KR102372799B1 - 도금 처리 방법, 도금 처리 장치, 및 센서 장치 - Google Patents

Abstract

포장의 토양 중에 매설되어, 토양의 환경 특성을 계측하는 센서 장치로서, 센서 장치는 가요성의 장척의 시트 기판의 장척 방향을 따른 이산적인 복수 위치의 각각에 형성되고, 토양과 접촉 가능한 한 쌍의 전극을 가지는 전극부와, 전극부마다 마련되고, 전극부의 한 쌍의 전극 간의 전기적인 변화를 검출하는 검출 회로부와, 검출 회로부의 각각에 전원 전압을 공급하기 위해서, 시트 기판 상에 장척 방향을 따라서 연속하여 형성되는 도전성의 전원 라인부와, 검출 회로부의 각각에서 검출된 검출 신호를 전송하기 위해서, 시트 기판 상에 장척 방향을 따라서 연속하여 형성되는 도전성의 신호 전송 라인부와, 시트 기판의 장척 방향을 따른 이산적인 위치의 각각에, 수분을 통과시키는 필름에 의해서 형성되는 밀폐 공간이 마련되고, 포장에 심어지는 종자를 밀폐 공간의 각각에 유지하는 수납 포켓을 구비한다.

Description

도금 처리 방법, 도금 처리 장치, 및 센서 장치{PLATING TREATMENT METHOD, PLATING TREATMENT DEVICE, AND SENSOR DEVICE}

본 발명은 전해 도금법을 이용하여 기판상에 도금 처리를 실시하는 도금 처리 방법 및 그것을 실시하기 위한 도금 처리 장치와, 전해 도금법을 이용하여 형성된 센서 장치에 관한 것이다.

일본 특허 제3193721호 공보에는, 기판에 대해서 일정하게 형성된 도전성 재료의 위에 전기 도금에 의한 도금 처리를 실시할 때, 전기 도금을 실시하는 부분(예를 들면, 전극이 되는 부분) 이외의 부분을 레지스터층으로 커버함으로써, 전기 도금을 선택적으로 실시하여, 글루코오스(glucose) 등의 특정의 성분을 검출하기 위한 센서 전극을 제조하는 제조 방법이 개시되어 있다.

그렇지만, 이미 도전성 재료로 형성된 패턴의 일부분에 전기 도금(전해 도금)을 실시하는 경우에 있어서는, 도전성 패턴의 일부에 정확하게 중첩하여 레지스터층을 정밀하게 패터닝하지 않으면 안 된다. 특히, 중첩해야 할 도전성 패턴의 일부가 미세해짐에 따라 패터닝의 정밀도도 엄격해져, 패터닝의 작업이 어려워진다. 그 때문에, 전기 도금을 실시하고 싶은 부분에 간이하게 선택적인 도금 처리를 실시할 수 없었다. 전기 도금 처리되는 기판이 수지 필름이나 플라스틱 등의 플렉서블한 얇은 판인 경우는, 기판 자체의 온도, 습도, 텐션 등의 영향에 의한 신축이나 변형이 수백 ppm 정도로 커지는 경우가 있어, 패터닝을 위한 위치 결정이나 중합은, 더욱 더 어려워진다.

본 발명의 제1 양태는, 장척(長尺)의 시트 기판을 장척 방향으로 반송(搬送)하면서, 상기 시트 기판의 표면에 도전체로 형성된 도전 패턴의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 도금 처리 방법으로서, 상기 도전 패턴 중 전해 도금을 실시하는 특정 패턴 부분에 접속되고, 또한 상기 장척 방향을 따라서 연장되는 보조 패턴을 도전 재료로 상기 시트 기판상에 형성하는 것과, 상기 시트 기판의 표면이 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 전해 도금액과 접촉하도록, 상기 시트 기판을 반송하는 것과, 상기 시트 기판상의 적어도 상기 특정 패턴 부분이 상기 전해 도금액과 접촉하고 있는 동안, 상기 시트 기판의 표면이 상기 전해 도금액으로부터 떨어진 위치에 마련된 전극 부재를 상기 보조 패턴과 접촉시켜, 상기 전극 부재를 통해서 상기 전해 도금액에 전압을 인가하는 것을 포함한다.

본 발명의 제2 양태는, 장척의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면에 도전체로 형성된 도전 패턴의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 도금 처리 방법으로서, 상기 도전 패턴 중 제1 특정 패턴 부분에 접속되고, 또한 상기 장척 방향과 교차하는 상기 시트 기판의 폭 방향의 제1 특정 위치에 상기 장척 방향을 따라서 연장되는 제1 보조 패턴과, 상기 도전 패턴 중 상기 제1 특정 패턴 부분과는 상이한 제2 특정 패턴 부분에 접속되고, 또한 제1 특정 위치와는 상이한 상기 장척 방향과 교차하는 상기 시트 기판의 폭 방향의 제2 특정 위치에 상기 장척 방향을 따라서 연장되는 제2 보조 패턴을, 도전 재료로 상기 시트 기판상에 형성하는 것과, 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제1 전해 도금액에 접촉시키는 것과, 상기 시트 기판의 표면이 상기 제1 전해 도금액에 접촉하기 전 또는 그 후의 위치에 마련된 제1 전극 부재를 상기 제1 보조 패턴에 접촉시키고, 상기 제1 전극 부재를 통해서 상기 제1 전해 도금액에 전압을 인가하는 것과, 상기 제1 전해 도금액에 의해서 전해 도금이 실시된 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제2 전해 도금액에 접촉시키는 것과, 상기 시트 기판의 표면이 상기 제1 전해 도금액에 접촉된 후의 위치로서, 상기 제2 전해 도금액에 접촉하기 전 또는 그 후의 위치에 마련된 제2 전극 부재를 상기 제2 보조 패턴에 접촉시키고, 상기 제2 전극 부재를 통해서 상기 제2 전해 도금액에 전압을 인가하는 것을 포함한다.

본 발명의 제3 양태는 장척의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면에 도전체로 형성된 도전 패턴의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 도금 처리 방법으로서, 상기 도전 패턴 중 제1 특정 패턴 부분 및 상기 제1 특정 패턴 부분과는 상이한 제2 특정 패턴 부분의 각각에 접속되고, 또한 상기 장척 방향을 따라서 연장되는 보조 패턴을 도전 재료로 상기 시트 기판상에 형성하는 것과, 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제1 전해 도금액에 접촉시키는 것과, 상기 시트 기판의 표면이 상기 제1 전해 도금액에 접촉하기 전 또는 그 후의 위치에 마련된 제1 전극 부재를 상기 보조 패턴에 접촉시키고, 상기 제1 전극 부재를 통해서 상기 제1 전해 도금액에 전압을 인가하는 것과, 상기 제1 전해 도금액에 의한 전해 도금 후에, 상기 제1 특정 패턴 부분과 상기 보조 패턴의 전기적인 접속을 절단하는 것과, 상기 제1 전해 도금액에 의해서 전해 도금이 실시된 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제2 전해 도금액에 접촉시키는 것과, 상기 시트 기판의 표면이 상기 제1 전해 도금액에 접촉된 후의 위치로서, 상기 제2 전해 도금액에 접촉하기 전 또는 그 후의 위치에 마련된 제2 전극 부재를 상기 보조 패턴에 접촉시키고, 상기 제2 전극 부재를 통해서 상기 제2 전해 도금액에 전압을 인가하는 것을 포함한다.

본 발명의 제4 양태는, 장척의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면에 형성된 도전체에 의한 도전 패턴의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 도금 처리 장치로서, 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 전해 도금액에 접촉시키는 접액부(接液部)와, 상기 시트 기판의 반송 방향에 관해서, 상기 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 상기 도전 패턴 중 전해 도금을 실시하는 특정 패턴 부분에 접속되고, 또한 상기 장척 방향과 교차하는 상기 시트 기판의 폭 방향의 특정 위치에 상기 장척 방향을 따라서 연장되도록 상기 시트 기판상에 형성된 도전성의 보조 패턴과 접촉하는 전극 부재와, 상기 전극 부재를 통해서 상기 전해 도금액에 전해 도금용 전압을 인가하는 전원부를 구비한다.

본 발명의 제5 양태는, 장척의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면에 형성된 도전체에 의한 도전 패턴의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 도금 처리 장치로서, 상기 시트 기판상에는, 상기 도전 패턴 중 제1 특정 패턴 부분에 접속되고, 또한 상기 장척 방향과 교차하는 상기 시트 기판의 폭 방향의 제1 특정 위치에 상기 장척 방향을 따라서 연장되도록 배치된 도전성의 제1 보조 패턴과, 상기 도전 패턴 중 상기 제1 특정 패턴 부분과는 상이한 제2 특정 패턴 부분에 접속되고, 또한 제1 특정 위치와는 상이한 상기 장척 방향과 교차하는 상기 시트 기판의 폭 방향의 제2 특정 위치에 상기 장척 방향을 따라서 연장되도록 배치된 도전성의 제2 보조 패턴이 형성되어 있고, 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제1 전해 도금액에 접촉시키는 제1 접액부와, 상기 시트 기판의 반송 방향에 관해서, 상기 제1 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 상기 제1 보조 패턴과 접촉하여 상기 제1 전해 도금액에 전해 도금용 전압을 인가하기 위한 제1 전극 부재와, 상기 제1 전해 도금액에 의해서 전해 도금이 실시된 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 상기 제1 전해 도금액과는 상이한 제2 전해 도금액에 접촉시키는 제2 접액부와, 상기 시트 기판의 반송 방향에 관해서, 상기 제2 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 상기 제2 보조 패턴과 접촉하여 상기 제2 전해 도금액에 전해 도금용 전압을 인가하기 위한 제2 전극 부재를 구비한다.

본 발명의 제6 양태는 장척의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면에 형성된 도전체에 의한 도전 패턴의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 도금 처리 장치로서, 상기 시트 기판상에는, 상기 도전 패턴 중 제1 특정 패턴 부분 및 상기 제1 특정 패턴 부분과는 상이한 제2 특정 패턴 부분의 각각에 접속되고, 또한 상기 장척 방향을 따라서 연장되도록 배치된 도전성의 보조 패턴이 형성되어 있고, 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제1 전해 도금액에 접촉시키는 제1 접액부와, 상기 시트 기판의 반송 방향에 관해서, 상기 제1 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 상기 보조 패턴과 접촉하여 상기 제1 전해 도금액에 전압을 인가하기 위한 제1 전극 부재와, 상기 제1 전해 도금액에 의한 전해 도금 후에, 상기 제1 특정 패턴 부분과 상기 보조 패턴의 전기적인 접속을 절단시키는 절단부와, 상기 제1 전해 도금액에 의해서 전해 도금이 실시된 상기 시트 기판의 표면을 상기 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제2 전해 도금액에 접촉시키는 제2 접액부와, 상기 시트 기판의 반송 방향에 관해서, 상기 제2 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 상기 보조 패턴과 접촉하여 상기 제2 전해 도금액에 전압을 인가하기 위한 제2 전극 부재를 구비한다.

본 발명의 제7 양태는, 복수의 전극을 피검출체에 접촉시켰을 때 상기 전극 간의 전기적인 변화에 기초하여, 상기 피검출체에 포함되는 특정 성분을 검사하는 센서 장치로서, 복수의 전극을 소정의 간격으로 탑재하는 기판과, 상기 복수의 전극의 각각의 제1 층은 제1 도전 재료에 의한 박막(薄膜)으로 구성되고, 상기 복수의 전극 중 제1 전극은 상기 제1 도전 재료와는 상이한 제2 도전 재료가 전해 도금으로 상기 제1 층의 위에 적층된 박막으로 구성되고, 상기 복수의 전극 중 제2 전극은, 상기 제1 도전 재료 및 상기 제2 도전 재료와는 상이한 제3 도전 재료가 전해 도금으로 상기 제1 층의 위에 적층된 박막으로 구성된다.

본 발명의 제8 양태는, 복수의 전극을 피검출체에 접촉시켰을 때 상기 전극 사이에서 생기는 전기적인 변화에 기초하여, 상기 피검출체에 포함되는 특정 성분을 검사하는 센서 장치로서, 복수의 전극을 소정의 간격으로 탑재하는 기판과, 상기 복수의 전극의 각각의 제1 층은 제1 도전 재료에 의한 박막으로 구성되고, 상기 복수의 전극 중 제1 전극과 제2 전극은, 상기 제1 도전 재료와는 상이한 제2 도전 재료를 전해 도금으로 상기 제1 층의 위에 박막으로서 적층된 제2 층을 가지고, 상기 제2 전극은, 추가로 상기 제1 도전 재료 및 상기 제2 도전 재료와는 상이한 제3 도전 재료를 전해 도금으로 상기 제2 층의 위에 박막으로서 적층한 제3 층을 가진다.

본 발명의 제9 양태는, 피검출체에 접촉하는 적어도 한 쌍의 전극을 구비하고, 상기 전극 간의 전기적인 변화에 기초하여, 상기 피검출체의 물리적 또는 화학적인 특성을 계측하는 센서 장치로서, 가요성을 가지는 장척의 시트 기판의 장척 방향을 따른 복수 위치의 각각에 형성된 상기 한 쌍의 전극을 가지는 복수의 전극부와, 상기 전극부마다 마련되고, 상기 전극부의 상기 한 쌍의 전극 간의 전기적인 변화를 검출하는 복수의 검출 회로부와, 상기 검출 회로부의 각각에 전원 전압을 공급하기 위해서, 상기 시트 기판상에 상기 장척 방향을 따라서 연속하여 형성되는 도전성의 전원 라인부와, 상기 검출 회로부의 각각에서 검출된 검출 신호를 전송하기 위해서, 상기 시트 기판상에 상기 장척 방향을 따라서 연속하여 형성되는 도전성의 신호 전송 라인부를 구비하고, 상기 한 쌍의 전극은, 상기 전원 라인부용 배선 패턴부와 같은 제1 도전 재료로 구성되는 제1 층을 가지고, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽 전극은, 상기 제1 도전 재료와 상이한 제2 도전 재료를 상기 제1 층의 위에 전해 도금으로 적층한 제2 층을 가진다.

도 1은 제1 실시 형태의 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 시트 기판상에 형성된 도전 패턴 및 보조 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 보조 패턴이 형성된 시트 기판의 폭 방향의 제1 특정 위치에 대응한 영역에 도 1에 도시하는 전극 롤러의 전극 부재를 마련한 경우의 예를 나타내고 있다.
도 4는 제2 보조 패턴이 형성된 시트 기판의 폭 방향의 제2 특정 위치에 대응한 영역에 도 1에 도시하는 전극 롤러의 전극 부재를 마련한 경우의 예를 나타내고 있다.
도 5의 (A) 및 (B)는 도 3 또는 도 4에 도시하는 전극 롤러의 전극 부재에 도금용 전압을 인가하기 위한 다른 변형예를 나타내는 도면이다.
도 6은 혈당치 계측 센서 장치의 회로 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 제2 실시 형태의 도전 패턴 및 보조 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 제2 실시 형태의 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다.
도 9는 시트 기판의 도전 패턴상에 레지스터층을 적층한 도면이다.
도 10은 제1 및 제2 실시 형태의 변형예 1에 있어서의 혈당치 계측 센서 장치의 전극부 및 배선에 따른 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 제3 실시 형태에 의한 리본 모양의 센서 장치의 개략 구성도이다.
도 12는 도 11의 센서 장치의 검출 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 13은 식물의 종자를 수납한 리본 모양의 센서 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 14는 제4 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다.
도 15는 제1~ 제4의 각 실시 형태에 있어서의 도금 처리용 도전 패턴의 작성에 관한 변형예를 설명하는 도면이다.
도 16은 제5 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다.
도 17은 제6 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다.
도 18은 제7 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다.

본 발명의 양태에 따른 도금 처리 방법 및 그것을 실시하는 도금 처리 장치, 및 도금 처리 방법을 이용하여 형성된 센서 장치에 대해서, 바람직한 실시 형태를 제시하고, 첨부 도면을 참조하면서 이하, 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명의 양태는, 이들 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 다양한 변경 또는 개량을 가한 것도 포함된다. 즉, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함되며, 이하에 기재한 구성 요소는 적당히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.

［제1 실시 형태］

도 1은 제1 실시 형태의 도금 처리 장치(10)의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 특별히 예고가 없는 한, 중력 방향을 Z방향으로 하는 X·Y·Z의 직교 좌표계를 설정하고, 도면에 나타내는 화살표에 따라서, X방향, Y방향, 및 Z방향을 설명한다.

도금 처리 장치(10)는 가요성의 필름 모양의 시트 기판(FS)에 도금 처리를 실시하여, 기판상에 패턴층을 형성하는 장치이다. 도금 처리 장치(10)는, 예를 들면, 전자 디바이스로서의 플렉서블·디스플레이(필름 모양의 디스플레이), 필름 모양의 터치 패널, 액정 표시 패널용 필름 모양의 칼라 필터, 플렉서블 배선, 또는 플렉서블·센서 등을 구성하는 패턴층을 형성한다. 본 실시 형태에서는, 피검출체의 물리적 또는 화학적인 특성을 계측하는 센서 장치의 전극부를 구성하는 패턴층을 형성한다.

도금 처리 장치(10)는 시트 기판(이하, 기판이라 함)(FS)을 롤 모양으로 감은 공급 롤(FR1)로부터 기판(FS)이 송출(送出)되고, 송출된 기판(FS)을 회수 롤(FR2)에서 권취(卷取)하는, 이른바, 롤·투·롤(Roll To Roll) 방식으로 반송되는 기판(FS)에 대해서, 도금 처리, 세정 처리, 건조 처리를 연속적으로 실시하는 것과 같은 것이다. 즉, 도금 처리 장치(10)는 공급 롤(FR1)로부터 공급된 후, 회수 롤(FR2)에서 권취될 때까지의 동안에, 기판(FS)에 대해서 도금 처리, 세정 처리, 건조 처리를 연속적으로 실시한다. 기판(FS)은 기판(FS)의 이동 방향(반송 방향)이 긴 길이 방향(장척)이 되고, 폭 방향이 짧은 길이 방향(단척)이 되는 띠 모양의 형상을 가진다.

또한, 본 제1 실시 형태에서는, X방향은 도금 처리 장치(10)의 설치면에 대해서 평행한 수평면 내에 있어서, 기판(FS)이 공급 롤(FR1)로부터 회수 롤(FR2)을 향하는 방향(기판(FS)의 반송 방향)이다. Y방향은 상기 수평면 내에 있어서 X방향과 직교하는 방향으로, 기판(FS)의 폭 방향(단척 방향)이다. 공급 롤(FR1)의 회전축과 회수 롤(FR2)의 회전축의 각각은, XY평면(장치를 설치하는 바닥면)과 평행함과 아울러, 서로 평행하게 되도록 설치된다. Z방향은 X방향과 Y방향에 직교하는 방향(상(上)방향)으로, 중력이 작용하는 방향과 평행이다. 또한, 기판(FS)의 반송 방향을 ＋X방향으로 하고, 중력이 작용하는 방향을 -Z방향으로 한다.

기판(FS)의 재료로서는, 예를 들면, 수지 필름, 또는 스텐레스강 등의 금속 또는 합금으로 이루어지는 박(箔)(포일) 등이 이용된다. 수지 필름의 재질로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리에테르 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리페닐렌 설파이드 수지(polyphenylene sulfide resin), 폴리아릴레이트 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 및 아세트산 비닐 수지 중, 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 이용해도 된다. 또, 기판(FS)의 두께나 강성(剛性)(영률(Young'smodulus))은, 기판(FS)에 좌굴(坐屈)에 의한 접힌 곳이나 비가역적인 주름이 생기지 않는 범위이면 된다. 기판(FS)의 모재(母材)로서, 두께가 25μm~200μm 정도의 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트)나 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트), PES(폴리에테르술폰(polyethersulfone)) 등의 필름은, 시트 기판의 전형이다.

기판(FS)은 도금 처리 장치(10) 내에서 실시되는 처리에 있어서 열을 받는 경우가 있기 때문에, 열팽창 계수가 현저하게 크지 않은 재질의 기판을 선정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 무기 필러를 수지 필름에 혼합함으로써 열팽창 계수를 억제할 수 있다. 무기 필러는, 예를 들면, 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 또는 산화 규소 등이어도 된다. 또, 기판(FS)은 플로트법 등으로 제조된 두께 100μm정도까지의 극박(極薄) 유리의 단층체여도 되고, 이 극박 유리에 상기의 수지 필름, 또는 금속박 등을 접합한 적층체여도 된다. 또한 기판(FS)은 광 투과성을 가지지 않아도 되는 경우는, 알루미늄, 스텐레스, 동 등의 금속 재료를 압연(壓延)하여 금속박(포일)으로서 가요성을 갖게 한 것이어도 된다.

그런데, 기판(FS)의 가요성(flexibility)이란, 기판(FS)에 자중(自重) 정도의 힘을 가해도 전단(專斷)되거나 파단(破斷)되거나 하지 않고, 그 기판(FS)을 휘게 하는 것이 가능한 성질을 말한다. 또, 자중 정도의 힘에 의해서 굴곡(屈曲)되는 성질도 가요성에 포함된다. 기판(FS)의 재질, 크기, 두께, 기판(FS)상에 성막(成膜)되는 층 구조, 온도, 또는 습도 등의 환경에 따라서, 가요성의 정도는 바뀐다. 어찌되었든, 본 제1 실시 형태에 의한 도금 처리 장치(10) 내의 반송로에 마련되는 각종의 반송용 롤러, 회전 드럼 등의 반송 방향 전환용 부재에 기판(FS)을 올바르게 감은 경우에, 좌굴하여 접힌 곳이 생기거나, 파손(破損)(찢어짐이나 균열이 발생)되거나 하지 않고, 기판(FS)을 스무스하게 반송할 수 있으면, 가요성의 범위라고 할 수 있다.

또, 기판(FS)의 표면에는, 도전성의 재료(도전 재료)로 도전 패턴이 형성되어 있다. 이 도전 패턴은 제조하고 싶은 센서 장치의 적어도 전극부 E에 따른 패턴을 가진다. 본 제1 실시 형태에서는, 인간의 혈액(피검출체)에 포함되는 당분을 검출하는 혈당치 계측 센서 장치(센서 장치, 혈당계)의 전극부 E에 따른 패턴이 형성되어 있는 것으로 한다. 또한, 기판(FS)의 모재를 금속박(알루미늄, 스텐레스, 동 등)으로 했을 경우는, 그 자체가 도전 재료이기 때문에, 기판(FS)의 표면 전체에 일정한 두께(예를 들면 수μm 이하)로 내열성의 절연 피막을 퇴적시켜 두고, 그 절연 피막의 위에 도전 패턴을 형성하도록 해도 된다.

도 2는 적어도 혈당치 계측 센서 장치의 전극부 E에 따라 형성된 복수의 패턴 PTa(도 2의 2점 쇄선으로 둘러싸는 영역의 패턴)를 포함하는, 기판(FS)의 표면상에 형성된 전체의 도전 패턴 PT를 나타내는 도면이다. 이 복수의 패턴 PTa는, 기판(FS)상에 규칙적으로 배열되어 형성되어 있다. 도전 패턴 PT는 기판(FS)의 표면상(기판(FS)상)의 패턴 형성 영역 F(도 3, 도 4 참조)에 형성되어 있다. 이 도전 패턴 PT를 형성하는 도전 재료(도전체)는, 전류를 통과시키는 것이면 되지만, 본 제1 실시 형태에서는, 비귀금속의 동(Cu)을 이용하는 것으로 한다. 표면에 도전 재료에 의한 박막(Cu층)이 일정하게 적층된 기판(FS)에 대해서, 노광 장치에 의한 리소그래피 공정과 상기 박막을 부분적으로 제거하는 에칭 공정을 실시함으로써, 이 도전 패턴 PT를 기판(FS)상에 형성해도 된다. 즉, 도전 재료에 의한 박막의 위에 포토레지스트층을 적층하고, 노광 장치에 의해서 적어도 전극부 E에 따른 패턴을 노광한 후, 현상 처리를 실시한다. 그 후, 기판(FS)을 에칭액에 담금으로써, 현상 처리가 실시된 후의 포토레지스트층을 마스크로 하여 도전 재료의 박막(Cu층)이 부분적으로 제거되어, 도전 패턴 PT가 출현한다.

또, 도전 패턴 PT를, 노광 장치를 이용한 광 패터닝 공정과, 무전해 도금으로 석출(析出)시키는 무전해 도금 공정에 의해서 형성해도 된다. 그 일례로서, 예를 들면, 자외선의 조사를 받은 부분만 불소기가 제거되어 도금 환원능(아민(amine)기(基))이 발현하는 감광성 실란 커플링제(감광성 도금 환원제)에 의한 박막을 기판(FS)의 표면상의 전체, 또는 지정된 부분 영역 내에 일정하게 적층한 후, 노광 장치에 의해서 적어도 전극부 E에 따른 패턴을 노광하고, 그 후, 기판(FS)의 표면을 무전해 도금액(팔라듐(palladium) 이온을 포함하는 용액)과 접액(接液)(접촉)시킴으로써 도전 패턴 PT를 석출시켜도 된다. 또 다른 방법으로서는, 기판(FS)의 표면에 미세한 액적(液滴)을 토출하는 정밀한 잉크젯 프린터나 미세한 인쇄판(볼록판, 오목판, 실크 스크린 등)을 이용하여, 금속 나노 입자를 포함하는 도전성 잉크로 기판(FS)상에 직접 도전 패턴 PT를 묘화(描畵)해도 된다. 이 경우, 노광 장치를 이용한 상기의 방법에 비하면 간편하기는 하지만, 도전 패턴 PT로서 형성되는 전극이나 배선부의 선폭의 미세화에는 한계가 있다.

도 2에 도시하는 것처럼, 도전 패턴 PT는 작용 전극 WE, 대극(對極) 전극 CE, 및 참조 전극(기준 전극) RE의 3개의 전극으로 이루어지는 전극부 E(자세한 것은 도 6에서 설명)와, 각각의 전극에 접속된 배선 LW, LC, LR에 따른 형상의 패턴 PTa를 복수 개 가진다. 작용 전극 WE의 패턴 부분은 원형의 형상을 가지고, 참조 전극 RE의 패턴 부분은 작용 전극 WE를 둘러싸도록 링 모양으로 형성되고, 대극 전극 CE의 패턴 부분은 추가로 참조 전극 RE를 둘러싸도록 형성되어 있다. 이 도전 패턴 PT 중, 동일 재료로 전해 도금(전기 도금)되는 패턴 부분을 특정 패턴 부분 SPT라고 부르고, 특정 패턴 부분 SPT는 도전 패턴 PT 중에서 다른 패턴 부분과 접속되어 있지 않은 고립된 고립 패턴 부분이다.

본 제1 실시 형태에서는, 작용 전극 WE 및 대극 전극 CE의 각 부분을 제1 재료(예를 들면, 금, 백금, 팔라듐 등의 귀금속)로 전해 도금하지만, 이들 작용 전극 WE, 대극 전극 CE의 각각과 접속된 배선 LW, LC의 각 패턴 부분도, 동일한 재료인 제1 재료(예를 들면, 금, 백금, 팔라듐 등의 귀금속)로 전해 도금된다. 그리고, 참조 전극 RE 및 참조 전극 RE에 접속되는 배선 LR의 각 패턴 부분은, 제1 재료와는 상이한 제2 재료(예를 들면, 은 등의 귀금속)로 전해 도금된다. 따라서, 도 2에 도시하는 도전 패턴 PT에 있어서는, 복수의 패턴 PTa 중, 작용 전극 WE, 대극 전극 CE 및 배선 LW, LC를 형성하는 패턴 부분이 제1 특정 패턴 부분 SPT(이하, SPT1)가 되고, 참조 전극 RE 및 배선 LR을 형성하는 패턴 부분이 제2 특정 패턴 부분 SPT(이하, SPT2)가 된다. 이 제1 특정 패턴 부분 SPT1과 제2 특정 패턴 부분 SPT2는, 기판(FS)상에서 서로 전기적으로 비접속 상태가 되도록 패턴 설계되어 있다.

또, 기판(FS)상에는, 추가로, 특정 패턴 부분 SPT의 각각과 접속되어 Y방향으로 연장되는 가는 배선 패턴 APTs와, 이 배선 패턴 APTs와 접속되고, 기판(FS)의 폭 방향(Y방향)의 특정 위치에 기판(FS)의 장척 방향(X방향)을 따라서 연장되는 보조 패턴 APT가 형성되어 있다. 이 보조 패턴 APT(및 배선 패턴 APTs)는, 특정 패턴 부분 SPT가 복수 개 있는 경우에는, 복수의 특정 패턴 부분 SPT의 각각에 대응하여 복수 개 마련되고, 복수의 보조 패턴 APT(및 배선 패턴 APTs)는 서로 전기적으로 비접속이다. 따라서, 복수의 보조 패턴 APT가 형성되는 기판(FS)의 폭 방향에 있어서의 특정 위치도 서로 다르게 된다. 보조 패턴 APT를 형성하는 도전재(導電材)는, 전해 도금시에 전류를 흘리는 것이면 된다. 본 제1 실시 형태에서는, 보조 패턴 APT 및 배선 패턴 APTs를 형성하는 재료로서 도전 패턴 PT와 같은 재료인 동(Cu)을 이용하지만, 도전 패턴 PT의 재료와는 상이한 재료여도 된다. 또, 보조 패턴 APT는 전해 도금용 전원으로부터의 한쪽 극성의 전극 부재(롤러 전극 등)와 확실하게 계속 접촉할 수 있도록, Y방향의 폭이 비교적 크게 설정된다.

본 제1 실시 형태에서는, 도전 패턴 PT는 제1 특정 패턴 부분 SPT1과 제2 특정 패턴 부분 SPT2를 가지므로, 제1 특정 패턴 부분 SPT1에 접속되는 제1 보조 패턴 APT(이하, APT1)와, 제2 특정 패턴 부분 SPT2에 접속되는 제2 보조 패턴 APT(이하, APT2)가 기판(FS)상에 형성되어 있다. 제1 보조 패턴 APT1은 기판(FS)의 폭 방향의 제1 특정 위치(예를 들면, 기판(FS)의 ＋Y방향측의 단부(端部))에 기판(FS)의 장척 방향을 따라서 연장되어 있다. 제2 보조 패턴 APT2는, 제1 특정 위치와는 상이한 기판(FS)의 폭 방향의 제2 특정 위치(예를 들면, 기판(FS)의 -Y방향측의 단부)에 기판(FS)의 장척 방향을 따라서 연장되어 있다.

이 보조 패턴 APT는 표면에 도전 재료에 의한 박막이 일정하게 적층된 기판(FS)에 대해서, 노광 장치에 의한 리소그래피 공정과 상기 박막을 부분적으로 제거하는 에칭 공정을 실시함으로써, 기판(FS)상에 형성되어도 된다. 또, 보조 패턴 APT는 노광 장치를 이용한 광 패터닝 공정과, 도전 재료에 의한 박막을 무전해 도금으로 석출시키는 무전해 도금 공정에 의해서 형성되어도 된다. 보조 패턴 APT는 도전 패턴 PT의 형성 시에 함께 형성되어도 되고, 도전 패턴 PT의 형성과는 다른 타이밍에서 형성되어도 된다.

또한, 작용 전극 WE 및 배선 LW를 형성하는 패턴 부분과, 대극 전극 CE 및 배선 LC를 형성하는 패턴 부분을, 또 다른 재료로 전해 도금하는 경우는, 복수의 패턴 PTa 중, 작용 전극 WE 및 배선 LW를 형성하는 패턴 부분을 제1 특정 패턴 부분 SPT1이라고 하고, 대극 전극 CE 및 배선 LC를 형성하는 패턴 부분을 제3 특정 패턴 부분 SPT3이라고 하면 된다. 그리고, 제1 보조 패턴 APT1은 제1 특정 패턴 부분 SPT1과 접속되고, 제3 특정 패턴 부분 SPT3은 별도 마련된 제3 보조 패턴 APT3에 접속된다. 이 제1 특정 패턴 부분과 제3 특정 패턴 부분은 서로 전기적으로 비접속 상태가 되도록 배선 설계된다. 물론, 제1 보조 패턴 APT1, 제2 보조 패턴 APT2, 제3 보조 패턴 APT3끼리도 서로 전기적으로 절연된 상태가 되도록 배치되지만, 경우에 따라서는 그 절연을 위해서 절연층을 형성하는 공정이 필요하기도 한다.

도 1의 설명으로 돌아가, 도금 처리 장치(10)는 제어부(12), 기판 반송 기구(14), 처리조(16), 전압 인가부(18), 세정조(20), 및 건조부(22)를 구비한다. 제어부(12)는 도금 처리 장치(10) 내의 각 부를 제어한다. 제어부(12)는 컴퓨터와, 프로그램이 기억된 기억 매체를 포함하고, 상기 컴퓨터가 상기 기억 매체에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 본 제1 실시 형태의 제어부(12)로서 기능한다.

기판 반송 기구(14)는 안내 롤러 R1~R11를 구비한다. 안내 롤러 R1~R11은 공급 롤(FR1)과 회수 롤(FR2)의 사이에 마련되어, 기판(FS)의 반송 방향의 상류측으로부터 이 순서로 배치되어 있다. 기판(FS)이 기판 반송 기구(14)의 안내 롤러 R1~R11에 걸려 건네져 반송됨으로써, 도금 처리 장치(10) 내에서 반송되는 기판(FS)의 반송로가 규정된다. 안내 롤러 R1~R11은, 기판(FS)과 접촉하면서 기판(FS)을 지지하면서, 기판(FS)의 장척 방향으로 회전하도록 배치되어 있다. 안내 롤러 R1~R3, R6, R8, R9, R11은 기판(FS)의 표면(도금이 실시된 처리면)과는 반대측의 면(이면)과 접촉하도록 배치되어 있다. 안내 롤러 R4, R5, R7, R10은 기판(FS)의 표면과 접촉하도록 배치되어 있다. 공급 롤(FR1), 회수 롤(FR2), 및 안내 롤러 R1~R11의 회전축은, Y방향과 평행하다. 제어부(12)는 공급 롤(FR1) 및 회수 롤(FR2)의 각각에 마련된 도시하지 않은 회전 구동원의 모터를 제어함으로써, 기판(FS)의 반송 속도를 제어한다.

또한, 공급 롤(FR1) 및 회수 롤(FR2)의 각각에 회전 구동용의 모터가 장착되어 있는 경우, 그들 모터의 회전 토크 등을 제어함으로써, 공급 롤(FR1)과 회수 롤(FR2) 사이의 기판(FS)에, 장척 방향의 텐션을 줄 수 있다. 이를 위해, 안내 롤러 R1~R11 중 적어도 하나에는, 기판(FS)에 작용하는 텐션을 계측하기 위한 로드 셀 등을 마련하는 것이 좋다. 또한, 공급 롤(FR1)로부터 장척 방향으로 송출되는 기판(FS)의 폭 방향의 위치가 크게 변동하지 않도록, 예를 들면, 안내 롤러 R1과 R2 사이의 위치(혹은 공급 롤(FR1)의 바로 뒤의 위치)에, 기판(FS)의 폭 방향의 단부(엣지부)의 Y방향으로의 위치 변화를 계측하는 엣지 센서를 마련하고, 그 엣지 센서의 계측 결과에 응답하여, 공급 롤(FR1)의 Y방향 위치를 서보 제어로 시프트 시키는 엣지 포지션 제어 기구(EPC 유닛)를 마련해 두면 좋다.

처리조(도금조)(16)는 기판(FS)에 대해서 전해 도금 처리를 실시하기 위한 전해 도금액 LQ1을 유지한다. 전해 도금액 LQ1에는 금 착이온(complex ion), 백금 착이온, 또는 은 착이온 등의 귀금속 중 어느 1개의 착이온이 소정의 농도로 혼입되어 있다. 처리조(16)에는 전해 도금액 LQ1의 온도를 조정하기 위한 온도 조절기(도시 생략)가 마련되어, 환경 온도의 변화에 상관없이, 전해 도금액 LQ1의 온도가 도금 석출에 적절한 적정 온도로 유지되도록 제어된다. 안내 롤러 R4, R5는 기판(FS)의 표면(처리면)이 전해 도금액 LQ1에 잠기도록 처리조(16) 내에 마련되고, 안내 롤러 R3, R6은 처리조(16)에 대해서 ＋Z방향측에 마련되어 있다. 안내 롤러 R4, R5는 처리조(16)에 의해서 유지되고 있는 전해 도금액 LQ1의 액면(표면)보다 -Z방향측에 위치한다. 이것에 의해, 안내 롤러 R3과 안내 롤러 R6의 사이에 걸려 건네지는 기판(FS)의 장척 방향을 따른 일부의 표면이, 처리조(16)에 의해서 유지되고 있는 전해 도금액 LQ1과 접액(접촉)하도록, 기판(FS)을 반송할 수 있다. 이 안내 롤러 R4, R5는 기판(FS)의 표면(처리면)을 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 전해 도금액 LQ1에 접액시키는 접액부로서 기능한다. 또, 안내 롤러 R4, R5 자체, 및 그러한 회전축 등은, 전해 도금액 LQ1에 의해서 부식되거나 도금되거나 하지 않는 절연성 재료로 해도 된다.

전압 인가부(18)는 제어부(12)에 의한 제어하에, 전해 도금액 LQ1에 대해서 전해 도금용 전압을 인가한다. 전압 인가부(18)는 전원부(18a)와 도금해야 할 금속종에 대응한 전극 플레이트(18b)와 전극 롤러(18c)를 가진다. 전원부(18a)는 직류의 전압을 발생시켜, 발생한 전압을 2개의 출력 단자(도시 생략)로부터 출력한다. 전극 플레이트(18b)는 전원부(18a)의 한쪽 출력 단자(양극측)에 접속되고, 처리조(16)에 유지되고 있는 전해 도금액 LQ1과 접액하도록 배치되어 있다. 전원부(18a)의 다른 쪽 출력 단자(음극측)는, 접지되어 있음과 아울러, 전극 롤러(18c)의 외주(外周)에 마련된 링 모양의 전극 부재(19)(도 3, 도 4 참조)에 접속되어 있다. 전극 롤러(18c)는 외주면의 전체 또는 전극 부재(19)가 형성되는 링 모양 부분이 절연체로 형성되고, 안내 롤러 R2와 안내 롤러 R3의 사이에서, 기판(FS)이 전해 도금액 LQ1과 접촉하기 전의 건조 상태로 되어 있는 위치에 배치된다. 전극 롤러(18c)는 Y축과 평행한 회전축(회전 중심선)을 가지고, 기판(FS)의 표면을 지지하여 기판(FS)의 장척 방향으로 회전 가능하다. 전극 롤러(18c)는 전극 롤러(18c)에 마련된 전극 부재(19)가 기판(FS)의 표면(처리면)과 소정의 밀착력으로 접촉된 상태로 회전하도록 배치되어 있다. 전극 부재(19)는 기판(FS)상에 형성된 보조 패턴 APT와 접하도록 전극 롤러(18c)에 마련되어 있다. 보조 패턴 APT가 복수 개 있는 경우는, 어느 1개의 보조 패턴 APT과만 접하도록 전극 부재(19)가 전극 롤러(18c)에 마련되어 있다. 즉, 전극 부재(19)는 보조 패턴 APT가 형성된 기판(FS)의 폭 방향의 특정 위치에 대응한 영역에 마련되어 있다. 도 3에 도시하는 예에서는, 전극 부재(19)는 제1 보조 패턴 APT1이 형성된 기판(FS)의 폭 방향의 제1 특정 위치(기판(FS)의 ＋Y방향측의 단부)에 대응한 영역에 마련되어 있다. 도 4는 제2 보조 패턴 APT2가 형성된 기판(FS)의 폭 방향의 제2 특정 위치(기판(FS)의 -Y방향측의 단부)에 대응한 영역에 전극 부재(19)를 마련한 경우의 예를 나타내고 있다.

또한, 전극 부재(19)는, 일례로서, 도 5의 (A)에 도시하는 것처럼 파이프 모양으로 구부린 얇은 금속판(예를 들면 양은판(洋銀板) 등)으로 하고, 전극 롤러(18c)의 외주면의 Y방향의 일부분에 링 모양으로 피복한 절연막(18d)의 위에 덮어 씌우도록 고착된 것이어도 된다. 전원부(18a)의 다른 쪽 출력 단자(음극측)와의 접속은, 도 5의 (A)와 같이, 탄성 변형하는 얇은 금속편(예를 들면 인청동판(燐靑銅板) 등)에 의한 집전 브러쉬 Ea를 소정의 프레스 압력(押壓力)으로 전극 부재(19)에 계속 접촉시키면 좋다. 혹은, 도 5의 (B)에 도시하는 것처럼, 회전 가능한 집전 롤러 Eb를 소정의 프레스 압력으로 전극 부재(19)에 계속 접촉시켜도 된다. 또, 도 5의 (A), 도 5의 (B)와 같은 집전 브러쉬 Ea나 집전 롤러 Eb를 마련하지 않고, 전극 부재(19)와 전원부(18a)의 다른 쪽 출력 단자(음극측)를 전기적으로 접속하는 구성도 가능하다. 그 일례로서는, 전극 롤러(18c)의 전체를 도전체(금속)로 구성하고, 전극 롤러(18c)의 외주면 중 전극 부재(19)가 되는 링 모양 부분 이외를 절연막으로 피복한 구성으로 한다. 그리고, 전원부(18a)의 다른 쪽 출력 단자(음극측)를 전극 롤러(18c)의 베어링(금속성의 베어링)에 접속하면 좋다.

여기서, 도 3에 도시하는 것처럼, 전극 부재(19)가 제1 보조 패턴 APT1과 접하도록 배치되어 있는 경우는, 전극 부재(19) 및 제1 보조 패턴 APT1을 통해서 제1 특정 패턴 부분 SPT1에 전원부(18a)의 음극측의 전위가 인가된다. 그 때문에, 전원부(18a)의 양극측의 전위가 인가되고 또한 전해 도금액 LQ1과 접촉하고 있는 전극 플레이트(18b)와, 전해 도금액 LQ1에 접촉하고 있는 기판(FS)상에 형성된 제1 특정 패턴 부분 SPT1의 사이에서, 전해 도금액 LQ1에 전해 도금용 전압이 인가된다. 따라서, 전해 도금액 LQ1에 접액하고 있는 제1 보조 패턴 APT1 및 제1 특정 패턴 부분 SPT1상에는, 귀금속의 박막이 석출된다. 기판(FS)은 반송 방향(＋X방향)으로 연속하여 반송되므로, 장척 방향에 걸쳐서 기판(FS)상에 형성된 제1 특정 패턴 부분 SPT1상에는, 귀금속의 박막이 차례로 석출되게 된다. 본 제1 실시 형태에서는, 제1 보조 패턴 APT1 및 제1 특정 패턴 부분 SPT1에, 은 이외의 귀금속(예를 들면, 백금(Pt) 또는 금(Au) 등)의 박막을 전해 도금에 의해서 형성하는 것으로 한다. 도 3의 배치로부터 분명한 것처럼, 원통 모양의 전극 롤러(18c)에 링 모양으로 형성되는 전극 부재(19)의 Y방향의 치수와, 제1 보조 패턴 APT1의 Y방향의 폭의 관계는, 패턴 형성 영역 F와 제1 보조 패턴 APT1의 Y방향의 간극과 EPC 유닛에 의한 기판(FS)의 Y방향의 위치 결정 정밀도를 고려하여 설정된다.

또, 도 4에 도시하는 것처럼, 전극 부재(19)가 제2 보조 패턴 APT2와 접하도록 배치되어 있는 경우는, 전극 부재(19) 및 제2 보조 패턴 APT2를 통해서 제2 특정 패턴 부분 SPT2에 전원부(18a)의 음극측의 전위가 인가된다. 따라서, 전해 도금액 LQ1에 접액하고 있는 제2 보조 패턴 APT2 및 제2 특정 패턴 부분 SPT2에, 귀금속의 박막을 석출할 수 있다. 따라서, 도 3과 도 4의 경우에서, 전해 도금액 LQ1에 혼입하는 착이온의 재질을 바꿈으로써, 제1 보조 패턴 APT1 및 제1 특정 패턴 부분 SPT에 형성하는 박막의 재료와는 상이한 재료의 박막을 제2 보조 패턴 APT 및 제2 특정 패턴 부분 SPT에 형성하는 것이 가능해진다. 본 실시 형태에서는, 제2 보조 패턴 APT2 및 제2 특정 패턴 부분 SPT2에는, 은(Ag)의 박막을 형성하는 것으로 한다.

세정조(20)는 제어부(12)에 의한 제어하에, 전해 도금된 기판(FS)에 대해서 세정 처리를 실시하기 위한 것이다. 세정조(20) 내에는, 기판(FS)의 반송 방향을 -Z방향에서 ＋Z방향으로 전환하는 안내 롤러 R7이 마련됨과 아울러, 안내 롤러 R7의 상방에는 세정액(예를 들면, 물) LQ2를 기판(FS)의 표면(도금 처리면)에 대해서 방출하는 세정 노즐(20a)이 마련되고, 안내 롤러 R7의 측방에는 세정액(예를 들면, 물) LQ2를 기판(FS)의 이면(도금 처리면의 뒤편)에 대해서 방출하는 세정 노즐(20c)이 마련되어 있다. 상방의 세정 노즐(20a)은 －X방향측과 X방향측의 2방향으로 세정액 LQ2를 샤워 모양으로 방출한다. 안내 롤러 R7은 세정조(20) 내로서, 세정 노즐(20a)에 대해서 -Z방향측에 마련되고, 안내 롤러 R6, R8은 세정조(20)에 대해서 ＋Z방향측에 마련되어 있다. 이것에 의해, 안내 롤러 R6으로부터 안내 롤러 R7을 향하는 기판(FS)은, 세정 노즐(20a)에 대해서 -X방향측의 위치에서, 그 표면(도금 처리면)이 세정 노즐(20a)측을 향하도록, －Z방향측으로 반송된다. 또, 안내 롤러 R7로부터 안내 롤러 R8을 향하는 기판(FS)은, 세정 노즐(20a)에 대해서 ＋X방향측의 위치에서, 그 표면(처리면)이 세정 노즐(20a)을 향하도록 ＋Z방향측으로 반송된다. 따라서, 안내 롤러 R6으로부터 안내 롤러 R7을 향하는 기판(FS)의 표면은, 세정조(20)에 마련된 세정 노즐(20a)로부터 -X방향측으로 방출되는 세정액 LQ2에 의해서 세정된다. 마찬가지로 하여, 안내 롤러 R7로부터 안내 롤러 R8을 향하는 기판(FS)의 표면은, 세정조(20) 내에 마련된 세정 노즐(20a)로부터 ＋X방향측으로 방출되는 세정액 LQ2에 의해서 세정된다. 마찬가지로, 안내 롤러 R6으로부터 안내 롤러 R7을 향하는 기판(FS)의 이면은, 세정 노즐(20c)로부터 -X방향측으로 방출되는 세정액 LQ2에 의해서 세정되고, 안내 롤러 R7로부터 안내 롤러 R8을 향하는 기판(FS)의 이면은, 세정 노즐(20c)로부터 ＋X방향측으로 방출되는 세정액 LQ2에 의해서 세정된다. 또, 세정 노즐(20a, 20c)로부터 방출된 세정액 LQ2를 세정조(20)의 외부로 배출하기 위한 배출구(20b)가 세정조(20)의 저벽(底壁)에 마련되어 있다.

건조부(22)는 제어부(12)에 의한 제어하에, 세정 처리가 실시된 기판(FS)에 대해서 건조 처리를 실시한다. 건조부(22) 내에는, 열을 발생시키는 열발생원(22a)이 마련되어 있다. 열발생원(22a)으로서는, 드라이 에어 등의 건조용 에어(온풍)를 기판(FS)의 표면으로 내뿜는 블로어, 적외선 광원, 또는 세라믹 히터 등이다. 안내 롤러 R10은, 건조부(22) 내(건조부(22)의 케이스 내)로서, 열발생원(22a)에 대해서 -Z방향측으로 마련되고, 안내 롤러 R9, R11은 건조부(22)에 대해서 ＋Z방향측에 마련되어 있다. 이것에 의해, 안내 롤러 R9로부터 안내 롤러 R10을 향하는 기판(FS)은, 열발생원(22a)에 대해서 -X방향측의 위치에서, 그 표면(처리면)이 열발생원(22a)측을 향하도록,－Z방향측으로 반송된다. 또, 안내 롤러 R10으로부터 안내 롤러 R11을 향하는 기판(FS)은, 열발생원(22a)에 대해서 ＋X방향측의 위치에서, 그 표면(처리면)이 열발생원(22a)을 향하도록 ＋Z방향측으로 반송된다. 따라서, 안내 롤러 R9로부터 안내 롤러 R11을 향하는 기판(FS)의 표면을, 건조부(22) 내에 마련된 열발생원(22a)에 의해서 효율적으로 건조시킬 수 있다. 건조부(22) 내의 온도는, 기판(FS)의 모재의 재질에 따라서 상한이 정해진다. 예를 들면, 모재가 PET 수지의 기판(FS)에서는 105℃ 정도가 상한이고, 모재가 PEN 수지, 폴리카보네이트 수지, 금속박의 기판(FS)에서는, 그 이상의 상한 온도로 설정할 수 있다. 단, 건조시의 온도가 높으면 모재가 수지제인 기판(FS)에서는 큰 신축이 발생할 우려가 있다. 기판(FS)상에 형성되는 도전 패턴 PT, 보조 패턴 APT, 배선 패턴 APTs 등은 금속성이기 때문에, 열팽창 계수의 큰 차이로부터, 기판(FS)상의 각종 패턴이 금(크랙)이 가거나, 기판(FS)으로부터 박리되거나 한다. 그러한 일이 일어나지 않도록, 허용되는 기판(FS)(모재)의 신축율(%, ppm)을 초과하지 않도록 하는 건조 온도를 설정하는 것이 좋다.

이상과 같은 구성을 가지는 도금 처리 장치(10)와, 도전 패턴 PT 및 보조 패턴 APT가 형성된 기판(FS)을 이용하고, 도전 패턴 PT에 형성되는 박막의 재료를 특정 패턴 부분 SPT마다 상이하게 할 수 있다. 즉, 상이한 재료의 박막을 선택적으로 도전 패턴 PT상에 형성할 수 있다. 구체적으로는, 먼저, 복수의 도금 처리 장치(10)를 준비한다. 그리고, 제1 도금 처리 장치(10)의 처리조(16)는, 제1 귀금속의 착이온(예를 들면, 금 착이온 또는 백금 착이온 등의 은 이외의 귀금속의 착이온)이 혼입된 전해 도금액(제1 전해 도금액) LQ1을 유지하고, 제1 도금 처리 장치(10)의 전극 롤러(18c)를, 전극 부재(제1 전극 부재)(19)가 도 3에 도시하는 것처럼 제1 보조 패턴 APT1과 접하도록 마련한다. 이것에 의해, 제1 특정 패턴 부분 SPT1상에 제1 귀금속(예를 들면, 금 또는 백금)의 박막이 형성된다. 그리고, 기판(FS)을 회수한 제1 도금 처리 장치(10)용 회수 롤(FR2)을, 제2 도금 처리 장치(10)용 공급 롤(FR1)로서 장전한다. 이 제2 도금 처리 장치(10)의 처리조(16)는, 제1 귀금속과는 상이한 제2 귀금속인 은의 착이온이 혼입된 전해 도금액(제2 전해 도금액) LQ1을 유지하고, 제2 도금 처리 장치(10)의 전극 롤러(18c)는, 전극 부재(제2 전극 부재)(19)가 도 4에 도시하는 것처럼 제2 보조 패턴 APT2와 접하도록 마련되어 있다. 이것에 의해, 제2 특정 패턴 부분 SPT2 상에 은의 박막이 형성된다.

또한, 기판(FS)의 폭 방향의 중심으로 대해 대칭이 되도록, 제1 보조 패턴 APT1이 형성되는 기판(FS)의 폭 방향에 있어서의 제1 특정 위치와 제2 보조 패턴 APT2가 형성되는 기판(FS)의 폭 방향(Y방향)에 있어서의 제2 특정 위치를 설정해도 된다. 이것에 의해, 전극 롤러(18c)를 반전(XY면과 평행한 면 내에서 180도 회전)시켜 장착함으로써, 전극 부재(19)가 제1 보조 패턴 APT1에 접할지, 제2 보조 패턴 APT2에 접할지를 전환할 수 있다. 또, 도 5의 (A), 도 5의 (B)와 같은 집전 브러쉬 Ea나 집전 롤러 Eb를 마련하는 구성에서는, 전극 롤러(18c)상의 Y방향의 양측의 각각의 제1 보조 패턴 APT1과 제2 보조 패턴 APT2에 대응한 위치에 전극 부재(19)를 형성해 두고, 제1 도금 처리 장치(10)에서는, 2개의 전극 부재(19) 중 제1 보조 패턴 APT1에 대응한 위치의 전극 부재(19)에 대해서 집전 브러쉬 Ea나 집전 롤러 Eb를 마련하고, 제2 도금 처리 장치(10)에서는, 제2 보조 패턴 APT1에 대응한 위치의 전극 부재(19)에 대해서 집전 브러쉬 Ea나 집전 롤러 Eb를 마련해 두면 좋다.

또, 참조 전극 RE는 은의 박막의 위에 염화 은(AgCl)의 박막을 형성할 필요가 있기 때문에, 기판(FS)을 회수한 제2 도금 처리 장치(10)용 회수 롤(FR2)을, 제3 도금 처리 장치(10)용 공급 롤(FR1)로서 장전한다. 이 제3 도금 처리 장치(10)의 처리조(16)는 염화 은을 포화시킨 염화 칼륨액을 전해 도금액(제3 전해 도금액) LQ1로서 유지한다. 또, 제3 도금 처리 장치(10)의 전극 롤러(18c)는, 전극 부재(19)(제3 전극 부재(19))가 도 4에 도시하는 것처럼 제2 보조 패턴 APT2와 접하도록 마련되어 있다. 제3 도금 처리 장치(10)에 있어서는, 제1 및 제2 도금 처리 장치(10)와는 달리, 전극 플레이트(제3 전극 단자)(18b)에 전원부(18a)의 음극측의 출력 단자가 접속되고, 전극 부재(제3 전극 부재)(19)에 전원부(18a)의 양극측의 출력 단자가 접속되어 있다. 이것에 의해, 제2 특정 패턴 부분 SPT2(참조 전극 RE 및 배선 LR) 상에 추가로 염화 은의 박막을 형성할 수 있다.

따라서, 작용 전극 WE, 대극 전극 CE 및 배선 LW, LC는, 제1 층이 비귀금속인 도전 재료(예를 들면, 동)의 박막으로 형성되고, 제2 층이 은 이외의 귀금속(예를 들면, 금, 백금, 또는 팔라듐 등)의 박막으로 형성된 적층 구조가 된다. 또, 참조 전극 RE 및 배선 LR은, 제1 층이 비귀금속인 도전 재료(예를 들면, 동)의 박막으로 구성되고, 제2 층이 은의 박막으로 형성되고, 제3 층이 염화 은의 박막으로 형성된 적층 구조가 된다.

또한, 도금 처리 장치(10) 마다 기판(FS)을 회수 롤(FR2)로 회수했지만, 복수의 도금 처리 장치(10)에 의한 처리(전해 도금 처리 등)를 기판(FS)에 대해서 연속적으로 실시하고, 복수의 도금 처리 장치(10)에 의한 처리(전해 도금 처리 등)가 모두 실시된 후에, 처음으로 기판(FS)을 회수 롤(FR2)에 의해서 회수하도록 해도 된다. 이 경우는, 공급 롤(FR1)로부터 공급된 기판(FS)이 우선 제1 도금 처리 장치(10) 내로 반송된 후, 회수 롤(FR2)에 의해서 회수되는 일 없이, 연속하여 제2 도금 처리 장치(10) 내로 반송되고, 그 후, 연속하여 제3 도금 처리 장치(10) 내로 반송된다. 그리고, 제3 도금 처리 장치(10)로부터 송출된 기판(FS)을 회수 롤(FR2)에 의해서 처음으로 권취하게 된다. 이 경우는, 각 도금 처리 장치(10)의 처리조(16)가 유지하고 있는 전해 도금액 LQ1에 접액하고 있는 제1 특정 패턴 부분 SPT1과 제2 특정 패턴 부분 SPT2가 동시에 통전(通電)하지 않도록, 제1 보조 패턴 APT 및 제2 보조 패턴 APT2를 장척 방향을 따라서 소정의 간격으로 전기적으로 분단(分斷)해 둘 필요도 있다. 즉, 전극 롤러(18c)의 전극 부재(19)의 Y방향 위치에 대응한 기판(FS)상의 위치에 있어서, 각 보조 패턴 APT, APT2가 장척 방향으로 소정 길이에 걸쳐 형성되어 있지 않은 비도통 구간을 설정하도록 해도 된다. 또, 전극 롤러(18c)를 안내 롤러 R2와 안내 롤러 R3의 사이에 마련하도록 했지만, 접액부(안내 롤러 R4, R5)의 상류측 또는 하류측으로서, 전해 도금액 LQ1로부터 떨어진 위치, 즉, 전해 도금액 LQ1과 접촉하지 않는 위치에 마련해도 된다. 그 경우, 전극 롤러(18c)를, 예를 들면 도 1 중의 안내 롤러 R8~R11의 사이의 반송로 중의 어느 것에 마련하거나, 도 1 중의 안내 롤러 R10으로 치환하거나 해도 된다.

여기서, 도 6을 이용하여, 혈당치 계측 센서 장치(30)의 회로 구성에 대해 간단하게 설명한다. 혈당치 계측 센서 장치(30)는 작용 전극 WE, 대극 전극 CE, 및 참조 전극 RE로 이루어지는 사각형 모양의 전극부 E(2mm각 정도)와, OP AMP(OP2)에 의한 볼티지 팔로워(32)와, DA 변환기(34)와, 계측 제어부(36)와, OP AMP(OP1)와, OP AMP(OP3)에 의한 전류 전압 변환부(38)와, AD 변환기(40)를 적어도 구비한다. 이 전극부 E상에는, 혈당 농도에 따라 반응하는 글루코오스 등의 시약(메디에이터(mediator)와 효소를 포함함)이 도포되거나, 시약을 함침(含浸)한 리트머스지가 접착되어 있다. 이러한 전극부 E상에 혈액 등을 적하(滴下)하여, 혈액이 작용 전극 WE, 대극 전극 CE, 및 참조 전극 RE를 덮도록 퍼지면, 시약과 혈액의 화학적인 반응에 의해 혈액 중에 혈당 농도에 따른 이온이 생성된다. 볼티지 팔로워(32)는 혈액 중의 이온에 의해서 참조 전극 RE에 발생하는 전압(이하, 참조 전압) VRE를 출력한다. 볼티지 팔로워(32)는 고입력 임피던스의 OP AMP(OP2)에 의해서 구성되어 있다. DA 변환기(34)는 계측 제어부(36)로부터 출력된 기준 전압치(지령치)에 따른 전압(이하, 기준 전압) Vref를 출력한다. OP AMP(OP1)는 기준 전압 Vref와 참조 전압 VRE의 차가 항상 0이 되도록, 대극 전극 CE의 전압을 피드백 제어한다. 전류 전압 변환부(38)는 대극 전극 CE로부터 작용 전극 WE에 흐르는 전류 Iw를 전압(이하, 계측 전압) Vo로 변환한다. 전류 전압 변환부(38)는 적어도 OP AMP(OP3)와 저항 Rw에 의해서 구성되어 있다. 계측 전압 Vo는 Vo=－Rw×Iw의 관계식에 의해서 나타낼 수 있다. AD 변환기(40)는 계측 전압 Vo를, 예를 들면 10비트의 디지털값으로 변환하여 계측 제어부(36)에 출력한다. 이 계측 제어부(36)는 DA 변환기(34)가 출력하는 기준 전압치 Vref를 일정한 범위 내에서 단계적 또는 연속적으로 변화시키도록 프로그램되어 있고, 기준 전압 Vref의 변화에 따른 계측 전압 Vo의 변화의 경향을 모니터함으로써, 혈당치를 측정한다.

이와 같이, 본 제1 실시 형태의 도금 처리 장치(10)는 기판(FS)을 장척 방향으로 반송하면서, 기판(FS)의 표면에 형성된 도전체에 의한 도전 패턴 PT의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 것으로서, 기판(FS)의 표면을 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 전해 도금액 LQ1에 접촉시키는 접액부(처리조(16), 안내 롤러 R4, R5)와, 기판(FS)의 반송 방향에 관해서, 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되어, 도전 패턴 PT 중 전해 도금을 실시하는 특정 패턴 부분 SPT에 접속되고, 또한 장척 방향과 교차하는 기판(FS)의 폭 방향의 특정 위치에 장척 방향을 따라서 연장되도록 기판(FS)상에 형성된 도전성의 보조 패턴 APT와 접촉하는 전극 부재(19)와 전극 부재(19)를 통해서 전해 도금액 LQ1에 전해 도금용 전압을 인가하는 전원부(18a)를 구비한다. 이것에 의해, 도전 패턴 PT 중, 특정 패턴 부분 SPT에만 전해 도금을 행할 수 있다.

전극 부재(19)는 기판(FS)의 표면을 지지하여 장척 방향으로 회전 가능한 전극 롤러(18c)의 외주 중, 보조 패턴 APT가 형성된 특정 위치에 대응한 영역에 마련되어 있다. 이것에 의해, 전극 부재(19)와 기판(FS)상의 보조 패턴 APT의 마찰을 억제하면서, 전극 부재(19)를 기판(FS)의 보조 패턴 APT에 접촉시킬 수 있다. 따라서, 전극 부재(19)와의 접촉 마찰에 의해서 보조 패턴 APT가 깎여 버리는 것을 방지할 수 있다. 또, 특정 패턴 부분 SPT가 복수 개 있음으로써, 보조 패턴 APT가 복수 형성되어 있는 경우더라도, 어느 1개의 특정 패턴 부분 SPT에 대해서만 전해 도금을 행할 수 있다.

특정 패턴 부분 SPT는 도전 패턴 PT 중에서 고립된 고립 패턴 부분으로서 형성되어 있다. 따라서, 도전 패턴 PT 중, 전극 부재(19)가 접촉한 보조 패턴 APT에 접속된 특정 패턴 부분 SPT 이외의 패턴 부분에 전기가 흐르는 일은 없어, 특정 패턴 부분 SPT 이외의 패턴 부분에 전해 도금이 실시되는 일은 없다. 따라서, 전극 부재(19)가 접촉한 보조 패턴 APT에 접속된 특정 패턴 부분 SPT에만 전해 도금 처리를 실시할 수 있다.

또, 기판(FS)상에는, 도전 패턴 PT 중 제1 특정 패턴 부분 SPT1에 접속되고, 또한 장척 방향과 교차하는 기판(FS)의 폭 방향의 제1 특정 위치에 장척 방향을 따라서 연장되도록 배치된 도전성의 제1 보조 패턴 APT1과 도전 패턴 PT 중 제1 특정 패턴 부분 SPT1과는 상이한 제2 특정 패턴 부분 SPT2에 접속되고, 또한 제1 특정 위치와는 상이한 장척 방향과 교차하는 기판(FS)의 폭 방향의 제2 특정 위치에 장척 방향을 따라서 연장되도록 배치된 도전성의 제2 보조 패턴 APT2가 형성되어 있다. 그리고, 기판(FS)의 표면을 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제1 전해 도금액 LQ1에 접촉시키는 제1 접액부(제1 도금 처리 장치(10) 내의 처리조(16))와, 기판(FS)의 반송 방향에 관해서, 제1 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되어, 제1 보조 패턴 APT1과 접촉하여 제1 전해 도금액 LQ1에 전해 도금용 전압을 인가하기 위한 제1 전극 부재(19)와, 제1 전해 도금액 LQ1에 의해서 전해 도금이 실시된 기판(FS)의 표면을 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제1 전해 도금액 LQ1과는 상이한 제2 전해 도금액 LQ1에 접촉시키는 제2 접액부(제2 도금 처리 장치(10) 내의 처리조(16))와, 기판(FS)의 반송 방향에 관해서, 제2 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 제2 보조 패턴 APT2와 접촉하여 제2 전해 도금액 LQ1에 전해 도금용 전압을 인가하기 위한 제2 전극 부재(19)를 구비한다. 이것에 의해, 도전 패턴 PT 중, 복수의 특정 패턴 부분 SPT에 상이한 전해 도금을 실시할 수 있다. 또한, 전극 롤러(18c)의 전극 부재(19)는, 제1 또는 제2 도금 처리 장치(10) 내의 처리조(16)에 저장되는 제1 또는 제2 전해 도금액 LQ1과 적어도 일부가 접액하면서, 제1 보조 패턴 APT1, 혹은 제2 보조 패턴 APT2와 접촉하도록 마련할 수도 있다. 이 경우, 전극 부재(19)의 표면도 전해 도금액 LQ1에 의해서 도금되게 되므로, 적당한 타이밍에서 전극 부재(19)를 교환하거나, 표면에 도금층이 석출(퇴적)되어도, 그 밀착성이 약해서 벗겨지기 쉬운 재질로 전극 부재(19)를 구성하는 것이 좋다.

［제2 실시 형태］

다음에, 제2 실시 형태에 대해서 설명하지만, 상기 제1 실시 형태에서 설명한 구성과 마찬가지의 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여함과 아울러, 상이한 부분만을 설명한다. 제2 실시 형태에 있어서는, 도전 패턴 PT(복수의 패턴 PTa) 중, 작용 전극 WE 및 배선 LW를 형성하는 패턴 부분을 제1 특정 패턴 부분 SPT1이라고 하고, 참조 전극 RE 및 배선 LR을 형성하는 패턴 부분을 제2 특정 패턴 부분 SPT2라고 하고, 대극 전극 CE 및 배선 LC를 형성하는 패턴 부분을 제3 특정 패턴 부분 SPT3이라고 한다. 또, 제1 특정 패턴 부분 SPT1~ 제3 특정 패턴 부분 SPT3은, 동일한 보조 패턴 APT(이하, APTa)에 접속되어 있는 것으로 한다. 즉, 본 제2 실시 형태의 보조 패턴 APTa는, 도 7에 도시하는 것처럼, Y방향으로 연장된 배선 패턴 APTs를 통해서 제1 특정 패턴 부분 SPT1, 제2 특정 패턴 부분 SPT2, 및 제3 특정 패턴 부분 SPT3의 각각과 접속되고, 또한 기판(FS)의 장척 방향을 따라서 연장되도록 형성되어 있다. 또한, 본 제2 실시 형태의 도전 패턴 PT 및 보조 패턴 APTa, 배선 패턴 APTs는, 도전 재료(예를 들면, 동)로 형성되어 있는 것은 말할 필요도 없다.

또, 본 제2 실시 형태의 도금 처리 장치(10a)는, 도 8에 도시하는 것처럼, 접액부(처리조(16), 안내 롤러 R4, R5)의 상류측으로서, 기판(FS)이 전해 도금액 LQ1과 접촉하기 전의 위치에, 패턴 절단부(50)를 마련한다. 패턴 절단부(50)(이하, 간단하게 절단부(50)라고도 칭함)는, 작용 전극 WE, 대극 전극 CE, 및 배선 LW, LC와 보조 패턴 APTa의 전기적인 접속을 절단하기 위해서, 기판(FS)에 구멍을 뚫는 천공기이다. 절단부(50)는 막대 모양의 천공부를 기판(FS)에 누름으로써 기판(FS)에 구멍을 뚫는 것이어도 되고, 레이저를 이용하여 기판(FS)에 구멍을 뚫어도 된다. 또한, 절단부(50)는 작용 전극 WE, 대극 전극 CE, 및 배선 LW, LC와 보조 패턴 APTa의 전기적인 접속을 절단할 수 있으면 되므로, 천공기 이외의 것이어도 된다. 제2 실시 형태에 있어서는, 전극 부재(19)가 보조 패턴 APTa와 접하도록 전극 롤러(18c)가 마련되어 있다. 또한, 본 제2 실시 형태에 있어서는, 보조 패턴 APTa는 하나밖에 없으므로, 전극 부재(19)를 전극 롤러(18c)의 외주 전면(全面)에 마련해도 된다.

이상과 같은 구성을 가지는 도금 처리 장치(10a)와, 도전 패턴 PT 및 보조 패턴 APTa가 형성된 기판(FS)을 이용하여, 도전 패턴 PT상에 전해 도금으로 석출시키는 박막의 재료를 특정 패턴 부분 SPT마다 상이하게 할 수 있다. 구체적으로는, 먼저, 복수의 도금 처리 장치(10a)를 준비한다. 그리고, 제1 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16)는 제1 귀금속의 착이온(예를 들면, 금 착이온)이 혼입된 전해 도금액(제1 전해 도금액) LQ1을 유지한다. 이것에 의해, 도전 패턴 PT(제1~ 제3 특정 패턴 부분 SPT1~SPT3) 전체에, 전해 도금에 의해서 제1 귀금속(금)의 박막이 적층된다. 제1 귀금속의 박막의 형성 시에는, 절단부(50)를 사용하지 않으므로, 상기 제1 실시 형태에서 설명한 도금 처리 장치(10)에 의해서, 도전 패턴 PT 전체에 제1 귀금속의 박막을 형성해도 된다. 또한, 제1 도금 처리 장치(10a)의 전극 플레이트(제1 전극 단자)(18b)는 전원부(18a)의 양극측에 접속되고, 전극 부재(제1 전극 부재)(19)는 전원부(18a)의 음극측에 접속되어 있는 것으로 한다.

그리고, 기판(FS)을 회수한 제1 도금 처리 장치(10a)용 회수 롤(FR2)을, 제2 도금 처리 장치(10a)용 공급 롤(FR1)로서 장전한다. 이 제2 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16)는 제1 귀금속과는 상이한 제2 귀금속(예를 들면, 백금)의 착이온이 혼입된 전해 도금액(제2 전해 도금액) LQ1을 유지한다. 절단부(50)는 제3 특정 패턴 부분 SPT3과 보조 패턴 APTa의 전기적인 접속을 절단한다. 구체적으로는, 절단부(50)는 대극 전극 CE에 접속된 배선 LC와 보조 패턴 APTa의 전기적인 접속을 절단하기 위하여, 도 7에 도시하는 기판(FS)상의 배선 LC를 포함하는 영역 CW(배선 LC의 선폭 이상의 치수를 가짐)를 천공한다. 이 영역 CW는 보조 패턴 APTa와 연결되어 있는 배선 패턴 APTs와 X방향으로 연장되는 배선 LC가 접속하는 위치의 근방에 설정된다. 절단부(50)는 제2 전해 도금액 LQ1에 접액하기 전의 기판(FS)에 대해서, 모든 패턴 PTa의 각각의 영역 CW에 구멍을 뚫는다. 따라서, 도전 패턴 PT 중, 제1 특정 패턴 부분 SPT1 및 제2 특정 패턴 부분 SPT2에 대해서만, 전해 도금에 의해서 추가로 제2 귀금속(백금)의 박막이 적층된다. 즉, 작용 전극 WE, 참조 전극 RE, 및 배선 LW, LR에만 제2 귀금속(백금)에 의한 2층째의 박막이 형성된다. 또한, 제2 도금 처리 장치(10a)의 전극 플레이트(제2 전극 단자)(18b)는 전원부(18a)의 양극측에 접속되고, 전극 부재(제2 전극 부재)(19)는 전원부(18a)의 음극측에 접속되어 있는 것으로 한다.

그 후, 기판(FS)을 회수한 제2 도금 처리 장치(10a)용 회수 롤(FR2)을, 제3 도금 처리 장치(10a)용 공급 롤(FR1)로서 장전한다. 이 제3 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16)는, 제1 귀금속 및 제2 귀금속과는 상이한 제3 귀금속(예를 들면, 은)의 착이온이 혼입된 전해 도금액(제3 전해 도금액) LQ1을 유지한다. 절단부(50)는 제1 특정 패턴 부분 SPT1과 보조 패턴 APTa의 전기적인 접속을 절단한다. 구체적으로는, 절단부(50)는 작용 전극 WE에 접속된 배선 LW와 보조 패턴 APTa의 전기적인 접속을 절단하기 위하여, 도 7에 도시하는 기판(FS)상의 배선 LW를 포함하는 영역 WW(배선 LW의 선폭 이상의 치수를 가짐)를 천공한다. 이 영역 WW는 보조 패턴 APTa와 연결되어 있는 배선 패턴 APTs와 X방향으로 연장되는 배선 LW가 접속하는 위치의 근방에 설정된다. 절단부(50)는 제3 전해 도금액 LQ1에 접액하기 전의 기판(FS)에 대해서, 모든 패턴 PTa의 각각의 영역 WW에 구멍을 뚫는다. 따라서, 도전 패턴 PT 중, 제2 특정 패턴 부분 SPT2에 대해서만, 전해 도금에 의해서 추가로 제3 귀금속(은)의 박막이 적층된다. 즉, 참조 전극 RE 및 배선 LR에만 제3 귀금속(은)의 박막이 형성된다. 또한, 제3 도금 처리 장치(10a)의 전극 플레이트(제3 전극 단자)(18b)는 전원부(18a)의 양극측에 접속되고, 전극 부재(제3 전극 부재)(19)는 전원부(18a)의 음극측에 접속되어 있는 것으로 한다.

마지막으로, 참조 전극 RE에는, 은의 박막의 위에 염화 은(AgCl)의 박막을 형성할 필요가 있기 때문에, 기판(FS)을 회수한 제3 도금 처리 장치(10a)용 회수 롤(FR2)을, 제4 도금 처리 장치(10a)용 공급 롤(FR1)로서 장전한다. 이 제4 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16)는, 염화 은을 포화시킨 염화 칼륨액을 전해 도금액(제4 전해 도금액) LQ1로서 유지한다. 또, 제4 도금 처리 장치(10a)의 전극 플레이트(제4 전극 단자)(18b)는, 전원부(18a)의 음극측에 접속되고, 전극 부재(제4 전극 부재)(19)는 전원부(18a)의 양극측에 접속되어 있다. 이것에 의해, 제2 특정 패턴 부분 SPT2(참조 전극 RE 및 배선 LR)에만, 보조 패턴 APTa와 배선 패턴 APTs를 통해서 도금용 전압이 인가되어, 추가로 염화 은의 박막을 형성할 수 있다. 염화 은의 박막의 형성 시에는, 절단부(50)를 사용하지 않으므로, 상기 제1 실시 형태에서 설명한 도 1의 도금 처리 장치(10)에 의해서, 제2 특정 패턴 부분 SPT2상에 염화 은의 박막을 형성해도 된다.

따라서, 대극 전극 CE 및 배선 LC는, 제1 층이 비귀금속인 도전 재료(예를 들면, 동)의 박막으로 형성되고, 제2 층이 제1 귀금속(예를 들면, 금)의 박막으로 형성된 적층 구조가 된다. 작용 전극 WE 및 배선 LW는, 제1 층이 비귀금속인 도전 재료(예를 들면, 동)의 박막으로 형성되고, 제2 층이 제1 귀금속(예를 들면, 금)의 박막으로 형성되고, 제3 층이 제1 귀금속과는 상이한 제2 귀금속(예를 들면, 백금)의 박막으로 형성된 적층 구조가 된다. 참조 전극 RE 및 배선 LR은, 제1 층이 비귀금속인 도전 재료(예를 들면, 동)의 박막으로 형성되고, 제2 층이 제1 귀금속(예를 들면, 금)의 박막으로 형성되고, 제3 층이 제1 귀금속과는 상이한 제2 귀금속(예를 들면, 백금)의 박막으로 형성되고, 제4 층이 은의 박막으로 형성되고, 제5 층이 염화 은의 박막으로 형성된 적층 구조가 된다.

또한, 도금 처리 장치(10a)마다 기판(FS)을 회수 롤(FR2)로 회수했지만, 복수의 도금 처리 장치(10a)에 의한 처리(전해 도금 처리 등)를 기판(FS)에 대해서 연속적으로 실시하고, 복수의 도금 처리 장치(10a)에 의한 처리(전해 도금 처리 등)가 모두 실시된 후에, 처음으로 기판(FS)을 회수 롤(FR2)에 의해서 회수하도록 해도 된다. 이 경우는, 공급 롤(FR1)로부터 공급된 기판(FS)이 우선 제1 도금 처리 장치(10a) 내로 반송된 후, 회수 롤(FR2)에 의해서 회수되는 일 없이, 연속하여 제2 도금 처리 장치(10) 내로 반송되고, 그 후, 연속하여 제3 도금 처리 장치(10), 제4 도금 처리 장치(10a)로 반송된다. 그리고, 제4 도금 처리 장치(10a)로부터 송출된 기판(FS)을 회수 롤(FR2)에 의해서 처음으로 권취하게 된다. 또, 전극 롤러(18c)를 안내 롤러 R2와 안내 롤러 R3의 사이에 마련하도록 했지만, 접액부(처리조(16), 안내 롤러 R4, R5)의 상류측 또는 하류측으로서, 전해 도금액 LQ1로부터 떨어진 위치, 즉, 전해 도금액 LQ1과 접촉하지 않는 위치에 전극 롤러(18c)를 마련해도 된다.

이와 같이, 본 제2 실시 형태의 도금 처리 장치(10a)는, 기판(FS)을 장척 방향으로 반송하면서, 기판(FS)의 표면에 형성된 도전체에 의한 도전 패턴 PT의 일부에 선택적으로 도금을 실시하는 것으로서, 기판(FS)상에는, 도전 패턴 PT 중 제1 특정 패턴 부분 SPT1 및 제1 특정 패턴 부분 SPT1과는 상이한 제2 특정 패턴 부분 SPT2의 각각에 접속되고, 또한 장척 방향을 따라서 연장되도록 배치된 도전성의 보조 패턴 APTa가 형성되어 있고, 기판(FS)의 표면을 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제1 전해 도금액 LQ1에 접촉시키는 제1 접액부와, 기판(FS)의 반송 방향에 관해서, 제1 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 보조 패턴 APTa와 접촉하여 제1 전해 도금액 LQ1에 전압을 인가하기 위한 제1 전극 부재(19)와, 제1 전해 도금액 LQ1에 의한 전해 도금 후에, 제1 특정 패턴 부분 SPT1과 보조 패턴 APTa의 전기적인 접속을 절단하는 패턴 절단부(50)와, 제1 전해 도금액 LQ1에 의해서 전해 도금이 실시된 시트 기판(FS)의 표면을 장척 방향을 따라서 소정 거리에 걸쳐서 제2 전해 도금액 LQ1에 접촉시키는 제2 접액부와, 기판(FS)의 반송 방향에 관해서, 제2 접액부의 상류측 또는 하류측에 마련되고, 보조 패턴 APTa와 접촉하여 제2 전해 도금액 LQ1에 전압을 인가하기 위한 제2 전극 부재(19)를 구비한다. 이것에 의해, 도전 패턴 PT 중, 특정 패턴 부분 SPT마다 상이한 재질의 전해 도금을 행할 수 있다.

또한, 상기 제2 실시 형태에서는, 도전 패턴 PT 전체에 전해 도금에 의해서 제1 귀금속(예를 들면, 금)의 박막을 형성하도록 했지만, 무전해 도금에 의해서 제1 귀금속의 박막을 형성해도 된다. 이 경우는, 도 9에 도시하는 것처럼, 기판(FS)의 도전 패턴 PT상에, 전극부 E에 대응하는 영역을 포함하는 사각형 모양의 개구부(52a)를 가지는 레지스터층(52)을 형성한다. 따라서, 레지스터층(52)으로 피복된 기판(FS)을 무전해 도금액에 담근 경우에도, 레지스터층(52)이 마스크가 되므로, 전극부 E의 영역에 대해서 제1 귀금속의 박막을 형성할 수 있다. 이 레지스터층(52)의 개구부(52a)는 적어도 전극부 E에 대응하는 영역(예를 들면, 2mm각의 치수)만 개구되어 있으면 되므로, 레지스터층(52)을 노광할 때의 패터닝 정밀도(노광 광의 위치 결정 정밀도)는 정밀한 필요가 없다. 또한, 기판(FS)상에서 전극부 E가 완성되면, 전극부 E와 배선 LW, LC, LR을 포함하는 부분(패턴 PTa의 부분)이 기판(FS)으로부터 잘라 내져, 1개의 센서 헤드로서 사용된다. 그 경우, 잘라 내진 센서 헤드의 배선 LW, LC, LR이, 도 6과 같은 센서 회로에 접속되게 된다. 그 접속시의 배선 LW, LC, LR의 강도를 내기 위해서, 레지스터층(52)은 보조 패턴 APTa에 접속되는 측의 배선 LW, LC, LR의 단부에 대응하는 영역에도 사각형 모양의 개구부(52b)를 가지도록, 노광 처리해도 된다. 이것에 의해, 배선 LW, LC, LR 중, 다른 배선이나 부재 등과 접속되는 부분의 강도를 강하게 할 수(도금의 두께를 늘릴 수) 있다. 제1 귀금속으로서 금의 박막을 무전해 도금에 의해서 형성하는 방법으로서는, 치환형이나 환원형 등이 있다. 또한, 본 제2 실시 형태 및 상기 제1 실시 형태에서 설명한 전해 도금을 행할 때에도 이 레지스터층(52)을 사용해도 된다.

〔제1 및 제2 실시 형태의 변형예〕

상기 제1 및 제2 실시 형태를 이하와 같이 변형해도 된다.

(변형예 1) 상기 제1 및 제2 실시 형태에서는, 도전 패턴 PT의 각 패턴 PTa는, 1개의 전극부 E와 1개의 전극부 E의 각 전극에 접속되는 배선에 따른 형상의 패턴을 포함하는 센서 헤드부를, 완성 후에 잘라 내어 사용하는 것이었지만, 변형예 1의 도전 패턴 PT의 각 패턴 PTa(이하, PTa′)는, 복수(여기에서는 4개)의 전극부 E와 각각의 전극부 E의 각 전극에 접속되는 배선에 따른 형상의 패턴을 포함하는 구성을 1개의 센서 헤드부로 하여, 완성 후에 잘라 내어 사용하는 것이다.

도 10은 본 변형예 1에 있어서의 패턴 PTa′의 일례를 나타내는 도면이다. 패턴 PTa′는 매트릭스 모양으로 인접 배치된 4개의 전극부 E1~E4와, 4개의 전극부 E1~E4의 각각의 각 전극(작용 전극 WE1~WE4, 대극 전극 CE1~CE4, 및 참조 전극 RE1~RE4에 접속된 배선 LW1~LW4, LC1~LC4, LR1~LR4에 따른 형상의 패턴을 가진다. 이 패턴 PTa′는 도전 재료로 형성되어 있다.

이와 같이 패턴 PTa′를 형성함으로써, 상기 제1 또는 제2 실시 형태에서 제시한 수법에 의해서, 매트릭스 모양으로 인접 배치된 4개의 전극부 E1~E4의 각각의 작용 전극 WE1~WE4, 대극 전극 CE1~CE4, 참조 전극 RE1~RE4의 각각, 및 4개의 전극부 E1~E4의 각각의 각 전극에 접속된 배선 LW1~LW4, LC1~LC4, LR1~LR4의 각각을 소정의 금속 재료로 선택적으로 전해 도금할 수 있다. 그리고, 이 4개의 전극부 E1~E4를 센서 장치의 전극부(60)로서 구성하고, 각 전극부 E1~E4에, 상이한 시약(상이한 효소를 포함함)을 도포하던지, 그 시약이 함침된 리트머스지를 접착함으로써, 혈당 농도의 계측 이외의 복수의 검진 항목에 대응한 검사가 동시에 가능한 센서 장치(센서 헤드)를 제공할 수 있다.

(변형예 2) 상기 제1 및 제2 실시 형태에서는, 전해 도금에 의해서, 도전 패턴 PT의 위에, 금, 백금, 또는 은 등의 귀금속의 박막을 형성하도록 했지만, 귀금속으로 한정하지 않고, 용액 안에서 전석(電析)(전기 도금) 가능한 다른 금속이어도 된다. 이들 전기 도금 가능한 금속으로서는, Zn(아연), Cr(크롬), Mn(망간), Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Cu(동), Ge(게르마늄), Pd(팔라듐), In(인듐), Sn(주석), Hg(수은), Ti(티탄) 등이 있다.

［제3 실시 형태］

포장(圃場)의 토양 등에 포함되는 물리적 또는 화학적인 특성을 계측하는 센서 장치의 전극부를, 상기 제1 또는 제2 실시 형태에서 제시한 수법에 따라 작성해도 된다. 도 11은 제3 실시 형태의 센서 장치(리본 센서)(70)의 개략 구성도이다. 센서 장치(70)는 기판(FS)상의 장척 방향을 따른 복수 위치의 각각에 형성된 복수의 전극부(72)와, 전극부(72)마다 마련된 복수의 검출 회로부(74)와, 상위 제어 장치(76)를 구비한다. 검출 회로부(74) 및 상위 제어 장치(76)는 기판(FS)에 마련되어 있다. 1개의 전극부(72)와, 이 1개의 전극부(72)에 대응하여 마련된 1개의 검출 회로부(74)는 검출 유닛(DU)을 구성한다. 즉, 복수의 검출 유닛(DU)이 장척 방향을 따라서 떨어진 기판(FS)상의 복수의 지점에 마련되어 있다. 센서 장치(70)의 기판(FS)의 장척 방향의 길이는, 예를 들면, 30m~100m이고, 단척 방향은, 예를 들면, 5mm~5cm 정도의 길이이다. 검출 유닛(DU)(전극부(72) 및 검출 회로부(74))은, 기판(FS)의 장척 방향을 따라서, 예를 들면, 30cm~5m 간격으로 기판(FS)에 이산적으로 마련되어 있다.

전극부(72)는 피검출체인 토양에 접촉하는 전극쌍(한 쌍의 전극)을 가지고, 검출 회로부(74)는 전극쌍 간(한 쌍의 전극 간)의 전기적인 변화를 검출한다. 상위 제어 장치(정보 수집부)(76)는, 복수의 검출 회로부(74)를 제어함과 아울러, 복수의 검출 회로부(74)가 검출한 검출 신호(계측치)를 수집한다. 또, 기판(FS)에는, 복수의 검출 회로부(74)의 각각에 전원 전압을 공급하기 위한 도전성의 전원 라인부(80)가 형성되어 있다. 이 전원 라인부(80)는 상위 제어 장치(76)로부터 기판(전송 부재)(FS)의 단부측을 향하여 장척 방향을 따라서 연속적으로 연장되어 있다. 상위 제어 장치(76)는 구동 전압을 전원 라인부(80)에 인가한다. 전원 라인부(전원 배선, 전력로)(80)는 상위 제어 장치(76)에 의해서 구동 전위 Vdd가 인가된 플러스 전원 라인(80a)과, 기준 전위(예를 들면, 그라운드 전위) Vss가 인가된 마이너스 전원 라인(80b)을 가진다. 또, 기판(전송 부재)(FS)에는, 복수의 검출 회로부(74)와 상위 제어 장치(76)의 사이에서 통신을 행하기 위한 신호 전송 라인부(신호 배선, 전송로)(82)가 형성되어 있다. 이 신호 전송 라인부(82)는 상위 제어 장치(76)로부터 기판(FS)의 단부측을 향하여 장척 방향을 따라서 연속적으로 연장되어 있다. 이 신호 전송 라인부(82)에 의해서, 검출 회로부(74)가 검출한 검출 신호가 상위 제어 장치(76)에 보내짐과 아울러, 상위 제어 장치(76)로부터의 지령 정보 등이 각 검출 회로부(74)에 보내진다. 본 제3 실시 형태에서는, 상위 제어 장치(76)를 기판(FS)의 일단측에 마련했으므로, 전원 라인부(80) 및 신호 전송 라인부(82)는, 상위 제어 장치(76)로부터 기판(FS)의 타단측을 향해서 연장되어 있다.

도 12는 1개의 검출 유닛(DU)(전극부(72)와 이 전극부(72)에 대응하여 마련된 검출 회로부(74))의 구성을 나타내는 도면이다. 전극부(72)는 토양의 서로 다른 물리적 또는 화학적인 특성을 검출하기 위해서, 1개 또는 복수의 전극쌍을 가진다. 본 제3 실시 형태에서는, 전극부(72)는 2개의 전극쌍(90, 92)을 가지도록 했지만, 전극부(72)의 전극쌍의 수는, 1개여도 되고, 3개 이상이어도 된다. 한 쌍의 전극(90a, 90b)으로 이루어지는 전극쌍(90)은 토양의 EC값(전기 이동도, 전기 도전도)을 검출(계측)하기 위한 전극이다. 이를 위해, 전극(90a, 90b)은, 예를 들면, 표면이 금, 백금 등의 귀금속으로 도금된 전극이다. 한 쌍의 전극(92a, 92b)으로 이루어지는 전극쌍(92)은, 토양의 pH값(산성도)을 검출(계측)하기 위한 것이다. 이를 위해, 전극(92a)은 표면이 아연(Zn)으로 도금된 전극이고, 전극(92b)은 표면이 금, 백금 등의 귀금속으로 도금된 전극 또는 SUS(스텐레스강)로 구성된 전극이다. 또한, 전극쌍(90, 92) 중, 적어도 한쪽을 EC값 또는 pH값 이외의 물리적 또는 화학적인 특성(예를 들면, 토양의 수분)을 검출하는 전극으로 해도 된다.

마이크로컴퓨터 칩(제어부)(74a)을 가지는 검출 회로부(74)는, 전원 라인부(80)에 접속되어 있다. 즉, 검출 회로부(74)는 플러스 전원 라인(80a)과 마이너스 전원 라인(80b)에 접속되어 있다. 이것에 의해, 검출 회로부(74)에, 구동 전압(구동 전위 Vdd로부터 기준 전위 Vss를 감산한 전위차)이 인가된다. 또, 전극쌍(90, 92) 중, 한쪽 전극(90a, 92a)은 마이크로컴퓨터 칩(74a)과 접속됨과 아울러, 다른 쪽 전극(90b, 92b)은 마이너스 전원 라인(80b)에 접속되어 있다. EC값의 검출용의 전극쌍(90)의 전극(90a)은 저항 Ra, Rb의 각각을 각각 통해서 마이크로컴퓨터 칩(74a)에 개별로 접속되어 있다. 또, pH값의 검출용의 전극쌍(92)의 전극(92a)은, 저항 Rc를 통해서 마이크로컴퓨터 칩(74a)에 접속되어 있다.

마이크로컴퓨터 칩(74a)은 저항 Ra를 통해서 전극쌍(90)의 전극(90a)에 전위를 인가하고, 전극쌍(90) 사이(한 쌍의 전극(90a, 92b) 사이)의 저항값에 따른 전압 강하를, 저항 Rb를 이용하여 검출한다. 마이크로컴퓨터 칩(74a)은, 아날로그/디지털 변환 회로(ADC)나 디지털/아날로그 변환 회로(DAC), 시리얼 인터페이스 회로, 메모리부 등을 내장한 저소비 전력의 1칩 마이크로컴퓨터의 PIC(페리페럴(peripheral)·인터페이스·컨트롤러) 등으로 구성된다. 마이크로컴퓨터 칩(74a)은 저항 Rb를 통해서 검출한 전압 강하를 나타내는 전압(EC값)을 AD 변환하여, 시리얼인 신호 전송 라인부(82)를 통해서 상위 제어 장치(76)에 출력한다. 또, 마이크로컴퓨터 칩(74a)은 저항 Rc를 이용하여, 전극쌍(92)(한 쌍의 전극(92a, 92b) 사이)에 생긴 기전력(起電力)을 검출한다. 마이크로컴퓨터 칩(74a)은 이 검출한 기전력을 나타내는 전압(pH값)을 AD 변환하여, 신호 전송 라인부(82)를 통해서 상위 제어 장치(76)에 출력한다. 검출 회로부(74)는 온도 센서 IC(74b)를 추가로 가지고 있고, 온도 센서 IC(74b)가 검출(계측)한 피검출체인 토양(또는 땅 속 수분)의 온도에 따른 전압이 마이크로컴퓨터 칩(74a)으로 출력된다. 마이크로컴퓨터 칩(74a)은 이 온도에 따른 전압(온도)을 AD 변환하여, 신호 전송 라인부(82)를 통해서 상위 제어 장치(76)에 출력한다. 이와 같이, 상위 제어 장치(76)에는, 복수의 검출 회로부(74)(마이크로컴퓨터 칩(74a))의 각각으로부터 출력되는 EC값, pH값, 온도 등의 환경 특성을 수집함으로써, 작물이 육성되는 토양의 환경 특성(토양의 상태 등)을 일괄하여 파악할 수 있다. 이 상위 제어 장치(76)는 수집한 EC값, pH값, 및 온도 등의 토양의 환경 특성을 도시하지 않은 외부 제어 장치(컴퓨터)에 무선 통신으로 송신할 수도 있다.

마이크로컴퓨터 칩(74a)의 메모리부에는, EC값, pH값, 온도의 각각의 계측을 위해서 필요한 계측용 프로그램과, EC값, pH값, 온도의 각각의 계측 동작의 순번이나 계측 횟수 등을 규정하는 시퀀스 프로그램과, 수집한 EC값, pH값, 온도에 대한 각각의 데이터(디지털값)를 신호 전송 라인부(82)를 통해서 상위 제어 장치(76)와 교환하는 통신용 프로그램 등이 기억되어 있다. 또, 복수의 검출 회로부(74)(마이크로컴퓨터 칩(74a))의 각각이 동시에 각종의 계측 동작을 실행하면, 상위 제어 장치(76)로부터 떨어진 위치에 존재하는 검출 회로부(74)(마이크로컴퓨터 칩(74a))에 급전되는 구동 전압이, 동작 가능한 값 이하로 강하되어 버리는 일이 있다. 이것은 플러스 전원 라인(80a)과 마이너스 전원 라인(80b)이, 기판(FS)상에 증착이나 도금 등으로 형성된 얇은 동박의 경우, 단위 길이당 저항값을 충분히 작게 할 수 없기 때문에 생기는 배선 저항에 의한 전압 강하이다. 따라서, 플러스 전원 라인(80a)과 마이너스 전원 라인(80b)은, 가능한 범위에서 폭넓게(굵게) 형성해 두는 것이 좋다. 또, 상위 제어 장치(76)에 의해서, 복수의 검출 회로부(74)(마이크로컴퓨터 칩(74a))의 각각이 각종 계측을 행하는 타이밍(인터벌)이 중복되지 않도록 제어하여, 전원 라인(80a),(80b)에 큰 전류가 흐르지 않도록 관리해도 된다.

도 11, 12에서 도시한 리본 센서(70)는, 포장의 토양에 심어지는 식물의 종자나 뿌리의 근처에, 1개의 검출 유닛(DU)의 전극부(72)가 위치하도록 구성해도 된다. 또, 리본 센서(70)는 반년~1년 정도의 동안, 토양 중에 매설되기 때문에, 전극부(72) 이외의 부분은, 토양 중의 수분 등에 의해서 침해받지 않도록, 절연성의 수지층에 의해서 피복되어 있다. 또한, 토양의 pH값(산성도)을 검출(계측)하는 도 12에서 도시한 전극(92a)의 아연(Zn)은, 토양의 수분에 의해서 서서히 용출(溶出)되기 때문에, 전기 도금의 시간을 길게 하고, 가능한 한 두꺼워지도록 석출하게 하는 것이 좋다. 또, 전극(92b)을 SUS(스텐레스강)로 구성하는 경우, SUS는 도금에 의한 석출을 할 수 없으므로, SUS의 박편(薄片)을 도전성의 페이스트나 접착제로 동박(銅箔)의 전극부에 접착시켜도 된다.

또, 도 13에 도시하는 것처럼, 센서 장치(리본 모양 센서)(70)의 기판(FS)에는, 각 전극부(72)의 전극쌍(90, 92)의 근방에, 종자(100)를 유지하기 위한 개구부(102)를 마련하고, 그 개구부(102)를 덮기 위한 필름(104)을 기판(FS)의 표면측과 이면측에 접착한 구성으로 해도 된다. 이것에 의해, 개구부(102)와 필름(104)으로 형성되는 밀폐 공간(수납 포켓) 내에 식물의 종자(100)를 유지할 수 있다. 이 필름(104)은 수분을 통과시키는 셀룰로오스의 필름인 것이 바람직하지만, 종자(100)의 치수보다도 세밀한 메쉬를 가진 천, 수용성의 종이 등이어도 된다. 이상과 같이 형성된 장척의 필름 모양의 센서 장치(리본 센서)(70)를 포장의 토양 중에 매립함으로써, 센서 장치(70)의 매설(埋設)과 작물의 종자(100) 심기를 동시에 할 수 있어, 농사일의 효율화를 도모할 수 있다. 또, 이러한 구성을 가짐으로써, 종자(100)의 근방에 전극쌍(90, 92)을 설치할 수 있으므로, 종자(100)가 실제로 자라는 곳의 토양의 환경 특성(토양의 상태)을 정확하게 파악할 수 있다. 따라서, 발아에서부터 수확 시기까지의 동안, 토양의 환경 특성을 계속하여 정확하게 모니터할 수 있다.

여기서, 복수의 전극부(72)의 각각에 대응하여 마련된 복수의 검출 회로부(74)는, 병렬로 전원 라인부(80)에 접속되어 있다. 예를 들면, 장척 방향의 길이가 30m인 기판(FS)에 대해서 장척 방향을 따라서 30cm 간격으로, 복수의 검출 회로부(74)를 마련한 경우는, 100개 정도의 검출 회로부(74)가 병렬로 전원 라인부(80)에 접속되게 된다. 따라서, 100개의 모든 검출 회로부(74)를 액티브 상태(통상 동작을 행하는 제1 모드)로 되게 하면, 상위 제어 장치(76)로부터 기판(FS)의 선단측으로 감에 따라, 즉, 상위 제어 장치(76)로부터 멀어짐에 따라, 검출 회로부(74)에 충분한 전력을 공급할 수 없게 되어 버린다. 이에, 본 제3 실시 형태에서는, 원칙적으로, 모든 검출 회로부(74)를 슬립(sleep) 상태(기능이 휴지된 제2 모드)로 하고, 소정의 타이밍에서, 1개의 검출 회로부(74)만을 액티브 상태(웨이크업(wake-up) 상태)로 하면서, 액티브 상태로 하는 검출 회로부(74)를 차례로 전환하는 것이다. 이것을 위해, 먼저 도 12에서 설명한 마이크로컴퓨터 칩(74a)은, 외부 신호에 응답하여, 액티브 상태(통상 동작을 행하는 제1 모드)와 슬립 상태(기능이 휴지되는 제2 모드)로 전환하는 기능(모드 전환부)을 가지는 것으로 한다.

도 12에 도시하는 것처럼, 모드 전환부를 구비한 복수의 검출 회로부(74)의 각각은, 전후에 위치하는 검출 회로부(74)와 신호선(110)을 통해서 접속되어 있다. 여기서, 상위 제어 장치(76)를 앞으로 하고, 상위 제어 장치(76)와는 반대측을 뒤로 하여 설명하고, 도 12에 있어서는, 편의상, 전단(前段)의 검출 회로부(74)와 접속되는 신호선(110)을 110a라고 하고, 후단의 검출 회로부(74)와 접속되는 신호선(110)을 110b라고 한다. 또한, 최(最)전단의 검출 회로부(74)의 전방(前方)에는, 검출 회로부(74)가 마련되어 있지 않으므로, 최전단의 검출 회로부(74)의 신호선(110a)은 상위 제어 장치(76)와 접속되어 있다. 또, 최후단의 검출 회로부(74)의 후방(後方)에도, 검출 회로부(74)가 마련되어 있지 않으므로, 최후단의 검출 회로부(74)에는 신호선(110b)이 마련되어 있지 않다.

최전단의 검출 회로부(74)는 신호선(110a)을 통해서 상위 제어 장치(76)에 마련되어 있는 모드 전환부로부터 보내져 온 액티브 신호 ACS를 수신하면 액티브 상태로 되고, 신호선(110a)을 통해서 액티브 상태로 되었다는 취지를 나타내는 회신 신호 ANS를 상위 제어 장치(76)에 출력한다. 최전단의 검출 회로부(74)는, 액티브 상태로 되면 토양의 상태(EC값, pH값, 온도 등)를 계측하고, 토양의 상태의 계측, 및 계측 데이터의 상위 제어 장치(76)로의 송신이 종료되면, 신호선(110b)을 통해서 후단(다음단)의 검출 회로부(74)에 액티브 신호 ACS를 출력한다. 그리고, 최전단의 검출 회로부(74)는 신호선(110b)을 통해서 후단의 검출 회로부(74)로부터 회신 신호 ANS를 수신하면, 슬립 상태로 이행한다. 이러한 동작을 반복함으로써, 액티브 상태로 하는 1개의 검출 회로부(74)를, 최전단의 검출 회로부(74)로부터 최후단의 검출 회로부(74)까지, 차례로 전환할 수 있다. 슬립 상태의 검출 회로부(74)의 소비 전력은 미소하므로, 액티브 상태로 된 검출 회로부(74)에 필요한 전력을 확실히 공급할 수 있다. 또한, 상위 제어 장치(76)는 소정의 주기 타이밍 또는 소정의 조건이 성립했을 경우에, 최전단의 검출 회로부(74)에 액티브 신호 ACS를 출력한다.

이상과 같은 구성을 가지는 센서 장치(70)의 전극부(72)(전극쌍(90, 92))를, 상기 제1 또는 제2 실시 형태에서 설명한 도금 처리 장치(10, 10a)를 이용하여 제조할 수 있다. 이 경우는, 전원 라인부(80), 신호 전송 라인부(82), 마이크로컴퓨터 칩(74a)의 단자를 접속하기 위한 단자 패드, 온도 센서 IC(74b)의 단자를 접속하기 위한 단자 패드, 및 전극부(72)의 전극쌍(90, 92) 등의 형상에 따른 도전 패턴 PT가 기판(FS)상에 형성된다. 이 도전 패턴 PT 중, 전극쌍(90, 92)의 각 전극 90a, 90b, 92a, 92b에 대응한 패턴 부분에 의해서 복수의 특정 패턴 부분 SPT가 구성된다. 기판(FS)상에는, 이 복수의 특정 패턴 부분 SPT의 각각에 접속되는 복수의 보조 패턴 APT 또는 모든 특정 패턴 부분 SPT에 접속된 보조 패턴 APTa가 형성되어 있다. 따라서, 각 전극 90a, 90b, 92a, 92b의 표면에 상이한 금속(예를 들면, 귀금속 등)의 박막을 형성하는 것이 가능해진다. 그리고, 전극쌍(90, 92)을 형성한 후에, 기판(FS)상에, 마이크로컴퓨터 칩(74a), 온도 센서 IC(74b), 및 상위 제어 장치(76)를 저온 납땜 페이스트 등에 의해서 실장함으로써, 센서 장치(70)를 제조할 수 있다. 전극부(72)의 전극의 표면에 형성하는 박막의 재질은, 검출 대상에 따라 최적인 재질을 선택하면 된다. 또, 전해 도금에 의해서 전극 90a, 90b, 92a, 92b를 형성하는 것이 아니라, 표면에 금속(예를 들면, 귀금속이나 SUS)의 박막이 형성된 테이프(도전성)를 부착함으로써 전극 90a, 90b, 92a, 92b을 형성해도 된다.

또한, 본 제3 실시 형태에서는, 센서 장치(70)는 식물을 생육하는 포장의 토양의 환경 특성(토양 등에 포함되는 물리적 또는 화학적인 특성)을 검출(측정)하는 것으로 했지만, 물고기 등의 어패류 또는 동물을 양식(생육)하는 양식장의 환경 특성(예를 들면, 담수나 해수 등의 물리적 또는 화학적인 특성)의 검출에 이용해도 된다. 또, 본 제3 실시 형태에서는, 액티브 상태가 되는 검출 유닛(DU)(검출 회로부(74))를 1개로 하고, 액티브 상태가 되는 검출 유닛(DU)을 차례로 전환하도록 했지만, 액티브 상태가 되는 검출 유닛(DU)의 수를 복수(단, 검출 회로부(74)의 모든 수보다 적음)로 하고, 액티브 상태가 되는 복수의 검출 유닛(DU)을 차례로 전환하도록 해도 된다. 이것에 의해, 모든 검출 유닛(DU)으로부터의 환경 특성을 신속히 수집할 수 있다.

이와 같이, 본 제3 실시 형태의 센서 장치(70)는, 식물을 생육하는 포장, 또는 동물 혹은 어패류를 양식하는 양식장의 물리적 또는 화학적인 환경 특성을 계측하는 것이다. 그리고, 센서 장치(70)는 포장 또는 양식장에 시설 가능함과 아울러, 일단측으로부터 타단측을 향하여 형성된 신호 전송 라인부(82)와 전력을 흘리는 전원 라인부(80)를 구비한 장척의 전송 부재인 기판(FS)과, 기판(FS)의 장척 방향으로 떨어진 복수 지점의 각각에 마련되고, 전원 라인부(80)에 병렬로 접속됨과 아울러, 포장 또는 양식장의 환경 특성을 검출하여 신호 전송 라인부(82)에 출력하는 복수의 검출 유닛(DU)과, 신호 전송 라인부(82)를 통해서 복수의 검출 유닛(DU)으로부터 출력된 환경 특성을 수집하는 상위 제어 장치(76)를 구비한다. 상위 제어 장치(76)가 환경 특성을 수집할 때에는, 복수의 검출 유닛(DU) 중, 소정 수의 검출 유닛(DU)이 액티브 상태로 되어 환경 특성을 검출하고, 환경 특성의 검출이 종료된 검출 유닛(DU)은, 복수의 검출 유닛(DU) 중, 아직 액티브 상태로 되어 있지 않은 다른 검출 유닛(DU)을 슬립 상태에서 액티브 상태로 전환한다. 이러한 구성에 의해서, 다수의 검출 유닛(DU)을 탑재했음에도 불구하고, 센서 장치(70)(리본 모양 센서 시트)로서의 평균적인 소비 전력을 낮게 억제할 수 있어, 상위 제어 장치(76)로부터 전원 라인부(80)에 흘려지는 전류량도 평균적으로 적어도 되므로, 전원 라인부(80)를 구성하는 배선 패턴의 금속 재료(동박 등)의 선폭을 가늘게 하거나, 두께를 얇게 할 수 있어, 센서 장치(70)(리본 모양 센서 시트)로서의 가요성을 높일 수 있다.

［제4 실시 형태］

도 14는 제4 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시 형태에서는, 앞의 도 2에 나타낸 것 같은 기판(FS)상의 양측의 보조 패턴 APT1, APT2를 통해서, 2종류의 금속 재료에 의한 전해 도금을 연속적으로 실시할 수 있다. 도 14에 있어서, 제1 도금 처리 장치(10a)와 제2 도금 처리 장치(10B)의 각각은, 기본적으로 도 1의 도금 처리 장치(10)와 같은 전극 롤러(18c), 처리조(16), 전극 플레이트(18b), 세정조(20), 건조부(22) 등을 구비한다. 단, 제1 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16)에 저장되는 전해 도금액과, 제2 도금 처리 장치(10B)의 처리조(16)에 저장되는 전해 도금액은, 서로 다른 용액이며, 예를 들면, 제1 도금 처리 장치(10a)에서는, 기판(FS)상의 도전 패턴 PT의 소정의 부분에 금(Au)의 전해 도금이 실시되고, 제2 도금 처리 장치(10B)에서는, 도전 패턴 PT의 소정의 부분에, 예를 들면 금 이외의 귀금속(백금 등)의 전해 도금이 실시된다.

앞의 도 1의 도금 처리 장치(10)에서는, 일례로서 전원부(18a)의 음극측을 전극 롤러(18c)의 전극 부재(19)(도 3, 도 4)에 접속하고, 전원부(18a)의 양극측을 처리조(16) 중의 전해 도금액 LQ1 중에 침지한 전극 플레이트(18b)에 접속하고, 음극측을 접지하여 어스 전위로 했다. 도 14의 실시 양태에서는, 제1 도금 처리 장치(10a)용의 전원부(이하, 제1 전원부)(18a)로부터 출력되는 직류 전압과 제2 도금 처리 장치(10B)용의 전원부(이하, 제2 전원부)(18a)로부터 출력되는 직류 전압이, 공통의 전위(예를 들면 어스 전위)를 가지지 않도록, 서로 플로팅한 상태의 전원으로 되어 있다. 여기서, 제1 도금 처리 장치(10a)의 전극 롤러(18c)에 마련되고, 기판(FS)의 한쪽 측의 보조 패턴 APT1과 접촉하는 전극 부재(19)를 19A라고 하고, 제2 도금 처리 장치(10B)의 전극 롤러(18c)에 마련되고, 기판(FS)의 다른 쪽 측의 보조 패턴 APT2와 접촉하는 전극 부재(19)를 19B라고 한다.

이러한 구성에서, 기판(FS)을 일정 속도로 반송하면서, 제1 전원부(18a)로부터 통전하면, 제1 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16)에 저장된 전해 도금액 중에는, 전극 부재(19A)를 통해서 보조 패턴 APT1 및 그것에 접속되어 있는 도전 패턴 부분으로부터 전극 플레이트(18b)를 향하는 방향으로 전자가 흘러, 도금 처리(예를 들면 금 도금)가 행해진다. 제1 도금 처리 장치(10a)에 의해서 도금 처리된 기판(FS)은, 건조된 상태로 다음의 제2 도금 처리 장치(10B)에 반입된다. 기판(FS)이 제2 도금 처리 장치(10B) 내를 일정 속도로 반송되고 있을 때, 제2 전원부(18a)로부터 통전하면, 제2 도금 처리 장치(10B)의 처리조(16)에 저장된 전해 도금액 중에는, 전극 부재(19B)를 통해서 보조 패턴 APT2 및 그것에 접속되어 있는 도전 패턴 부분으로부터 전극 플레이트(18b)를 향하는 방향으로 전자가 흘러, 도금 처리(예를 들면 백금 도금)가 행해진다.

이때, 제1 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16) 내를 통과하는 기판(FS)의 보조 패턴 APT2에는, 제2 전원부(18a)의 음극측의 전위가 인가된 상태가 되지만, 제1 전원부(18a)의 양극측과 음극측, 및 제2 전원부(18a)의 양극측과 음극측 모두가, 서로 전기적으로 접속되어 있지 않은 플로팅 상태에 있기 때문에, 제1 도금 처리 장치(10a)의 처리조(16) 내의 전해 도금액으로부터 보조 패턴 APT2에는 전류가 흐르지 않고, 따라서, 제1 도금 처리 장치(10a)에서는, 보조 패턴 APT2 및 그것에 접속되어 있는 도전 패턴 부분에는 도금 처리가 실시되지 않는다. 마찬가지로, 제2 도금 처리 장치(10B)의 처리조(16) 내를 통과하는 기판(FS)의 보조 패턴 APT1에는, 제1 전원부(18a)의 음극측의 전위가 인가된 상태가 되지만, 제1 전원부(18a)와 제2 전원부(18a)가 플로팅 상태에 있기 때문에, 제2 도금 처리 장치(10B)의 처리조(16) 내의 전해 도금액으로부터 보조 패턴 APT1에는 전류가 흐르지 않고, 따라서, 제2 도금 처리 장치(10B)에서는, 보조 패턴 APT1 및 그것에 접속되어 있는 도전 패턴 부분(앞서 제1 도금 처리 장치(10a)로 도금된 패턴 부분)에는 도금 처리가 실시되지 않는다. 제1 전원부(18a)와 제2 전원부(18a)의 플로팅 관계를 유지하기 위해, 처리조(16)는 절연성 재료(아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 세라믹 등)로 전해 도금액을 저장하는 것이 좋다.

그렇지만, 제1 전원부(18a)의 양극/음극 간의 전위와, 제2 전원부(18a)의 양극/음극 간의 전위의 사이에 비교적으로 큰 차(예를 들면 수 볼트 이상)가 있는 상태, 혹은 전극 부재(19A)와 접속되는 보조 패턴 APT1(및 그것에 접속되어 있는 도전 패턴 부분)과, 전극 부재(19B)와 접속되는 보조 패턴 APT2(및 그것에 접속되어 있는 도전 패턴 부분)의 사이에 도금에 적절한 전위차가 생겨 있는 상태일 때는, 제1 도금 처리 장치(10a)에 있어서, 보조 패턴 APT1과 보조 패턴 APT2의 모두에 접속된 도전 패턴 부분이 도금 처리되는 경우가 있다. 본 실시 형태의 경우, 제1 도금 처리 장치(10a)에서는, 보조 패턴 APT1, APT2의 양쪽과, 그것에 접속되는 모든 도전 패턴 부분(배선부나 전극부)이 금 도금되게 된다. 그리고, 다음의 제2 도금 처리 장치(10B)에서는, 제2 도금 처리 장치(10B)의 처리조(16)의 전해 도금액 중을 통과하는 보조 패턴 APT1과 보조 패턴 APT2의 전위의 차(극성의 방향)에 따라서, 보조 패턴 APT2와 접속되는 도전 패턴 부분(앞서 제1 도금 처리 장치(10a)에 의해서 금 도금된 패턴 부분)의 위에, 다른 금속(예를 들면 백금)에 의한 도금층이 석출된다.

이상과 같이, 시트 모양의 장척의 기판(FS)을, 제1 도금 처리 장치(10a)로부터 제2 도금 처리 장치(10B)로 연속하여 통과시켜 도금 처리할 때에도, 전해 도금액에 주는 도금용 전압을, 제1 도금 처리 장치(10a)와 제2 도금 처리 장치(10B)에서 서로 독립(플로팅)시킴으로써, 보조 패턴 APT1, APT2의 각각을 기판(FS)의 장척 방향으로 일정한 길이의 구간 마다 단속적으로 마련하지 않아도, 전극마다 상이한 금속종에 의한 선택적인 도금 처리가 가능해진다.

(변형예) 도 2에 도시한 것처럼, 기판(FS)의 폭 방향(Y방향)의 양측에 도전 재료에 의한 보조 패턴 APT1, APT2를 마련함으로써, 적어도 2종류의 금속종에 의한 전해 도금이 가능해지지만, 3종류 이상의 금속종에 의해서 선택적으로 전해 도금을 행하는 경우, 추가로 많은 보조 패턴을 마련하는 필요도 있다. 도 15는 도 2에 도시하는 것처럼 2개의 보조 패턴 APT1, APT2 외에, 3번째의 보조 패턴 APT3을 마련하는 경우의 일례를 나타내고, 여기에서는, 전극부 E를 구성하는 3개의 대극 전극 CE, 작용 전극 WE, 참조 전극 RE의 각각이, 서로 다른 금속종으로 전해 도금되는 것으로 한다. 그 때문에, 대극 전극 CE는 배선 패턴 APTs를 통해서 보조 패턴 APT1과 접속되고, 작용 전극 WE는 배선 패턴 APTs를 통해서 보조 패턴 APT2와 접속되고, 참조 전극 RE는 배선 패턴 APTs를 통해서 보조 패턴 APT3과 접속된다. 도 15와 같이, 기판(FS)의 폭 방향의 한쪽 측(＋Y방향측)에는, 2개의 보조 패턴 APT2, APT3이 Y방향으로 일정한 간격을 두고 장척 방향을 따라서 서로 평행하게 마련되어 있다. 도 15에서는, 보조 패턴 APT3을 보조 패턴 APT2의 내측(전극부 E가 형성되는 기판(FS)의 중앙부측)에 배치했으므로, 보조 패턴 APT2와 접속하고 있는 배선 패턴 APTs(Y방향으로 연장하여 마련)는, 그대로는 보조 패턴 APT3과 단락된 상태로 되어 버린다.

이에, 도전 패턴 PT(예를 들면 동박)를 형성할 때는, 보조 패턴 APT1, APT2의 각각과, 그것에 접속되는 대극 전극 CE와 작용 전극 WE까지의 패턴을 제1 층 패턴으로서 기판(FS)상에 형성한 후, 보조 패턴 APT2로부터 Y방향으로 연장되는 배선 패턴상에서, 보조 패턴 APT3과 교차할 수 있는 영역에, 단락 방지를 위한 절연층 ISO를 형성한다. 도 15에서는 교차 영역에 부분적으로 절연층 ISO를 형성한 경우를 나타내지만, 보조 패턴 APT3이 형성되는 영역을 따라서, 장척 방향으로 연속하여 형성해도 된다. 절연층 ISO를 형성한 후, 제2 층 패턴으로서 보조 패턴 APT3과, 그것에 접속되는 참조 전극 RE까지의 패턴을 형성한다. 보조 패턴 APT3의 일부 또는 전부는, 절연층 ISO의 위에 형성된다.

도전 패턴 PT의 다른 형성 방법으로서는, 보조 패턴 APT2로부터 Y방향으로 연장되는 배선 패턴 APTs가 보조 패턴 APT3과 교차할 수 있는 영역에 대해서는, 보조 패턴 APT3을 부분적으로 컷한 삭제 부분 Np를 마련하고, 그 삭제 부분 Np를 포함하는 보조 패턴 APT3과 함께, 모든 보조 패턴 APT1, APT2와 도전 패턴 PT(전극 CE, WE, RE 등)를, 동박의 에칭 등에 의해서 함께 형성한다. 그 후, 삭제 부분 Np에 잉크젯 방식 등의 액적에 의해서 선택적으로 절연층 ISO를 도포하여 경화(硬化)시키고 나서, 보조 패턴 APT3의 삭제 부분 Np를 금속 나노 입자를 포함하는 잉크 등으로 연결하도록, 절연층 ISO를 걸쳐서 도포하여 건조시켜도 된다.

이렇게 하여 기판(FS)상에 형성된 3개의 보조 패턴 APT1~APT3의 각각은, 전극 롤러(18c)에 형성된 고리 모양의 전극 부재 19A, 19B, 19C와 접촉하고, 전해 도금을 위한 전압이 급전된다. 도 15에서는, 1개의 전극 롤러(18c)에, 보조 패턴 APT1~APT3의 각각의 Y방향 위치에 대응하여, 전극 부재 19A, 19B, 19C가 마련되어 있지만, 앞의 도 3, 도 4에서 설명한 것처럼, 1개의 도금 처리 장치(10) 내에서는 전극 부재 19A, 19B, 19C 중 어느 하나를 전원부로부터의 전압의 한쪽 극성에 접속하도록 해도 되고, 앞의 도 14에서 설명한 것처럼, 전극 부재 19A, 19B, 19C의 각각에, 개별로 플로팅 상태로 전원부로부터의 전압의 한쪽 극성을 접속하도록 해도 된다.

［제5 실시 형태］

도 16은 제5 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시 형태에서는, 도금 처리 장치의 전해 도금액을 저장하는 처리조(16A)가 XY면을 따라서 평평하고 얕은 형상을 하고 있고, 처리조(16A) 내에 마련되는 2개의 안내 롤러 R4＇, R5＇는, 처리조(16A)의 바닥면에 얕게 저장된 전해 도금액 LQ1에 하단부만이 침지하도록, 베어링부(16C) 등에 의해서 유지되고 있다. 서로 평행한 2개의 안내 롤러 R4＇, R5＇는, X방향(장척 방향)으로 일정한 간격이 되도록 배치되고, 2개의 안내 롤러 R4＇, R5＇의 하단부에서 지지되는 기판(FS)은 안내 롤러 R4＇, R5＇의 사이에서 X방향으로 소정의 텐션을 수반하여 길게 마련된다. 처리조(16A)의 바닥면에는 전극 플레이트(18b)가 마련되고, 기판(FS)은 도금 처리되는 면이 전극 플레이트(18b)측을 향하도록 배치된다. 기판(FS)의 도금 처리면(도 16의 -Z방향측의 면)은, 전해 도금액 LQ1 중에서 전극 플레이트(18b)와 일정한 간격이 되도록 유지된다.

처리조(16A)의 바닥면의 ＋Y방향측은, 상향(上向)의 경사면(16b)으로 되어 있고, 이 경사면(16b)을 따르도록, 기판(FS)의 Y방향(폭 방향)의 단부(FSe)가 들어 올려져, 단부(FSe)는 전해 도금액 LQ1과 접촉하지 않도록, 닙형의 안내 롤러 R20, R21에 의해서 유지된다. 닙형의 안내 롤러 R20, R21은, X방향으로 소정의 간격으로 복수 개 마련된다. 기판(FS)의 단부(FSe)에는, X방향으로 연속하여 형성되는 도 7과 같은 보조 패턴 APTa, 또는 도 15와 같은 보조 패턴 APT2, APT3이 형성되어 있다.

이상과 같이 구성함으로써, 기판(FS)은 단부(FSe)의 보조 패턴 APTa, 또는 보조 패턴 APT2, APT3이 전해 도금액 LQ1과 접촉하지 않은 상태로 X방향으로 반송되게 되어, 보조 패턴 APTa, 또는 보조 패턴 APT2, APT3에 대한 도금 처리가 방지된다. 보조 패턴 APTa, 또는 보조 패턴 APT2, APT3은, 전해 도금을 위한 통전의 안정성을 확보하기 위해서, 비교적 넓은 폭으로 형성된다. 이에 더하여, 보조 패턴 APTa, 또는 보조 패턴 APT2, APT3은, X방향으로 연속하여 형성되었기 때문에, 그 전체 길이는 공급 롤(FR1)에 감긴 기판(FS)의 전체 길이와 동등해진다. 그 때문에, 기판(FS)의 전부를 전해 도금액 LQ1 중에 침지시키면, 도금 처리해야 할 도전 패턴 부분(대극 전극 CE, 작용 전극 WE, 참조 전극 RE 등)에 대한 도금 석출량에 대해서, 보조 패턴 APTa, 또는 보조 패턴 APT2, APT3에 대한 도금 석출량이 상대적으로 많아져 버릴 가능성이 있다. 즉, 본래는 도금 처리가 불필요한 부분에도 대량의 도금 석출이 발생해 버려, 전해 도금액 LQ1이나 전극 플레이트(18b)의 소모를 앞당겨 버린다.

이에, 도 16과 같이, 기판(FS)의 단부(FSe)에 형성되는 보조 패턴 APTa, 또는 보조 패턴 APT2, APT3의 부분이, 전해 도금액 LQ1과 접촉하지 않도록 기판(FS)을 반송하면, 보조 패턴과 같은 불요 부분에 도금 처리가 방지되어, 전해 도금액 LQ1이나 전극 플레이트(18b)의 소모를 억제할 수 있다. 또한, 도 16과 같이, 기판(FS)을 2개의 안내 롤러 R4＇, R5＇의 사이에서 거의 수평으로 반송하는 처리조(16A)로 함으로써, 전해 도금액 LQ1의 사용량 자체를 저감시킬 수 있어, 전해 도금액 LQ1의 농도 관리나 온도 관리가 용이하게 된다고 한 이점도 있다. 또, 도 16의 구성에서는, 처리조(16A) 내더라도, 기판(FS)의 단부(FSe)는 대기 중에 유지되어 건조 상태이므로, 닙형의 안내 롤러 R20, R21의 일부를, 도 5의 (B)에 도시한 것 같은 집전 롤러 Eb로 하여, 직접, 보조 패턴 APTa, 또는 보조 패턴 APT2, APT3과 접촉하도록 해도 된다.

［제6 실시 형태］

도 17은 제6 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시 형태에서는, 장척 방향으로 보내지는 기판(FS)을 회전 드럼(DR)의 원통 모양의 외주면에 감아 반송하면서, 회전 드럼(DR)을 처리조(16B) 내의 전해 도금액 LQ1 중에 담금으로써 도금 처리를 행한다. 회전 드럼(DR)은 Y방향으로 연장된 회전 중심축 AXo로부터 일정 반경의 외주면을 가지고, 전해 도금액 LQ1에 의해서 침식당하지 않고, 도금 석출되지 않는 재료(비도전체)로 구성된다. 회전 드럼(DR)은 절연성 재료가 바람직하다. 본 실시 형태의 처리조(16B)의 저부의 내벽은, 회전 드럼(DR)의 외주면(기판(FS))과 일정한 간극을 유지하도록 우묵하게 패인 원통면 모양으로 형성되어 있다. 그 간극은 수mm~십수mm 정도로 설정할 수 있다. 회전 드럼(DR)의 상방부에서 기판(FS)의 반입측(전해 도금액 LQ1과 접촉하기 전의 위치)에는, 기판(FS)상의 보조 패턴과 접촉하는 전극 롤러(18c)가 마련되어 있다. 이 전극 롤러(18c)는, 앞의 도 3, 도 4, 도 15 등에 도시한 전극 롤러(18c)와 마찬가지의 것이다. 또한, 회전 드럼(DR)의 상방부에서 기판(FS)의 반출측에는, 기판(FS)의 반송 방향을 전환하는 안내 롤러 R22가 마련되어 있다. 본 실시 형태의 경우, 도금 처리되는 기판(FS)의 표면은, 회전 드럼(DR)과 접촉하고 있는 면의 반대측이 된다.

처리조(16B)의 내벽면 중, 전해 도금액 LQ1의 액면보다도 아래의 위치에는, 전극 플레이트(18b)와 마찬가지로 기능하는 복수의 막대 모양의 전극 바 18b1, 18b2, 18b3,···18b7, 18b8,···18b15, 18b16, 18b17(이하, 총칭할 때는 18bn이라고 함)이, 전해 도금액 LQ1과 접촉하도록 마련되어 있다. 도 17에서는, 17개의 전극 바(18bn)가, 패인 원통 모양의 내벽면의 원주 방향을 따라서 소정의 간격으로 배열된다. 전극 바(18bn)의 각각의 Y방향의 치수는, 기판(FS)의 폭(Y방향의 치수)에 대응하도록 설정된다. 이들 17개의 전극 바(18bn)의 각각에는, 전원부(18a)로부터의 한쪽 극성의 전위가 인가된다. 그렇지만, 전극 바(18bn)의 원주 방향의 위치(기판(FS)의 반송 방향을 따른 위치)에 따라서, 인가하는 전위(전극 롤러(18c)의 전극 부재(19)와 전극 바(18bn) 사이의 전압)를 상이하게 해도 된다. 예를 들면, 기판(FS)이 전해 도금액 LQ1 중을 회전 드럼(DR)의 외주면을 따라서 통과하는 동안의 전반(前半)의 전극 바 18b1, 18b2, 18b3,···18b7에 인가하는 전위는 낮게 하고, 후반(後半)의 전극 바 18b8,···18b15, 18b16, 18b17에 인가하는 전위는 조금 높게 설정해도 된다. 이와 같이, 기판(FS)이 전해 도금액 LQ1 중을 진행함에 따라, 전해 도금액 LQ1에 인가하는 도금용 전압을 낮은 상태에서 높은 상태로 함으로써, 기판(FS)상의 도전 패턴의 표면에 석출되는 도금층을 치밀하게 하면서, 도금 시간의 단축이나 도금층의 후막화(厚膜化)를 할 수 있다.

본 실시 형태에 있어서, 기판(FS)을 전해 도금액 LQ1에 접촉시키는 시간(도금 시간)을 TL, 기판(FS)의 반송 속도를 Vf라고 하고, 도 17에 도시하는 것처럼, 회전 드럼(DR)의 직경을 φ, 기판(FS)이 전해 도금액 LQ1과 접촉하기 시작하는 계면 위치를 Lxa, 기판(FS)이 전해 도금액 LQ1로부터 빠져나오기 시작하는 계면 위치를 Lxb, 계면 위치 Lxa와 중심축 AXo를 잇는 선분과 계면 위치 Lxb와 중심축 AXo를 잇는 선분이 이루는 접액 각도를 θL이라고 하면, 이하와 같은 관계가 된다.

TL=π·φ·(θL/360°)/Vf

이것으로부터, 회전 드럼(DR)의 직경 φ이 결정되어 있는 경우, 도금 시간 TL의 조정은 반송 속도 Vf를 바꾸는 것이 효과적이지만, 접액 각도 θL, 즉 전해 도금액 LQ1의 액량(계면 위치 Lxa, Lxb의 높이 위치)을 바꾸어도 된다.

이상, 본 실시 형태에 의하면, 처리조(16B)의 내벽이, 회전 드럼(DR)의 외주면으로부터 거의 일정한 간극을 이루도록 원통면 모양으로 형성되어 있기 때문에, 그 간극을 채우는 전해 도금액 LQ1의 용량은, 앞의 도 1과 같은 처리조(16)의 경우의 액량에 비해 상당히 적게 된다. 그 때문에, 전해 도금액 LQ1의 농도 관리, 온도 관리가 용이하게 됨과 아울러, 전해 도금액 LQ1을 리프레쉬시키기 위해서 순환시키거나, 바꿔 넣거나 하는 작업도 단시간에 끝난다. 또한 본 실시 형태에서는, 처리조(16B)의 내벽 중 회전 드럼(DR)의 Y방향의 단면(XZ면과 평행)과 대향하는 측벽부(XZ면과 평행)와, 회전 드럼(DR)의 단면의 간극도 상당히 작게 하는 것이 가능해지므로, 처리조(16B)에 저장되는 전해 도금액 LQ1의 양을 더욱 저감시킬 수 있다.

［제7 실시 형태］

도 18은 제7 실시 형태에 의한 도금 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내며, 상단은 도금 처리 장치를 XY면 내에서 본 평면도이고, 하단은 도금 처리 장치를 XZ면 내에서 본 정면도이다. 본 실시 형태는, 앞의 도 7, 도 8에서 설명한 제2 실시 형태와 마찬가지로, 기판(FS)상에 형성된 특정 패턴 부분과 전기적으로 도통하고 있는 도전 패턴의 일부를 절단부(50) 등으로 절단하여, 특정 패턴 부분으로의 도금을 방지하는 것이다. 이를 위해, 도 18에 도시하는 도금 처리 장치는, 기본적으로는 앞의 도 8과 마찬가지로 구성된다. 따라서, 도 18 중의 부재 중 도 8 중의 부재와 같은 것, 같은 기능을 달성하는 부재에 대한 상세 설명은 생략한다.

도 18의 도금 처리 장치에서 처리되는 기판(FS)에는, 앞의 도 2나 도 14에서 설명한 제1 보조 패턴 APT1과 제2 보조 패턴 APT2가, 기판(FS)의 폭 방향(Y방향)의 중앙 부분에 장척 방향을 따라서 평행하게 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 기판(FS)상의 제1 보조 패턴 APT1 보다도 ＋Y방향측에 형성되는 제1 특정 패턴 부분의 표면에 최종적으로 도금되는 금속(도전 재료)과, 제2 보조 패턴 APT2 보다도 -Y방향측에 형성되는 제2 특정 패턴 부분의 표면에 최종적으로 도금되는 금속(도전 재료)이 상이한 것으로 한다. 도 18의 도금 처리 장치는, 사전에 제1 보조 패턴 APT1과 제2 보조 패턴 APT2를 통해서, 기판(FS)의 ＋Y방향측의 절반의 영역에 형성되어 있는 제1 특정 패턴 부분(동박)의 표면과, 기판(FS)의 -Y방향측의 절반의 영역에 형성되어 있는 제2 특정 패턴 부분(동박)의 표면에 제1 금속에 의한 전기 도금이 실시된 기판(FS)을 반입하고, 제2 특정 패턴 부분의 표면(제1 금속에 의한 도금층) 위에만 제1 금속과 상이한 제2 금속에 의한 전기 도금을 행하도록 구성된다.

본 실시 형태에서는, 기판(FS)의 보조 패턴 APT1, APT2나 특정 패턴 부분이 형성되는 표면과 접촉하는 전극 롤러(18c)에는, Y방향의 중앙 부분에 고리 모양의 전극 부재(19)가 마련되고, 기판(FS)의 뒤편에는, 보조 패턴 APT1, APT2가 전극 롤러(18c)의 전극 부재(19)에 밀접하도록 프레스하는 아이들 롤러(idle roller,18e)가 마련된다. 기판(FS)의 이동 방향에 관해서 전극 롤러(18c)의 상류측에는, 기판(FS)상의 제1 보조 패턴 APT1의 일부를 절단하기 위한 절단부(50)가 마련된다. 절단부(50)는 본 실시 형태에서는 기판(FS)에 관통공(HW)을 형성하는 기계적인 천공기, 또는 레이저 천공기로 한다. 관통공(HW)은 제1 보조 패턴 APT1의 Y방향의 선폭보다도 큰 치수의 원형 모양(혹은 사각형 모양)으로 형성된다. 절단부(50)는 제1 보조 패턴 APT1(또는 제2 보조 패턴 APT2)을 포함하는 기판(FS)상의 국소적인 영역을 확대 촬상하는 촬상 소자(CCD나 CMOS)를 탑재하고, Y방향으로 연장된 안내 레일(직선 가이드 부재)를 따라서 기판(FS)의 폭 방향(Y방향)으로 직선 이동 가능하게 마련된다. 또한, 촬상 소자로 촬상되는 제1 보조 패턴 APT1(또는 제2 보조 패턴 APT2)의 이미지가 촬상 시야 내에서 Y방향의 소정 위치가 되도록, 절단부(50)의 Y방향의 위치를 조정하는 서보 구동 기구를 마련해도 된다. 그러한 서보 구동 기구를 마련함으로써, 기판(FS)이 장척 방향으로 이동하면서, 폭 방향(Y방향)으로 크게 사행(蛇行)한다고 하더라도, 그 Y방향의 위치 변화에 추종하여 절단부(50)를 위치 결정할 수 있으므로, 관통공(HW)과 제1 보조 패턴 APT1의 Y방향의 위치 관계를 항상 정밀하게 설정할 수 있다. 따라서, 제1 보조 패턴 APT1의 Y방향의 선폭을 수mm 이하, 예를 들면 1mm정도로 하고, 관통공(HW)의 Y방향의 치수를 2mm 정도로 작게 할 수 있다. 또, 절단부(50)에 의한 관통공(HW)의 형성은, 기판(FS)이 장척 방향으로 일정한 거리 Lxp 만큼 이동할 때마다 행해져, 기판(FS)의 이면측에는 관통공(HW)를 형성했을 때 발생하는 부스러기나 가스 등을 수집하는 집진부(50a)가 마련된다.

본 실시 형태에 있어서, 절단부(50)를 통과한 기판(FS)은, 도 8의 구성과 마찬가지로, 안내 롤러 R2, 전극 롤러(18c), 안내 롤러 R3의 순으로 통과하여, 처리조(16)에 저장된 제2 금속 도금용의 제2 전해 도금액 LQ1에 담가진다. 그때, 전극 롤러(18c)의 고리 모양의 전극 부재(19)와 제1 보조 패턴 APT1(또는 제2 보조 패턴 APT2)이 접촉하고 있는 기판(FS)상의 장척 방향의 위치를 Pca라고 하고, 기판(FS)이 전해 도금액 LQ1에 잠기기 시작하는 기판(FS)상의 장척 방향의 위치를 Pcb로 했을 때, 기판(FS)의 장척 방향에 관한 위치 Pca와 위치 Pcb의 거리 Lxs는, 관통공(HW)의 장척 방향의 간격 거리 Lxp 보다도 길어지도록 설정된다. 환언하면, 위치 Pca와 위치 Pcb의 거리 Lxs는 도금 처리 장치의 구성상에서 결정되어 있으므로, 절단부(50)는 기판(FS)이 장척 방향으로 거리 Lxs 보다도 짧은 거리 Lxp만큼 이동할 때마다 관통공(HW)을 형성하도록 제어된다. 이와 같이, 거리 Lxp와 거리 Lxs를, Lxs＞Lxp의 관계로 해 두면, 기판(FS)상의 위치 Pca와 위치 Pcb의 사이에는, 반드시 하나 이상의 관통공(HW)(제1 보조 패턴 APT1의 절단 지점)이 존재하고, 제2 전해 도금액 LQ1 중에서는 제1 보조 패턴 APT1을 통해서 제1 특정 패턴부로의 전압 공급이 행해지지 않게 된다. 한편, 전극 롤러(18c)의 고리 모양의 전극 부재(19)와 접촉하고 있는 제2 보조 패턴 APT2로부터는, 제2 전해 도금액 LQ1에 잠겨 있는 제2 특정 패턴부에 전압 공급되므로, 제2 특정 패턴부의 표면(제1 금속에 의한 도금층)상에는, 제2 금속에 의한 도금층이 생성되게 된다.

이상, 본 실시 형태에서는, 앞의 제2 실시 형태와 같이, 복수의 특정 패턴의 각각과 보조 패턴 APT1 또는 APT2를 접속하는 배선 패턴의 부분을 컷 할 필요가 없고, 기판(FS)의 장척 방향을 따라서 직선적으로 연장된 1개의 보조 패턴 APT1을, 소정의 간격 거리 Lxp로 절단(천공)하는 것만으로 되므로, 절단부(50)의 구성이 매우 간소하게 되어, 장치 코스트가 삭감된다. 또한, 거리 Lxs 중에 적어도 1개의 관통공(HW)을 형성하면 되므로, 관통공(HW)의 총수를 줄일 수 있어, 기판(FS)에 생기는 내부 응력의 저감에 의해 기판(FS)의 변형이 억제된다. 본 실시 형태와 같이, 기판(FS)의 장척 방향을 따라서 직선적으로 연장된 보조 패턴 APT1(또는 보조 패턴 APT2)을 소정의 간격 거리 Lxp로 절단하는 방식은, 앞의 도 2의 제2 실시 형태에도 마찬가지로 적용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 도 18과 같이 전극 롤러(18c)(및 전극 부재(19))는, 기판(FS)의 반송 방향에 관해서, 전해 도금액 LQ1이 저장되는 접액부로서의 처리조(16)의 상류측의 대기 중에서, 기판(FS)의 보조 패턴 APT1(또는 보조 패턴 APT2)과 접촉하도록 배치했지만, 처리조(16)의 하류측의 대기 중에서 보조 패턴 APT1(또는 보조 패턴 APT2)과 접촉하도록 배치해도 된다. 또, 도 18과 같이, 전극 롤러(18c)(및 전극 부재(19))가 처리조(16)(전해 도금액 LQ1)의 상류측에 위치하는 경우, 절단부(50)는 전극 롤러(18c)(및 전극 부재(19))와 처리조(16)의 사이에 배치해도 된다. 또한, 전극 롤러(18c)(및 전극 부재(19))가 처리조(16)(전해 도금액 LQ1)의 하류측에 배치되는 경우, 절단부(50)는 전극 롤러(18c)(및 전극 부재(19))와 처리조(16)의 사이에 배치된다.

Claims (5)

1. 포장(圃場)의 토양 중에 매설되어, 토양의 환경 특성을 계측하는 센서 장치로서,
   가요성의 장척의 시트 기판의 장척 방향을 따른 이산적인 복수 위치의 각각에 형성되고, 상기 토양과 접촉 가능한 한 쌍의 전극을 가지는 전극부와,
   상기 전극부마다 마련되고, 상기 전극부의 상기 한 쌍의 전극 간의 전기적인 변화를 검출하는 검출 회로부와,
   상기 검출 회로부의 각각에 전원 전압을 공급하기 위해서, 상기 시트 기판 상에 상기 장척 방향을 따라서 연속하여 형성되는 도전성의 전원 라인부와,
   상기 검출 회로부의 각각에서 검출된 검출 신호를 전송하기 위해서, 상기 시트 기판 상에 상기 장척 방향을 따라서 연속하여 형성되는 도전성의 신호 전송 라인부와,
   상기 시트 기판의 장척 방향을 따른 이산적인 위치의 각각에, 수분을 통과시키는 필름에 의해서 형성되는 밀폐 공간이 마련되고, 상기 포장에 심어지는 종자를 상기 밀폐 공간의 각각에 유지하는 수납 포켓,
   을 구비하는 센서 장치.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 필름은 셀룰로오스 필름, 상기 종자의 치수보다도 세밀한 메쉬를 가진 천, 수용성의 종이 중 어느 것으로 구성되는,
   센서 장치.
3. 청구항 2에 있어서,
   상기 검출 회로부는 상기 한 쌍의 전극 간의 전기적인 변화에 기초하여, 상기 전극이 접촉되는 상기 토양의 산성도, 수분량, 전기 도전도 중 어느 것을 계측하는,
   센서 장치.
4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 시트 기판의 장척 방향을 따른 이산적인 위치의 각각에 마련되는 상기 검출 회로부의 각각은 온도 센서를 포함하고,
   상기 종자가 매설되는 상기 토양 중의 온도의 변화를 계측하는,
   센서 장치.
5. 청구항 4에 있어서,
   상기 검출 회로부는 아날로그/디지털 변환 회로(ADC), 시리얼 인터페이스 회로, 메모리부를 내장한 저소비 전력의 1칩 마이크로컴퓨터를 포함하는,
   센서 장치.

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