JP2007119820A

JP2007119820A - 配線基板の製造方法及びめっき装置

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Publication number: JP2007119820A
Application number: JP2005311474A
Authority: JP
Inventors: Satoru Akatsuka; 悟赤塚; Tsutomu Abe; 務阿部; Makio Nishizawa; 巻夫西澤; Yuichi Kiyozawa; 裕一清沢
Original assignee: Seiko Epson Corp; Yamato Electric Ind Co Ltd
Current assignee: Seiko Epson Corp; Yamato Electric Ind Co Ltd
Priority date: 2005-10-26
Filing date: 2005-10-26
Publication date: 2007-05-17

Abstract

【課題】信頼性が高くかつ環境に配慮した配線基板を効率よく形成することが可能な配線基板の製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、表面の少なくとも一部がスズ層２４である配線パターン２０と陽極４２とをめっき槽４５内で対向させ、めっき槽４５の両端に配置された陰極を配線パターン２０に接触させて電解めっきを行い、スズ層２４の少なくとも一部を覆うように鉛フリーはんだ層３０を形成することを含む。配線パターン２０と陽極４２との間隔を０．０２〜０．１ｍとする。陰極４４間の距離を２ｍ以下とする。配線パターン２０に流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように電解めっき工程を行う。
【選択図】図３

Description

本発明は、配線基板の製造方法及びめっき装置に関する。

現在、環境対策として、鉛フリーはんだ（従来に較べて鉛の含有量が極端に少ないはんだ、あるいは、まったく鉛を含まないはんだ）の利用が期待されている。電解めっき法によって、配線パターンに、鉛フリーはんだを安定して形成することができれば、信頼性が高く、かつ、環境に配慮した配線基板を、効率よく製造することができる。

本発明の目的は、信頼性が高くかつ環境に配慮した配線基板を効率よく形成することが可能な配線基板の製造方法及びめっき装置を提供することにある。
特開２００４−８８０９２号公報

（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、表面の少なくとも一部がスズ層である配線パターンと陽極とをめっき槽内で対向させ、前記めっき槽の両端に配置された陰極を前記配線パターンに接触させて電解めっきを行い、前記スズ層の少なくとも一部を覆うように鉛フリーはんだ層を形成することを含み、
前記配線パターンと前記陽極との間隔を０．０２〜０．１ｍとし、前記陰極間の距離を２ｍ以下として、前記配線パターンに流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように前記電解めっきを行う。本発明によると、均質な鉛フリーはんだ層を、効率よく形成することができる。そのため、信頼性の高い配線基板を、効率よく製造することができる。
（２）本発明に係る配線基板の製造方法は、表面の少なくとも一部がスズ層である配線パターンと陽極とをめっき槽内で対向させ、陰極を前記配線パターンに接触させて電解めっきを行い、前記スズ層の少なくとも一部を覆うように鉛フリーはんだ層を形成することを含み、
前記めっき槽の長さは２ｍ以下であり、
前記配線パターンと前記陽極との間隔を０．０２〜０．１ｍとし、前記配線パターンに流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように前記電解めっきを行う。本発明によると、均質な鉛フリーはんだ層を、効率よく形成することができる。そのため、信頼性の高い配線基板を、効率よく製造することができる。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記電流密度が４００〜８００Ａ／ｍ^２になるように前記電解めっきを行ってもよい。
（４）この配線基板の製造方法において、
前記配線パターンと前記陽極との間隔を０．０４〜０．０８ｍとして前記電解めっきを行ってもよい。
（５）この配線基板の製造方法において、
１つの前記めっき槽を利用して、前記鉛フリーはんだ層を、厚みが１〜３μｍとなるように形成してもよい。
（６）この配線基板の製造方法において、
複数の前記めっき槽を利用して、前記鉛フリーはんだ層を、厚みが３〜１０μｍとなるように形成してもよい。
（７）本発明に係るめっき装置は、めっき槽と、
前記めっき槽の内側に配置されてなり、０．０２〜０．１ｍの間隔を開けてめっき対象物と対向する陽極と、
前記めっき槽の両端に、間隔が２ｍ以下になるように配置された、前記めっき対象物と接触する陰極と、
前記めっき対象物に流れる電流の電流密度を２００〜１０００Ａ／ｍ^２に制御することが可能なコントローラと、
を含む。本発明によると、均質で信頼性の高いはんだ層を、効率よく形成することができる。
（８）本発明に係るめっき装置は、長さが２ｍ以下のめっき槽と、
前記めっき槽の内側に配置されてなり、０．０２〜０．１ｍの間隔を開けてめっき対象物と対向する陽極と、
前記めっき対象物と接触する１つの陰極と、
前記めっき対象物に流れる電流の電流密度を２００〜１０００Ａ／ｍ^２に制御することが可能なコントローラと、
を含む。本発明によると、均質で信頼性の高いはんだ層を、効率よく形成することができる。

以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の実施の形態及び変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。

（第１の実施の形態）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図１〜図５は、この配線基板の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図１及び図２に示す、ベース基板１０を用意することを含んでいてもよい。ここで、図１はベース基板１０の上視図で、図２は図１のII−II線断面の一部拡大図である。ベース基板１０の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板１０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。あるいは、ベース基板１０は、テープ基板であってもよい。ベース基板１０は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。また、ベース基板１０の外形も特に限定されるものではない。また、ベース基板１０の材料についても特に限定されるものではない。ベース基板１０は、有機系又は無機系のいずれの材料で形成されていてもよく、これらの複合構造をなしていてもよい。ベース基板１０として、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムを使用してもよい。あるいは、ベース基板１０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成されたベース基板１０として、例えばセラミックス基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。ベース基板１０は、貫通穴１４を有していてもよい。貫通穴１４の平面形状は特に限定されるものではないが、例えば矩形をなしていてもよい。貫通穴１４を、デバイスホールと称してもよい。ただし、貫通穴を有しない基板を指して、ベース基板１０としてもよい。

ベース基板１０には、樹脂層１６が形成されていてもよい。樹脂層１６の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの樹脂を利用してもよい。樹脂層１６を、ソルダーレジストと称してもよい。樹脂層１６の外形は特に限定されるものではない。樹脂層１６は、後述する配線パターン２０を部分的に覆うように形成されていてもよい。

ベース基板１０には、図１及び図２に示すように、配線パターン２０が形成されてなる。配線パターン２０は、その表面の少なくとも一部がスズ層２４によって構成されてなる。配線パターン２０は、その表面のすべてが、スズ層２４によって形成されていてもよい。配線パターン２０の構造は特に限定されないが、例えば、導電パターン２２にスズ層２４が形成された構造をなしていてもよい（図２参照）。スズ層２４を形成する方法は特に限定されない。例えば、導電パターン２２にめっき処理を行い、スズ層２４を形成してもよい。このとき、該めっき処理工程は、電解めっき処理及び無電解めっき処理のいずれを適用してもよい。また、該めっき処理工程は、樹脂層１６を形成する工程の前に行ってもよい。そして、導電パターン２２を形成する方法も、特に限定されるものではない。例えば、銅箔をパターニングして、導電パターン２２を形成してもよい。なお、導電パターン２２の材料は特に限定されず、例えば銅によって形成されていてもよい。導電パターン２２は、図２に示すように、ベース基板１０に直接形成されていてもよい。あるいは、導電パターン２２は、図示しない接着剤を介して、ベース基板１０に設けられていてもよい。ただし、配線パターン２０の構成はこれに限られるものではない。配線パターン２０は、その表面の一部のみがスズ層２４によって構成されていてもよい。例えば、配線パターン２０のうち、樹脂層１６から露出した領域のみが、スズ層２４によって構成されていてもよい。そして、配線パターン２０は、めっきリードを含んでいてもよい（図示せず）。該めっきリードによって、すべての配線パターン２０が電気的に接続されていてもよい。

本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、配線パターン２０に電解めっき処理を行って、スズ層２４の少なくとも一部を覆うように、鉛フリーはんだ層３０を形成することを含む（図５参照）。ここで、「鉛フリーはんだ」とは、従来に比べ、鉛の含有量が極端に少ないはんだ、あるいは、鉛をまったく含まないはんだを指していてもよい。例えば、鉛フリーはんだ層３０は、スズ−ビスマス合金はんだ層であってもよい。あるいは、鉛フリーはんだ層３０は、銀、金、亜鉛、銅、ビスマスのうちのいずれか１つあるいは複数の金属とスズとの合金からなるはんだ層であってもよい。すなわち、鉛フリーはんだ層３０は、鉛を含まないスズ合金はんだであってもよい。

本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、図３及び図４に示すように、配線パターン２０（ベース基板１０における配線パターン２０が形成された面）と陽極４２とをめっき槽４５内で対向させ、めっき槽４５の両端に配置された陰極４４を配線パターン２０に接触させて電解めっきを行う。本工程は、配線パターン２０（ベース基板１０）と陽極４２との間隔を０．０２〜０．１ｍとして行う。本工程は、また、陰極４４間の距離を２ｍ以下として行う。そして、本工程では、配線パターン２０に流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように電解めっき処理を行う。例えば電源装置４８の出力を制御することによって、電流密度を調整してもよい。本工程では、配線パターン２０を流れる電流の電流密度が、めっき槽４５の内側で、常に、２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように電解めっき処理を行ってもよい。なお、図３及び図４は、本工程を説明するための図である。ここで、図３はめっき装置１００の斜視図であり、図４はめっき装置１００の断面図である。

鉛フリーはんだ層３０を形成する領域は、特に限定されるものではない。例えば、鉛フリーはんだ層３０は、配線パターン２０における樹脂層１６からの露出部のすべてを覆うように形成してもよい。あるいは、鉛フリーはんだ層３０は、配線パターン２０の樹脂層１６からの露出部のうち、デバイスホール１４付近の領域以外の部分（例えば、他の配線基板との電気的な接続に利用される部分）のみに形成してもよい。また、鉛フリーはんだ層３０は、配線パターン２０の樹脂層１６からの露出部のうち、デバイスホール１４付近の領域（例えば、半導体チップを搭載するための領域）のみに形成してもよい。めっき槽４５の内側でのめっき液４０の液面の高さを制御することで、鉛フリーはんだ層３０を形成する領域を制限してもよい（図４参照）。

本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、１つのめっき層４５を利用して、鉛フリーはんだ層３０を、１〜３μｍの厚みに形成してもよい。鉛フリーはんだ層３０の厚みは、電流密度や、配線パターン２０と陽極４２との間隔、めっき液の濃度や、ベース基板１０の運搬速度などを制御することで調整してもよい。

以上の工程によって、あるいは、上述の電解めっき工程を複数回行うことによって、配線基板１を形成してもよい（図５参照）。信頼性の高い配線基板を形成するためには、はんだ層は均一な厚みに形成することが好ましい。すなわち、配線パターンの一部のみに大量のはんだ金属が析出したり、はんだ層の厚みが部分的に変化したり、あるいはソルダーレジスト（樹脂層１６）上にはんだ金属が析出したりすると、配線基板の信頼性を著しく低下させる。特に、鉛フリーはんだは、その挙動の制御が困難であり、均一な厚みのはんだ層を容易に形成することは難しかった。しかし、上記の条件下で電解めっき処理を行うことによって、鉛フリーはんだ層３０を、均一な厚みに形成することができる。そのため、本方法によると、信頼性の高い配線基板を、効率よく製造することが可能になる。なお、配線パターン２０を流れる電流の電流密度が、めっき槽４５の内側で、常に、２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように電解めっき処理を行ってもよい。また、配線パターン２０に流れる電流の電流密度が４００〜８００Ａ／ｍ^２になるように、めっき処理工程を行ってもよい。あるいは、配線パターン２０と陽極４２との間隔を０．０４〜０．０８ｍとしてめっき処理工程を行ってもよい。これによると、さらに信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

鉛フリーはんだ層３０を形成する工程は、めっき装置１００を利用して行ってもよい（図３及び図４参照）。以下、めっき装置１００について説明する。

めっき装置１００は、めっき槽４５を含む。めっき槽４５の側壁にはスリットが形成されていてもよい。このとき、めっき装置１００は、めっき対象物（配線パターン２０）が、スリットの内側を通るように運搬される構造をなしていてもよい。また、めっき槽４５は、めっき対象物を挟んで、側壁の高さが異なる構造をなしていてもよい（図４参照）。

めっき装置１００は、図示しない液面センサ及びめっき液供給ポンプを含んでいてもよい。該液面センサによってめっき液４０の液面の高さ情報を取得し、液面が所定の高さになるように、ポンプの出力を制御してもよい。

めっき装置１００は、また、陽極４２を含む。陽極４２は、めっき槽４５の内側に配置されてなる。陽極４２は、０．０２〜０．１ｍの間隔をあけてめっき対象物（配線パターン２０）と対向するように配置されてなる。陽極４２は、少なくとも一部がめっき液４０に浸るように配置されていてもよい（図４参照）。すなわち、陽極４２は、めっき液を介して、めっき対象物（配線パターン２０）と対向するように配置されていてもよい。

めっき装置１００は、また、陰極４４を含む。陰極４４は、めっき槽４５の両端に配置されてなる。陰極４４は、間隔が２ｍ以下になるように配置されてなる。なお、陰極４４は、めっき槽４５の外側に配置されていてもよい。このとき、めっき槽４５の長さは、２ｍ未満であってもよい。陰極４４は、めっき対象物（配線パターン２０）と接触するように配置されてなる。

めっき装置１００は、電源装置４８を含んでいてもよい。電源装置４８によって、めっき対象物に直流電流を流して、電解めっき工程を行ってもよい。そして、めっき装置１００は、めっき対象物（配線パターン２０）に流れる電流の電流密度を２００〜１０００Ａ／ｍ^２に制御することが可能なコントローラを含む。コントローラは、電源装置４８の内部に形成されていてもよい。すなわち、コントローラは、電源装置４８と一体的に形成されていてもよい。

めっき装置１００は、さらに、第２のめっき槽４６を含んでいてもよい。このとき、めっき装置１００は、めっき槽４５から漏れ出しためっき液４０を第２のめっき槽４６で回収し、めっき液供給ポンプ（図示せず）によってめっき槽４５に供給する構造をなしていてもよい。なお、めっき槽４５と第２のめっき槽４６とをあわせて、めっき槽と称してもよい。このとき、陰極４４は、第２のめっき槽４６の外側に配置されていてもよい。陰極４４は、また、第２のめっき槽４６のそれぞれの端部に配置されていてもよい。

めっき装置１００は、ベース基板１０からめっき液４０を取り除くためのめっき液除去機構（例えば圧縮空気噴出機構）を含んでいてもよい。めっき液除去機構は、めっき槽４５と第２のめっき槽４６との間に配置されていてもよい。これにより、ベース基板１０に付着しためっき液４０が第２のめっき槽４６の外に持ち出されることを防止してもよい。

めっき装置１００は、さらに、陰極４４とめっき対象物との通電性を高めるための機構を備えていてもよい。該機構は、例えば、純水滴下機構であってもよい。これにより、陰極４４とめっき対象物との接点を濡らして、両者の通電性を高めてもよい。

めっき装置１００は、また、めっき対象物に流れる電流の電流密度を測るための測定装置を含んでいてもよい。該測定装置によって、めっき槽４５の内側で、めっき対象物に流れる電流の電流密度を測定してもよい。そして、当該測定値に基づいて、電源装置４８の出力を調整し、あるいは、コントローラを制御して、電解めっき処理工程を行ってもよい。

上述のめっき装置１００を利用すれば、鉛フリーはんだ層３０を均一な厚みに形成することができる。すなわち、めっき装置１００によると、信頼性の高い配線基板（鉛フリーはんだ層３０）を効率よく形成することが可能になる。

（変形例）
図６は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。

本変形例に係る配線基板の製造方法では、図６に示すように、複数のめっき槽４７を利用して、鉛フリーはんだ層３０を形成してもよい。これにより、鉛フリーはんだ層３０を、厚みが３〜１０μｍとなるように形成してもよい。このとき、図６に示すように、２つのめっき槽４７を利用して、鉛フリーはんだ層を形成してもよい。あるいは、３つ以上のめっき槽４７を利用して、鉛フリーはんだ層を形成してもよい（図示せず）。そして、それぞれのめっき槽４７には、同じ組成のめっき液が設けられていてもよい。なお、めっき槽４７は、図６に示すように、周囲が一定の高さになるように形成されていてもよい。

本変形例に係る配線基板の製造方法では、鉛フリーはんだ層を形成する工程を、めっき装置２００を利用して行ってもよい。めっき装置２００は、複数（２つあるいはそれ以上）のめっき槽４７を含む。このとき、めっき槽４７は、それぞれ、直列に配列されていてもよい。めっき装置２００は、陰極４４を含む。陰極４４は、めっき槽４７の端部に配置されていてもよい。陰極４４は、２つのめっき槽４７の間に配置されていてもよい。そして、めっき装置２００は、それぞれのめっき槽４７の外側に配置された第２のめっき槽を含んでいてもよい（図示せず）。

（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図７は、この配線基板の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、表面の少なくとも一部がスズ層である配線パターンと陽極４２とをめっき槽４９内で対向させ、陰極４４を配線パターンに接触させて電解めっきを行い、スズ層の少なくとも一部を覆うように鉛フリーはんだ層を形成することを含む。ここで、めっき槽４９の長さは２ｍ以下である。陰極４４は、めっき槽４９の外側に配置されていてもよい。このとき、図７に示すように、陰極４４は、めっき槽４９の一方の端部に設けられていてもよい。本工程は、配線パターン２０（ベース基板１０）と陽極４２との間隔を０．０２〜０．１ｍとして行う。そして、本工程では、配線パターン２０に流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように電解めっき処理を行う。このとき、めっき槽４９の内側のすべての領域で、配線パターン２０に流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように電解めっき処理を行ってもよい。上記条件で電解めっき処理を行うことで、均一な厚みの鉛フリーはんだ層を形成することができるため、信頼性の高い配線基板を効率よく形成することが可能になる。

本工程は、めっき装置３００を利用して行ってもよい。めっき装置３００は、長さが１ｍ以下のめっき槽４９を含む。めっき装置３００は、めっき槽４９の内側に配置されてなり、０．０２〜０．１ｍの間隔をあけてめっき対象物と対向する陽極４２を含む。めっき装置３００は、めっき対象物と接触する１つの陰極４４を含む。陰極４４は、めっき槽４９の外側に配置されていてもよい。陰極４４は、また、めっき槽４９の一方の端部に配置されていてもよい。めっき装置３００は、めっき対象物に流れる電流の電流密度を２００〜１０００Ａ／ｍ^２に制御することが可能なコントローラを含む。コントローラは、電源装置の内部に設けられていてもよい。めっき装置３００を利用することで、均質な鉛フリーはんだ層を、効率よく製造することが可能になる。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。図６は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。

符号の説明

１０…ベース基板、１４…貫通穴、１６…樹脂層、２０…配線パターン、２２…導電パターン、２４…スズ層、３０…鉛フリーはんだ層、４０…めっき液、４２…陽極、４４…陰極、４５…めっき槽、４６…第２のめっき槽、４７…めっき槽、４８…電源装置、４９…めっき槽、１００…めっき装置、２００…めっき装置、３００…めっき装置

Claims

表面の少なくとも一部がスズ層である配線パターンと陽極とをめっき槽内で対向させ、前記めっき槽の両端に配置された陰極を前記配線パターンに接触させて電解めっきを行い、前記スズ層の少なくとも一部を覆うように鉛フリーはんだ層を形成することを含み、
前記配線パターンと前記陽極との間隔を０．０２〜０．１ｍとし、前記陰極間の距離を２ｍ以下として、前記配線パターンに流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように前記電解めっきを行う配線基板の製造方法。
表面の少なくとも一部がスズ層である配線パターンと陽極とをめっき槽内で対向させ、陰極を前記配線パターンに接触させて電解めっきを行い、前記スズ層の少なくとも一部を覆うように鉛フリーはんだ層を形成することを含み、
前記めっき槽の長さは２ｍ以下であり、
前記配線パターンと前記陽極との間隔を０．０２〜０．１ｍとし、前記配線パターンに流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように前記電解めっきを行う配線基板の製造方法。
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記電流密度が４００〜８００Ａ／ｍ^２になるように前記電解めっきを行う配線基板の製造方法。
請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記配線パターンと前記陽極との間隔を０．０４〜０．０８ｍとして前記電解めっきを行う配線基板の製造方法。
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
１つの前記めっき槽を利用して、前記鉛フリーはんだ層を、厚みが１〜３μｍとなるように形成する配線基板の製造方法。
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
複数の前記めっき槽を利用して、前記鉛フリーはんだ層を、厚みが３〜１０μｍとなるように形成する配線基板の製造方法。
めっき槽と、
前記めっき槽の内側に配置されてなり、０．０２〜０．１ｍの間隔を開けてめっき対象物と対向する陽極と、
前記めっき槽の両端に、間隔が２ｍ以下になるように配置された、前記めっき対象物と接触する陰極と、
前記めっき対象物に流れる電流の電流密度を２００〜１０００Ａ／ｍ^２に制御することが可能なコントローラと、
を含むめっき装置。
長さが２ｍ以下のめっき槽と、
前記めっき槽の内側に配置されてなり、０．０２〜０．１ｍの間隔を開けてめっき対象物と対向する陽極と、
前記めっき対象物と接触する１つの陰極と、
前記めっき対象物に流れる電流の電流密度を２００〜１０００Ａ／ｍ^２に制御することが可能なコントローラと、
を含むめっき装置。