JP2008257239A - 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 - Google Patents
位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008257239A JP2008257239A JP2008089316A JP2008089316A JP2008257239A JP 2008257239 A JP2008257239 A JP 2008257239A JP 2008089316 A JP2008089316 A JP 2008089316A JP 2008089316 A JP2008089316 A JP 2008089316A JP 2008257239 A JP2008257239 A JP 2008257239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- phase shift
- sputtering
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】透明基板6上に、少なくともパターンを形成するための薄膜を有する、フォトマスクブランクのDCマグネトロンスパッタリング法による製造方法において、基板6の平面からなる被成膜面を上方に向けて水平面上で回転させ、被成膜面に対して傾斜して対向した単一のターゲット5をスパッタリングすることによって薄膜を成膜し、かつ、成膜の開始から成膜の終了までの間で前記透明基板を整数回回転させて成膜を行うフォトマスクブランクの製造方法。
【選択図】図2
Description
位相シフトマスクは、光強度情報と位相情報とを併有するマスクであり、レベンソン(Levenson)型、補助パターン型、自己整合型(エッジ強調型)などの各種タイプが知られている。これらの位相シフトマスクは、光強度情報しか有しない従来のフォトマスクに比べ、構成が複雑で製造にも高度の技術を要する。
このハーフトーン型の位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機能と、光の位相をシフト(通常は反転)させる位相シフト機能との二つの機能を兼ね備えることになるので、遮光膜パターンと位相シフト膜パターンを別々に形成する必要がなく、構成が単純で製造も容易であるという特徴を有している。
ハーフトーン位相シフトマスクにおいてはマスクパターンの加工をドライエッチング工程により行っているが、遮光機能と位相シフト機能を別々の層で実現する方法では、遮光機能を有する層と位相シフト機能を持つ層の両方について、良好なパターン形状を得るための高度な制御が必要である。それに対し、遮光機能と位相シフト機能を兼ね備えた単層の光半透過部を構成することにより、単一のエッチング工程を用いることができるので、マスクの製造工程を単純化でき、容易に良好なパターン形状を得ることが可能である。
すなわち、位相シフトマスクブランクを量産する場合、そのブランクス間や面内における位相角及び透過率のばらつきがあると、歩留まりが悪く、特にArF、F2エキシマレーザーなどの短波長用のマスクブランクスにおいては、従来のi線、KrFエキシマレーザー用マスクブランクスにおけるブランクス間や面内の位相角及び透過率のばらつきでは、ばらつきが大きく、歩留まりも悪いため、そのままま適用できないという問題点があった。
月刊Semiconductor World 1990.12 応用物理第60巻第11月号(1991)
また、ブランクスの面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等の提供を第二の目的とする。
さらに、ブランクス間における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良く製造できる位相シフトマスクブランクの製造装置等の提供を第三の目的とする。
また、ブランクスの面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良く製造できる位相シフトマスクブランクの製造装置等の提供を第四の目的とする。
前記方法は、透明基板上に位相シフト膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程を含み、
前記複数枚のブランク間における位相シフト膜の位相角のばらつきが、±2°以内であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
前記方法は、透明基板上に光半透過膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程を含み、
前記複数枚のハーフトーン型位相シフトマスクブランク間における光半透過膜の位相角及び透過率のばらつきが、それぞれ±2°以内及び±4%以内であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
前記方法は、前記透明基板上に前記薄膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程を含み、
前記透明基板上に前記薄膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程は、透明基板がスパッタ室に搬入され、前記スパッタ室においてパターンを形成するための薄膜が形成され、前記スパッタ室から成膜後の透明基板が搬出される一連のプロセスが複数枚の基板に対して順次行われ、その透明基板の搬入と搬出とを略一定間隔で行うことによって、成膜時間を複数枚のブランク間で一定にする工程を含み、
かつ前記工程において得られたフォトマスクブランクのうち成膜開始1枚目から少なくとも5枚目までを除外することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
前記薄膜を、前記基板を回転させながら、前記基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
上記構成1、2によれば、位相シフトマスクブランク間における位相シフト膜の位相角のばらつきが±2°あるいはハーフトーン型位相シフトマスクブランク間における光半透過膜の位相角及び透過率のばらつきが、それぞれ±2°以内及び±4%以内であるので、ArF、F2エキシマレーザーなどの短波長用の位相シフトマスクの製造の量産実用化を実現できる。この範囲を超えるとArF、F2エキシマレーザーなどの短波長用の位相シフトマスクの製造の量産実用化は困難である。
なお、KrFエキシマレーザー用の場合は、現状においても実用可能であるが、マスクブランク間における光半透過膜の位相角及び透過率のばらつきは小さい方が好ましので、構成1、2記載の発明は、KrFエキシマレーザー用位相シフトマスクブランクについても適用可能である。
なお、KrFエキシマレーザー用の場合は、現状においても実用可能であるが、マスクブランクの面内における光半透過膜の位相角及び透過率のばらつきは小さい方が好ましので、構成6〜12記載の発明は、KrFエキシマレーザー用位相シフトマスクブランクについても適用可能である。
ハーフトーン位相シフトマスクでは光半透過部の位相角と透過率が所望の値に調整されていることが機能上重要である。位相角と透過率の誤差範囲は、ブランクス間変動(ブランクス間ばらつき)、ブランクス内分布(面内ばらつき)共に、それぞれ±2°程度、±4°程度が要求される。位相角や透過率を変化させる要因としては、(1)光半透過膜の成膜手順、(2)光半透過膜を形成するスパッタリング装置の性能、(3)光半透過膜の材質が挙げられる。
光半透過膜の成膜時間をスパッタリングの開始と終了で決定する場合、スパッタリング終了から次のスパッタリング開始までの間隔を一定にすることが、位相角及び透過率のブランクス間変動(ブランクス間ばらつき)をそれぞれ±2°以内、±4°以内とすること(再現性向上)に有効である。スパッタリング現象はターゲットやシールドの温度や表面状態を変化させ、同時に真空槽内の真空度も変化させる。従来のようにスパッタリング終了から次のスパッタリング開始までの間隔が一定でない間欠的なスパッタリングを行うと、ターゲットやシールドの状態が刻々と変化する。本発明のように、スパッタリング終了から次のスパッタリング開始までの間隔とスパッタリング時間およびスパッタリング条件を常に一定にすると、作製枚数が5から10枚後以降で位相角、透過率の変動が小さくなる。すなわち、一定間隔で継続的に光半透過膜の形成を行い、開始から5ないし10枚目以前を除外することで、位相角、透過率の変動が少ないハーフトーン位相シフトマスクブランクスを安定して製造することが可能である。具体的には、位相角及び透過率のブランクス間ばらつきがそれぞれ±2°以内、±4°以内であるハーフトーン位相シフトマスクブランクスを安定して製造することが可能である。
従来のハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造装置では、スループットの観点から、ロードロック室内に10枚程度の基板をセットする方式(あるいはインライン方式)であるが、この方式では、ロードロック室の容積が大きいため、ロードロック室内を所定の真空度にするのに時間がかかり、この間スパッタ室内では成膜が行われないため、すべての成膜が終了し次のカセットをロードロック室内にセットして成膜を行う際に、スパッタ室への基板導入が一定の間隔で継続的に行なわれない。この際さらに問題なのは、スパッタ室への基板導入が一定の間隔で継続的に行なわれないと、スパッタ室での成膜が安定せず最初の5〜10枚程度は位相角や透過率のブランクス間ばらつきが大きく、歩留まりが悪いことである。
1)バルブ14を閉じた後、ベントを行いロードロック室11内を大気圧にする。
2)バルブ12を開いてロードロック室11内に透明基板を一枚導入する。
3)バルブ12を閉じてロードロック室11を排気する。
4)ロードロック室11が所定の真空度に達した後、バルブ14を開いて透明基板をスパッタ室13に移動させる。
5)スパッタ室13にて、後述する図2に示す構成を用いて光半透過膜を形成する。
6)光半透過膜の成膜終了後、バルブ17を開いて基板をアンロードロック室16に移動させる。このときアンロードロック室16は所定の真空度まで排気されていることが必要である。
7)バルブ17を閉じた後、ベントを行いアンロードロック室を大気圧にする。
8)バルブ18を開いて基板を取り出す。
スパッタ室13内における光半透過膜の成膜が終了し、スパッタ室13からアンロードロック室16に基板が移動されるまでの間に、上記工程1)から4)までを終了させ、ロードロック室11に次の基板を待機させる。前回の成膜が終了して、スパッタ室13からアンロードロック室6に基板が移動されたら、待機させた透明基板をスパッタ室13に移動させ、引き続き光半透過膜の成膜を行う。
このような工程により、装置のメンテナンス時等を除いて一定の間隔で継続的(連続的)に光半透過膜の形成が可能となる。
また、窒化シリコンを含む膜では、真空槽内壁から発生する水分等のガスが、膜の光学特性に大きな影響を与えるため、真空槽内を十分に排気できるポンプを装着し、真空槽内壁をベーキングできる機構を設けることが必要である。真空槽内の真空度は、成膜速度が10nm/minである場合はおおむね2×10-5pa以下、成膜速度が5nm/minである場合には1×10-5pa以下が必要である。
さらに位相角及び透過率のブランクス内分布(面内ばらつき)をそれぞれ±2°以内、±4°以内に抑えるためには、透明基板を回転させながら成膜を行うとともに、成膜の開始から成膜の終了までの間で透明基板を整数回回転させて成膜を行うことが必要である。このためには、例えば、基板の回転角位置を検出するセンサによって、放電をONにした時点(成膜開始)の基板回転角位置検出し、さらにこのセンサによって、基板が整数回回転して放電をONにした時点と同じ回転角位置に基板がきた時点で放電をOFF(成膜終了)にする機構を備えることが必要である。
オフセット距離(基板の中心軸と、ターゲットの中心を通りかつ前記基板の中心軸と平行な直線との間の距離)は、位相角及び透過率の分布を確保すべき面積によって調整される。一般には分布を確保すべき面積が大きい場合に、必要なオフセット距離は大きくなる。本実施例のように、152mm角の基板内で位相角分布±2°以内及び透過率分布±4°以内を実現するために、オフセット距離は200mmから350mm程度が必要であり、好ましいオフセット距離は240mmから280mmである。
ターゲット−基板間垂直距離(T/S)は、オフセット距離により最適範囲が変化するが、152mm角の基板内で位相角分布±2°以内及び透過率分布±4°以内を実現するために、ターゲット−基板間垂直距離(T/S)は、200mmから380mm程度が必要であり、好ましいT/Sは210mmから300mmである。
ターゲット傾斜角は成膜速度に影響し、大きな成膜速度を得るために、ターゲット傾斜角は、0°から45°が適当であり、好ましいターゲット傾斜角は10°から30°である。
図9にオフセット距離を変化させた場合に、152mm角の基板内で位相角分布±2°以内及び透過率分布±4°以内を実現できるT/Sの上限とT/Sの下限を示す。
また、本発明の構成における位相シフトマスクブランクにおいては、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのみならず、位相角のばらつきを±2°以内とする目的で、例えば、レベンソン型、補助パターン型、自己整合型(エッジ強調型)など、他の位相シフトマスクを製造するためのブランクにも適用可能である。
以下、本発明の実施例についてさらに詳細に説明する。
上記図1で説明したDCマグネトロンスパッタリング装置を用い、ArFエキシマレーザー(193nm)用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス200枚を一枚ずつ一定間隔で連続成膜して作製した。
具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=8:92mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)との混合ガス雰囲気(Ar:N2=10%:90%、圧力:0.1Pa)で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、透明基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン(MoSiN)の薄膜(膜厚約670オンク゛ストローム)を形成して、ArFエキシマレーザー(波長193nm)用位相シフトマスクブランク(膜組成:Mo:Si:N=7:45:48)を得た。
なお、本実施例では、図2におけるスパッタリングターゲット5と基板6とが、図8に示すように、基板とターゲットの対向する面が所定の角度を有するように、ターゲットと基板が配置されている構成の装置を用いた。この場合、スパッタリングターゲットと基板のオフセット距離は340mm、ターゲット−基板間垂直距離(T/S)は380mm、ターゲット傾斜角は15°とした。
真空槽1は排気口7を介して真空ポンプにより排気されている。真空槽内の雰囲気が形成する膜の特性に影響しない真空度まで達した後、ガス導入口8から窒素を含む混合ガスを導入し、DC電源9を用いてマグネトロンカソード2に負電圧を加え、スパッタリングを行う。DC電源9はアーク検出機能を持ち、スパッタリング中の放電状態を監視できる。真空槽1内部の圧力は圧力計10によって測定されている。
透明基板上に形成する光半透過膜の透過率は、ガス導入口8から導入するガスの種類及び混合比により調整する。混合ガスがアルゴンと窒素である場合には、窒素の比率を大きくすることで、透過率が上昇する。窒素の比率を調整するだけでは所望の透過率が得られない場合、窒素を含む混合ガスに酸素を添加することで、さらに透過率を上昇させることが可能である。
光半透過膜の位相角はスパッタリング時間により調整し、露光波長における位相角が約180°に調整した。
上記で得られた200枚の位相シフトマスクブランクス(サイズ:15.2cm角)について、位相角及び透過率のブランクス間ばらつきを調べた。その結果を図3に示す。
図3から、3枚目以降では、位相角及び透過率のブランクス間ばらつきがそれぞれ±2°以内、±4°以内であるハーフトーン位相シフトマスクブランクスを安定して製造できることがわかる。なお、11枚目以降から200枚目までについても位相角及び透過率のブランクス間ばらつきがそれぞれ±2°以内、±4°以内であることを確認した。この場合、位相角及び透過率に関しては歩留まりは100%である。
図4から、本発明の装置を用いると、最初の数枚、及びスパッタ室開放直後の5枚を除き、位相角及び透過率のブランクス間ばらつきがそれぞれ±2°以内、±4°以内であるハーフトーン位相シフトマスクブランクスを安定して製造でき、位相角及び透過率に関しては歩留まりが100%であることがわかる。
その結果、位相角及び透過率の面内ばらつきがそれぞれ±2°以内、±4°以内であるハーフトーン位相シフトマスクブランクスを安定して製造できることを確認した。
図5に示すように、位相角のばらつきを約180°〜約172°の範囲に抑えるためには、DC電源の電力(パワー)を約1.77kW〜約1.825kW(位相角のばらつきを約180°〜約178°の範囲に抑えるため好ましくは約1.82kW〜約1.81kW)の範囲で制御する必要があることがわかる。したがって、DC電源の電力(パワー)の変動は中心値±0.5%に抑えることが必要である。
同様に、図6から位相角及び透過率のばらつきを抑えるためには、成膜時間を約560秒〜約615秒(位相角のばらつきを約180°〜約178°の範囲に抑えるため好ましくは約600秒〜約594秒)の範囲で制御する必要があることがわかる。したがって、成膜時間の変動は中心値±0.5%に抑えることが必要である。
同様に、図7から位相角のばらつきを抑えるため、及び、窒化した金属シリサイド膜中のESCAで測定した窒素の含有量がシリコンより大きくなるように、スパッタリング中に導入する窒素流量を調整することにより、窒素分圧の変動が光学特性に与える影響を小さくするためには、窒素流量を約35sccm以上(位相角のばらつきを約180°〜約178°の範囲に抑えるため好ましくは約35sccm〜約35.5sccm)の範囲で制御する必要があることがわかる。
なお、窒素分圧の変動が光学特性に与える影響を小さくできる窒素流量は、装置の排気性能やDCパワーによって変化する。
上記で得られた位相シフトマスクブランクのうちの1枚について、面内の位相角及び透過率のばらつきを調べた。
その結果、基板周辺部10mmを除く132mm角の範囲で、位相角のばらつきが±0.8°以内(平均値179.5°、範囲178.8°〜180.3°)であった。また、透過率のばらつきは±1.3%以内(平均値6.16%、範囲6.08%〜6.23%)であった。
なお、比較のため、オフセット距離340mm、ターゲット−基板間垂直距離(T/S)400mm、ターゲット傾斜角15°で成膜を行った場合、位相角のばらつきが±3.5°(平均値178.8°、範囲175.3°〜181.7°)であった。また、透過率ばらつきは±8%(平均値6.07%、範囲5.83%〜6.56%)であった。
さらに、比較のため、基板と対向する位置にターゲットを配置した場合(オフセット距離0mm、ターゲット傾斜角0°)には、ターゲット径16インチφにて、位相角のばらつきが±2.7°(平均値179.8°、範囲177.1°〜182.0°)であった。また、透過率ばらつきは±4.2%(平均値6.19%、範囲6.00%〜6.45%)であった。
オフセット距離は大きい方が面内ばらつきを小さくするのが容易であるが、大きすぎると真空槽の容積が大きくなるため真空排気の性能が悪化し、同時に成膜速度も遅くなる。
なお、面内におけるばらつきは、平均値(中心値)に対する最高点(プラス分)と最低点(マイナス分)の両方が規定の範囲に入っているかどうかで評価した。
例えば、光半透過膜を構成する金属としてモリブデンを用いたが、これに限定されず、ジルコニウム、チタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、ニッケル、パラジウムなどを用いることができる。
また、金属とシリコンとを含むターゲットとして、モリブデンとシリコンからなるターゲットを用いたが、これに限定されない。金属とシリコンとを含むターゲットにおいて、モリブデンは上記金属の中で特に、透過率の制御性と金属とケイ素を含有するスパッタリングターゲットを用いた場合夕一ゲット密度が大きく、膜中のパーティクルを少なくすることができるという点において優れている。チタン、バナジウム、ニオブはアルカリ溶液に対する耐久性に優れているが、ターゲット密度においてモリブデンに若干劣っている。タンタルはアルカリ溶液に対する耐久性及びタ一ゲット密度において優れているが、透過率の制御性においてモリブデンに若干劣っている。タングステンはモリブデンとよく似た性質を持っているが、スパッタリング時の放電特性においてモリブデンより若干劣っている。ニッケルとパラジウムは、光学特性、及びアルカリ溶液に対する耐久性の面では優れているが、ドライエッチングがやや困難である。ジルコニウムは、アルカリ溶液に対する耐久性に優れているが、ターゲット密度においてモリブデンに劣っており、かつドライエッチングがやや困難である。これらのことを考慮すると現在のところモリブデンが最も好ましい。窒化されたモリブデン及びシリコン(MoSiN)の薄膜(光半透過膜)は、耐酸性や耐アルカリ性などの耐薬品性に優れる点でも、モリブデンが好ましい。
これは、ターゲット中のシリコン含有量が95mol%より多いと、DCスパッタリングにおいては、ターゲット表面上(エロージョン部)に電圧をかけにくくなる(電気が通りにくくなる)ため、放電が不安定となり、また70mol%より少ないと、高光透過率の光半透過部を構成する膜が得られないからである。
また、窒素ガスとDCスパッタリングとの組合せによって、放電安定性はさらに向上するからである。
なお、成膜時の放電安定性は膜質にも影響し、放電安定性に優れると良好な膜質の光半透過膜が得られる。
以上説明したように本発明によれば、ブランクス間における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法を提供できる。
また、ブランクスの面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法を提供できる。
さらに、ブランクス間における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良く製造できる位相シフトマスクブランクの製造装置を提供できる。
また、ブランクスの面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良く製造できる位相シフトマスクブランクの製造装置を提供できる
。
2 マグネトロンカソード
3 基板ホルダ
4 バッキングプレート
5 スパッタリングターゲット
6 透明基板
6a 透明基板を保持する部分
7 排気口
8 ガス導入口
9 DC電源
10 圧力計10
11 ロードロック室
12 バルブ
13 スパッタ室
14 バルブ
15 撒送室
16 アンロードロック室
17 バルブ
18 バルブ
19 ロボットアーム
100 透明基板
200 光透過部
300 光半透過部
Claims (11)
- 透明基板上に、少なくともパターンを形成するための薄膜を有する、フォトマスクブランクのDCマグネトロンスパッタリング法による製造方法において、
前記基板の平面からなる被成膜面を上方に向けて水平面上で回転させ、
前記被成膜面に対して傾斜して対向した単一のターゲットをスパッタリングすることによって前記薄膜を成膜し、
かつ、成膜の開始から成膜の終了までの間で透明基板を整数回回転させて成膜を行うことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 放電を開始して成膜を開始した時点の基板の回転角位置を検出し、基板が回転後、該位置と同一の回転角位置に基板があるときに放電を停止することにより、成膜の開始から終了までの基板の回転を整数回とすることを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。
- ターゲットの傾斜角が45度以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の製
造方法。 - 前記ターゲットは、前記基板の中心軸と、ターゲットの中心を通り前記基板の中心軸と平行な直線がずれた位置にあることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 前記基板の中心軸が、前記ターゲットを通らない位置にあることを特徴とする、請求項
1〜4のいずれかに記載の製造方法。 - 前記パターンを形成するための薄膜は、光半透過性の位相シフト膜であり、前記フォト
マスクブランクがハーフトーン型位相シフトマスクブランクであり、
前記光半透過性の位相シフト膜が、窒素を含む雰囲気中で金属及びシリコンからなるタ
ーゲットをスパッタリングすることによって形成された金属、シリコン及び窒素を主たる
構成成分として含む膜であり、前記光半透過性の位相シフト膜における窒素の含有量がシ
リコンよりも大きくなるように形成されたことを特徴とする請求項1〜5のいずれかにに記載の製造方法。 - 前記基板は、基板中心を軸として水平面上で回転することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。
- 透明基板上に、少なくともパターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブラン
クを、複数枚連続的に製造する方法において、前記方法は、前記透明基板上に前記薄膜が
スパッタリング法を用いて一枚ずつ連続的に成膜される工程を含み、前記透明基板上に前
記薄膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程は、透明基板がスパッタ室に
搬入され、前記スパッタ室においてパターンを形成するための薄膜が形成され、前記スパ
ッタ室から成膜後の透明基板が搬出される一連のプロセスが複数枚の基板に対して順次行
われ、その透明基板の搬入と搬出とを略一定間隔で行うことによって、成膜時間を複数枚
のブランク間で一定にする工程を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記
載の製造方法。 - スパッタリング終了から、次の透明基板に対するスパッタリングの開始までの間隔を一
定にすることを特徴とする、請求項8に記載の製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載のフォトマスクブランクにおける薄膜にパターニングを
施すことによって製造されたことを特徴とするフォトマスク。 - 請求項10に記載のフォトマスクを用いてパターン転写を行ったことを特徴とするパター
ン転写方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008089316A JP4489820B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008089316A JP4489820B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003039010A Division JP4137667B2 (ja) | 2003-02-17 | 2003-02-17 | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008257239A true JP2008257239A (ja) | 2008-10-23 |
JP4489820B2 JP4489820B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=39980800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008089316A Expired - Lifetime JP4489820B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4489820B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011112982A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法 |
WO2013172248A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 |
JP2016139675A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 |
KR20180035147A (ko) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 |
JPWO2017169587A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2018-04-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP2022118976A (ja) * | 2021-02-03 | 2022-08-16 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス及びフォトマスク |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250163A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層薄膜の製造方法および装置 |
JPH03219067A (ja) * | 1989-02-15 | 1991-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | スパッタリング方法 |
JPH04124264A (ja) * | 1989-12-27 | 1992-04-24 | Machine Technol Inc | 基体上に物質層を堆積する方法と装置 |
JPH08114909A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nec Corp | 位相シフトマスク及び位相差測定方法 |
JPH11264071A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Matsushita Electron Corp | 薄膜の形成方法 |
JPH11316454A (ja) * | 1999-03-08 | 1999-11-16 | Hoya Corp | 位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造方法 |
-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008089316A patent/JP4489820B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250163A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層薄膜の製造方法および装置 |
JPH03219067A (ja) * | 1989-02-15 | 1991-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | スパッタリング方法 |
JPH04124264A (ja) * | 1989-12-27 | 1992-04-24 | Machine Technol Inc | 基体上に物質層を堆積する方法と装置 |
JPH08114909A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nec Corp | 位相シフトマスク及び位相差測定方法 |
JPH11264071A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Matsushita Electron Corp | 薄膜の形成方法 |
JPH11316454A (ja) * | 1999-03-08 | 1999-11-16 | Hoya Corp | 位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011112982A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法 |
WO2013172248A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 |
US9470971B2 (en) | 2012-05-16 | 2016-10-18 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, and methods of manufacturing the same |
US9946153B2 (en) | 2012-05-16 | 2018-04-17 | Hoya Corporation | Mask blank and transfer mask |
JP2016139675A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 |
JPWO2017169587A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2018-04-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP2019082737A (ja) * | 2016-03-29 | 2019-05-30 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
KR20180035147A (ko) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 |
JP2018054838A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク |
KR102243226B1 (ko) | 2016-09-28 | 2021-04-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 |
JP2022118976A (ja) * | 2021-02-03 | 2022-08-16 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス及びフォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4489820B2 (ja) | 2010-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10942442B2 (en) | Mask blank, phase-shift mask, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2002090978A (ja) | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 | |
US7901842B2 (en) | Photomask blank and method of producing the same, method of producing photomask, and method of producing semiconductor device | |
JP6373607B2 (ja) | マスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 | |
US7736824B2 (en) | Photomask blank, photomask, and method of manufacture | |
US6899979B1 (en) | Photomask blank, photomask, methods of manufacturing the same, and method of forming micropattern | |
CN106997145B (zh) | 半色调相移光掩模坯和制造方法 | |
JP4489820B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 | |
JP2002162727A (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク | |
JP2002169265A (ja) | フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法 | |
CN103376642B (zh) | 光掩模坯料及其制造方法 | |
JP2002090977A (ja) | 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法 | |
JP5409216B2 (ja) | マスクブランクの製造方法および転写マスクの製造方法 | |
JP4137667B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 | |
JP2003231965A (ja) | 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法 | |
TWI735111B (zh) | 空白罩幕以及光罩 | |
JP6947207B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク | |
KR20120092481A (ko) | 마스크 블랭크의 제조 방법과 마스크 블랭크 및 스퍼터링 장치 | |
JP2021170128A (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090727 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100331 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4489820 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |