TWI732840B - 鍍敷處理方法、鍍敷處理裝置、及感測器裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係一面於長度方向搬送基板(FS)一面對利用導電體形成於基板(FS)之表面之導電圖案(PT)之一部分選擇性地實施鍍敷之鍍敷處理方法，且包括：利用導電材料於基板(FS)上形成連接於導電圖案(PT)中之特定圖案部分(SPT)且沿長度方向延伸之輔助圖案(APT)；使基板(FS)之表面沿長度方向遍及既定距離地接觸於電解鍍敷液(LQ1)；於基板(FS)上之至少特定圖案部分(SPT)與電解鍍敷液(LQ1)接觸之期間，使設置於基板(FS)之表面自電解鍍敷液(LQ1)分離之位置之電極構件(19)與輔助圖案(APT)接觸，且經由電極構件(19)對電解鍍敷液(LQ1)施加電壓。

Description

鍍敷處理方法、鍍敷處理裝置、及感測器裝置
本發明係關於一種使用電解鍍敷法於基板上實施鍍敷處理之鍍敷處理方法及用以實施該方法之鍍敷處理裝置、以及使用電解鍍敷法所形成之感測器裝置。
於日本專利第3193721號公報中揭示有如下製造方法，即，於均勻地形成於基板之導電性材料之上實施電鍍之鍍敷處理時，利用阻劑層覆蓋實施電鍍之部分(例如成為電極之部分)以外之部分，藉此選擇性地實施電鍍，製造用以檢測葡萄糖等特定成分之感測器電極。
然而，於對已由導電性材料形成之圖案之一部分實施電鍍(電解鍍敷)之情形時，必須使導電性圖案之一部分準確地重合，將阻劑層精密地圖案化。尤其隨著應重合之導電性圖案之一部分變得微細，圖案化之精度亦變得嚴格，圖案化之作業變得困難。因此，無法對欲實施電鍍之部分簡易地實施選擇性鍍敷處理。於進行電鍍處理之基板為樹脂膜或塑膠等軟性薄板之情形時，存在由基板本身之溫度、濕度、張力等影響所致之伸縮或變形增大至數百ppm左右之情形，從而用以圖案化之定位或重合進而變難。
本發明之第1態樣係一面於長度方向搬送長條之薄片基板，一面對利用導電體形成於上述薄片基板之表面之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷的鍍敷處理方法，且包括：利用導電材料於上述薄片基板上形成連接於上述導電圖案中之實施電解鍍敷之特定圖案部分且沿上述長度方向延伸的輔助圖案；以上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地與電解鍍敷液接觸之方式搬送上述薄片基板；於上述薄片基板上之至少上述特定圖案部分與上述電解鍍敷液接觸之期間，使設置於上述薄片基板之表面自上述電解鍍敷液分離之位置之電極構件與上述輔助圖案接觸，經由上述電極構件對上述電解鍍敷液施加電壓。
本發明之第2態樣係一面於長度方向搬送長條之薄片基板，一面對利用導電體形成於上述薄片基板之表面之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷的鍍敷處理方法，且包括：利用導電材料於上述薄片基板上形成第1輔助圖案及第2輔助圖案，該第1輔助圖案係連接於上述導電圖案中之第1特定圖案部分，且沿上述長度方向延伸至與上述長度方向交叉之上述薄片基板之寬度方向之第1特定位置，該第2輔助圖案係連接於上述導電圖案中之與上述第1特定圖案部分不同之第2特定圖案部分，且沿上述長度方向延伸至與第1特定位置不同之與上述長度方向交叉之上述薄片基板之寬度方向之第2特定位置；使上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第1電解鍍敷液；使設置於上述薄片基板之表面接觸於上述第1電解鍍敷液之前或之後之位置的第1電極構件接觸於上 述第1輔助圖案，且經由上述第1電極構件對上述第1電解鍍敷液施加電壓；使已藉由上述第1電解鍍敷液而實施電解鍍敷之上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第2電解鍍敷液；及使設置於上述薄片基板之表面接觸於上述第1電解鍍敷液後之位置且接觸於上述第2電解鍍敷液之前或之後之位置的第2電極構件接觸於上述第2輔助圖案，且經由上述第2電極構件對上述第2電解鍍敷液施加電壓。
本發明之第3態樣係一面於長度方向搬送長條之薄片基板，一面對利用導電體形成於上述薄片基板之表面之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷的鍍敷處理方法，且包括：利用導電材料於上述薄片基板上形成連接於上述導電圖案中之第1特定圖案部分及與上述第1特定圖案部分不同之第2特定圖案部分之各者且沿上述長度方向延伸的輔助圖案；使上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第1電解鍍敷液；使設置於上述薄片基板之表面接觸於上述第1電解鍍敷液之前或之後之位置的第1電極構件接觸於上述輔助圖案，且經由上述第1電極構件對上述第1電解鍍敷液施加電壓；於上述第1電解鍍敷液所進行之電解鍍敷後，將上述第1特定圖案部分與上述輔助圖案之電性連接切斷；使已藉由上述第1電解鍍敷液而實施電解鍍敷之上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第2電解鍍敷液；及使設置於上述薄片基板之表面接觸於上述第1電解鍍敷液後之位置且接觸於上述第2電解鍍敷液之前或之後之位置的第2電極構件接觸於上述輔助圖案，且經由上述第2電極構件對上述第2電解鍍敷液施加電壓。
本發明之第4態樣係一面於長度方向搬送長條之薄片基 板，一面對形成於上述薄片基板之表面之由導電體形成之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷的鍍敷處理裝置，且具備：接液部，其使上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於電解鍍敷液；電極構件，其係相對於上述薄片基板之搬送方向設置於上述接液部之上游側或下游側，且與導電性之輔助圖案接觸，該導電性之輔助圖案係以連接於上述導電圖案中之實施電解鍍敷之特定圖案部分且沿上述長度方向延伸至與上述長度方向交叉之上述薄片基板之寬度方向之特定位置之方式，形成於上述薄片基板上；及電源部，其經由上述電極構件對上述電解鍍敷液施加電解鍍敷用之電壓。
本發明之第5態樣係一面於長度方向搬送長條之薄片基板，一面對形成於上述薄片基板之表面之由導電體形成之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷的鍍敷處理裝置，於上述薄片基板上形成有導電性之第1輔助圖案及導電性之第2輔助圖案，該導電性之第1輔助圖案係以連接於上述導電圖案中之第1特定圖案部分且沿上述長度方向延伸至與上述長度方向交叉之上述薄片基板之寬度方向之第1特定位置之方式配置，該導電性之第2輔助圖案係以連接於上述導電圖案中之與上述第1特定圖案部分不同之第2特定圖案部分且沿上述長度方向延伸至不同於第1特定位置之與上述長度方向交叉之上述薄片基板之寬度方向之第2特定位置之方式配置，且該鍍敷處理裝置具備：第1接液部，其係使上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第1電解鍍敷液；第1電極構件，其係相對於上述薄片基板之搬送方向設置於上述第1接液部之上游側或下游側，用於與上述第1輔助圖案接觸地對上述第1電解鍍敷液施加電解鍍 敷用之電壓；第2接液部，其係使已藉由上述第1電解鍍敷液實施電解鍍敷之上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於與上述第1電解鍍敷液不同之第2電解鍍敷液；及第2電極構件，其係相對於上述薄片基板之搬送方向設置於上述第2接液部之上游側或下游側，用於與上述第2輔助圖案接觸地對上述第2電解鍍敷液施加電解鍍敷用之電壓。
本發明之第6態樣係一面於長度方向搬送長條之薄片基板，一面對形成於上述薄片基板之表面之由導電體形成之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷的鍍敷處理裝置，於上述薄片基板上形成有導電性之輔助圖案，該導電性之輔助圖案係以連接於上述導電圖案中之第1特定圖案部分及與上述第1特定圖案部分不同之第2特定圖案部分之各者且沿上述長度方向延伸的方式配置，且該鍍敷處理裝置具備：第1接液部，其係使上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第1電解鍍敷液；第1電極構件，其係相對於上述薄片基板之搬送方向設置於上述第1接液部之上游側或下游側，用以與上述輔助圖案接觸地對上述第1電解鍍敷液施加電壓；切斷部，其係於上述第1電解鍍敷液之電解鍍敷後，將上述第1特定圖案部分與上述輔助圖案之電性連接切斷；第2接液部，其係使已藉由上述第1電解鍍敷液實施電解鍍敷之上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第2電解鍍敷液；及第2電極構件，其係相對於上述薄片基板之搬送方向設置於上述第2接液部之上游側或下游側，用以與上述輔助圖案接觸地對上述第2電解鍍敷液施加電壓。
本發明之第7態樣係於使多個電極接觸於被檢測體時基於上述電極間之電性變化檢查上述被檢測體中所含之特定成分的感測器裝 置，以既定之間隔承載多個電極之基板、及上述多個電極各自之第1層係由第1導電材料形成之薄膜所構成，上述多個電極中之第1電極係以利用電解鍍敷將與上述第1導電材料不同之第2導電材料積層於上述第1層之上而成之薄膜構成，上述多個電極中之第2電極係以利用電解鍍敷將與上述第1導電材料及上述第2導電材料不同之第3導電材料積層於上述第1層之上而成之薄膜構成。
本發明之第8態樣係於使多個電極接觸於被檢測體時基於上述電極間產生之電性變化檢查上述被檢測體中所含之特定成分的感測器裝置，以既定之間隔承載多個電極之基板、及上述多個電極各自之第1層係由第1導電材料形成之薄膜所構成，上述多個電極中之第1電極及第2電極具有利用電解鍍敷將與上述第1導電材料不同之第2導電材料作為薄膜積層於上述第1層之上而成之第2層，上述第2電極更具有利用電解鍍敷將與上述第1導電材料及上述第2導電材料不同之第3導電材料作為薄膜積層於上述第2層之上而成之第3層。
本發明之第9態樣係具備接觸於被檢測體之至少一對電極且基於上述電極間之電性變化計測上述被檢測體之物理或化學特性的感測器裝置，且具備：多個電極部，其等具有形成於沿著具有可撓性之長條之薄片基板之長度方向的多個位置之各者上之上述一對電極；多個檢測電路部，其等係設置於每一上述電極部中，檢測上述電極部之上述一對電極間之電性變化；導電性之電源線部，其係為了對各個上述檢測電路部供給電源電壓而沿上述長度方向連續地形成於上述薄片基板上；及導電性之信號傳輸線部，其係為了傳輸由各個上述檢測電路部分別檢測之檢測信號而沿 上述長度方向連續地形成於上述薄片基板上；上述一對電極具有由與上述電源線部用之配線圖案部相同之第1導電材料構成的第1層，上述一對電極中之至少一個電極具有利用電解鍍敷將與上述第1導電材料不同之第2導電材料積層於上述第1層之上而成之第2層。
10‧‧‧鍍敷處理裝置
12‧‧‧控制部
14‧‧‧基板搬送機構
16‧‧‧處理槽
18‧‧‧電壓施加部
18a‧‧‧電源部
18b‧‧‧電極板
18c‧‧‧電極輥
20‧‧‧洗淨槽
20a、20c‧‧‧洗淨噴嘴
20b‧‧‧排出口
22‧‧‧乾燥部
22a‧‧‧熱產生源
FR1‧‧‧供給輥
FR2‧‧‧回收輥
FS‧‧‧基板
LQ1‧‧‧電解用鍍敷液
LQ2‧‧‧電解用鍍敷液
R1~R11‧‧‧引導輥
圖1係表示第1實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。
圖2係表示形成於薄片基板上之導電圖案及輔助圖案之一例之圖。
圖3表示於與形成有第1輔助圖案之薄片基板之寬度方向之第1特定位置對應的區域設置有圖1所示之電極輥之電極構件之情形之例。
圖4表示於與形成有第2輔助圖案之薄片基板之寬度方向之第2特定位置對應的區域設置有圖1所示之電極輥之電極構件之情形之例。
圖5A及圖5B係表示用以對圖3或圖4所示之電極輥之電極構件施加鍍敷用之電壓之另一變形例之圖。
圖6係表示血糖值計測感測器裝置之電路構成之一例之圖。
圖7係表示第2實施形態之導電圖案及輔助圖案之一例之圖。
圖8係表示第2實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。
圖9係於薄片基板之導電圖案上積層有阻劑層之圖。
圖10係表示第1及第2實施形態之變形例1中之與血糖值計測感測器裝置之電極部及配線相應之圖案之一例之圖。
圖11係第3實施形態之帶狀感測器裝置之概略構成圖。
圖12係表示圖11之感測器裝置之檢測單元之構成之圖。
圖13係表示收納有植物種子之帶狀感測器裝置之概略構成之圖。
圖14係表示第4實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。
圖15係說明與第1~第4各實施形態中之鍍敷處理用導電圖案之製作相關之變形例之圖。
圖16係表示第5實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。
圖17係表示第6實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。
圖18係表示第7實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。
以下，對本發明之態樣之鍍敷處理方法及實施該鍍敷處理方法之鍍敷處理裝置、以及使用鍍敷處理方法所形成之感測器裝置，揭示較佳之實施形態，參照隨附圖式同時地進行詳細說明。再者，本發明之態樣並不限定於該等實施形態，亦包含追加多種變更或改良者。即，以下記載之構成要素包含業者可容易地設想者、實質上相同者，且以下記載之構成要素能夠適當組合。又，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行構成要素之各種省略、替換或變更。
[第1實施形態]
圖1係表示第1實施形態之鍍敷處理裝置10之概略性構成之概略構成圖。再者，於以下之說明中，只要未特別註明，則設定將重力方向設為Z方向之X-Y-Z之正交座標系統，且按照圖中所示之箭頭對X方向、Y方向、及Z方向進行說明。
鍍敷處理裝置10係對可撓性之膜狀薄片基板FS實施鍍敷處理，於基板上形成圖案層之裝置。鍍敷處理裝置10例如形成構成作為電子裝置之軟性顯示器(膜狀顯示器)、膜狀觸控面板、液晶顯示面板用之膜狀彩色濾光片、軟性配線、或軟性感測器等之圖案層。於本實施形態中，形成構成對被檢測體之物理或化學特性進行計測之感測器裝置之電極部之圖案層。
鍍敷處理裝置10係對於以所謂之輥對輥(Roll To Roll)方式搬送之基板FS連續地實施鍍敷處理、洗淨處理、乾燥處理，該輥對輥方式係自將薄片基板(以下稱為基板)FS輥狀地捲繞之供給輥FR1將基板FS送出，利用回收輥FR2捲取被送出之基板FS。即，鍍敷處理裝置10係於自供給輥FR1供給後至由回收輥FR2捲取之期間，對基板FS連續地實施鍍敷處理、洗淨處理、乾燥處理。基板FS具有基板FS之移動方向(搬送方向)成為長邊方向(長條)且寬度方向成為短邊方向(短條)之帶狀之形狀。
再者，於本第1實施形態中，X方向係於相對鍍敷處理裝置10之設置面平行之水平面內，基板FS自供給輥FR1朝向回收輥FR2之方向(基板FS之搬送方向)。Y方向係於上述水平面內與X方向正交之方向，且為基板FS之寬度方向(短邊方向)。供給輥FR1之旋轉軸及回收輥FR2之旋轉軸分別以與XY平面(設置裝置之地面)平行並且相互平行之方式設 置。Z方向係與X方向及Y方向正交之方向(上方向)，且與重力作用之方向平行。再者，將基板FS之搬送方向設為+X方向，將重力作用之方向設為-Z方向。
作為基板FS之材料，例如可使用樹脂膜、或由不鏽鋼等金屬或合金構成之箔(foil)等。作為樹脂膜之材質，例如可使用包含聚乙烯樹脂、聚醚樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚芳酯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、及乙酸乙烯酯樹脂中之至少1種以上者。又，基板FS之厚度或剛性(楊氏模數)係不於基板FS中產生壓彎所致之折痕或不可逆之褶皺之範圍即可。作為基板FS之母材，厚度為25μm~200μm左右之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、PES(聚醚碸)等膜係薄片基板之典型。
基板FS存在於鍍敷處理裝置10內所實施之處理中受到熱之情形，因此，較佳為選定熱膨脹係數並不明顯較大之材質之基板。例如，可藉由將無機填料混合至樹脂膜而抑制熱膨脹係數。無機填料例如可為氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、或氧化矽等。又，基板FS可為利用浮式法等製造之厚度達100μm左右之極薄玻璃之單層體，亦可為於該極薄玻璃貼合上述樹脂膜或金屬箔等而成之積層體。進而，基板FS於亦可不具有透光性之情形時，亦可為將鋁、不鏽鋼、銅等金屬材料壓延製成金屬箔(foil)而具有可撓性者。
且說，所謂基板FS之可撓性(flexibility)係指即便對基板FS施加自重程度之力亦能夠不剪切或斷裂地使該基板FS彎曲之性質。又， 因自重程度之力而彎曲之性質亦包含於可撓性。可撓性之程度係相應於基板FS之材質、大小、厚度、基板FS上成膜之層構造、溫度、或濕度等環境而變化。總之，於將基板FS正確捲繞於設置在本第1實施形態之鍍敷處理裝置10內之搬送路徑上之各種搬送用輥、轉筒等搬送方向轉換用構件的情況下，若能夠不壓彎地產生折痕或破損(產生開裂或破裂)而順利搬送基板FS，則可謂可撓性之範圍。
又，於基板FS之表面利用導電性材料(導電材料)形成有導電圖案。該導電圖案具有與欲製造之感測器裝置之至少電極部E相應之圖案。於本第1實施形態中，形成有與檢測人體血液(被檢測體)所含之糖分之血糖值計測感測器裝置(感測器裝置、血糖計)之電極部E相應之圖案。再者，於將基板FS之母材設為金屬箔(鋁、不鏽鋼、銅等)之情形時，因其本身為導電材料，故而亦可於基板FS之表面整體以一定厚度(例如數μm以下)沈積耐熱性之絕緣被膜，且於該絕緣被膜之上形成導電圖案。
圖2係表示包含至少與血糖值計測感測器裝置之電極部E相應地形成之多個圖案PTa(圖2之由二點鏈線包圍之區域之圖案)且形成於基板FS之表面上之整體之導電圖案PT之圖。該多個圖案PTa係規則性排列地形成於基板FS上。導電圖案PT係形成於基板FS之表面上(基板FS上)之圖案形成區域F(參照圖3、圖4)。形成該導電圖案PT之導電材料(導電體)係使電流流動者即可，但於本第1實施形態中，使用非貴金屬之銅(Cu)。亦可藉由對表面上均勻地積層有導電材料所形成之薄膜(Cu層)之基板FS實施曝光裝置之微影步驟及部分地去除上述薄膜之蝕刻步 驟，而將該導電圖案PT形成於基板FS上。即，於導電材料所形成之薄膜之上積層光阻劑層，藉由曝光裝置而將至少與電極部E相應之圖案曝光後，實施顯影處理。其後，藉由將基板FS浸漬於蝕刻液而將實施顯影處理後之光阻劑層作為遮罩將導電材料之薄膜(Cu層)部分地去除，從而顯露出導電圖案PT。
又，亦可藉由使用曝光裝置之光圖案化步驟、及利用無電解鍍敷進行析出之無電解鍍敷步驟而形成導電圖案PT。作為其一例，例如，亦可將氟基僅去除受到紫外線照射之部分而將表現鍍敷還原能力(胺基)之感光性矽烷偶合劑(感光性鍍敷還原劑)所形成之薄膜均勻地積層於基板FS之表面上之整體或指定之部分區域內後，藉由曝光裝置而將至少與電極部E相應之圖案曝光，其後使基板FS之表面與無電解鍍敷液(包含鈀離子之溶液)相接(接觸)，藉此使導電圖案PT析出。進而，作為其他方法，亦可使用對基板FS之表面噴出微細液滴之精密噴墨印表機或微細印刷版(凸版、凹版、絲網等)，利用包含奈米金屬粒子之導電性油墨於基板FS上直接繪製導電圖案PT。於此情形時，雖相較使用曝光裝置之上述方法更簡便，但作為導電圖案PT而形成之電極或配線部之線寬之微細化存在極限。
如圖2所示，導電圖案PT具有多個與由作用電極WE、反電極CE、及參照電極(基準電極)RE該3種電極構成之電極部E(詳情於圖6中說明)、及連接於各電極之配線LW、LC、LR相應之形狀之圖案PTa。作用電極WE之圖案部分具有圓形之形狀，參照電極RE之圖案部分係以包圍作用電極WE之方式環狀地形成，反電極CE之圖案部分係以進而包圍參照電極RE之方式形成。將該導電圖案PT中利用同一材料進行電解鍍敷(電 鍍)之圖案部分稱為特定圖案部分SPT，且特定圖案部分SPT係導電圖案PT之中不與其他圖案部分連接之孤立之孤立圖案部分。
於本第1實施形態中，利用第1材料(例如，金、鉑、鈀等貴金屬)對作用電極WE及反電極CE之各部分進行電解鍍敷，且與該等作用電極WE、反電極CE之各者連接之配線LW、LC之各圖案部分亦利用作為同一材料之第1材料(例如金、鉑、鈀等貴金屬)進行電解鍍敷。而且，參照電極RE及連接於參照電極RE之配線LR之各圖案部分係利用與第1材料不同之第2材料(例如銀等貴金屬)進行電解鍍敷。因此，於圖2所示之導電圖案PT中，多個圖案PTa中之形成作用電極WE、反電極CE及配線LW、LC之圖案部分成為第1特定圖案部分SPT(以下稱為SPT1)，且多個圖案PTa中之形成參照電極RE及配線LR之圖案部分成為第2特定圖案部分SPT(以下稱為SPT2)。該第1特定圖案部分SPT1及第2特定圖案部分SPT2係以於基板FS上成為相互非電性連接之狀態之方式進行圖案設計。
又，於基板FS上進而形成有與各個特定圖案部分SPT連接且沿Y方向延伸之細配線圖案APTs、及與該配線圖案APTs連接且沿基板FS之長度方向(X方向)延伸至基板FS之寬度方向(Y方向)之特定位置之輔助圖案APT。該輔助圖案APT(及配線圖案APTs)係於存在多個特定圖案部分SPT之情形時，與多個特定圖案部分SPT之各者對應地設置多個，且多個輔助圖案APT(及配線圖案APTs)為相互非電性連接。因此，形成有多個輔助圖案APT之基板FS之寬度方向上之特定位置亦相異。形成輔助圖案APT之導電材於電解鍍敷時流通電流即可。於本第1實施形態中，使 用與導電圖案PT相同之材料即銅(Cu)作為形成輔助圖案APT及配線圖案APTs之材料，但亦可為與導電圖案PT之材料不同之材料。又，為了與來自電解鍍敷用電源之一極性之電極構件(輥電極等)確實地持續接觸，輔助圖案APT將Y方向之寬度設定為相對較大。
於本第1實施形態中，導電圖案PT具有第1特定圖案部分SPT1及第2特定圖案部分SPT2，故而於基板FS上形成有連接於第1特定圖案部分SPT1之第1輔助圖案APT(以下稱為APT1)、及連接於第2特定圖案部分SPT2之第2輔助圖案APT(以下稱為APT2)。第1輔助圖案APT1係沿基板FS之長度方向延伸至基板FS之寬度方向之第1特定位置(例如，基板FS之+Y方向側之端部)。第2輔助圖案APT2係沿基板FS之長度方向延伸至與第1特定位置不同之基板FS之寬度方向之第2特定位置(例如，基板FS之-Y方向側之端部)。
該輔助圖案APT亦可藉由對表面上均勻地積層有由導電材料形成之薄膜之基板FS實施曝光裝置之微影步驟及部分去除上述薄膜之蝕刻步驟而形成於基板FS上。又，輔助圖案APT亦可藉由使用曝光裝置之光圖案化步驟、及利用無電解鍍敷使由導電材料所形成之薄膜析出之無電解鍍敷步驟而形成。輔助圖案APT可於形成導電圖案PT時一同地形成，亦可以與導電圖案PT之形成不同之時序形成。
再者，於進而利用其他材料對形成作用電極WE及配線LW之圖案部分、以及形成反電極CE及配線LC之圖案部分進行電解鍍敷之情形時，將多個圖案PTa中形成作用電極WE及配線LW之圖案部分設為第1特定圖案部分SPT1，且將形成反電極CE及配線LC之圖案部分設為第3特 定圖案部分SPT3即可。而且，第1輔助圖案APT1係與第1特定圖案部分SPT1連接，第3特定圖案部分SPT3係連接於另行設置之第3輔助圖案APT3。該第1特定圖案部分及第3特定圖案部分係以成為相互非電性連接之狀態之方式進行配線設計。當然，第1輔助圖案APT1、第2輔助圖案APT2、第3輔助圖案APT3亦以彼此成為相互電性絕緣之狀態之方式配置，但視情形亦存在為實現該絕緣而需要形成絕緣層之步驟之情況。
返回圖1之說明，鍍敷處理裝置10具備控制部12、基板搬送機構14、處理槽16、電壓施加部18、洗淨槽20、及乾燥部22。控制部12係控制鍍敷處理裝置10內之各部分。控制部12包含電腦、及記憶有程式之記憶媒體，且本第1實施形態之控制部12藉由上述電腦執行記憶於上述記憶媒體之程式而發揮功能。
基板搬送機構14具備引導輥R1~R11。引導輥R1~R11係設置於供給輥FR1與回收輥FR2之間，且自基板FS之搬送方向之上游側依序配置。藉由將基板FS架設於基板搬送機構14之引導輥R1~R11進行搬送而規定於鍍敷處理裝置10內搬送之基板FS之搬送路徑。引導輥R1~R11係以一面與基板FS接觸，支持基板FS，一面於基板FS之長度方向進行旋轉之方式配置。引導輥R1~R3、R6、R8、R9、R11係以接觸於與基板FS之表面(實施鍍敷之處理面)為相反側之面(背面)之方式配置。引導輥R4、R5、R7、R10係以與基板FS之表面接觸之方式配置。供給輥FR1、回收輥FR2、及引導輥R1~R11之旋轉軸係與Y方向平行。控制部12藉由控制設置於各個供給輥FR1及回收輥FR2之未圖示之旋轉驅動源之馬達而控制基板FS之搬送速度。
再者，於各供給輥FR1及回收輥FR2中安裝有旋轉驅動用馬達之情形時，可藉由控制該等馬達之轉矩等而對供給輥FR1與回收輥FR2之間之基板FS賦予長度方向之張力。因此，可於引導輥R1~R11中之至少1者設置用以計測作用於基板FS之張力之測力器等。進而，為自供給輥FR1沿長度方向送出之基板FS之寬度方向之位置不產生較大變動，而例如可於引導輥R1與R2間之位置(或緊靠供給輥FR1後之位置)設置對基板FS之寬度方向之端部(邊緣部)朝Y方向之位置變化進行計測的邊緣感測器，且設置應答該邊緣感測器之計測結果，利用伺服控制使供給輥FR1之Y方向位置移位之邊緣位置控制機構(EPC單元)。
處理槽(鍍敷槽)16保持用以對基板FS實施電解鍍敷處理之電解鍍敷液LQ1。電解鍍敷液LQ1係以既定之濃度混入有金錯離子、鉑錯離子、或銀錯離子等貴金屬之任一種錯離子。處理槽16中設置有用以調整電解鍍敷液LQ1之溫度之溫度調節器(省略圖示)，且以不論環境溫度如何變化均將電解鍍敷液LQ1之溫度維持於適於鍍敷析出之適當溫度之方式進行控制。引導輥R4、R5係以基板FS之表面(處理面)浸漬於電解鍍敷液LQ1之方式設置於處理槽16內，引導輥R3、R6係相對於處理槽16設置於+Z方向側。引導輥R4、R5位於較藉由處理槽16所保持之電解鍍敷液LQ1之液面(表面)靠-Z方向側。藉此，可以架設於引導輥R3與引導輥R6之間之基板FS之沿著長度方向之一部分表面與藉由處理槽16所保持之電解鍍敷液LQ1相接(接觸)之方式搬送基板FS。該引導輥R4、R5作為使基板FS之表面(處理面)沿長度方向遍及既定距離地與電解鍍敷液LQ1相接之接液部而發揮功能。又，引導輥R4、R5本身、及其等之旋轉軸等亦可設 為如同不被電解鍍敷液LQ1腐蝕或鍍敷之絕緣性之材料。
電壓施加部18係於控制部12之控制下對電解鍍敷液LQ1施加電解鍍敷用之電壓。電壓施加部18具有電源部18a、及與應鍍敷之金屬種類對應之電極板18b及電極輥18c。電源部18a產生直流電壓，且自2個輸出端子(省略圖示)輸出所產生之電壓。電極板18b係以連接於電源部18a之一輸出端子(正極側)且與保持於處理槽16中之電解鍍敷液LQ1相接之方式配置。電源部18a之另一輸出端子(負極側)接地，且連接於設置於電極輥18c之外周之環狀電極構件19(參照圖3、圖4)。電極輥18c係外周面之整體或形成有電極構件19之環狀部分由絕緣體形成，且於引導輥R2與引導輥R3之間配置於基板FS與電解鍍敷液LQ1接觸前之成為乾燥狀態之位置。電極輥18c具有與Y軸平行之旋轉軸(旋轉中心線)，且可支持著基板FS之表面於基板FS之長度方向旋轉。電極輥18c係以於設置於電極輥18c之電極構件19以既定之密接力與基板FS之表面(處理面)接觸之狀態下旋轉之方式配置。電極構件19係以與形成於基板FS上之輔助圖案APT相接之方式設置於電極輥18c。於存在多個輔助圖案APT之情形時，以僅與任一個輔助圖案APT相接之方式將電極構件19設置於電極輥18c。即，電極構件19係設置於與形成有輔助圖案APT之基板FS之寬度方向之特定位置對應的區域。於圖3所示之例中，電極構件19係設置於與形成有第1輔助圖案APT1之基板FS之寬度方向之第1特定位置(基板FS之+Y方向側之端部)對應的區域。圖4表示於與形成有第2輔助圖案APT2之基板FS之寬度方向之第2特定位置(基板FS之-Y方向側之端部)對應的區域設置電極構件19之情形之例。
再者，作為一例，電極構件19亦可作為如圖5A所示地製成管狀地捲曲之較薄之金屬板(例如銅鎳鋅合金板等)，以覆蓋環狀地被覆電極輥18c之外周面之Y方向之一部分之絕緣膜18d之上之方式進行固著。與電源部18a之另一輸出端子(負極側)之連接係如圖5A所示以既定之按壓力使彈性變形之薄金屬片(例如磷青銅板等)所形成之集電刷Ea持續接觸於電極構件19即可。或者，亦可如圖5B所示以既定之按壓力使能夠轉動之集電輥Eb持續接觸於電極構件19。又，亦可為不設置如圖5A、5B之集電刷Ea或集電輥Eb而將電極構件19與電源部18a之另一輸出端子(負極側)電性連接之構成。作為其一例，設為利用導電體(金屬)構成電極輥18c之整體，且利用絕緣膜被覆電極輥18c之外周面中之成為電極構件19之環狀部分以外的構成。而且，將電源部18a之另一輸出端子(負極側)連接於電極輥18c之軸承(金屬性軸承)即可。
此處，如圖3所示，於將電極構件19以與第1輔助圖案APT1相接之方式配置之情形時，經由電極構件19及第1輔助圖案APT1對第1特定圖案部分SPT1施加電源部18a之負極側之電位。因此，於被施加電源部18a之正極側之電位且與電解鍍敷液LQ1接觸之電極板18b和接觸於電解鍍敷液LQ1之基板FS上所形成之第1特定圖案部分SPT1之間，對電解鍍敷液LQ1施加電解鍍敷用之電壓。因此，於與電解鍍敷液LQ1相接之第1輔助圖案APT1及第1特定圖案部分SPT1上，貴金屬之薄膜析出。因基板FS於搬送方向(+X方向)連續地被搬送，故而於遍及長度方向地形成於基板FS上之第1特定圖案部分SPT1上，貴金屬之薄膜依序析出。於本第1實施形態中，於第1輔助圖案APT1及第1特定圖案部分SPT1，藉由 電解鍍敷形成銀以外之貴金屬(例如鉑(Pt)或金(Au)等)之薄膜。由圖3之配置可明確，環狀地形成於圓筒狀之電極輥18c之電極構件19之Y方向之尺寸與第1輔助圖案APT1之Y方向之寬度的關係係考慮圖案形成區域F與第1輔助圖案APT1之Y方向之間隙及EPC單元所進行之基板FS之Y方向之定位精度而設定。
又，如圖4所示，於將電極構件19以與第2輔助圖案APT2相接之方式配置之情形時，經由電極構件19及第2輔助圖案APT2對第2特定圖案部分SPT2施加電源部18a之負極側之電位。因此，於與電解鍍敷液LQ1相接之第2輔助圖案APT2及第2特定圖案部分SPT2，可使貴金屬之薄膜析出。因此，於圖3及圖4之情形時，藉由改變混入至電解鍍敷液LQ1之錯離子之材質，能夠於第2輔助圖案APT及第2特定圖案部分SPT形成與形成於第1輔助圖案APT1及第1特定圖案部分SPT之薄膜之材料不同的材料之薄膜。於本實施形態中，於第2輔助圖案APT2及第2特定圖案部分SPT2形成銀(Ag)之薄膜。
洗淨槽20係用以於控制部12之控制下對經電解鍍敷之基板FS實施洗淨處理。於洗淨槽20內，設置有將基板FS之搬送方向自-Z方向轉換為+Z方向之引導輥R7，並且於引導輥R7之上方設置有朝向基板FS之表面(鍍敷處理面)釋出洗淨液(例如水)LQ2之洗淨噴嘴20a，且於引導輥R7之側方設置有朝向基板FS之背面(鍍敷處理面之背面側)釋出洗淨液(例如水)LQ2之洗淨噴嘴20c。上方之洗淨噴嘴20a係於-X方向側及X方向側之2方向噴射狀地釋出洗淨液LQ2。引導輥R7係於洗淨槽20內，且相對於洗淨噴嘴20a設置於-Z方向側，引導輥R6、R8係相對於洗淨槽 20設置於+Z方向側。藉此，自引導輥R6朝向引導輥R7之基板FS以其表面(鍍敷處理面)於相對於洗淨噴嘴20a為-X方向側之位置朝向洗淨噴嘴20a側之方式被搬送至-Z方向側。又，自引導輥R7朝向引導輥R8之基板FS係以其表面(處理面)於相對於洗淨噴嘴20a為+X方向側之位置朝向洗淨噴嘴20a之方式被搬送至+Z方向側。因此，自引導輥R6朝向引導輥R7之基板FS之表面藉由自設置於洗淨槽20之洗淨噴嘴20a朝向-X方向側釋出之洗淨液LQ2而洗淨。同樣地，自引導輥R7朝向引導輥R8之基板FS之表面藉由自設置於洗淨槽20內之洗淨噴嘴20a朝向+X方向側釋出之洗淨液LQ2而洗淨。同樣地，自引導輥R6朝向引導輥R7之基板FS之背面藉由自洗淨噴嘴20c朝向-X方向側釋出之洗淨液LQ2而洗淨，且自引導輥R7朝向引導輥R8之基板FS之背面藉由自洗淨噴嘴20c朝向+X方向側釋出之洗淨液LQ2而洗淨。又，於洗淨槽20之底壁設置有用以將自洗淨噴嘴20a、20c釋出之洗淨液LQ2排出至洗淨槽20外部之排出口20b。
乾燥部22係於控制部12之控制下對已實施洗淨處理之基板FS實施乾燥處理。於乾燥部22內設置有產生熱之熱產生源22a。作為熱產生源22a，可為將乾燥空氣等乾燥用空氣(熱風)噴附至基板FS之表面之鼓風機、紅外線光源、或陶瓷加熱器等。引導輥R10係位於乾燥部22內(乾燥部22之殼體內)，且相對於熱產生源22a設置於-Z方向側，引導輥R9、R11係相對於乾燥部22設置於+Z方向側。藉此，自引導輥R9朝向引導輥R10之基板FS以其表面(處理面)於相對於熱產生源22a為-X方向側之位置朝向熱產生源22a側之方式搬送至-Z方向側。又，自引導輥R10朝向引導輥R11之基板FS以其表面(處理面)於相對於熱產生源22a為+X方向 側之位置朝向熱產生源22a之方式搬送至+Z方向側。因此，可藉由設置於乾燥部22內之熱產生源22a效率良好地使自引導輥R9朝向引導輥R11之基板FS之表面乾燥。乾燥部22內之溫度係由基板FS之母材之材質決定上限。例如，母材為PET樹脂之基板FS係105℃左右為上限，母材為PEN樹脂、聚碳酸酯樹脂、金屬箔之基板FS可設定為母材為PET樹脂之基板FS之上限以上之上限溫度。但，若乾燥時之溫度較高，則母材為樹脂製之基板FS存在產生較大之伸縮之虞。因形成於基板FS上之導電圖案PT、輔助圖案APT、配線圖案APTs等為金屬性，故而因熱膨脹係數之較大差異，基板FS上之各種圖案出現龜裂(crack)或者自基板FS剝離。為避免引發此種情況，可設定如不超過所容許之基板FS(母材)之伸縮率(%、ppm)之乾燥溫度。
使用具有如上所述之構成之鍍敷處理裝置10、及形成有導電圖案PT及輔助圖案APT之基板FS，可使形成於導電圖案PT之薄膜之材料於每一特定圖案部分SPT中不同。即，可於導電圖案PT上選擇性地形成不同材料之薄膜。具體而言，首先，準備多個鍍敷處理裝置10。繼而，第1鍍敷處理裝置10之處理槽16保持混入有第1貴金屬之錯離子(例如，金錯離子或鉑錯離子等除銀以外之貴金屬之錯離子)之電解鍍敷液(第1電解鍍敷液)LQ1，且將第1鍍敷處理裝置10之電極輥18c以電極構件(第1電極構件)19如圖3所示地與第1輔助圖案APT1相接之方式設置。藉此，於第1特定圖案部分SPT1上形成第1貴金屬(例如金或鉑)之薄膜。繼而，裝填已回收基板FS之第1鍍敷處理裝置10用之回收輥FR2作為第2鍍敷處理裝置10用之供給輥FR1。該第2鍍敷處理裝置10之處理槽16保持混 入有與第1貴金屬不同之第2貴金屬即銀之錯離子之電解鍍敷液(第2電解鍍敷液)LQ1，且第2鍍敷處理裝置10之電極輥18c以電極構件(第2電極構件)19如圖4所示地與第2輔助圖案APT2相接之方式設置。藉此，於第2特定圖案部分SPT2上形成銀之薄膜。
再者，亦可以相對於基板FS之寬度方向之中心對稱之方式，設定形成有第1輔助圖案APT1之基板FS之寬度方向上之第1特定位置及形成有第2輔助圖案APT2之基板FS之寬度方向(Y方向)上之第2特定位置。藉此，藉由將電極輥18c翻轉(於平行於XY面之面內旋轉180度)地安裝，而可將電極構件19與第1輔助圖案APT1相接或者與第2輔助圖案APT2相接進行切換。又，於如圖5A、5B之設置集電刷Ea或集電輥Eb之構成中，於電極輥18c上之Y方向之兩側之與各個第1輔助圖案APT1及第2輔助圖案APT2對應之位置預先形成電極構件19，且於第1鍍敷處理裝置10中，對於2個部位之電極構件19中之與第1輔助圖案APT1對應之位置之電極構件19設置集電刷Ea或集電輥Eb，且於第2鍍敷處理裝置10中，對於與第2輔助圖案APT1對應之位置之電極構件19設置集電刷Ea或集電輥Eb。
又，參照電極RE必須於銀之薄膜之上形成氯化銀(AgCl)之薄膜，因此，裝填已回收基板FS之第2鍍敷處理裝置10用之回收輥FR2作為第3鍍敷處理裝置10用之供給輥FR1。該第3鍍敷處理裝置10之處理槽16保持使氯化銀飽和之氯化鉀液作為電解鍍敷液(第3電解鍍敷液)LQ1。又，第3鍍敷處理裝置10之電極輥18c係以電極構件19(第3電極構件19)如圖4所示地與第2輔助圖案APT2相接之方式設置。第3鍍敷處 理裝置10係與第1及第2鍍敷處理裝置10不同地於電極板(第3電極端子)18b連接有電源部18a之負極側之輸出端子，且於電極構件(第3電極構件)19連接有電源部18a之正極側之輸出端子。藉此，可於第2特定圖案部分SPT2(參照電極RE及配線LR)上進而形成氯化銀之薄膜。
因此，作用電極WE、反電極CE及配線LW、LC成為利用作為非貴金屬之導電材料(例如銅)之薄膜形成第1層，且利用銀以外之貴金屬(例如金、鉑、或鈀等)之薄膜形成第2層的積層構造。又，參照電極RE及配線LR成為利用作為非貴金屬之導電材料(例如銅)之薄膜構成第1層，利用銀之薄膜形成第2層，且利用氯化銀之薄膜形成第3層的積層構造。
再者，於每一鍍敷處理裝置10中利用回收輥FR2回收基板FS，但亦可於對基板FS連續地實施多個鍍敷處理裝置10之處理(電解鍍敷處理等)且多個鍍敷處理裝置10之處理(電解鍍敷處理等)均已實施之後，藉由回收輥FR2首次回收基板FS。於此情形時，自供給輥FR1供給之基板FS於首先被搬送至第1鍍敷處理裝置10內之後，不被回收輥FR2回收而連續地搬送至第2鍍敷處理裝置10內，其後連續地搬送至第3鍍敷處理裝置10內。繼而，首次藉由回收輥FR2捲取自第3鍍敷處理裝置10送出之基板FS。於此情形時，為避免與各鍍敷處理裝置10之處理槽16所保持之電解鍍敷液LQ1相接之第1特定圖案部分SPT1及第2特定圖案部分SPT2同時地通電，亦必須預先沿長度方向以既定之間隔將第1輔助圖案APT與第2輔助圖案APT2電性斷離。即，亦可於電極輥18c之與電極構件19之Y方向位置對應之基板FS上之位置上，設定未於長度方向遍及既定長度 地形成各輔助圖案APT、APT2之非導通區間。又，將電極輥18c設置於引導輥R2與引導輥R3之間，但亦可設置於接液部(引導輥R4、R5)之上游側或下游側且自電解鍍敷液LQ1分離之位置、即不與電解鍍敷液LQ1接觸之位置。於此情形時，亦可將電極輥18c設置於例如圖1中之引導輥R8~R11之間之搬送路徑中之任一者或者替換為圖1中之引導輥R10。
此處，使用圖6對血糖值計測感測器裝置30之電路構成進行簡單說明。血糖值計測感測器裝置30至少具備由作用電極WE、反電極CE、及參照電極RE構成之矩形狀之電極部E(約2mm見方)、由運算放大器OP2構成之電壓隨耦器32、DA轉換器34、計測控制部36、運算放大器OP1、由運算放大器OP3構成之電流電壓轉換部38、及AD轉換器40。於該電極部E上，塗佈有相應於血糖濃度進行反應之葡萄糖等試劑(包含介質及酵素)或者貼附有含浸試劑之試紙。對於此種電極部E上滴下血液等，且若血液以覆蓋作用電極WE、反電極CE、及參照電極RE之方式擴散，則因試劑與血液之化學反應而於血液中產生與血糖濃度相應之離子。電壓隨耦器32輸出因血液中之離子而產生於參照電極RE之電壓(以下稱為參照電壓)VRE。電壓隨耦器32係藉由高輸入阻抗之運算放大器OP2構成。DA轉換器34輸出與自計測控制部36輸出之基準電壓值(指令值)相應之電壓(以下稱為基準電壓)Vref。運算放大器OP1係以基準電壓Vref與參照電壓VRE之差始終為0之方式對反電極CE之電壓進行反饋控制。電流電壓轉換部38將自反電極CE流入作用電極WE之電流Iw轉換成電壓(以下稱為計測電壓)Vo。電流電壓轉換部38至少由運算放大器OP3及電阻Rw構成。計測電壓Vo可利用Vo=-Rw×Iw之關係式表示。AD轉換器40 將計測電壓Vo例如轉換成10位元之數位值後輸出至計測控制部36。該計測控制部36以使DA轉換器34所輸出之基準電壓值Vref於固定之範圍內階段性或連續性地變化之方式預先程式化，且藉由監視與基準電壓Vref之變化相應之計測電壓Vo之變化傾向而測定血糖值。
如此，本第1實施形態之鍍敷處理裝置10一面於長度方向搬送基板FS，一面對於形成於基板FS之表面之由導電體形成之導電圖案PT之一部分選擇性實施鍍敷，且具備：接液部(處理槽16、引導輥R4、R5)，其使基板FS之表面沿長度方向遍及既定距離地接觸於電解鍍敷液LQ1；電極構件19，其相對於基板FS之搬送方向設置於接液部之上游側或下游側，且與導電性之輔助圖案APT接觸，該導電性之輔助圖案APT係以連接於導電圖案PT中之實施電解鍍敷之特定圖案部分SPT，且沿長度方向延伸至與長度方向交叉之基板FS之寬度方向之特定位置之方式，形成於基板FS上；及電源部18a，其經由電極構件19對電解鍍敷液LQ1施加電解鍍敷用之電壓。藉此，可僅對導電圖案PT中之特定圖案部分SPT實施電解鍍敷。
電極構件19係設置於支持基板FS之表面且能夠於長度方向旋轉之電極輥18c之外周中之與形成有輔助圖案APT之特定位置對應之區域。藉此，可一面抑制電極構件19與基板FS上之輔助圖案APT之摩擦，一面使電極構件19接觸於基板FS之輔助圖案APT。因此，可防止因與電極構件19之接觸摩擦導致輔助圖案APT被磨削。又，亦可藉由存在多個特定圖案部分SPT，而即便於形成有多個輔助圖案APT之情形時，亦僅對任一個特定圖案部分SPT進行電解鍍敷。
特定圖案部分SPT係作為於導電圖案PT之中孤立之孤立圖案部分而形成。因此，導電圖案PT中，除了連接於電極構件19所接觸之輔助圖案APT之特定圖案部分SPT以外之圖案部分中不會流入電流，從而不會對特定圖案部分SPT以外之圖案部分實施電解鍍敷。因此，可僅對連接於電極構件19所接觸之輔助圖案APT之特定圖案部分SPT實施電解鍍敷處理。
又，於基板FS上形成有導電性之第1輔助圖案APT1及導電性之第2輔助圖案APT2，該導電性之第1輔助圖案APT1係以連接於導電圖案PT中之第1特定圖案部分SPT1，且沿長度方向延伸至與長度方向交叉之基板FS之寬度方向之第1特定位置之方式配置，該導電性之第2輔助圖案APT2係以連接於導電圖案PT中之與第1特定圖案部分SPT1不同之第2特定圖案部分SPT2，且沿長度方向延伸至與第1特定位置不同之與長度方向交叉之基板FS之寬度方向之第2特定位置之方式配置。而且具備：第1接液部(第1鍍敷處理裝置10內之處理槽16)，其使基板FS之表面沿長度方向遍及既定距離地接觸於第1電解鍍敷液LQ1；第1電極構件19，其相對於基板FS之搬送方向設置於第1接液部之上游側或下游側，用以與第1輔助圖案APT1接觸地對第1電解鍍敷液LQ1施加電解鍍敷用之電壓；第2接液部(第2鍍敷處理裝置10內之處理槽16)，其使已藉由第1電解鍍敷液LQ1實施電解鍍敷之基板FS之表面沿長度方向遍及既定距離地接觸於與第1電解鍍敷液LQ1不同之第2電解鍍敷液LQ1；及第2電極構件19，其相對於基板FS之搬送方向設置於第2接液部之上游側或下游側，且用以與第2輔助圖案APT2接觸地對第2電解鍍敷液LQ1施加電解鍍敷 用之電壓。藉此，可對導電圖案PT中之多個特定圖案部分SPT實施不同之電解鍍敷。再者，電極輥18c之電極構件19亦可以至少一部分與貯存於第1或第2鍍敷處理裝置10內之處理槽16之第1或第2電解鍍敷液LQ1相接，同時與第1輔助圖案APT1、或第2輔助圖案APT2接觸之方式設置。於該情形時，因電極構件19之表面亦被電解鍍敷液LQ1鍍敷，故而，較佳為於適當之時點更換電極構件19，或者利用如即便鍍敷層於表面析出(沈積)其密接性亦較弱而容易剝落之材質構成電極構件19。
[第2實施形態]
其次，對第2實施形態進行說明，但對與上述第1實施形態中已說明之構成同樣之構成標註同一符號，並且僅對不同之部分進行說明。於第2實施形態中，將導電圖案PT(多個圖案PTa)中之形成作用電極WE及配線LW之圖案部分設為第1特定圖案部分SPT1，將形成參照電極RE及配線LR之圖案部分設為第2特定圖案部分SPT2，且將形成反電極CE及配線LC之圖案部分設為第3特定圖案部分SPT3。又，第1特定圖案部分SPT1~第3特定圖案部分SPT3係連接於同一輔助圖案APT(以下稱為APTa)。即，如圖7所示，本第2實施形態之輔助圖案APTa係以經由沿Y方向延伸之配線圖案APTs而與第1特定圖案部分SPT1、第2特定圖案部分SPT2、及第3特定圖案部分SPT3之各者連接，且沿基板FS之長度方向延伸之方式形成。再者，毋庸置疑，本第2實施形態之導電圖案PT及輔助圖案APTa、配線圖案APTs係由導電材料(例如銅)形成。
又，如圖8所示，本第2實施形態之鍍敷處理裝置10a係於接液部(處理槽16、引導輥R4、R5)之上游側且基板FS與電解鍍敷液LQ1 接觸之前之位置設置圖案切斷部50。圖案切斷部50(以下亦簡稱為切斷部50)係為將作用電極WE、反電極CE、及配線LW、LC與輔助圖案APTa之電性連接切斷而於基板FS上開孔之穿孔機。切斷部50可藉由將棒狀之穿孔部壓抵於基板FS而於基板FS上開孔，亦可使用雷射於基板FS上開孔。再者，切斷部50係可將作用電極WE、反電極CE、及配線LW、LC與輔助圖案APTa之電性連接切斷即可，故亦可為穿孔機以外者。於第2實施形態中，以電極構件19與輔助圖案APTa相接之方式設置電極輥18c。再者，於本第2實施形態中，僅有1個輔助圖案APTa，因此亦可將電極構件19設置於電極輥18c之外周整面。
使用具有如上所述之構成之鍍敷處理裝置10a、及形成有導電圖案PT及輔助圖案APTa之基板FS，可使利用電解鍍敷於導電圖案PT上析出之薄膜之材料於每一特定圖案部分SPT中不同。具體而言，首先，準備多個鍍敷處理裝置10a。繼而，第1鍍敷處理裝置10a之處理槽16保持混入有第1貴金屬之錯離子(例如金錯離子)之電解鍍敷液(第1電解鍍敷液)LQ1。藉此，藉由電解鍍敷而於導電圖案PT(第1~第3特定圖案部分SPT1~SPT3)整體積層第1貴金屬(金)之薄膜。於形成第1貴金屬之薄膜時，因不使用切斷部50，故而亦可藉由上述第1實施形態中說明之鍍敷處理裝置10而於導電圖案PT整體形成第1貴金屬之薄膜。再者，第1鍍敷處理裝置10a之電極板(第1電極端子)18b係連接於電源部18a之正極側，且電極構件(第1電極構件)19係連接於電源部18a之負極側。
繼而，裝填已回收基板FS之第1鍍敷處理裝置10a用之回收輥FR2作為第2鍍敷處理裝置10a用供給輥FR1。該第2鍍敷處理裝置 10a之處理槽16保持混入有與第1貴金屬不同之第2貴金屬(例如鉑)之錯離子之電解鍍敷液(第2電解鍍敷液)LQ1。切斷部50將第3特定圖案部分SPT3與輔助圖案APTa之電性連接切斷。具體而言，切斷部50為將連接於反電極CE之配線LC與輔助圖案APTa之電性連接切斷，而將圖7所示之基板FS上之包含配線LC之區域CW(具有配線LC之線寬以上之尺寸)穿孔。該區域CW係設定於與導電圖案APTa相連之配線圖案APTs與沿X方向延伸之配線LC進行連接之位置附近。切斷部50係對於與第2電解鍍敷液LQ1相接前之基板FS，於全部圖案PTa各自之區域CW開孔。因此，藉由電解鍍敷而僅對於導電圖案PT中之第1特定圖案部分SPT1及第2特定圖案部分SPT2進而積層第2貴金屬(鉑)之薄膜。即，僅於作用電極WE、參照電極RE、及配線LW、LR形成由第2貴金屬(鉑)形成之第2層薄膜。再者，第2鍍敷處理裝置10a之電極板(第2電極端子)18b係連接於電源部18a之正極側，且電極構件(第2電極構件)19係連接於電源部18a之負極側。
其後，裝填已回收基板FS之第2鍍敷處理裝置10a用之回收輥FR2作為第3鍍敷處理裝置10a用之供給輥FR1。該第3鍍敷處理裝置10a之處理槽16保持混入有與第1貴金屬及第2貴金屬不同之第3貴金屬(例如銀)之錯離子之電解鍍敷液(第3電解鍍敷液)LQ1。切斷部50將第1特定圖案部分SPT1與輔助圖案APTa之電性連接切斷。具體而言，切斷部50為將連接於作用電極WE之配線LW與輔助圖案APTa之電性連接切斷，而將圖7所示之基板FS上之包含配線LW之區域WW(具有配線LW之線寬以上之尺寸)進行穿孔。該區域WW係設定於與導電圖案APTa相 連之配線圖案APTs與沿X方向延伸之配線LW進行連接之位置附近。切斷部50對於與第3電解鍍敷液LQ1相接前之基板FS，於全部圖案PTa各自之區域WW開孔。因此，藉由電解鍍敷而僅對於導電圖案PT中之第2特定圖案部分SPT2進而積層第3貴金屬(銀)之薄膜。即，僅於參照電極RE及配線LR形成第3貴金屬(銀)之薄膜。再者，第3鍍敷處理裝置10a之電極板(第3電極端子)18b係連接於電源部18a之正極側，且電極構件(第3電極構件)19係連接於電源部18a之負極側。
最後，對於參照電極RE，必須於銀之薄膜之上形成氯化銀(AgCl)之薄膜，故而裝填已回收基板FS之第3鍍敷處理裝置10a用之回收輥FR2作為第4鍍敷處理裝置10a用之供給輥FR1。該第4鍍敷處理裝置10a之處理槽16保持使氯化銀飽和之氯化鉀液作為電解鍍敷液(第4電解鍍敷液)LQ1。又，第4鍍敷處理裝置10a之電極板(第4電極端子)18b係連接於電源部18a之負極側，且電極構件(第4電極構件)19係連接於電源部18a之正極側。藉此，可經由輔助圖案APTa及配線圖案APTs僅對第2特定圖案部分SPT2(參照電極RE及配線LR)施加鍍敷用之電壓，進而形成氯化銀之薄膜。於形成氯化銀之薄膜時，因不使用切斷部50，故亦可藉由上述第1實施形態中說明之圖1之鍍敷處理裝置10於第2特定圖案部分SPT2上形成氯化銀之薄膜。
因此，反電極CE及配線LC成為第1層由作為非貴金屬之導電材料(例如銅)之薄膜形成，且第2層由第1貴金屬(例如金)之薄膜形成之積層構造。作用電極WE及配線LW成為第1層由作為非貴金屬之導電材料(例如銅)之薄膜形成，第2層由第1貴金屬(例如金)之薄膜 形成，且第3層由與第1貴金屬不同之第2貴金屬(例如鉑)之薄膜形成的積層構造。參照電極RE及配線LR成為第1層由作為非貴金屬之導電材料(例如銅)之薄膜形成，第2層由第1貴金屬(例如金)之薄膜形成，第3層由與第1貴金屬不同之第2貴金屬(例如鉑)之薄膜形成，第4層由銀之薄膜形成，且第5層由氯化銀之薄膜形成的積層構造。
再者，於每一鍍敷處理裝置10a利用回收輥FR2回收基板FS，但亦可於對基板FS連續地實施多個鍍敷處理裝置10a所進行之處理(電解鍍敷處理等)，且於多個鍍敷處理裝置10a所進行之處理(電解鍍敷處理等)全部實施後，首次藉由回收輥FR2回收基板FS。於該情形時，自供給輥FR1供給之基板FS首先被搬送至第1鍍敷處理裝置10a內之後，不由回收輥FR2回收而連續地搬送至第2鍍敷處理裝置10內，其後，連續地搬送至第3鍍敷處理裝置10、第4鍍敷處理裝置10a。繼而，首次藉由回收輥FR2捲取自第4鍍敷處理裝置10a送出之基板FS。又，將電極輥18c設置於引導輥R2與引導輥R3之間，但亦可將電極輥18c設置於接液部(處理槽16、引導輥R4、R5)之上游側或下游側且自電解鍍敷液LQ1分離之位置、即不與電解鍍敷液LQ1接觸之位置。
如此，本第2實施形態之鍍敷處理裝置10a一面於長度方向搬送基板FS，一面選擇性地對形成於基板FS之表面之由導電體形成之導電圖案PT之一部分實施鍍敷，且於基板FS上形成有導電性之輔助圖案APTa，該導電性之輔助圖案APTa係以連接於導電圖案PT中之第1特定圖案部分SPT1及與第1特定圖案部分SPT1不同之第2特定圖案部分SPT2之各者，且沿長度方向延伸之方式配置，且該鍍敷處理裝置10a具備：第1 接液部，其使基板FS之表面沿長度方向遍及既定距離地接觸於第1電解鍍敷液LQ1；第1電極構件19，其相對於基板FS之搬送方向設置於第1接液部之上游側或下游側，用以與輔助圖案APTa接觸地對第1電解鍍敷液LQ1施加電壓；圖案切斷部50，其於第1電解鍍敷液LQ1所進行之電解鍍敷後，將第1特定圖案部分SPT1與輔助圖案APTa之電性連接切斷；第2接液部，其使已藉由第1電解鍍敷液LQ1實施電解鍍敷之薄片基板FS之表面沿長度方向遍及既定距離地接觸於第2電解鍍敷液LQ1；及第2電極構件19，其相對於基板FS之搬送方向設置於第2接液部之上游側或下游側，用以與輔助圖案APTa接觸地對第2電解鍍敷液LQ1施加電壓。藉此，可對導電圖案PT中之每一特定圖案部分SPT實施不同材質之電解鍍敷。
再者，於上述第2實施形態中，藉由電解鍍敷而於導電圖案PT整體形成第1貴金屬(例如金)之薄膜，但亦可藉由無電解鍍敷形成第1貴金屬之薄膜。於此情形時，如圖9所示，於基板FS之導電圖案PT上形成具有如包含對應於電極部E之區域之矩形狀之開口部52a的阻劑層52。因此，即便於將利用阻劑層52被覆之基板FS浸漬於無電解鍍敷液之情形時，亦因阻劑層52成為遮罩而可對於電極部E之區域形成第1貴金屬之薄膜。該阻劑層52之開口部52a係至少於對應於電極部E之區域(例如2mm見方之尺寸)開口即可，因此將阻劑層52曝光時之圖案化精度(曝光之光之定位精度)無需精密。再者，若已於基板FS上完成電極部E，則將包含電極部E及配線LW、LC、LR之部分(圖案PTa之部分)自基板FS切出，作為1個感測器頭使用。於此情形時，將切出之感測器頭之配線LW、LC、LR連接於如圖6之感測器電路。為呈現該連接時之配線LW、LC、LR之強 度，阻劑層52亦可以亦於與連接於輔助圖案APTa一側之配線LW、LC、LR之端部對應之區域具有矩形狀之開口部52b之方式進行曝光處理。藉此，可增強配線LW、LC、LR中之與其他配線或構件等連接之部分之強度(增加鍍敷之厚度)。作為藉由無電解鍍敷形成作為第1貴金屬之金之薄膜之方法，存在置換型或還原型等。再者，亦可於進行本第2實施形態及上述第1實施形態中說明之電解鍍敷時使用該阻劑層52。
[第1及第2實施形態之變形例]
亦可以如下所述之方式將上述第1及第2實施形態變形。
(變形例1)於上述第1及第2實施形態中，導電圖案PT之各圖案PTa係將包含與1個電極部E及連接於1個電極部E之各電極之配線相應之形狀之圖案的感測器頭部於完成後切出而使用，但變形例1之導電圖案PT之各圖案PTa(以下稱為PTa')係將包含與多個(此處為4個)電極部E及連接於各個電極部E之各電極之配線相應之形狀之圖案的構成設為1個感測器頭部，且於完成後切出而使用。
圖10係表示本變形例1中之圖案PTa'之一例之圖。圖案PTa'具有與矩陣狀地鄰接配置之4個電極部E1~E4、及分別連接於4個電極部E1~E4之各電極(作用電極WE1~WE4、反電極CE1~CE4、及參照電極RE1~RE4)之配線LW1~LW4、LC1~LC4、LR1~LR4相應的形狀之圖案。該圖案PTa'係利用導電材料形成。
可藉由以此方式形成圖案PTa'，而利用上述第1或第2實施形態中所示之方法，以既定之金屬材料選擇性地電解鍍敷矩陣狀地鄰接配置之4個電極部E1~E4各自之作用電極WE1~WE4、反電極CE1~CE4、 參照電極RE1~RE4之各者、及分別連接於4個電極部E1~E4之各電極之配線LW1~LW4、LC1~LC4、LR1~LR4之各者。而且，藉由將該4個電極部E1~E4構成為感測器裝置之電極部60，且對各電極部E1~E4塗佈不同之試劑(包含不同之酵素)或貼附含浸有該試劑之試紙，而可提供能夠同時進行與除血糖濃度之計測以外之多個診查項目對應之檢查的感測器裝置(感測器頭)。
(變形例2)於上述第1及第2實施形態中，藉由電解鍍敷而於導電圖案PT之上形成金、鉑、或銀等貴金屬之薄膜，但不限於貴金屬，亦可為能夠自溶液中電沈積(電鍍)之其他金屬。作為該等能夠電鍍之金屬，存在有Zn(鋅)、Cr(鉻)、Mn(錳)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Ni(鎳)、Cu(銅)、Ge(鍺)、Pd(鈀)、In(銦)、Sn(錫)、Hg(汞)、Ti(鈦)等。
[第3實施形態]
亦可藉由上述第1或第2實施形態中所示之方法，製作對耕地之土壤等中所含之物理或化學特性進行計測之感測器裝置之電極部。圖11係第3實施形態之感測器裝置(帶型感測器)70之概略構成圖。感測器裝置70具備分別形成於基板FS上之沿著長度方向之多個位置之多個電極部72、設置於每一電極部72之多個檢測電路部74、及上位控制裝置76。檢測電路部74及上位控制裝置76係設置於基板FS。1個電極部72、及與該1個電極部72對應地設置之1個檢測電路部74構成檢測單元DU。即，將多個檢測單元DU設置於沿長度方向隔開之基板FS上之多個部位。感測器裝置70之基板FS之長度方向之長度例如為30m~100m，短邊方向例如為5mm~5cm左右之長度。檢測單元DU(電極部72及檢測電路部74)係沿基板FS之長 度方向以例如30cm~5m間隔離散地設置於基板FS。
電極部72具有接觸於作為被檢測體之土壤之電極對(一對電極)，檢測電路部74檢測電極對間(一對電極間)之電性變化。上位控制裝置(資訊收集部)76係控制多個檢測電路部74，並且收集多個檢測電路部74所檢測之檢測信號(計測值)。又，於基板FS形成有用以對多個檢測電路部74之各者供給電源電壓之導電性電源線部80。該電源線部80係自上位控制裝置76朝向基板(傳輸構件)FS之端部側沿長度方向連續地延伸。上位控制裝置76係對電源線部80施加驅動電壓。電源線部(電源配線、電力路徑)80具有藉由上位控制裝置76施加驅動電位Vdd之正電源線80a、及施加有基準電位(例如接地電位)Vss之負電源線80b。又，於基板(傳輸構件)FS形成有用以於多個檢測電路部74與上位控制裝置76之間進行通訊之信號傳輸線部(信號配線、傳輸路徑)82。該信號傳輸線部82係自上位控制裝置76朝向基板FS之端部側沿長度方向連續地延伸。藉由該信號傳輸線部82，而將檢測電路部74所檢測之檢測信號傳輸至上位控制裝置76，且來自上位控制裝置76之指令資訊等被傳輸至各檢測電路部74。於本第3實施形態中，因將上位控制裝置76設置於基板FS之一端側，故而電源線部80及信號傳輸線部82自上位控制裝置76朝向基板FS之另一端側延伸。
圖12係表示1個檢測單元DU(電極部72及與該電極部72對應地設置之檢測電路部74)之構成之圖。電極部72具有1個或多個電極對，以檢測土壤之相異之物理或化學特性。於本第3實施形態中，電極部72設為具有2個電極對90、92，但電極部72之電極對之數量亦可為1個， 亦可為3個以上。由一對電極90a、90b構成之電極對90係用以檢測(計測)土壤之EC值(電遷移率、導電率)之電極。因此，電極90a、90b係例如表面經金、鉑等貴金屬鍍敷而成之電極。由一對電極92a、92b構成之電極對92係用以檢測(計測)土壤之pH值(酸性度)。因此，電極92a係表面經鋅(Zn)鍍敷而成之電極，且電極92b係表面經金、鉑等貴金屬鍍敷而成之電極或由SUS(不鏽鋼)構成之電極。再者，亦可將電極對90、92中之至少一者設為檢測除EC值或pH值以外之物理或化學特性(例如土壤之含水量)之電極。
具有微電腦晶片(控制部)74a之檢測電路部74係連接於電源線部80。即，檢測電路部74係連接於正電源線80a及負電源線80b。藉此，對檢測電路部74施加驅動電壓(自驅動電位Vdd減去基準電位Vss所得之電位差)。又，電極對90、92中之一電極90a、92a係與微電腦晶片74a連接，並且另一電極90b、92b係與負電源線80b連接。EC值檢測用之電極對90之電極90a分別經由各個電阻Ra、Rb單獨連接於微電腦晶片74a。又，pH值檢測用之電極對92之電極92a經由電阻Rc連接於微電腦晶片74a。
微電腦晶片74a係經由電阻Ra對於電極對90之電極90a施加電位，且使用電阻Rb檢測與電極對90間(一對電極90a、92b間)之電阻值相應之電壓降。微電腦晶片74a係由內置有類比/數位轉換電路(ADC)或數位/類比轉換電路(DAC)、串列介面電路、記憶部等之低消耗電力之單晶片微電腦之PIC(周邊裝置-介面-控制器)等構成。微電腦晶片74a將表示經由電阻Rb檢測所得之電壓降之電壓(EC值)進行AD轉換，並經由串列之信號傳輸線部82輸出至上位控制裝置76。又，微電腦晶片74a使用 電阻Rc檢測產生於電極對92(一對電極92a、92間)之電動勢。微電腦晶片74a將表示該檢測所得之電動勢之電壓(pH值)進行AD轉換，並經由信號傳輸線部82輸出至上位控制裝置76。檢測電路部74更具有溫度感測器IC74b，且將與溫度感測器IC74b檢測(計測)所得之被檢測體即土壤(或土中水分)之溫度相應之電壓輸出至微電腦晶片74a。微電腦晶片74a將與該溫度相應之電壓(溫度)進行AD轉換，並經由信號傳輸線部82輸出至上位控制裝置76。如此，藉由於上位控制裝置76收集自多個檢測電路部74(微電腦晶片74a)之各者輸出之EC值、pH值、溫度等環境特性，可一次性地掌握培育作物之土壤之環境特性(土壤之狀態等)。該上位控制裝置76亦可利用無線通訊將所收集之EC值、pH值、及溫度等土壤之環境特性發送至未圖示之外部控制裝置(電腦)。
於微電腦晶片74a之記憶部記憶有計測EC值、pH值、溫度之各者所需之計測用程式、規定EC值、pH值、溫度各自之計測動作之順序或計測次數等之順序程式、及經由信號傳輸線部82而與上位控制裝置76交換所收集之EC值、pH值、溫度各自之資料(數位值)之通訊用程式等。又，若多個檢測電路部74(微電腦晶片74a)之各者同時執行各種計測動作，則存在導致對存在於自上位控制裝置76分離之位置之檢測電路部74(微電腦晶片74a)供電的驅動電壓下降至能夠進行動作之值以下之情形。此情形係於正電源線80a及負電源線80b為利用蒸鍍或鍍敷等形成於基板FS上之薄銅箔之情形時，每一單位長度之電阻值無法充分小而產生之配線電阻所導致之電壓降。因此，較佳為預先於可能之範圍內寬度較寬(較粗)地形成正電源線80a及負電源線80b。又，亦可以如下方式進行管理，即，藉由 上位控制裝置76以多個檢測電路部74(微電腦晶片74a)之各者進行各種計測之時序(間隔)不重複之方式進行控制，使電源線80a、80b中不流入較大之電流。
圖11、12所示之帶型感測器70亦可構成為1個檢測單元DU之電極部72位於種植於耕地之土壤中之植物之種子或根部附近。又，因帶型感測器70於半年~1年程度之期間埋設於土壤中，故而為了不被土壤中之水分等侵蝕，而藉由絕緣性樹脂層被覆電極部72以外之部分。進而，檢測(計測)土壤之pH值(酸性度)的圖12所示之電極92a之鋅(Zn)因土壤之水分而逐漸溶出，因此，較佳為延長電鍍之時間，使之以儘可能變厚之方式析出。又，於利用SUS(不鏽鋼)構成電極92b之情形時，因SUS無法進行鍍敷之析出，故而亦可利用導電膏或接著劑將SUS之薄片貼附於銅箔之電極部。
又，如圖13所示，亦可設為如下構成：於感測器裝置(帶狀感測器)70之基板FS，在各電極部72之電極對90、92附近設置用以保持種子100之開口部102，且將用以覆蓋該開口部102之膜104貼附於基板FS之表面側及背面側。藉此，可將植物之種子100保持於由開口部102及膜104形成之密閉空間(收納槽)內。該膜104較佳為使水分通過之纖維素之膜，但亦可為具有較種子100之尺寸細之網眼布料、水溶性紙等。藉由將以上述方式形成之長條之膜狀感測器裝置(帶型感測器)70埋入至耕地之土壤中，可同時進行感測器裝置70之埋設及作物種子100之種植，從而可謀求農事作業之效率化。又，可藉由具有此種構成，而於種子100附近設置電極對90、92，因此可準確掌握實際培養種子100時之土壤之環境特 性(土壤狀態)。因此，於發芽至收穫為止之期間，可持續且準確地監視土壤之環境特性。
此處，與多個電極部72之各者對應地設置之多個檢測電路部74係並聯連接於電源線部80。例如，於對於長度方向之長度為30m之基板FS沿長度方向以30cm間隔設置多個檢測電路部74之情形時，可將約100個檢測電路部74並聯連接於電源線部80。因此，若將全部100個檢測電路部74設為活動狀態(進行通常動作之第1模式)，則隨著自上位控制裝置76靠近基板FS之前端側，即，隨著自上位控制裝置76分離，而無法對檢測電路部74供給充分之電力。因此，於本第3實施形態中，原則上將全部之檢測電路部74設為休眠狀態(功能暫停之第2模式)，以既定之時序使僅1個檢測電路部74為活動狀態(喚醒狀態)，並且依序切換成為活動狀態之檢測電路部74。因此，上文圖12中說明之微電腦晶片74a具有應答外部信號而切換為活動狀態(進行通常動作之第1模式)與休眠狀態(功能暫停之第2模式)之功能(模式切換部)。
如圖12所示，具備模式切換部之多個檢測電路部74之各者經由信號線110而與位於前後之檢測電路部74連接。此處，將上位控制裝置76設為前且將上位控制裝置76之相反側設為後進行說明，於圖12中，為方便起見，將與前段之檢測電路部74連接之信號線110設為110a，將與後段之檢測電路部74連接之信號線110設為110b。再者，於最前段之檢測電路部74之前方未設置檢測電路部74，因此最前段之檢測電路部74之信號線110a係與上位控制裝置76連接。又，亦於最後段之檢測電路部74之後方未設置檢測電路部74，因此於最後段之檢測電路部74未設置信號線 110b。
最前段之檢測電路部74若經由信號線110a接收自設置於上位控制裝置76之模式切換部發送之活動信號ACS，則成為活動狀態，且經由信號線110a將表示成為活動狀態之內容之回復信號ANS輸出至上位控制裝置76。最前段之檢測電路部74若成為活動狀態，則計測土壤之狀態(EC值、pH值、溫度等)，當土壤狀態之計測、及計測資料朝上位控制裝置76之發送結束時，經由信號線110b將活動信號ACS輸出至後段(下一段)之檢測電路部74。而且，若最前段之檢測電路部74經由信號線110b自後段之檢測電路部74接收回復信號ANS，則轉為休眠狀態。藉由反覆進行此種動作，可將成為活動狀態之1個檢測電路部74自最前段之檢測電路部74依序切換至最後段之檢測電路部74。休眠狀態之檢測電路部74之消耗電力較為微小，因此可確實地對於成為活動狀態之檢測電路部74供給所需之電力。再者，上位控制裝置76於既定之週期時序或既定之條件成立之情形時，對於最前段之檢測電路部74輸出活動信號ACS。
可使用上述第1或第2實施形態中說明之鍍敷處理裝置10、10a製造具有如上所述之構成之感測器裝置70之電極部72(電極對90、92)。於此情形時，於基板FS上形成與電源線部80、信號傳輸線部82、用以連接微電腦晶片74a之端子之端子墊、用以連接溫度感測器IC74b之端子之端子墊、及電極部72之電極對90、92等之形狀相應的導電圖案PT。該導電圖案PT中，藉由與電極對90、92之各電極90a、90b、92a、92b對應之圖案部分構成多個特定圖案部分SPT。於基板FS上形成有分別連接於該多個特定圖案部分SPT之多個輔助圖案APT或連接於全部之特定圖案部分SPT 之輔助圖案APTa。因此，能夠於各電極90a、90b、92a、92b之表面形成不同金屬(例如貴金屬等)之薄膜。而且，於形成電極對90、92之後，藉由低溫焊膏等而將微電腦晶片74a、溫度感測器IC74b、及上位控制裝置76安裝於基板FS上，藉此可製造感測器裝置70。形成於電極部72之電極表面之薄膜之材質根據檢測對象選擇最佳材質即可。又，亦可藉由貼附表面形成有金屬(例如貴金屬或SUS)之薄膜之膠帶(導電性)而形成電極90a、90b、92a、92b，而無需藉由電解鍍敷形成電極90a、90b、92a、92b。
再者，於本第3實施形態中，感測器裝置70係檢測(測定)培育植物之耕地之土壤之環境特性(土壤等中所含之物理或化學特性)，但亦可用於檢測養殖(培育)魚等水產類或動物之養殖場之環境特性(例如淡水或海水等之物理或化學特性)。又，於本第3實施形態中，將成為活動狀態之檢測單元DU(檢測電路部74)設為1個，且依序切換成為活動狀態之檢測單元DU，但亦可將成為活動狀態之檢測單元DU之數量設為多個(但少於檢測電路部74之總數量)，且依序切換成為活動狀態之多個檢測單元DU。藉此，可迅速地收集來自全部之檢測單元DU之環境特性。
如此，本第3實施形態之感測器裝置70對培育植物之耕地、或者養殖動物或水產類之養殖場之物理或科學環境特性進行計測。而且，感測器裝置70具備：長條之作為傳輸構件之基板FS，其能夠裝備於耕地或養殖場，並且具備自一端側朝向另一端側形成之信號傳輸線部82及使電力流通之電源線部80；多個檢測單元DU，其等設置於自基板FS之長度方向分離之多個部位之各者，並聯連接於電源線部80，並且檢測耕地或養殖場之環境特性，輸出至信號傳輸線部82；及上位控制裝置76，其收集經由信 號傳輸線部82自多個檢測單元DU輸出之環境特性。於上位控制裝置76收集環境特性時，多個檢測單元DU中之既定數量之檢測單元DU成為活動狀態，檢測環境特性，且環境特性之檢測已結束之檢測單元DU將多個檢測單元DU中尚未成為活動狀態之其他檢測單元DU自休眠狀態切換至活動狀態。可藉由此種構成，而無論是否搭載有多個檢測單元DU，均將作為感測器裝置70(帶狀感測器片材)之平均消耗電力抑制為較低，最終自上位控制裝置76流入電源線部80之電流量亦平均較少，因此，可使構成電源線部80之配線圖案之金屬材料(銅箔等)之線寬較細，或使厚度較薄，從而可提昇作為感測器裝置70(帶狀感測器片材)之可撓性。
[第4實施形態]
圖14係表示第4實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。於本實施形態中，可經由如上文之圖2所示之基板FS上兩側之輔助圖案APT1、APT2連續地實施2種金屬材料之電解鍍敷。於圖14中，第1鍍敷處理裝置10A及第2鍍敷處理裝置10B之各者具備基本上與圖1之鍍敷處理裝置10同樣之電極輥18c、處理槽16、電極板18b、洗淨槽20、及乾燥部22等。但，第1鍍敷處理裝置10A之處理槽16中貯存之電解鍍敷液與第2鍍敷處理裝置10A之處理槽16中貯存之電解鍍敷液為相異之溶液，例如，於第1鍍敷處理裝置10A中，對基板FS上之導電圖案PT之既定部分實施金(Au)之電解鍍敷，於第2鍍敷處理裝置10B中，對導電圖案PT之既定部分實施例如金以外之貴金屬(鉑等)之電解鍍敷。
於上文之圖1之鍍敷處理裝置10中，作為一例，將電源部18a之負極側連接於電極輥18c之電極構件19(圖3、圖4)，將電源部18a 之正極側連接於浸漬於處理槽16中之電解鍍敷液LQ1中之電極板18b，且將負極側接地設為接地電位。於圖14之實施態樣中，自第1鍍敷處理裝置10A用之電源部(以下稱為第1電源部)18a輸出之直流電壓與自第2鍍敷處理裝置10B用之電源部(以下稱為第2電源部)18a輸出之直流電壓以不具有共通電位(例如接地電位)之方式成為相互浮接之狀態之電源。此處，將設置於第1鍍敷處理裝置10A之電極輥18c且與基板FS之一側之輔助圖案APT1接觸的電極構件19設為19A，將設置於第2鍍敷處理裝置10A之電極輥18c且與基板FS之另一側之輔助圖案APT2接觸之電極構件19設為19B。
藉由此種構成，若以固定速度搬送基板FS，同時自第1電源部18a通電，則於第1鍍敷處理裝置10A之處理槽16中貯存之電解鍍敷液中，電子經由電極構件19A於自輔助圖案APT1及連接於該輔助圖案APT1之導電圖案部分朝向電極板18b之方向流動，從而進行鍍敷處理(例如鍍金)。已藉由第1鍍敷處理裝置10A進行鍍敷處理之基板FS以乾燥之狀態搬入至下一第2鍍敷處理裝置10B。若於以固定速度於第2鍍敷處理裝置10B內搬送基板FS時，自第2電源部18a通電，則於第2鍍敷處理裝置10B之處理槽16中貯存之電解鍍敷液中，電子經由電極構件19B於自輔助圖案APT2及連接於該輔助圖案APT2之導電圖案部分朝向電極板18b之方向流動，從而進行鍍敷處理(例如鍍鉑)。
此時，雖成為對通過第1鍍敷處理裝置10A之處理槽16內之基板FS之輔助圖案APT2施加第2電源部18a之負極側之電位的狀態，但第1電源部18a之正極側及負極側、以及第2電源部18a之正極側及負極 側均處於相互非電性連接之浮接狀態，故而電流不自第1鍍敷處理裝置10A之處理槽16內之電解鍍敷液流入輔助圖案APT2，因此，於第1鍍敷處理裝置10A中，不對輔助圖案APT2及連接於該輔助圖案APT2之導電圖案部分實施鍍敷處理。同樣地，雖成為對通過第2鍍敷處理裝置10B之處理槽16內之基板FS之輔助圖案APT1施加有第1電源部18a之負極側之電位的狀態，但第1電源部18a與第2電源部18a處於浮接狀態，故而電流不自第2鍍敷處理裝置10B之處理槽16內之電解鍍敷液流入輔助圖案APT1，因此，於第2鍍敷處理裝置10B中，不對輔助圖案APT1及連接於該輔助圖案APT1之導電圖案部分(此前利用第1鍍敷處理裝置10A鍍敷而成之圖案部分)實施鍍敷處理。為了保持第1電源部18a與第2電源部18a之浮接關係，處理槽16宜為利用絕緣性材料(丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、陶瓷等)貯存電解鍍敷液。
然而，於第1電源部18a之正極/負極間之電位與第2電源部18a之正極/負極間之電位之間存在相對較大之差(例如數伏特以上)之狀態、或者與電極構件19A連接之輔助圖案APT1(及連接於該輔助圖案APT1之導電圖案部分)和與電極構件19B連接之輔助圖案APT2(及連接於其之導電圖案部分)之間產生適於鍍敷之電位差之狀態時，於第1鍍敷處理裝置10A中，存在對於與輔助圖案APT1及輔助圖案APT2之全部連接之導電圖案部分進行鍍敷處理之情況。於本實施形態之情形時，於第1鍍敷處理裝置10A中，對於輔助圖案APT1、APT2兩者及連接於該輔助圖案APT1、APT2之全部導電圖案部分(配線部或電極部)進行鍍金。繼而，於下一第2鍍敷處理裝置10B中，相應於通過第2鍍敷處理裝置10B之處理 槽16之電解鍍敷液中之輔助圖案APT1與輔助圖案APT2之電位差(極性之方向)，於與輔助圖案APT2連接之導電圖案部分(此前已藉由第1鍍敷處理裝置10A鍍金之圖案部分)之上，析出由其他金屬(例如鉑)形成之鍍敷層。
如上所述，即便於使片狀之長條基板FS連續地自第1鍍敷處理裝置10A通過第2鍍敷處理裝置10B進行鍍敷處理時，藉由使賦予至電解鍍敷液中之鍍敷用之電壓於第1鍍敷處理裝置10A及第2鍍敷處理裝置10B中相互獨立(浮接)，而即便未於基板FS之長度方向每隔固定長度之區間地斷續設置各輔助圖案APT1、APT2，亦能夠對每一電極實施不同金屬種類之選擇性鍍敷處理。
(變形例)如圖2所示，藉由於基板FS之寬度方向(Y方向)之兩側設置由導電材料形成之輔助圖案APT1、APT2，能夠實現至少2種金屬種類之電解鍍敷，但於藉由3種以上之金屬種類選擇性地進行電解鍍敷之情形時，亦必須設置更多之輔助圖案。圖15表示除了如圖2所示之2個輔助圖案APT1、APT2以外設置第3個輔助圖案APT3之情形之一例，此處，構成電極部E之3個反電極CE、作用電極WE、參照電極RE之各者係利用相異之金屬種類進行電解鍍敷。因此，反電極CE經由配線圖案APTs而與輔助圖案APT1連接，作用電極WE經由配線圖案APTs而與輔助圖案APT2連接，且參照電極RE經由配線圖案APTs而與輔助圖案APT3連接。如圖15所示，於基板FS之寬度方向之一側(+Y方向側)於Y方向空出固定間隔地沿長度方向相互平行地設置有2條輔助圖案APT2、APT3。於圖15中，將輔助圖案APT3配置於輔助圖案APT2之內側(形成有電極 部E之基板FS之中央部側)，因此，與輔助圖案APT2連接之配線圖案APTs(沿Y方向延設)直接成為與輔助圖案APT3短路之狀態。
因此，於形成導電圖案PT(例如銅箔)時，將各輔助圖案APT1、APT2、連接於該各輔助圖案APT1、APT2之反電極CE及作用電極WE為止之圖案作為第1層圖案形成於基板FS上之後，於自輔助圖案APT2沿Y方向延伸之配線圖案上，於可與輔助圖案APT3交叉之區域形成用以防止短路之絕緣層ISO。圖15中表示於交叉區域部分地形成有絕緣層ISO之情形，但亦可沿形成有輔助圖案APT3之區域於長度方向連續地形成。形成絕緣層ISO之後，形成輔助圖案APT3、連接於該輔助圖案APT3之參照電極RE為止之圖案作為第2層圖案。輔助圖案APT3之一部分或全部係形成於絕緣層ISO之上。
作為導電圖案PT之其他形成方法，對於自輔助圖案APT2沿Y方向延伸之配線圖案APTs可與輔助圖案APT3交叉之區域，設置將輔助圖案APT3部分地切削之削除部分Np，且藉由銅箔之蝕刻等而一同地形成包含該削除部分Np之輔助圖案APT3以及全部輔助圖案APT1、APT2及導電圖案PT(電極CE、WE、RE等)。其後，亦可藉由噴墨方式等之液滴選擇性地於削除部分Np塗佈絕緣層ISO並使其硬化後，利用包含奈米金屬粒子之油墨等連接輔助圖案APT3之削除部分Np，以此方式遍及絕緣層ISO地進行塗佈並使其乾燥。
以此方式形成於基板FS上之3個輔助圖案APT1~APT3之各者與形成於電極輥18c之環狀之電極構件19A、19B、19C接觸，被供給用於電解鍍敷之電壓。圖15中，於1個電極輥18c，與輔助圖案APT1~APT3 各自之Y方向位置對應地設置有電極構件19A、19B、19C，但亦可如上文之圖3、圖4中所說明，於1個鍍敷處理裝置10內，將電極構件19A、19B、19C中之任一者連接於來自電源部之電壓之一極性，或者如上文之圖14中所說明，個別地於浮接狀態下將來自電源部之電壓之一極性連接於各電極構件19A、19B、19C。
[第5實施形態]
圖16係表示第5實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。於本實施形態中，鍍敷處理裝置之貯存電解鍍敷液之處理槽16A沿XY面呈扁平且較淺之形狀，且設置於處理槽16A內之2根引導輥R4'、R5'係以僅下端部浸漬於較淺地貯存於處理槽16A之底面之電解鍍敷液LQ1之方式由軸承部16C等所支持。相互平行之2根引導輥R4'、R5'係於X方向(長度方向)隔開一定間隔地進行配置，且2根引導輥R4'、R5'之下端部所支持之基板FS係於引導輥R4'、R5'之間伴隨既定之張力而張設於X方向。於處理槽16A之底面設置有電極板18b，且基板FS以進行鍍敷處理之面朝向電極板18b側之方式進行配置。基板FS之鍍敷處理面(圖16之-Z方向側之面)係以與電極板18b隔開一定間隔之方式保持於電解鍍敷液LQ1中。
處理槽16A底面之+Y方向側成為朝上之斜面16B，且沿該斜面16B提拉基板FS之Y方向(寬度方向)之端部FSe，端部FSe係以不與電解鍍敷液LQ1接觸之方式由夾持型引導輥R20、R21所保持。夾持型引導輥R20、R21係以既定之間隔於X方向設置多個。於基板FS之端部FSe形成有沿X方向連續形成之如圖7之輔助圖案APTa、或如圖15之輔助圖案APT2、APT3。
藉由如上所述之構成，基板FS以端部FSe之輔助圖案APTa、或輔助圖案APT2、APT3與電解鍍敷液LQ1不接觸之狀態於X方向被搬送，可防止對輔助圖案APTa、或輔助圖案APT2、APT3之鍍敷處理。為了確保用於電解鍍敷之通電之穩定性，以相對較寬之寬度形成輔助圖案APTa、或輔助圖案APT2、APT3。而且，輔助圖案APTa、或輔助圖案APT2、APT3係於X方向連續地形成，因此其全長與捲繞於供給輥FR1之基板FS之全長同等。因此，若將基板FS全部浸漬於電解鍍敷液LQ1中，則可能導致相對於針對應進行鍍敷處理之導電圖案部分(反電極CE、作用電極WE、參照電極RE等)之鍍敷析出量，針對輔助圖案APTa、或輔助圖案APT2、APT3之鍍敷析出量相對變多。即，原本無需進行鍍敷處理之部分亦產生大量之鍍敷析出，加速了電解鍍敷液LQ1或電極板18b之消耗。
因此，如圖16所示，若以形成於基板FS之端部FSe之輔助圖案APTa、或輔助圖案APT2、APT3之部分與電解鍍敷液LQ1不接觸之方式搬送基板FS，則可防止對輔助圖案等不必要之部分進行鍍敷處理，可抑制電解鍍敷液LQ1或電極板18b之消耗。進而，如圖16所示，藉由設為如於2根引導輥R4'、R5'之間大致水平地搬送基板FS之處理槽16A，亦具有可減輕電解鍍敷液LQ1之使用量本身而容易進行電解鍍敷液LQ1之濃度管理或溫度管理等優點。又，於圖16之構成中，即便於處理槽16A內，基板FS之端部FSe亦保持於大氣中而為乾燥狀態，因此亦可將夾持型引導輥R20、R21之一部分設為如圖5B所示之集電輥Eb而直接與輔助圖案APTa、或輔助圖案APT2、APT3接觸。
[第6實施形態]
圖17係表示第6實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成之概略構成圖。於本實施形態中，一面將於長度方向送出之基板FS捲繞於轉筒DR之圓筒狀之外周面而進行搬送，一面將轉筒DR浸漬於處理槽16B內之電解鍍敷液LQ1中，藉此進行鍍敷處理。轉筒DR具有與沿Y方向延伸之旋轉中心軸AXo相距固定半徑之外周面，且由不會被電解鍍敷液LQ1腐蝕、不會鍍敷析出之材料(非導電體)所構成。轉筒DR較佳為絕緣性材料。本實施形態之處理槽16B底部之內壁係形成為如與轉筒DR之外周面(基板FS)保持固定間隙之凹陷之圓筒面狀。該間隙可設定為數mm~十數mm左右。於轉筒DR之上方部，於基板FS之搬入側(與電解鍍敷液LQ1接觸前之位置)設置有與基板FS上之輔助圖案接觸之電極輥18c。該電極輥18c與上文之圖3、圖4、圖15等所示之電極輥18c相同。進而，於轉筒DR之上方部，於基板FS之搬出側設置有轉換基板FS之搬送方向之引導輥R22。於本實施形態之情形時，進行鍍敷處理之基板FS之表面成為與轉筒DR接觸之面之相反側。
於處理槽16B之內壁面中較電解鍍敷液LQ1之液面低之位置，以與電解鍍敷液LQ1接觸之方式設置有與電極板18b同樣地發揮功能之多個棒狀電極桿18b1、18b2、18b3、…18b7、18b8、…18b15、18b16、18b17(以下，統稱時稱為18bn)。於圖17中，17根電極桿18bn沿凹陷之圓筒狀內壁面之圓周方向以既定之間隔進行排列。各電極桿18bn之Y方向之尺寸係以與基板FS之寬度(Y方向之尺寸)對應之方式進行設定。對該等17根電極桿18bn之各者施加來自電源部18a之一極性之電位。然而，亦可與電極桿18bn之圓周方向之位置(沿著基板FS之搬送方向之位置)相應地 使所施加之電位(電極輥18c之電極構件19與電極桿18bn之間之電壓)不同。例如，亦可使施加至基板FS沿轉筒DR之外周面通過電解鍍敷液LQ1中之期間之前半之電極桿18b1、18b2、18b3、…18b7的電位略低，且將施加至後半之電極桿18b8、…18b15、18b16、18b17之電位設定得略高。如此，藉由隨著基板FS於電解鍍敷液LQ1中前進而使施加至電解鍍敷液LQ1之鍍敷用之電壓自較低之狀態成為較高之狀態，可使於基板FS上之導電圖案之表面析出之鍍敷層緻密，並且縮短鍍敷時間或使鍍敷層厚膜化。
於本實施形態中，若將使基板FS接觸於電解鍍敷液LQ1之時間(鍍敷時間)設為TL，將基板FS之搬送速度設為Vf，且如圖17所示，將轉筒DR之直徑設為Φ，將基板FS與電解鍍敷液LQ1開始接觸之界面位置設為Lxa，將基板FS自電解鍍敷液LQ1取出之界面位置設為Lxb，將連結界面位置Lxa及中心軸AXo之線段與連結界面位置Lxb及中心軸AXo之線段所成之接液角度設為θ L，則成為如下關係。
TL=π‧Φ‧(θ L/360°)/Vf
由此，於轉筒DR之直徑Φ確定之情形時，改變搬送速度Vf可有效地調整鍍敷時間TL，亦可改變接液角度θ L、即電解鍍敷液LQ1之液量(界面位置Lxa、Lxb之高度位置)。
以上，根據本實施形態，將處理槽16B之內壁以與轉筒DR之外周面相距大致固定之間隙之方式形成為圓筒面狀，因此填滿該間隙之電解鍍敷液LQ1之體積遠少於如上文之圖1之處理槽16之情形的液量。因此，容易進行電解鍍敷液LQ1之濃度管理、溫度管理，並且為了更新電解鍍敷液LQ1而進行之循環或者更換之作業亦於短時間完成。進而，於本實 施形態中，能夠使處理槽16B內壁中之與轉筒DR之Y方向之端面(與XZ面平行)對向之側壁部(與XZ面平行)與轉筒DR之端面的間隙亦相當小，因此可進一步減少貯存於處理槽16B之電解鍍敷液LQ1之量。
[第7實施形態]
圖18係表示第7實施形態之鍍敷處理裝置之概略性構成，且上段係於XY面內觀察鍍敷處理裝置所得之俯視圖，下段係於XZ面內觀察鍍敷處理裝置所得之前視圖。本實施形態係與上文之圖7、圖8中說明之第2實施形態同樣地利用切斷部50等將與形成於基板FS上之特定圖案部分電性導通之導電圖案之一部分切斷，防止對於特定圖案部分之鍍敷。因此，圖18所示之鍍敷處理裝置係基本上與上文之圖8同樣地構成。因此，省略關於圖18中之構件中與圖8中之構件相同者、發揮相同功能之構件之詳細說明。
於利用圖18之鍍敷處理裝置進行處理之基板FS，將上文之圖2或圖14中所說明之第1輔助圖案APT1及第2輔助圖案APT2沿長度方向平行地形成於基板FS之寬度方向(Y方向)之中央部分。於本實施形態中，基板FS上之形成於較第1輔助圖案APT1更靠+Y方向側之第1特定圖案部分之表面上最終所鍍敷之金屬(導電材料)與形成於較第2輔助圖案APT2更靠-Y方向側之第2特定圖案部分之表面上最終所鍍敷之金屬(導電材料)不同。圖18之鍍敷處理裝置係以如下方式構成：事先經由第1輔助圖案APT1及第2輔助圖案APT2，對形成於基板FS之+Y方向側之一半區域的第1特定圖案部分(銅箔)之表面、及形成於基板FS之-Y方向側之一半區域的第2特定圖案部分(銅箔)之表面實施利用第1金屬之電鍍，並將該實施過電鍍之基板FS搬入而僅於第2特定圖案部分之表面(由第1金 屬構成之鍍敷層)上實施利用與第1金屬不同之第2金屬之電鍍。
於本實施形態中，於與基板FS之形成有輔助圖案APT1、APT2或特定圖案部分之表面接觸的電極輥18c，於Y方向之中央部分設置有環狀之電極構件19，且於基板FS之背面側設置有以輔助圖案APT1、APT2密接於電極輥18c之電極構件19之方式進行按壓之惰輥18e。相對於基板FS之移動方向，於電極輥18c之上游側設置有用以將基板FS上之第1輔助圖案APT1之一部分切斷之切斷部50。切斷部50係於本實施形態中設為於基板FS形成貫通孔HW之機械穿孔器、或雷射穿孔器。貫通孔HW係形成為尺寸較第1輔助圖案APT1之Y方向之線寬更大之圓形狀(或矩形狀)。切斷部50搭載將包含第1輔助圖案APT1(或第2輔助圖案APT2)之基板FS上之局部區域放大拍攝之攝像元件(CCD或CMOS)，且設置為能夠沿於Y方向延伸之導軌(直線導引構件)於基板FS之寬度方向(Y方向)直線移動。進而，亦可設置伺服驅動機構，該伺服驅動機構係以利用攝像元件所拍攝之第1輔助圖案APT1(或第2輔助圖案APT2)之圖像於拍攝視野內成為Y方向之既定位置之方式調整切斷部50之Y方向之位置。藉由設置此種伺服驅動機構，而即便基板FS一面於長度方向移動，一面於寬度方向(Y方向)大幅度地蜿蜒，亦可追蹤該Y方向之位置變化，將切斷部50進行定位，因此可始終精密地設定貫通孔WH與第1輔助圖案APT1之Y方向之位置關係。因此，可將第1輔助圖案APT1之Y方向之線寬設為數mm以下、例如1mm左右，且將貫通孔WH之Y方向之尺寸設為較小之2mm左右。又，切斷部50所進行之貫通孔WH之形成係於基板FS於長度方向移動固定距離Lxp時進行，且於基板FS之背面側設置有收集形成貫通孔 WH時所產生之切屑或氣體等之集塵部50a。
於本實施形態中，通過切斷部50之基板FS與圖8之構成同樣地依序通過引導輥R2、電極輥18c、引導輥R3而浸漬於處理槽16中所貯存之第2金屬鍍敷用之第2電解鍍敷液LQ1。此時，將電極輥18c之環狀電極構件19與第1輔助圖案APT1(或第2輔助圖案APT2)進行接觸之基板FS上之長度方向的位置設為Pca，將基板FS開始浸漬於電解鍍敷液LQ1之基板FS上之長度方向的位置設為Pcb時，與基板FS之長度方向相關之位置Pca與位置Pcb之距離Lxs係設定得較貫通孔HW之長度方向之間隔距離Lxp長。換言之，位置Pca與位置Pcb之距離Lxs係由鍍敷處理裝置之構成方面決定，因此以於基板FS於長度方向每移動較距離Lxs短之距離Lxp時形成貫通孔HW之方式控制切斷部50。如此，若使距離Lxp及距離Lxs為Lxs>Lxp之關係，則於基板FS上之位置Pca與位置Pcb之間，必定存在1個以上之貫通孔HW(第1輔助圖案APT1之切斷部位)，且第2電解鍍敷液LQ1中未經由第1輔助圖案APT1向第1特定圖案部供給電壓。另一方面，自與電極輥18c之環狀電極構件19進行接觸之第2輔助圖案APT2向浸漬於第2電解鍍敷液LQ1之第2特定圖案部進行電壓供給，因此於第2特定圖案部之表面(由第1金屬構成之鍍敷層)上產生由第2金屬構成之鍍敷層。
以上，於本實施形態中，如上文之第2實施形態所示，無需切割將多個特定圖案之各者與輔助圖案APT1或APT2連接之配線圖案之部分，僅以既定之間隔距離Lxp將沿基板FS之長度方向直線地延伸之1條輔助圖案APT1切斷(穿孔)即可，因此，切斷部50之構成極其簡單，可減 少裝置成本。進而，因於距離Lxs中形成至少1個貫通孔HW即可，故而可減少貫通孔HW之總數，從而可藉由產生於基板FS之內部應力之減小抑制基板FS之變形。如本實施形態般以既定之間隔距離Lxp切斷沿基板FS之長度方向直線地延伸之輔助圖案APT1(或輔助圖案APT2)的方式亦可同樣應用於上文之圖2之第2實施形態。再者，於本實施形態中，如圖18所示，電極輥18c(及電極構件19)係以於基板FS之搬送方向，於作為貯存電解鍍敷液LQ1之接液部之處理槽16之上游側的大氣中與基板FS之輔助圖案APT1(或輔助圖案APT2)接觸之方式進行配置，但亦可以於處理槽16之下游側之大氣中與輔助圖案APT1(或輔助圖案APT2)接觸之方式進行配置。又，如圖18所示，於電極輥18c(及電極構件19)位於處理槽16(電解鍍敷液LQ1)之上游側之情形時，切斷部50亦可配置於電極輥18c(及電極構件19)與處理槽16之間。進而，於將電極輥18c(及電極構件19)配置於處理槽16(電解鍍敷液LQ1)之下游側之情形時，切斷部50係配置於電極輥18c(及電極構件19)與處理槽16之間。
10‧‧‧鍍敷處理裝置
12‧‧‧控制部
14‧‧‧基板搬送機構
16‧‧‧處理槽
18‧‧‧電壓施加部
18a‧‧‧電源部
18b‧‧‧電極板
18c‧‧‧電極輥
20‧‧‧洗淨槽
20a、20c‧‧‧洗淨噴嘴
20b‧‧‧排出口
22‧‧‧乾燥部
22a‧‧‧熱產生源
FR1‧‧‧供給輥
FR2‧‧‧回收輥
FS‧‧‧基板
LQ1‧‧‧電解用鍍敷液
LQ2‧‧‧電解用鍍敷液
R1~R11‧‧‧引導輥

Claims (15)

  1. 一種鍍敷處理方法，其係一面於長度方向搬送長條之薄片基板，一面對利用導電體形成於上述薄片基板之表面之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷，且包括：利用導電材料於上述薄片基板上形成連接於上述導電圖案中之第1特定圖案部分及與上述第1特定圖案部分不同之第2特定圖案部分之各者且沿上述長度方向延伸的輔助圖案；使上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第1電解鍍敷液；使設置於上述薄片基板之表面接觸於上述第1電解鍍敷液之前或之後之位置的第1電極構件接觸於上述輔助圖案，且經由上述第1電極構件對上述第1電解鍍敷液施加電壓；於上述第1電解鍍敷液所進行之電解鍍敷後，將上述第1特定圖案部分與上述輔助圖案之電性連接切斷；將上述第1特定圖案部分與上述輔助圖案之電性連接切斷後，使已藉由上述第1電解鍍敷液而實施電解鍍敷之上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第2電解鍍敷液；及使設置於上述薄片基板之表面接觸於上述第1電解鍍敷液後之位置且接觸於上述第2電解鍍敷液之前或之後之位置的第2電極構件接觸於上述輔助圖案，且經由上述第2電極構件對上述第2電解鍍敷液施加電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之鍍敷處理方法，其中 上述導電圖案及上述輔助圖案係藉由對表面積層有由上述導電體形成之薄膜之上述薄片基板實施使用曝光裝置之微影步驟及部分地去除上述薄膜之蝕刻步驟而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之鍍敷處理方法，其中上述導電圖案及上述輔助圖案係藉由使用曝光裝置之光圖案化步驟、及利用無電解鍍敷使上述導電體析出之無電解鍍敷步驟而形成。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之鍍敷處理方法，其中上述特定圖案部分係作為上述導電圖案之中孤立之孤立圖案部分而形成。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之鍍敷處理方法，其中上述第1電極構件與上述第2電極構件係設置於支持上述薄片基板之表面且能夠於上述長度方向旋轉之輥之外周中之與形成有上述輔助圖案之上述特定位置對應之區域。
  6. 一種鍍敷處理裝置，其係一面於長度方向搬送長條之薄片基板，一面對形成於上述薄片基板之表面之由導電體形成之導電圖案之一部分選擇性地實施鍍敷，於上述薄片基板上形成有導電性之輔助圖案，該導電性之輔助圖案係以連接於上述導電圖案中之第1特定圖案部分及與上述第1特定圖案部分不同之第2特定圖案部分之各者且沿上述長度方向延伸之方式配置，且該鍍敷處理裝置具備：第1接液部，其係使上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定 距離地接觸於第1電解鍍敷液；第1電極構件，其係於上述薄片基板之搬送方向，設置於上述第1接液部之上游側或下游側，用以與上述輔助圖案接觸地對上述第1電解鍍敷液施加電壓；第2接液部，其係使已藉由上述第1電解鍍敷液實施電解鍍敷之上述薄片基板之表面沿上述長度方向遍及既定距離地接觸於第2電解鍍敷液；切斷部，其設於上述第1接液部與上述第2接液部之間，於上述第1電解鍍敷液之電解鍍敷後，將上述第1特定圖案部分與上述輔助圖案之電性連接切斷；及第2電極構件，其係於上述薄片基板之搬送方向，設置於上述第2接液部之上游側或下游側，用以與上述輔助圖案接觸地對上述第2電解鍍敷液施加電壓。
  7. 如申請專利範圍第6項之鍍敷處理裝置，其中上述導電圖案及上述輔助圖案係藉由對表面積層有由上述導電體形成之薄膜之上述薄片基板實施使用曝光裝置之微影步驟及部分地去除上述薄膜之蝕刻步驟而形成。
  8. 如申請專利範圍第6項之鍍敷處理裝置，其中上述導電圖案及上述輔助圖案係藉由使用曝光裝置之光圖案化步驟、及利用無電解鍍敷使上述導電體析出之無電解鍍敷步驟而形成。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之鍍敷處理裝置，其中上述特定圖案部分係作為上述導電圖案之中孤立之孤立圖案部分 而形成。
  10. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之鍍敷處理裝置，其中上述切斷部係對包含連接上述薄片基板上之上述第1特定圖案部分與上述輔助圖案之配線之部分開孔之穿孔機。
  11. 一種感測器裝置，其埋設於耕地的土壤中測量土壤之環境特性之感測器裝置，且具備：電極部，其藉由申請專利範圍第6項之鍍敷處理裝置來製作，具有形成於沿著可撓性之長條之薄片基板之長度方向的離散的多個位置之各者，能夠與上述土壤接觸之一對電極；檢測電路部，其係設置於每一上述電極部，並檢測上述電極部之上述一對電極間之電性變化；導電性之電源線部，其係為了對各個上述檢測電路部供給電源電壓而沿上述長度方向連續地形成於上述薄片基板上；以及導電性之信號傳輸線部，其係為了傳輸由各個上述檢測電路部檢測之檢測信號而沿上述長度方向連續地形成於上述薄片基板上；以及收納槽，其在沿著上述薄片基板之長度方向的各個離散的位置，設有藉由使水分通過之薄膜而形成的密閉空間，且將種植於上述耕地之種子保持在各個上述密閉空間。
  12. 如申請專利範圍第11項之感測器裝置，其中上述薄膜係由纖維素之膜、具有較上述種子之尺寸細之網眼之布料、水溶性紙中任一者所構成。
  13. 如申請專利範圍第12項之感測器裝置，其中 上述檢測電路部係根據上述一對電極間之電性變化來測量上述電極接觸之土壤之酸性度、含水量、導電率中的任一者。
  14. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之感測器裝置，其中於沿著上述薄片基板之長度方向的各個離散的位置所設置的各個上述檢測電路部包含溫度感測器，測量埋設上述種子之上述土壤中的溫度變化。
  15. 如申請專利範圍第14項之感測器裝置，其中上述檢測電路部包含內置有類比/數位轉換電路(ADC)、串列介面電路、記憶部之低消耗電力之單晶片微電腦。
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