JPWO2017169587A1 - マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 350
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 296
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 118
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 118
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 204
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 131
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 52
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 51
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 45
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 33
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 23
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 27
- 238000013518 transcription Methods 0.000 abstract 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 101
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 92
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 73
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 31
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 22
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 20
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 18
- -1 silicide nitride Chemical class 0.000 description 16
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 14
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 10
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 10
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 7
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 6
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 6
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004158 TaO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Description
(構成1)
透光性基板上にパターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、
前記薄膜は、金属、ケイ素および窒素を含有する材料からなり、
前記薄膜における前記金属の含有量[原子%]を前記金属およびケイ素の合計含有量[原子%]で除した比率は、15%以下であり、
前記薄膜に対し、二次イオン質量分析法による分析を行ってケイ素の二次イオン強度の深さ方向の分布を取得したとき、前記薄膜の透光性基板とは反対側の表層領域における前記ケイ素の二次イオン強度の最大ピーク[Counts/sec]を、前記薄膜における前記透光性基板の界面との近傍領域と前記表層領域を除いた領域である内部領域の深さ方向における前記ケイ素の二次イオン強度の平均値[Counts/sec]で除した比率が1.6以下である
ことを特徴とするマスクブランク。
前記表層領域は、前記薄膜における前記透光性基板とは反対側の表面から前記透光性基板側に向かって10nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
前記近傍領域は、前記透光性基板との界面から前記表層領域側に向かって20nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする構成1または2に記載のマスクブランク。
前記ケイ素の二次イオン強度の深さ方向の分布は、一次イオン種がCs+、一次加速電圧が2.0kV、一次イオンの照射領域を一辺が120μmである四角形の内側領域とした測定条件で取得されるものであることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
前記薄膜に対し、二次イオン質量分析法による分析を行って酸素の二次イオン強度の深さ方向の分布も取得したとき、前記内部領域の深さ方向における前記酸素の二次イオン強度の平均値が2000[Counts/sec]以下であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
前記薄膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を1%以上の透過率で透過させる機能と、前記薄膜を透過した前記露光光に対して前記薄膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上190度以下の位相差を生じさせる機能とを有する位相シフト膜であることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
前記位相シフト膜上に、遮光膜を備えることを特徴とする構成6記載のマスクブランク。
前記遮光膜は、クロムを含有する材料からなることを特徴とする構成7記載のマスクブランク。
透光性基板上にパターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、
前記透光性基板上に、金属、ケイ素および窒素を含有する材料であり、前記金属の含有量[原子%]を前記金属およびケイ素の合計含有量[原子%]で除した比率が15%以下である材料からなる前記薄膜を形成する工程と、
前記薄膜に対し、酸素を含む気体中で300℃未満の温度で加熱処理を行う第1加熱処理工程と、
前記第1加熱処理工程後の前記薄膜に対し、酸素を含む気体中で300℃以上の温度で加熱処理を行う第2加熱処理工程と
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、二次イオン質量分析法による分析を行ってケイ素の二次イオン強度の前記薄膜における深さ方向の分布を取得したとき、前記薄膜の透光性基板とは反対側の表層領域における前記ケイ素の二次イオン強度の最大ピーク[Counts/sec]を、前記薄膜における前記透光性基板の界面との近傍領域と前記表層領域を除いた領域である内部領域の深さ方向における前記ケイ素の二次イオン強度の平均値[Counts/sec]で除した比率が1.6以下であることを特徴とする構成9記載のマスクブランクの製造方法。
前記表層領域は、前記薄膜における前記透光性基板とは反対側の表面から前記透光性基板側に向かって10nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする構成10記載のマスクブランクの製造方法。
前記近傍領域は、前記透光性基板との界面から前記表層領域側に向かって20nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする構成10または11に記載のマスクブランクの製造方法。
前記ケイ素の二次イオン強度の深さ方向の分布は、一次イオン種がCs+、一次加速電圧が2.0kV、一次イオンの照射領域を一辺が120μmである四角形の内側領域とした測定条件で取得されるものであることを特徴とする構成10から12のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記薄膜に対し、二次イオン質量分析法による分析を行って酸素の二次イオン強度の深さ方向の分布も取得したとき、前記内部領域の深さ方向における前記酸素の二次イオン強度の平均値が2000[Counts/sec]以下であることを特徴とする構成10から13のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を1%以上の透過率で透過させる機能と、前記薄膜を透過した前記露光光に対して前記薄膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上190度以下の位相差を生じさせる機能とを有する位相シフト膜であることを特徴とする構成9から14のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記第2加熱処理工程を行った後の位相シフト膜である薄膜上に、遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする構成15記載のマスクブランクの製造方法。
前記遮光膜は、クロムを含有する材料により形成されることを特徴とする構成16記載のマスクブランクの製造方法。
構成1から8のいずれかに記載のマスクブランクの前記薄膜にドライエッチングで転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成9から17のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法により製造したマスクブランクの前記薄膜にドライエッチングで転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成18または19に記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
本発明者らは、金属、ケイ素および窒素を含有する材料からなるパターン形成用の薄膜において、高い耐薬性を有し、かつ塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスによるドライエッチングに対する高い耐性を有するような構成について、鋭意研究を行った。薄膜全体を結晶質とすることや薄膜の表層を結晶質の層(二酸化ケイ素の結晶構造の層)とすることで、薄膜の耐薬性やドライエッチング耐性を高めることは可能である。しかし、薄膜に結晶質の層が存在すると、その薄膜にパターンを形成したときのパターン側壁のラインエッジラフネス(LER)が悪く、微細パターンを備える転写用マスクに求められる条件を満たすことができない。パターン形成用薄膜は、アモルファス構造あるいは微結晶構造とする必要がある。
図1は、本発明の実施形態に係る位相シフトマスクを製造するためのマスクブランク100の構成を示す断面図である。図1に示すマスクブランク100は、位相シフトマスクを製造するためのものであり、透光性基板1上に、位相シフト膜(パターン形成用の薄膜)2、遮光膜3およびハードマスク膜4がこの順に積層された構造を有する。
(実施例1および比較例1)
[マスクブランクの製造]
主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなる透光性基板1を4枚準備した。この透光性基板1は、端面及び主表面を所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものであった。
次に、この実施例1のマスクブランク100と比較例1のマスクブランクを用い、以下の手順で実施例1の位相シフトマスク200と比較例1の位相シフトマスクをそれぞれ製造した。最初に、ハードマスク膜4の表面にHMDS処理を施した。続いて、スピン塗布法によって、ハードマスク膜4の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜を膜厚80nmで形成した。次に、このレジスト膜に対して、位相シフト膜2に形成すべき位相シフトパターンである第1のパターンを電子線描画し、所定の現像処理および洗浄処理を行い、第1のパターンを有する第1のレジストパターン5aを形成した(図2(a)参照)。
上記の洗浄工程を行った後の実施例1の位相シフトマスク200に対し、AIMS193(Carl Zeiss社製)を用いて、波長193nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、設計仕様を十分に満たしていた。この結果から、上記の洗浄工程を行った後の実施例1の位相シフトマスク200を露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンは高精度で形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
この比較例2および比較例3のマスクブランクは、位相シフト膜2以外については、実施例1および比較例1のマスクブランクと同様の手順で製造した。この比較例1の位相シフト膜2は、ターゲットのMo/[Mo+Si]比率を変えた点が実施例1および比較例1の位相シフト膜2とは大きく異なる。具体的には、枚葉式DCスパッタ装置内に透光性基板1を設置し、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)との混合焼結ターゲット(Mo:Si=21原子%:79原子%)を用い、アルゴン(Ar)、窒素(N2)およびヘリウム(He)の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、ケイ素および窒素酸素からなる位相シフト膜2を93nmの厚さで形成した。この4枚の位相シフト膜2を備える透光性基板1(以下、薄膜付き基板という。)の内、2枚を比較例2のマスクブランクの製造に用い、残りの2枚を比較例3のマスクブランクの製造に用いる。
次に、この比較例2および比較例3のマスクブランクを用い、実施例1と同様の手順で、比較例2および比較例3の位相シフトマスクを作製した。
上記の洗浄工程を行った後の比較例2および比較例3の各位相シフトマスクに対し、AIMS248(Carl Zeiss社製)を用いて、波長248nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、転写不良が確認された。これは、位相シフトパターン2aの膜減り量が大きいことが転写不良の発生要因と推察される。この結果から、この比較例2および比較例3の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写した場合、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンに不良箇所が発生してしまうといえる。
2 位相シフト膜(パターン形成用の薄膜)
2a 位相シフトパターン
3 遮光膜
3a,3b 遮光パターン
4 ハードマスク膜
4a ハードマスクパターン
5a 第1のレジストパターン
6b 第2のレジストパターン
100 マスクブランク
200 位相シフトマスク
Claims (20)
- 透光性基板上にパターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、
前記薄膜は、金属、ケイ素および窒素を含有する材料からなり、
前記薄膜における前記金属の含有量[原子%]を前記金属およびケイ素の合計含有量[原子%]で除した比率は、15%以下であり、
前記薄膜に対し、二次イオン質量分析法による分析を行ってケイ素の二次イオン強度の深さ方向の分布を取得したとき、前記薄膜の透光性基板とは反対側の表層領域における前記ケイ素の二次イオン強度の最大ピーク[Counts/sec]を、前記薄膜における前記透光性基板の界面との近傍領域と前記表層領域を除いた領域である内部領域の深さ方向における前記ケイ素の二次イオン強度の平均値[Counts/sec]で除した比率が1.6以下である
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記表層領域は、前記薄膜における前記透光性基板とは反対側の表面から前記透光性基板側に向かって10nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記近傍領域は、前記透光性基板との界面から前記表層領域側に向かって20nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。
- 前記ケイ素の二次イオン強度の深さ方向の分布は、一次イオン種がCs+、一次加速電圧が2.0kV、一次イオンの照射領域を一辺が120μmである四角形の内側領域とした測定条件で取得されるものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記薄膜に対し、二次イオン質量分析法による分析を行って酸素の二次イオン強度の深さ方向の分布を取得したとき、前記内部領域の深さ方向における前記酸素の二次イオン強度の平均値が2000[Counts/sec]以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を1%以上の透過率で透過させる機能と、前記薄膜を透過した前記露光光に対して前記薄膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上190度以下の位相差を生じさせる機能とを有する位相シフト膜であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜上に、遮光膜を備えることを特徴とする請求項6記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜は、クロムを含有する材料からなることを特徴とする請求項7記載のマスクブランク。
- 透光性基板上にパターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、
前記透光性基板上に、金属、ケイ素および窒素を含有する材料であり、前記金属の含有量[原子%]を前記金属およびケイ素の合計含有量[原子%]で除した比率が15%以下である材料からなる前記薄膜を形成する工程と、
前記薄膜に対し、酸素を含む気体中で300℃未満の温度で加熱処理を行う第1加熱処理工程と、
前記第1加熱処理工程後の前記薄膜に対し、酸素を含む気体中で300℃以上の温度で加熱処理を行う第2加熱処理工程と
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記薄膜は、二次イオン質量分析法による分析を行ってケイ素の二次イオン強度の前記薄膜における深さ方向の分布を取得したとき、前記薄膜の透光性基板とは反対側の表層領域における前記ケイ素の二次イオン強度の最大ピーク[Counts/sec]を、前記薄膜における前記透光性基板の界面との近傍領域と前記表層領域を除いた領域である内部領域の深さ方向における前記ケイ素の二次イオン強度の平均値[Counts/sec]で除した比率が1.6以下であることを特徴とする請求項9記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記表層領域は、前記薄膜における前記透光性基板とは反対側の表面から前記透光性基板側に向かって10nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項10記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記近傍領域は、前記透光性基板との界面から前記表層領域側に向かって20nmの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項10または11に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記ケイ素の二次イオン強度の深さ方向の分布は、一次イオン種がCs+、一次加速電圧が2.0kV、一次イオンの照射領域を一辺が120μmである四角形の内側領域とした測定条件で取得されるものであることを特徴とする請求項10から12のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜に対し、二次イオン質量分析法による分析を行って酸素の二次イオン強度の深さ方向の分布も取得したとき、前記内部領域の深さ方向における前記酸素の二次イオン強度の平均値が2000[Counts/sec]以下であることを特徴とする請求項10から13のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を1%以上の透過率で透過させる機能と、前記薄膜を透過した前記露光光に対して前記薄膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上190度以下の位相差を生じさせる機能とを有する位相シフト膜であることを特徴とする請求項9から14のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記第2加熱処理工程を行った後の位相シフト膜である薄膜上に、遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項15記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記遮光膜は、クロムを含有する材料により形成されることを特徴とする請求項16記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランクの前記薄膜にドライエッチングで転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- 請求項9から17のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法により製造したマスクブランクの前記薄膜にドライエッチングで転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- 請求項18または19に記載の転写用マスクの製造方法により製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016065394 | 2016-03-29 | ||
JP2016065394 | 2016-03-29 | ||
PCT/JP2017/009201 WO2017169587A1 (ja) | 2016-03-29 | 2017-03-08 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019037453A Division JP6786645B2 (ja) | 2016-03-29 | 2019-03-01 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017169587A1 true JPWO2017169587A1 (ja) | 2018-04-05 |
JP6495472B2 JP6495472B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=59963104
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017547187A Active JP6495472B2 (ja) | 2016-03-29 | 2017-03-08 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP2019037453A Active JP6786645B2 (ja) | 2016-03-29 | 2019-03-01 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019037453A Active JP6786645B2 (ja) | 2016-03-29 | 2019-03-01 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11327396B2 (ja) |
JP (2) | JP6495472B2 (ja) |
KR (1) | KR102313892B1 (ja) |
SG (1) | SG11201807932XA (ja) |
TW (2) | TWI702466B (ja) |
WO (1) | WO2017169587A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2017-03-08 WO PCT/JP2017/009201 patent/WO2017169587A1/ja active Application Filing
- 2017-03-08 US US16/085,316 patent/US11327396B2/en active Active
- 2017-03-08 KR KR1020187026745A patent/KR102313892B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-08 JP JP2017547187A patent/JP6495472B2/ja active Active
- 2017-03-21 TW TW106109376A patent/TWI702466B/zh active
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JP6786645B2 (ja) | 2020-11-18 |
TWI702466B (zh) | 2020-08-21 |
WO2017169587A1 (ja) | 2017-10-05 |
US20190064649A1 (en) | 2019-02-28 |
SG11201807932XA (en) | 2018-10-30 |
TWI741687B (zh) | 2021-10-01 |
US11327396B2 (en) | 2022-05-10 |
JP2019082737A (ja) | 2019-05-30 |
KR102313892B1 (ko) | 2021-10-15 |
KR20180128403A (ko) | 2018-12-03 |
JP6495472B2 (ja) | 2019-04-03 |
TW202040261A (zh) | 2020-11-01 |
TW201800834A (zh) | 2018-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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