置とを設定してもよい。これにより、電極ローラ１８ｃを反転（ＸＹ面と平行な面内で１８０度回転）させて取り付けることで、電極部材１９が第１の補助パターンＡＰＴ１に接するか、第２の補助パターンＡＰＴ２に接するかを切り換えることができる。また、図５Ａ、５Ｂのような集電ブラシＥａや集電ローラＥｂを設ける構成では、電極ローラ１８ｃ上のＹ方向の両側の各々の第１の補助パターンＡＰＴ１と第２の補助パターンＡＰＴ２とに対応した位置に電極部材１９を形成しておき、第１のメッキ処理装置１０では、２ヶ所の電極部材１９のうちの第１の補助パターンＡＰＴ１に対応した位置の電極部材１９に対して集電ブラシＥａや集電ローラＥｂを設け、第２のメッキ処理装置１０では、第２の補助パターンＡＰＴ１に対応した位置の電極部材１９に対して集電ブラシＥａや集電ローラＥｂを設けておけばよい。

また、参照電極ＲＥは、銀の薄膜の上に塩化銀（ＡｇＣｌ）の薄膜を形成する必要があるため、基板ＦＳを回収した第２のメッキ処理装置１０用の回収ロールＦＲ２を、第３のメッキ処理装置１０用の供給ロールＦＲ１として装填する。この第３のメッキ処理装置１０の処理槽１６は、塩化銀を飽和させた塩化カリウム液を電解メッキ液（第３の電解メッキ液）ＬＱ１として保持する。また、第３のメッキ処理装置１０の電極ローラ１８ｃは、電極部材１９（第３の電極部材１９）が図４に示すように第２の補助パターンＡＰＴ２と接するように設けられている。第３のメッキ処理装置１０においては、第１および第２のメッキ処理装置１０とは異なり、電極プレート（第３の電極端子）１８ｂに電源部１８ａの負極側の出力端子が接続され、電極部材（第３の電極部材）１９に電源部１８ａの正極側の出力端子が接続されている。これにより、第２の特定パターン部分ＳＰＴ２（参照電極ＲＥおよび配線ＬＲ）上にさらに塩化銀の薄膜を形成することができる。

したがって、作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥおよび配線ＬＷ、ＬＣは、第１層が非貴金属である導電材料（例えば、銅）の薄膜で形成され、第２層が銀以外の貴金属（例えば、金、白金、または、パラジウムなど）の薄膜で形成された積層構造となる。また、参照電極ＲＥおよび配線ＬＲは、第１層が非貴金属である導電材料（例えば、銅）の薄膜で構成され、第２層が銀の薄膜で形成され、第３層が塩化銀の薄膜で形成された積層構造となる。

なお、メッキ処理装置１０毎に基板ＦＳを回収ロールＦＲ２で回収したが、複数のメッキ処理装置１０による処理（電解メッキ処理など）を基板ＦＳに対して連続的に施し、複数のメッキ処理装置１０による処理（電解メッキ処理など）が全て施された後に、初めて基板ＦＳを回収ロールＦＲ２によって回収するようにしてもよい。この場合は、供給ロールＦＲ１から供給された基板ＦＳがまず第１のメッキ処理装置１０内に搬送された後、回収ロールＦＲ２によって回収されることなく、連続して第２のメッキ処理装置１０内に搬送され、その後、連続して第３のメッキ処理装置１０内に搬送される。そして、第３のメッキ処理装置１０から送り出された基板ＦＳを回収ロールＦＲ２によって初めて巻き取ることになる。この場合は、各メッキ処理装置１０の処理槽１６が保持している電解メッキ液ＬＱ１に接液している第１の特定パターン部分ＳＰＴ１と第２の特定パターン部分ＳＰＴ２とが同時に通電しないように、第１の補助パターンＡＰＴおよび第２の補助パターンＡＰＴ２とを長尺方向に沿って所定の間隔で電気的に分断しておく必要もある。すなわち、電極ローラ１８ｃの電極部材１９のＹ方向位置に対応した基板ＦＳ上の位置おいて、各補助パターンＡＰＴ、ＡＰＴ２が長尺方向に所定長さに渡って形成されていない非導通区間を設定するようにしてもよい。また、電極ローラ１８ｃを、案内ローラＲ２と案内ローラＲ３との間に設けるようにしたが、接液部（案内ローラＲ４、Ｒ５）の上流側または下流側であって、電解メッキ液ＬＱ１から離れた位置、つまり、電解メッキ液ＬＱ１と接触しない位置に設けてもよい。その場合、電極ローラ１８ｃを、例えば図１中の案内ローラＲ８〜Ｒ１１の間の搬送路中のいずれかに設けたり、図１中の案内ローラＲ１０に置き換えたりしてもよい。

ここで、図６を用いて、血糖値計測センサー装置３０の回路構成について簡単に説明する。血糖値計測センサー装置３０は、作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥ、および、参照電極ＲＥからなる矩形状の電極部Ｅ（２ｍｍ角程度）と、オペアンプＯＰ２によるボルテージフォロア３２と、ＤＡ変換器３４と、計測制御部３６と、オペアンプＯＰ１と、オペアンプＯＰ３による電流電圧変換部３８と、ＡＤ変換器４０とを少なくとも備える。この電極部Ｅ上には、血糖濃度に応じて反応するグルコースなどの試薬（メディエーターと酵素を含む）が塗布されたり、試薬を含浸した試験紙が貼り付けられたりしている。このような電極部Ｅ上に血液などを滴下し、血液が作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥ、および、参照電極ＲＥを覆うように広がると、試薬と血液との化学的な反応により血液中に血糖濃度に応じたイオンが生成される。ボルテージフォロア３２は、血液中のイオンによって参照電極ＲＥに発生する電圧（以下、参照電圧）ＶＲＥを出力する。ボルテージフォロア３２は、高入力インピーダンスのオペアンプＯＰ２によって構成されている。ＤＡ変換器３４は、計測制御部３６から出力された基準電圧値（指令値）に応じた電圧（以下、基準電圧）Ｖｒｅｆを出力する。オペアンプＯＰ１は、基準電圧Ｖｒｅｆと参照電圧ＶＲＥとの差が常に０となるように、対極電極ＣＥの電圧をフィードバック制御する。電流電圧変換部３８は、対極電極ＣＥから作用電極ＷＥに流れる電流Ｉｗを電圧（以下、計測電圧）Ｖｏに変換する。電流電圧変換部３８は、少なくともオペアンプＯＰ３と抵抗Ｒｗとによって構成されている。計測電圧Ｖｏは、Ｖｏ＝−Ｒｗ×Ｉｗ、の関係式によって表すことができる。ＡＤ変換器４０は、計測電圧Ｖｏを、例えば１０ビットのデジタル値に変換して計測制御部３６に出力する。この計測制御部３６は、ＤＡ変換器３４が出力する基準電圧値Ｖｒｅｆを一定の範囲内で段階的または連続的に変化させるようにプログラムされており、基準電圧Ｖｒｅｆの変化に応じた計測電圧Ｖｏの変化の傾向をモニターすることで、血糖値を測定する。

このように、本第１の実施の形態のメッキ処理装置１０は、基板ＦＳを長尺方向に搬送しつつ、基板ＦＳの表面に形成された導電体による導電パターンＰＴの一部に選択的にメッキを施すものであって、基板ＦＳの表面を長尺方向に沿って所定距離に亘って電解メッキ液ＬＱ１に接触させる接液部（処理槽１６、案内ローラＲ４、Ｒ５）と、基板ＦＳの搬送方向に関して、接液部の上流側または下流側に設けられ、導電パターンＰＴのうち電解メッキを施す特定パターン部分ＳＰＴに接続され、且つ、長尺方向と交差する基板ＦＳの幅方向の特定位置に長尺方向に沿って延びるように基板ＦＳ上に形成された導電性の補助パターンＡＰＴと接触する電極部材１９と、電極部材１９を介して電解メッキ液ＬＱ１に電解メッキ用の電圧を印加する電源部１８ａと、を備える。これにより、導電パターンＰＴのうち、特定パターン部分ＳＰＴにだけ電解メッキを施すことができる。

電極部材１９は、基板ＦＳの表面を支持して長尺方向に回転可能な電極ローラ１８ｃの外周のうち、補助パターンＡＰＴが形成された特定位置に対応した領域に設けられている。これにより、電極部材１９と基板ＦＳ上の補助パターンＡＰＴとの摩擦を抑えながら、電極部材１９を基板ＦＳの補助パターンＡＰＴに接触させることができる。したがって、電極部材１９との接触摩擦によって補助パターンＡＰＴが削られてしまうことを防止することができる。また、特定パターン部分ＳＰＴが複数あることで、補助パターンＡＰＴが複数形成されている場合であっても、いずれか１つの特定パターン部分ＳＰＴに対してのみ電解メッキを行うことができる。

特定パターン部分ＳＰＴは、導電パターンＰＴの中で孤立した孤立パターン部分として形成されている。したがって、導電パターンＰＴのうち、電極部材１９が接触した補助パターンＡＰＴに接続された特定パターン部分ＳＰＴ以外のパターン部分に電気が流れることはなく、特定パターン部分ＳＰＴ以外のパターン部分に電解メッキが施されることはない。したがって、電極部材１９が接触した補助パターンＡＰＴに接続された特定パターン部分ＳＰＴにだけ電解メッキ処理を施すことができる。

また、基板ＦＳ上には、導電パターンＰＴのうち第１の特定パターン部分ＳＰＴ１に接続され、且つ、長尺方向と交差する基板ＦＳの幅方向の第１の特定位置に長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の第１の補助パターンＡＰＴ１と、導電パターンＰＴのうち第１の特定パターン部分ＳＰＴ１とは異なる第２の特定パターン部分ＳＰＴ２に接続され、且つ、第１の特定位置とは異なる長尺方向と交差する基板ＦＳの幅方向の第２の特定位置に長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の第２の補助パターンＡＰＴ２とが形成されている。そして、基板ＦＳの表面を長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液ＬＱ１に接触させる第１の接液部（第１のメッキ処理装置１０内の処理槽１６）と、基板ＦＳの搬送方向に関して、第１接液部の上流側または下流側に設けられ、第１の補助パターンＡＰＴ１と接触して第１の電解メッキ液ＬＱ１に電解メッキ用の電圧を印加するための第１の電極部材１９と、第１の電解メッキ液ＬＱ１によって電解メッキが施された基板ＦＳの表面を長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液ＬＱ１とは異なる第２の電解メッキ液ＬＱ１に接触させる第２の接液部（第２のメッキ処理装置１０内の処理槽１６）と、基板ＦＳの搬送方向に関して、第２の接液部の上流側または下流側に設けられ、第２の補助パターンＡＰＴ２と接触して第２の電解メッキ液ＬＱ１に電解メッキ用の電圧を印加するための第２の電極部材１９と、を備える。これにより、導電パターンＰＴのうち、複数の特定パターン部分ＳＰＴに異なる電解メッキを施すことができる。なお、電極ローラ１８ｃの電極部材１９は、第１または第２のメッキ処理装置１０内の処理槽１６に貯留される第１または第２の電解メッキ液ＬＱ１と少なくとも一部が接液しつつ、第１の補助パターンＡＰＴ１、或いは第２の補助パターンＡＰＴ２と接触するように設けることもできる。この場合、電極部材１９の表面も電解メッキ液ＬＱ１によってメッキされることになるので、適当なタイミングで電極部材１９を交換したり、表面にメッキ層が析出（堆積）されても、その密着性が弱くて剥れ易いような材質で電極部材１９を構成したりするのがよい。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明するが、上記第１の実施の形態で説明した構成と同様の構成については同一の符号を付すとともに、異なる部分だけを説明する。第２の実施の形態においては、導電パターンＰＴ（複数のパターンＰＴａ）のうち、作用電極ＷＥおよび配線ＬＷを形成するパターン部分を第１の特定パターン部分ＳＰＴ１とし、参照電極ＲＥおよび配線ＬＲを形成するパターン部分を第２の特定パターン部分ＳＰＴ２とし、対極電極ＣＥおよび配線ＬＣを形成するパターン部分を第３の特定パターン部分ＳＰＴ３とする。また、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１〜第３の特定パターン部分ＳＰＴ３は、同一の補助パターンＡＰＴ（以下、ＡＰＴａ）に接続されているものとする。つまり、本第２の実施の形態の補助パターンＡＰＴａは、図７に示すように、Ｙ方向に延びた配線パターンＡＰＴｓを介して第１の特定パターン部分ＳＰＴ１、第２の特定パターン部分ＳＰＴ２、および、第３の特定パターン部分ＳＰＴ３の各々と接続され、且つ、基板ＦＳの長尺方向に沿って延びるように形成されている。なお、本第２の実施の形態の導電パターンＰＴおよび補助パターンＡＰＴａ、配線パターンＡＰＴｓは、導電材料（例えば、銅）で形成されていることは言うまでもない。

また、本第２の実施の形態のメッキ処理装置１０ａは、図８に示すように、接液部（処理槽１６、案内ローラＲ４、Ｒ５）の上流側であって、基板ＦＳが電解メッキ液ＬＱ１と接触する手前の位置に、パターン切断部５０を設ける。パターン切断部５０（以下、単に切断部５０とも呼ぶ）は、作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥ、および、配線ＬＷ、ＬＣと補助パターンＡＰＴａとの電気的な接続を切断するために、基板ＦＳに孔をあける穿孔機である。切断部５０は、棒状の穿孔部を基板ＦＳに押し当てることで基板ＦＳに孔をあけるものであってもよく、レーザを用いて基板ＦＳに孔をあけてもよい。なお、切断部５０は、作用電極ＷＥ、対極電極ＣＥ、および、配線ＬＷ、ＬＣと補助パターンＡＰＴａとの電気的な接続を切断できればよいので、穿孔機以外のものであってもよい。第２の実施の形態においては、電極部材１９が補助パターンＡＰＴａと接するように電極ローラ１８ｃが設けられている。なお、本第２の実施の形態においては、補助パターンＡＰＴａは１つしかないので、電極部材１９を電極ローラ１８ｃの外周全面に設けてもよい。

以上のような構成を有するメッキ処理装置１０ａと、導電パターンＰＴおよび補助パターンＡＰＴａが形成された基板ＦＳを用いて、導電パターンＰＴ上に電解メッキで析出させる薄膜の材料を特定パターン部分ＳＰＴ毎に異ならせることができる。具体的には、まず、複数のメッキ処理装置１０ａを用意する。そして、第１のメッキ処理装置１０ａの処理槽１６は、第１の貴金属の錯イオン（例えば、金錯イオン）が混入された電解メッキ液（第１の電解メッキ液）ＬＱ１を保持する。これにより、導電パターンＰＴ（第１〜第３の特定パターン部分ＳＰＴ１〜ＳＰＴ３）全体に、電解メッキによって第１の貴金属（金）の薄膜が積層される。第１の貴金属の薄膜の形成の際には、切断部５０を使用しないので、上記第１の実施の形態で説明したメッキ処理装置１０によって、導電パターンＰＴ全体に第１の貴金属の薄膜を形成してもよい。なお、第１のメッキ処理装置１０ａの電極プレート（第１の電極端子）１８ｂは電源部１８ａの正極側に接続され、電極部材（第１の電極部材）１９は電源部１８ａの負極側に接続されているものとする。

そして、基板ＦＳを回収した第１のメッキ処理装置１０ａ用の回収ロールＦＲ２を、第２のメッキ処理装置１０ａ用の供給ロールＦＲ１として装填する。この第２のメッキ処理装置１０ａの処理槽１６は、第１の貴金属とは異なる第２の貴金属（例えば、白金）の錯イオンが混入された電解メッキ液（第２の電解メッキ液）ＬＱ１を保持する。切断部５０は、第３の特定パターン部分ＳＰＴ３と補助パターンＡＰＴａとの電気的な接続を切断する。具体的には、切断部５０は、対極電極ＣＥに接続された配線ＬＣと補助パターンＡＰＴａとの電気的な接続を切断するため、図７に示す基板ＦＳ上の配線ＬＣを含む領域ＣＷ（配線ＬＣの線幅以上の寸法を有する）を穿孔する。この領域ＣＷは、補助パターンＡＰＴａとつながっている配線パターンＡＰＴｓとＸ方向に延びる配線ＬＣとが接続する位置の近傍に設定される。切断部５０は、第２の電解メッキ液ＬＱ１に接液する前の基板ＦＳに対して、全てのパターンＰＴａの各々の領域ＣＷに孔をあける。したがって、導電パターンＰＴのうち、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１および第２の特定パターン部分ＳＰＴ２に対してのみ、電解メッキによってさらに第２の貴金属（白金）の薄膜が積層される。つまり、作用電極ＷＥ、参照電極ＲＥ、および、配線ＬＷ、ＬＲにのみ第２の貴金属（白金）による２層目の薄膜が形成される。なお、第２のメッキ処理装置１０ａの電極プレート（第２の電極端子）１８ｂは電源部１８ａの正極側に接続され、電極部材（第２の電極部材）１９は電源部１８ａの負極側に接続されているものとする。

その後、基板ＦＳを回収した第２のメッキ処理装置１０ａ用の回収ロールＦＲ２を、第３のメッキ処理装置１０ａ用の供給ロールＦＲ１として装填する。この第３のメッキ処理装置１０ａの処理槽１６は、第１の貴金属および第２の貴金属とは異なる第３の貴金属（例えば、銀）の錯イオンが混入された電解メッキ液（第３の電解メッキ液）ＬＱ１を保持する。切断部５０は、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１と補助パターンＡＰＴａとの電気的な接続を切断する。具体的には、切断部５０は、作用電極ＷＥに接続された配線ＬＷと補助パターンＡＰＴａとの電気的な接続を切断するため、図７に示す基板ＦＳ上の配線ＬＷを含む領域ＷＷ（配線ＬＷの線幅以上の寸法を有する）を穿孔する。この領域ＷＷは、補助パターンＡＰＴａとつながっている配線パターンＡＰＴｓとＸ方向に延びる配線ＬＷとが接続する位置の近傍に設定される。切断部５０は、第３の電解メッキ液ＬＱ１に接液する前の基板ＦＳに対して、全てのパターンＰＴａの各々の領域ＷＷに孔をあける。したがって、導電パターンＰＴのうち、第２の特定パターン部分ＳＰＴ２に対してのみ、電解メッキによってさらに第３の貴金属（銀）の薄膜が積層される。つまり、参照電極ＲＥおよび配線ＬＲにのみ第３の貴金属（銀）の薄膜が形成される。なお、第３のメッキ処理装置１０ａの電極プレート（第３の電極端子）１８ｂは電源部１８ａの正極側に接続され、電極部材（第３の電極部材）１９は電源部１８ａの負極側に接続されているものとする。

最後に、参照電極ＲＥには、銀の薄膜の上に塩化銀（ＡｇＣｌ）の薄膜を形成する必要があるため、基板ＦＳを回収した第３のメッキ処理装置１０ａ用の回収ロールＦＲ２を、第４のメッキ処理装置１０ａ用の供給ロールＦＲ１として装填する。この第４のメッキ処理装置１０ａの処理槽１６は、塩化銀を飽和させた塩化カリウム液を電解メッキ液（第４の電解メッキ液）ＬＱ１として保持する。また、第４のメッキ処理装置１０ａの電極プレート（第４の電極端子）１８ｂは、電源部１８ａの負極側に接続され、電極部材（第４の電極部材）１９は電源部１８ａの正極側に接続されている。これにより、第２の特定パターン部分ＳＰＴ２（参照電極ＲＥおよび配線ＬＲ）にのみ、補助パターンＡＰＴａと配線パターンＡＰＴｓとを介してメッキ用の電圧が印加され、さらに塩化銀の薄膜を形成することができる。塩化銀の薄膜の形成の際には、切断部５０を使用しないので、上記第１の実施の形態で説明した図１のメッキ処理装置１０によって、第２の特定パターン部分ＳＰＴ２上に塩化銀の薄膜を形成してもよい。

したがって、対極電極ＣＥおよび配線ＬＣは、第１層が非貴金属である導電材料（例えば、銅）の薄膜で形成され、第２層が第１の貴金属（例えば、金）の薄膜で形成された積層構造となる。作用電極ＷＥおよび配線ＬＷは、第１層が非貴金属である導電材料（例えば、銅）の薄膜で形成され、第２層が第１の貴金属（例えば、金）の薄膜で形成され、第３層が第１の貴金属とは異なる第２の貴金属（例えば、白金）の薄膜で形成された積層構造となる。参照電極ＲＥおよび配線ＬＲは、第１層が非貴金属である導電材料（例えば、銅）の薄膜で形成され、第２層が第１の貴金属（例えば、金）の薄膜で形成され、第３層が第１の貴金属とは異なる第２の貴金属（例えば、白金）の薄膜で形成され、第４層が銀の薄膜で形成され、第５層が塩化銀の薄膜で形成された積層構造となる。

なお、メッキ処理装置１０ａ毎に基板ＦＳを回収ロールＦＲ２で回収したが、複数のメッキ処理装置１０ａによる処理（電解メッキ処理など）を基板ＦＳに対して連続的に施し、複数のメッキ処理装置１０ａによる処理（電解メッキ処理など）が全て施された後に、初めて基板ＦＳを回収ロールＦＲ２によって回収するようにしてもよい。この場合は、供給ロールＦＲ１から供給された基板ＦＳがまず第１のメッキ処理装置１０ａ内に搬送された後、回収ロールＦＲ２によって回収されることなく、連続して第２のメッキ処理装置１０内に搬送され、その後、連続して第３のメッキ処理装置１０、第４のメッキ処理装置１０ａへと搬送される。そして、第４のメッキ処理装置１０ａから送り出された基板ＦＳを回収ロールＦＲ２によって初めて巻き取ることになる。また、電極ローラ１８ｃを、案内ローラＲ２と案内ローラＲ３との間に設けるようにしたが、接液部（処理槽１６、案内ローラＲ４、Ｒ５）の上流側または下流側であって、電解メッキ液ＬＱ１から離れた位置、つまり、電解メッキ液ＬＱ１と接触しない位置に電極ローラ１８ｃを設けてもよい。

このように、本第２の実施の形態のメッキ処理装置１０ａは、基板ＦＳを長尺方向に搬送しつつ、基板ＦＳの表面に形成された導電体による導電パターンＰＴの一部に選択的にメッキを施すものであって、基板ＦＳ上には、導電パターンＰＴのうち第１の特定パターン部分ＳＰＴ１および第１の特定パターン部分ＳＰＴ１とは異なる第２の特定パターン部分ＳＰＴ２の各々に接続され、且つ、長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の補助パターンＡＰＴａが形成されており、基板ＦＳの表面を長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液ＬＱ１に接触させる第１の接液部と、基板ＦＳの搬送方向に関して、第１の接液部の上流側または下流側に設けられ、補助パターンＡＰＴａと接触して第１の電解メッキ液ＬＱ１に電圧を印加するための第１の電極部材１９と、第１の電解メッキ液ＬＱ１による電解メッキの後に、第１の特定パターン部分ＳＰＴ１と補助パターンＡＰＴａとの電気的な接続を切断するパターン切断部５０と、第１の電解メッキ液ＬＱ１によって電解メッキが施されたシート基板ＦＳの表面を長尺方向に沿って所定距離に亘って第２の電解メッキ液ＬＱ１に接触させる第２の接液部と、基板ＦＳの搬送方向に関して、第２の接液部の上流側または下流側に設けられ、補助パターンＡＰＴａと接触して第２の電解メッキ液ＬＱ１に電圧を印加するための第２の電極部材１９と、を備える。これにより、導電パターンＰＴのうち、特定パターン部分ＳＰＴ毎に異なる材質の電解メッキを施すことができる。

なお、上記第２の実施の形態では、導電パターンＰＴ全体に電解メッキによって第１の貴金属（例えば、金）の薄膜を形成するようにしたが、無電解メッキによって第１の貴金属の薄膜を形成してもよい。この場合は、図９に示すように、基板ＦＳの導電パターンＰＴ上に、電極部Ｅに対応する領域を含むような矩形状の開口部５２ａを有するレジスト層５２を形成する。したがって、レジスト層５２で被覆された基板ＦＳを無電解メッキ液に浸した場合でも、レジスト層５２がマスクとなるので、電極部Ｅの領域に対して第１の貴金属の薄膜を形成することができる。このレジスト層５２の開口部５２ａは少なくとも電極部Ｅに対応する領域（例えば、２ｍｍ角の寸法）だけ開口していればよいので、レジスト層５２を露光する際のパターニング精度（露光光の位置決め精度）は精密である必要がない。なお、基板ＦＳ上で電極部Ｅが完成したら、電極部Ｅと配線ＬＷ、ＬＣ、ＬＲとを含む部分（パターンＰＴａの部分）が基板ＦＳから切出され、１つのセンサーヘッドとして使われる。その場合、切出されたセンサーヘッドの配線ＬＷ、ＬＣ、ＬＲが、図６のようなセンサー回路に接続されることになる。その接続の際の配線ＬＷ、ＬＣ、ＬＲの強度を出すために、レジスト層５２は、補助パターンＡＰＴａに接続される側の配線ＬＷ、ＬＣ、ＬＲの端部に対応する領域にも矩形状の開口部５２ｂを有するように、露光処理してもよい。これにより、配線ＬＷ、ＬＣ、ＬＲのうち、他の配線や部材などと接続される部分の強度を強くすること（メッキの厚みを増やすこと）ができる。第１の貴金属として金の薄膜を無電解メッキによって形成する方法としては、置換型や還元型などがある。なお、本第２の実施の形態および上記第１の実施の形態で説明した電解メッキを行う際にもこのレジスト層５２を使用してもよい。

〔第１および第２の実施の形態の変形例〕
上記第１および第２の実施の形態を以下のように変形してもよい。

（変形例１）上記第１および第２の実施の形態では、導電パターンＰＴの各パターンＰＴａは、１つの電極部Ｅと１つの電極部Ｅの各電極に接続される配線とに応じた形状のパターンを含むセンサーヘッド部を、完成後に切出して使うものであったが、変形例１の導電パターンＰＴの各パターンＰＴａ（以下、ＰＴａ´）は、複数（ここでは４つ）の電極部Ｅと各々の電極部Ｅの各電極に接続される配線とに応じた形状のパターンを含む構成を１つのセンサーヘッド部として、完成後に切出して使うものである。

図１０は、本変形例１におけるパターンＰＴａ´の一例を示す図である。パターンＰＴａ´は、マトリックス状に隣接配置された４つの電極部Ｅ１〜Ｅ４と、４つの電極部Ｅ１〜Ｅ４の各々の各電極（作用電極ＷＥ１〜ＷＥ４、対極電極ＣＥ１〜ＣＥ４、および、参照電極ＲＥ１〜ＲＥ４）に接続された配線ＬＷ１〜ＬＷ４、ＬＣ１〜ＬＣ４、ＬＲ１〜ＬＲ４とに応じた形状のパターンを有する。このパターンＰＴａ´は、導電材料で形成されている。

このようにパターンＰＴａ´を形成することで、上記第１または第２の実施の形態で示した手法によって、マトリックス状に隣接配置された４つの電極部Ｅ１〜Ｅ４の各々の作用電極ＷＥ１〜ＷＥ４、対極電極ＣＥ１〜ＣＥ４、参照電極ＲＥ１〜ＲＥ４の各々、および４つの電極部Ｅ１〜Ｅ４の各々の各電極に接続された配線ＬＷ１〜ＬＷ４、ＬＣ１〜ＬＣ４、ＬＲ１〜ＬＲ４の各々を所定の金属材料で選択的に電解メッキすることができる。そして、この４つの電極部Ｅ１〜Ｅ４をセンサー装置の電極部６０として構成し、各電極部Ｅ１〜Ｅ４に、異なる試薬（異なる酵素を含む）を塗布するか、その試薬が含浸された試験紙を貼り付けることで、血糖濃度の計測以外の複数の検診項目に対応した検査が同時に可能なセンサー装置（センサーヘッド）を提供することができる。

（変形例２）上記第１および第２の実施の形態では、電解メッキによって、導電パターンＰＴの上に、金、白金、または、銀などの貴金属の薄膜を形成するようにしたが、貴金属に限らず、溶液中から電析（電気メッキ）可能な他の金属であってもよい。それら電気メッキ可能な金属としては、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（錫）、Ｈｇ（水銀）、Ｔｉ（チタン）などがある。

［第３の実施の形態］
圃場の土壌などに含まれる物理的または化学的な特性を計測するセンサー装置の電極部を、上記第１または第２の実施の形態で示した手法によって作成してもよい。図１１は、第３の実施の形態のセンサー装置（リボンセンサー）７０の概略構成図である。センサー装置７０は、基板ＦＳ上の長尺方向に沿った複数の位置の各々に形成された複数の電極部７２と、電極部７２毎に設けられた複数の検出回路部７４と、上位制御装置７６とを備える。検出回路部７４および上位制御装置７６は基板ＦＳに設けられている。１つの電極部７２と、この１つの電極部７２に対応して設けられた１つの検出回路部７４は、検出ユニットＤＵを構成する。つまり、複数の検出ユニットＤＵが、長尺方向に沿って離れた基板ＦＳ上の複数の箇所に設けられている。センサー装置７０の基板ＦＳの長尺方向の長さは、例えば、３０ｍ〜１００ｍであり、短尺方向は、例えば、５ｍｍ〜５ｃｍ程度の長さである。検出ユニットＤＵ（電極部７２および検出回路部７４）は、基板ＦＳの長尺方向に沿って、例えば、３０ｃｍ〜５ｍ間隔で基板ＦＳに離散的に設けられている。

電極部７２は、被検出体である土壌に接触する電極対（一対の電極）を有し、検出回路部７４は、電極対間（一対の電極間）の電気的な変化を検出する。上位制御装置（情報収集部）７６は、複数の検出回路部７４を制御するとともに、複数の検出回路部７４が検出した検出信号（計測値）を収集する。また、基板ＦＳには、複数の検出回路部７４の各々に電源電圧を供給するための導電性の電源ライン部８０が形成されている。この電源ライン部８０は、上位制御装置７６から基板（伝送部材）ＦＳの端部側に向けて長尺方向に沿って連続的に延びている。上位制御装置７６は、駆動電圧を電源ライン部８０に印加する。電源ライン部（電源配線、電力路）８０は、上位制御装置７６によって駆動電位Ｖｄｄが印加されたプラス電源ライン８０ａと、基準電位（例えば、グランド電位）Ｖｓｓが印加されたマイナス電源ライン８０ｂとを有する。また、基板（伝送部材）ＦＳには、複数の検出回路部７４と上位制御装置７６との間で通信を行うための信号伝送ライン部（信号配線、伝送路）８２が形成されている。この信号伝送ライン部８２は、上位制御装置７６から基板ＦＳの端部側に向けて長尺方向に沿って連続的に延びている。この信号伝送ライン部８２によって、検出回路部７４が検出した検出信号が上位制御装置７６に送られるとともに、上位制御装置７６からの指令情報などが各検出回路部７４に送られる。本第３の実施の形態では、上位制御装置７６を基板ＦＳの一端側に設けたので、電源ライン部８０および信号伝送ライン部８２は、上位制御装置７６から基板ＦＳの他端側へ向けて延びている。

図１２は、１つの検出ユニットＤＵ（電極部７２とこの電極部７２に対応して設けられた検出回路部７４）の構成を示す図である。電極部７２は、土壌の互いに異なる物理的または化学的な特性を検出するために、１つまたは複数の電極対を有する。本第３の実施の形態では、電極部７２は、２つの電極対９０、９２を有するようにしたが、電極部７２の電極対の数は、１つであってもよく、３つ以上であってもよい。一対の電極９０ａ、９０ｂからなる電極対９０は、土壌のＥＣ値（電気移動度、電気導電度）を検出（計測）するための電極である。そのため、電極９０ａ、９０ｂは、例えば、表面が金、白金などの貴金属でメッキされた電極である。一対の電極９２ａ、９２ｂからなる電極対９２は、土壌のｐＨ値（酸性度）を検出（計測）するためのものである。そのため、電極９２ａは、表面が亜鉛（Ｚｎ）でメッキされた電極であり、電極９２ｂは、表面が金、白金などの貴金属でメッキされた電極またはＳＵＳ（ステンレス鋼）で構成された電極である。なお、電極対９０、９２のうち、少なくとも一方をＥＣ値またはｐＨ値以外の物理的または化学的な特性（例えば、土壌の水分）の検出する電極にしてもよい。

マイコンチップ（制御部）７４ａを有する検出回路部７４は、電源ライン部８０に接続されている。つまり、検出回路部７４は、プラス電源ライン８０ａとマイナス電源ライン８０ｂとに接続されている。これにより、検出回路部７４に、駆動電圧（駆動電位Ｖｄｄから基準電位Ｖｓｓを減算した電位差）が印加される。また、電極対９０、９２のうち、一方の電極９０ａ、９２ａはマイコンチップ７４ａと接続されるとともに、他方の電極９０ｂ、９２ｂはマイナス電源ライン８０ｂに接続されている。ＥＣ値の検出用の電極対９０の電極９０ａは、抵抗Ｒａ、Ｒｂの各々をそれぞれ介してマイコンチップ７４ａに個別に接続されている。また、ｐＨ値の検出用の電極対９２の電極９２ａは、抵抗Ｒｃを介してマイコンチップ７４ａに接続されている。

マイコンチップ７４ａは、抵抗Ｒａを介して電極対９０の電極９０ａに電位を印加し、電極対９０間（一対の電極９０ａ、９２ｂ間）の抵抗値に応じた電圧降下を、抵抗Ｒｂを用いて検出する。マイコンチップ７４ａは、アナログ／デジタル変換回路（ＡＤＣ）やデジタル／アナログ変換回路（ＤＡＣ）、シリアルインターフェース回路、メモリ部などを内蔵した低消費電力の１チップマイコンのＰＩＣ（ペリフェラル・インターフェース・コントローラ）などで構成される。マイコンチップ７４ａは、抵抗Ｒｂを介して検出した電圧降下を示す電圧（ＥＣ値）をＡＤ変換して、シリアルな信号伝送ライン部８２を介して上位制御装置７６に出力する。また、マイコンチップ７４ａは、抵抗Ｒｃを用いて、電極対９２（一対の電極９２ａ、９２ｂ間）に生じた起電力を検出する。マイコンチップ７４ａは、この検出した起電力を示す電圧（ｐＨ値）をＡＤ変換して、信号伝送ライン部８２を介して上位制御装置７６に出力する。検出回路部７４は、温度センサーＩＣ７４ｂをさらに有しており、温度センサーＩＣ７４ｂが検出（計測）した被検出体である土壌（または土中水分）の温度に応じた電圧がマイコンチップ７４ａに出力される。マイコンチップ７４ａは、この温度に応じた電圧（温度）をＡＤ変換して、信号伝送ライン部８２を介して上位制御装置７６に出力する。このように、上位制御装置７６には、複数の検出回路部７４（マイコンチップ７４ａ）の各々から出力されるＥＣ値、ｐＨ値、温度などの環境特性を収集することで、作物が育成される土壌の環境特性（土壌の状態など）を一括して把握することができる。この上位制御装置７６は、収集したＥＣ値、ｐＨ値、および、温度などの土壌の環境特性を図示しない外部制御装置（コンピュータ）に無線通信で送信することもできる。

マイコンチップ７４ａのメモリ部には、ＥＣ値、ｐＨ値、温度の各々の計測のために必要な計測用プログラムと、ＥＣ値、ｐＨ値、温度の各々の計測動作の順番や計測回数などを規定するシーケンスプログラムと、収集したＥＣ値、ｐＨ値、温度の各々のデータ（デジタル値）を信号伝送ライン部８２を介して上位制御装置７６とやり取りする通信用プログラムなどが記憶されている。また、複数の検出回路部７４（マイコンチップ７４ａ）の各々が同時に各種の計測動作を実行すると、上位制御装置７６から離れた位置に存在する検出回路部７４（マイコンチップ７４ａ）に給電される駆動電圧が、動作可能な値以下に降下してしまうことがある。これは、プラス電源ライン８０ａとマイナス電源ライン８０ｂとが、基板ＦＳ上に蒸着やメッキなどで形成された薄い銅箔の場合、単位長当たりの抵抗値が充分に小さくできないために生じる配線抵抗による電圧降下である。したがって、プラス電源ライン８０ａとマイナス電源ライン８０ｂは、可能な範囲で幅広く（太く）形成しておくのがよい。また、上位制御装置７６によって、複数の検出回路部７４（マイコンチップ７４ａ）の各々が各種計測を行うタイミング（インターバル）が重複しないように制御して、電源ライン８０ａ、８０ｂに大きな電流が流れないように管理してもよい。

図１１、１２で示したリボンセンサー７０は、圃場の土壌に植えられる植物の種子や根の近くに、１つの検出ユニットＤＵの電極部７２が位置するように構成してもよい。また、リボンセンサー７０は、半年〜１年程度の間、土壌中に埋設されるため、電極部７２以外の部分は、土壌中の水分などによって侵されないように、絶縁性の樹脂層によって被覆されている。さらに、土壌のｐＨ値（酸性度）を検出（計測）する図１２で示した電極９２ａの亜鉛（Ｚｎ）は、土壌の水分によって徐々に溶出するため、電気メッキの時間を長くして、なるべく厚くなるように析出させておくのがよい。また、電極９２ｂをＳＵＳ（ステンレス鋼）で構成する場合、ＳＵＳはメッキによる析出ができないので、ＳＵＳの薄片を導電性のペーストや接着剤で銅箔の電極部に貼り付けてもよい。

また、図１３に示すように、センサー装置（リボン状センサー）７０の基板ＦＳには、各電極部７２の電極対９０、９２の近傍に、種子１００を保持するための開口部１０２を設け、その開口部１０２を覆うためのフィルム１０４を基板ＦＳの表面側と裏面側に貼り付けた構成としてもよい。これにより、開口部１０２とフィルム１０４とで形成される密閉空間（収納ポケット）内に植物の種子１００を保持することができる。このフィルム１０４は、水分を通すセルロースのフィルムであることが好ましいが、種子１００の寸法よりも細かいメッシュを持った布地、水溶性の紙などであってもよい。以上のように形成された長尺のフィルム状のセンサー装置（リボンセンサー）７０を圃場の土壌中に埋め込むことで、センサー装置７０の埋設と作物の種子１００の植付とが同時にでき、農作業の効率化を図ることができる。また、このような構成を有することで、種子１００の近傍に電極対９０、９２を設置することができるので、種子１００が実際に育つところの土壌の環境特性（土壌の状態）を正確に把握することができる。したがって、発芽から収穫時期のまでの間、土壌の環境特性を継続して正確にモニターすることができる。

ここで、複数の電極部７２の各々に対応して設けられた複数の検出回路部７４は、並列に電源ライン部８０に接続されている。例えば、長尺方向の長さが３０ｍの基板ＦＳに対して長尺方向に沿って３０ｃｍ間隔で、複数の検出回路部７４を設けた場合は、１００個程度の検出回路部７４が並列に電源ライン部８０に接続されることになる。したがって、１００個全ての検出回路部７４をアクティブ状態（通常動作を行う第１モード）にさせると、上位制御装置７６から基板ＦＳの先端側にいくにつれ、つまり、上位制御装置７６から遠くなるにつれ、検出回路部７４に十分な電力を供給することができなくなってしまう。そこで、本第３の実施の形態では、原則として、全ての検出回路部７４をスリープ状態（機能が休止する第２モード）にし、所定のタイミングで、１つの検出回路部７４のみをアクティブ状態（ウェイクアップ状態）にしつつ、アクティブ状態にする検出回路部７４を順番に切り換えるというものである。そのために、先に図１２で説明したマイコンチップ７４ａは、外部信号に応答して、アクティブ状態（通常動作を行う第１モード）とスリープ状態（機能が休止する第２モード）とに切り替わる機能（モード切換部）を持つものとする。

図１２に示すように、モード切換部を備えた複数の検出回路部７４の各々は、前後に位置する検出回路部７４と信号線１１０を介して接続されている。ここで、上位制御装置７６を前とし、上位制御装置７６とは反対側を後として説明し、図１２においては、便宜上、前段の検出回路部７４と接続される信号線１１０を１１０ａとし、後段の検出回路部７４と接続される信号線１１０を１１０ｂとする。なお、最前段の検出回路部７４の前方には、検出回路部７４が設けられていないので、最前段の検出回路部７４の信号線１１０ａは上位制御装置７６と接続されている。また、最後段の検出回路部７４の後方にも、検出回路部７４が設けられていないので、最後段の検出回路部７４には信号線１１０ｂが設けられていない。

最前段の検出回路部７４は、信号線１１０ａを介して上位制御装置７６に設けられているモード切換部から送られてきたアクティブ信号ＡＣＳを受信するとアクティブ状態になり、信号線１１０ａを介してアクティブ状態になった旨を示す返信信号ＡＮＳを上位制御装置７６に出力する。最前段の検出回路部７４は、アクティブ状態になると土壌の状態（ＥＣ値、ｐＨ値、温度など）を計測し、土壌の状態の計測、および計測データの上位制御装置７６への送信が終了すると、信号線１１０ｂを介して後段（次段）の検出回路部７４にアクティブ信号ＡＣＳを出力する。そして、最前段の検出回路部７４は、信号線１１０ｂを介して後段の検出回路部７４から返信信号ＡＮＳを受信すると、スリープ状態に移行する。このような動作を繰り返すことで、アクティブ状態にする１つの検出回路部７４を、最前段の検出回路部７４から最後段の検出回路部７４まで、順々に切り換えることができる。スリープ状態の検出回路部７４の消費電力は微小なので、アクティブ状態になった検出回路部７４に必要な電力を確実に供給することができる。なお、上位制御装置７６は、所定の周期タイミングまたは所定の条件が成立した場合に、最前段の検出回路部７４にアクティブ信号ＡＣＳを出力する。

以上のような構成を有するセンサー装置７０の電極部７２（電極対９０、９２）を、上記第１または第２の実施の形態で説明したメッキ処理装置１０、１０ａを用いて製造することができる。この場合は、電源ライン部８０、信号伝送ライン部８２、マイコンチップ７４ａの端子を接続するための端子パット、温度センサーＩＣ７４ｂの端子を接続するための端子パッド、および、電極部７２の電極対９０、９２などの形状に応じた導電パターンＰＴが基板ＦＳ上に形成される。この導電パターンＰＴのうち、電極対９０、９２の各電極９０ａ、９０ｂ、９２ａ、９２ｂに対応したパターン部分によって複数の特定パターン部分ＳＰＴが構成される。基板ＦＳ上には、この複数の特定パターン部分ＳＰＴの各々に接続される複数の補助パターンＡＰＴまたは全ての特定パターン部分ＳＰＴに接続された補助パターンＡＰＴａが形成されている。したがって、各電極９０ａ、９０ｂ、９２ａ、９２ｂの表面に異なる金属（例えば、貴金属など）の薄膜を形成することが可能となる。そして、電極対９０、９２を形成した後に、基板ＦＳ上に、マイコンチップ７４ａ、温度センサーＩＣ７４ｂ、および、上位制御装置７６を低温ハンダペーストなどによって実装することで、センサー装置７０を製造することができる。電極部７２の電極の表面に形成する薄膜の材質は、検出対象に応じて最適な材質を選択すればよい。また、電解メッキによって電極９０ａ、９０ｂ、９２ａ、９２ｂを形成するのではなく、表面に金属（例えば、貴金属やＳＵＳ）の薄膜が形成されたテープ（導電性）を貼り付けることで電極９０ａ、９０ｂ、９２ａ、９２ｂを形成してもよい。

なお、本第３の実施の形態では、センサー装置７０は、植物を生育する圃場の土壌の環境特性（土壌などに含まれる物理的または化学的な特性）を検出（測定）するものとしたが、魚などの魚介類または動物を養殖（生育）する養殖場の環境特性（例えば、淡水や海水などの物理的または化学的な特性）の検出に用いてもよい。また、本第３の実施の形態では、アクティブ状態になる検出ユニットＤＵ（検出回路部７４）を１つにし、アクティブ状態になる検出ユニットＤＵを順次切り替えるようにしたが、アクティブ状態になる検出ユニットＤＵの数を複数（但し、検出回路部７４の全ての数より少ない）にし、アクティブ状態になる複数の検出ユニットＤＵを順番に切り換えるようにしてもよい。これにより、全ての検出ユニットＤＵからの環境特性を迅速に収集することができる。

このように、本第３の実施の形態のセンサー装置７０は、植物を生育する圃場、または、動物若しくは魚介類を養殖する養殖場の物理的または科学的な環境特性を計測するものである。そして、センサー装置７０は、圃場または養殖場に施設可能であるとともに、一端側から他端側に向けて形成された信号伝送ライン部８２と電力を流す電源ライン部８０とを備えた長尺の伝送部材である基板ＦＳと、基板ＦＳの長尺方向に離れた複数個所の各々に設けられ、電源ライン部８０に並列に接続されるとともに、圃場または養殖場の環境特性を検出して信号伝送ライン部８２に出力する複数の検出ユニットＤＵと、信号伝送ライン部８２を介して複数の検出ユニットＤＵから出力された環境特性を収集する上位制御装置７６とを備える。上位制御装置７６が環境特性を収集する際には、複数の検出ユニットＤＵのうち、所定数の検出ユニットＤＵがアクティブ状態になって環境特性を検出し、環境特性の検出が終了した検出ユニットＤＵは、複数の検出ユニットＤＵのうち、未だアクティブ状態になっていない他の検出ユニットＤＵをスリープ状態からアクティブ状態に切り換える。このような構成によって、多数の検出ユニットＤＵを搭載したにも関わらず、センサー装置７０（リボン状センサーシート）としての平均的な消費電力を低く抑えることができ、上位制御装置７６から電源ライン部８０に流せる電流量も平均的に少なくて済むので、電源ライン部８０を構成する配線パターンの金属材料（銅箔など）の線幅を細くしたり、厚みを薄くすることができ、センサー装置７０（リボン状センサーシート）としての可撓性を高めることができる。

［第４の実施の形態］
図１４は、第４の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。本実施の形態では、先の図２に示したような基板ＦＳ上の両側の補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２を介して、２種類の金属材料による電解メッキを連続的に施すことができる。図１４において、第１のメッキ処理装置１０Ａと第２のメッキ処理装置１０Ｂの各々は、基本的に図１のメッキ処理装置１０と同様の電極ローラ１８ｃ、処理槽１６、電極プレート１８ｂ、洗浄槽２０、乾燥部２２などを備える。但し、第１のメッキ処理装置１０Ａの処理槽１６に貯留される電解メッキ液と、第２のメッキ処理装置１０Ｂの処理槽１６に貯留される電解メッキ液とは、互いに異なる溶液であり、例えば、第１のメッキ処理装置１０Ａでは、基板ＦＳ上の導電パターンＰＴの所定の部分に金（Ａｕ）の電解メッキが施され、第２のメッキ処理装置１０Ｂでは、導電パターンＰＴの所定の部分に、例えば金以外の貴金属（白金など）の電解メッキが施される。

先の図１のメッキ処理装置１０では、一例として電源部１８ａの負極側を電極ローラ１８ｃの電極部材１９（図３、図４）に接続し、電源部１８ａの正極側を処理槽１６中の電解メッキ液ＬＱ１中に浸漬した電極プレート１８ｂに接続し、負極側を接地してアース電位とした。図１４の実施の態様では、第１のメッキ処理装置１０Ａ用の電源部（以下、第１電源部）１８ａから出力される直流電圧と、第２のメッキ処理装置１０Ｂ用の電源部（以下、第２電源部）１８ａから出力される直流電圧とが、共通の電位（例えばアース電位）を持たないように、互いにフローティングした状態の電源となっている。ここで、第１のメッキ処理装置１０Ａの電極ローラ１８ｃに設けられて、基板ＦＳの一方の側の補助パターンＡＰＴ１と接触する電極部材１９を１９Ａとし、第２のメッキ処理装置１０Ｂの電極ローラ１８ｃに設けられて、基板ＦＳの他方の側の補助パターンＡＰＴ２と接触する電極部材１９を１９Ｂとする。

このような構成で、基板ＦＳを一定速度で搬送しつつ、第１電源部１８ａから通電すると、第１のメッキ処理装置１０Ａの処理槽１６に貯留された電解メッキ液中には、電極部材１９Ａを介して補助パターンＡＰＴ１およびそれに接続されている導電パターン部分から電極プレート１８ｂに向かう方向に電子が流れ、メッキ処理（例えば金メッキ）が行われる。第１のメッキ処理装置１０Ａによってメッキ処理された基板ＦＳは、乾燥された状態で次の第２のメッキ処理装置１０Ｂに搬入される。基板ＦＳが第２のメッキ処理装置１０Ｂ内を一定速度で搬送されているとき、第２電源部１８ａから通電すると、第２のメッキ処理装置１０Ｂの処理槽１６に貯留された電解メッキ液中には、電極部材１９Ｂを介して補助パターンＡＰＴ２およびそれに接続されている導電パターン部分から電極プレート１８ｂに向かう方向に電子が流れ、メッキ処理（例えば白金メッキ）が行われる。

このとき、第１のメッキ処理装置１０Ａの処理槽１６内を通る基板ＦＳの補助パターンＡＰＴ２には、第２電源部１８ａの負極側の電位が印加された状態となるが、第１電源部１８ａの正極側と負極側、および第２電源部１８ａの正極側と負極側とのいずれもが、互いに電気的に接続されていないフローティング状態にあるため、第１のメッキ処理装置１０Ａの処理槽１６内の電解メッキ液から補助パターンＡＰＴ２には電流が流れず、したがって、第１のメッキ処理装置１０Ａでは、補助パターンＡＰＴ２およびそれに接続されている導電パターン部分にはメッキ処理が施されない。同様に、第２のメッキ処理装置１０Ｂの処理槽１６内を通る基板ＦＳの補助パターンＡＰＴ１には、第１電源部１８ａの負極側の電位が印加された状態となるが、第１電源部１８ａと第２電源部１８ａとがフローティング状態にあるため、第２のメッキ処理装置１０Ｂの処理槽１６内の電解メッキ液から補助パターンＡＰＴ１には電流が流れず、したがって、第２のメッキ処理装置１０Ｂでは、補助パターンＡＰＴ１およびそれに接続されている導電パターン部分（先に第１のメッキ処理装置１０Ａでメッキされたパターン部分）にはメッキ処理が施されない。第１電源部１８ａと第２電源部１８ａとのフローティング関係を保つため、処理槽１６は絶縁性の材料（アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、セラミックなど）で電解メッキ液を貯留するのがよい。

しかしながら、第１電源部１８ａの正極／負極間の電位と、第２電源部１８ａの正極／負極間の電位との間に比較的に大きな差（例えば数ボルト以上）がある状態、若しくは電極部材１９Ａと接続される補助パターンＡＰＴ１（およびそれに接続されている導電パターン部分）と、電極部材１９Ｂと接続される補助パターンＡＰＴ２（およびそれに接続されている導電パターン部分）との間にメッキに適した電位差が生じている状態のときは、第１のメッキ処理装置１０Ａにおいて、補助パターンＡＰＴ１と補助パターンＡＰＴ２との全てに接続された導電パターン部分がメッキ処理されることがある。本実施の形態の場合、第１のメッキ処理装置１０Ａでは、補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２の両方と、それに接続される全ての導電パターン部分（配線部や電極部）が金メッキされることになる。そして、次の第２のメッキ処理装置１０Ｂでは、第２のメッキ処理装置１０Ｂの処理槽１６の電解メッキ液中を通る補助パターンＡＰＴ１と補助パターンＡＰＴ２との電位の差（極性の方向）に応じて、補助パターンＡＰＴ２と接続される導電パターン部分（先に第１のメッキ処理装置１０Ａによって金メッキされたパターン部分）の上に、別の金属（例えば白金）によるによるメッキ層が析出する。

以上のように、シート状の長尺の基板ＦＳを、第１のメッキ処理装置１０Ａから第２のメッキ処理装置１０Ｂに連続して通してメッキ処理する際でも、電解メッキ液に与えるメッキ用の電圧を、第１のメッキ処理装置１０Ａと第２のメッキ処理装置１０Ｂとで互いに独立させる（フローティングさせる）ことによって、補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２の各々を基板ＦＳの長尺方向に一定の長さの区間ごとに断続的に設けなくても、電極ごとに異なる金属種による選択的なメッキ処理が可能となる。

（変形例）図２に示したように、基板ＦＳの幅方向（Ｙ方向）の両側に導電材料による補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２を設けることによって、少なくとも２種類の金属種による電解メッキが可能となるが、３種類以上の金属種によって選択的に電解メッキを行う場合、さらに多くの補助パターンを設ける必要もある。図１５は、図２に示すような２つの補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２の他に、３つ目の補助パターンＡＰＴ３を設ける場合の一例を示し、ここでは、電極部Ｅを構成する３つの対極電極ＣＥ、作用電極ＷＥ、参照電極ＲＥの各々が、互いに異なる金属種で電解メッキするものとする。そのため、対極電極ＣＥは配線パターンＡＰＴｓを介して補助パターンＡＰＴ１と接続され、作用電極ＷＥは配線パターンＡＰＴｓを介して補助パターンＡＰＴ２と接続され、参照電極ＲＥは配線パターンＡＰＴｓを介して補助パターンＡＰＴ３と接続される。図１５のように、基板ＦＳの幅方向の一方側（＋Ｙ方向側）には、２本の補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３がＹ方向に一定の間隔を空けて長尺方向に沿って互いに平行に設けられている。図１５では、補助パターンＡＰＴ３を補助パターンＡＰＴ２の内側（電極部Ｅが形成される基板ＦＳの中央部側）に配置したので、補助パターンＡＰＴ２と接続している配線パターンＡＰＴｓ（Ｙ方向に延設）は、そのままでは補助パターンＡＰＴ３と短絡した状態になってしまう。

そこで、導電パターンＰＴ（例えば銅箔）を形成する際は、補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２の各々と、それに接続される対極電極ＣＥと作用電極ＷＥまでのパターンを第１層パターンとして基板ＦＳ上に形成した後、補助パターンＡＰＴ２からＹ方向に延びる配線パターン上で、補助パターンＡＰＴ３と交差し得る領域に、短絡防止のための絶縁層ＩＳＯを形成する。図１５では、交差領域に部分的に絶縁層ＩＳＯを形成した場合を示すが、補助パターンＡＰＴ３が形成される領域に沿って、長尺方向に連続して形成してもよい。絶縁層ＩＳＯを形成した後、第２層パターンとして補助パターンＡＰＴ３と、それに接続される参照電極ＲＥまでのパターンを形成する。補助パターンＡＰＴ３の一部または全部は、絶縁層ＩＳＯの上に形成される。

導電パターンＰＴの別の形成方法としては、補助パターンＡＰＴ２からＹ方向に延びる配線パターンＡＰＴｓが補助パターンＡＰＴ３と交差し得る領域については、補助パターンＡＰＴ３を部分的にカットした削除部分Ｎｐを設け、その削除部分Ｎｐを含む補助パターンＡＰＴ３とともに、全ての補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２と導電パターンＰＴ（電極ＣＥ、ＷＥ、ＲＥなど）とを、銅箔のエッチングなどによって一緒に形成する。その後、削除部分Ｎｐにインクジェット方式などの液滴によって選択的に絶縁層ＩＳＯを塗布して硬化させてから、補助パターンＡＰＴ３の削除部分Ｎｐを金属ナノ粒子を含むインクなどでつなぐように、絶縁層ＩＳＯを跨いで塗布して乾燥させてもよい。

こうして基板ＦＳ上に形成された３つの補助パターンＡＰＴ１〜ＡＰＴ３の各々は、電極ローラ１８ｃに形成された環状の電極部材１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃと接触して、電解メッキのための電圧が給電される。図１５では、１つの電極ローラ１８ｃに、補助パターンＡＰＴ１〜ＡＰＴ３の各々のＹ方向位置に対応して、電極部材１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃが設けられているが、先の図３、図４で説明したように、１つのメッキ処理装置１０内では、電極部材１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃのうちのいずれか１つを電源部からの電圧の一方の極性に接続するようにしてもよいし、先の図１４で説明したように、電極部材１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃの各々に、個別にフローティング状態で電源部からの電圧の一方の極性を接続するようにしてもよい。

［第５の実施の形態］
図１６は、第５の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。本実施の形態では、メッキ処理装置の電解メッキ液を貯留する処理槽１６Ａが、ＸＹ面に沿って平たく浅い形状をしており、処理槽１６Ａ内に設けられる２つの案内ローラＲ４’、Ｒ５’は、処理槽１６Ａの底面に浅く貯留された電解メッキ液ＬＱ１に下端部のみが浸漬するように、軸受部１６Ｃなどによって支えられている。互いに平行な２つの案内ローラＲ４’、Ｒ５’は、Ｘ方向（長尺方向）に一定の間隔となるように配置され、２つの案内ローラＲ４’、Ｒ５’の下端部で支持される基板ＦＳは、案内ローラＲ４’、Ｒ５’の間でＸ方向に所定のテンションを伴って張設される。処理槽１６Ａの底面には電極プレート１８ｂが設けられ、基板ＦＳは、メッキ処理される面が電極プレート１８ｂ側に向くように配置される。基板ＦＳのメッキ処理面（図１６の−Ｚ方向側の面）は、電解メッキ液ＬＱ１中で電極プレート１８ｂと一定の間隔となるように保持される。

処理槽１６Ａの底面の＋Ｙ方向側は、上向きの斜面１６ｂとなっており、この斜面１６ｂに沿うように、基板ＦＳのＹ方向（幅方向）の端部ＦＳｅが持ち上げられ、端部ＦＳｅは電解メッキ液ＬＱ１と接触しないように、ニップ型の案内ローラＲ２０、Ｒ２１によって保持される。ニップ型の案内ローラＲ２０、Ｒ２１は、Ｘ方向に所定の間隔で複数設けられる。基板ＦＳの端部ＦＳｅには、Ｘ方向に連続して形成される図７のような補助パターンＡＰＴａ、または、図１５のような補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３が形成されている。

以上のように構成することで、基板ＦＳは、端部ＦＳｅの補助パターンＡＰＴａ、または補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３が電解メッキ液ＬＱ１と接触しない状態でＸ方向に搬送されることになり、補助パターンＡＰＴａ、または補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３に対するメッキ処理が防止される。補助パターンＡＰＴａ、または補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３は、電解メッキのための通電の安定性を確保するために、比較的に広い幅で形成される。しかも、補助パターンＡＰＴａ、または補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３は、Ｘ方向に連続して形成されため、その全長は供給ロールＦＲ１に巻かれた基板ＦＳの全長と同等になる。そのため、基板ＦＳの全部を電解メッキ液ＬＱ１中に浸漬させると、メッキ処理すべき導電パターン部分（対極電極ＣＥ、作用電極ＷＥ、参照電極ＲＥなど）に対するメッキ析出量に対して、補助パターンＡＰＴａ、または補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３に対するメッキ析出量が相対的に多くなってしまう可能性がある。すなわち、本来はメッキ処理が不要な部分にも大量のメッキ析出が発生してしまい、電解メッキ液ＬＱ１や電極プレート１８ｂの消耗を早めてしまう。

そこで、図１６のように、基板ＦＳの端部ＦＳｅに形成される補助パターンＡＰＴａ、または補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３の部分が、電解メッキ液ＬＱ１と接触しないように基板ＦＳを搬送すると、補助パターンという不要部分へメッキ処理が防止され、電解メッキ液ＬＱ１や電極プレート１８ｂの消耗を抑えることができる。さらに、図１６のように、基板ＦＳを２つの案内ローラＲ４’、Ｒ５’の間でほぼ水平に搬送するような処理槽１６Ａとすることによって、電解メッキ液ＬＱ１の使用量自体を低減することができ、電解メッキ液ＬＱ１の濃度管理や温度管理が容易になると言った利点もある。また、図１６の構成では、処理槽１６Ａ内であっても、基板ＦＳの端部ＦＳｅは大気中に保持されて乾燥状態であるので、ニップ型の案内ローラＲ２０、Ｒ２１の一部を、図５Ｂに示したような集電ローラＥｂとして、直接、補助パターンＡＰＴａ、または補助パターンＡＰＴ２、ＡＰＴ３と接触するようにしてもよい。

［第６の実施の形態］
図１７は、第６の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示す概略構成図である。本実施の形態では、長尺方向に送られる基板ＦＳを回転ドラムＤＲの円筒状の外周面に巻き付けて搬送しつつ、回転ドラムＤＲを処理槽１６Ｂ内の電解メッキ液ＬＱ１中に浸すことによってメッキ処理を行う。回転ドラムＤＲは、Ｙ方向に延びた回転中心軸ＡＸｏから一定半径の外周面を有し、電解メッキ液ＬＱ１によって浸食されず、メッキ析出しないような材料（非導電体）で構成される。回転ドラムＤＲは絶縁性の材料が好ましい。本実施の形態の処理槽１６Ｂの底部の内壁は、回転ドラムＤＲの外周面（基板ＦＳ）と一定の隙間を保つような凹んだ円筒面状に形成されている。その隙間は、数ｍｍ〜十数ｍｍ程度に設定できる。回転ドラムＤＲの上方部で基板ＦＳの搬入側（電解メッキ液ＬＱ１と接触する前の位置）には、基板ＦＳ上の補助パターンと接触する電極ローラ１８ｃが設けられている。この電極ローラ１８ｃは、先の図３、図４、図１５などに示した電極ローラ１８ｃと同様のものである。さらに、回転ドラムＤＲの上方部で基板ＦＳの搬出側には、基板ＦＳの搬送方向を転換する案内ローラＲ２２が設けられている。本実施の形態の場合、メッキ処理される基板ＦＳの表面は、回転ドラムＤＲと接触している面の反対側となる。

処理槽１６Ｂの内壁面のうち、電解メッキ液ＬＱ１の液面よりも下の位置には、電極プレート１８ｂと同様に機能する複数の棒状の電極バー１８ｂ１、１８ｂ２、１８ｂ３、・・・１８ｂ７、１８ｂ８、・・・１８ｂ１５、１８ｂ１６、１８ｂ１７（以下、総称するときは１８ｂｎとする）が、電解メッキ液ＬＱ１と接触するように設けられている。図１７では、１７本の電極バー１８ｂｎが、凹んだ円筒状の内壁面の周方向に沿って所定の間隔で配列される。電極バー１８ｂｎの各々のＹ方向の寸法は、基板ＦＳの幅（Ｙ方向の寸法）に対応するように設定される。これら１７本の電極バー１８ｂｎの各々には、電源部１８ａからの一方の極性の電位が印加される。しかしながら、電極バー１８ｂｎの周方向の位置（基板ＦＳの搬送方向に沿った位置）に応じて、印加する電位（電極ローラ１８ｃの電極部材１９と電極バー１８ｂｎとの間の電圧）を異ならせてもよい。例えば、基板ＦＳが電解メッキ液ＬＱ１中を回転ドラムＤＲの外周面に沿って通る間の前半の電極バー１８ｂ１、１８ｂ２、１８ｂ３、・・・１８ｂ７に印加する電位は低めにし、後半の電極バー１８ｂ８、・・・１８ｂ１５、１８ｂ１６、１８ｂ１７に印加する電位は高めに設定してもよい。このように、基板ＦＳが電解メッキ液ＬＱ１中を進むにつれて、電解メッキ液ＬＱ１に印加するメッキ用の電圧を低い状態から高い状態にすることによって、基板ＦＳ上の導電パターンの表面に析出されるメッキ層を緻密にしつつ、メッキ時間の短縮やメッキ層の厚膜化ができる。

本実施の形態において、基板ＦＳを電解メッキ液ＬＱ１に接触させる時間（メッキ時間）をＴＬ、基板ＦＳの搬送速度をＶｆとし、図１７に示すように、回転ドラムＤＲの直径をφ、基板ＦＳが電解メッキ液ＬＱ１と接触し始める界面位置をＬｘａ、基板ＦＳが電解メッキ液ＬＱ１から抜け出す界面位置をＬｘｂ、界面位置Ｌｘａと中心軸ＡＸｏを結ぶ線分と界面位置Ｌｘｂと中心軸ＡＸｏとを結ぶ線分とが成す接液角度をθＬとすると、以下のような関係になる。
ＴＬ＝π・φ・（θＬ／３６０°）／Ｖｆ
このことから、回転ドラムＤＲの直径φが定まっている場合、メッキ時間ＴＬの調整は搬送速度Ｖｆを変えるのが効果的であるが、接液角度θＬ、すなわち電解メッキ液ＬＱ１の液量（界面位置Ｌｘａ、Ｌｘｂの高さ位置）を変えてもよい。

以上、本実施の形態によれば、処理槽１６Ｂの内壁が、回転ドラムＤＲの外周面からほぼ一定の隙間を成すように円筒面状に形成されているため、その隙間を満たす電解メッキ液ＬＱ１の容量は、先の図１のような処理槽１６の場合の液量に比べて相当に少なくなる。そのため、電解メッキ液ＬＱ１の濃度管理、温度管理が容易になるとともに、電解メッキ液ＬＱ１をリフレッシュのために循環させたり、入れ替えたりする作業も短時間で済む。さらに本実施の形態では、処理槽１６Ｂの内壁のうちの回転ドラムＤＲのＹ方向の端面（ＸＺ面と平行）と対向する側壁部（ＸＺ面と平行）と、回転ドラムＤＲの端面との隙間も相当に小さくすることが可能なので、処理槽１６Ｂに貯留される電解メッキ液ＬＱ１の量をさらに低減できる。

［第７の実施の形態］
図１８は、第７の実施の形態によるメッキ処理装置の概略的な構成を示し、上段はメッキ処理装置をＸＹ面内で見た平面図であり、下段はメッキ処理装置をＸＺ面内で見た正面図である。本実施の形態は、先の図７、図８で説明した第２の実施の形態と同様に、基板ＦＳ上に形成された特定パターン部分と電気的に導通している導電パターンの一部を切断部５０等で切断して、特定パターン部分へのメッキを防止するものである。そのため、図１８に示すメッキ処理装置は、基本的には先の図８と同様に構成される。したがって、図１８中の部材のうち図８中の部材と同じもの、同じ機能を奏する部材についての詳細説明は省略する。

図１８のメッキ処理装置で処理される基板ＦＳには、先の図２や図１４で説明した第１の補助パターンＡＰＴ１と第２の補助パターンＡＰＴ２とが、基板ＦＳの幅方向（Ｙ方向）の中央部分に長尺方向に沿って平行に形成されている。本実施の形態では、基板ＦＳ上の第１の補助パターンＡＰＴ１よりも＋Ｙ方向側に形成される第１の特定パターン部分の表面に最終的にメッキされる金属（導電材料）と、第２の補助パターンＡＰＴ２よりも−Ｙ方向側に形成される第２の特定パターン部分の表面に最終的にメッキされる金属（導電材料）とが異なるものとする。図１８のメッキ処理装置は、事前に第１の補助パターンＡＰＴ１と第２の補助パターンＡＰＴ２とを介して、基板ＦＳの＋Ｙ方向側の半分の領域に形成されている第１の特定パターン部分（銅箔）の表面と、基板ＦＳの−Ｙ方向側の半分の領域に形成されている第２の特定パターン部分（銅箔）の表面とに第１の金属による電気メッキが施された基板ＦＳを搬入して、第２の特定パターン部分の表面（第１の金属によるメッキ層）上のみに第１の金属と異なる第２の金属による電気メッキを施すように構成される。

本実施の形態では、基板ＦＳの補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２や特定パターン部分が形成される表面と接触する電極ローラ１８ｃには、Ｙ方向の中央部分に環状の電極部材１９が設けられ、基板ＦＳの裏側には、補助パターンＡＰＴ１、ＡＰＴ２が電極ローラ１８ｃの電極部材１９に密接するように押圧するアイドルローラ１８ｅが設けられる。基板ＦＳの移動方向に関して電極ローラ１８ｃの上流側には、基板ＦＳ上の第１の補助パターンＡＰＴ１の一部を切断するための切断部５０が設けられる。切断部５０は、本実施の形態では基板ＦＳに貫通孔ＨＷを形成する機械的な穿孔器、またはレーザ穿孔器とする。貫通孔ＨＷは、第１の補助パターンＡＰＴ１のＹ方向の線幅よりも大きな寸法の円形状（或いは矩形状）に形成される。切断部５０は、第１の補助パターンＡＰＴ１（または第２の補助パターンＡＰＴ２）を含む基板ＦＳ上の局所的な領域を拡大撮像する撮像素子（ＣＣＤやＣＭＯＳ）を搭載し、Ｙ方向に延びた案内レール（直線ガイド部材）に沿って基板ＦＳの幅方向（Ｙ方向）に直線移動可能に設けられる。さらに、撮像素子で撮像される第１の補助パターンＡＰＴ１（または第２の補助パターンＡＰＴ２）の像が撮像視野内でＹ方向の所定位置になるように、切断部５０のＹ方向の位置を調整するサーボ駆動機構を設けてもよい。そのようなサーボ駆動機構を設けることにより、基板ＦＳが長尺方向に移動しつつ、幅方向（Ｙ方向）に大きく蛇行したとしても、そのＹ方向の位置変化に追従して切断部５０を位置決めできるので、貫通孔ＷＨと第１の補助パターンＡＰＴ１とのＹ方向の位置関係を常に精密に設定することができる。したがって、第１の補助パターンＡＰＴ１のＹ方向の線幅を数ｍｍ以下、例えば１ｍｍ程度にし、貫通孔ＷＨのＹ方向の寸法を２ｍｍ程度に小さくすることができる。また、切断部５０による貫通孔ＷＨの形成は、基板ＦＳが長尺方向に一定の距離Ｌｘｐだけ移動する度に行われ、基板ＦＳの裏面側には貫通孔ＷＨを形成したときに発生する切屑やガス等を収集する集塵部５０ａが設けられる。

本実施の形態において、切断部５０を通過した基板ＦＳは、図８の構成と同様に、案内ローラＲ２、電極ローラ１８ｃ、案内ローラＲ３の順に通って、処理槽１６に貯留された第２の金属のメッキ用の第２の電解メッキ液ＬＱ１に浸される。その際、電極ローラ１８ｃの環状の電極部材１９と第１の補助パターンＡＰＴ１（または第２の補助パターンＡＰＴ２）とが接触している基板ＦＳ上の長尺方向の位置をＰｃａとし、基板ＦＳが電解メッキ液ＬＱ１に浸り始める基板ＦＳ上の長尺方向の位置をＰｃｂとしたとき、基板ＦＳの長尺方向に関する位置Ｐｃａと位置Ｐｃｂの距離Ｌｘｓは、貫通孔ＨＷの長尺方向の間隔距離Ｌｘｐよりも長くなるように設定される。換言すれば、位置Ｐｃａと位置Ｐｃｂとの距離Ｌｘｓはメッキ処理装置の構成上で決まっているので、切断部５０は基板ＦＳが長尺方向に距離Ｌｘｓよりも短い距離Ｌｘｐだけ移動する度に貫通孔ＨＷを形成するように制御される。このように、距離Ｌｘｐと距離Ｌｘｓとを、Ｌｘｓ＞Ｌｘｐの関係にしておくと、基板ＦＳ上の位置Ｐｃａと位置Ｐｃｂとの間には、必ず１つ以上の貫通孔ＨＷ（第１の補助パターンＡＰＴ１の切断ヶ所）が存在し、第２の電解メッキ液ＬＱ１中では第１の補助パターンＡＰＴ１を介して第１の特定パターン部への電圧供給が行われないことになる。一方、電極ローラ１８ｃの環状の電極部材１９と接触している第２の補助パターンＡＰＴ２からは、第２の電解メッキ液ＬＱ１に浸かっている第２の特定パターン部に電圧供給されるので、第２の特定パターン部の表面（第１の金属によるメッキ層）上には、第２の金属によるメッキ層が生成されることになる。

以上、本実施の形態では、先の第２の実施の形態のように、複数の特定パターンの各々と補助パターンＡＰＴ１またはＡＰＴ２とを接続する配線パターンの部分をカットする必要が無く、基板ＦＳの長尺方向に沿って直線的に延びた1本の補助パターンＡＰＴ１を、所定の間隔距離Ｌｘｐで切断する（穿孔する）だけでよいので、切断部５０の構成が極めて簡素になり、装置コストが削減される。さらに、距離Ｌｘｓ中に少なくとも１つの貫通孔ＨＷを形成すればよいので、貫通孔ＨＷの総数を減らすことができ、基板ＦＳに生じる内部応力の低減により基板ＦＳの変形が抑えられる。本実施の形態のように、基板ＦＳの長尺方向に沿って直線的に延びた補助パターンＡＰＴ１（または補助パターンＡＰＴ２）を所定の間隔距離Ｌｘｐで切断する方式は、先の図２の第２の実施の形態にも同様に適用することができる。なお、本実施の形態では、図１８のように電極ローラ１８ｃ（および電極部材１９）は、基板ＦＳの搬送方向に関して、電解メッキ液ＬＱ１が貯留される接液部としての処理槽１６の上流側の大気中で、基板ＦＳの補助パターンＡＰＴ１（または補助パターンＡＰＴ２）と接触するように配置したが、処理槽１６の下流側の大気中で補助パターンＡＰＴ１（または補助パターンＡＰＴ２）と接触するように配置してもよい。また、図１８のように、電極ローラ１８ｃ（および電極部材１９）が処理槽１６（電解メッキ液ＬＱ１）の上流側に位置する場合、切断部５０は、電極ローラ１８ｃ（および電極部材１９）と処理槽１６の間に配置してもよい。さらに、電極ローラ１８ｃ（および電極部材１９）が処理槽１６（電解メッキ液ＬＱ１）の下流側に配置される場合、切断部５０は電極ローラ１８ｃ（および電極部材１９）と処理槽１６の間に配置される。

Claims (18)

1. 長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に導電体で形成された導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理方法であって、
   前記導電パターンのうち電解メッキを施す特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向に沿って延びる補助パターンを導電材料で前記シート基板上に形成することと、
   前記シート基板の表面が前記長尺方向に沿って所定距離に亘って電解メッキ液と接触するように、前記シート基板を搬送することと、
   前記シート基板上の少なくとも前記特定パターン部分が前記電解メッキ液と接触している間、前記シート基板の表面が前記電解メッキ液から離れた位置に設けられた電極部材を前記補助パターンと接触させ、前記電極部材を介して前記電解メッキ液に電圧を印加することと、
   を含む、メッキ処理方法。
2. 請求項１に記載のメッキ処理方法であって、
   前記導電パターンおよび前記補助パターンは、表面に前記導電体による薄膜が積層された前記シート基板に対して、露光装置を用いたリソグラフィ工程と前記薄膜を部分的に除去するエッチング工程とを施すことによって形成される、メッキ処理方法。
3. 請求項１に記載のメッキ処理方法であって、
   前記導電パターンおよび前記補助パターンは、露光装置を用いた光パターニング工程と、前記導電体を無電解メッキで析出させる無電解メッキ工程とによって形成される、メッキ処理方法。
4. 請求項２または３に記載のメッキ処理方法であって、
   前記特定パターン部分は、前記導電パターンの中で孤立した孤立パターン部分として形成される、メッキ処理方法。
5. 長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に導電体で形成された導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理方法であって、
   前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第１の特定位置に前記長尺方向に沿って延びる第１の補助パターンと、前記導電パターンのうち前記第１の特定パターン部分とは異なる第２の特定パターン部分に接続され、且つ、第１の特定位置とは異なる前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第２の特定位置に前記長尺方向に沿って延びる第２の補助パターンとを、導電材料で前記シート基板上に形成することと、
   前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させることと、
   前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第１の電極部材を前記第１の補助パターンに接触させ、前記第１の電極部材を介して前記第１の電解メッキ液に電圧を印加することと、
   前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第２の電解メッキ液に接触させることと、
   前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触した後の位置であって、前記第２の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第２の電極部材を前記第２の補助パターンに接触させ、前記第２の電極部材を介して前記第２の電解メッキ液に電圧を印加することと、
   を含む、メッキ処理方法。
6. 長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に導電体で形成された導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理方法であって、
   前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分および前記第１の特定のパターン部分とは異なる第２の特定パターン部分の各々に接続され、且つ、前記長尺方向に沿って延びる補助パターンを導電材料で前記シート基板上に形成することと、
   前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させることと、
   前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第１の電極部材を前記補助パターンに接触させ、前記第１の電極部材を介して前記第１の電解メッキ液に電圧を印加することと、
   前記第１の電解メッキ液による電解メッキの後に、前記第１の特定パターン部分と前記補助パターンとの電気的な接続を切断することと、
   前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第２の電解メッキ液に接触させることと、
   前記シート基板の表面が前記第１の電解メッキ液に接触した後の位置であって、前記第２の電解メッキ液に接触する手前またはその後の位置に設けられた第２の電極部材を前記補助パターンに接触させ、前記第２の電極部材を介して前記第２の電解メッキ液に電圧を印加することと、
   を含む、メッキ処理方法。
7. 長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に形成された導電体による導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理装置であって、
   前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って電解メッキ液に接触させる接液部と、
   前記シート基板の搬送方向に関して、前記接液部の上流側または下流側に設けられ、前記導電パターンのうち電解メッキを施す特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の特定位置に前記長尺方向に沿って延びるように前記シート基板上に形成された導電性の補助パターンと接触する電極部材と、
   前記電極部材を介して前記電解メッキ液に電解メッキ用の電圧を印加する電源部と、
   を備える、メッキ処理装置。
8. 請求項７に記載のメッキ処理装置であって、
   前記電極部材は、前記シート基板の表面を支持して前記長尺方向に回転可能なローラの外周のうち、前記補助パターンが形成された前記特定位置に対応した領域に設けられている、メッキ処理装置。
9. 請求項７または８に記載のメッキ処理装置であって、
   前記特定パターン部分は、前記導電パターンの中で孤立した孤立パターン部分として形成されている、メッキ処理装置。
10. 長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に形成された導電体による導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理装置であって、
    前記シート基板上には、前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分に接続され、且つ、前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第１の特定位置に前記長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の第１の補助パターンと、前記導電パターンのうち前記第１の特定パターン部分とは異なる第２の特定パターン部分に接続され、且つ、第１の特定位置とは異なる前記長尺方向と交差する前記シート基板の幅方向の第２の特定位置に前記長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の第２の補助パターンが形成されており、
    前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させる第１の接液部と、
    前記シート基板の搬送方向に関して、前記第１の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記第１の補助パターンと接触して前記第１の電解メッキ液に電解メッキ用の電圧を印加するための第１の電極部材と、
    前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って前記第１の電解メッキ液とは異なる第２の電解メッキ液に接触させる第２の接液部と、
    前記シート基板の搬送方向に関して、前記第２の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記第２の補助パターンと接触して前記第２の電解メッキ液に電解メッキ用の電圧を印加するための第２の電極部材と、
    を備える、メッキ処理装置。
11. 長尺のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、前記シート基板の表面に形成された導電体による導電パターンの一部に選択的にメッキを施すメッキ処理装置であって、
    前記シート基板上には、前記導電パターンのうち第１の特定パターン部分および前記第１の特定のパターン部分とは異なる第２の特定パターン部分の各々に接続され、且つ、前記長尺方向に沿って延びるように配置された導電性の補助パターンが形成されており、
    前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第１の電解メッキ液に接触させる第１の接液部と、
    前記シート基板の搬送方向に関して、前記第１の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記補助パターンと接触して前記第１の電解メッキ液に電圧を印加するための第１の電極部材と、
    前記第１の電解メッキ液による電解メッキの後に、前記第１の特定パターン部分と前記補助パターンとの電気的な接続を切断する切断部と、
    前記第１の電解メッキ液によって電解メッキが施された前記シート基板の表面を前記長尺方向に沿って所定距離に亘って第２の電解メッキ液に接触させる第２の接液部と、
    前記シート基板の搬送方向に関して、前記第２の接液部の上流側または下流側に設けられ、前記補助パターンと接触して前記第２の電解メッキ液に電圧を印加するための第２の電極部材と、
    を備える、メッキ処理装置。
12. 複数の電極を被検出体に接触させたときに前記電極間の電気的な変化に基づいて、前記被検出体に含まれる特定成分を検査するセンサー装置であって、
    複数の電極を所定の間隔で担持する基板と、
    前記複数の電極の各々の第１層は第１の導電材料による薄膜で構成され、
    前記複数の電極のうち第１電極は、前記第１の導電材料とは異なる第２の導電材料が電解メッキで前記第１層の上に積層した薄膜で構成され、
    前記複数の電極のうち第２電極は、前記第１の導電材料および前記第２の導電材料とは異なる第３の導電材料が電解メッキで前記第１層の上に積層した薄膜で構成される、センサー装置。
13. 請求項１２に記載のセンサー装置であって、
    前記第１の導電材料は、非貴金属であり、
    前記第２の導電材料および前記第３の導電材料は、互いに異なる貴金属である、センサー装置。
14. 請求項１２に記載のセンサー装置であって、
    前記第１の導電材料は、非貴金属であり、
    前記第２の導電材料と前記第３の導電材料のうちの一方を貴金属とする、センサー装置。
15. 複数の電極を被検出体に接触させたときに前記電極間で生じる電気的な変化に基づいて、前記被検出体に含まれる特定成分を検査するセンサー装置であって、
    複数の電極を所定の間隔で担持する基板と、
    前記複数の電極の各々の第１層は第１の導電材料による薄膜で構成され、
    前記複数の電極のうちの第１電極と第２電極は、前記第１の導電材料とは異なる第２の導電材料を電解メッキで前記第１層の上に薄膜として積層した第２層を有し、
    前記第２電極は、さらに前記第１の導電材料および前記第２の導電材料とは異なる第３の導電材料を電解メッキで前記第２層の上に薄膜として積層した第３層を有する、センサー装置。
16. 被検出体に接触する少なくとも一対の電極を備え、前記電極間の電気的な変化に基づいて、前記被検出体の物理的または化学的な特性を計測するセンサー装置であって、
    可撓性を有する長尺のシート基板の長尺方向に沿った複数の位置の各々に形成された前記一対の電極を有する複数の電極部と、
    前記電極部ごとに設けられ、前記電極部の前記一対の電極間の電気的な変化を検出する複数の検出回路部と、
    前記検出回路部の各々に電源電圧を供給するために、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って連続して形成される導電性の電源ライン部と、
    前記検出回路部の各々で検出された検出信号を伝送するために、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って連続して形成される導電性の信号伝送ライン部と、
    を備え、
    前記一対の電極は、前記電源ライン部用の配線パターン部と同じ第１の導電材料で構成される第１層を有し、前記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極は、前記第１の導電材料と異なる第２の導電材料を前記第１層の上に電解メッキで積層した第２層を有する、センサー装置。
17. 請求項１６に記載のセンサー装置であって、
    前記被検出体は圃場の土壌であって、前記検出回路部の各々は、前記土壌の酸性度、または水分量に対応した検出信号を出力する、センサー装置。
18. 請求項１７に記載のセンサー装置であって、
    前記土壌の酸性度を計測するために、前記第２の導電材料を亜鉛とする、センサー装置。

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