JPWO2017169777A1 - 炭化珪素半導体装置および電力変換器 - Google Patents
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Abstract
Description
(構成)
図1は、本実施の形態における電力変換器300の構成を示す模式図である。電力変換器300は、少なくとも1つの半導体素子301と、ゲート駆動部302と、異常信号処理部303とを有している。半導体素子301は、ゲート電圧によってスイッチングされる素子である。ゲート駆動部302は、半導体素子301へゲート電圧を供する回路である。異常信号処理部303は、半導体素子301に関する異常信号を受け付ける。異常信号は、典型的には、半導体素子301に異常電流が流れたことを表す。異常電流は、例えば、電力変換器300に接続された負荷における短絡の発生によって生じ得る。異常信号に応じて、異常信号処理部303は、ゲート電圧が半導体素子301をオフにするものとなるようにゲート駆動部302を制御する。具体的には、異常信号処理部303は、異常信号に応じた制御信号をゲート駆動部302へ出力する。典型的には、異常信号処理部303は、半導体素子301に異常電流が流れたことを表す異常信号を受け付けたときに、ゲート電圧が半導体素子301をオフにするものとなるようにゲート駆動部302を制御するための制御信号を、ゲート駆動部302へ出力する。
MOSFET71Aの製造方法について、図4〜図9を参照しつつ、以下に説明する。なお図4〜図9の各々の視野は図2の視野に対応している。
図10は、MOSFET71Aのウェル領域20およびソース抵抗領域12bがイオン注入法で形成された場合における、ウェル領域20および実効抵抗部分12b1の不純物濃度分布の数値計算結果を示すグラフである。グラフの横軸は、エピタキシャル基板61の表面(図2における上面)からの深さである。ここでは、n型不純物として窒素(N)が用いられ、p型不純物としてアルミニューム(Al)が用いられた例を示している。実線は、ウェル領域20に注入されたp型不純物(Al)の濃度分布(アクセプタ濃度NA)を示している。破線は、ソース抵抗領域12bにおけるn型不純物(N)の濃度分布(ドナー濃度ND)を示している。ドナー濃度NDがアクセプタ濃度NAよりも高い領域が、ソース抵抗領域12bに相当する。図11は、ドナー濃度NDとアクセプタ濃度NAとの差分の絶対値の分布(|Nd−Na|分布)を示している。
本実施の形態によれば、MOSFET71A(図2)のオン動作時または負荷短絡時において、ドレイン電極43からドリフト層2に流れ込むドレイン電流(オン電流)は、JFET領域11、ウェル領域20の表面部(チャネル領域)、ソース抵抗領域12b、およびソースコンタクト領域12aを順に通って、ソース電極41のオーミック電極40へと流れ抜ける。電流経路の一部をなすソース抵抗領域12bのうち、ソース抵抗として、電流経路の抵抗により大きな影響を及ぼすのは、重ね合わせ部分12b2ではなく実効抵抗部分12b1である。なぜならばゲート電極35にオン動作のための電位が印加されているときには、ゲート絶縁膜30と重ね合わせ部分12b2との界面にキャリアが蓄積される一方で、ゲート絶縁膜30と実効抵抗部分12b1との界面にはこのような蓄積が生じないためである。よって、負荷短絡時のドレイン飽和電流の低減を目的として、ソース抵抗領域12b全体のシート抵抗が高くなるように、ソース抵抗領域12bの形成工程(図6)の条件が選択される。これにより、電流経路のうち実効抵抗部分12b1(図2)を通る部分が、負荷短絡時のドレインの飽和電流の大きさを調整するソース抵抗として機能する。ソース抵抗を高くすることで、ドレイン飽和電流を抑制することができる。
はじめに、MOSFETの平面レイアウトの変形例について説明する。ユニットセル10(図3)は四角形の平面構造を有するが、ユニットセルの形状は任意でよい。例えば六角形や八角形、円形などでもよい。またMOSFETは、複数のユニットセル10からなるセル構造を有していなくてもよく、代わりに、図14に示すような櫛形構造10Mを有していてもよい。一般的に、櫛形構造はセル構造に比べて形成が容易である利点がある。一方、セル構造は櫛形構造に比べて、チャネル幅密度を高めることで素子のオン抵抗を低くしやすい利点がある。
(構成)
図17は、本実施の形態におけるMOSFET72(炭化珪素半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。MOSFET72は、ソース抵抗領域12b(図2:実施の形態1)に代わり、ソース抵抗領域12bEを有している。ソース抵抗領域12b(図2)はドリフト層2の内部にイオン注入によって形成された領域であるが、ソース抵抗領域12bEは、ドリフト層2の表面(言い換えればエピタキシャル基板61の表面)上に形成されたエピタキシャル成長層により構成されている。ソース抵抗領域12bEは、実効抵抗部分12b1および重ね合わせ部分12b2(図2)のそれぞれに対応するものとして、実効抵抗部分12b1E(第2部分)および重ね合わせ部分12b2E(第1部分)を有している。
MOSFET72の製造方法について、以下に説明する。
室温以上では、実効抵抗部分12b1(図2:実施の形態1)および実効抵抗部分12b1E(図17)のいずれにおいても、伝導キャリアの移動度は格子散乱の影響を大きく受ける。具体的には、高温になるほど伝導キャリアの移動度が小さくなる。
(構成)
図19は、本実施の形態におけるMOSFET73A(炭化珪素半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。MOSFET73Aはトレンチ型のものである。なお以下の説明において、上述したプレーナ型のMOSFET71A(図2:実施の形態1)のものと同一または対応する要素については、同一の符号を付し、その要素についての共通の特徴についてはその説明を繰り返さない。
次に、MOSFET73Aの製造方法について、以下に説明する。
MOSFET73A(図19)においては、上述したようにゲート電極35の幅が広く、この場合、トレンチ110のエッジ部、またはトレンチ110底のMOS構造の部分に、高電界が生じやすくなる。一方、MOSFET73B(図23Aおよび図23B)のようにゲート電極35がトレンチ110の側壁のみに形成されていれば、上記の高電界の問題を回避できる。この場合は、ソース抵抗領域12bのうち、ゲート電極35に最も近い領域近傍が重ね合わせ部分12b2となり、それ以外の領域が実効抵抗部分12b1となる。重ね合わせ部分12b2は、ゲート電極35に印加された電圧によってキャリアが誘起されることでシート抵抗が減少する、微小な領域である。重ね合わせ部分12b2は、ゲート絶縁膜30のみを介してゲート電極35に水平方向(厚み方向に垂直な方向)において対向している。MOSFET73Bの製造方法においては、図24に示すように、ゲート電極35がトレンチ110の内部(側壁部)のみに残存させられ、ゲート電極35の全体がトレンチ110内に埋め込まれる。この場合、ゲート電極35をセルフアラインプロセス(枠付けエッチング)で形成することができる。これによりマスク枚数を削減することができる。よって製造コストを低減することができる。
(構成)
図27は、本実施の形態におけるMOSFET74A(炭化珪素半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。なお以下の説明において、上述したMOSFET73A(図19:実施の形態3)のものと同一または対応する要素については、同一の符号を付し、その要素についての共通の特徴についてはその説明を繰り返さない。
MOSFET74Aの製造方法について、以下に説明する。
本実施の形態によっても、実施の形態3とほぼ同様の効果が得られる。さらに本実施の形態によれば、ソースコンタクト領域12aおよび実効抵抗部分12b1が縦方向に並ぶ。このため、ユニットセルの横方向のセルピッチを縮小することにより、チャネル密度を高めることができる。よって単位面積当たりのオン抵抗をより低減することができる。
図30を参照して、変形例のMOSFET74Bにおいては、MOSFET73D(図26Aおよび図26B:実施の形態3の変形例)と同様に、ソース領域12は高濃度領域12cを有している。本変形例においては、ソース抵抗領域12bと高濃度領域12cとは、互いに横方向に隣接している。本変形例によれば、MOSFET73Dと同様の効果も得られる。
(構成)
図31は、本実施の形態におけるSBD(Schottky-Barrier Diode)内蔵MOSFET95A(炭化珪素半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。なお以下の説明において、上述したMOSFET71A(図2:実施の形態1)のものと同一または対応する要素については、同一の符号を付し、その要素についての共通の特徴についてはその説明を繰り返さない。
MOSFET95Aの製造方法について、以下に説明する。
図34を参照して、変形例のSBD内蔵MOSFET95Bにおいては、ソース領域12は、MOSFET71B(図15:実施の形態1の変形例)と同様の高濃度領域12cを含む。本変形例によれば、MOSFET71Bと同様の効果も得られる。
(構成)
図35は、本実施の形態におけるSBD内蔵MOSFET96A(炭化珪素半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。SBD内蔵MOSFET96Aはトレンチ型のものである。なお以下の説明において、上述したプレーナ型のSBD内蔵MOSFET95A(図31:実施の形態1)のものと同一または対応する要素については、同一の符号を付し、その要素についての共通の特徴についてはその説明を繰り返さない。
次に、SBD内蔵MOSFET96Aの製造方法について、以下に説明する。
図37Aおよび図37Bを参照して、変形例のSBD内蔵MOSFET96Bにおいては、MOSFET73B(図23Aおよび図23B:実施の形態3の変形例)と同様に、ゲート電極35が、トレンチ110の内部(側壁部)のみに残存させられており、ゲート電極35の全体がトレンチ110内に埋め込まれている。本変形例によれば、MOSFET73Bと同様の効果も得られる。
(構成)
図42は、本実施の形態におけるMOSFET75(炭化珪素半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。MOSFET71A(図2:実施の形態1)と異なり、MOSFET75においては、ソース電極41のオーミック電極40の下方において、エピタキシャル基板61の表面(図中、上面)にリセス16が設けられている。その結果、ソースコンタクト領域12aの表面深さ(ソースコンタクト領域12aの上面の深さ位置)は、ソース抵抗領域12bの重ね合わせ部分12b2の表面深さ(重ね合わせ部分12b2の上面の深さ位置)よりも深い。
MOSFET75の製造方法について、以下に説明する。
本実施の形態によれば、実効抵抗領域12b1における電流経路は、半導体基板1aの水平方向(図42における横方向)とは異なる方向に沿った部分を含む。具体的には、実効抵抗領域12b1における電流経路は、主に、半導体基板1aのおおよそ深さ方向(図42におけるおおよそ縦方向)に沿った部分からなる。これにより、実効抵抗領域12b1を設けたことに起因しての、MOSFETのチップ面積の増大を、抑制することができる。よって、MOSFETのピッチ長増大を抑えつつ、実効抵抗領域12b1の電流経路長を十分に確保することができる。
(構成)
図45は、本実施の形態におけるMOSFET76(炭化珪素半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。図46は、図45のMOSFET76のユニットセル10のレイアウトを概略的に示す平面図である。MOSFET76においては、実効抵抗領域12b1の領域長さLN0が0.1μm以上1.0μm以下程度の非常に微小な寸法である。また、ソース抵抗領域12bは平面視において、第1の方向(図46における縦方向)に沿った第1の電流経路と、第1の方向と異なる第2の方向(図46における横方向)に沿った第2の電流経路とを含む。第1の電流経路の長さL1と第2の電流経路の長さL2とは互いに等しい。ここで「等しい」とは、誤差がフォトリソグラフィの重ね合わせ精度未満であるほどに寸法が同等であることを意味する。図46の例においては、ユニットセル10の全体において(言い換えればMOSFET76の全体において)、電流経路としてのソース抵抗領域12bの寸法が、実質的に等しくされている。
MOSFET76の製造方法について、以下に説明する。
本実施の形態によれば、ソース抵抗領域12bを形成するための注入マスクとして、ソースコンタクト領域12aを形成するための注入マスク100bが、その開口が拡張されつつ利用される。これにより、ソース抵抗領域12bを形成するために新たな注入マスクが形成される場合に比して、工程が簡素化される。よって製造コストを低減することができる。
Claims (11)
- ゲート電圧によってスイッチングされる少なくとも1つの半導体素子(301)と、
前記少なくとも1つの半導体素子(301)へ前記ゲート電圧を供するゲート駆動部(302)と、
前記少なくとも1つの半導体素子(301)に関する異常信号を受け付け、前記異常信号に応じて、前記ゲート電圧が前記少なくとも1つの半導体素子(301)をオフにするものとなるように前記ゲート駆動部(302)を制御する異常信号処理部(303)と、
を備え、
前記少なくとも1つの半導体素子(301)は炭化珪素半導体装置(71A、71B、72、73A〜73D、74A、74B、75、76、91、95A、95B、96A〜96F)を含み、前記炭化珪素半導体装置(71A、71B、72、73A〜73D、74A、74B、75、76、91、95A、95B、96A〜96F)は、
第1導電型のドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)上に設けられた、前記第1導電型と異なる第2導電型のウェル領域(20)と、
前記ウェル領域(20)上に設けられ、前記ウェル領域(20)によって前記ドリフト層(2)から隔てられた前記第1導電型のソース領域(12)と、
ゲート絶縁膜(30)を介して、前記ソース領域(12)、前記ウェル領域(20)および前記ドリフト層(2)に跨って延在するゲート電極(35)と、
前記ソース領域(12)に接続するソース電極(41)と、
前記ソース電極(41)から少なくとも前記ドリフト層(2)によって隔てられ、前記ドリフト層(2)に電気的に接続されたドレイン電極(43)と、
を含み、
前記ウェル領域(20)は、前記ドリフト層(2)および前記ソース領域(12)に挟まれ、かつ前記ゲート絶縁膜(30)を介して前記ゲート電極(35)に対向するチャネル領域を有し、
前記ソース領域(12)は、
前記ウェル領域(20)内の表層部に形成され、前記ソース電極(41)に接続するソースコンタクト領域(12a)と、
前記チャネル領域に隣接し、前記ソースコンタクト領域(12a)が有する前記第1導電型の不純物濃度よりも低い前記第1導電型の不純物濃度を有するソース抵抗領域(12b,12bE)と、
を含み、
前記ソース抵抗領域(12b,12bE)は、前記ゲート絶縁膜(30)のみを介して前記ゲート電極(35)に対向している第1部分(12b2,12b2E)と、前記ゲート絶縁膜(30)のみを介して前記ゲート電極(35)に対向してはいない第2部分(12b1,12b1E)とを有し、
前記ソース抵抗領域(12b,12bE)と前記ゲート絶縁膜(30)との界面上での、前記第1部分(12b2,12b2E)および前記第2部分(12b1,12b1E)の境界位置と前記ソースコンタクト領域(12a)および前記第2部分(12b1,12b1E)の境界位置との間の最短経路の長さ(LN0)と、前記ソース抵抗領域(12b,12bE)の前記第2部分(12b1,12b1E)の室温でのシート抵抗との積は、1.0×102Ωμm以上1.0×106Ωμm以下である、
電力変換器(300)。 - 前記ソース抵抗領域(12b,12bE)の前記第2部分(12b1,12b1E)の領域長さ(LN0)は、前記チャネル領域の領域長さ(LCH)よりも大きい、請求項1に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソース抵抗領域(12b,12bE)は、前記ドリフト層(2)の表面上に形成されたエピタキシャル成長層により構成されている、請求項1または請求項2に記載の電力変換器(300)。
- 前記ドリフト層(2)の表面上に設けられ、前記ソース電極(41)と電気的に接続されるショットキー電極(52)をさらに備える、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソース領域(12)は、前記ソース抵抗領域(12b,12bE)と前記ウェル領域(20)との間に設けられ、前記ソース抵抗領域(12b,12bE)が有する前記第1導電型の不純物濃度よりも1桁以上高い前記第1導電型の不純物濃度を有する高濃度領域を含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソース抵抗領域(12b,12bE)の前記第2部分(12b1,12b1E)の領域長さ(LN0)は、0.1μm以上5.0μm以下である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソース抵抗領域(12b,12bE)は、0.1μm以上3.0μm以下の厚みを有する、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソース抵抗領域(12b,12bE)は、前記ソースコンタクト領域(12a)が有する前記第1導電型の不純物濃度よりも1桁以上低い前記第1導電型の不純物濃度を有する、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソース抵抗領域(12b,12bE)の室温でのシート抵抗は、1.0×103Ω以上1.0×106Ω以下である、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソースコンタクト領域(12a)の表面深さは、前記ソース抵抗領域(12b,12bE)の前記第1部分(12b2,12b2E)の表面深さよりも深い、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
- 前記ソース抵抗領域(12b,12bE)は平面視において、第1の方向に沿った第1の電流経路と、前記第1の方向と異なる第2の方向に沿った第2の電流経路とを含み、前記第1の電流経路の長さ(L1)と前記第2の電流経路の長さ(L2)とが互いに等しい、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の電力変換器(300)。
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