JPWO2017056188A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照してより詳細に説明する。
まず、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法を実施する基板処理装置10の構成例について、図1及び図2を用いて説明する。本基板処理装置10は、過酸化水素(H2O2)を含有する液体、すなわち過酸化水素水を気化させて生成される処理ガス用いて基板を処理する装置である。例えばシリコン等からなる基板としてのウエハ200を処理する装置である。本基板処理装置10は、微細構造である凹凸構造(空隙)を有するウエハ200に対する処理に用いる場合に好適である。微細構造を有する基板とは、例えば、10nm〜50nm程度の幅の横方向に狭い溝(凹部)など、アスペクト比の高い構造を有する基板をいう。本実施形態では、微細構造の溝にシリコン含有膜であるポリシラザン膜が充填されており、当該ポリシラザン膜を処理ガスにより処理することにより酸化膜を形成する。なお、本実施形態ではポリシラザン膜を処理ガスにより処理する例を示しているが、ポリシラザン膜に限らず、例えばシリコン元素と窒素元素と水素元素を含む膜、特にシラザン結合を有する膜や、テトラシリルアミンとアンモニアのプラズマ重合膜などを処理する場合にも、本発明を適用することができる。
図1に示すように、処理炉202は処理容器(反応管)203を備えている。処理容器203は、例えば石英または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成されており、下端が開口した円筒形状に形成されている。処理容器203の筒中空部には処理室201が形成され、基板としてのウエハ200を、後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
基板保持部としてのボート217は、複数枚のウエハ200を多段に保持できるように構成されている。ボート217は、複数枚のウエハ200を保持する複数本の支柱217aを備えている。支柱217aは例えば3本備えられている。複数本の支柱217aはそれぞれ、底板217bと天板217cとの間に架設されている。複数枚のウエハ200が、支柱217aに水平姿勢でかつ、互いに中心を揃えた状態で整列されて菅軸方向に多段に保持されている。天板217cは、ボート217に保持されるウエハ200の最大外径よりも大きくなるように形成されている。
処理容器203の下方には、ボート217を昇降させて処理容器203の内外へ搬送する昇降部としてのボートエレベータが設けられている。ボートエレベータには、ボートエレベータによりボート217が上昇された際に炉口を封止するシールキャップ219が設けられている。
処理容器203の外側には、処理容器203の側壁面を囲う同心円状に、処理容器203内のウエハ200を加熱する第1の加熱部207が設けられている。第1の加熱部207は、ヒータベース206により支持されて設けられている。図2に示すように、第1の加熱部207は第1〜第4のヒータユニット207a〜207dを備えている。第1〜第4のヒータユニット207a〜207dはそれぞれ、処理容器203内でのウエハ200の積層方向に沿って設けられている。
図1、図2に示すように、処理容器203と第1の加熱部207との間には、処理容器203の外壁の側部に沿って、処理ガス供給ノズル501aと酸素含有ガス供給ノズル502aが設けられている。処理ガス供給ノズル501と酸素含有ガス供給ノズル502aは、例えば熱伝導率の低い石英等により形成されている。処理ガス供給ノズル501aと酸素含有ガス供給ノズル502aは二重管構造を有していてもよい。処理ガス供給ノズル501aと酸素含有ガス供給ノズル502aの先端(下流端)は、それぞれ処理容器203の頂部から処理容器203の内部に気密に挿入されている。処理容器203の内部に位置する処理ガス供給ノズル501aと酸素含有ガス供給ノズル502aの先端には、それぞれ供給孔501bと供給孔502bが設けられている。供給孔501bと供給孔502bは処理容器203内に供給される処理ガス及び酸素含有ガスを処理容器203内に収容されたボート217の上部に設けられた天板217cに向かって供給するように構成されている。
図3に、気化器100の構成を示す。気化器100は、加熱された部材に液体原料を滴下することで液体原料を気化する滴下法を用いている。気化器100は、加熱される部材としての気化容器101と、気化容器101で構成される気化空間102と、気化容器101を加熱する加熱部としての気化器ヒータ103と、液体原料を気化させて生じた気化ガスを処理ガスとして処理ガス供給管289aへ排気(供給)する排気口104と、気化容器101の温度を測定する熱電対(温度センサ)105と、熱電対105により測定された温度に基づいて、気化器ヒータ103の温度を制御する温度制御コントローラ106と、LMFC303から供給される過酸化水素水を気化容器101内に供給する液体供給部としての滴下ノズル107と、キャリアガス供給管601cから供給されるキャリアガスを気化容器101内に供給するキャリアガス導入口108とで構成されている。
処理容器203の下方には、処理室201内のガスを排気するガス排気管231の一端が接続されている。ガス排気管231の他端は、ガス濃度計(ガス濃度センサ)600、及び圧力調整器としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ255を介して、真空ポンプ246(排気装置)に接続されている。処理室201内は、真空ポンプ246で発生する負圧によって排気される。なお、APCバルブ255は、弁の開閉により処理室201の排気および排気停止を行うことができる開閉弁である。また、弁開度の調整により圧力を調整することができる圧力調整弁でもある。また、圧力検出器としての圧力センサ223がAPCバルブ255の上流側に設けられている。このようにして、処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう、真空排気するように構成されている。圧力センサ223およびAPCバルブ255には、圧力制御コントローラ224(図6参照)が電気的に接続されており、圧力制御コントローラ224は、圧力センサ223により検出された圧力に基づいて、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう、APCバルブ255を所望のタイミングで制御するように構成されている。
処理ガス供給管289aには、気化器100から供給され、処理ガス供給管289aを流れる処理ガスの濃度を測定するガス濃度計500が設けられている。また、ガス排気管231には、処理室201から排気され、ガス排気管231を流れる排気ガスの濃度を測定するガス濃度計600が設けられている。ここで、ガス濃度計500及び600で測定されるガスの濃度(ガス濃度)とは、処理ガス又は排気ガスに含まれる特定のガスの濃度である。特定のガスとは、例えば処理ガスに含まれていてウエハ200に対する基板処理に用いられる反応ガスであり、本実施形態においては、ウエハ200上に形成されたシリコン含有膜等を酸化処理するために用いられるH2O2ガスである。すなわち、本実施形態においては、ガス濃度計500は、処理ガス中に含まれるH2O2ガスの濃度を測定(検出)する。また、ガス濃度計600は、排気ガス中に含まれるH2O2ガスの濃度を測定(検出)する。
反応物としてH2O2が用いられ、処理ガスとして、H2O2を含有する水溶液である過酸化水素水を気化又はミスト化させて得られるH2O2を含むガスを用いた場合、H2O2を含むガスが処理容器203内でH2O2の気化点よりも低い温度まで冷却されて再液化してしまう場合があった。
図6に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネルやディスプレイ等として構成された入出力装置122が接続されている。
ここで、基板としてのウエハ200に後述の改質処理が施される前に施される事前処理工程について図7を用いて説明する。図7に示すように、事前処理工程では、ウエハ200に対して、ポリシラザン塗布工程T20とプリベーク工程T30が施されている。ポリシラザン塗布工程T20では、塗布装置(不図示)により、ポリシラザンが塗布される。塗布されたポリシラザンの厚さは、ポリシラザンの分子量、ポリシラザン溶液の粘度、コーターの回転数によって調整される。プリベーク工程T30では、ウエハ200に塗布されたポリシラザンから溶剤が除去される。具体的には、70℃〜250℃程度に加熱されることにより溶剤が揮発することにより行われる。加熱は好ましくは150℃程度で行われる。
続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程として実施される基板処理工程について、図8を用いて説明する。かかる工程は、上述の基板処理装置10により実施される。本実施形態では、かかる基板処理工程の一例として、処理ガスとしてH2O2を含むガスを用い、基板としてのウエハ200上に形成されたシリコン含有膜をSiO膜に改質(酸化)する工程(改質処理工程)を行う場合について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ121により制御される。
まず、予め指定された枚数のウエハ200をボート217に装填(ウエハチャージ)する。複数枚のウエハ200を保持したボート217を、ボートエレベータによって持ち上げて処理容器203内(処理室201内)に搬入(ボートロード)する。この状態で、処理炉202の開口部である炉口はシールキャップ219によりシールされた状態となる。
処理容器203内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246を制御して処理容器203内の雰囲気を真空排気する。また、酸素含有ガス供給部(供給孔501b)から酸素含有ガスを処理容器203に供給する。好ましくは、酸素含有ガスをガス加熱部602eで100℃〜120℃に加熱した後に供給する。この際、処理容器203内の圧力は、圧力センサ223で測定し、この測定した圧力に基づきAPCバルブ255の開度をフィードバック制御する(圧力調整)。処理容器203内の圧力は例えば、微減圧状態(約700hPa〜1000hPa)に調整される。
ウエハ200が所定の第1温度に到達し、ボート217が所望とする回転速度に到達したら、液体原料供給部300から液体原料(過酸化水素水)を気化器100へ供給する。すなわち、バルブ302を開け、LMFC303により流量制御された液体原料を、滴下ノズル107を介して気化容器101内に供給する。気化器100に供給された液体原料は、滴下ノズル107から気化容器101の内側表面の底に滴下される。気化容器101は、気化器ヒータ103によって所望の温度(例えば150〜170℃)に加熱されており、滴下された液体原料(過酸化水素水)の液滴は、気化容器101の内側表面に接触することにより瞬時に加熱されて蒸発し、気体となる。
改質処理工程(S30)が終了した後、ウエハ200を、プリベーク工程T30で処理された温度以下の所定の第2温度に昇温させる。第2温度は、上述の第1温度よりも高い温度であって、上述のプリベーク工程T30の温度以下の温度に設定される。例えば、150℃に昇温させる。昇温後、温度を保持して、ウエハ200と処理容器203内を緩やかに乾燥させる。このように乾燥させることにより、ポリシラザン膜から離脱した副生成物であるアンモニア、塩化アンモン、炭素、水素、他、溶媒に起因するアウトガス等の不純物とH2O2に起因する不純物を、ウエハ200への再付着を抑制させながらウエハ200の乾燥と異物源の除去を行うことができる。
乾燥処理工程(S40)が終了した後、乾燥処理工程よりも高温に昇温し、窒素と酸素とアルゴンの少なくとも1つ以上を含む雰囲気で処理することにより、SiO膜中に残存している水素を除去することができ、水素の少ない良好なSiO膜に改質することができる。ポストベーク工程S50を行うことで、SiO膜の品質を向上させることができるが、高品質の酸化膜質が要求されるデバイス工程(例えばSTI等)以外では、製造スループットを優先させる場合が有り、行わなくても良い。
乾燥処理工程(S40)又はポストベーク工程(S50)が終了した後、APCバルブ255を開け、処理容器203内を真空排気することで、処理容器203内に残存するパーティクルや不純物を除去することができる。真空排気後、APCバルブ255を閉じ、処理容器203内の圧力を大気圧に復帰させる。大気圧に復帰させることで、処理容器203内の熱容量が増加させることができ、ウエハ200と処理容器203を均一に加熱することができる。ウエハ200と処理容器203を均一に加熱することで、真空排気で除去できなかったパーティクル、不純物、ウエハ200からのアウトガス、および過酸化水素水に含まれていた残留不純物を除去することができる。処理容器203内の圧力が大気圧になり、所定時間経過した後、所定の温度(例えばウエハ200の挿入温度程度)に降温させる。
その後、ボートエレベータによりシールキャップ219を下降させて処理容器203の下端を開口するとともに、処理済みウエハ200をボート217に保持した状態で処理容器203の下端から処理容器203の外部へ搬出(ボートアンロード)する。その後、処理済みウエハ200はボート217より取り出され(ウエハディスチャージ)、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
続いて、ガス濃度計500,600を用いて、処理室201内において反応ガス(本実施形態ではH2O2ガス)の消費量を測定(算出)する手順について説明する。改質処理工程(S30)では、反応ガスとしてのH2O2ガスを含む処理ガスを、処理ガス供給管289aを介して処理室201内に供給する。この際、処理ガス供給管289aの途中に設けられるガス濃度計500において、処理ガス供給管289a内を流れる処理ガス中に含まれる反応ガスの濃度が測定される。具体的には、セル部540を通過する処理ガスに対して発光部520から近赤外線を照射し、処理ガス中を通過した近赤外線を受光部530で受光する。受光部530が受光した近赤外線は解析部510に入力される。解析部510では、入力された近赤外線の分光スペクトルを解析して反応ガスを通過した光に固有に現れるスペクトル成分の大きさを評価することにより、セル部540を通過した処理ガス中の反応ガスの濃度を算出する。分光スペクトル解析には公知の一般的な技術を用いることができる。
(a) ガス濃度計500,600を、処理室201への供給側の配管(処理ガス供給管289a)と、排気側の配管(ガス排気管231)のそれぞれに設けることにより、両者で測定された処理ガス中の反応ガスの濃度値に基づいて、処理室201内での反応ガスの消費量を把握することができる。従って、反応ガスの消費量に基づいて、処理室201内での反応ガスとウエハ200との反応量を把握することができる。
上述の通り、一定時間当たりの反応ガス消費量を測定することにより、ウエハ200に対する処理速度を把握することができるので、算出された反応ガス消費量に基づいてウエハ200の処理速度をフィードバック制御することができる。例えば、算出された一定時間当たりの反応ガス消費量に基づいて、LMFC303及びMFC601bを制御することにより、気化器100における処理ガス生成量を変化させ、これにより処理室201内に供給する処理ガスの流量を変化させることにより、ウエハ200に対する処理速度を制御する。具体的には、一定時間当たりの反応ガス消費量が所定の値よりも低いと判定された場合、処理ガスの流量を増大させる。また、同様に、一定時間当たりの処理速度が所定の速度値よりも高いと判定した場合、処理ガスの流量を減少させてもよい。
一定時間当たりの反応ガス消費量が所定の値以下になった時点で、ウエハ200における反応(本実施形態では、シリコン含有膜とH2O2ガスの酸化反応)が収束したものとして、改質処理工程を終了させてもよい。これにより、反応が収束した後も処理ガスを供給している時間を短縮できるので、処理時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
上述の通り、反応ガス累積消費量を計測することにより、各時点におけるウエハ200に対する処理の進行度を把握することができる。本処理例では、計測された反応ガス累積消費量が所定の値に到達した場合、その時点で改質処理工程を終了する。これにより処理時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
算出された一定時間当たりの反応ガス消費量が所定の値よりも低いと判定した場合、または所定の値よりも高いと判定した場合、入出力装置122等を用いてアラームを発する。これにより処理室201内における処理に異常が発生した可能性があることをユーザに知らせることができる。
改質処理工程が終了した時点における反応ガス累積消費量が所定の値よりも低いと判定した場合、または所定の値よりも高いと判定した場合、入出力装置122等を用いてアラームを発する。これにより、当該処理ロットにおける処理に異常が発生した可能性があることをユーザに知らせることができる。
一般に、反応ガス消費量は、処理容器203内で処理を行うウエハ200の枚数によって増減する。本処理例では、処理ロット毎に処理されるウエハ200の枚数毎に最適な処理ガスの供給量を算出する。具体的には、コントローラ121は、処理ロット毎に一定時間当たりの反応ガス消費量の履歴(ログ)を記憶装置121c等に記録する。また、コントローラ121は、処理ロット毎に処理容器203内で処理を行うウエハ200の枚数を入出力装置122又は外部記憶装置123を介して取得する。続いて、コントローラ121は、処理ロット毎に、一定時間当たりの反応ガス消費量の履歴とウエハ200の枚数の対応付けを行う。これにより、ウエハ200の枚数毎の一定時間当たりの反応ガス消費量の履歴データ(パターン)を取得することができる。また、取得されたウエハ200の枚数毎の一定時間当たりの反応ガス消費量の履歴データに基づいて、ウエハ200の処理枚数毎に処理ガスの供給量を変更し、処理ガスの供給量を最適化することができる。例えば、同じ枚数の処理が実行された以前の処理ロットの反応ガス消費量の履歴データを参照し、当該履歴データにおける反応ガス消費量を下回らないように、処理ガスの供給量を制御する。これにより、処理ガスの供給量が不足するのを防止したり、無駄な処理ガスの供給を削減することができる。
算出された一定時間当たりの反応ガス消費量の履歴データ(パターン)が、ウエハ200の処理枚数が同じ以前(例えば前回)の処理ロットのものと比べて所定の範囲を超えて異なる場合、入出力装置122等を用いてアラームを発する。これにより処理室201内における処理に異常が発生した可能性があることをユーザに知らせることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
一態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気配管と、
前記処理ガス供給配管内の前記処理ガスに含まれる反応ガスの濃度を検知(測定)する第1のガス濃度センサと、
前記排気配管内の排気ガス中に含まれる前記反応ガスの濃度を検知(測定)する第2のガス濃度センサと、
を備える基板処理装置、が提供される。
付記1に記載の装置であって好ましくは、
前記第1のガス濃度センサが検知したガス濃度を示す第1の値(又は第1のガス濃度値)と、前記第2のガス濃度センサが検知したガス濃度を示す第2の値(又は第2のガス濃度値)を取得するよう構成された制御部(コントローラ)を備える。
付記2に記載の装置であって好ましくは、
前記制御部は、前記第1の値と前記第2の値に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を算出するよう構成される。
付記3に記載の装置であって好ましくは、
前記処理ガス供給配管に設けられて、前記処理室への前記処理ガスの供給及び遮断を切り替えるバルブを更に備え、
前記制御部は、前記バルブを制御して前記処理室への前記処理ガスの供給を開始した後、算出された前記処理室内で消費された前記反応ガスの量の累積値を算出するよう構成される。
付記3に記載の装置であって好ましくは、
前記制御部は、前記第1の値と前記第2の値の差分に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を算出するよう構成される。
付記3に記載の装置であって好ましくは、
前記制御部は、前記第1の値と前記第2の値の差分を、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量として算出するよう構成される。
付記1乃至6のいずれかに記載の装置であって好ましくは、
過酸化水素(H2O2)ガスを前記反応ガスとして含む前記処理ガスを生成し、前記処理ガス供給配管へ供給する処理ガス生成部を備える。
付記1乃至7に記載の装置であって好ましくは、
過酸化水素水(H2O2水溶液)を気化させて前記処理ガスを生成し、前記処理ガスを前記処理ガス供給配管へ供給するよう構成された気化器を更に備える。
付記2乃至8のいずれかに記載の装置であって好ましくは、
前記第1のガス濃度センサは、前記処理ガスが通過するセルと、前記セル内を通過する前記処理ガスに近赤外線を照射する発光部と、前記処理ガスに照射された前記近赤外線を受光する受光部と、前記受光部で受光した光の分光スペクトルに基づいてガス濃度を示す前記第1の値(又は前記第1のガス濃度値)を算出する算出部と、を備える。
他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気配管と、
前記処理ガス供給配管内の前記処理ガスに含まれる反応ガスの濃度を検知(測定)する第1のガス濃度センサと、
前記排気配管内の排気ガス中に含まれる前記反応ガスの濃度を検知(測定)する第2のガス濃度センサと、
を備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する工程を有し、
前記基板を処理する工程は、
前記基板を前記反応室内に搬入する工程と、
前記処理ガス供給配管から前記処理室内へ前記処理ガスを供給するとともに前記処理室内の雰囲気を排気する工程と、
前記第1のガス濃度センサ及び前記第2のガス濃度センサからそれぞれ、ガス濃度を示す第1の値(又は第1のガス濃度値)とガス濃度を示す第2の値(又は第2のガス濃度値)を取得し、取得された前記第1の値と前記第2の値に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を算出する工程と、
を含む半導体装置の製造方法、又は基板処理方法が提供される。
付記10に記載の方法であって好ましくは、
前記反応ガスは過酸化水素(H2O2)ガスである。
付記11に記載の方法であって好ましくは、
前記基板を前記反応室内に搬入する工程では、表面にシラザン結合を有するシリコン含有膜が形成された前記基板を前記反応室内に搬入する。
付記11に記載の方法であって好ましくは、
前記基板を前記反応室内に搬入する工程では、表面に流動性CVD法により形成された酸化シリコン膜が形成された前記基板を前記反応室内に搬入する。
更に他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気配管と、
前記処理ガス供給配管内の前記処理ガスに含まれる反応ガスの濃度を検知(測定)する第1のガス濃度センサと、
前記排気配管内の排気ガス中に含まれる前記反応ガスの濃度を検知(測定)する第2のガス濃度センサと、
前記第1のガス濃度センサが検知したガス濃度を示す第1の値(又は第1のガス濃度値)と、前記第2のガス濃度センサが検知したガス濃度を示す第2の値(又は第2のガス濃度値)を取得する制御部(コントローラ)と、
を備える基板処理装置を制御して、前記基板を処理する所定の手順をコンピュータに実行させるプログラム、又は当該プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、
前記所定の手順は、
前記処理ガス供給配管から前記基板が収容された前記反応室内へ前記処理ガスを供給させるとともに、前記処理室内の雰囲気を排気させる手順と、
前記第1のガス濃度センサ及び前記第2のガス濃度センサからそれぞれ、ガス濃度を示す第1の値(又は第1のガス濃度値)とガス濃度を示す第2の値(又は第2のガス濃度値)を前記制御部に取得させる手順と、
を含むプログラム、又は当該プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
付記14に記載のプログラム、又は記録媒体であって好ましくは、
前記所定の手順は、取得された前記第1の値と前記第2の値に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を前記制御部に算出させる手順を更に含む。
Claims (15)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気配管と、
前記処理ガス供給配管内の前記処理ガスに含まれる反応ガスの濃度を検知する第1のガス濃度センサと、前記排気配管内の排気ガス中に含まれる前記反応ガスの濃度を検知する第2のガス濃度センサと、
を備える基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記第1のガス濃度センサが検知した第1のガス濃度値と、前記第2のガス濃度センサが検知した第2のガス濃度値を取得するよう構成された制御部を備える。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第1のガス濃度値と前記第2のガス濃度値に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を算出するよう構成される。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記処理ガス供給配管に設けられて、前記処理室への前記処理ガスの供給及び遮断を切り替えるバルブを更に備え、
前記制御部は、前記バルブを制御して前記処理室への前記処理ガスの供給を開始した後、算出された前記処理室内で消費された前記反応ガスの量の累積値を算出するよう構成される。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第1のガス濃度値と前記第2のガス濃度値の差分に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を算出するよう構成される。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第1のガス濃度値と前記第2のガス濃度値の差分を、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量として算出するよう構成される。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
過酸化水素ガスを前記反応ガスとして含む処理ガスを生成し、前記処理ガス供給配管へ供給する処理ガス生成部を備える。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
過酸化水素水を気化させて前記処理ガスを生成し、前記処理ガスを前記処理ガス供給配管へ供給するよう構成された気化器を更に備える。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記第1のガス濃度センサは、前記処理ガスが通過するセルと、前記セル内を通過する前記処理ガスに近赤外線を照射する発光部と、前記処理ガスに照射された前記近赤外線を受光する受光部と、前記受光部で受光した光の分光スペクトルに基づいて前記第1のガス濃度値を算出する算出部と、を備える。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気配管と、
前記処理ガス供給配管内の前記処理ガスに含まれる反応ガスの濃度を検知する第1のガス濃度センサと、
前記排気配管内の排気ガス中に含まれる前記反応ガスの濃度を検知する第2のガス濃度センサと、
を備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する工程を有し、
前記基板を処理する工程は、
前記基板を前記反応室内に搬入する工程と、
前記処理ガス供給配管から前記処理室内へ前記処理ガスを供給するとともに前記処理室内の雰囲気を排気する工程と、
前記第1のガス濃度センサ及び前記第2のガス濃度センサからそれぞれ、第1のガス濃度値と第2のガス濃度値を取得し、取得された前記第1のガス濃度値と前記第2のガス濃度値に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を算出する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記反応ガスは過酸化水素ガスである。 - 請求項11に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基板を前記反応室内に搬入する工程では、表面にシラザン結合を有するシリコン含有膜が形成された前記基板を前記反応室内に搬入する。 - 請求項11に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基板を前記反応室内に搬入する工程では、
表面に流動性CVD法により形成された酸化シリコン膜が形成された前記基板を前記反応室内に搬入する。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気配管と、
前記処理ガス供給配管内の前記処理ガスに含まれる反応ガスの濃度を検知する第1のガス濃度センサと、
前記排気配管内の排気ガス中に含まれる前記反応ガスの濃度を検知する第2のガス濃度センサと、
前記第1のガス濃度センサが検知した第1のガス濃度値と、前記第2のガス濃度センサが検知した第2のガス濃度値を取得するよう構成された制御部と、
を備える基板処理装置を制御して、前記基板を処理する所定の手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、
前記所定の手順は、
前記処理ガス供給配管から前記基板が収容された前記反応室内へ前記処理ガスを供給させるとともに、前記処理室内の雰囲気を排気させる手順と、
前記第1のガス濃度センサ及び前記第2のガス濃度センサからそれぞれ、前記第1のガス濃度値と前記第2のガス濃度値を前記制御部に取得させる手順と、
を含むプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。 - 請求項14に記載の記録媒体であって、
前記所定の手順は、取得された前記第1のガス濃度値と前記第2のガス濃度値に基づいて、前記処理室内で消費された前記反応ガスの量を前記制御部に算出させる手順を更に含む。
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