JPWO2017159794A1 - 電気化学素子、電気化学モジュール、電気化学装置およびエネルギーシステム - Google Patents
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Abstract
Description
前記金属基板は、前記金属基板の表側と裏側との間での気体の通流を許容する気体通流許容領域を有し、
前記電気化学反応部は、電極層と、電解質層と、対極電極層とを少なくとも有し、前記金属基板の表側に配置されており、
少なくとも前記電極層と前記対極電極層との間に、前記電解質層が配置されており、
前記電極層に、前記気体通流許容領域を通流した気体が供給される点にある。
以下、第1実施形態に係る電気化学素子について図1に基づいて説明する。電気化学素子Qは、金属基板1と、複数の電気化学反応部Rとを有する。金属基板1は、金属基板1の表側4と裏側5との間での気体の通流を許容する気体通流許容領域Pを有する。電気化学反応部Rは、電極層Aと、電解質層Bと、対極電極層Cとを少なくとも有し、金属基板1の表側4に配置されている。電極層Aと対極電極層Cとの間の一部に、電解質層Bが配置されており、電極層Aに、気体通流許容領域Pを通流した気体が供給される。
金属基板1は、金属製の長方形の平板である。金属基板1には、表側4と裏側5とを貫通して複数の貫通孔2が形成されている。この貫通孔2を通じて金属基板1の表側4と裏側5との間で気体の通流が可能となっている。本実施形態では、複数の貫通孔2が、金属基板1の長辺と短辺とに平行な格子の交点位置に形成されている。なお、金属基板1は、支持体として電気化学素子を形成するのに充分な強度を有すれば良く、例えば、0.1mm〜2mm程度、好ましくは0.1mm〜1mm程度、より好ましくは0.1mm〜0.5mm程度の厚みのものを用いることができる。また、金属基板1には、焼結金属や発泡金属等を用いることもできる。
また、絶縁被膜3は、金属基板1の表面に、絶縁性の高いシリカやアルミナ、2〜12族元素酸化物などを含む酸化物被膜をスパッタリング法やPLD法等のPVD法、CVD法、スプレーコーティング法などにより形成しても良いし、メッキと酸化処理によって形成しても良い。
本実施形態では、金属基板1にU字部材11と蓋部12とが接合されて、筒状ガス流通部10を形成している。U字部材11は、長手方向に直交する断面がU字状の部材である。金属基板1の長辺とU字部材11の長辺(U字の2つの頂点に対応する辺)とが接合され、形成された筒の一方の端部が蓋部12で塞がれている。これにより、内部に内部空間22を有し全体として平板あるいは平棒状の筒状ガス流通部10が構成されている。金属基板1は、筒状ガス流通部10の中心軸に対して平行に配置される。
本実施形態に係る電気化学反応部Rは、電極層Aと、電解質層Bと、対極電極層Cと、中間層とを有する。
電極層Aは、金属基板1の表側4の表面、すなわち絶縁被膜3の上に、膜の状態で形成される。その膜厚は、例えば、1μm〜100μm程度、好ましくは、5μm〜50μm程度とすることができる。このような膜厚にすることで、高価な電極層材料の使用量を低減してコストダウンを図りつつ、十分な電極性能を確保することが可能となる。
電極層Aの材料としては、例えばNiO−酸化セリウム(セリア)を主成分とするもの、Ni−酸化セリウム(セリア)を主成分とするもの、NiO−ジルコニアを主成分とするもの、Ni−ジルコニアを主成分とするもの、CuO−酸化セリウム(セリア)を主成分とするもの、Cu−酸化セリウム(セリア)を主成分とするものなどの複合材を用いることができる。なお、酸化セリウム(セリア)、ジルコニア等あるいはこれらに異種元素をドープした固溶体を複合材の骨材と呼ぶ。電極層Aは、気体透過性を具備するように形成される。例えば、電極層Aの表面および内部に微細な複数の細孔を有するように構成される。
電解質層Bは、電極層Aと対極電極層Cとの間に膜状で設けられる。その膜厚は、例えば、1μm〜50μm程度、好ましくは1μm〜20μm程度、より好ましくは2μm〜10μm程度とすることができる。このような膜厚にすることで、高価な電解質層材料の使用量を低減してコストダウンを図りつつ、十分な電解質性能を確保することが可能となる。
電解質層Bの材料としては、種々のジルコニア系材料、酸化セリウム系材料、種々のペロブスカイト系複合酸化物等の酸化物イオンや水素イオンを伝導可能な固体電解質材料を用いることができる。特にジルコニア系のセラミックスが好適に用いられる。電解質層Bをジルコニア系セラミックスにすると、電気化学素子Qの稼働時の温度をセリア系セラミックスに比べて高くすることができ、非常に高効率な電気化学素子Qを構成することができる。
対極電極層Cは、電解質層Bの上に膜状で設けられる。その膜厚は、例えば、1μm〜100μm程度、好ましくは、5μm〜50μm程度とすることができる。このような膜厚にすることで、高価な対極電極層材料の使用量を低減してコストダウンを図りつつ、十分な対極電極性能を確保することが可能となる。
対極電極層Cの材料としては、例えば、LSCF(La−Sr−Co−Fe系酸化物)、LSC(La−Sr−Co系酸化物)、LSM(La−Sr−Mn系酸化物)、SSC(Sm−Sr−Co系酸化物)、SDC(Ce−Sm系酸化物)等の複合酸化物を用いることができる。なお対極電極層Cは、低温焼成法(例えば1400℃等の高温域での焼成処理をせず、例えば1100℃程度以下の低温域での焼成処理を用いる湿式法)やスパッタリング法、パルスレーザーデポジション法等のPVD法、CVD法、スプレーコーティング法などにより形成することが好ましい。これらの、低温域で使用可能なプロセスにより、例えば1400℃等の高温域での焼成を用いずに、例えば1100℃程度以下の低温域での処理によって、良好な対極電極層Cが得られる。そのため、金属基板1に高温加熱によるダメージを与えることを抑制でき、また、金属基板1と電極層Aとの間の高温加熱による元素相互拡散を抑制することができ、耐久性に優れた電気化学素子Qを実現できるので好ましい。
なお、電極層Aと電解質層Bとの間に中間層が膜の状態で形成されていてもよい。その膜厚は、例えば、1μm〜100μm程度、好ましくは2μm〜50μm程度、より好ましくは5μm〜20μm程度とすることができる。このような膜厚にすることで、高価な中間層材料の使用量を低減してコストダウンを図りつつ、十分な中間層性能を確保することが可能となる。
中間層の材料としては、例えば、酸化セリウム系材料やジルコニア系材料等を用いることができる。中間層を電極層Aと電解質層Bとの間に導入することにより、電気化学反応部Rの性能や信頼性、耐久性を向上できる。なお中間層は、低温焼成法(例えば1400℃等の高温域での焼成処理をせず、例えば1100℃程度以下の低温域での焼成処理を用いる湿式法)やスパッタリング法、パルスレーザーデポジション法等のPVD法、CVD法、スプレーコーティング法などにより形成することが好ましい。これらの、低温域で使用可能なプロセスにより、例えば1400℃等の高温域での焼成を用いずに、例えば1100℃程度以下の低温域での処理によって、良好な中間層が得られる。そのため、金属基板1に高温加熱によるダメージを与えることを抑制でき、また、金属基板1と電極層Aとの間の高温加熱による元素相互拡散を抑制することができ、耐久性に優れた電気化学素子Qを実現できるので好ましい。
中間層の材料としては、例えば、酸化セリウム系材料やジルコニア系材料等を用いることができる。中間層を電解質層Bと対極電極層Cとの間に導入することにより、対極電極層Cの構成材料と電解質層Bの構成材料との反応が効果的に抑制され、電気化学反応部Rの性能の長期安定性を向上できる。なお中間層は、低温焼成法(例えば1400℃等の高温域での焼成処理をせず、例えば1100℃程度以下の低温域での焼成処理を用いる湿式法)やスパッタリング法、パルスレーザーデポジション法等のPVD法、CVD法、スプレーコーティング法などにより形成することが好ましい。これらの、低温域で使用可能なプロセスにより、例えば1400℃等の高温域での焼成を用いずに、例えば1100℃程度以下の低温域での処理によって、良好な中間層が得られる。そのため、金属基板1に高温加熱によるダメージを与えることを抑制でき、また、金属基板1と電極層Aとの間の高温加熱による元素相互拡散を抑制することができ、耐久性に優れた電気化学素子Qを実現できるので好ましい。
以上の様に構成された電気化学反応部Rは、気体の供給を受け、電気化学反応を生じさせる。
以上の反応により、電極層Aと対極電極層Cとの間に起電力が発生し、発電が行われる。
以上の反応により、水分子H2Oが水素H2と酸素O2とに電気分解される。
電気化学素子Qでは、金属基板1の気体通流許容領域Pを通流した気体が電極層Aに供給されるが、その気体が対極電極層Cの側に漏れ出すことを抑制する必要がある。そのため本実施形態に係る電気化学素子Qは、気体を封止するための以下の構造を有する。
第2実施形態に係る電気化学素子Qを図2に示す。なお以下の第2〜第10実施形態、及び、他の実施形態では、第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
第3実施形態に係る電気化学素子Qを図3に示す。本実施形態では、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
なお、金属基板1の表面のうち電極層と電解質層・対極電極層のいずれにも覆われていない領域を覆う金属酸化物被膜は、金属基板1から酸化Cr等の成分が蒸発することを抑制する機能を有していればよく、絶縁被膜であっても導電性を有する拡散防止膜であってもよい。
第4実施形態に係る電気化学素子Qを図4に示す。この電気化学素子Qでは、第2実施形態と同様に、貫通孔2が金属基板1の長手方向に沿って連続して形成されている。すなわち、気体通流許容領域Pが一繋がりの領域として形成されている。金属基板1の表面には、拡散防止膜6が形成されている。
<第5実施形態>
上述の実施形態では、複数の電気化学反応部Rが、長方形の金属基板1の長手方向に沿って1列で設けられていた。これを改変し、複数の電気化学反応部Rを複数の列に並べて形成することも可能である。
<第6実施形態>
第6実施形態に係る電気化学素子Qを図6に示す。本実施形態では、金属基板1に4つの電気化学反応部Rを、2列に並べて配置する例が示されている。詳しくは、図6の手前側の列に、第1電気化学反応部R1および第2電気化学反応部R2がこの順に配置され、図6の奥側の列に、第4電気化学反応部R4および第3電気化学反応部R3がこの順に配置されている。
図7に、電気化学モジュールMの構成を示す。電気化学モジュールMは、上述した電気化学素子Qが複数積層した状態で配置されるモジュールである。第7実施形態に係る電気化学モジュールMには、複数の電気化学反応部Rが電気的に直列に接続されている電気化学素子Q、すなわち第1実施形態、第2実施形態および第5実施形態に係る電気化学素子Qが用いられる。
図8に、電気化学モジュールMの他の実施形態を示す。第8実施形態に係る電気化学モジュールMには、複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている電気化学素子Q、すなわち第3実施形態、第4実施形態および第6実施形態に係る電気化学素子Qが用いられる。
図9に、電気化学モジュールMの他の実施形態を示す。第9実施形態に係る電気化学モジュールMには、図6に示される第6実施形態にかかる電気化学素子Q、すなわち複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている電気化学素子Qを好適に用いることができる。この電気化学素子Qを、セル間接続部材71を間に挟んで積層することで、電気化学モジュールMを構成する。
以上説明した電気化学素子Qおよび電気化学モジュールMを用いて、電気化学装置YおよびエネルギーシステムZを構築することができる。
図10には、エネルギーシステムZおよび電気化学装置Yの概要が示されている。
エネルギーシステムZは、電気化学装置Yと、電気化学装置Yから排出される熱を再利用する排熱利用部としての熱交換器53とを有する。
電気化学装置Yは、電気化学モジュールMと、脱硫器31と改質器34とを有し電気化学モジュールMに対して還元性成分を含有する燃料ガスを供給する燃料供給部と、電気化学モジュールMから電力を取り出すインバータ38とを有する。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図11に示す。本実施形態では、第4実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
反応防止層Gの材料としては、例えば、酸化セリウム系材料やジルコニア系材料等を用いることができる。反応防止層Gを電解質層Bと対極電極層Cとの間に導入することにより、対極電極層Cの構成材料と電解質層Bの構成材料との反応が効果的に抑制され、電気化学反応部Rの性能の長期安定性を向上できる。なお反応防止層Gは、低温焼成法(例えば1400℃等の高温域での焼成処理をせず、例えば1100℃程度以下の低温域での焼成処理を用いる湿式法)やスパッタリング法、パルスレーザーデポジション法等のPVD法、CVD法、スプレーコーティング法などにより形成することが好ましい。これらの、低温域で使用可能なプロセスにより、例えば1400℃等の高温域での焼成を用いずに、例えば1100℃程度以下の低温域での処理によって、良好な反応防止層Gが得られる。そのため、金属基板1に高温加熱によるダメージを与えることを抑制でき、また、金属基板1と電極層Aとの間の高温加熱による元素相互拡散を抑制することができ、耐久性に優れた電気化学素子Qを実現できるので好ましい。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図12に示す。本実施形態では、第11実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図13に示す。本実施形態では、第11実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図14に示す。本実施形態では、第13実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図15に示す。本実施形態では、第11実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図16に示す。本実施形態では、第15実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図17に示す。本実施形態では、第11実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図18に示す。本実施形態では、第11実施形態と同様に、一つの電気化学反応部Rの電極層Aと、他の電気化学反応部Rの電極層Aとが電気的に接続され、もって複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図19に示す。本実施形態に係る電気化学素子Qは、金属基板1と、電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cが、電気化学反応部Rを構成している。
第2電極層A2と、第1対極電極層C1の右半分と、これらに挟まれた部分(第2中間層F2、第1電解質層B1、第1反応防止層G1)とによって、第2電気化学反応部R2が構成されていると解釈される。
第3電極層A3と、第2対極電極層C2の左半分と、これらに挟まれた部分(第3中間層F3、第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第3電気化学反応部R3が構成されていると解釈される。
第4電極層A4と、第2対極電極層C2の右半分と、これらに挟まれた部分(第4中間層F4、第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第4電気化学反応部R4が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
第3電極層A3および第4電極層A4と、第2対極電極層C2と、これらに挟まれた部分(第3中間層F3および第4中間層F4、第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第6電気化学反応部R6が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図20に示す。本実施形態に係る電気化学素子Qは、金属基板1と、電極層A、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。第19実施形態と異なり、本実施形態に係る電気化学反応部Rには、中間層Fが設けられていない。すなわち電気化学反応部Rは、電極層A、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。中間層Fを除く構成は、第19実施形態と類似する。
第2電極層A2と、第1対極電極層C1の右半分と、これらに挟まれた部分(第1電解質層B1、第1反応防止層G1)とによって、第2電気化学反応部R2が構成されていると解釈される。
第3電極層A3と、第2対極電極層C2の左半分と、これらに挟まれた部分(第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第3電気化学反応部R3が構成されていると解釈される。
第4電極層A4と、第2対極電極層C2の右半分と、これらに挟まれた部分(第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第4電気化学反応部R4が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
第3電極層A3および第4電極層A4と、第2対極電極層C2と、これらに挟まれた部分(第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第6電気化学反応部R6が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図21に示す。本実施形態に係る電気化学素子Qは、金属基板1と、電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cが、電気化学反応部Rを構成している。
第2電極層A2と、第1対極電極層C1の右半分と、これらに挟まれた部分(第1中間層F1、第1電解質層B1、第1反応防止層G1)とによって、第2電気化学反応部R2が構成されていると解釈される。
第3電極層A3と、第2対極電極層C2の左半分と、これらに挟まれた部分(第2中間層F2、第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第3電気化学反応部R3が構成されていると解釈される。
第4電極層A4と、第2対極電極層C2の右半分と、これらに挟まれた部分(第2中間層F2、第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第4電気化学反応部R4が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
第3電極層A3および第4電極層A4と、第2対極電極層C2と、これらに挟まれた部分(第2中間層F2、第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第6電気化学反応部R6が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図22に示す。本実施形態に係る電気化学素子Qは、金属基板1と、電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cが、電気化学反応部Rを構成している。
電極層A、中間層F、電解質層B、および反応防止層Gにおける第2気体通流許容領域P2と第2対極電極層C2とによって挟まれた部分と、第2対極電極層C2とによって、第2電気化学反応部R2が形成されていると解釈される。
電極層A、中間層F、電解質層B、および反応防止層Gにおける第3気体通流許容領域P3と第3対極電極層C3とによって挟まれた部分と、第3対極電極層C3とによって、第3電気化学反応部R3が形成されていると解釈される。
電極層A、中間層F、電解質層B、および反応防止層Gにおける第4気体通流許容領域P4と第4対極電極層C4とによって挟まれた部分と、第4対極電極層C4とによって、第4電気化学反応部R4が形成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図23に示す。本実施形態に係る電気化学素子Qは、金属基板1と、電極層A、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。第22実施形態と異なり、本実施形態に係る電気化学反応部Rには、中間層Fが設けられていない。すなわち電気化学反応部Rは、電極層A、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。中間層Fを除く構成は、第22実施形態と類似する。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図24に示す。本実施形態に係る電気化学素子Qは、金属基板1と、電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。電極層A、中間層F、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cが、電気化学反応部Rを構成している。
第1電極層A1が、第1気体通流許容領域P1および第2気体通流許容領域P2の全体を覆う状態で、一繋がりの層として形成されている。第1中間層F1が、第1電極層A1の全体を覆う状態で設けられている。
第2電極層A2が、第3気体通流許容領域P3および第4気体通流許容領域P4の全体を覆う状態で、一繋がりの層として形成されている。第2中間層F2が、第2電極層A2の全体を覆う状態で設けられている。
第2気体通流許容領域P2の上側の電極層Aの部分、中間層Fの部分、電解質層Bの部分、反応防止層Gの部分および対極電極層Cの部分によって、第2電気化学反応部R2が形成されていると解釈される。
第3気体通流許容領域P3の上側の電極層Aの部分、中間層Fの部分、電解質層Bの部分、反応防止層Gの部分および対極電極層Cの部分によって、第3電気化学反応部R3が形成されていると解釈される。
第4気体通流許容領域P4の上側の電極層Aの部分、中間層Fの部分、電解質層Bの部分、反応防止層Gの部分および対極電極層Cの部分によって、第4電気化学反応部R4が形成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
第2電極層A2と、第2対極電極層C2と、これらに挟まれた部分(第2中間層F2、第2電解質層B2、第2反応防止層G2)とによって、第6電気化学反応部R6が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
本実施形態に係る電気化学素子Qを図25に示す。本実施形態に係る電気化学素子Qは、金属基板1と、電極層A、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。第19実施形態と異なり、本実施形態に係る電気化学反応部Rには、中間層Fが設けられていない。すなわち電気化学反応部Rは、電極層A、電解質層B、反応防止層G、および対極電極層Cを有して構成される。中間層Fを除く構成は、第24実施形態と類似する。
第2気体通流許容領域P2の上側の電極層Aの部分、電解質層Bの部分、反応防止層Gの部分および対極電極層Cの部分によって、第2電気化学反応部R2が形成されていると解釈される。
第3気体通流許容領域P3の上側の電極層Aの部分、電解質層Bの部分、反応防止層Gの部分および対極電極層Cの部分によって、第3電気化学反応部R3が形成されていると解釈される。
第4気体通流許容領域P4の上側の電極層Aの部分、電解質層Bの部分、反応防止層Gの部分および対極電極層Cの部分によって、第4電気化学反応部R4が形成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
第2電極層A2と、第2対極電極層C2と、これらに挟まれた部分(第2電解質層B2および第2反応防止層G2)とによって、第6電気化学反応部R6が構成されていると解釈される。
すなわち本実施形態では、金属基板1の表側4に、複数の電気化学反応部Rが配置されている。
本実施形態に係る電気化学モジュールMを図26に示す。本実施形態に係る電気化学モジュールMは、電気化学モジュールMは、上述した電気化学素子Qが複数積層した状態で配置されるモジュールである。第26実施形態に係る電気化学モジュールMには、第11実施形態〜第25実施形態に係る電気化学素子Q、すなわち複数の電気化学反応部Rが電気的に並列に接続されている電気化学素子Qが用いられる。
(1)上述の第1実施形態及び第2実施形態では、金属基板1の表面に絶縁被膜を形成したが、筒状ガス流通部10を形成するU字部材11や蓋部12などの電気化学素子Qや電気化学モジュールMの形成に関連して金属基板1以外に用いる部材に金属材料を使用する場合、必要に応じて、そのような金属材料の表面に絶縁被膜や拡散防止膜を形成して用いることもできる。
この電気化学素子Qを用いて、上述の第7実施形態に示したのと同様な電気化学モジュールMを構成することが可能である。
3 :絶縁被膜(金属酸化物被膜)
4 :表側
5 :裏側
6 :拡散防止膜(金属酸化物被膜)
A :電極層
B :電解質層
C :対極電極層
M :電気化学モジュール
N :気体通流禁止領域
P :気体通流許容領域
Q :電気化学素子
R :電気化学反応部
Y :電気化学装置
Z :エネルギーシステム
Claims (13)
- 金属基板と、複数の電気化学反応部とを有し、
前記金属基板は、前記金属基板の表側と裏側との間での気体の通流を許容する気体通流許容領域を有し、
前記電気化学反応部は、電極層と、電解質層と、対極電極層とを少なくとも有し、前記金属基板の表側に配置されており、
少なくとも前記電極層と前記対極電極層との間に、前記電解質層が配置されており、
前記電極層に、前記気体通流許容領域を通流した気体が供給される電気化学素子。 - 前記金属基板は、互いに離間した複数の前記気体通流許容領域を有しており、前記電気化学反応部の前記電解質層が、少なくとも個々の前記気体通流許容領域もしくは前記気体通流許容領域に設けられた前記電極層を覆って配置される請求項1に記載の電気化学素子。
- 前記金属基板の表側における、少なくとも前記金属基板と前記電極層とが接触する領域に、金属酸化物被膜が形成されている請求項1または2に記載の電気化学素子。
- 前記金属基板の表側における、少なくとも電極層と電解質層・対極電極層のいずれにも覆われていない領域に、金属酸化物被膜が形成されている請求項1または2に記載の電気化学素子。
- 前記金属酸化物被膜が、少なくとも前記金属基板に含まれる金属元素を含有する酸化物である請求項3または4に記載の電気化学素子。
- 前記金属酸化物被膜が、絶縁被膜である請求項5に記載の電気化学素子。
- 前記金属基板にSi、Alおよび2〜12族元素のうち少なくともひとつが含有されている請求項6に記載の電気化学素子。
- 複数の前記電気化学反応部が電気的に直列に接続されている請求項1〜7のいずれか一項に記載の電気化学素子。
- 複数の前記電気化学反応部が電気的に並列に接続されている請求項1〜7のいずれか一項に記載の電気化学素子。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の電気化学素子が複数集合した状態で配置される電気化学モジュール。
- 請求項10に記載の電気化学モジュールと改質器を少なくとも有し、前記電気化学モジュールに対して還元性成分を含有する燃料ガスを供給する燃料供給部を有する電気化学装置。
- 請求項10に記載の電気化学モジュールを少なくとも有し、前記電気化学モジュールから電力を取り出すインバータを有する電気化学装置。
- 請求項11または12に記載の電気化学装置と、前記電気化学装置から排出される熱を再利用する排熱利用部を有するエネルギーシステム。
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