JPWO2017014025A1 - 撮像素子、製造方法、半導体装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
光を受光して光電変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する浮遊拡散層と、
トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層と
を備え、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
撮像素子。
(2)
前記光電変換部として、光電変換により発生した電荷を蓄積可能な第1の光電変換部と、光電変換により発生した電荷が順次取り出されて前記浮遊拡散層に蓄積される第2の光電変換部との両方が1画素に設けられ、
前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部は、光が照射される方向に沿った縦方向に並んで配置される
上記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記第2の光電変換部で発生した電荷を蓄積する前記浮遊拡散層の不純物濃度が、前記拡散層の不純物濃度よりも低濃度に設定される
上記(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記浮遊拡散層として、前記第1の光電変換部で発生した電荷が転送される第1の浮遊拡散層と、前記第2の光電変換部で発生した電荷を蓄積する第2の浮遊拡散層とがそれぞれ設けられ、
前記第2の浮遊拡散層の不純物濃度が、前記第1の浮遊拡散層の不純物濃度よりも低濃度に設定される
上記(2)または(3)までのいずれかに記載の撮像素子。
(5)
前記第2の光電変換部から前記電荷を取り出すために、前記浮遊拡散層に接続されるコンタクト電極をさらに有し、
前記コンタクト電極と、前記浮遊拡散層が形成される半導体基板との間に絶縁体が配置される
上記(2)から(4)までのいずれかに記載の撮像素子。
(6)
前記光電変換部が形成されるセンサチップと、所定の演算処理を行うロジックチップとが積層されて構成され、
前記浮遊拡散層は、前記ロジックチップに形成されるトランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
上記(1)から(5)までのいずれかに記載の撮像素子。
(7)
光を受光して光電変換する光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する浮遊拡散層と、トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層とを備える撮像素子の製造方法であって、
前記浮遊拡散層を形成する工程と、
前記拡散層を形成する工程と
が個別に設けられ、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
製造方法。
(8)
電荷を蓄積する浮遊拡散層と、
トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層と
を備え、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
半導体装置。
(9)
光を受光して光電変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する浮遊拡散層と、
トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層と
を備え、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
撮像素子を備える電子機器。
Claims (9)
- 光を受光して光電変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する浮遊拡散層と、
トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層と
を備え、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
撮像素子。 - 前記光電変換部として、光電変換により発生した電荷を蓄積可能な第1の光電変換部と、光電変換により発生した電荷が順次取り出されて前記浮遊拡散層に蓄積される第2の光電変換部との両方が1画素に設けられ、
前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部は、光が照射される方向に沿った縦方向に並んで配置される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2の光電変換部で発生した電荷を蓄積する前記浮遊拡散層の不純物濃度が、前記拡散層の不純物濃度よりも低濃度に設定される
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記浮遊拡散層として、前記第1の光電変換部で発生した電荷が転送される第1の浮遊拡散層と、前記第2の光電変換部で発生した電荷を蓄積する第2の浮遊拡散層とがそれぞれ設けられ、
前記第2の浮遊拡散層の不純物濃度が、前記第1の浮遊拡散層の不純物濃度よりも低濃度に設定される
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記第2の光電変換部から前記電荷を取り出すために、前記浮遊拡散層に接続されるコンタクト電極をさらに有し、
前記コンタクト電極と、前記浮遊拡散層が形成される半導体基板との間に絶縁体が配置される
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記光電変換部が形成されるセンサチップと、所定の演算処理を行うロジックチップとが積層されて構成され、
前記浮遊拡散層は、前記ロジックチップに形成されるトランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
請求項1に記載の撮像素子。 - 光を受光して光電変換する光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する浮遊拡散層と、トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層とを備える撮像素子の製造方法であって、
前記浮遊拡散層を形成する工程と、
前記拡散層を形成する工程と
が個別に設けられ、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
製造方法。 - 電荷を蓄積する浮遊拡散層と、
トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層と
を備え、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
半導体装置。 - 光を受光して光電変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する浮遊拡散層と、
トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層と
を備え、
前記浮遊拡散層は、前記拡散層よりも低濃度の不純物濃度となるように形成される
撮像素子を備える電子機器。
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