TWI821267B - 電化學元件之金屬支撐體、電化學元件、電化學模組、電化學裝置、能源系統、固體氧化物型燃料電池、固體氧化物型電解胞及金屬支撐體之製造方法 - Google Patents

電化學元件之金屬支撐體、電化學元件、電化學模組、電化學裝置、能源系統、固體氧化物型燃料電池、固體氧化物型電解胞及金屬支撐體之製造方法 Download PDF

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Abstract

提供確保充分的強度與性能，同時改善了量產時的加工性與成本之電化學元件等。 電化學元件之金屬支撐體(1)，全體為板狀，設有電極層之面為表側面(1a)，具有由表側面(1a)往背側面(1b)貫通的複數貫通空間(1c)。貫通空間(1c)之表側面(1a)的開口部之表側開口部(1d)的面積為3.0×10-4 mm2 以上3.0×10-3 mm2 以下。

Description

電化學元件之金屬支撐體、電化學元件、電化學模組、電化學裝置、能源系統、固體氧化物型燃料電池、固體氧化物型電解胞及金屬支撐體之製造方法
本發明係關於金屬支撐型電化學元件，與其金屬支撐體等。
於從前的金屬支撐型固體氧化物型燃料電池(SOFC)，金屬支撐體係在金屬板開設多數的孔而構成。然而，作為SOFC確保充分的性能，同時考慮量產時的加工性或成本之最適合的孔形狀仍未被發現。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特表2008-525967號公報
[發明所欲解決之課題]
在專利文獻1，揭示著考慮了胞層積時的加工性之金屬支撐體的構造。在專利文獻1之胞，在開了多數孔的15μm程度的金屬箔上層積著電極層/電解質層/對極電極層。在這樣薄的金屬箔強度很小，所以胞製造時之處理為極困難，不適於量產。
本發明係有鑑於前述課題而完成之發明，目的在於提供確保充分的強度與性能，同時改善了量產時的加工性與成本之電化學元件等。 [供解決課題之手段]
[構成1] 為達成前述目的之電化學元件之金屬支撐體的特徵構成，係全體為板狀，前述金屬支撐體，使被設置電極層之面為表側面，具有由前述表側面往背側面貫通的複數貫通空間，前述貫通空間之前述表側面的開口部之表側開口部的面積為3.0×10-4 mm2 以上3.0×10-3 mm2 以下。
根據前述特徵構成，由於表側開口部的面積為3.0×10-4 mm2 以上，使用此金屬支撐體的話，可對電化學元件之電極層供給充分量的燃料氣體(或空氣)，所以可確保作為電化學元件之充分的性能，為適宜的。又，表側開口部的面積為4.0×10-4 mm2 以上為更適宜，為7.0×10-4 mm2 以上進而更佳。藉著如此，開口面積越大越變得可以對電化學元件的電極層供給更多的燃料氣體(或空氣)，可以更為提高作為電化學元件之性能。此外，表側開口部的面積為3.0×10-3 mm2 以下，所以充分確保作為金屬支撐體的強度，可使其為可信賴姓高的電化學元件，同時可減低貫通空間的加工成本，而且，容易於具有複數貫通空間的金屬支撐體上形成電極層等電化學元件的構成要素，所以為適宜。又，表側開口部的面積為2.0×10-3 mm2 以下為更適宜，1.5×10-3 mm2 以下進而更佳。因為藉著如此，可以得到更大之先前所述的效果。
[構成2] 相關於本發明之金屬支撐體之其他的特徵構成，為前述表側開口部為直徑20μm以上60μm以下之圓形或約略圓形這點。
根據前述特徵構成，貫通空間的加工形成變得容易，可改善量產時的加工性與成本，為適宜的。又，前述表側開口部，以直徑20μm以上的圓形或約略圓形為佳，直徑25μm以上的圓形或約略圓形更佳，直徑30μm以上的圓形或約略圓形又更佳。因為藉著如此，變得可以對電化學元件的電極層供給充分量的燃料氣體(或空氣)，可以更為提高作為電化學元件之性能。此外，前述表側開口部，以直徑60μm以下的圓形或約略圓形為佳，直徑50μm以下的圓形或約略圓形更佳，直徑40μm以下的圓形或約略圓形又更佳。因為藉著如此，提高作為金屬支撐體的強度，同時於具有複數貫通空間的金屬支撐體上更容易形成電極層等電化學元件的構成要素。
[構成3] 相關於本發明之金屬支撐體，前述貫通空間之前述背側面的開口部之背側開口部，亦可具有比前述表側開口部更大的面積或直徑。
根據前述特徵構成，貫通空間的加工形成變得更為容易，可改善量產時的加工性與成本，為適宜的。此外，可以使相對於金屬支撐體的表側開口部面積之金屬支撐體全體的厚度的比率更大，所以具有充分的強度，同時變得更容易在金屬支撐體上形成電極層等電化學元件之構成要素，所以為適宜。
[構成4] 相關於本發明的金屬支撐體，前述表側開口部的間隔為0.05mm以上0.3mm以下為佳。
根據前述特徵構成，可兼顧金屬支撐體的強度與性能，所以為適宜。又前述表側開口部的間隔以0.05mm以上為佳，0.1mm以上更佳，0.15mm以上進而又更佳。因為藉著如此，可以更為提高金屬支撐體的強度，而且可更為容易於具有複數貫通空間的金屬支撐體上形成電極層等電化學元件的構成要素。此外，前述表側開口部的間隔以0.3mm以下為佳，0.25mm以下更佳，0.2mm以下進而又更佳。因為藉著如此，變得可以對電化學元件的電極層供給充分量的燃料氣體(或空氣)，可以更為提高作為電化學元件之性能。
[構成5] 相關於本發明的金屬支撐體，厚度為0.1mm以上1.0mm以下為佳。
根據前述特徵構成，可以使貫通空間的大小為適切，同時充分確保金屬支撐體全體的強度，所以可提高量產時的加工性，減低材料成本，所以為適宜。又，金屬支撐體的厚度在0.1mm以上為佳，0.15mm以上更佳，0.2mm以上進而又更佳。因為藉著如此，保持金屬支撐體之強度，同時量產時的處理變得更為容易。此外，金屬支撐體的厚度在1.0mm以下為佳，0.75mm以下更佳，0.5mm以下進而又更佳。因為藉著如此，確保金屬支撐體的強度，同時可以更為減低金屬支撐體的材料成本。
[構成6] 相關於本發明之金屬支撐體之其他特徵構成，為重疊複數金屬板而形成這點。
根據前述特徵構成，可以使貫通空間的大小為適切，同時確保金屬支撐體全體的厚度充分確保強度，所以可提高量產時的加工性，所以為適宜。
[構成7] 相關於本發明之金屬支撐體之其他特徵構成，為重疊複數相同或約略相同厚度的金屬板而形成這點。
根據前述特徵構成，可以使貫通空間的大小為適切，同時確保金屬支撐體全體的厚度充分確保強度，所以可提高量產時的加工性，所以為適宜。此外，在此場合，重疊形成相同或約略相同的貫通空間之相同或約略相同的厚度之金屬板而接合，可使其為確保全體的厚度之金屬支撐體，所以可改善成本，為適宜的。
[構成8] 相關於本發明之金屬支撐體之其他特徵構成，在於包含金屬製的板之第1金屬板，與厚度比前述第1金屬板大的金屬製之板之第2金屬板，重疊複數金屬板而形成，前述第1金屬板被配置在比前述第2金屬板更靠前述表側面之側這點。
根據前述特徵構成，可以使貫通空間的大小為適切，同時確保金屬支撐體全體的厚度充分確保強度，所以可提高量產時的加工性，所以為適宜。此外，在此場合，比起形成於厚度大的第2金屬板的開口部的大小，使形成於厚度小的第1金屬板的開口部的大小更小，將其重疊接合，可以成為確保全體厚度之金屬支撐體，所以可使對於金屬支撐體的表側開口部面積之金屬支撐體全體的厚度的比率更大，所以具有充分的強度，同時變得更容易在金屬支撐體上形成電極層等電化學元件之構成要素，所以為適宜。
[構成9] 相關於本發明之金屬支撐體之其他特徵構成，係材料為Fe-Cr系合金這點。
根據前述特徵構成，可以提高金屬支撐體的耐氧化性與高溫強度。此外，可以使被形成於金屬支撐體上的電極層或電解質層等電化學元件的構成要素的材料與熱膨脹係數為接近，可以實現熱循環耐久性優異的電化學元件所以較佳。
[構成10] 相關於本發明的金屬支撐體之其他特徵構成，為前述表面側之至少一部分以金屬氧化物膜覆蓋這點。
根據前述的特徵構成，可以藉由金屬氧化物覆膜抑制鉻等成分由金屬支撐體往電極層等擴散，所以可抑制電極層等的性能降低，提高電化學元件的性能/耐久性。
[構成11] 於前述金屬支撐體的前述表側面，至少設有電極層與電解質層與對極電極層的電化學元件，成為確保充分的性能，同時改善量產時的加工性與成本者，為適宜的。進而，在強度優異的金屬支撐體之上形成電極層或電解質層等電化學元件的構成要素，所以可以使電極層或電解質層等電化學元件的構成要素薄層化或薄膜化，所以變得可減低電化學元件的材料成本，為適宜的。
[構成12] 相關於本發明之電化學模組的特徵構成，為前述之電化學元件以複數集合的狀態配置。
根據前述之特徵構成，前述之電化學元件以複數集合的狀態配置，所以抑制材料成本與加工成本，同時可以得到精實的高性能的強度與可信賴性優異之電化學模組。
[構成13] 相關於本發明的電化學裝置之特徵構成，為至少具有前述電化學元件或者前述電化學模組與燃料變換器；前述電化學元件或者前述電化學模組與前述燃料變換器之間具有流通含有還原性成分的氣體的燃料供給部這點。
根據前述特徵構成，具有電化學元件或電化學模組與燃料變換器，在電化學元件或電化學模組與前述燃料變換器之間具有使含有還原性成分的氣體流通之燃料供給部，所以把電化學元件或電化學模組作為燃料電池使其動作的場合，可成為使用天然氣等既有的原燃料供給基礎設施供給的天然氣等藉由改質氣等燃料變換器生成氫的構成，可以實現具備耐久性/可信賴性及性能均優異的電化學元件或電化學模組之電化學裝置。此外，變得容易構築把從電化學模組流通的未利用的燃料氣體再循環利用的系統，可以實現高效率的電化學裝置。 使電化學元件或電化學模組作為電解胞動作的場合，對電極層流通以含有水蒸氣或二氧化碳的氣體，在電極層與對極電極層間施加電壓。藉著如此，於電極層電子e- 與水分子H2 O或二氧化碳分子CO2 反應，成為氫分子H2 或一氧化碳CO氧離子O2- 。氧離子O2- 通過電解質層往對極電極層移動。於對極電極層，氧離子O2- 放出電子成為氧分子O2 。藉由以上的反應，水分子H2 O分解為氫H2 與氧O2 ，含有二氧化碳分子CO2 的氣體流通的場合電解為一氧化碳CO與氧O2 。 可以設置在含有水蒸氣與二氧化碳分子CO2 的氣體流通的場合由藉著前述電解在電化學元件或者電化學模組生成的氫及一氧化碳等合成碳化氫等種種化合物的燃料變換器。藉由燃料供給部，使此燃料變換器生成的碳化氫等流通至電化學元件或者電化學模組，可以取出至本系統/裝置外而另行作為燃料或化學原料來利用。
[構成14] 相關於本發明的電化學裝置的特徵構成，為至少具有前述電化學元件或者前述電化學模組，以及由前述電化學元件或者前述電化學模組取出電力或者使電力流通至前述電化學元件或者前述電化學模組之電力變換器這點。
根據前述的特徵構成，電力變換器，取出電化學元件或者電化學模組發電的電力，或者使電力流通至電化學元件或者電化學模組。藉此，如前所述的電化學元件或電化學模組，作為燃料電池或者作為電解胞發生作用。從而，根據前述構成，可以提供把燃料等的化學能變換為電能，或者把電能變換為化學能的效率可以提高之電化學元件等。 又，例如作為電力變換器使用反相器的場合，可以把從耐久性/可信賴性及性能均優異的電化學元件或電化學模組所得到的電力輸出，藉由反相器升壓，或是把直流電變換為交流電，所以使以電化學元件或電化學模組得到的電力輸出變得容易利用，所以較佳。
[構成15] 相關於本發明之能源系統的特徵構成，為具有前述之電化學裝置，與再利用由前述電化學裝置排出的熱之排熱利用部這點。
根據前述的特徵構成，因為具有電化學裝置，與再利用由電化學裝置排出的熱之排熱利用部，所以可以實現耐久性/可信賴性及性能優異，而且能源效率也優異的能源系統。此外，與利用由電化學裝置排出的未利用的燃料氣體之燃燒熱而發電的發電系統組合，也可以實現能源效率優異的混成系統。
[構成16] 相關於本發明之固體氧化物型燃料電池之特徵構成，為具備前述電化學元件，產生發電反應。
根據前述特徵構成，可以作為具備耐久性/可信賴性及性能優異的電化學元件之固體氧化物型燃料電池進行發電反應，所以可以得到高耐久/高性能的固體氧化物型燃料電池。又，若是在額定運轉時可以在650℃以上的溫度區域運轉的固體氧化物型燃料電池的話，於以天然氣等碳化氫係氣體為原燃料的燃料電池系統，可以構築以燃料電池的排熱來供應把原燃料變換為氫時所必要的熱之系統，可以提高燃料電池系統的發電性能，所以更佳。此外，若是在額定運轉時在900℃以下的溫度區域運轉的固體氧化物型燃料電池的話，可以提高抑制鉻由金屬支撐型電化學元件揮發的效果所以更佳，若是在額定運轉時在850℃以下的溫度區域運轉的固體氧化物型燃料電池的話，抑制鉻揮發之效果更為提高，所以更佳，
[構成17] 相關於本發明之固體氧化物型電解胞之特徵構成，為具備前述電化學元件，以前述電化學元件產生電解反應這點。
根據前述特徵構成，可以作為具備耐久性/可信賴性及性能優異的電化學元件之固體氧化物型電解胞進行根據電解反應之氣體生成，所以可以得到高耐久/高性能的固體氧化物型電解胞。
[構成18] 為了達成前述目的，製造前述金屬支撐體的製造方法之特徵構成，係對金屬材料板，藉由雷射加工或沖壓加工或蝕刻加工之任一或者這些之組合，形成從前述表側面往背側面貫通的複數貫通空間這點。
根據前述特徵構成，貫通空間的加工形成變得容易，可改善量產時的加工性與成本。
＜第1實施形態＞ 以下，參照圖1，同時說明相關於本實施型態之金屬支持型電化學元件E及固體氧化物型燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell:SOFC)。電化學元件E，例如做為接受含氫的燃料氣體與空氣的供給而發電的固體氧化物型燃料電池的構成要素來使用。又，以下在表示層的位置關係等的時候，會把例如由電解質層4來看把對極電極層6之側作為「上」或者「上側」，把電極層2之側作為「下」或者「下側」。此外，金屬支撐體1之被形成電極層2之側之面為表側面1a，相反側之面為背側面1b。
(電化學元件) 電化學元件E，如圖1所示，具有金屬支持體1、被形成於金屬支撐體1上的電極層2、被形成於電極層2上的中間層3、與被形成於中間層3上的電解質層4。接著，電化學元件E，進而具有被形成於電解質層4上的反應防止層5，與被形成於反應防止層5之上的對極電極層6。總之，對極電極層6被形成於電解質層4之上，反應防止層5被形成於電解質層4與對極電極層6之間。電極層2為多孔質，電解質層4為緻密。
(金屬支撐體) 金屬支持體1支撐電極層2、中間層3及電解質層4等，保持電化學元件E的強度。總之，金屬支撐體1，擔負作為支撐電化學元件E的支撐體的任務。
作為金屬支撐體1的材料，使用電子傳導性、耐熱性、耐氧化性及耐腐蝕性優異的材料。例如，使用肥粒鐵系不銹鋼、沃斯田鐵系不銹鋼、鎳基合金等。特別是適合使用含鉻合金。在本實施型態，金屬支撐體1，使用含Cr18質量%以上25質量%以下的Fe-Cr系合金，含Mn0.05質量%以上的Fe-Cr系合金，含Ti0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含Zr0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含Ti及Zr而Ti與Zr的合計含量為0.15質量%以上1.0質量%以下之Fe-Cr系合金，含Cu0.10質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金為特別適宜。
金屬支撐體1全體為板狀。接著，金屬支撐體1，設有電極層2之面為表側面1a，具有由表側面1a往背側面1b貫通的複數貫通空間1c。貫通空間1c，具有使氣體由金屬支撐體1的背側面1b往表側面1a透過的機能。又，彎曲板狀的金屬支撐體1，例如使變形為箱狀、圓筒狀等形狀而使用亦為可能。
於金屬支撐體1的表面，設有作為擴散抑制層的金屬氧化物層1f。亦即，在金屬支撐體1與後述的電極層2之間，被形成擴散抑制層。金屬氧化物層1f，不僅設在露出於金屬支撐體1的外部之面，也設在與電極層2之接觸面(界面)。此外，也可以設在貫通空間1c的內側之面。藉由此金屬氧化物層1f，可以抑制金屬支撐體1與電極層2之間的元素相互擴散。例如，作為金屬支撐體1使用含鉻的肥粒鐵系不銹鋼的場合，金屬氧化物層1f主要為鉻氧化物。接著，以鉻氧化物為主成分的金屬氧化物層1f，抑制金屬支撐體1的鉻原子等往電極層2或電解質層4擴散。金屬氧化物層1f的厚度，只要是可以兼顧防擴散性能夠高與電阻夠低之厚度即可。 金屬氧化物層1f可藉由種種手法來形成，但使金屬支撐體1的表面氧化成為金屬氧化物的手法適宜使用。此外，於金屬支撐體1的表面，藉由噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、濺鍍法或PLD法等PVD法、CVD法等來形成金屬氧化物層1f亦可，藉由電鍍與氧化處理來形成亦可。進而，金屬氧化物層1f包含導電性高的尖晶石相等亦可。
作為金屬支撐體1使用肥粒鐵系不銹鋼的場合，與作為電極層2或電解質層4的材料使用的YSZ(釔安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰，亦稱為CGO)等熱膨脹係數相近。亦即，低溫與高溫之溫度循環反覆進行的場合，電化學元件E也不容易受到損傷。因而，以可以實現長期耐久性優異的電化學元件E為佳。
(金屬支撐體及貫通空間的構造) 在圖1之例，金屬支撐體1藉由1枚金屬板構成。也可以重疊複數金屬板形成金屬支撐體1。也可以重疊複數相同或約略相同厚度的金屬板而形成金屬支撐體1。也可以重疊複數厚度不同的金屬板形成金屬支撐體1。以下，參照圖式同時說明金屬支撐體1及貫通空間1c的構造之例。又，針對金屬氧化物層1f省略圖示。
＜第1例＞ 參照圖5，說明金屬支撐體1藉由1枚金屬板構成之例(第1例)。如圖5所示，金屬支撐體1，為厚度T的板狀構件，亦即全體為板狀。金屬支撐體1，具有由表側面1a往背側面1b貫通的複數貫通空間1c。在第1例，貫通空間1c，剖面為圓形的孔。又，貫通空間1c的剖面形狀，除了圓形或約略圓形以外，也可能為矩形或三角形、多角形等，可以形成貫通空間1c的話，在確保作為金屬支撐體1的機能之範圍可以為種種的形狀。此孔(貫通空間1c)，藉由雷射加工、沖壓加工或蝕刻加工之任一，或者這些之組合，形成金屬支撐體1。此孔的中心軸，對金屬支撐體1正交。又，孔(貫通空間1c)之中心軸，對金屬支撐體1傾斜亦可。
貫通空間1c的表側面1a的開口部稱為表側開口部1d。貫通空間1c的背側面1b的開口部稱為背側開口部1e。貫通空間1c的剖面為圓形的孔，所以表側開口部1d及背側開口部1e均為圓形。表側開口部1d與背側開口部1e，亦可為相同大小。背側開口部1e，比表側開口部1d更大亦可。表側開口部1d的直徑為直徑D。
如圖5所示，於金屬支撐體1，複數之孔(貫通空間1c)，以間距P(間隔)形成於正交格子的格子點的位置。作為複數之孔(貫通空間1c)的配置態樣，除了正交格子以外，也可能為斜方格子、正三角形狀的格子，除了格子點以外，也可以配置往對角線交點，可以形成貫通空間的話，在確保作為金屬支撐體的機能之範圍可以為種種配置。
於金屬支撐體1的表側面1a，被形成貫通空間1c的區域稱為孔區域1g。孔區域1g，設於金屬支撐體1之除了外周域周邊外之範圍內。1個孔區域1g設於金屬支撐體1亦可，複數孔區域1g設於金屬支撐體1亦可。
金屬支撐體1，作為支撐體要求形成電化學元件E具有充分的強度。金屬支撐體1的厚度T以0.1mm以上為佳，0.15mm以上更佳，0.2mm以上進而又更佳。金屬支撐體1的厚度T以1.0mm以下為佳，0.75mm以下更佳，0.5mm以下進而又更佳。
表側開口部1d的直徑D以20μm以上為佳，25μm以上更佳，30μm以上進而又更佳。表側開口部1d的直徑D以60μm以下為佳，50μm以下更佳，40μm以下進而又更佳。
貫通空間1c(孔)的配置間距P以0.05mm以上為佳，0.1mm以上更佳，0.15mm以上進而又更佳。貫通空間1c(孔)的配置間距P以0.3mm以下為佳，0.25mm以下更佳，0.2mm以下進而又更佳。
貫通空間1c的表側開口部1d的面積S以3.0×10-4 mm2 以上為佳，4.0×10-4 mm2 以上更佳，7.0×10-4 mm2 以上進而又更佳。此外，貫通空間1c的表側開口部1d的面積S以3.0×10-3 mm2 以下為佳，2.0×10-3 mm2 以下更佳，1.5×10-3 mm2 以下進而又更佳。
＜第2例＞ 參照圖6，說明金屬支撐體1重疊複數相同厚度的金屬板而形成之例(第2例)。如圖6所示，在第2例，藉由厚度T1的第1金屬板10，與厚度T2的第2金屬板20，構成金屬支撐體1。第1金屬板10與第2金屬板20為相同厚度。金屬支撐體1，重疊第1金屬板10與第2金屬板20而形成。接著金屬支撐體1，全體為厚度T的板狀構件。第1金屬板10與第2金屬板20，例如藉由點焊、硬焊、真空接合等手法來接合。又，第1金屬板10與第2金屬板20以稍微不同的厚度，亦即，以約略相同的厚度構成亦可。
第1金屬板10，具有由表側之面的第1表側面10a，往背側之面的第1背側面10b貫通的複數第1貫通空間10c。第1貫通空間10c，剖面為圓形的孔。又，第1貫通空間10c的剖面形狀，除了圓形或約略圓形以外，也可能為矩形或三角形。此孔(第1貫通空間10c)，藉由雷射加工或沖壓加工或蝕刻加工之任一，或者這些之組合，形成於第1金屬板10。此孔的中心軸，對第1金屬板10正交。又，孔(第1貫通空間10c)之中心軸，對第1金屬板10傾斜亦可。
第1貫通空間10c的第1表側面10a的開口部稱為第1表側開口部10d。第1貫通空間10c的第1背側面10b的開口部稱為第1背側開口部10e。第1貫通空間10c的剖面為圓形的孔，所以第1表側開口部10d及第1背側開口部10e均為圓形。第1表側開口部10d與第1背側開口部10e，亦可為相同大小。第1背側開口部10e，比第1表側開口部10d更大亦可。第1表側開口部10d的直徑為直徑D1。
如圖6所示，於第1金屬板10，複數之孔(第1貫通空間10c)，以間距P1(間隔)形成於正交格子的格子點的位置。作為複數之孔(第1貫通空間10c)的配置態樣，除了正交格子以外，也可能為斜方格子、正三角形狀的格子，除了格子點以外，也可以配置往對角線交點。
第2金屬板20，具有由表側之面的第2表側面20a，往背側之面的第2背側面20b貫通的複數第2貫通空間20c。第2貫通空間20c，剖面為圓形的孔。又，第2貫通空間20c的剖面形狀，除了圓形或約略圓形以外，也可能為矩形或三角形。此孔(第2貫通空間20c)，藉由雷射加工或沖壓加工或蝕刻加工之任一，或者這些之組合，形成於第2金屬板20。此孔的中心軸，對第2金屬板20正交。又，孔(第2貫通空間20c)之中心軸，對第2金屬板20傾斜亦可。作為第2例，顯示第2金屬板20的第2貫通空間20c的直徑，與第1金屬板10的第1貫通空間10c的直徑相等之例。又，第1貫通空間10c的直徑與第2貫通空間20c的直徑部同亦可。
第2貫通空間20c的第2表側面20a的開口部稱為第2表側開口部20d。第2貫通空間20c的第2背側面20b的開口部稱為第2背側開口部20e。第2貫通空間20c的剖面為圓形的孔，所以第2表側開口部20d及第2背側開口部20e均為圓形。第2表側開口部20d與第2背側開口部20e，亦可為相同大小。第2背側開口部20e，比第2表側開口部20d更大亦可。第2表側開口部20d的直徑為直徑D2。
在第2例，第2金屬板20的第2貫通空間20c的直徑，與第1金屬板10的第1貫通空間10c的直徑相等。因此，第1表側開口部10d的直徑D1，與第2表側開口部20d的直徑D2相等。
如圖6所示，於第2金屬板20，複數之孔(第2貫通空間20c)，以間距P2(間隔)形成於正交格子的格子點的位置。作為複數之孔(第2貫通空間20c)的配置態樣，除了正交格子以外，也可能為斜方格子、正三角形狀的格子，除了格子點以外，也可以配置往對角線交點。
在第2例，第2金屬板20的第2貫通空間20c的間距P2，與第1金屬板10的第1貫通空間10c的間距P1相等。接著，第2金屬板20的第2貫通空間20c，與第1金屬板10的第1貫通空間10c，以上面俯視為重疊的方式，使第1金屬板10與第2金屬板20重疊而接合。亦即，第1貫通空間10c與第2貫通空間20c連通。第1貫通空間10c與第2貫通空間20c連通，形成金屬支撐體1的貫通空間1c。
金屬支撐體1的厚度T，於第2例之型態，為第1金屬板10的厚度T1與第2金屬板20的厚度T2之合計。又，重疊3枚以上的金屬板形成金屬支撐體1的場合，這些金屬板的厚度的合計為金屬支撐體1的厚度T。於第2例，金屬支撐體1的厚度T也以0.1mm以上為佳，0.15mm以上更佳，0.2mm以上進而又更佳。金屬支撐體1的厚度T以1.0mm以下為佳，0.75mm以下更佳，0.5mm以下進而又更佳。
於第2例之型態，在第1例的型態之表側開口部1d的直徑D，有第1金屬板10的第1貫通空間10c的表側開口部10d的直徑D1相當於此。因為第1金屬板10的第1表側面10a，相當於在第1例的型態之金屬支撐體1的表側面1a的緣故。使用第2例之金屬支撐體1構成電化學元件E的場合，於第1金屬板10的第1表側面10a上，被形成電極層2。於第2例，表側開口部10d的直徑D1，也以20μm以上為佳，25μm以上更佳，30μm以上進而又更佳。表側開口部10d的直徑D1以60μm以下為佳，50μm以下更佳，40μm以下進而又更佳。
於第2例之型態，貫通空間1c的配置的間距P，有第1金屬板10的第1貫通空間10c的間距P1相當於此。因為第1金屬板10的第1表側面10a，相當於在第1例的型態之金屬支撐體1的表側面1a的緣故。使用第2例之金屬支撐體1構成電化學元件E的場合，於第1金屬板10的第1表側面10a上，被形成電極層2。於第2例，貫通空間10c(孔)的配置間距P也以0.05mm以上為佳，0.1mm以上更佳，0.15mm以上進而又更佳。貫通空間10c(孔)的配置間距P以0.3mm以下為佳，0.25mm以下更佳，0.2mm以下進而又更佳。
於第2例之型態，在第1例的型態之貫通空間1c的表側開口部1d的面積S，有第1金屬板10的第1表側開口部10d的面積S1相當於此。因為第1金屬板10的第1表側面10a，相當於在第1例的型態之金屬支撐體1的表側面1a的緣故。使用第2例之金屬支撐體1構成電化學元件E的場合，於第1金屬板10的第1表側面10a上，被形成電極層2。於第2例，貫通空間10c的表側開口部10d的面積S1也以3.0×10-4 mm2 以上為佳，4.0×10-4 mm2 以上更佳，7.0×10-4 mm2 以上進而又更佳。此外，貫通空間10c的表側開口部10d的面積S1以3.0×10-3 mm2 以下為佳，2.0×10-3 mm2 以下更佳，1.5×10-3 mm2 以下進而又更佳。
＜第3例＞ 參照圖7，說明金屬支撐體1重疊複數不同厚度的金屬板而形成之例(第3例)。相關於第3例之金屬支撐體1，係變更了相關於第2例的金屬支撐體1的各處尺寸關係者。在以下之第3例的說明，針對與第2例同樣的構件亦有賦予同一符號而省略說明的場合。
如圖7所示，在第3例，藉由厚度T1的第1金屬板10，與厚度T2的第2金屬板20，構成金屬支撐體1。第1金屬板10與第2金屬板20，為不同厚度，第2金屬板20比第1金屬板10的厚度更大。如圖7所示，在第3例，例如厚度T2，為厚度T1的約5倍。
在第3例，第2表側開口部20d的直徑D2，與第1表側開口部10d的直徑D1為不同值。第2表側開口部20d的直徑D2，比第1表側開口部10d的直徑D1更大，例如為第1表側開口部10d的直徑D1之約8倍。
在第3例，第1金屬板10的第1貫通空間10c與第2金屬板20的第2貫通空間20c，均被形成於正交格子的格子點的位置。但是，這些的配置間距，亦即第1貫通空間10c的間距P1與第2貫通空間20c的間距P2，為不同值。第2貫通空間20c的間距P2，比第1貫通空間10c的間距P1更大，例如為間距P1的4倍。
如此一來，在第3例之金屬支撐體1，如圖7所示，成為1個第2貫通空間20c與4個第1貫通空間10c連通。亦即，與第2例同樣，於第3例，第1貫通空間10c與第2貫通空間20c連通，形成在第1例的型態之金屬支撐體1的貫通空間1c。
於第3例之型態，也與第2例同樣，在第1例的型態之表側開口部1d的直徑D，有第1金屬板10的第1貫通空間10c的直徑D1相當於此。因為第1金屬板10的第1表側面10a，相當於在第1例的型態之金屬支撐體1的表側面1a的緣故。使用第3例之金屬支撐體1構成電化學元件E的場合，於第1金屬板10的第1表側面10a上，被形成電極層2。於第3例，表側開口部10d的直徑D1，也以20μm以上為佳，25μm以上更佳，30μm以上進而又更佳。表側開口部10d的直徑D1以60μm以下為佳，50μm以下更佳，40μm以下進而又更佳。
於第3例之型態，與第2例同樣，在第1例的型態之貫通空間1c的配置的間距P，有第1金屬板10的第1貫通空間10c的間距P1相當於此。因為第1金屬板10的第1表側面10a，相當於在第1例的型態之金屬支撐體1的表側面1a的緣故。使用第3例之金屬支撐體1構成電化學元件E的場合，於第1金屬板10的第1表側面10a上，被形成電極層2。於第3例，貫通空間10c(孔)的配置間距P1也以0.05mm以上為佳，0.1mm以上更佳，0.15mm以上進而又更佳。貫通空間10c(孔)的配置間距P1以0.3mm以下為佳，0.25mm以下更佳，0.2mm以下進而又更佳。
於第3例之型態，與第2例同樣，在第1例的型態之貫通空間1c的表側開口部1d的面積S，有第1金屬板10的第1的表側開口部10d的面積S1相當於此。因為第1金屬板10的第1表側面10a，相當於在第1例的型態之金屬支撐體1的表側面1a的緣故。使用第3例之金屬支撐體1構成電化學元件E的場合，於第1金屬板10的第1表側面10a上，被形成電極層2。於第3例，貫通空間10c的表側開口部10d的面積S1也以3.0×10-4 mm2 以上為佳，4.0×10-4 mm2 以上更佳，7.0×10-4 mm2 以上進而又更佳。此外，貫通空間10c的表側開口部10d的面積S1以3.0×10-3 mm2 以下為佳，2.0×10-3 mm2 以下更佳，1.5×10-3 mm2 以下進而又更佳。
又，金屬支撐體1，或者第1金屬板10或第2金屬板20之中的至少1個，亦可為把金屬網目壓延加工加工為板狀的金屬板，或板狀的延展金屬或把延展金屬壓延加工作為金屬板。金屬網目，是編織金屬細線形成的薄片狀構件，其編織的細線之間具有空間，該空間具有使金屬網目貫通於厚度方向的部分(貫通孔)，但壓延加工金屬網目加工為板狀者，可以為厚度方向具有貫通的貫通孔之金屬板。此外，延展金屬，是在金屬之板加入切口而擴大，使該切口為菱形或龜甲形等之薄片狀的構件，擴展切口成為菱形或龜甲形等的部分，成為使延展金屬於厚度方向貫通的部分(貫通孔)。把延展金屬壓延加工，成為於厚度方向具有貫通的貫通孔之金屬板亦可。又，在這些場合，貫通孔的形狀有種種型態，壓延加工金屬網目而得的金屬板，或板狀的延展金屬或者壓延加工延展金屬之金屬板的表面之貫通孔之開口部的各面積換算為相同面積的圓的直徑，可做為該貫通孔的直徑(內徑)。此外，金屬支撐體1以第1金屬板10及第2金屬板20構成，第2金屬板20的厚度比第1金屬板10的厚度更大的場合，作為厚度大的第2金屬板20，使用把金屬網目壓延加工加工為板狀的金屬板，或板狀的延展金屬或把延展金屬壓延加工之金屬板為佳。
(電極層) 電極層2，如圖1所示，在金屬支撐體1的表側之面且被設置貫通空間1c的區域更大的區域，以薄層的狀態設置。薄層的場合，可以使其厚度為例如1μm～100μm程度，較佳為5μm～50μm。使成為這樣的厚度，可以減低昂貴的電極層材料的使用量而謀求降低成本，同時可以確保充分的電極性能。被設置貫通空間1c的區域的全體為電極層2所覆蓋。總之，貫通空間1c被形成於金屬支撐體1之被形成電極層2的區域之內側。換句話說，所有的貫通空間1c面對電極層2設置。
作為電極層2的材料，例如可以使用NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2 、Cu-CeO2 等複合材。在這些例中，GDC、YSZ、CeO2 可以稱為複合材的骨材。又，電極層2，以藉由低溫燒成法(例如不在比1100℃更高的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的製程，不在例如比1100℃更高的高溫域之燒成，可以得到良好的電極層2。因此，不會損傷金屬支撐體1，此外，可以抑制金屬支撐體1與電極層2之元素相互擴散，可實現耐久性優異的電化學元件所以較佳。進而，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
電極層2具有氣體透過性，所以內部及表面具有複數細孔。 亦即，電極層2，形成為多孔質之層。電極層2，例如以其緻密度為30%以上而未滿80%的方式形成。細孔的尺寸，可以適當選擇在進行電化學反應時適於使反應圓滑地進行之尺寸。又，所謂緻密度，是構成層的材料的空間占比，能夠以(1-空孔率)表示，此外，與相對密度同等。
(中間層) 中間層3(插入層)，如圖1所示，能夠在覆蓋電極層2的狀態下，以薄層的狀態形成於電極層2之上。薄層的場合，可以使其厚度為例如1μm～100μm程度，較佳為2μm～50μm程度，更佳為4μm～25μm程度。使成為這樣的厚度，可以減低昂貴的中間層材料的使用量而謀求降低成本，同時可以確保充分的性能。作為中間層3的材料，例如，可以使用YSZ(釔安定氧化鋯)、SSZ(鈧安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、SDC(釤摻雜氧化鈰)等。特別適合使用氧化鈰系之陶瓷。
中間層3，以藉由低溫燒成法(例如不在比1100℃更高的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的成膜製程，不在例如比1100℃更高的高溫域之燒成，可以得到中間層3。因此，不損傷金屬支撐體1，可以抑制金屬支撐體1與電極層2之元素相互擴散，可實現耐久性優異的電化學元件E。此外，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
作為中間層3，以具有氧離子(氧化物離子)傳導性為佳。此外，具有氧離子(氧化物離子)與電子之混合傳導性為更佳。具有這些性質的中間層3，適合適用電化學元件E。
(電解質層) 電解質層4，如圖1所示，是在覆蓋電極層2及中間層3的狀態下，以薄層的狀態形成於中間層3之上。此外，也能夠以厚度10μm以下的薄膜狀態形成。詳言之，電解質層4，如圖1所示，係跨設於中間層3之上與金屬支撐體1之上。如此構成，藉由把電解質層4接合於金屬支撐體1，可以作為電化學元件全體為牢固性優異者。
此外，電解質層4，如圖1所示，設置於金屬支撐體1的表側之面且比被設置貫通空間1c的區域更大的區域。總之，貫通空間1c被形成於金屬支撐體1之被形成電解質層4的區域之內側。
此外，於電解質層4的周圍，可以抑制來自電極層2及中間層3之氣體的洩漏。進一步說明，在電化學元件E作為SOFC的構成要素使用的場合，在SOFC動作時，氣體由金屬支撐體1的背側通過貫通空間1c往電極層2供給。在電解質層4接於金屬支撐體1的部位，不設置密合墊等其他構件，就可以抑制氣體的洩漏。又，在本實施型態藉由電解質層4全部覆蓋電極層2的周圍，但在電極層2及中間層3的上部設電解質層4，在周圍設密合墊等的構成亦可。
作為電解質層4的材料，可以使用YSZ(釔安定氧化鋯)、SSZ(鈧安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、SDC(釤摻雜氧化鈰)、LSGM(鍶鎂摻雜鎵酸鑭)等傳導氧離子的電解質材料，或鈣鈦礦(perovskite)型氧化物等傳導氫離子的電解質材料。特別適合使用氧化鋯系之陶瓷。電解質層4採用氧化鋯系陶瓷的話，能夠讓使用電化學元件E的SOFC的工作溫度，與氧化鈰系陶瓷或種種氫離子傳導性材料相比可以提高。例如把電化學元件E使用於SOFC的場合，作為電解質層4的材料使用如YSZ那樣在650℃程度以上的高溫域也可以發揮高的電解質性能的材料，系統的原燃料使用天然氣或天然氣(LPG)等碳化氫系原燃料，使原燃料藉由水蒸氣改質等作為SOFC的陽極氣體的系統構成的話，可以構築把在SOFC的電池堆產生的熱用於原燃料氣體的改質之高效率的SOFC系統。
電解質層4，以藉由低溫燒成法(例如不超越1100℃的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的成膜製程，不在例如比1100℃以上的高溫域之燒成，可以得到緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層4。因此，可以抑制金屬支撐體1的損傷，此外，可以抑制金屬支撐體1與電極層2之元素相互擴散，可實現性能/耐久性優異的電化學元件E。特別是使用低溫燒成法或噴塗法等的話，可以實現低成本的元件所以較佳。進而，使用噴塗法的話，在低溫域容易得到緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層所以更佳。
電解質層4遮蔽陽極氣體或陰極氣體之氣體洩漏，且呈現高的離子傳導性，所以被構成為緻密。電解質層4的緻密度以90%以上為佳，95%以上為更佳，98%以上又更佳。電解質層4為均勻的層的場合，其緻密度以95%以上為佳，98%以上為更佳。此外，電解質層4，被構成為複數之層狀的場合，其中至少一部分含有致密度98%以上之層(緻密電解質層)為佳，包含99%以上之層(緻密電解質層)更佳。如此緻密電解質層包含於電解質層之一部分的話，即使電解質層被構成為複數層狀的場合，也容易形成緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層。
(反應防止層) 反應防止層5，可以在電解質層4之上以薄層的狀態形成。薄層的場合，可以使其厚度為例如1μm～100μm程度，較佳為2μm～50μm程度，更佳為3μm～15μm程度。使成為這樣的厚度，可以減低昂貴的反應防止層材料的使用量而謀求降低成本，同時可以確保充分的性能。作為反應防止層5之材料，只要是可以防止電解質層4的成分與對極電極層6的成分之間的反應之材料即可，例如使用氧化鈰系材料等。此外，作為反應防止層5的材料，適切地使用由Sm、Gd及Y構成的群所選擇的元素之中至少含有1種的材料。又，由Sm、Gd及Y構成的群所選擇的元素之中至少含有1種，這些元素的含有率合計為1.0質量%以上10質量%以下為佳。藉由把反應防止層5導入電解質層4與對極電極層6之間，有效果的抑制對極電極層6的構成材料與電解質層4的構成材料之反應，可以提高電化學元件E的性能的長期安定性。反應防止層5的形成，適當使用可以在1100℃以下的處理溫度下形成的方法來進行的話，可以抑制金屬支撐體1的損傷，此外可以抑制金屬支撐體1與電極層2之元素相互擴散，可實現性能/耐久性優異的電化學元件E，所以較佳。例如，可以適宜使用藉由低溫燒成法(例如不超越1100℃的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)，噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來進行。特別是使用低溫燒成法或噴塗法等的話，可以實現低成本的元件所以較佳。進而，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
(對極電極層) 對極電極層6，能夠在電解質層4或者反應防止層5之上以薄層的狀態形成。薄層的場合，可以使其厚度為例如1μm～100μm程度，較佳為5μm～50μm。使成為這樣的厚度，可以減低昂貴的對極電極層材料的使用量而謀求降低成本，同時可以確保充分的電極性能。作為對極電極層6的材料，例如可以使用LSCF、LSM等複合氧化物，氧化鈰系氧化物及這些的混合物。特別是對極電極層6以含有由La、Sr、Sm、Mn、Co及Fe構成的群所選擇的2種以上的元素之鈣鈦礦(perovskite)型氧化物為佳。使用以上的材料構成的對極電極層6，作為陰極發揮機能。
又，對極電極層6的形成，適當使用可以在1100℃以下的處理溫度下形成的方法來進行的話，可以抑制金屬支撐體1的損傷，此外可以抑制金屬支撐體1與電極層2之元素相互擴散，可實現性能/耐久性優異的電化學元件E，所以較佳。例如，可以適宜使用藉由低溫燒成法(例如不超越1100℃的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)，噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來進行。特別是使用低溫燒成法或噴塗法等的話，可以實現低成本的元件所以較佳。進而，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
(固體氧化物型燃料電池) 藉著如以上所述構成電化學元件E，在把電化學元件作為燃料電池(電化學發電胞)發揮機能的場合，可以把電化學元件E作為固體氧化物型燃料電池之發電胞來使用。例如，由金屬支撐體1的背側之面通過貫通空間1c把含氫的燃料氣體往電極層2流通，往成為電極層2的對極的對極電極層6流通空氣，例如在500℃以上900℃以下的溫度使其工作。如此進行的話，對極電極層6包含於空氣的氧O2 與電子e- 反應產生氧離子O2- 。該氧離子O2- 通過電解質層4往電極層2移動。於電極層2，包含於被供給的燃料氣體的氫H2 與氧離子O2- 反應，產生水H2 O與電子e- 。 於電解質層4使用傳導氫離子的電解質材料的場合，於電極層2包含於流通的燃料氣體的氫H2 放出電子e- 而生成氫離子H+ 。該氫離子H+ 通過電解質層4往對極電極層6移動。於對極電極層6包含於空氣的氧O2 與氫離子H+ 、電子e- 反應產生水H2 O。 藉由以上的反應，在電極層2與對極電極層6之間產生起電力。在此場合，電極層2作為SOFC的燃料極(陽極)發揮機能，對極電極層6作為空氣極(陰極)發揮機能。
(電化學元件之製造方法) 其次說明電化學元件E之製造方法。
(電極層形成步驟) 在電極層形成步驟，在金屬支撐體1的表側之面之比被設置貫通空間1c的區域更寬的區域，電極層2以薄膜的狀態形成。金屬支撐體1的貫通孔可藉由雷射加工等來設置。電極層2的形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法)，噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬支撐體1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
以低溫燒成法進行電極層形成步驟的場合，具體而言如以下之例那樣進行。首先，混合電極層2的材料粉末與溶媒(分散媒)作成材料糊，塗布於金屬支撐體1的表側之面。接著，把電極層2壓縮成形(電極層平滑化步驟)，在1100℃以下燒成(電極層燒成步驟)。電極層2的壓縮成形，例如可以藉由CIP(Cold Isostatic Pressing、冷間靜水壓加壓)成形、輥加壓成形、RIP(Rubber Isostatic Pressing、橡膠等靜壓)成形等來進行。此外，電極層的燒成，以在800℃以上1100℃以下之溫度進行為適宜。此外，電極層平滑化步驟與電極層燒成步驟的順序亦可替換。 又，在形成具有中間層3的電化學元件的場合，省略電極層平滑化步驟或電極層燒成步驟，或是使電極層平滑化步驟或電極層燒成步驟包含於後述之中間層平滑化步驟或中間層燒成步驟亦可。 又，電極層平滑化步驟，也可以藉由施以包裹成形或整平處理、表面的切削/研磨處理等來進行。
(擴散抑制層形成步驟) 前述之電極層形成步驟之燒成步驟時，在金屬支撐體1的表面被形成金屬氧化物層1f(擴散抑制層)。又，於前述燒成步驟，包含使燒成氛圍為氧分壓低的氛圍條件之燒成步驟的話，元素之相互擴散抑制效果很高，形成電阻值低的優質的金屬氧化物層1f(擴散抑制層)所以較佳。使電極層形成步驟，包含不進行燒成的方法的塗布方法的場合亦可，包含另外的擴散抑制層形成步驟亦可。任一場合，都以在可抑制金屬支撐體1的損傷的1100℃以下的處理溫度下實施為佳。此外，後述之中間層形成步驟之燒成步驟時，在金屬支撐體1的表面被形成金屬氧化物層1f(擴散抑制層)亦可。
(中間層形成步驟) 在中間層形成步驟，是在覆蓋電極層2的狀態下，中間層3以薄層的狀態形成於電極層2之上。中間層3的形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法)，噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬支撐體1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
以低溫燒成法進行中間層形成步驟的場合，具體而言如以下之例那樣進行。 首先，混合中間層3的材料粉末與溶媒(分散媒)作成材料糊，塗布於金屬支撐體1的表側之面。接著，把中間層3壓縮成形(中間層平滑化步驟)，在1100℃以下燒成(中間層燒成步驟)。中間層3的壓延，例如可以藉由CIP(Cold Isostatic Pressing、冷間靜水壓加壓)成形、輥加壓成形、RIP(Rubber Isostatic Pressing、橡膠等靜壓)成形等來進行。此外，中間層3的燒成，以在800℃以上1100℃以下之溫度進行為適宜。因為在這樣的溫度的話，可以抑制金屬支撐體1的損傷/劣化，形成強度高的中間層3的緣故。此外，使中間層3的燒成在1050℃以下進行為更佳，在1000℃以下進行又更佳。這是因為越使中間層3的燒成溫度降低，越能抑制金屬支撐體1的損傷/劣化，而形成電化學元件E的緣故。此外，中間層平滑化步驟與中間層燒成步驟的順序亦可替換。 又，中間層平滑化步驟，也可以藉由施以包裹成形或整平處理、表面的切削/研磨處理等來進行。
(電解質層形成步驟) 在電解質層形成步驟，是在覆蓋電極層2及中間層3的狀態下，電解質層4以薄層的狀態形成於中間層3之上。此外，以厚度10μm以下的薄膜狀態形成亦可。電解質層4的形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法)，噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬支撐體1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
為了在1100℃以下的溫度域形成緻密集氣體障壁性能高的，優質的電解質層4，以噴塗法進行電解質層形成步驟為佳。在此場合，使電解質層4的材料朝向金屬支撐體1的中間層3噴射，形成電解質層4。
(反應防止層形成步驟) 在反應防止層形成步驟，反應防止層5以薄層的狀態形成於電解質層4之上。反應防止層5的形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法)，噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬支撐體1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。又，為了使反應防止層5的上側之面平坦，例如於反應防止層5形成後施以整平處理或切削/研磨處理表面，於濕式形成後燒成前，施以壓製加工亦可。
(對極電極層形成步驟) 在對極電極層形成步驟，對極電極層6以薄層的狀態形成於反應防止層5之上。對極電極層6的形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法)，噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)、PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等)，CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬支撐體1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
如以上所述進行，可以製造電化學元件E。
又，於電化學元件E，中間層3(插入層)與反應防止層5，也可以是不具備任一方或者雙方的形態。亦即，電極層2與電解質層4接觸而形成的形態，或者電解質層4與對極電極層6接觸而形成的形態亦為可能。此場合在前述之製造方法，中間層形成步驟、反應防止層形成步驟被省略。又，追加形成其他層的步驟，或層積複數同種之層等也是可能的，在任一場合下，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
＜實施例1＞ 對厚度0.3mm、直徑25mm的圓形crofer22APU之金屬板(金屬支撐體1)，藉由雷射加工在中心起半徑2.5mm的區域設複數貫通空間1c，製作了金屬支撐體1。貫通空間1c，設於正交格子的格子點。又，表側開口部1d的直徑為30μm，間距P為115μm，表側開口部1d的面積為7.0×10-4 mm2 。
其次，混合60重量百分比的NiO粉末與40重量百分比的GDC粉末，加入有機結合劑與有機溶媒(分散媒)製作糊漿。使用該糊，用網版印刷，形成了電極層2。又，由金屬支撐體1的中心起半徑3mm的區域層積了電極層2。接著對層積了電極層2之金屬支撐體1，在950℃進行了燒成處理(電極層形成步驟、擴散抑制層形成步驟)。
其次，於GDC之微粉末加入有機結合劑與有機溶媒(分散媒)製作了糊漿。使用該糊漿，藉由網版印刷，在層積了電極層2的金屬支撐體1之中心起半徑5mm的區域層積了中間層3。其次，藉著對層積中間層3之金屬支撐體1，進行了CIP成形之後，在1000℃進行燒成處理，形成表面平坦的中間層3(中間層形成步驟)。
在以上步驟得到的電極層2的厚度為約14μm，中間層3的厚度為約9μm。此外，如此層積了電極層2與中間層3的狀態之金屬支撐體1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下為11.5mL/分・cm2 之量。由此可知，層積電極層2與中間層3的金屬支撐體1成為具有氣體流通性的附電極層基板。
接著，把眾數徑(mode diameter)約0.7μm之8YSZ(釔安定氧化鋯)成分往金屬支撐體1的中間層3之上，以覆蓋中間層3的方式在15mm×15mm的範圍以5mm/秒的掃描速度使基板移動同時噴射，形成了電解質層4(噴塗)。又，此時，金屬支撐體1不加熱(電解質層形成步驟)。
在以上步驟得到的電解質層4的厚度為3μm程度。如此層積了電極層2與中間層3與電解質層4的狀態之金屬支撐體1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下測定時，He洩漏量未達檢測下限(1.0mL/分・cm2 )。亦即，可知形成的電解質層4，具有氣體障壁性。
其次，於GDC之微粉末加入有機結合劑與有機溶媒(分散媒)製作了糊漿。使用該糊漿，藉由網版印刷，在電化學元件E的電解質層4之上，形成了反應防止層5。
其後，藉著對形成反應防止層5之電化學元件E，CIP成形之後，在1000℃進行1小時的燒成處理，形成表面平坦的反應防止層5(反應防止層形成步驟)。
進而，混合GDC粉末與LSCF粉末，加入有機結合劑與有機溶媒(分散媒))製作糊漿。使用該糊漿，藉由網版印刷，在反應防止層5之上，形成了對極電極層6。最後，把形成了對極電極層6的電化學元件E在900℃燒成(對極電極層形成步驟)，得到電化學元件E。
＜實施例2＞ 使用與實施例1同樣的表側開口部1d的直徑30μm，間距P為115μm，表側開口部1d的面積為7.0×10-4 mm2 之金屬支撐體1，除了在電極層形成步驟的燒成處理溫度變更為850℃，在中間層形成步驟之燒成處理溫度變更為1050℃以外，以與實施例1同樣的方法，得到電極層2的厚度約25μm，中間層3的厚度約9μm，電解質層4的厚度約9μm程度的電化學元件E。
＜實施例3＞ 使用與實施例1同樣的金屬板，形成孔的大小與孔間隔不同的貫通空間1c。又，貫通空間1c設於正交格子的格子點，表側開口部1d的直徑為20μm，間距P為200μm，表側開口部1d的面積為3.1×10-4 mm2 。使用此金屬支撐體1，除了在電極層形成步驟的燒成處理溫度變更為850℃以外，以與實施例1同樣的方法，得到電極層2的厚度約10μm，中間層3的厚度約7μm，電解質層4的厚度約4μm程度的電化學元件E。
＜比較例1＞ 對於藉由沖壓，以表側開口部1d的直徑成為630μm，間距P為1250μm，表側開口部1d的面積為3.0×10-1 mm2 的方式進行孔加工厚度0.8mm，直徑25mm的圓形SUS430之金屬板(金屬支撐體1)，與實施例1同樣進行嘗試了電化學元件E的製造，但電極層2或中間層3等無法無缺陷地層積，無法得到作為電化學元件E發揮機能者。
針對所得到的實施例1～3的電化學元件E，對電極層2供給燃料氣體，對對極電極層6供給空氣，在750℃之工作溫度下測定了作為固體氧化物型燃料電池胞之發電性能。將結果顯示於下列表1。又，OCV(開電路電壓)的單位為V。此外，電流密度為0.8V之測定值，單位為mA/cm2 。 由表1的結果可知，在實施例1～3，電流密度大為良好的電化學元件E。
＜第2實施形態＞ 使用圖2、圖3，說明相關於第2實施型態的電化學元件E、電化學模組M、電化學裝置Y及能源系統Z。
相關於第2實施型態的電化學元件E，如圖2所示，於金屬支撐體1的背面被安裝U字形構件7，金屬支撐體1與U字形構件7形成筒狀支撐體。
接著，電化學元件E層積複數個(集合複數個)，其間挾有集電構件26，從而構成電化學模組M。集電構件26被接合於電化學元件E的對極電極層6與U字形構件7，使二者導電連接。又，省略集電構件26，直接導電連接電化學元件E的對極電極層6與U字形構件7的構成亦可。
電化學模組M，具有氣體歧管17、集電構件26、終端構件及電流導出部。被層積複數之電化學元件E，筒裝支撐體之一方的開口端部被連接於氣體歧管17，由氣體歧管17接受氣體的供給。供給的氣體，流通於筒狀支撐體的內部，通過金屬支撐體1的貫通空間1c供給至電極層2。
圖3顯示能源系統Z及電化學裝置Y的概要。 能源系統Z，為具有電化學裝置Y，與作為再利用由電化學裝置Y排出的熱之排熱利用部的熱交換器53。 電化學裝置Y，具有電化學模組M、脫硫器31與改質器34所構成的燃料變換器，具有對電化學模組M供給含有還原性成分的燃料氣體之燃料供給部，與由電化學模組M取出電力之反相器38(電力變換器之一例)。
詳言之，電化學裝置Y，具有：脫硫器31、改質水槽32、氣化器33、改質器34、送風機35、燃燒部36、反相器38、控制部39、收納容器40及電化學模組M。
脫硫器31，除去(脫硫)天然氣等的碳化氫系原燃料所含有的硫黃化合物成分。原燃料中含有硫黃化合物的場合，藉由具備脫硫器31，可以抑制硫黃化合物對改質器34或電化學元件E的影響。氣化器33，由改質水槽32所供給的改質水來產生水蒸氣。改質器34，使用以氣化器33產生的水蒸氣，把以脫硫器31脫硫的原燃料進行水蒸氣改質，產生含氫的改質氣體。
電化學模組M，使用由改質器34供給的改質氣體，與由送風機35供給的空氣，使產生電化學反應而發電。燃燒部36，使由電化學模組M排出的反應廢氣與空氣混合，燃燒掉反應廢氣中的可燃成分。
電化學模組M具有複數電化學元件E與氣體歧管17。複數電化學元件E以相互導電連接的狀態並列配置，電化學元件E之一方的端部(下端部)被固定於氣體歧管17。電化學元件E，使通過氣體歧管17供給的改質氣體，與由送風機35供給的空氣產生電化學反應而發電。
反相器38，調整電化學模組M之輸出電力，使其成為與由商用系統(省略圖示)所接受的電力相同的電壓以及相同的頻率。控制部39控制電化學裝置Y及能源系統Z的運轉。
氣化器33、改質器34、電化學模組M及燃燒部36被收容於收納容器40內。而改質器34，使用藉由在燃燒部36之反應廢氣的燃燒所產生的燃燒熱進行原燃料的改質處理。
原燃料，藉由升壓泵41的動作而通過原燃料供給路徑42供給至脫硫器31。改質水槽32的改質水，藉由改質水泵43的動作而通過改質水供給路徑44供給至氣化器33。接著，原燃料供給路徑42在比脫硫器31更下游側的部位，合流於改質水供給路徑44，在收納容器40外合流的改質水與原燃料被供給至收納容器40內所具備的氣化器33。
改質水以氣化器33氣化成為水蒸氣。包含以氣化器33產生的水蒸氣之原燃料，通過含水蒸氣原燃料供給路徑45供給至改質器34。原燃料以改質器34進行水蒸氣改質，產生以氫氣為主成分的改質氣體(具有還原性成分的第1氣體)。以改質器34產生的改質氣體，通過改質氣體供給路徑46供給至電化學模組M的氣體歧管17。
被供給到氣體歧管17的改質氣體，對複數電化學元件E分配，由電化學元件E與氣體歧管17之接續部亦即下端供給至電化學元件E。改質氣體中的主要的氫(還原性成分)在電化學元件E使用於電化學反應。包含未用於反應的殘餘的氫氣的反應廢氣，由電化學元件E的上端往燃燒部36排出。
反應廢氣以燃燒部36燃燒，成為燃燒廢氣由燃燒廢氣排出口50往收納容器40的外部排出。於燃燒廢氣排出口50被配置燃燒觸媒部51(例如鉑系觸媒)，燃燒除去包含於燃燒廢氣的一氧化碳或氫等還原性成分。由燃燒廢氣排出口50排出的燃燒廢氣，藉由燃燒廢氣排出路徑52送至熱交換器53。
熱交換器53，使燃燒部36之燃燒所產生的燃燒廢氣，與供給的冷水進行熱交換，產生溫水。亦即，熱交換器53，作為再利用由電化學裝置Y排出的熱之排熱利用部進行運作。
又，替代排熱利用部，而設置利用由電化學模組M(不燃燒地)排出的反應廢氣之反應廢氣利用部亦可。反應廢氣，含有在電化學元件E未用於反應的殘餘的氫氣。在反應廢氣利用部，利用殘餘的氫氣，進行根據燃燒之熱利用，或是根據燃料電池等地發電，達成能源的有效利用。
＜第3實施形態＞ 圖4顯示電化學模組M的其他實施型態。相關於第3實施型態之電化學模組M，把前述之電化學元件E層積構成電化學模組M，其間挾著胞間連接構件71。
胞間連接構件71，為具有導電性，且不具有氣體透過性之板狀的構件，於表面與背面，被形成相互正交的溝72。胞間連接構件71可以使用不銹鋼等金屬或金屬氧化物。
如圖4所示，其間挾著此胞間連接構件71而層積電化學元件E的話，可以通過溝72把氣體供給至電化學元件E。詳言之，一方之溝72成為第1氣體流道72a，對電化學元件E的表側，亦即對極電極層6供給氣體。另一方之溝72成為第2氣體流道72b，由電化學元件E的背側，亦即由金屬支撐體1之背側之面通過貫通空間1c往電極層2供給氣體。
將此電化學模組M作為燃料電池使其動作的場合，對第1氣體流道72a供給氧，對第2氣體流道72b供給氫。如此一來，在電化學元件E進行燃料電池之反應，產生起電力/電流。產生的電力，由層積的電化學元件E的兩端的胞間連接構件71，取出至電化學模組M的外部。
又，在本第3實施型態，在胞間連接構件71的表面與背面，形成相互正交的溝72，但是在胞間連接構件71的表面與背面，形成相互平行的溝72亦可。
(其他實施型態) (1)在前述之實施型態，把電化學元件E使用於固體氧化物型燃料電池，但電化學元件E，也可利用於固體氧化物型電解胞，或利用固體氧化物之氧感測器等。 亦即，在前述實施型態，說明了可以提高把燃料等的化學能變換為電能的效率之構成。 總之，在前述實施形態，使電化學元件E或電化學模組M作為燃料電池動作，對電極層2流通以氫氣，在對極電極層6流通以氧氣。如此進行的話，於對極電極層6氧分子O2 與電子e- 反應產生氧離子O2- 。該氧離子O2- 通過電解質層4往電極層2移動。於電極層2，氫分子H2 與氧離子O2- 反應，生成水H2 O與電子e- 。藉由以上的反應，在電極層2與對極電極層6之間產生起電力，進行發電。 另一方面，使電化學元件E及電化學模組M作為電解胞動作的場合，對電極層2流通以含有水蒸氣或二氧化碳的氣體，在電極層2與對極電極層6間施加電壓。如此一來，於電極層2電子e- 與水分子H2 O、二氧化碳分子CO2 反應，成為氫分子H2 或一氧化碳CO與氧離子O2- 。氧離子O2- 通過電解質層4往對極電極層6移動。於對極電極層6，氧離子O2- 放出電子成為氧分子O2 。藉由以上的反應，水分子H2 O電解為氫H2 與氧O2 ，含有二氧化碳分子CO2 的氣體流通的場合電解為一氧化碳CO與氧O2 。 可以設置在含有水蒸氣與二氧化碳分子CO2 的氣體流通的場合由藉著前述電解在電化學元件E及電化學模組M生成的氫及一氧化碳等合成碳化氫等種種化合物等的燃料變換器91。藉由燃料供給部(未圖示)，使此燃料變換器91生成的碳化氫等流通至電化學元件E及電化學模組M，可以取出至本系統/裝置外而另行作為燃料或化學原料來利用。 在圖8所示的能源系統，電化學模組M具有複數電化學元件E與氣體歧管17以及氣體歧管171。複數電化學元件E以相互導電連接的狀態並列配置，電化學元件E之一方的端部(下端部)被固定於氣體歧管17，另一方的端部(上端部)被固定於氣體歧管171。電化學元件E的一方端部(下端部)之氣體歧管17，接受水蒸氣及二氧化碳的供給。接著，在電化學元件E藉由前述反應生成的氫及一氧化碳等，藉由與電化學元件E的另一方端部(上端部)連通的歧管171收集。 藉由使圖8中的熱交換器90，作為藉由使在燃料變換器91引起的反應所產生的反應熱與水熱交換而氣化的排熱利用部進行動作，同時使圖8中的熱交換器92，作為使藉由電化學元件E產生的排熱與水蒸氣及二氧化碳熱交換而進行預熱的排熱利用部進行動作的構成，可以提高能源效率。 此外，電力變換器93，使電力流通至電化學元件E。藉此，如前所述電化學元件E，作為電解胞發生作用。 從而，根據前述構成，可以提供把電能變換為燃料等的化學能的效率可以提高之電化學元件E等。
(2)在前述實施型態，作為電極層2的材料，例如使用NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2 、Cu-CeO2 等複合材，作為對極電極層6的材料使用例如LSCF、LSM等複合氧化物。如此構成的電化學元件E，對電極層2供給氫氣作為燃料極(陽極)，對對極電極層6供給空氣作為空氣極(陰極)，可以作為固體氧化物型燃料電池胞使用。變更此構成，以能夠把電極層2作為空氣極，把對極電極層6作為燃料極的方式，來構成電化學元件E亦為可能。亦即，作為電極層2的材料使用例如LSCF、LSM等複合氧化物，作為對極電極層6的材料使用例如NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2 、Cu-CeO2 等複合材。若是如此構成的電化學元件E的話，對電極層2供給空氣作為空氣極，對對極電極層6供給氫氣作為燃料極，可以把電化學元件E作為固體氧化物型燃料電池胞使用。
(3)在前述之實施型態，作為電化學元件E主要使用平板型或圓筒平板型的固體氧化物型燃料電池，但也可利用於圓筒型的固體氧化物型燃料電池等之電化學元件。
(4)於前述實施型態，電化學裝置Y，具備具複數電化學元件E的電化學模組M。但是，前述實施型態之電化學裝置Y亦可適用於具備1個電化學元件E的構成。
(5)在前述實施型態，電化學元件E，係於金屬支撐體1的背面被安裝U字形構件7，以金屬支撐體1與U字形構件7之2個構件形成筒狀支撐體的構成，但使用一構件使金屬支撐體1與U字形構件7一體地形呈而作為筒狀支撐體的構成亦可，此外，使用3個構件以上的構件形成筒狀支撐體亦可。 此外，省略U字形構件7藉由金屬支撐體1支撐電極層2等的構成亦可。
又，在前述實施型態揭示的構成，在不產生矛盾的前提下，可以與其他實施型態揭示的構成組合適用。此外，於本說明書揭示的實施型態僅為例示，本發明之實施型態並不以此為限，在不逸脫本發明的目的的範圍內可以適當改變。 [產業上利用可能性]
可利用作為電化學元件及固體氧化物型燃料電池胞。
1‧‧‧金屬支撐體 1a‧‧‧表側面 1b‧‧‧背側面 1c‧‧‧貫通空間 1d‧‧‧表側開口部 1e‧‧‧背側開口部 1f‧‧‧金屬氧化物層 1g‧‧‧孔區域 2‧‧‧電極層 4‧‧‧電解質層 6‧‧‧對極電極層 T‧‧‧厚度 D‧‧‧內徑、直徑、孔徑 P‧‧‧間距、間隔 S‧‧‧面積(表側開口部) 10‧‧‧第1金屬板 10a‧‧‧第1表側面 10b‧‧‧第1背側面 10c‧‧‧第1貫通空間 10d‧‧‧第1表側開口部 10e‧‧‧第1背側開口部 10g‧‧‧第1孔區域 T1‧‧‧厚度 D1‧‧‧內徑、直徑、孔徑 P1‧‧‧間距、間隔 S1‧‧‧面積(表側開口部) 20‧‧‧第2金屬板 20a‧‧‧第2表側面 20b‧‧‧第2背側面 20c‧‧‧第2貫通空間 20d‧‧‧第2表側開口部 20e‧‧‧第2背側開口部 T2‧‧‧厚度 D2‧‧‧內徑、直徑、孔徑 P2‧‧‧間距、間隔 E‧‧‧電化學元件 M‧‧‧電化學模組 Y‧‧‧電化學裝置 Z‧‧‧能源系統
圖1係顯示電化學元件的構成之概略圖。 圖2係顯示電化學元件及電化學模組的構成之概略圖。 圖3係顯示電化學裝置及能源系統的構成之概略圖。 圖4係顯示電化學模組的構成之概略圖。 圖5係顯示金屬支撐體的構造之平面圖及剖面圖。 圖6係顯示金屬支撐體的構造之平面圖及剖面圖。 圖7係顯示金屬支撐體的構造之平面圖及剖面圖。 圖8係顯示電化學裝置及能源系統的構成之概略圖。
1‧‧‧金屬支撐體
1a‧‧‧表側面
1b‧‧‧背側面
1c‧‧‧貫通空間
1d‧‧‧表側開口部
1e‧‧‧背側開口部
1f‧‧‧金屬氧化物層
2‧‧‧電極層
3‧‧‧中間層
4‧‧‧電解質層
5‧‧‧反應防止層
6‧‧‧對極電極層
E‧‧‧電化學元件

Claims (18)

  1. 一種金屬支撐體，係電化學元件之金屬支撐體，其特徵為：前述金屬支撐體全體為板狀，前述金屬支撐體，將被設置電極層之面作為表側面，具有由前述表側面往背側面貫通的複數貫通空間，前述貫通空間之前述表側面的開口部之表側開口部的面積為3.0×10-4mm2以上3.0×10-3mm2以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之金屬支撐體，其中前述表側開口部為直徑20μm以上60μm以下之圓形或約略圓形。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中前述貫通空間之前述背側面的開口部之背側開口部，具有比前述表側開口部更大的面積或直徑。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中前述表側開口部的間隔為0.05mm以上0.3mm以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中厚度為0.1mm以上1.0mm以下。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中將金屬板重疊複數而形成。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中重疊複數相同或約略相同厚度的金屬板而形成。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中包含金屬製的板之第1金屬板，與厚度比前述第1金屬板大的金屬製的板之第2金屬板，重疊複數金屬板而形成，前述第1金屬板被配置在比前述第2金屬板更靠前述表側面之側。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中材料為Fe-Cr系合金。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支撐體，其中前述表側面之至少一部分以金屬氧化物膜覆蓋。
  11. 一種電化學元件，其特徵為在申請專利範圍第1~10項之任一項之金屬支撐體的前述表側面，至少設有電極層與電解質層與對極電極層。
  12. 一種電化學模組，其特徵為申請專利範圍第11項之電化學元件以複數集合的狀態 被配置。
  13. 一種電化學裝置，其特徵為至少具有申請專利範圍第11項之電化學元件或者申請專利範圍第12項之電化學模組與燃料變換器；在前述電化學元件或者前述電化學模組與前述燃料變換器之間具有流通含有還原性成分的氣體的燃料供給部。
  14. 一種電化學裝置，其特徵為至少具有申請專利範圍第11項之電化學元件或者申請專利範圍第12項之電化學模組，以及由前述電化學元件或者前述電化學模組取出電力或者將電力流通至前述電化學元件或者前述電化學模組之電力變換器。
  15. 一種能源系統，其特徵為具有申請專利範圍第13或14項之電化學裝置，與再利用由前述電化學裝置排出的熱之排熱利用部。
  16. 一種固體氧化物型燃料電池，其特徵為具備申請專利範圍第11項之電化學元件，以前述電化學元件產生發電反應。
  17. 一種固體氧化物型電解胞，其特徵為具備申請專利範圍第11項之電化學元件，以前述電化 學元件產生電解反應。
  18. 一種金屬支撐體之製造方法，係製造申請專利範圍第1~10項之任一項之金屬支撐體之製造方法，其特徵為對金屬材料板，藉由雷射加工或沖壓加工或蝕刻加工之任一，或者這些之組合，形成由前述表側面往背側面貫通的複數貫通空間。
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