JPWO2016159239A1 - 吸着装置及び真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、吸着対象物と接触する面における吸着力を低減させて吸着対象物の吸着及び剥離時のダストの発生を抑制するとともに、吸着装置の吸着力を均一となるように制御可能な技術を提供するものである。本発明の吸着装置は、誘電体中に基板１０を吸着保持するための逆極性の一対の吸着電極１１、１２を有する本体部５０と、一対の吸着電極１１、１２に対して本体部５０の吸着側の部分に、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐようにそれぞれ配置された導電性膜５１とを有する。
Description
本発明は、真空中で基板を吸着保持する吸着装置に関し、特に、裏面に絶縁性の膜を有する基板ならびに絶縁性の基板を吸着保持する吸着装置の技術に関する。
従来より、スパッタリング装置などでは基板の温度制御を精密に行うために静電吸着装置が広く用いられている。真空中でガラス等の絶縁性基板上に成膜等の処理を行う装置においては、グラディエント力によって絶縁性基板を吸着保持する吸着装置が広く用いられている。また裏面に絶縁性の膜を有する基板を静電吸着する場合には、吸着電圧を高くして吸着力を強くする方法などが取られている。
従来、この種の吸着装置では、その吸着面における接触により基板裏面あるいは吸着装置の吸着面の材料の剥離が発生し、ダストの発生によるプロセス不良が生じていた。
このため、製造工程における歩留まりの低下といったような装置の信頼性を低くする要因となっていた。
このため、製造工程における歩留まりの低下といったような装置の信頼性を低くする要因となっていた。
また、従来技術においては、基板と吸着面との接触部分（界面）における熱抵抗を下げるために吸着力を増大することが行われているが、その場合、接触部分での密着性(接触面積)を確保するため、基板表面あるいは吸着装置の吸着面が研磨されており、その結果、摩耗によるダストが増大するため、接触部分における吸着力を低下させることが必要となっていた。
他方、吸着装置全体としては基板との熱抵抗を下げる必要があり、接触部分では吸着力を低下させながら、非接触部分では吸着力を上げて、ガスによるアシスト等の熱伝導により熱抵抗を下げる手法が必要となっていた。
さらに吸着終了後における残留吸着力の低減技術は、従来、単純に吸着面積を小さくすること、あるいは印加電圧を低減させるといったような、面内吸着力の相対的な低下により行われていた。
しかし、このような方法では、基板と吸着装置との間の熱伝達能力が低下するため、本来の吸着能力を最大限発揮することができていなかった。
しかし、このような方法では、基板と吸着装置との間の熱伝達能力が低下するため、本来の吸着能力を最大限発揮することができていなかった。
また、装置のスループット時間短縮等から残留吸着残存による搬送エラー、あるいは基板ごとの歩留まりといった問題が生じ、吸着装置の均一な吸着力制御が望まれていた。
さらには、基板との接触部分での吸着力により、基板裏面あるいは吸着装置表面の剥離が発生し、吸着力の均一性とともに、接触部分での吸着力を低減し摩耗、剥離を抑制することが望まれていた。
その一方で、吸着力を均一にしようとすると、複数の吸着電極のうち一部の吸着電極間においてショートが発生する場合があり、このような事態を回避するため、一部の吸着電極における吸着力を低減可能にすることも望まれていた。
さらには、基板との接触部分での吸着力により、基板裏面あるいは吸着装置表面の剥離が発生し、吸着力の均一性とともに、接触部分での吸着力を低減し摩耗、剥離を抑制することが望まれていた。
その一方で、吸着力を均一にしようとすると、複数の吸着電極のうち一部の吸着電極間においてショートが発生する場合があり、このような事態を回避するため、一部の吸着電極における吸着力を低減可能にすることも望まれていた。
本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、吸着対象物と接触する面における吸着力を低減させて吸着対象物の吸着及び剥離時のダストの発生を抑制するとともに、吸着装置の吸着力を全体として均一となるように、また部分的に吸着力を低減するように制御可能な技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、吸着装置全体として吸着装置と吸着対象物との間の熱抵抗を下げることができる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、吸着装置全体として吸着装置と吸着対象物との間の熱抵抗を下げることができる技術を提供することにある。
上記課題を解決するためになされた本発明は、誘電体中に吸着対象物を吸着保持するための複数の逆極性の一対の吸着電極を有する本体部と、前記複数の一対の吸着電極に対して前記本体部の吸着側の部分に、前記複数の一対の吸着電極の陽極と陰極を跨ぐように配置された複数の導電性膜とを有する吸着装置である。
本発明では、前記複数の導電性膜が、前記複数の一対の吸着電極の陽極と陰極について、当該一対の吸着電極によって発生する電界を遮蔽する面積がそれぞれ均等になるように配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記本体部が、その吸着側の表面に設けられ前記吸着対象物と接触して支持する凸状の接触支持部を有し、前記導電性膜が、当該接触支持部の領域にのみ配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記接触支持部が、前記本体部と同一の材料で一体的に形成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記導電性膜を絶縁性のシート内部に設けた導電性膜付きシートを有し、当該導電性膜付きシートは、前記本体部の表面に配置した場合に前記接触支持部を有するように形成され、かつ、前記本体部に対して着脱自在に構成されている場合にも効果的である。
一方、本発明は、真空槽と、前記真空槽内に設けられた上記いずれかの吸着装置とを有し、前記吸着装置によって吸着保持された吸着対象物に対して所定の処理を行うように構成されている真空処理装置である。
本発明では、前記複数の導電性膜が、前記複数の一対の吸着電極の陽極と陰極について、当該一対の吸着電極によって発生する電界を遮蔽する面積がそれぞれ均等になるように配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記本体部が、その吸着側の表面に設けられ前記吸着対象物と接触して支持する凸状の接触支持部を有し、前記導電性膜が、当該接触支持部の領域にのみ配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記接触支持部が、前記本体部と同一の材料で一体的に形成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記導電性膜を絶縁性のシート内部に設けた導電性膜付きシートを有し、当該導電性膜付きシートは、前記本体部の表面に配置した場合に前記接触支持部を有するように形成され、かつ、前記本体部に対して着脱自在に構成されている場合にも効果的である。
一方、本発明は、真空槽と、前記真空槽内に設けられた上記いずれかの吸着装置とを有し、前記吸着装置によって吸着保持された吸着対象物に対して所定の処理を行うように構成されている真空処理装置である。
本発明の吸着装置では、誘電体中に吸着対象物を吸着保持するための複数の逆極性の一対の吸着電極を有する本体部と、複数の一対の吸着電極に対して本体部の吸着側の部分に、複数の一対の吸着電極の陽極と陰極を跨ぐように配置された複数の導電性膜とを有することから、複数の一対の吸着電極の陽極と陰極間において生ずる電界が複数の導電性膜の領域においてそれぞれ遮蔽されるとともに、各導電性膜自体が電位を帯びる状況を発生させない状態になり、これにより本体部の吸着側の複数の導電性膜の部分においてそれぞれ吸着力が発生しなくなる。
その結果、本発明によれば、吸着対象物との接触部分において摩擦等に起因する吸着対象物及び吸着装置表面の剥離の発生を抑制することができ、その結果、ダストの発生を防止するとともに、吸着装置自体の寿命を伸ばすことができる。
また、本発明によれば、吸着装置の吸着力を各領域において均一となるように制御することができるし、また吸着面内での吸着力の分布状態を制御して調整することもできるので、吸着対象物の搬送エラーを防止することができるとともに、歩留まりの低下を回避することができる。
さらに、本発明によれば、複数の一対の吸着電極のうち一部の一対の吸着電極間にショートが発生した場合であっても、その一対の吸着電極による吸着力を低減させるように制御することによって、各一対の吸着電極間におけるショートの発生を回避及び防止することができる。
さらに、本発明によれば、複数の一対の吸着電極のうち一部の一対の吸着電極間にショートが発生した場合であっても、その一対の吸着電極による吸着力を低減させるように制御することによって、各一対の吸着電極間におけるショートの発生を回避及び防止することができる。
本発明において、複数の導電性膜が、複数の一対の吸着電極の陽極と陰極について、当該一対の吸着電極によって発生する電界を遮蔽する面積がそれぞれ均等になるように配置されている場合には、吸着装置の本体部における複数の一対の吸着電極を配置した領域においてより吸着力が均一となるように制御することができる。さらには、複数の一対の吸着電極の陽極と陰極とに跨がる複数の導電性膜の吸着電極上の面積を、本体部表面に分布をもたせて配置することで、吸着力とその結果として生じる残留吸着力を制御することもできる。
本発明において、本体部が、その吸着側の表面に設けられ吸着対象物と接触して支持する凸状の接触支持部を有し、上述した本体部の吸着電極の陽極と陰極の両者に跨がる導電性膜が、接触支持部の領域にのみ配置されている場合には、接触支持部において吸着力を発生させないようにすることができるので、本体部と吸着対象物との接触部分における熱などに起因する摩擦抵抗を下げることができ、さらに、本体部と吸着対象物との非接触部分では吸着力を上げることにより、吸着装置全体としての吸着力を低下させることなく、ガスによるアシスト等の熱伝導手段を用いることにより、吸着装置と吸着対象物との間の熱抵抗を下げることができる。
この場合、接触支持部が、本体部と同一の材料で一体的に形成されていれば、製造工程の簡素化を図ることができるとともに、一体成型によるものであるため貼り合せによって製造する場合に比べて剛性など機械的強度を高くすることができる。
さらにまた、導電性膜を絶縁性のシート内部に設けた導電性膜付きシートを有し、当該導電性膜付きシートが、本体部の表面に配置され、さらに本体部の吸着電極の陽極と陰極の両者に跨がるように接触支持部が形成され、かつ、本体部に対して着脱自在に構成されている場合には、導電性膜の交換を容易に行うことができ、これによりメンテナンスが容易で、かつ、種々の吸着対象物に対応可能な汎用性の広い吸着装置を提供することができる。
加えて、真空槽内に設けられた上記いずれかの吸着装置とを有し、この吸着装置によって吸着保持された吸着対象物に対して所定の処理を行うように構成されている真空処理装置によれば、高品位の真空処理が可能な真空処理装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る真空処理装置の一実施の形態であるスパッタリング装置の概略構成図である。
図１は、本発明に係る真空処理装置の一実施の形態であるスパッタリング装置の概略構成図である。
図１において、符号２は本実施の形態のスパッタリング装置１の真空槽を示すもので、この真空槽２は、図示しない真空排気系に接続され、スパッタガスを導入するように構成されている。
真空槽２内の上部には、成膜源であるターゲット３が配置されている。
このターゲット３は、スパッタ電源４に接続され、負のバイアス電圧が印加されるようになっている。なお、スパッタ電源４のプラス側は真空槽２とともにアースされている。
真空槽２内の上部には、成膜源であるターゲット３が配置されている。
このターゲット３は、スパッタ電源４に接続され、負のバイアス電圧が印加されるようになっている。なお、スパッタ電源４のプラス側は真空槽２とともにアースされている。
真空槽２内には、基板（吸着対象物）１０を吸着保持するための吸着装置５が設けられている。
この吸着装置５は双極型のもので、種々のセラミックス等の誘電体からなる本体部５０中に複数（本実施の形態では二つ）の一対の吸着電極１１、１２が設けられており、これら吸着電極１１、１２に、真空槽２の外側に設けた吸着電源２０から電流導入端子１３、１４を介してそれぞれ電力を供給するように構成されている。
なお、各電流導入端子１３、１４と吸着電源２０との間には、微小な電流を測定可能な電流計２１、２２が接続されている。
この吸着装置５は双極型のもので、種々のセラミックス等の誘電体からなる本体部５０中に複数（本実施の形態では二つ）の一対の吸着電極１１、１２が設けられており、これら吸着電極１１、１２に、真空槽２の外側に設けた吸着電源２０から電流導入端子１３、１４を介してそれぞれ電力を供給するように構成されている。
なお、各電流導入端子１３、１４と吸着電源２０との間には、微小な電流を測定可能な電流計２１、２２が接続されている。
一方、真空槽２の底部には、基板１０を吸着装置５上に載せ又は吸着装置５から離脱させるための昇降機構１５が設けられている。
また、真空槽２の外部には、装置全体を制御するためのコンピュータ２３が設けられ、このコンピュータ２３は、上述した昇降機構１５を駆動する駆動部１６、電流計２１、２２、吸着電源２０及びスパッタ電源４に接続されている。
なお、このコンピュータ２３はＡ／Ｄ変換ボード等を備え、また例えばペンレコーダ等の電流を記録するための手段（図示せず）に接続されている。
また、真空槽２の外部には、装置全体を制御するためのコンピュータ２３が設けられ、このコンピュータ２３は、上述した昇降機構１５を駆動する駆動部１６、電流計２１、２２、吸着電源２０及びスパッタ電源４に接続されている。
なお、このコンピュータ２３はＡ／Ｄ変換ボード等を備え、また例えばペンレコーダ等の電流を記録するための手段（図示せず）に接続されている。
以下、本発明の原理について説明する。
図２（ａ）は、全面吸着型の吸着装置の断面を示す概略構成図である。
図２（ａ）は、全面吸着型の吸着装置の断面を示す概略構成図である。
図２（ａ）に示すように、誘電体からなる吸着装置１０５内に設けられた吸着電極１１１に対し、吸着電源１２０から基板１１０との間に所定の電圧Ｖを印加することにより、吸着装置１０５の吸着面１５０と基板１１０の裏面１１０ａにおいて逆極性の電荷が発生し、その結果、吸着装置１０５の吸着面１５０と裏面１１０ａとがクーロン力によって拘束され、基板１１０が吸着面１５０上に保持される。
ここで、基板吸着の原理を示す等価回路図を図２（ｂ）に示す。
吸着力Ｆを算出するには、まず、クーロン力Ｆｃについて考える。この場合、吸着装置１０５の誘電体層の誘電率ε、印加電圧Ｖ、誘電体層の距離ｄ、基板１１０及び吸着装置１０５の帯電部分の面積Ｓとすると、次式が成り立つ。
Ｆｃ＝１／２・ε・Ｓ（Ｖ／ｄ）2
吸着力Ｆを算出するには、まず、クーロン力Ｆｃについて考える。この場合、吸着装置１０５の誘電体層の誘電率ε、印加電圧Ｖ、誘電体層の距離ｄ、基板１１０及び吸着装置１０５の帯電部分の面積Ｓとすると、次式が成り立つ。
Ｆｃ＝１／２・ε・Ｓ（Ｖ／ｄ）2
実際の吸着装置では、誘電体を容量としたクーロン力Ｆｃと、基板と吸着電極間の微少域にわずかの電流が流れることにより生じるジョンソンラーベック力Ｆｊｒが積算される。その結果、吸着装置と基板間に働く吸着力Ｆは、次式で表される。
Ｆ＝Ｆｃ＋Ｆｊｒ
Ｆ＝Ｆｃ＋Ｆｊｒ
一般に、クーロン力よりジョンソンラーベック力の方が相対的に大きいことが知られている。
また、クーロン力とジョンソンラーベック力は、誘電体の体積抵抗率に依存し、低抵抗率（１×１０12Ω・ｃｍ以下）の範囲でジョンソンラーベック力が支配的となり、高抵抗率（１×１０13Ω・ｃｍ以上）の範囲ではクーロン力が支配的となることも知られている。
また、クーロン力とジョンソンラーベック力は、誘電体の体積抵抗率に依存し、低抵抗率（１×１０12Ω・ｃｍ以下）の範囲でジョンソンラーベック力が支配的となり、高抵抗率（１×１０13Ω・ｃｍ以上）の範囲ではクーロン力が支配的となることも知られている。
ところで、基板と吸着装置の界面において吸着力を制御する方法として、吸着面に薄膜導電体を形成し、基板と吸着装置間における誘電分極現象を遮断することは可能である。
ただし、上述したジョンソンラーベック力を利用する吸着装置の場合において、基板が酸化膜等の時など、誘電体をわずかに流れる電流により、薄膜導電体自体に電荷が移行し、基板吸着面の酸化膜を誘電体として、チャック力が発生し、結果として吸着力が低下しない場合も発生する。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたものである。
ただし、上述したジョンソンラーベック力を利用する吸着装置の場合において、基板が酸化膜等の時など、誘電体をわずかに流れる電流により、薄膜導電体自体に電荷が移行し、基板吸着面の酸化膜を誘電体として、チャック力が発生し、結果として吸着力が低下しない場合も発生する。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたものである。
図３（ａ）（ｂ）は、本発明に係る吸着装置の構成例を模式的に示すもので、図３（ａ）は、断面構成図、図３（ｂ）は、平面構成図である。
図３（ａ）に示すように、本構成例の吸着装置５は、双極型のものであり、誘電体からなる例えば矩形プレート状の本体部５０の内部に、一対の吸着電極１１（陽極１１ａ，陰極１１ｂ）と、一対の吸着電極１２（陽極１２ａ，陰極１２ｂ）が設けられて構成されている。
ここで、一対の吸着電極１１、１２は、極性の異なる吸着電源２０Ａ，２０Ｂ及び２０Ｃ，２０Ｄにそれぞれ接続されている。これら吸着電源２０Ａ，２０Ｂ及び２０Ｃ，２０Ｄは、それぞれ独立して制御できるように構成されている。
ここで、一対の吸着電極１１、１２は、極性の異なる吸着電源２０Ａ，２０Ｂ及び２０Ｃ，２０Ｄにそれぞれ接続されている。これら吸着電源２０Ａ，２０Ｂ及び２０Ｃ，２０Ｄは、それぞれ独立して制御できるように構成されている。
図３（ｂ）に示すように、本構成例の場合、これら一対の吸着電極１１（陽極１１ａ，陰極１１ｂ）、並びに、一対の吸着電極１２（陽極１２ａ，陰極１２ｂ）は、それぞれ同等の大きさの長方形形状に形成され、それぞれ所定の間隔をおいて並べて配置されている。
ここで、吸着装置５は、一対の吸着電極１１、１２に対して本体部５０の吸着側の部分に、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように配置された導電性膜５１を有している。
ここで、吸着装置５は、一対の吸着電極１１、１２に対して本体部５０の吸着側の部分に、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように配置された導電性膜５１を有している。
本構成例では、各導電性膜５１は矩形形状に形成され、その周囲が絶縁性の保護部５２によって覆われてブロック状の導電性膜ユニット５３ａが構成されている（図３（ａ）参照）。
導電性膜ユニット５３ａは複数個設けられ、本体部５０の表面５０ａに、一対の吸着電極１１、１２に対してその長手方向にそれぞれ複数個配置され、これにより本体部５０の表面５０ａに凸状の接触支持部５３が設けられている。
そして、これら本体部５０の接触支持部５３上に基板１０が配置されるようになっている。すなわち、本構成例では、基板１０は、接触支持部５３の頂部に接触して支持される。
導電性膜ユニット５３ａは複数個設けられ、本体部５０の表面５０ａに、一対の吸着電極１１、１２に対してその長手方向にそれぞれ複数個配置され、これにより本体部５０の表面５０ａに凸状の接触支持部５３が設けられている。
そして、これら本体部５０の接触支持部５３上に基板１０が配置されるようになっている。すなわち、本構成例では、基板１０は、接触支持部５３の頂部に接触して支持される。
また、本発明の場合、特に限定されることはないが、一対の吸着電極１１、１２の逆極性の電極間において偏りなく電界を発生させる観点からは、導電性膜５１が、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂについて、当該一対の吸着電極１１、１２によって発生する電界を遮蔽する面積がそれぞれ均等になるように配置されていることが好ましい。具体的には、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂに対し、導電性膜５１を、同等の距離で、かつ、吸着方向に関して重なる面積が同等の大きさとなるように配置構成することが好ましい。
なお、上述した絶縁性の保護部５２は設けなくてもよいが、吸着すべき基板１０への金属汚染の防止、導電性膜５１の保護の観点からは設けることが好ましい。
なお、上述した絶縁性の保護部５２は設けなくてもよいが、吸着すべき基板１０への金属汚染の防止、導電性膜５１の保護の観点からは設けることが好ましい。
本発明の場合、導電性膜５１の材料としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）等の高融点の金属や金属窒化物を用いることができる。それ以外にも、いわゆる金属であれば問題ないが、金属に限らず１×１０3Ω・ｃｍ以下の抵抗率をもつ材料であれば、本発明に用いることができる。
本発明の場合、特に限定されることはないが、本体部５０が焼結体であって、導電性膜５１を本体部５０と共に焼成させる場合には、製造工程において溶融せず、かつ、一対の吸着電極１１、１２によって発生する電界を確実に中和する観点からは、導電性膜５１の材料として、本体部５０の焼結温度以上の融点のもので、かつ、体積抵抗率が１×１０10Ω・ｃｍ以下の材料を用いることが好ましい。
なお、導電性膜５１は、例えばＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着等の成膜プロセスによって作成することができる。また、市販のシート状のものを用いることもできる。
なお、導電性膜５１は、例えばＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着等の成膜プロセスによって作成することができる。また、市販のシート状のものを用いることもできる。
以上述べたように本構成例の吸着装置５によれば、二つの一対の吸着電極１１、１２に対して本体部５０の吸着側の部分に、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように配置された複数の導電性膜５１を有していることから、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂの間において生ずる電界が導電性膜５１の領域においてそれぞれ遮蔽されるとともに、各導電性膜５１自体が電位を帯びる状況を発生させない状態になり、これにより本体部５０の吸着側の複数の導電性膜５１の部分においてそれぞれ吸着力が発生しなくなる。
その結果、本構成例によれば、基板１０との接触部分において摩擦等に起因する基板１０並びに吸着装置５の本体部５０の表面５０ａの剥離の発生を抑制することができ、その結果、ダストの発生を防止するとともに、吸着装置５自体の寿命を伸ばすことができる。
また、本構成例によれば、吸着装置５の吸着力を均一となるように制御することができるし、また吸着面内での吸着力の分布状態を制御して調整することもできるので、基板１０の搬送エラーを防止することができるとともに、歩留まりの低下を回避することができる。
さらに、本構成例によれば、二つの一対の吸着電極１１、１２のうちの一部にショートが発生した場合であっても、一対の吸着電極１１又は１２による吸着力を低減させるように制御することによって、一対の吸着電極１１又は１２間におけるショートの発生を回避及び防止することができる。
さらに、本構成例によれば、二つの一対の吸着電極１１、１２のうちの一部にショートが発生した場合であっても、一対の吸着電極１１又は１２による吸着力を低減させるように制御することによって、一対の吸着電極１１又は１２間におけるショートの発生を回避及び防止することができる。
特に本構成例では、導電性膜５１が、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂについて、当該一対の吸着電極１１、１２によって発生する電界を遮蔽する面積がそれぞれ均等になるように配置されていることから、吸着装置５の本体部５０における一対の吸着電極１１、１２を配置した領域においてそれぞれ吸着力が均一となるように制御することができる。
さらに、本構成例においては、本体部５０の基板１０を支持する接触支持部５３内にのみ導電性膜５１を配置するようにしたことから、接触支持部５３において吸着力を発生させないようにすることができ、これにより本体部５０と基板１０との接触部分における熱などに起因する摩擦抵抗を下げることができ、さらに、本体部５０と基板１０との非接触部分では吸着力を上げることにより、吸着装置５全体としての吸着力を低下させることなく、ガスによるアシスト等の熱伝導手段を用いて吸着装置５全体と基板１０との間の熱抵抗を下げることができる。
図４は、本発明に係る吸着装置の他の構成例を模式的に示す断面構成図である。以下、上記構成例と対応する部分については同一の符合を付しその詳細な説明を省略する。
図４に示すように、本構成例の吸着装置５Ａは、上述した吸着装置５の本体部５０の表面５０ａに、本体部５０と同一の材料で一体的に形成された凸部５０ｂによって凸状の接触支持部５３が複数設けられ、これら接触支持部５３内に上述した導電性膜５１が設けられている。
ここで、本体部５０の接触支持部５３は、その頂部が平坦に形成されるとともに、本体部５０の表面５０ａに対してそれぞれ同等の高さを有している。
また、各導電性膜５１は、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように配置されている。
そして、これら本体部５０の接触支持部５３上に基板１０が配置されるようになっている。すなわち、基板１０は、本体部５０の凸状の接触支持部５３の頂部に接触して支持される。
また、各導電性膜５１は、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように配置されている。
そして、これら本体部５０の接触支持部５３上に基板１０が配置されるようになっている。すなわち、基板１０は、本体部５０の凸状の接触支持部５３の頂部に接触して支持される。
このような構成を有する本構成例によれば、上述した効果に加え、吸着装置５の本体部５０の表面５０ａに、本体部５０と同一の材料で一体的に形成された凸状の接触支持部５３が複数設けられ、これら接触支持部５３内に上述した導電性膜５１が設けられていることから、製造工程の簡素化を図ることができる。また本構成例は一体成型によるものであるため貼り合せによって製造する場合に比べて剛性など機械的強度を高くすることができる。
さらに、本構成例においては、本体部５０の接触支持部５３内にのみ導電性膜５１を配置するようにしたことから、接触支持部５３において吸着力を発生させないようにすることができるので、本体部５０と基板１０との接触部分における熱などに起因する摩擦抵抗を下げることができ、さらに、本体部５０と基板１０との非接触部分では吸着力を上げることにより、吸着装置５Ａ全体としての吸着力を低下させることなく、ガスによるアシスト等の熱伝導手段を用いて吸着装置５Ａ全体と基板１０との間の熱抵抗を下げることができる。
その他の構成及び作用効果については上述した構成例と同一であるのでその詳細な説明は省略する。
その他の構成及び作用効果については上述した構成例と同一であるのでその詳細な説明は省略する。
図５（ａ）（ｂ）は、本発明に係る吸着装置の他の構成例を模式的に示す断面構成図である。以下、上記構成例と対応する部分については同一の符合を付しその詳細な説明を省略する。
図５（ａ）（ｂ）に示すように、本構成例の吸着装置５Ｂは、上述した吸着装置５の本体部５０の表面５０ａに、上述した導電性膜５１の大きさ及び形状に対応する大きさ及び形状を有する複数の凹部５０ｃが形成されている。
これら本体部５０の凹部５０ｃは、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように設けられている。
そして、このような構成により、導電性膜５１を本体部５０の各凹部５０ｃ内に配置した場合に、各導電性膜５１が、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐようになっている。
これら本体部５０の凹部５０ｃは、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように設けられている。
そして、このような構成により、導電性膜５１を本体部５０の各凹部５０ｃ内に配置した場合に、各導電性膜５１が、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐようになっている。
また、本構成例では、導電性膜５１を本体部５０の各凹部５０ｃ内に配置した後に、図５（ｂ）に示すように、例えばシート状の保護膜５８によって導電性膜５１の表面を覆い、これにより本体部５０の表面５０ａに接触支持部５３を設けることが好ましい。
このような構成を有する本構成例によれば、上述した効果に加え、吸着装置５Ｂの本体部５０の表面５０ａに設けた凹部５０ｃ内に導電性膜５１を配置するようにしたことから、製造工程の簡素化を図ることができる。
さらに、本構成例においては、本体部５０上に設けた保護膜５８の下方即ち接触支持部５３の領域にのみ導電性膜５１を配置するようにしたことから、接触支持部５３において吸着力を発生させないようにすることができ、これにより本体部５０と基板１０との接触部分における熱などに起因する摩擦抵抗を下げることができ、さらに、本体部５０と基板１０との非接触部分では吸着力を上げることにより、吸着装置５Ｂ全体としての吸着力を低下させることなく、ガスによるアシスト等の熱伝導手段を用いて吸着装置５Ｂ全体と基板１０との間の熱抵抗を下げることができる。
その他の構成及び作用効果については上述した構成例と同一であるのでその詳細な説明は省略する。
その他の構成及び作用効果については上述した構成例と同一であるのでその詳細な説明は省略する。
図６（ａ）（ｂ）は、本発明に係る吸着装置の他の構成例を模式的に示す断面構成図である。以下、上記構成例と対応する部分については同一の符合を付しその詳細な説明を省略する。
図６（ａ）（ｂ）に示すように、本構成例の吸着装置５Ｃは、上述した吸着装置５の本体部５０の表面５０ａに、上述した導電性膜５１を有する絶縁性のシート５５（以下「導電性膜付きシート」という。）が設けられているものである。
この導電性膜付きシート５５は、例えば樹脂からなるシート基材５６上に上述した導電性膜５１が設けられ、さらに、例えば樹脂からなる保護シート５７によって導電性膜５１が覆われている。
ここで、導電性膜付きシート５５は、本体部５０の表面５０ａと同等の大きさを有するシート基材５６上に複数の導電性膜５１が設けられ、これにより本体部５０の表面５０ａに配置した場合に上述した接触支持部５３となるように形成されている。
ここで、導電性膜付きシート５５は、本体部５０の表面５０ａと同等の大きさを有するシート基材５６上に複数の導電性膜５１が設けられ、これにより本体部５０の表面５０ａに配置した場合に上述した接触支持部５３となるように形成されている。
また、導電性膜付きシート５５は、本体部５０の表面５０ａに配置した場合に、各導電性膜５１が、一対の吸着電極１１の陽極１１ａと陰極１１ｂ、並びに、一対の吸着電極１２の陽極１２ａと陰極１２ｂを跨ぐように配置されるようになっている。
さらに、本構成例の導電性膜付きシート５５は、接着剤によって本体部５０の表面５０ａに対して接着され、かつ、本体部５０の表面５０ａから剥離できるように着脱自在に構成されている。
さらに、本構成例の導電性膜付きシート５５は、接着剤によって本体部５０の表面５０ａに対して接着され、かつ、本体部５０の表面５０ａから剥離できるように着脱自在に構成されている。
このような構成を有する本構成例によれば、上述した効果に加え、本体部５０の表面５０ａに対して着脱自在の導電性膜付きシート５５を有することから、導電性膜５１の交換を容易に行うことができ、これによりメンテナンスが容易で、かつ、種々の吸着対象物に対応可能な汎用性の広い吸着装置を提供することができる。
さらに、本構成例においては、本体部５０上に設けた導電性膜付きシート５５によって構成される接触支持部５３内にのみ導電性膜５１を配置するようにしたことから、接触支持部５３において吸着力を発生させないようにすることができ、これにより本体部５０と基板１０との接触部分における熱などに起因する摩擦抵抗を下げることができ、さらに、本体部５０と基板１０との非接触部分では吸着力を上げることにより、吸着装置５Ｃ全体としての吸着力を低下させることなく、ガスによるアシスト等の熱伝導手段を用いて吸着装置５Ｃ全体と基板１０との間の熱抵抗を下げることができる。
その他の構成及び作用効果については上述した構成例と同一であるのでその詳細な説明は省略する。
その他の構成及び作用効果については上述した構成例と同一であるのでその詳細な説明は省略する。
なお、本発明は上述した実施の形態に限られず、種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施の形態に記載した吸着電極１１、１２、導電性膜５１、接触支持部５３の形状及び数は一例であり、本発明の範囲を超えない限り、種々の変更を行うことができる。
さらに、本発明はスパッタリング装置のみならず、例えば蒸着装置やエッチング装置等の種々の真空処理装置に適用することができる。
例えば、上記実施の形態に記載した吸着電極１１、１２、導電性膜５１、接触支持部５３の形状及び数は一例であり、本発明の範囲を超えない限り、種々の変更を行うことができる。
さらに、本発明はスパッタリング装置のみならず、例えば蒸着装置やエッチング装置等の種々の真空処理装置に適用することができる。
１…スパッタリング装置（真空処理装置）
２…真空槽
３…ターゲット
４…スパッタ電源
５…吸着装置
１０…基板（吸着対象物）
１１、１２…吸着電極
１１ａ、１２ａ…陽極
１１ｂ、１２ｂ…陰極
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ…吸着電源
５０…本体部
５０ａ…表面
５１…導電性膜
５２…保護部
５３…接触支持部
２…真空槽
３…ターゲット
４…スパッタ電源
５…吸着装置
１０…基板（吸着対象物）
１１、１２…吸着電極
１１ａ、１２ａ…陽極
１１ｂ、１２ｂ…陰極
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ…吸着電源
５０…本体部
５０ａ…表面
５１…導電性膜
５２…保護部
５３…接触支持部
このような構成を有する本構成例によれば、上述した効果に加え、吸着装置５Ａの本体部５０の表面５０ａに、本体部５０と同一の材料で一体的に形成された凸状の接触支持部５３が複数設けられ、これら接触支持部５３内に上述した導電性膜５１が設けられていることから、製造工程の簡素化を図ることができる。また本構成例は一体成型によるものであるため貼り合せによって製造する場合に比べて剛性など機械的強度を高くすることができる。
Claims (6)
- 誘電体中に吸着対象物を吸着保持するための複数の逆極性の一対の吸着電極を有する本体部と、
前記複数の一対の吸着電極に対して前記本体部の吸着側の部分に、前記複数の一対の吸着電極の陽極と陰極を跨ぐように配置された複数の導電性膜とを有する吸着装置。 - 前記複数の導電性膜が、前記複数の一対の吸着電極の陽極と陰極について、当該一対の吸着電極によって発生する電界を遮蔽する面積がそれぞれ均等になるように配置されている請求項１記載の吸着装置。
- 前記本体部が、その吸着側の表面に設けられ前記吸着対象物と接触して支持する凸状の接触支持部を有し、前記導電性膜が、当該接触支持部の領域にのみ配置されている請求項１又は２のいずれか１項記載の吸着装置。
- 前記接触支持部が、前記本体部と同一の材料で一体的に形成されている請求項３記載の吸着装置。
- 前記導電性膜を絶縁性のシート内部に設けた導電性膜付きシートを有し、当該導電性膜付きシートは、前記本体部の表面に配置した場合に前記接触支持部を有するように形成され、かつ、前記本体部に対して着脱自在に構成されている請求項３記載の吸着装置。
- 真空槽と、
前記真空槽内に設けられた吸着装置とを備え、
前記吸着装置は、誘電体中に吸着対象物を吸着保持するための複数の逆極性の一対の吸着電極を有する本体部と、前記複数の一対の吸着電極に対して前記本体部の吸着側の部分に、前記複数の一対の吸着電極の陽極と陰極を跨ぐように配置された複数の導電性膜とを有し、
前記吸着装置によって吸着保持された吸着対象物に対して所定の処理を行うように構成されている真空処理装置。
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| JP2021141120A (ja) * | 2020-03-02 | 2021-09-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 静電チャック装置用電源、静電チャック装置、及びデチャック制御方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004022888A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Anelva Corp | 静電吸着装置 |
| WO2006049085A1 (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Ulvac, Inc. | 静電チャック装置 |
| JP2008251737A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法 |
| JP2009302347A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック及び基板温調固定装置 |
| JP2012216774A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
| JP2000183146A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Ibiden Co Ltd | 静電チャック |
| JP4082924B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2008-04-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電吸着ホルダー及び基板処理装置 |
| KR100511854B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2005-09-02 | 아네르바 가부시키가이샤 | 정전 흡착 장치 |
| US7092231B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-08-15 | Asml Netherlands B.V. | Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7881036B2 (en) * | 2005-12-06 | 2011-02-01 | Creative Technology Corporation | Electrode sheet for electrostatic chuck, and electrostatic chuck |
| JP4890421B2 (ja) | 2006-10-31 | 2012-03-07 | 太平洋セメント株式会社 | 静電チャック |
| WO2009035002A1 (ja) | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Canon Anelva Corporation | 静電チャック |
| EP2306505A4 (en) | 2008-07-08 | 2011-09-14 | Creative Tech Corp | BIPOLAR ELECTROSTATIC CHUCK |
| US8879233B2 (en) * | 2009-05-15 | 2014-11-04 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with polymer protrusions |
| US8861170B2 (en) * | 2009-05-15 | 2014-10-14 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface |
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-
2017
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004022888A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Anelva Corp | 静電吸着装置 |
| WO2006049085A1 (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Ulvac, Inc. | 静電チャック装置 |
| JP2008251737A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法 |
| JP2009302347A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック及び基板温調固定装置 |
| JP2012216774A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー |
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