JPWO2016199588A1 - 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と
を有する画素を備え、
前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される
撮像素子。
(2)
前記画素は、前記変換部により前記画素信号に変換される前記電荷を蓄積する蓄積容量を切り替える切り替え部をさらに有する
上記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記切り替え部により前記蓄積容量を大容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を高変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行い
前記切り替え部により前記蓄積容量を小容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を低変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行う
駆動部をさらに備える
上記(1)または(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記接続配線は、前記画素内に設けられる他の配線よりも薄膜に形成される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の撮像素子。
(5)
前記接続配線は、平面的に見て、前記画素内に設けられるトランジスタのゲート電極と重なることを回避してレイアウトされる
上記(1)から(4)までのいずれかに記載の撮像素子。
(6)
前記接続配線は、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、または、銅、或いは、チタンおよび窒化チタンの積層構造により形成される
上記(1)から(5)までのいずれかに記載の撮像素子。
(7)
前記画素は、互いに感度の異なる複数の光電変換部を有する
上記(1)に記載の撮像素子。
(8)
複数の前記光電変換部それぞれで発生した電荷に応じた画素信号を、順次、前記拡散層に転送して前記画素信号の読み出しを行う駆動部をさらに備える
上記(7)に記載の撮像素子。
(9)
入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部と、前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、前記変換部により前記画素信号に変換される前記電荷を蓄積する蓄積容量を切り替える切り替え部とを有する画素を備え、前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される撮像素子の駆動方法であって、
前記切り替え部により前記蓄積容量を大容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を高変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行い、
前記切り替え部により前記蓄積容量を小容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を低変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行う
駆動方法。
(10)
入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と
を有する画素を有し、
前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される
撮像素子を備える電子機器。
(11)
入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積し、互いに感度の異なる複数の光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、
複数の前記光電変換部のうちの、一部の前記光電変換部から転送される電荷を蓄積する画素内容量と
を有する画素を備える撮像素子。
(12)
複数の前記光電変換部それぞれで発生した電荷に応じた画素信号を、順次、前記拡散層に転送して前記画素信号の読み出しを行う駆動部をさらに備える
上記(11)に記載の撮像素子。
(13)
前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される
上記(11)または(12)に記載の撮像素子。
(14)
前記接続配線は、前記画素内に設けられる他の配線よりも薄膜に形成される
上記(11)から(13)までのいずれかに記載の撮像素子。
(15)
前記接続配線は、平面的に見て、前記画素内に設けられるトランジスタのゲート電極と重なることを回避してレイアウトされる
上記(11)から(14)までのいずれかに記載の撮像素子。
(16)
前記接続配線は、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、または、銅、或いは、チタンおよび窒化チタンの積層構造により形成される
上記(11)から(15)までのいずれかに記載の撮像素子。
(17)
入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積し、互いに感度の異なる複数の光電変換部と、前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、複数の前記光電変換部のうちの、一部の前記光電変換部から転送される電荷を蓄積する画素内容量とを有する画素を備える撮像素子の駆動方法であって、
複数の前記光電変換部それぞれで発生した電荷に応じた画素信号を、順次、前記拡散層に転送して前記画素信号の読み出しを行う
駆動方法。
(18)
入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積し、互いに感度の異なる複数の光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、
複数の前記光電変換部のうちの、一部の前記光電変換部から転送される電荷を蓄積する画素内容量と
を有する画素を有する撮像素子を備える電子機器。
Claims (18)
- 入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と
を有する画素を備え、
前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される
撮像素子。 - 前記画素は、前記変換部により前記画素信号に変換される前記電荷を蓄積する蓄積容量を切り替える切り替え部をさらに有する
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記切り替え部により前記蓄積容量を大容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を高変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行い、
前記切り替え部により前記蓄積容量を小容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を低変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行う
駆動部をさらに備える
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記接続配線は、前記画素内に設けられる他の配線よりも薄膜に形成される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記接続配線は、平面的に見て、前記画素内に設けられるトランジスタのゲート電極と重なることを回避してレイアウトされる
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記接続配線は、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、または、銅、或いは、チタンおよび窒化チタンの積層構造により形成される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記画素は、互いに感度の異なる複数の光電変換部を有する
請求項1に記載の撮像素子。 - 複数の前記光電変換部それぞれで発生した電荷に応じた画素信号を、順次、前記拡散層に転送して前記画素信号の読み出しを行う駆動部をさらに備える
請求項7に記載の撮像素子。 - 入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部と、前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、前記変換部により前記画素信号に変換される前記電荷を蓄積する蓄積容量を切り替える切り替え部とを有する画素を備え、前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される撮像素子の駆動方法であって、
前記切り替え部により前記蓄積容量を大容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を高変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行い、
前記切り替え部により前記蓄積容量を小容量に切り替えることにより、前記転送トランジスタにおける変換効率を低変換率に設定して前記画素信号の読み出しを行う
駆動方法。 - 入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と
を有する画素を有し、
前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される
撮像素子を備える電子機器。 - 入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積し、互いに感度の異なる複数の光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、
複数の前記光電変換部のうちの、一部の前記光電変換部から転送される電荷を蓄積する画素内容量と
を有する画素を備える撮像素子。 - 複数の前記光電変換部それぞれで発生した電荷に応じた画素信号を、順次、前記拡散層に転送して前記画素信号の読み出しを行う駆動部をさらに備える
請求項11に記載の撮像素子。 - 前記接続配線は、前記拡散層が形成される半導体基板に対して垂直方向に延びるコンタクト配線を介して前記拡散層および前記変換部に接続され、前記画素内に設けられる他の配線よりも前記半導体基板側に形成される
請求項11に記載の撮像素子。 - 前記接続配線は、前記画素内に設けられる他の配線よりも薄膜に形成される
請求項11に記載の撮像素子。 - 前記接続配線は、平面的に見て、前記画素内に設けられるトランジスタのゲート電極と重なることを回避してレイアウトされる
請求項11に記載の撮像素子。 - 前記接続配線は、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、または、銅、或いは、チタンおよび窒化チタンの積層構造により形成される
請求項11に記載の撮像素子。 - 入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積し、互いに感度の異なる複数の光電変換部と、前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、複数の前記光電変換部のうちの、一部の前記光電変換部から転送される電荷を蓄積する画素内容量とを有する画素を備える撮像素子の駆動方法であって、
複数の前記光電変換部それぞれで発生した電荷に応じた画素信号を、順次、前記拡散層に転送して前記画素信号の読み出しを行う
駆動方法。 - 入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積し、互いに感度の異なる複数の光電変換部と、
前記光電変換部で発生した前記電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部を介して前記電荷が転送され、所定の蓄積容量を備える拡散層と、
前記拡散層に転送された前記電荷を画素信号に変換する変換部と、
前記拡散層および前記変換部を接続する接続配線と、
複数の前記光電変換部のうちの、一部の前記光電変換部から転送される電荷を蓄積する画素内容量と
を有する画素を有する撮像素子を備える電子機器。
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