CN104593840A - 电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法 - Google Patents

电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104593840A
CN104593840A CN201510025802.2A CN201510025802A CN104593840A CN 104593840 A CN104593840 A CN 104593840A CN 201510025802 A CN201510025802 A CN 201510025802A CN 104593840 A CN104593840 A CN 104593840A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ito conductive
conductive substrates
film
film material
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510025802.2A
Other languages
English (en)
Inventor
张晓伟
李敬
汪尔康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS
Original Assignee
Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS filed Critical Changchun Institute of Applied Chemistry of CAS
Priority to CN201510025802.2A priority Critical patent/CN104593840A/zh
Publication of CN104593840A publication Critical patent/CN104593840A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas

Abstract

本发明公开了一种电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法，属于薄膜材料制备技术领域。解决了现有技术中图案化薄膜材料的制备方法成本高、耗时长，只能制备刚性电极，ITO导电基底无法重复利用的技术问题。该方法先采用电化学沉积方法在图案化ITO导电基底上沉积薄膜；然后将沉积有薄膜的ITO导电基底冲洗干净并吹干，用胶布粘贴在沉积有薄膜的ITO导电基底的表面，刮平后，揭下，得到图案化的薄膜材料。该方法制备速度快、精度极高，短至数十秒即可以制备线宽精度为2微米的薄膜材料；且不消耗图案化ITO导电基底，ITO导电基底可以重复利用，完全没有废料产生，成本极低。

Description

电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法
技术领域
本发明属于薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法。
背景技术
现有技术中，图案化薄膜的制备方法是先采用光刻、刻蚀等工艺将ITO导电基底进行图案化，然后在图案化ITO导电基底上采用真空蒸镀、丝网印刷或者电沉积法制备薄膜；但是真空镀膜设备昂贵、体积庞大、对环境要求高、耗时长，且耗材成本高，无法进行大规膜工业生产；丝网印刷虽然成本低廉，但是在精度方面存在很大限制，只能做到百微米级别的精度；电沉积法虽然仪器设备和操作都很简单，但是，电沉积法制备的薄膜材料与ITO导电基底一体成型，只能用作刚性电极，限制了薄膜材料的应用，且图案化薄膜的制备依托于光刻、刻蚀工艺制备的图案化ITO导电基底，光刻、刻蚀工艺设备昂贵、耗时长、成本高，而由于In资源的枯竭，ITO导电基底成本又居高不下，ITO导电基底无法重复使用，造成制备成本过高，所以这类消耗型的生产方法的大规模应用前景将越发暗淡。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术中图案化薄膜材料的制备方法成本高、耗时长，只能制备刚性电极，ITO导电基底无法重复利用的技术问题，提供一种电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法。
本发明解决上述技术问题采用的技术方案如下。
电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法，包括以下步骤：
步骤一、采用电化学沉积方法在图案化ITO导电基底上沉积薄膜；
步骤二、将步骤一得到的沉积有薄膜的ITO导电基底冲洗干净并吹干，用胶布粘贴在沉积有薄膜的ITO导电基底的表面，刮平后，揭下，得到图案化的薄膜材料。
进一步的，当胶布为双面胶时，所述步骤二中，揭下后，将双面胶的另一面粘贴在刚性基底上，得到图案化的薄膜材料。
进一步的，所述步骤二中，揭下后，对薄膜边缘裁剪，得到图案化的薄膜材料。
进一步的，所述步骤一的过程为：以图案化ITO导电基底为工作电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有镀液的电化学检测池中后，分别连接在电化学工作站上，设置技术选项和参数，在图案化ITO导电基底的图案表面沉积一层薄膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明的图案化薄膜材料的制备方法采用电化学沉积法在图案化ITO导电基底上制备薄膜材料，利用沉积在图案化ITO导电基底图案表面的薄膜材料的机械稳定性非常差的特点，采用胶布转移薄膜材料，无需大型高真空镀膜、光刻设备和超净环境即可构建复杂电极体系，制备速度快、精度极高，短至数十秒即可以制备线宽精度为微米级的薄膜材料；且该方法不消耗图案化ITO导电基底，图案化ITO导电基底可以重复利用，完全没有废料产生，成本极低，制备的柔性薄膜材料可应用于电化学分析、光电催化等重要领域，也可以构建超低成本电化学传感器和可穿戴传感器等。
附图说明
图1-5均为本发明图案化ITO导电基底的图案形状示意图；
图6为本发明实施例1制备的金薄膜的光学显微镜照片；
图7为本发明实施例2制备的金薄膜的光学显微镜照片；
图8为本发明实施例3制备的金薄膜的光学显微镜照片；
图9为本发明实施例4制备的金薄膜的光学显微镜照片；
图10为本发明实施例5制备的金薄膜的光学显微镜照片；
图11为本发明实施例6制备的金薄膜的光学显微镜照片；
图12为本发明实施例12中不同浓度的汞(II)的盐酸缓冲溶液氧化峰电流与汞(II)浓度的线性关系曲线；
图13为实施例12中本发明的柔性金电极在含有不同浓度的汞(II)的盐酸缓冲溶液中的微分脉冲溶出伏安曲线，即不同浓度汞的氧化峰曲线；
图14为实施例5制备的柔性金薄膜；
图15为实施例8制备的刚性铜薄膜。
具体实施方式
为了进一步了解本发明，下面结合具体实施方式对本发明的优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点而不是对本发明专利要求的限制。
本发明电化学沉积制备图案化的薄膜材料的方法，包括以下步骤：
步骤一、采用电化学沉积方法在图案化ITO导电基底的图案表面沉积薄膜；
其中，图案化ITO导电基底可以商购也可以实验室自制，实验室制备方法为本领域技术人员熟知技术，可以根据光刻-湿法刻蚀工艺(匀胶、软烘、光刻、后烘、显影、硬烘、刻蚀)得到；
沉积的薄膜一般为金属膜，也可以为其他电活性薄膜材料；
采用电化学沉积法在图案化ITO导电基底上沉积薄膜的方法也为领域技术人员公知常识，本发明提供一种沉积方法，但是不限于此，过程为：以图案化ITO导电基底为工作电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有电解质溶液(镀液)的电化学检测池中，分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)，选择电化学工作站的工作方法，即技术选项，设置参数，在图案化ITO导电基底的图案表面沉积一层均匀的薄膜；
上述参比电极和对电极可采用本领域技术人员熟知电极，如采用银-氯化银为参比电极，铂为对电极，镀液根据待镀制薄膜进行选择，如氯金酸溶液、硝酸银溶液、硫酸铜溶液等，工作参数根据领域熟知技术常规选择即可；如镀制金薄膜时，可以采用银-氯化银为参比电极，铂为对电极，镀液为氯金酸溶液，浓度可以为20mmol/L，电化学工作站选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s，终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数为15-300，可以通过调整脉冲数来制备不同厚度的连续性薄膜；运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面沉积一层均匀的金膜；
步骤二、将步骤一得到的沉积有薄膜的ITO导电基底冲洗干净并吹干，用胶布粘贴在沉积有薄膜的ITO导电基底的表面，刮平后，沉积的薄膜粘贴在胶布上，将粘贴有薄膜的胶布从ITO导电基底上揭下，对未粘贴薄膜的多余胶布修剪，或者对薄膜的边缘进行修剪，得到图案化的薄膜材料；
其中，胶布可以为单面胶或者双面胶，商购即可，如导电胶布、市售透明胶或者3M公司生产的PET双面胶；当需要薄膜材料为柔性电极时，可以采用单面胶作为胶布，刮平后，揭下，得到的图案化的薄膜材料即为柔性材料，可以直接作为柔性电极应用，电极末端可以用导电胶布贴好作为触点，导电胶布可以为镍导电胶布；当需要薄膜材料为刚性电极时，可以采用双面胶为胶布，刮平后，揭下，将双面胶的另一面粘贴在刚性基底(如玻璃)上，还可以将双面胶的另一面粘贴在待应用的区域上，直接使用；
可以用手刮平也可以用橡皮刮平，不留气泡；
本发明采用胶布将薄膜材料从图案化ITO导电基底上粘贴下，制备的薄膜材料的精度不受影响，精度能够与图案化ITO导电基底的精度保持持一致，本发明实施例由于实验室模版限制，线宽最低精度做到2微米，但是更低精度也能够实现，而且图案化ITO导电基底还可继续用于下一次的电沉积，重复使用，降低成本。
本发明可以用于制备任何图案的薄膜材料，相应的，只要ITO导电基底预先用刻蚀工艺制备出所需图案即可，比如双极电极阵列图案，如图4所示；或者其他电极图案，例如图案a，如图1所示，由一个顶端正方形、两个底端正方形和四组线条组成，其中，两组线条的顶端与顶端正方形的同一条边连接，另外两组线条的底端分别与一个底端正方形的一条边连接，且每组与顶端正方形连接的线条与一组与底端正方形连接的线条形成交叉线条，四组线条皆平行；如图案b，如图2所示，由一个顶端正方形、一个底端正方形和四组线条组成，其中，两组线条的顶端与顶端正方形的同一条边连接，另外两组线条的底端与底端正方形的同一条边连接，且每组与顶端正方形连接的线条与一组与底端正方形连接的线条形成交叉线条，四组线条皆平行；图案c，如图3所示，由两个L形和一组线条组成，两个L形的竖边相邻且平行，线条的两端分别固定在两个L形的竖边上；如图案d，如图5所示，由一个正方形、一个圆形和一个长方形组成，长方形的两条短边分别与正方形的一条边、圆形的边缘连接；上述图案中，每组线条由多根平行线条组成。
以下结合附图1-13和实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有20mmol/l的氯金酸溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数35，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的金膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图1所示，图案叉指线条线宽为2微米，由于线宽为微米级，图1中省略部分叉指线条；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将透明胶贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底的表面，用橡皮刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底上的图案相同的图案化柔性金薄膜(柔性金电极)，电极末端用镍导电胶布贴好作为触点。
用光学显微镜观察所得到的柔性金薄膜的线宽，如图6所示，线宽为2微米。
实施例2
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有20mmol/l的氯金酸溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数15，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的金膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图2所示，图案叉指线条线宽为4微米，由于线宽为微米级，图2中省略部分叉指线条；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将透明胶贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用橡皮刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底上的图案相同的图案化柔性金薄膜。
用光学显微镜观察所得到的柔性金薄膜的线宽，如图7所示，线宽为4微米。
实施例3
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有20mmol/l的氯金酸溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数150，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的金膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图2所示，图案叉指线条线宽为6微米；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将透明胶贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用橡皮刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底上的图案相同的图案化柔性金薄膜。
用光学显微镜观察所得到的柔性金薄膜的线宽，如图8所示，线宽为6微米。
实施例4
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有20mmol/l的氯金酸溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数100，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的金膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图2所示，图案叉指线条线宽为8微米；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将透明胶贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用橡皮刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底上的图案相同的图案化柔性金薄膜。
用光学显微镜观察所得到的柔性金薄膜的线宽，如图8所示，线宽为8微米。
实施例5
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有20mmol/l的氯金酸溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数35，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的金膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案叉指线条线宽为10微米，图案如图1所示；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将透明胶贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底图案表面，用橡皮刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底上的图案相同的图案化柔性金薄膜，如图14所示。
用光学显微镜观察所得到的柔性金薄膜的线宽，如图10所示，线宽为10微米。
实施例6
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有20mmol/l的氯金酸溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数300，运行扫描在图案化ITO导电基底图案的图案表面电沉积一层均匀的金膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图3所示，图案叉指线条线宽为60微米，由于线宽为微米级，图3中省略部分叉指线条；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将透明胶贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用橡皮刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底的图案相同的图案化柔性金薄膜。
用光学显微镜观察所得到的柔性金薄膜的线宽，如图11所示，线宽为60微米。
实施例7
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有20mmol/l的氯金酸溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数100，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的金膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，如图4所示，线宽为1.5mm，图案为双极电极阵列；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将透明胶贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用手刮平后，揭下，即得与ITO导电基底的图案相同的柔性金双极电极阵列薄膜。
实施例8
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有100mmol/l硫酸铜溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择电流时间曲线法，参数设置为：电位为-0.5V，时间30s，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的铜膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图5所示，线宽为2mm；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将双面胶的一面贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用手刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底的图案相同的柔性铜薄膜，将双面胶的另一面粘贴到载玻片上，得到与ITO导电基底的图案相同的刚性铜薄膜，如图15所示，方便应用。
实施例9
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有10mmmol/l的氯钯酸水溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择阶跃脉冲法，参数设置为：初始电位0.5V，脉冲时间0.1s；终止电位-1V，脉冲时间1s，脉冲数35，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的钯膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图5所示，线宽为2mm；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将双面胶的一面贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用手刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底的图案相同的柔性钯薄膜，将双面胶的另一面粘贴到载玻片上，得到与ITO导电基底的图案相同的刚性钯薄膜，方便应用。
实施例10
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有2.5mmmol/l铁氰化钾、2mmmol/l三氯化铁和1mmmol/l盐酸的普鲁士蓝沉积液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择电流时间曲线法，参数设置为：电位0.4V，时间400s，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的普鲁士蓝膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图5所示，线宽为2mm；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将双面胶的一面贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用手刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底的图案相同的柔性铁薄膜，将双面胶的另一面粘贴到载玻片上，得到与ITO导电基底的图案相同的刚性铁薄膜，方便应用。
实施例11
步骤一、以图案化ITO导电基底为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有100mmol/l的硝酸银溶液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上(电化学工作站与计算机相连)；电化学工作站的技术选项中选择电流时间曲线，参数设置为：电位-0.3V，时间50s，运行扫描在图案化ITO导电基底的图案表面电沉积一层均匀的银膜；
所述图案化ITO导电基底采用光刻-湿法刻蚀工艺得到，图案如图5所示，线宽为2mm；
步骤二、将沉积有薄膜的图案化ITO导电基底冲洗干净并吹干，然后将双面胶的一面贴到沉积有薄膜的图案化ITO导电基底表面，用手刮平后，揭下，裁剪，即得与ITO导电基底的图案相同的柔性银薄膜，将双面胶的另一面粘贴到载玻片上，得到与ITO导电基底的图案相同的刚性银薄膜，方便应用。
实施例12
步骤一、在电化学检测池中放一粒磁力搅拌子，置于磁力搅拌器上，以实施例1制备的柔性金电极为工作电极，银-氯化银为参比电极，铂为对电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有某浓度汞离子的5mL 0.1mol/l盐酸缓冲液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站(电化学工作站与计算机连接)上，在电化学工作站的技术选项中选择微分脉冲伏安法，扫描电位范围设置为-0.2V～0.8V，运行电化学工作站进行扫描，在-0.2V电位沉积，搅拌条件下沉积120s，静置10s，富集的汞在扫描过程中在柔性金电极表面发生氧化反应，通过计算机监测其电化学响应；数据采集完成后在0.9V恒电位清除电极表面富集的金属汞；
上述步骤一共进行11次，11次实验中，其他条件相同，只改变汞离子浓度，11次实验中，汞离子浓度分别为0μg L-1，1μg L-1，3μg L-1，5μg L-1，8μgL-1，10μg L-1，30μg L-1，50μg L-1，80μg L-1，100μg L-1，150μg L-1；
步骤二、将数据导出txt文本后采用Origin作图，将氧化峰电流对汞(II)溶液浓度作图，可得到线性关系的标准曲线，如图12所示，图中，ΔI表示氧化峰电流，[Hg(II)]表示汞溶液浓度，R表示拟合值。绘制不同浓度汞的氧化峰曲线，得到氧化峰电流与汞离子浓度的对应关系，如图13所示，图中，曲线从下至上分别为浓度为1μg L-1，3μg L-1，5μg L-1，8μg L-1，10μg L-1，30μg L-1，50μg L-1，80μg L-1，100μg L-1，150μg L-1的汞的氧化峰曲线。从图12和13可以看出，本发明制备的薄膜电极可以和大型电极一样使用，具有良好的稳定性。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (5)

1.电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法，包括：
步骤一、采用电化学沉积方法在图案化ITO导电基底上沉积薄膜；
其特征在于，还包括：
步骤二、将步骤一得到的沉积有薄膜的ITO导电基底冲洗干净并吹干，用胶布粘贴在沉积有薄膜的ITO导电基底的表面，刮平后，揭下，得到图案化的薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法，其特征在于，所述胶布为单面胶或者双面胶。
3.根据权利要求2所述的电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法，其特征在于，当胶布为双面胶时，所述步骤二中，揭下后，将双面胶的另一面粘贴在刚性基底上，得到图案化的薄膜材料。
4.根据权利要求1所述的电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法，其特征在于，所述步骤二中，揭下后，对薄膜边缘裁剪，得到图案化的薄膜材料。
5.根据权利要求1所述的电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法，其特征在于，所述步骤一的过程为：以图案化ITO导电基底为工作电极，将工作电极、参比电极和对电极共同插入含有镀液的电化学检测池中，并分别连接在电化学工作站上，设置技术选项和参数，在图案化ITO导电基底的图案表面沉积一层薄膜。
CN201510025802.2A 2015-01-19 2015-01-19 电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法 Pending CN104593840A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510025802.2A CN104593840A (zh) 2015-01-19 2015-01-19 电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510025802.2A CN104593840A (zh) 2015-01-19 2015-01-19 电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104593840A true CN104593840A (zh) 2015-05-06

Family

ID=53119883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510025802.2A Pending CN104593840A (zh) 2015-01-19 2015-01-19 电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104593840A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106226364A (zh) * 2016-07-06 2016-12-14 北京师范大学 一种可视化双极性电极检测装置及其应用
CN108682651A (zh) * 2018-05-23 2018-10-19 大连大学 一种基于树枝状纳米银结构的柔性电极及其制备方法
CN113804627A (zh) * 2021-09-14 2021-12-17 广东中图半导体科技股份有限公司 一种半导体光电化学传感器及其制备方法
US11513094B2 (en) 2018-10-11 2022-11-29 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Electrochemical detection electrode and manufacturing method thereof, electrochemical detection apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4519877A (en) * 1982-12-06 1985-05-28 Fine Particle Technology Corporation Formation of narrow conductive paths on a substrate
CN101560289A (zh) * 2009-05-11 2009-10-21 江西科技师范学院 在导电玻璃表面直接制备聚(1,1′-联萘)及其烷氧基衍生物薄膜的方法
CN101944562A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 湘能华磊光电股份有限公司 一种去除led芯片电极的方法
CN102522323A (zh) * 2011-12-28 2012-06-27 华南理工大学 一种ito图案化方法
CN102583354A (zh) * 2012-03-09 2012-07-18 合肥工业大学 一种电镀沉积法制备石墨烯膜的方法
CN102969393A (zh) * 2012-10-19 2013-03-13 华南理工大学 一种基底上ito薄膜图案化方法
CN103412694A (zh) * 2013-07-18 2013-11-27 向火平 实现电容屏阻抗降低的方法及电容屏

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4519877A (en) * 1982-12-06 1985-05-28 Fine Particle Technology Corporation Formation of narrow conductive paths on a substrate
CN101560289A (zh) * 2009-05-11 2009-10-21 江西科技师范学院 在导电玻璃表面直接制备聚(1,1′-联萘)及其烷氧基衍生物薄膜的方法
CN101944562A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 湘能华磊光电股份有限公司 一种去除led芯片电极的方法
CN102522323A (zh) * 2011-12-28 2012-06-27 华南理工大学 一种ito图案化方法
CN102583354A (zh) * 2012-03-09 2012-07-18 合肥工业大学 一种电镀沉积法制备石墨烯膜的方法
CN102969393A (zh) * 2012-10-19 2013-03-13 华南理工大学 一种基底上ito薄膜图案化方法
CN103412694A (zh) * 2013-07-18 2013-11-27 向火平 实现电容屏阻抗降低的方法及电容屏

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106226364A (zh) * 2016-07-06 2016-12-14 北京师范大学 一种可视化双极性电极检测装置及其应用
CN108682651A (zh) * 2018-05-23 2018-10-19 大连大学 一种基于树枝状纳米银结构的柔性电极及其制备方法
US11513094B2 (en) 2018-10-11 2022-11-29 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Electrochemical detection electrode and manufacturing method thereof, electrochemical detection apparatus
CN113804627A (zh) * 2021-09-14 2021-12-17 广东中图半导体科技股份有限公司 一种半导体光电化学传感器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109668948B (zh) 一种碳基及金属基电极阵列的低成本高精度制备方法
CN104593840A (zh) 电化学沉积制备图案化薄膜材料的方法
Tortorich et al. Inkjet-printed carbon nanotube electrodes with low sheet resistance for electrochemical sensor applications
Figueiredo-Filho et al. Inexpensive and disposable copper mini-sensor modified with bismuth for lead and cadmium determination using square-wave anodic stripping voltammetry
CN107202823B (zh) 一种喷墨印刷制备微电极阵列传感器的方法及其应用
dos Santos et al. A thermostated electrochemical flow cell with a coupled bismuth film electrode for square-wave anodic stripping voltammetric determination of cadmium (II) and lead (II) in natural, wastewater and tap water samples
CN101344501B (zh) 一种丝网印刷电极、制备工艺及其应用
CN105928996A (zh) 氧化石墨烯与聚苯胺修饰电极的制备及组装的电化学检测装置
Zhu et al. A gold nanoparticle-modified indium tin oxide microelectrode for in-channel amperometric detection in dual-channel microchip electrophoresis
FR2898138B1 (fr) Procede de structuration electrochimique d'un materiau conducteur ou semi-conducteur, et dispositif de mise en oeuvre.
CN104911643A (zh) 氯化胆碱类离子液体中由氧化铁电沉积纳米铁的方法
CN113030209B (zh) 一种快速可控制备柔性石墨烯电极的方法及应用
CN109298048A (zh) 一种铜基传感器芯片及其制备方法和检测方法
de Santana et al. Evaluation of using xurography as a new technique for the fabrication of disposable gold electrodes with highly reproducible areas
CN101105469A (zh) 一种纳米环-盘电极的制备方法
Sheffer et al. Scanning electrochemical imprinting microscopy: A tool for surface patterning
CN103043597A (zh) 以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法
CN110186965A (zh) CuO-聚赖氨酸/石墨烯电极及其制备方法和应用
CN107860804A (zh) 一种纳米级普鲁士蓝薄膜的选择性电化学沉积方法
CN112795963B (zh) 一种简易快速制备超微电极阵列的方法
WO2017159125A1 (ja) 電極チップ
CN105755507A (zh) 一种纳米铜的电化学制备方法
CN108046210A (zh) 一种仿生磁性微纳米机器人制备方法
CN111323365A (zh) 一种三电极腐蚀传感器及其制作方法
CN209766120U (zh) 一种印刷电子制作设备及其流水线

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150506

RJ01 Rejection of invention patent application after publication