CN106796915A - 吸附装置和真空处理装置 - Google Patents

吸附装置和真空处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106796915A
CN106796915A CN201680003147.3A CN201680003147A CN106796915A CN 106796915 A CN106796915 A CN 106796915A CN 201680003147 A CN201680003147 A CN 201680003147A CN 106796915 A CN106796915 A CN 106796915A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adsorbent equipment
pair
main part
absorption
conductive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680003147.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106796915B (zh
Inventor
前平謙
不破耕
早坂智洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of CN106796915A publication Critical patent/CN106796915A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106796915B publication Critical patent/CN106796915B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种使在与吸附对象物接触的面的吸附力降低来抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有：在电介质中具有用于对基板10进行吸附保持的逆极性的一对吸附电极11、12的主体部50、以及相对于一对吸附电极11、12在主体部50的吸附侧的部分以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式分别配置的导电性膜51。

Description

吸附装置和真空处理装置
技术领域
本发明涉及在真空中对基板进行吸附保持的吸附装置，特别是涉及对在背面具有绝缘性的膜的基板以及绝缘性的基板进行吸附保持的吸附装置的技术。
背景技术
历来，在溅射装置等中，为了精密地进行基板的温度控制而广泛地使用静电吸附装置。在真空中在玻璃等的绝缘性基板上进行成膜等处理的装置中，广泛地使用利用梯度力对绝缘性基板进行吸附保持的吸附装置。此外，在对在背面具有绝缘性的膜的基板进行静电吸附的情况下，采取使吸附电压变高来使吸附力变强的方法等。
历来，在此种类的吸附装置中，由于在其吸附面的接触而发生基板背面或吸附装置的吸附面的材料的剥离，产生了由于灰尘的产生导致的工艺不良。
因此，成为制造工序中的成品率降低等那样的使装置的可靠性变低的主要原因。
此外，在现有技术中，进行为了降低基板与吸附面的接触部分（界面）处的热阻而增大吸附力的情况，但是，在该情况下，为了确保接触部分处的紧贴性（接触面积），对基板表面或吸附装置的吸附面进行研磨，其结果是，由磨耗造成的灰尘增大，因此，需要使接触部分处的吸附力降低。
另一方面，作为吸附装置整体，需要降低与基板的热阻，需要一边在接触部分使吸附力降低一边在非接触部分提高吸附力并且通过利用气体的助推器等的热传导来降低热阻的手法。
进而，关于在吸附结束后的残留吸附力的降低技术，历来，通过单纯地使吸附面积变小或使施加电压降低等那样的面内吸附力的相对的降低来进行。
可是，在这样的方法中，基板与吸附装置之间的热传递能力降低，因此，不能最大限度发挥本来的吸附能力。
此外，由于装置的吞吐时间缩短等产生由于残留吸附残存造成的输送错误或者每个基板的成品率等问题，期望吸附装置的均匀的吸附力控制。
进而，由于与基板的接触部分处的吸附力，发生基板背面或吸附装置表面的剥离，与吸附力的均匀性一起期望降低接触部分处的吸附力来抑制磨耗、剥离。
另一方面，当想要使吸附力均匀时，存在在多个吸附电极之中的一部分的吸附电极间发生短路的情况，为了避免这样的事态，也期望能够降低一部分的吸附电极中的吸附力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4342691号。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述现有技术的课题而完成的，其目的在于提供一种使与吸附对象物接触的面处的吸附力降低来抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力作为整体均匀的方式此外以部分地降低吸附力的方式控制的技术。
此外，本发明的另一目的在于提供一种能够作为吸附装置整体来降低吸附装置与吸附对象物之间的热阻的技术。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题而完成的本发明是，一种吸附装置，其中，具有：主体部，在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极；以及多个导电性膜，相对于所述多个一对吸附电极在所述主体部的吸附侧的部分以跨越所述多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式配置。
在本发明中，在所述多个导电性膜被配置为针对所述多个一对吸附电极的阳极和阴极对由该一对吸附电极产生的电场进行遮蔽的面积分别为均等的情况下也是有效的。
在本发明中，在所述主体部具有被设置于其吸附侧的表面并且与所述吸附对象物接触来进行支承的凸状的接触支承部、所述导电性膜仅配置于该接触支承部的区域的情况下也是有效的。
在本发明中，在所述接触支承部与所述主体部以相同的材料整体地形成的情况下也是有效的。
在本发明中，在具有带有导电性膜的片材、所述带有导电性膜的片材在绝缘性的片材内部设置有所述导电性膜、该带有导电性膜的片材在配置于所述主体部的表面的情况下以具有所述接触支承部的方式形成、并且相对于所述主体部拆装自由地构成的情况下也是有效的。
另一方面，本发明是一种真空处理装置，所述真空处理装置具有真空槽、以及被设置在所述真空槽内的上述任一个吸附装置，所述真空处理装置被构成为对由所述吸附装置吸附保持的吸附对象物进行规定的处理。
发明效果
在本发明的吸附装置中，由于具有：主体部，在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极；以及多个导电性膜，相对于多个一对吸附电极在主体部的吸附侧的部分以跨越多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式配置，所以在多个导电性膜的区域中分别遮蔽在多个一对吸附电极的阳极与阴极间产生的电场，并且，成为不会使各导电性膜本身带有电位的状況发生的状态，由此，不会在主体部的吸附侧的多个导电性膜的部分分别产生吸附力。
其结果是，根据本发明，能够抑制在与吸附对象物的接触部分起因于摩擦等的吸附对象物和吸附装置表面的剥离的发生，其结果是，能够防止灰尘的产生，并且，延长吸附装置本身的寿命。
此外，根据本发明，能够构成为使吸附装置的吸附力在各区域中均匀，此外，也能够控制并调整在吸附面内的吸附力的分布状态，因此，能够防止吸附对象物的输送错误，并且，能够避免成品率的降低。
进而，根据本发明，即使为在多个一对吸附电极之中的一部分的一对吸附电极间发生了短路的情况，也能够通过控制为使由该一对吸附电极产生的吸附力降低来避免和防止在各一对吸附电极间的短路的发生。
在本发明中，在多个导电性膜被配置为针对多个一对吸附电极的阳极和阴极对由该一对吸附电极产生的电场进行遮蔽的面积分别为均等的情况下，能够控制为在吸附装置的主体部中的配置有多个一对吸附电极的区域中吸附力更均匀。进而，以在主体部表面具有分布的方式配置横跨多个一对吸附电极的阳极和阴极的多个导电性膜的吸附电极上的面积，由此，也能够控制吸附力以及作为其结果而产生的残留吸附力。
在本发明中，在主体部具有被设置于其吸附侧的表面并且与吸附对象物接触来进行支承的凸状的接触支承部并且横跨上述的主体部的吸附电极的阳极和阴极两者的导电性膜仅配置于接触支承部的区域的情况下，能够在接触支承部中不产生吸附力，因此，能够降低主体部与吸附对象物的接触部分处的起因于热等的摩擦力，进而，在主体部与吸附对象物的非接触部分提高吸附力，由此，能够在不使作为吸附装置整体的吸附力降低的情况下通过使用利用气体的助推器等热传导单元来降低吸附装置与吸附对象物之间的热阻。
在该情况下，只要接触支承部与主体部以相同的材料整体地形成，则能够谋求制造工序的简化，并且，由于为利用整体成型的结构，所以与通过贴合来制造的情况相比，能够使刚性等机械的强度变高。
进而此外，具有带有导电性膜的片材，所述带有导电性膜的片材在绝缘性的片材内部设置有导电性膜，该带有导电性膜的片材被配置于主体部的表面，进而以横跨主体部的吸附电极的阳极和阴极两者的方式形成接触支承部，并且，相对于主体部拆装自由地构成，在此情况下，能够容易地进行导电性膜的交换，由此，维护是容易的，并且，能够提供能够与各种吸附对象物对应的通用性广泛的吸附装置。
此外，根据具有被设置在真空槽内的上述任一个吸附装置并且被构成为对由该吸附装置吸附保持的吸附对象物进行规定的处理的真空处理装置，能够提供能够进行高品质的真空处理的真空处理装置。
附图说明
图1是作为本发明的真空处理装置的一个实施方式的溅射装置的概略结构图。
图2（a）：示出整个表面吸附型的吸附装置的剖面的概略结构图，（b）：示出基板吸附的原理的等效电路图。
图3（a）（b）：示意性地示出本发明的吸附装置的结构例，图3（a）是剖面结构图，图3（b）是平面结构图。
图4是示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。
图5（a）（b）：示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。
图6（a）（b）：示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式。
图1是作为本发明的真空处理装置的一个实施方式的溅射装置的概略结构图。
在图1中，附图标记2示出本实施方式的溅射装置1的真空槽，该真空槽2被构成为连接于未图示的真空排气系统来导入溅射气体。
在真空槽2内的上部配置有作为成膜源的靶3。
该靶3连接于溅射电源4，被施加负的偏置电压。再有，溅射电源4的正侧与真空槽2一起被接地。
在真空槽2内设置有用于对基板（吸附对象物）10进行吸附保持的吸附装置5。
该吸附装置5为双极型的装置，被构成为：在由各种陶瓷等电介质构成的主体部50中设置有多个（在本实施方式中为二个）一对吸附电极11、12，向这些吸附电极11、12从设置在真空槽2的外侧的吸附电源20经由电流导入端子13、14分别供给电力。
再有，在各电流导入端子13、14与吸附电源20之间连接有能够对微小的电流进行测定的电流计21、22。
另一方面，在真空槽2的底部设置有用于使基板10载置在吸附装置5上或使基板10从吸附装置5脱离的升降机构15。
此外，在真空槽2的外部设置有用于对装置整体进行控制的计算机23，该计算机23连接于对上述的升降机构15进行驱动的驱动部16、电流计21、22、吸附电源20以及溅射电源4。
再有，该计算机23具备A/D变换板（board）等，此外例如连接于笔式记录器（penrecorder）等用于记录电流的单元（未图示）。
以下，对本发明的原理进行说明。
图2（a）是示出整个表面吸附型的吸附装置的剖面的概略结构图。
如图2（a）所示，从吸附电源120对设置在由电介质构成的吸附装置105内的吸附电极111在与基板110之间施加规定的电压V，由此，在吸附装置105的吸附面150和基板110的背面110a产生逆极性的电荷，其结果是，吸附装置105的吸附面150和背面110a被库伦力限制，基板110被保持在吸附面150上。
在此，在图2（b）中示出示出基板吸附的原理的等效电路图。
为了计算吸附力F，首先，对库伦力Fc进行考虑。在该情况下，当假设吸附装置105的电介质层的介电常数ε、施加电压V、电介质层的距离d、基板110和吸附装置105的带电部分的面积S时，下式成立。
Fc=1/2・ε・S（V/d）2。
在实际的吸附装置中，累计将电介质作为电容的库伦力Fc以及由于在基板与吸附电极间的微少区域中流动微小的电流而产生的Johnsen-Rahbeck（约翰生 拉别克）力Fjr。其结果是，在吸附装置与基板间工作的吸附力F由下式表示。
F=Fc＋Fjr。
通常，已知Johnsen-Rahbeck力与库伦力相比相对更大。
此外，也已知：库伦力和Johnsen-Rahbeck力依赖于电介质的体积电阻率，在低电阻率（1×1012Ω・cm以下）的范围内Johnsen-Rahbeck力为支配性的，在高电阻率（1×1013Ω・cm以上）的范围内库伦力为支配性的。
可是，作为在基板与吸附装置的界面对吸附力进行控制的方法，能够在吸附面形成薄膜导体来遮断在基板与吸附装置间的电介质极化（dielectric polarization）现象。
但是，在利用上述的Johnsen-Rahbeck力的吸附装置的情况下在基板为氧化膜等时等，也产生如下的情况：电荷由于在电介质中稍稍流动的电流而转移到薄膜导体本身，将基板吸附面的氧化膜作为电介质而产生吸盘力（chuck force），作为结果，吸附力不会降低。
本发明是基于这样的见解而完成的。
图3（a）（b）是示意性地示出本发明的吸附装置的结构例的图，图3（a）是剖面结构图，图3（b）是平面结构图。
如图3（a）所示，本结构例的吸附装置5是双极型的装置，被构成为在由电介质构成的例如矩形板状的主体部50的内部设置有一对吸附电极11（阳极11a, 阴极11b）和一对吸附电极12（阳极12a, 阴极12b）。
在此，一对吸附电极11、12分别连接于极性不同的吸附电源20A, 20B和20C, 20D。这些吸附电源20A, 20B和20C, 20D被构成为能够分别独立地控制。
如图3（b）所示，在本结构例的情况下，这些一对吸附电极11（阳极11a, 阴极11b）以及一对吸附电极12（阳极12a, 阴极12b）分别被形成为同等的大小的长方形形状，分别被配置为隔着规定的间隔排列。
在此，在吸附装置5中，相对于一对吸附电极11、12在主体部50的吸附侧的部分具有以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式配置的导电性膜51。
在本结构例中，各导电性膜51被形成为矩形形状，其周围被绝缘性的保护部52覆盖来构成块状的导电性膜单元53a（参照图3（a））。
导电性膜单元53a被设置有多个，在主体部50的表面50a相对于一对吸附电极11、12在其长尺寸方向上分别配置有多个，由此，在主体部50的表面50a设置有凸状的接触支承部53。
而且，在这些主体部50的接触支承部53上配置有基板10。即，在本结构例中，基板10与接触支承部53的顶部接触而被支承。
此外，在本发明的情况下，并不被特别限定，但是，从在一对吸附电极11、12的逆极性的电极间不偏向地产生电场的观点出发，优选的是，导电性膜51被配置为针对一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b对由该一对吸附电极11、12产生的电场进行遮蔽的面积分别为均等。具体地，优选的是，相对于一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及相对于一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b以为同等的距离且关于吸附方向重叠的面积为同等的大小的方式配置构成导电性膜51。
再有，也可以不设置上述的绝缘性的保护部52，但是，从向应该吸附的基板10的金属汚染的防止、导电性膜51的保护的观点出发，优选的是进行设置。
在本发明的情况下，作为导电性膜51的材料，能够使用钛（Ti）、钽（Ta）、铌（Nb）、氮化钛（TiN）、氮化钽（TaN）等高熔点的金属或金属氮化物。除此之外，只要为所谓的金属也没有问题，但是，并不限于金属，只要为具有1×103Ω・cm以下的电阻率的材料，则能够用于本发明。
在本发明的情况下，并不被特别限定，但是，在主体部50为烧结体并且使导电性膜51与主体部50一起烧结的情况下，从不会在制造工序中熔化并且可靠地中和由一对吸附电极11、12产生的电场的观点出发，将为主体部50的烧结温度以上的熔点的材料并且体积电阻率为1×1010Ω・cm以下的材料用作导电性膜51的材料。
再有，导电性膜51能够通过例如PVD、CVD、蒸镀等成膜工艺来制作。此外，也能够使用市售的片材状的导电性膜。
如以上叙述那样，根据本结构例的吸附装置5，由于具有相对于二个一对吸附电极11、12在主体部50的吸附侧的部分以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式配置的多个导电性膜51，所以在导电性膜51的区域中分别遮蔽在一对吸附电极11的阳极11a与阴极11b之间以及一对吸附电极12的阳极12a与阴极12b之间产生的电场，并且，成为不会使各导电性膜51本身带有电位的状況发生的状态，由此，不会在主体部50的吸附侧的多个导电性膜51的部分分别产生吸附力。
其结果是，根据本结构例，能够抑制在与基板10的接触部分起因于摩擦等的基板10和吸附装置5的主体部50的表面50a的剥离的发生，其结果是，能够防止灰尘的产生，并且，延长吸附装置5本身的寿命。
此外，根据本结构例，能够构成为使吸附装置5的吸附力均匀，此外，也能够控制并调整在吸附面内的吸附力的分布状态，因此，能够防止基板10的输送错误，并且，能够避免成品率的降低。
进而，根据本结构例，即使为在二个一对吸附电极11、12之中的一部分发生了短路的情况，也能够通过控制为使由一对吸附电极11或12产生的吸附力降低来避免和防止在一对吸附电极11或12间的短路的发生。
特别地，在本结构例中，由于导电性膜51被配置为针对一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b对由该一对吸附电极11、12产生的电场进行遮蔽的面积分别为均等，所以能够控制为在吸附装置5的主体部50中的配置有一对吸附电极11、12的区域中吸附力分别均匀。
进而，在本结构例中，由于仅在对主体部50的基板10进行支承的接触支承部53内配置导电性膜51，所以能够在接触支承部53中不产生吸附力，由此，能够降低主体部50与基板10的接触部分处的起因于热等的摩擦力，进而，在主体部50与基板10的非接触部分提高吸附力，由此，能够在不使作为吸附装置5整体的吸附力降低的情况下使用利用气体的助推器（assist）等热传导单元来降低吸附装置5整体与基板10之间的热阻。
图4是示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。以下，对与上述结构例对应的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
如图4所示，在本结构例的吸附装置5A中，在上述的吸附装置5的主体部50的表面50a通过与主体部50以相同的材料整体地形成的凸部50b而设置有多个凸状的接触支承部53，在这些接触支承部53内设置有上述的导电性膜51。
在此，关于主体部50的接触支承部53，其顶部被平坦地形成，并且，相对于主体部50的表面50a分别具有同等的高度。
此外，各导电性膜51以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式配置。
而且，在这些主体部50的接触支承部53上配置有基板10。即，基板10与主体部50的凸状的接触支承部53的顶部接触而被支承。
根据具有这样的结构的本结构例，除了上述的效果之外，由于在吸附装置5的主体部50的表面50a设置有多个与主体部50以相同的材料整体地形成的凸状的接触支承部53并且在这些接触支承部53内设置有上述的导电性膜51，所以能够谋求制造工序的简化。此外，本结构例为利用整体成型的例子，因此，与通过贴合来制造的情况相比，能够使刚性等机械的强度变高。
进而，在本结构例中，由于仅在主体部50的接触支承部53内配置导电性膜51，所以能够在接触支承部53中不产生吸附力，因此，能够降低主体部50与基板10的接触部分处的起因于热等的摩擦力，进而，在主体部50与基板10的非接触部分提高吸附力，由此，能够在不使作为吸附装置5A整体的吸附力降低的情况下使用利用气体的助推器等热传导单元来降低吸附装置5A整体与基板10之间的热阻。
关于其他的结构和作用效果，与上述的结构例相同，因此，省略其详细的说明。
图5（a）（b）是示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。以下，对与上述结构例对应的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
如图5（a）（b）所示，在本结构例的吸附装置5B中，在上述的吸附装置5的主体部50的表面50a形成有具有与上述的导电性膜51的大小和形状对应的大小和形状的多个凹部50c。
这些主体部50的凹部50c以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式设置。
而且，根据这样的结构，在将导电性膜51配置在主体部50的各凹部50c内的情况下，各导电性膜51跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b。
此外，在本结构例中，在将导电性膜51配置在主体部50的各凹部50c内之后，通过如图5（b）所示那样利用例如片材状的保护膜58覆盖导电性膜51的表面来在主体部50的表面50a设置接触支承部53是优选的。
根据具有这样的结构的本结构例，除了上述的效果之外，由于将导电性膜51配置于在吸附装置5B的主体部50的表面50a设置的凹部50c内，所以能够谋求制造工序的简化。
进而，在本结构例中，由于仅在设置于主体部50上的保护膜58的下方即接触支承部53的区域配置导电性膜51，所以能够在接触支承部53中不产生吸附力，由此，能够降低主体部50与基板10的接触部分处的起因于热等的摩擦力，进而，在主体部50与基板10的非接触部分提高吸附力，由此，能够在不使作为吸附装置5B整体的吸附力降低的情况下使用利用气体的助推器等热传导单元来降低吸附装置5B整体与基板10之间的热阻。
关于其他的结构和作用效果，与上述的结构例相同，因此，省略其详细的说明。
图6（a）（b）是示意性地示出本发明的吸附装置的另一结构例的剖面结构图。以下，对与上述结构例对应的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
如图6（a）（b）所示，本结构例的吸附装置5C是在上述的吸附装置5的主体部50的表面50a设置有具有上述的导电性膜51的绝缘性的片材55（以下称为“带有导电性膜的片材”。）的装置。
在该带有导电性膜的片材55中，在由例如树脂构成的片材基材56上设置有上述的导电性膜51，进而，利用由例如树脂构成的保护片材57覆盖导电性膜51。
在此，带有导电性膜的片材55通过在具有与主体部50的表面50a同等的大小的片材基材56上设置多个导电性膜51而在配置于主体部50的表面50a的情况下被形成为成为上述的接触支承部53。
此外，在带有导电性膜的片材55配置于主体部50的表面50a的情况下，各导电性膜51以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式配置。
进而，本结构例的带有导电性膜的片材55通过粘接剂与主体部50的表面50a粘接，并且，以能够从主体部50的表面50a剥离的方式拆装自由地构成。
根据具有这样的结构的本结构例，除了上述的效果之外，由于具有相对于主体部50的表面50a拆装自由的带有导电性膜的片材55，所以能够容易地进行导电性膜51的交换，由此，维护是容易的，并且，能够提供能够与各种吸附对象物对应的通用性广泛的吸附装置。
进而，在本结构例中，由于仅在由设置于主体部50上的带有导电性膜的片材55构成的接触支承部53内配置导电性膜51，所以能够在接触支承部53中不产生吸附力，由此，能够降低主体部50与基板10的接触部分处的起因于热等的摩擦力，进而，在主体部50与基板10的非接触部分提高吸附力，由此，能够在不使作为吸附装置5C整体的吸附力降低的情况下使用利用气体的助推器等热传导单元来降低吸附装置5C整体与基板10之间的热阻。
关于其他的构成和作用效果，与上述的结构例相同，因此，省略其详细的说明。
再有，本发明并不限于上述的实施方式，能够进行各种变更。
例如，上述实施方式所记载的吸附电极11、12、导电性膜51、接触支承部53的形状和数量是一个例子，只要不超过本发明的范围，则能够进行各种变更。
进而，本发明不仅能够应用于溅射装置而且能够应用于例如蒸镀装置或蚀刻装置等各种真空处理装置。
附图标记的说明
1…溅射装置（真空处理装置）
2…真空槽
3…靶
4…溅射电源
5…吸附装置
10…基板（吸附对象物）
11、12…吸附电极
11a、12a…阳极
11b、12b…阴极
20A、20B、20C、20D…吸附电源
50…主体部
50a…表面
51…导电性膜
52…保护部
53…接触支承部。

Claims (6)

1.一种吸附装置，其中，具有：
主体部，在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极；以及
多个导电性膜，相对于所述多个一对吸附电极在所述主体部的吸附侧的部分以跨越所述多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式配置。
2.根据权利要求1所述的吸附装置，其中，所述多个导电性膜被配置为针对所述多个一对吸附电极的阳极和阴极对由该一对吸附电极产生的电场进行遮蔽的面积分别为均等。
3.根据权利要求1或2的任一项所述的吸附装置，其中，所述主体部具有被设置于其吸附侧的表面并且与所述吸附对象物接触来进行支承的凸状的接触支承部，所述导电性膜仅配置于该接触支承部的区域。
4.根据权利要求3所述的吸附装置，其中，所述接触支承部与所述主体部以相同的材料整体地形成。
5.根据权利要求3所述的吸附装置，其中，具有带有导电性膜的片材，所述带有导电性膜的片材在绝缘性的片材内部设置有所述导电性膜，该带有导电性膜的片材在配置于所述主体部的表面的情况下以具有所述接触支承部的方式形成，并且，相对于所述主体部拆装自由地构成。
6.一种真空处理装置，其中，具备：
真空槽；以及
吸附装置，被设置在所述真空槽内，
所述吸附装置具有：主体部，在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极；以及多个导电性膜，相对于所述多个一对吸附电极在所述主体部的吸附侧的部分以跨越所述多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式配置，
所述真空处理装置被构成为对由所述吸附装置吸附保持的吸附对象物进行规定的处理。
CN201680003147.3A 2015-04-02 2016-03-31 吸附装置和真空处理装置 Active CN106796915B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-075939 2015-04-02
JP2015075939 2015-04-02
PCT/JP2016/060669 WO2016159239A1 (ja) 2015-04-02 2016-03-31 吸着装置及び真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106796915A true CN106796915A (zh) 2017-05-31
CN106796915B CN106796915B (zh) 2020-02-18

Family

ID=57005911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680003147.3A Active CN106796915B (zh) 2015-04-02 2016-03-31 吸附装置和真空处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20170346418A1 (zh)
JP (1) JP6279149B2 (zh)
KR (1) KR101852735B1 (zh)
CN (1) CN106796915B (zh)
TW (1) TWI646626B (zh)
WO (1) WO2016159239A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111293067A (zh) * 2018-12-07 2020-06-16 佳能特机株式会社 静电吸盘、静电吸盘系统、成膜装置及方法、吸附方法、电子器件的制造方法
CN113169110A (zh) * 2018-12-14 2021-07-23 应用材料公司 处置和处理易碎基板上的双面装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6511212B1 (ja) * 2017-11-10 2019-05-15 株式会社アルバック 真空装置、吸着装置、導電性薄膜製造方法
JP2021141120A (ja) * 2020-03-02 2021-09-16 浜松ホトニクス株式会社 静電チャック装置用電源、静電チャック装置、及びデチャック制御方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1472037A (zh) * 2002-04-16 2004-02-04 安内华株式会社 静电吸附台和基底加工装置
US20040040665A1 (en) * 2002-06-18 2004-03-04 Anelva Corporation Electrostatic chuck device
CN101278385A (zh) * 2004-11-04 2008-10-01 株式会社爱发科 静电吸盘装置
JP2008251737A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法
US20090040681A1 (en) * 2005-12-06 2009-02-12 Hiroshi Fujisawa Electrode Sheet for Electrostatic Chuck, and Electrostatic Chuck
US20090310274A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Electrostatic chuck and substrate temperature control fixing apparatus
CN102449754A (zh) * 2009-05-15 2012-05-09 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US20120252220A1 (en) * 2011-04-01 2012-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrates

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000183146A (ja) 1998-12-18 2000-06-30 Ibiden Co Ltd 静電チャック
JP4010541B2 (ja) * 2002-06-18 2007-11-21 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
US7092231B2 (en) 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4890421B2 (ja) 2006-10-31 2012-03-07 太平洋セメント株式会社 静電チャック
JP4418032B2 (ja) 2007-09-11 2010-02-17 キヤノンアネルバ株式会社 静電チャック
US8730644B2 (en) 2008-07-08 2014-05-20 Creative Technology Corporation Bipolar electrostatic chuck
US8861170B2 (en) * 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1472037A (zh) * 2002-04-16 2004-02-04 安内华株式会社 静电吸附台和基底加工装置
US20040040665A1 (en) * 2002-06-18 2004-03-04 Anelva Corporation Electrostatic chuck device
CN101278385A (zh) * 2004-11-04 2008-10-01 株式会社爱发科 静电吸盘装置
US20090040681A1 (en) * 2005-12-06 2009-02-12 Hiroshi Fujisawa Electrode Sheet for Electrostatic Chuck, and Electrostatic Chuck
JP2008251737A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法
US20090310274A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Electrostatic chuck and substrate temperature control fixing apparatus
CN102449754A (zh) * 2009-05-15 2012-05-09 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US20120252220A1 (en) * 2011-04-01 2012-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrates

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111293067A (zh) * 2018-12-07 2020-06-16 佳能特机株式会社 静电吸盘、静电吸盘系统、成膜装置及方法、吸附方法、电子器件的制造方法
CN111293067B (zh) * 2018-12-07 2023-09-12 佳能特机株式会社 成膜装置
CN113169110A (zh) * 2018-12-14 2021-07-23 应用材料公司 处置和处理易碎基板上的双面装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101852735B1 (ko) 2018-04-27
TW201703185A (zh) 2017-01-16
CN106796915B (zh) 2020-02-18
JPWO2016159239A1 (ja) 2017-08-03
TWI646626B (zh) 2019-01-01
US20170346418A1 (en) 2017-11-30
JP6279149B2 (ja) 2018-02-14
WO2016159239A1 (ja) 2016-10-06
KR20170053726A (ko) 2017-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106796915A (zh) 吸附装置和真空处理装置
US20080151467A1 (en) Electrostatic chuck and method of forming
US20080037196A1 (en) Electrostatic chuck
TWI327336B (en) Arrangement for processing a substrate
CN109837506A (zh) 成膜装置、成膜方法以及有机el显示装置的制造方法
CN101641765A (zh) 具有电绝缘的托板和阳极组件的沉积系统
WO2019184968A1 (zh) 静电卡盘及其凸点制造方法
CN105917457A (zh) 等离子体处理装置以及晶片搬送用托盘
KR101243512B1 (ko) 전기영동 퇴적
JP4677397B2 (ja) 静電吸着方法
JP2013016554A (ja) 静電チャック、真空処理装置
KR102110749B1 (ko) 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법
CN102560612B (zh) 电镀用阳极组件和电镀装置
US11363707B2 (en) Polarization apparatus
JP2007311040A (ja) 結晶性ｉｔｏ薄膜の成膜方法、結晶性ｉｔｏ薄膜及びフィルム、並びに抵抗膜式タッチパネル
US9518326B2 (en) Method for forming an electrostatic chuck using film printing technology
WO2019079952A1 (zh) 一种防静电的触控液晶显示模组和电子设备
JP6339942B2 (ja) 電気コネクターのための接触子アッセンブリ
JP2004349665A (ja) 静電チャック
JP4024613B2 (ja) 吸着装置、真空処理装置及び吸着方法
CN102560587B (zh) 电镀装置
KR20200062196A (ko) 웨이퍼 지지 장치
US20140017915A1 (en) Electrical grounding system for linearly travelling conductive materials
KR101319765B1 (ko) 미세전극 구조의 정전 척
TW202432903A (zh) 用於同時對至少二個基板進行化學及/或電解表面處理之分配系統

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant