JPWO2017145578A1 - 撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置 - Google Patents
撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017145578A1 JPWO2017145578A1 JP2018501046A JP2018501046A JPWO2017145578A1 JP WO2017145578 A1 JPWO2017145578 A1 JP WO2017145578A1 JP 2018501046 A JP2018501046 A JP 2018501046A JP 2018501046 A JP2018501046 A JP 2018501046A JP WO2017145578 A1 JPWO2017145578 A1 JP WO2017145578A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging device
- substrate
- concave shape
- imaging
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011976 chest X-ray Methods 0.000 description 2
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910004028 SiCU Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDNITPNMPBREER-UHFFFAOYSA-M [F-].Br.[Cs+] Chemical compound [F-].Br.[Cs+] DDNITPNMPBREER-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 210000000038 chest Anatomy 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20187—Position of the scintillator with respect to the photodiode, e.g. photodiode surrounding the crystal, the crystal surrounding the photodiode, shape or size of the scintillator
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
- G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5387—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13116—Lead [Pb] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
- H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81399—Material
- H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/81444—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81399—Material
- H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/81455—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81399—Material
- H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/81463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/81469—Platinum [Pt] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
この撮像装置は、基板と、各々が光電変換素子を含むと共に、基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部とを備える。
Description
本開示は、例えばα線、β線、γ線またはX線などの放射線を検出する撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置に関する。
例えば胸部等を撮影する大型のFPD(flat panel detector)に適用される撮像装置は、アモルファスシリコンを用いたものが多い。この撮像装置では、放射線源との間に所定の距離が確保された状態で被写体が撮影されるが、放射線源から撮像装置が離れて配置されることで、画像周辺部において感度が低下し、画質劣化が生じる。
そこで、例えば特許文献1には、表面形状を加工したファイバーオプティックプレートを用いて、上記のような解像度低下を抑制する手法が提案されている。
しかしながら、上記特許文献1の手法では、ファイバーオプティックプレートにおいて光がトラップされ易い。このため、受光感度が低下し、画質劣化につながる。このような光学部材を用いることなく、画質劣化を抑制する手法の実現が望まれている。
したがって、画質劣化を抑制することが可能な撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置を提供することが望ましい。
本開示の一実施の形態の撮像装置は、基板と、各々が光電変換素子を含むと共に、基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部とを備えたものである。
本開示の一実施の形態の撮像表示システムは、上記本開示の撮像装置を備えたものである。
本開示の一実施の形態の撮像装置および撮像表示システムでは、光電変換素子を含む複数の素子部が全体として凹形状を成して配置されている。これにより、平板状に配置される場合に比べ、周辺部における感度低下が抑制される。また、これらの複数の素子部が基板上に互いに離間して配置されることで、基板上に隙間なく連続して配置される場合に比べ、凹形状を保持し易く、また曲げ応力による歪みの発生が軽減される。
本開示の一実施の形態の表示装置は、基板と、各々が発光素子を含むと共に、基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部とを備えたものである。
本開示の一実施の形態の表示装置では、発光素子を含む複数の素子部が全体として凹形状を成して、かつ互いに離間して配置されている。これにより、基板上に隙間なく連続して配置される場合に比べ、凹形状を保持し易く、また曲げ応力による歪みの発生が軽減される。
本開示の一実施の形態の撮像装置および撮像表示システムによれば、光電変換素子を含む複数の素子部が全体として凹形状を成して配置されている。これにより、平板状に配置される場合に比べ、周辺部における感度低下を抑制できる。また、これらの複数の素子部が基板上に互いに離間して配置されることで、凹形状を保持し易くなり、また曲げ応力による歪みの発生を軽減することができる。これにより、歪みに起因する素子部の機能低下を抑制することができる。よって、撮像画像における画質劣化を抑制することが可能となる。
本開示の一実施の形態の表示装置によれば、発光素子を含む複数の素子部が全体として凹形状を成して、かつ互いに離間して配置されている。これにより、凹形状を保持し易くなり、また曲げ応力による歪みの発生を軽減することができる。これにより、歪みに起因する素子部の機能低下を抑制することができる。よって、表示画像における画質劣化を抑制することが可能となる。
尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.実施の形態(光電変換素子とIV変換回路とを含む複数の素子部が離間して、かつ凹形状を成すように配置された撮像装置の例)
2.変形例1(パッシブ型の画素回路を有する場合の例)
3.適用例(撮像表示システムの例)
4.変形例2(表示装置の例)
1.実施の形態(光電変換素子とIV変換回路とを含む複数の素子部が離間して、かつ凹形状を成すように配置された撮像装置の例)
2.変形例1(パッシブ型の画素回路を有する場合の例)
3.適用例(撮像表示システムの例)
4.変形例2(表示装置の例)
<実施の形態>
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の断面構成の一例を、放射線源(線源300)と共に表したものである。図2は、図1の一部の領域Aを拡大したものである。撮像装置1は、α線、β線、γ線またはX線などの放射線を検出する放射線検出器であり、例えば間接変換方式の撮像装置である。間接変換方式とは、放射線を光信号に変換した後に電気信号に変換する方式を指す。撮像装置1は、例えば、配線基板10上に、画素アレイ部11、波長変換層12および反射層13をこの順に備えている。
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の断面構成の一例を、放射線源(線源300)と共に表したものである。図2は、図1の一部の領域Aを拡大したものである。撮像装置1は、α線、β線、γ線またはX線などの放射線を検出する放射線検出器であり、例えば間接変換方式の撮像装置である。間接変換方式とは、放射線を光信号に変換した後に電気信号に変換する方式を指す。撮像装置1は、例えば、配線基板10上に、画素アレイ部11、波長変換層12および反射層13をこの順に備えている。
配線基板10は、例えば基板10a上に、複数の配線層(配線層151)を有するものである。基板10aは、例えばガラス、シリコン(Si)または有機樹脂等から構成されている。この基板10aを含む配線基板10は、素子部11Aが形成される側(線源300に対向する側)に凹面を含む湾曲形状を有している。基板10aは、曲げることが可能な材料および厚みにより構成されている(例えば製造プロセスにおいて薄膜化された後、曲げられる)。配線基板10の素子部11Aに対向する領域には、例えばスイッチ素子は形成されておらず、後述の素子部11Aに電気信号を送るための配線層151のみが形成されている。
画素アレイ部11は、2次元配置された複数の素子部11Aを有するものである。各素子部11Aが、撮像装置1の1つの画素を構成している。
複数の素子部11Aは、それぞれ光電変換素子を含むと共に、互いに離間して配置されている(素子部11A同士の間に間隙を有している)。これらの複数の素子部11Aは、個々に配線基板10上に半田実装されている。光電変換素子は、例えばフォトダイオードであり、入射した光を電流信号に変換する機能を有しており、波長変換層12の側に受光面を有している。
例えば、配線基板10に形成された配線層151と、素子部11Aは電気的に接続されて配置されている。配線層151は、絶縁膜14a上に形成されると共に、絶縁膜14bに埋め込まれている。配線層151上には、絶縁膜14bを貫通するUBM(Under Bump Metal)152が形成され、このUBM152上に、半田層153を介して素子部11Aが配置されている。各素子部11A同士の間隙を埋めるように、埋め込み層16が形成されている。
絶縁膜14a,14bは、例えば酸化シリコン(SiO2)および窒化シリコン(SiN)等の無機絶縁膜、または塗布形成可能な有機樹脂から構成されている。配線層151は、例えばアルミニウム(Al)または銅(Cu)の単体を含んで構成されていてもよいし、アルミニウムまたは銅の合金を含んでいてもよい。アルミニウム合金としては、例えばCu,Si,SiCuを含有するものが挙げられる。UBM152は、例えば、ニッケル(Ni)、白金(Pt)および金(Au)を含む積層膜であり、半田拡散抑制層として機能する。半田層153は、例えば鉛もしくはスズを主成分とする合金から構成されており、例えば、電解めっきや、半田ペーストの刷り込みなどによって形成されている。埋め込み層16は、例えば酸化シリコンおよび窒化シリコン等の無機絶縁膜、または有機樹脂から構成されている。
波長変換層12は、入射した放射線を、素子部11Aの光電変換素子の感度域にある波長に変換するものであり、具体的には、α線、β線、γ線またはX線などの放射線を可視光に変換する蛍光体(シンチレータ)を含んで構成されている。このような蛍光体としては、例えば、ヨウ化セシウム(CsI)にタリウム(Tl)またはナトリウム(Na)を添加したもの、ヨウ化ナトリウム(NaI)にタリウム(Tl)を添加したものが挙げられる。また、上記蛍光体としては、例えば、臭化セシウム(CsBr)にユウロピウム(Eu)を添加したもの、弗化臭化セシウム(CsBrF)にユウロピウム(Eu)を添加したものが挙げられる。この波長変換層12は、例えば柱状のシンチレータ、または粒子状のシンチレータを含んで構成されており、画素アレイ部11の凹形状に応じた凹形状を有している。
反射層13は、波長変換層12から素子部11Aとは反対方向へ発光した光を素子部11Aへ向けて戻す役割を持つ。反射層13は、実質的に水分を透過しない水分不透過材料によって構成されていてもよい。このようにした場合には、反射層13によって、波長変換層12への水分の介入を防ぐことができる。反射層13は、例えば、薄板ガラスなどの板状の部材を含んで構成されていてもよいし、例えばアルミニウムの蒸着膜を含んで構成されていてもよい。この反射層13は省略されてもよい。
図3は、上記のような素子部11Aを含む画素アレイ部11の平面構成を説明するための模式図である。図4は、各素子部11Aの回路構成を表したものである。本実施の形態では、素子部11Aが、光電変換素子(フォトダイオードPD)と共に、光信号を電気信号に変換するIV変換回路(電流電圧変換回路)を含んで構成された、いわゆるアクティブ型の画素回路を有している。
画素アレイ部11では、図3に示したように、複数の素子部11Aが2次元アレイ状に、かつ互いに離間して配置されている。この画素アレイ部11には、行(画素行)毎または列(画素列)毎に複数の配線が配置されている。例えば、行毎に、電源電圧Vp、グランド電圧GNDおよびSHP(サンプルホールド)スイッチ制御電圧Vg2をそれぞれ、各素子部11Aへ供給するための配線La1,La2,La3が形成されている。また、列毎に、参照電圧Vref,リセット電圧Vresetおよびアドレススイッチ制御電圧Vg1をそれぞれ各素子部11Aへ供給するための配線Lb1,Lb2,Lb3が形成されると共に、各素子部11Aから信号電圧Voutを読み出すための配線Lb4が形成されている。
素子部11Aは、図4に示したように、例えばフォトダイオードPDと、アドレススイッチSW1と、SHP回路を構成するスイッチSW2と、比較器121,122とを有している。上述した各種配線La1,La2,La3,Lb1,Lb2,Lb3により、各素子部11Aを駆動するための電圧が供給され、配線Lb4を通じて信号電圧が読み出される。これらの配線La1〜La3,Lb1〜Lb4は、配線層151として、配線基板10に形成されている。
本実施の形態では、上記のような複数の素子部11A(画素アレイ部11)が、全体として凹形状を有している(凹形状を成して配置されている)。詳細には、画素アレイ部11の受光側の面S1が凹形状を有しているが、個々の素子部11Aの凹形状は、画素アレイ部11の凹形状(複数の素子部11A全体の凹形状)よりも緩やかである。即ち、各素子部11Aの凹形状は、配線基板10(基板10a)の湾曲形状よりも緩やかに形成されている。また、配線基板10(基板10a)、画素アレイ部11、波長変換層12および反射層13を含む撮像装置1の全体が湾曲した状態で保持されている。画素アレイ部11の凹形状は、配線基板10の湾曲形状に沿って形成されている。
画素アレイ部11の凹形状の湾曲度は、例えば6度以上であることが望ましい。詳細は後述するが、例えば臥位撮影の際に周辺部の感度を十分に確保できるためである。ここで、湾曲度とは、図5に示したように、画素アレイ部11の受光側の面S1の中心部p1と周辺部p2とを結ぶ線分と接地面S2との成す角度(角度D)に相当する。画素アレイ部11は、望ましくは、図1および図5に示したように、中心部から周辺部に向かって緩やかに湾曲する形状を有している。より望ましくは、画素アレイ部11の凹形状が曲率を有している(凹形状が円弧状を成す)。各素子部11Aが線源300から等距離の位置に配置されることから、画素アレイ部11全体において均一な解像度を実現することができるためである。
但し、画素アレイ部11の凹形状は上記のような緩やかな湾曲形状に限定されるものではない。画素アレイ部11は、全体として凹形状を成していればよく、例えば図6Aに示したように、周辺部p2側の一部が屈曲したような凹形状であっても構わない。また、図6Bに示したように、中心部p1において屈曲したような凹形状であっても構わない。
[製造方法]
上記のような撮像装置1は、例えば次のようにして製造することができる。図7A〜図9は、撮像装置1の製造工程を工程順に表したものである。
上記のような撮像装置1は、例えば次のようにして製造することができる。図7A〜図9は、撮像装置1の製造工程を工程順に表したものである。
まず、配線基板10を作製する。具体的には、図7Aに示したように、基板10a上に、上述した材料からなる絶縁膜14aを例えばCVD法等により成膜した後、配線層151を形成する。配線層151は、例えば、次のようにして形成することができる。即ち、上述した材料を例えばスパッタ法等により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング(ドライエッチングまたはウェットエッチング)により加工することで形成することができる。あるいは、スパッタ法によりシードメタル層とフォトレジスト膜とを形成した後、配線不要部分においてレジスト膜をパターニングする。続いて、電解めっきを行って所定の部分に導電膜を形成した後、レジスト膜を除去する。この後、導電膜をエッチングすることにより、不要なシードメタル層とめっき膜とを除去する。このようにして配線層151を形成してもよい。
続いて、図7Bに示したように、上述した材料からなる絶縁膜14bを例えばCVD法等により成膜した後、UBM152を形成する。具体的には、絶縁膜14bを開口した後、この開口部分に上述した材料からなるUBM152を、例えば電解めっきまたは無電解めっきにより形成する。このようにして、配線基板10を形成することができる。
次いで、図7Cに示したように、複数の素子部11Aを、配線基板10上に半田実装する。具体的には、UBM152上に半田層153を介して素子部11Aを重ね合わせたのち、半田層153をリフローさせて圧着し、各素子部11Aと配線基板10とを接着する。これにより、配線基板10上に、複数の素子部11Aを互いに離間した状態で実装することができる。
続いて、図8に示したように、複数の素子部11A上に、素子部11A同士の間隙を埋め込むように、上述した材料よりなる埋め込み層16を形成する。次いで、上述した材料よりなる波長変換層12を、例えば真空蒸着法により結晶成長させることにより、形成する。この後、波長変換層12上に、反射層13を形成する。
次いで、図9に示したように、基板10aが例えばガラスや石英などの硬い基板の場合には、例えば薬液を用いて、あるいは物理研磨により基板10aの一部を削って厚みを薄くする。具体的には、基板10aが物理的に湾曲可能となる厚みとなるまで薄くされる。もしくは、基板10aが有機樹脂から構成される場合には、例えば裏面側からのレーザー照射によって基板10aを剥離(除去)してもよい。
尚、図7Cに示した工程(素子部11Aの実装工程)後に、基板10aを薄膜化してもよい。また、基板10aを薄膜化または剥離した後に、配線基板10および画素アレイ部11を曲げることにより、画素アレイ部11の受光面側に上述したような凹形状を形成する。曲げる工程は、基板10aを薄膜化または剥離した後であれば、どのタイミングで行ってもよい。このようにして、図1および図2に示した撮像装置1を完成する。
[作用および効果]
上記の撮像装置1では、波長変換層12に線源300から発せられた放射線が入射すると、波長変換層12が光(例えば可視光)を発光する。この光は、各素子部11Aに入射した後、光電変換素子(フォトダイオードPD)によって電気信号に変換される。この電気信号は、素子部11A毎に読み出されて配線基板10に送られた後、外部回路へ出力される。このようにして、放射線を電気信号として検出することができる。
上記の撮像装置1では、波長変換層12に線源300から発せられた放射線が入射すると、波長変換層12が光(例えば可視光)を発光する。この光は、各素子部11Aに入射した後、光電変換素子(フォトダイオードPD)によって電気信号に変換される。この電気信号は、素子部11A毎に読み出されて配線基板10に送られた後、外部回路へ出力される。このようにして、放射線を電気信号として検出することができる。
ここで、図10に、本実施の形態の比較例(比較例1)に係る撮像装置100の構成を線源300と共に示す。この比較例1の撮像装置100は、例えば胸部などの大型のFPDであり、アモルファスシリコンから形成されている。撮像装置100は、全体として平板状を成している。この撮像装置100の受光面から距離dだけ離れた位置に線源300が配置されている。これらの線源300と撮像装置100との間に被写体が介在した状態で撮影が行われる。
ところが、このような撮像装置100では、所定の距離dを確保するために、周辺部S100において、中心部に比べて感度が低下したり、画像に歪みが生じ易い。
そこで、図11に示した比較例2の撮像装置101のように、全体を湾曲させることが望ましい。このように、湾曲形状を有する撮像装置101では、線源300と撮像装置101との間の距離dを中心部と周辺部とにおいて等しくすることができ、周辺部における感度低下を抑えることができる。しかしながら、この撮像装置101では、基板上に隙間なく連続して光電変換素子が形成されることから、曲げることにより歪みが生じ、素子部、特にスイッチ素子を含む回路部が劣化してしまう。
これに対し、本実施の形態では、配線基板10上に、光電変換素子を含む複数の素子部11Aが全体として凹形状を成して配置されている。これにより、平板状に配置される場合(比較例1)に比べ、周辺部における感度低下を抑制できる。また、これらの複数の素子部11Aが配線基板10上に互いに離間して配置されることで、凹形状を保持し易くなる。また、曲げ応力が緩和され、歪みの発生を軽減することができる。これにより、歪みに起因する素子部11Aの機能低下を抑制できる。よって、撮像画像における画質劣化を抑制することが可能となる。
また、本実施の形態では、光電変換素子と、スイッチ素子(上述のアドレススイッチSW1およびスイッチSW2など)とが、配線基板10ではなく、素子部11A内に形成されている。換言すると、本実施の形態では、スイッチ素子は、配線基板10内に形成されているのではなく、光電変換素子と共に個片化された状態で配線基板10上に配置されている。これにより、スイッチ素子においても、曲げによる歪みの影響を受けにくく、その劣化が抑制される。素子部11Aの機能低下抑制につながると共に、撮像装置1の信頼性も向上する。
更に、画素アレイ部11の凹形状の湾曲度が6度以上であることにより、特に胸部X線撮影などの大型のFPD用途において十分な画質を得ることができる。ここで、図12に、撮像装置1(画素アレイ部11)における線源300からの距離(mm)と湾曲度(°)と周辺部における感度(%)との関係について示す。尚、画素アレイ部のサイズは、4300mm×4300mmを想定している。X線撮影においては、線源から2000mm離れた位置において略平行光と見做すことができ、周辺部においても十分な感度を得ることができるとされている。また、臥位撮影の際には、天井の高さと操作性との観点から1000mm離すことがガイドラインで定められている。
例えば、湾曲度が0度である場合、即ち比較例1のように画素アレイ部が平板状を有する場合には、線源300との距離を2000mm離すと、最外周辺部の感度は、約92%(92.3%)となる。この感度が、理想的な周辺感度である。ここで、装置全体を小型化するために、あるいは照射線量を削減して線源寿命を延ばすためには、画素アレイ部と線源との間の距離はできるだけ小さく設定されることが望ましい。ところが、距離をガイドラインで定められた範囲内で1000mmまで近づけると、平行光と見做されないために、周辺感度が70%まで下がり、感度損失が大きくなり過ぎる。
そこで、湾曲度を大きくすることで、即ち画素アレイ部11が凹形状を有することで、周辺感度を高めることが可能である。ここで、特にガイドラインで定められた1000mmまで近づけた場合に、周辺感度の理想値(92%以上)を達することができるのは、湾曲度が6度以上となる場合(図12中の部分A1)である。このような理由から、画素アレイ部11の凹形状の湾曲度が6度以上であることにより、特に胸部X線撮影などの大型のFPD用途において周辺感度の低下が抑制され、十分な画質を得ることができる。
以上のように本実施の形態では、光電変換素子を含む複数の素子部11Aが全体として凹形状を成して配置されることにより、平板状に配置される場合に比べ、周辺部における感度低下を抑制できる。また、これらの複数の素子部11Aが配線基板10上に互いに離間して配置されることで、凹形状を保持し易くなり、また曲げ応力による歪みの発生を軽減すできることから、素子部11Aの機能低下を抑制することができる。よって、撮像画像における画質劣化を抑制することが可能となる。
次に、上記実施の形態の変形例について説明する。以下では、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
<変形例1>
図13は、変形例1に係る撮像装置(撮像装置4)の機能構成を表したものである。上記実施の形態では、画素アレイ部11がアクティブ型の画素回路を有する構成について説明したが、本変形例では、画素アレイ部11がいわゆるパッシブ型の画素回路を含む。撮像装置4は、例えば、基板410上に画素アレイ部11と、画素アレイ部11を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、例えば、行走査部430、水平選択部440、列走査部450およびシステム制御部460を有している。
図13は、変形例1に係る撮像装置(撮像装置4)の機能構成を表したものである。上記実施の形態では、画素アレイ部11がアクティブ型の画素回路を有する構成について説明したが、本変形例では、画素アレイ部11がいわゆるパッシブ型の画素回路を含む。撮像装置4は、例えば、基板410上に画素アレイ部11と、画素アレイ部11を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、例えば、行走査部430、水平選択部440、列走査部450およびシステム制御部460を有している。
画素アレイ部11では、上記実施の形態と同様、複数の素子部11Aが行列状に配置されている。各素子部11Aには、行方向に延在する画素駆動線470と列方向に延在する垂直信号線480とが接続されている。垂直信号線480は、素子部11Aからの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。
行走査部430は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素アレイ部11の各素子部11Aを、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部430によって選択走査された画素行の各素子部11Aから出力された信号は、各垂直信号線480を介して水平選択部440に供給される。水平選択部440は、例えば、垂直信号線480ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。
列走査部450は、例えば、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部440の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。列走査部450による選択走査により、各垂直信号線480を介して伝送される各単位画素Pの信号が順番に水平信号線490に出力され、水平信号線490を通して基板410の外部へ伝送される。
行走査部430、水平選択部440、列走査部450および水平信号線490からなる回路部分は、基板410上に直に形成されていてもよいし、あるいは外部制御ICに配設されていてもよい。また、当該回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。
システム制御部460は、基板410の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、撮像装置4の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部460は、さらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部430、水平選択部440および列走査部450などの周辺回路の駆動制御を行う。
図14は、変形例1に係る画素アレイ部11の回路構成を表したものである。本変形例では、素子部11Aが、例えば、フォトダイオードPDと、アドレススイッチSW1と、容量成分Csとを有している。アドレススイッチSW1は、画素駆動線470に接続されており、行走査部430の一部を構成する垂直シフトレジスタ431によって、オンオフ制御される。尚、図14には、水平選択部440の一部を構成するアンプ441および水平シフトレジスタ442についても示している。
本変形例では、アドレススイッチSW1が画素毎に切り替えられることで、フォトダイオードPDに蓄積された電荷は、垂直信号線480へ送られる。この電荷は、アンプ441によって電圧変換された後、外部へ読み出される。
<適用例>
図15は、適用例に係る撮像表示システム(撮像表示システム5)の機能構成の一例を表したものである。撮像表示システム5は、例えば、上述の画素アレイ部11を含む撮像装置1と、画像処理部6と、表示装置7とを備えている。画像処理部6は、撮像装置1により得られた撮像信号Doutに対して所定の画像処理を施すものである。表示装置7は、撮像装置4により得られた撮像信号Doutに基づく画像表示を行うものであり、具体的には、画像処理部6で処理された後の撮像信号(表示信号D1)に基づいて、映像を表示するものである。
図15は、適用例に係る撮像表示システム(撮像表示システム5)の機能構成の一例を表したものである。撮像表示システム5は、例えば、上述の画素アレイ部11を含む撮像装置1と、画像処理部6と、表示装置7とを備えている。画像処理部6は、撮像装置1により得られた撮像信号Doutに対して所定の画像処理を施すものである。表示装置7は、撮像装置4により得られた撮像信号Doutに基づく画像表示を行うものであり、具体的には、画像処理部6で処理された後の撮像信号(表示信号D1)に基づいて、映像を表示するものである。
本実施の形態では、線源300から被写体400に向けて照射された放射線のうち、被写体400を透過した成分が撮像装置1によって検出され、撮像信号Doutが得られる。この撮像信号Doutは、画像処理部6に入力され、画像処理部6において所定の処理が施される。この画像処理後の信号が表示装置7に出力され、その信号に応じた映像が、表示装置7のモニタ画面に表示される。
この撮像装置1を用いた撮像表示システム5は、例えば胸部、頭部、腹部および膝等の撮影を行うレントゲン装置およびCT(Computed Tomography)装置として好適に用いられる。この他にも、歯科パノラマ撮影にも適用される。また、医療用に限定されず、部品検査や手荷物検査などにも応用が可能である。
<変形例2>
図16は、変形例2に係る表示装置(表示装置2)の詳細構成例を表したものである。上記実施の形態等では、撮像装置において画素アレイ部が凹形状を有する構成例について説明したが、この画素アレイ部の構成は、撮像装置に限らず表示装置にも適用可能である。
図16は、変形例2に係る表示装置(表示装置2)の詳細構成例を表したものである。上記実施の形態等では、撮像装置において画素アレイ部が凹形状を有する構成例について説明したが、この画素アレイ部の構成は、撮像装置に限らず表示装置にも適用可能である。
表示装置2は、例えば配線基板20上に、2次元配置された複数の表示画素(素子部21A)を含む画素アレイ部21を備える。配線基板20は、例えばガラス、シリコン(Si)または有機樹脂等からなる基板20a上に、複数の配線層(配線層231)を有する。
複数の素子部21Aはそれぞれ、例えば発光ダイオード(LED)等の発光素子を含むと共に、互いに離間して配置されている(素子部21A同士の間に間隙を有している)。これらの複数の素子部21Aは、個々に配線基板20上に半田実装されており、配線基板20の配線層231と、電気的に接続されている。配線層231は、絶縁膜22a上に形成されると共に、絶縁膜22bに埋め込まれている。配線層231上には、絶縁膜22bを貫通するUBM232が形成され、このUBM232上に、半田層233を介して素子部21Aが配置されている。各素子部21A同士の間隙を埋めるように、埋め込み層24が形成されている。このような構成を有する表示装置2の画素アレイ部21が全体として上述したような凹形状を有している。
本変形例では、発光素子を含む複数の素子部21Aが全体として凹形状を成して、かつ互いに離間して配置されることにより、凹形状を保持し易くなり、また曲げ応力による歪みの発生を軽減することができる。これにより、歪みに起因する素子部の機能低下を抑制することができる。よって、表示画像における画質劣化を抑制することが可能となる。
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は一例であり、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
(1)
基板と、
各々が光電変換素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
撮像装置。
(2)
前記基板は、ガラス、シリコン(Si)または有機樹脂を含む
上記(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記複数の素子部はそれぞれ、前記光電変換素子と、前記光電変換素子を駆動するための1または複数のスイッチ素子とを含む
上記(1)または(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記凹形状の湾曲度は6度以上である
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(5)
前記凹形状は、前記複数の素子部の中央部から周辺部に向かって緩やかに湾曲している
上記(1)ないし(4)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(6)
前記凹形状は曲率を有する
上記(1)ないし(5)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(7)
前記基板は、前記素子部の側に凹面を含む湾曲形状を有する
上記(1)ないし(6)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(8)
前記複数の素子部のそれぞれの凹形状は、前記基板の湾曲形状よりも緩やかに形成されている
上記(7)に記載の撮像装置。
(9)
前記複数の素子部の上に形成されると共に、入射した放射線を光に変換する波長変換層を更に備えた
上記(1)ないし(8)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(10)
前記波長変換層は、粒子状を有するシンチレータを含む
上記(9)に記載の撮像装置。
(11)
前記波長変換層は、柱状を有するシンチレータを含む
上記(9)に記載の撮像装置。
(12)
前記波長変換層は、前記複数の素子部の凹形状に応じた凹形状を有する
上記(9)ないし(11)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(13)
前記複数の素子部同士の間隙に形成された埋め込み層を更に備えた
上記(1)ないし(12)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(14)
前記基板は複数の配線層を含み、
前記複数の素子部はそれぞれ前記配線層に半田を介して電気的に接続されている
上記(1)ないし(13)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(15)
基板と、
各々が光電変換素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
撮像装置を有する撮像表示システム。
(16)
基板と、
各々が発光素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
表示装置。
(1)
基板と、
各々が光電変換素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
撮像装置。
(2)
前記基板は、ガラス、シリコン(Si)または有機樹脂を含む
上記(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記複数の素子部はそれぞれ、前記光電変換素子と、前記光電変換素子を駆動するための1または複数のスイッチ素子とを含む
上記(1)または(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記凹形状の湾曲度は6度以上である
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(5)
前記凹形状は、前記複数の素子部の中央部から周辺部に向かって緩やかに湾曲している
上記(1)ないし(4)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(6)
前記凹形状は曲率を有する
上記(1)ないし(5)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(7)
前記基板は、前記素子部の側に凹面を含む湾曲形状を有する
上記(1)ないし(6)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(8)
前記複数の素子部のそれぞれの凹形状は、前記基板の湾曲形状よりも緩やかに形成されている
上記(7)に記載の撮像装置。
(9)
前記複数の素子部の上に形成されると共に、入射した放射線を光に変換する波長変換層を更に備えた
上記(1)ないし(8)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(10)
前記波長変換層は、粒子状を有するシンチレータを含む
上記(9)に記載の撮像装置。
(11)
前記波長変換層は、柱状を有するシンチレータを含む
上記(9)に記載の撮像装置。
(12)
前記波長変換層は、前記複数の素子部の凹形状に応じた凹形状を有する
上記(9)ないし(11)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(13)
前記複数の素子部同士の間隙に形成された埋め込み層を更に備えた
上記(1)ないし(12)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(14)
前記基板は複数の配線層を含み、
前記複数の素子部はそれぞれ前記配線層に半田を介して電気的に接続されている
上記(1)ないし(13)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(15)
基板と、
各々が光電変換素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
撮像装置を有する撮像表示システム。
(16)
基板と、
各々が発光素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
表示装置。
本出願は、日本国特許庁において2016年2月22日に出願された日本特許出願番号第2016−31110号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
Claims (16)
- 基板と、
各々が光電変換素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
撮像装置。 - 前記基板は、ガラス、シリコン(Si)または有機樹脂を含む
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記複数の素子部はそれぞれ、前記光電変換素子と、前記光電変換素子を駆動するための1または複数のスイッチ素子とを含む
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記凹形状の湾曲度は6度以上である
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記凹形状は、前記複数の素子部の中央部から周辺部に向かって緩やかに湾曲している
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記凹形状は曲率を有する
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記基板は、前記素子部の側に凹面を含む湾曲形状を有する
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記複数の素子部のそれぞれの凹形状は、前記基板の湾曲形状よりも緩やかに形成されている
請求項7に記載の撮像装置。 - 前記複数の素子部の上に形成されると共に、入射した放射線を光に変換する波長変換層を更に備えた
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記波長変換層は、粒子状を有するシンチレータを含む
請求項9に記載の撮像装置。 - 前記波長変換層は、柱状を有するシンチレータを含む
請求項9に記載の撮像装置。 - 前記波長変換層は、前記複数の素子部の凹形状に応じた凹形状を有する
請求項9に記載の撮像装置。 - 前記複数の素子部同士の間隙に形成された埋め込み層を更に備えた
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記基板は複数の配線層を含み、
前記複数の素子部はそれぞれ前記配線層に半田を介して電気的に接続されている
請求項1に記載の撮像装置。 - 基板と、
各々が光電変換素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
撮像装置を有する撮像表示システム。 - 基板と、
各々が発光素子を含むと共に、前記基板上に、互いに離間して、かつ全体として凹形状を成して配置された複数の素子部と
を備えた
表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016031110 | 2016-02-22 | ||
JP2016031110 | 2016-02-22 | ||
PCT/JP2017/001378 WO2017145578A1 (ja) | 2016-02-22 | 2017-01-17 | 撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017145578A1 true JPWO2017145578A1 (ja) | 2018-12-20 |
Family
ID=59686291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018501046A Abandoned JPWO2017145578A1 (ja) | 2016-02-22 | 2017-01-17 | 撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190049599A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2017145578A1 (ja) |
CN (1) | CN108604591A (ja) |
WO (1) | WO2017145578A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102051957B1 (ko) * | 2017-11-13 | 2019-12-04 | 주식회사 토비스 | 곡면 디텍터의 제조방법 |
KR102453147B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2022-10-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
JP6609674B1 (ja) * | 2018-07-11 | 2019-11-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置及び光検出装置の製造方法 |
US12002910B2 (en) | 2018-10-09 | 2024-06-04 | Sony Corporation | Display device |
JP7370186B2 (ja) * | 2019-08-05 | 2023-10-27 | 京セラ株式会社 | 光伝送システム |
JP7170618B2 (ja) * | 2019-10-28 | 2022-11-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置及び光検出装置の製造方法 |
CN111134705B (zh) * | 2020-01-21 | 2023-10-13 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | 一种放射线图像探测器及其制作方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01126584A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-18 | Toshiba Corp | X線ct用放射線検出器 |
JPH0443389A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JPH0511301U (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | 日本板硝子株式会社 | X線イメージセンサ |
JPH11149263A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Copal Co Ltd | 電光表示ユニット |
US6982424B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-01-03 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | X-ray and CT image detector |
JP2005037465A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光表示装置 |
WO2007139209A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
FR2903811B1 (fr) * | 2006-07-12 | 2008-08-29 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electronique comprenant des composants electroniques relies a un substrat et mutuellement connectes et procede de fabrication d'un tel dispositif |
JP2011247684A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置及びその組立方法 |
JP2014238265A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-12-18 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器及びその製造方法、並びに放射線画像検出器を用いた放射線撮影システム |
WO2014104763A1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 주식회사 레이언스 | 엑스레이 검출 장치 및 시스템 |
JP2016171206A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 富士通株式会社 | 光検知素子及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-01-17 CN CN201780009915.0A patent/CN108604591A/zh not_active Withdrawn
- 2017-01-17 JP JP2018501046A patent/JPWO2017145578A1/ja not_active Abandoned
- 2017-01-17 WO PCT/JP2017/001378 patent/WO2017145578A1/ja active Application Filing
- 2017-01-17 US US16/077,965 patent/US20190049599A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108604591A (zh) | 2018-09-28 |
US20190049599A1 (en) | 2019-02-14 |
WO2017145578A1 (ja) | 2017-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2017145578A1 (ja) | 撮像装置、撮像表示システムおよび表示装置 | |
US6800836B2 (en) | Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system | |
JP5693173B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
JP4908947B2 (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
US20060192087A1 (en) | Two-dimensional CMOS-based flat panel imaging sensor | |
US9651683B2 (en) | Image pickup panel and image pickup processing system | |
US9929199B2 (en) | Radiation detector, imaging unit, and imaging and display system | |
WO2011148943A1 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
JP2009133837A (ja) | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
JP6231778B2 (ja) | 電気デバイスおよび放射線検査装置 | |
JP6126758B1 (ja) | 放射線信号を検出するためのセンサ装置及び画像化システム | |
JP2012154811A (ja) | シンチレータパネルおよびその製造方法ならびに放射線検出装置 | |
JP5436121B2 (ja) | 撮像装置および放射線撮像システム | |
JP2016176722A (ja) | センサパネル及び放射線撮像システム | |
JP2007184407A (ja) | 電磁波検出装置及び放射線撮像システム | |
JP2007159790A (ja) | 放射線撮影装置及び放射線撮影システム | |
JP6719324B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2006128644A (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置、及び放射線撮像システム | |
JP2011058964A (ja) | X線平面検出器及びその製造方法 | |
US10061036B2 (en) | Radiation detector, method of manufacturing radiation detector, and imaging apparatus | |
JP2002181950A (ja) | 放射線検出装置及びシステム | |
TWI801534B (zh) | 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 | |
JP2006128645A (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置、及び放射線撮像システム | |
JP2022129063A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像装置の製造方法、および放射線撮像システム | |
JP2021049204A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191225 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20200529 |