KR102110749B1 - 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법 - Google Patents

진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시내용은 진공 증착 프로세스에서 기판(10)을 홀딩하기 위한 장치(100)를 제공한다. 장치(100)는 지지 표면(112), 기판(10)과 마스크(20) 중 적어도 하나 상에 작용하는 인력을 제공하도록 구성된 복수의 전극들(122)을 갖는 전극 어레인지먼트(120), 및 제1 전압 극성 구성, 및 제1 전압 극성 구성과 상이한 제2 전압 극성 구성을 전극 어레인지먼트(120)에 적용하도록 구성된 제어기(130)를 포함하며, 여기에서, 제어기(130)는 제1 전압 극성 구성과 제2 전압 극성 구성 사이를 전환하도록 구성된다.

Description

진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩(holding)하기 위한 장치, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, 본질적으로 수직인 배향으로 기판들을 홀딩하기 위한 정전 척(E-척)에 관한 것이다.
[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 열 증발, 물리 기상 증착(PVD), 및 화학 기상 증착(CVD)을 포함한다. 코팅된 기판들은 여러 애플리케이션들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 코팅된 기판들은 마이크로일렉트로닉스(microelectronics)의 분야에서 사용될 수 있고, 이를테면, 유기 발광 다이오드(OLED) 디바이스들, TFT들을 갖는 기판들, 컬러 필터들 등을 위해 사용될 수 있다.
[0003] 진공 증착 프로세스 동안에, 기판은, 예컨대, 기판 지지부에서 기판 및 선택적인 마스크를 홀딩하기 위한 홀딩 디바이스들, 이를테면 기계적인 클램프들을 사용하여, 기판 지지부에 의해 지지될 수 있다. 기판 및/또는 마스크는 서로에 대하여 정렬되어야 한다. 지금까지, 기판 사이즈들이 지속적으로 증가되어 왔다. 기판들의 사이즈 증가는, 예컨대 기판 파손에 의해 처리량을 희생시키지 않으면서 기판들과 마스크들을 핸들링하고, 지지하고, 정렬하는 것을 점점 더 어렵게 한다.
[0004] 더욱이, 진공 챔버 내부에서 기판을 홀딩하는데 이용가능한 공간이 제한될 수 있다. 따라서, 진공 챔버 내부에서 기판을 홀딩하기 위해 지지 시스템들에 의해 사용되는 공간을 감소시킬 필요성이 또한 존재한다.
[0005] 상기된 바를 고려하면, 본 기술분야의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는, 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 새로운 장치들, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템들, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법들이 유익하다. 본 개시내용은 특히, 예컨대 진공 증착 프로세스 동안에, 정밀하게 정렬된 배향으로, 기판 및 선택적인 마스크를 신뢰가능하게 홀딩하기 위한 장치, 시스템, 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[0006] 상기된 바를 고려하면, 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템, 및 기판을 홀딩하기 위한 방법이 제공된다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은 청구항들, 상세한 설명, 및 첨부 도면들로부터 명백하게 된다.
[0007] 본 개시내용의 양상에 따르면, 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치가 제공된다. 장치는 지지 표면, 기판과 마스크 중 적어도 하나 상에 작용하는 인력을 제공하도록 구성된 복수의 전극들을 갖는 전극 어레인지먼트(arrangement), 및 제1 전압 극성 구성, 및 제1 전압 극성 구성과 상이한 제2 전압 극성 구성을 전극 어레인지먼트에 적용하도록 구성된 제어기를 포함하며, 여기에서, 제어기는 제1 전압 극성 구성과 제2 전압 극성 구성 사이를 전환하도록 구성된다.
[0008] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템이 제공된다. 시스템은 진공 챔버, 진공 챔버에서의 하나 또는 그 초과의 증착 재료 소스들, 및 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치를 포함한다. 장치는 진공 증착 프로세스 동안에 기판을 홀딩하도록 구성된다.
[0009] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, 기판을 홀딩하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판과 마스크 중 적어도 하나 상에 작용하는 제1 인력을 제공하기 위해, 제1 전압 극성 구성을 전극 어레인지먼트에 적용하는 단계, 및 제1 인력과 상이한 제2 인력을 제공하기 위해, 제1 전압 극성 구성과 상이한 제2 전압 극성 구성을 전극 어레인지먼트에 적용하는 단계를 포함한다.
[0010] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 각각의 설명되는 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이들 방법 양상들은 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.
[0011] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들과 관련되고, 아래에서 설명된다.
도 1a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 제1 전압 극성 구성을 갖는, 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩하기 위한 장치의 개략도를 도시한다.
도 1b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 제2 전압 극성 구성을 갖는, 도 1a의 장치의 개략도를 도시한다.
도 2는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 전극 어레인지먼트의 개략도를 도시한다.
도 3은 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 전극 어레인지먼트의 개략도를 도시한다.
도 4는 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따른 전극 어레인지먼트의 개략도를 도시한다.
도 5a 내지 도 5c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 전압 극성 구성들을 예시한다.
도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상의 층 증착을 위한 시스템의 개략도를 도시한다.
도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판을 홀딩하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0012] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들이 도면들에서 예시된다. 도면들의 아래의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명을 통해 제공되고, 본 개시내용의 제한으로 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 예시 또는 설명되는 특징들은 더 추가적인 실시예를 산출하기 위해 다른 실시예와 함께 또는 다른 실시예에 대해 사용될 수 있다. 본 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.
[0013] OLED 코팅 시스템들에서, 기판은 양극성 E-척에 의해 운송 및 증착 동안에 홀딩될 수 있다. 코팅 동안에, 금속 마스크가 제공될 수 있다. 마스크는 코팅 전에 기판에 대하여 정렬될 수 있다. 예로서, 마스크는 정렬 프로세스 동안에 기판으로부터 약 0.2 mm 또는 그 미만의 거리에 제공될 수 있다. 그러한 거리에서, 금속 마스크와 E-척 사이의 인력은 무시가능하지 않고, 마스크는 기판(10)과 원하지 않는 접촉을 하게 될 수 있다. 종래의 시스템들에서, 마스크를 끌어당기고 그리고 코팅 동안에 마스크와 기판 사이의 전면적인(full face) 접촉을 보장하기 위해, 자석 플레이트가 제공될 수 있다.
[0014] 본 개시내용은, 기판 및/또는 마스크 상에 작용하는 상이한 인력들을 제공하는 적어도 2개의 상이한 전압 극성 구성들 사이를 전환가능한 전극 어레인지먼트, 이를테면 그리드(grid)를 사용한다. 예로서, 제1 전압 극성 구성은 기판을 홀딩하기 위해 기판 상에 강한 힘을 제공할 수 있고, 마스크 상에 작은 힘을 제공할 수 있고(또는 심지어 힘을 전혀 제공하지 않을 수 있고), 그에 따라, 마스크가 기판에 대하여 정렬될 수 있다. 특히, 예컨대 마스크의 정렬 프로세스 동안의 마스크의 원하지 않는 인력이 방지될 수 있다. 제1 전압 극성 구성으로부터 제2 전압 극성 구성으로 전환하는 것은 마스크 상에 증가된 힘을 제공할 수 있고, 그에 따라, 기판과 마스크 양자 모두가 기판 지지부에 고정적으로 홀딩될 수 있다. 따라서, 기판 및 선택적인 마스크는, 예컨대 진공 증착 프로세스 동안에, 정밀하게 정렬된 배향으로 신뢰가능하게 홀딩될 수 있다.
[0015] 추가로, 증착 프로세스 동안에, 예컨대 정렬 후에, 마스크와 기판 사이의 전면적인 접촉이 유익하다. 이 접촉은 캐리어/척 뒤에서 자석 플레이트를 사용하여 달성될 수 있다. 본 개시내용은 자석 플레이트를 필요로 하지 않을 수 있다. 특히, 자석 플레이트가 전혀 제공될 필요가 없는데, 이는 E-척이 자석 플레이트의 기능을 취할 것이기 때문이다.
[0016] 도 1a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 제1 전압 극성 구성을 갖는, 진공 증착 프로세스에서 기판(10)을 홀딩하기 위한 장치(100)의 개략도를 도시한다. 도 1b는 제2 전압 극성 구성을 갖는, 도 1a의 장치(100)의 개략도를 도시한다. 도 1a 및 도 1b에서 예시된 전압 극성 구성들은, 예컨대, 도 2 및 도 4에서 예시된 전극 어레인지먼트에 의해 제공될 수 있다. 장치(100)는 캐리어와 같은 기판 지지부일 수 있다. 특히, 본 개시내용에 따른 장치(100)는 정전기력을 제공하는 정전 척(E-척)일 수 있다.
[0017] 장치(100)는 지지 표면(112), 지지 표면(112)에서 기판(10)과 마스크(20) 중 적어도 하나를 홀딩하기 위한 인력을 제공하도록 구성된 복수의 전극들(122)을 갖는 전극 어레인지먼트(120), 및 제어기(130)를 포함한다. 제어기(130)는 제1 전압 극성 구성(예컨대, 도 1a), 및 제1 전압 극성 구성과 상이한 제2 전압 극성 구성(예컨대, 도 1b)을 전극 어레인지먼트(120)에 적용하도록 구성된다. 제어기(130)는, 적어도, 제1 전압 극성 구성과 제2 전압 극성 구성 사이를 전환하도록 구성된다. 2개의 상이한 전압 극성 구성들 사이를 전환하는 것이 예시적으로 예시되지만, 본 개시내용이 이에 제한되지 않고 그리고 장치(100)가 2개 초과의 전압 극성 구성들, 이를테면 3개, 4개, 또는 심지어 5개의 상이한 전압 극성 구성들 사이를 전환하도록 구성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0018] 본 개시내용에 따르면, 장치(100)는 전극들의 상이한 와이어링 모드들일 수 있는 적어도 2개의 상이한 모드들 사이를 전환할 수 있다. 제1 모드에서, 예컨대 정렬 동안에, 기판 상의 강한 인력 및 마스크 상의 매우 작은 힘이 제공된다. 예로서, 예컨대 도 5a의 좌측 상에 예시된 바와 같이, 전극들은 파인(fine) 교번 구조를 가질 수 있다. 제2 모드에서, 기판 상의 강한 인력 및 마스크 상의 강한 힘이 제공된다. 예로서, 예컨대 도 5a의 우측 상에 예시된 바와 같이, 전극들은 와이드(wide) 교번 구조를 가질 수 있거나, 또는 단극성 방식으로 와이어링될 수 있다. 자석 플레이트가 전혀 제공될 필요가 없는데, 이는 장치(100)가 자석 플레이트의 기능을 제공할 수 있기 때문이다.
[0019] 장치(100)는, 예컨대 기판(10)의 배면과 접촉하도록 구성된 본질적으로 평탄한 표면일 수 있는 지지 표면(112)을 제공하는 바디(110)를 포함할 수 있다. 특히, 기판(10)은 배면의 반대편에 전면(또한, "프로세싱 표면"이라고 지칭됨)을 가질 수 있고, 진공 증착 프로세스 동안에 그 전면 상에 층이 증착된다.
[0020] 전극 어레인지먼트(120)의 복수의 전극들(122)이 바디에 매립될 수 있거나, 또는 바디(110) 상에 제공될 수 있고, 예컨대 배치될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 바디(110)는 유전체 플레이트와 같은 유전체 바디이다. 유전체 바디는 유전체 재료, 바람직하게는 고 열 전도도 유전체 재료, 이를테면 열분해 붕소 질화물, 알루미늄 질화물, 실리콘 질화물, 알루미나, 또는 동등한 재료로 제작될 수 있지만, 폴리이미드와 같은 재료들로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 미세한 금속 스트립(metal strip)들의 그리드와 같은 복수의 전극들(122)이 유전체 플레이트 상에 배치될 수 있고, 얇은 유전체 층으로 덮일 수 있다.
[0021] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 장치(100)는 복수의 전극들(122)에 하나 또는 그 초과의 전압들을 인가하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 전압 소스들을 포함한다. 몇몇 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 전압 소스들은 복수의 전극들(122) 중 적어도 몇몇 전극들을 접지하도록 구성된다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 전압 소스들은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및/또는 접지를 복수의 전극들(122)에 인가하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 전극들 중 각각의 전극, 매 2번째의 전극, 매 3번째의 전극, 또는 매 4번째의 전극이 별개의 전압 소스에 연결될 수 있다.
[0022] 제어기(130)는 전극 어레인지먼트(120)에 하나 또는 그 초과의 전압들 및/또는 접지를 인가하기 위해 하나 또는 그 초과의 전압 소스들을 제어하도록 구성될 수 있다. 몇몇 구현들에서, 제어기(130)가 하나 또는 그 초과의 전압 소스들 내에 통합될 수 있거나, 또는 그 반대의 경우도 가능하다. 추가적인 구현들에서, 제어기(130)는, 예컨대 케이블 연결 및/또는 무선 연결을 통해, 하나 또는 그 초과의 전압 소스들에 연결된 별개의 엔티티로서 제공될 수 있다.
[0023] "극성"이라는 용어는 전기 극성, 즉 음(-) 및 양(+)을 지칭한다. 예로서, 제1 극성이 음의 극성일 수 있고, 제2 극성이 양의 극성일 수 있거나, 또는 제1 극성이 양의 극성일 수 있고, 제2 극성이 음의 극성일 수 있다. 본 개시내용의 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "전압 극성 구성"이라는 용어는 전극 어레인지먼트(120) 그리고 특히 복수의 전극들(122)에 인가되는 전압들의 극성들을 지칭한다. 다시 말해서, 전압 극성 구성은 양 및/또는 음의 극성이 복수의 전극들(122) 중 적어도 하나의 전극에 인가되는 것을 의미한다. 그렇지만, 복수의 전극들(122) 중 하나 또는 그 초과의 전극들이 접지될 수 있다. 인력을 제공하기 위해 양 또는 음의 극성이 복수의 전극들(122) 중 적어도 하나의 전극에 제공되는 한, 전극 어레인지먼트(120)는 정의된 전압 극성 구성, 이를테면 제1 전압 극성 구성 및 제2 전압 극성 구성을 갖는다. 복수의 전극들의 모든 전극들이 접지되는 경우에, 전압 극성 구성이 존재하지 않게 되는데, 이는 양 및/또는 음의 극성이 존재하지 않고, 그에 따라, 기판(10) 및/또는 마스크(20) 상에 인력이 전혀 가해지지 않기 때문이다.
[0024] 추가로, 복수의 전극들(122)은 장치(100), 예컨대 바디(110)에서 공간 어레인지먼트를 갖는다. 따라서, 극성들의 공간 어레인지먼트는, 전압이 인가되는 전극들의 공간 어레인지먼트에 대응할 수 있다. 다시 말해서, "전압 극성 구성"이라는 용어는 또한, 극성들이 예컨대 지지 표면(112)에 걸쳐 공간적으로 분배되는 의미로 이해될 수 있다.
[0025] 전극 어레인지먼트(120) 그리고 특히 복수의 전극들(122)은 척킹력과 같은 인력을 제공하도록 구성된다. 인력은 기판(10) 및/또는 마스크(20)와 복수의 전극들(122)(또는 지지 표면(112)) 사이의 소정의 상대적인 거리에서 기판(10) 및/또는 마스크(20) 상에 작용하는 힘일 수 있다. 인력은 복수의 전극들(122)에 인가되는 전압들에 의해, 그리고 특히 제1 전압 극성 구성 및 제2 전압 극성 구성에 의해 제공되는 정전기력일 수 있다. 인력의 크기는 각각의 전압 극성 구성 및 전압 레벨에 의해 결정될 수 있다. 인력은 전압 극성 구성을 변경함으로써, 그리고 선택적으로, 전압 레벨을 변경함으로써 변화될 수 있다. 특히, 기판(10) 및/또는 마스크(20) 상에 작용하는 인력은 제1 전압 극성 구성과 제2 극성 구성 사이를 전환함으로써, 그리고 선택적으로, 전압 레벨(들)을 조정함으로써 변화될 수 있다.
[0026] 몇몇 구현들에서, 제1 전압 극성 구성과 제2 전압 극성 구성 사이를 전환하는 것은 전극 어레인지먼트(120)에 인가되는 전압들의 전압 레벨들을 본질적으로 일정하게 유지하는 것을 포함한다. 다른 구현들에서, 제1 전압 극성 구성과 제2 전압 극성 구성 사이를 전환하는 것은, 예컨대, 전극 어레인지먼트(120)에 인가되는 전압(들)의 전압 레벨(들)을 동시에 증가시키는 것 및/또는 감소시키는 것을 포함한다. 예로서, 복수의 전극들(122)의 전극들 중 하나 또는 그 초과에 인가되는 전압 레벨들은, 마스크(20) 상에 작용하는 인력이 증가 또는 감소되면서, 기판(10) 상에 작용하는 인력은 본질적으로 일정하게 유지되도록 증가 또는 감소될 수 있다. 기판(10)이 지지 표면(112)에서 고정적으로 홀딩될 수 있으면서, 마스크가 먼저 정렬된 후에 끌어당겨지고 고정될 수 있다.
[0027] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제1 전압 극성 구성 및 제2 전압 극성 구성은 단극성 및 양극성으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 단극성 구성은 단 하나의 종류의 극성들, 즉 제1 극성 또는 제2 극성을 포함하고, 하나 또는 그 초과의 접지된 전극들을 선택적으로 포함한다. 양극성 구성은 극성들의 종류들 양자 모두, 즉 제1 극성 및 제2 극성을 포함하고, 하나 또는 그 초과의 접지된 전극들을 선택적으로 포함한다. 몇몇 구현들에서, 장치(100)는 단극성 E-척, 양극성 E-척, 또는 단극성 구성과 양극성 구성 사이를 전환가능한 조합된 E-척일 수 있다.
[0028] 도 1a를 참조하면, 전극 어레인지먼트(120)가 제1 전압 극성 구성을 갖는 것으로 도시된다. 도 1b는 제2 전압 극성 구성을 갖는 전극 어레인지먼트(120)를 예시한다. 대시가 그어진(dashed) 사각형들은, 예컨대 제1 극성을 갖는 전극들을 표시하고, 비어 있는(open) 사각형들은, 예컨대 제2 극성을 갖는 전극들을 표시한다. 도 1a 및 도 1b의 예들에서 예시되지 않았지만, 복수의 전극들(122) 중 적어도 하나의 전극이 접지될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0029] 전압 극성 구성들은 기판(10) 및 마스크(20)에 대해 각각의 인력들을 제공한다. 각각의 전압 극성 구성에 의해 제공되는, 기판(10)과 마스크(20)에 대한 인력이 상이할 수 있다는 것이 유의된다. 특히, 인력은 인력이 작용하는 엔티티에 대하여 정의될 수 있다. 예로서, 기판(10) 상에 작용하는 인력은 "기판 인력"이라고 지칭될 수 있다. 마찬가지로, 마스크(20) 상에 작용하는 인력은 "마스크 인력"이라고 지칭될 수 있다. 그렇지만, "인력"이라는 용어는 기판 인력과 마스크 인력 양자 모두를 포함할 것이다.
[0030] 인력은 제1 전압 극성 구성에 대한 제1 인력 및 제2 전압 극성 구성에 대한 제2 인력일 수 있고, 여기에서, 제2 인력은 제1 인력과 상이하다. 예로서, 제1 인력은 제1 기판 인력(140) 및 제1 마스크 인력(142)을 포함할 수 있다. 제2 인력은 제2 기판 인력(140') 및 제2 마스크 인력(142')을 포함할 수 있다. 제2 기판 인력(140')은 제1 기판 인력(140)과 상이할 수 있다. 마찬가지로, 제2 마스크 인력(142')은 제1 마스크 인력(142)과 상이할 수 있다. 다른 예들에서, 제1 기판 인력(140)과 제2 기판 인력(140')은 본질적으로 동일할 수 있고, 제2 마스크 인력(142')은 제1 마스크 인력(142)과 상이할 수 있다.
[0031] 기판(10)은 E-척일 수 있는 장치(100)에 의해 제공되는 인력에 의해 지지 표면(112)을 향하여(예컨대, 수직 방향(1)에 수직인 수평 방향일 수 있는 방향(2)으로) 끌어당겨진다. 인력은, 예컨대 수직 포지션으로 마찰력들에 의해 기판(10)을 홀딩할 정도로 충분히 강할 수 있다. 특히, 인력, 이를테면 제1 기판 인력(140) 및/또는 제2 기판 인력(140')은 지지 표면(112) 상에 기판(10)을 본질적으로 이동 불가능하게 고정시키도록 구성될 수 있다. 예컨대, 마찰력들을 사용하여 수직 포지션으로 0.5 mm 유리 기판을 홀딩하기 위해, 마찰 계수에 따라, 약 50 내지 100 N/m2(Pa)의 끌어당기는 압력이 사용될 수 있다.
[0032] 도 1a를 참조하면, 복수의 전극들(122)은 제1 전압 극성 구성에서 교번하는 극성들을 갖는다. 다시 말해서, 인접한 전극들은 반대 극성들을 갖는다(예컨대, + - + - + -). 도 1b에서 도시된 바와 같이, 복수의 전극들은 제2 전압 극성 구성에서 쌍들로서 제공된다. 각각의 쌍의 전극들은 동일한 극성을 갖고, 여기에서, 인접한 쌍들은 상이한(교번하는) 극성들을 갖는다. 다시 말해서, 인접한 쌍들은 반대 극성들을 갖는다(예컨대, + + - - + +).
[0033] 도 1a에서 예시적으로 예시된 바와 같은 제1 전압 극성 구성은 "파인 그리드 구조(fine grid structure)"라고 지칭될 수 있다. 그러한 제1 전압 극성 구성은 기판(10) 상에 작용하는 강한 힘(제1 기판 인력(140)), 및 마스크(20) 상에 작용하는 작은 힘(제1 마스크 인력(142))을 제공할 수 있다. 도 1b에서 예시적으로 예시된 바와 같은 제2 전압 극성 구성은 "와이드 그리드 구조(wide grid structure)"라고 지칭될 수 있다. 본 예에서, 와이드 그리드는 2배의 폭 또는 간격을 갖는 파인 그리드와 같이 작용할 수 있다. 제2 전압 극성 구성은 기판(10) 상에 작용하는 본질적으로 동일한 또는 감소된 힘(제2 기판 인력(140')), 및 마스크(20) 상에 작용하는 증가된 힘(제2 마스크 인력(142'); 예컨대, 마스크(20)에서의 인력의
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)을 제공할 수 있다.
[0034] 예로서, (1 mm / 1 mm)로부터 (0.5 mm / 0.5 mm)로의 라인 폭(개별적인 전극들의 폭) 및 갭 폭(인접한 전극들 사이의 간격)의 감소는 약 3배만큼 기판(10) 상의 인력을 증가시킬 수 있고, 약 3.5배만큼 마스크 상의 인력을 감소시킬 수 있다. 동작 전압이 기판(10) 상의 동일한 인력에 대해 약 42 %만큼 감소될 수 있다. 금속 마스크일 수 있는 마스크(20) 상의 인력은 10배 초과만큼 감소될 수 있다.
[0035] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 전극들에 인가되는 하나 또는 그 초과의 전압들은, 제1 전압 극성 구성에 의해 제공되는, 기판(10) 상의 인력(예컨대, 제1 기판 인력(140))과 제2 전압 극성 구성에 의해 제공되는, 기판(10) 상의 인력(제2 기판 인력(140'))이, 예컨대 허용오차 범위 내에서 본질적으로 동일하도록 선택될 수 있다. 다시 말해서, 제1 전압 극성 구성으로부터 제2 전압 극성 구성으로 전환하는 경우에, 마스크(20) 상에 작용하는 인력이 변화되면서, 기판(10) 상에 작용하는 인력이 본질적으로 일정할 수 있거나, 또는 그 반대의 경우도 가능하다. 인력은, 전압 극성 구성들 사이를 전환하는 경우에, 전극 어레인지먼트(120)에 인가되는 전압들의 적어도 몇몇의 전압 레벨들을 조정함으로써 조정될 수 있다.
[0036] 몇몇 구현들에서, 제1 전압 극성 구성을 적용하는 동안에, 마스크(20)는 기판(10) 및/또는 장치(100)에 대하여 정렬될 수 있다. 예로서, 마스크(20)는, 정렬 프로세스 동안에 기판(10) 앞에서, 1 mm 미만, 이를테면 100 nm 내지 1000 nm의 거리로, 그리고 구체적으로, 200 nm 내지 500 nm의 거리로 포지셔닝될 수 있다. 기판(10)은 정렬 프로세스 동안에 제1 기판 인력(140)에 의해 지지 표면(112)에 고정될 수 있다.
[0037] 도 1b에서 예시된 바와 같이, 마스크(20)의 정렬 후에, 제어기(130)는 제2 전압 극성 구성으로 전환할 수 있고, 그에 따라, 마스크(20) 상에 작용하는 제2 마스크 인력(142')이 지지 표면(112) 및 기판(10)을 향하여 마스크(20)를 당긴다. 제2 전압 극성 구성은 마스크(20)가 장치(100)에서 고정적으로 홀딩되도록 적응될 수 있다.
[0038] 예시되지 않았지만, 마스크(20)가 생략될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 제1 전압 극성 구성에서의 인력은 기판(10)이 지지 표면(112)과 접촉하지만 여전히 이동가능하도록 선택될 수 있다. 기판(10)은 지지 표면(112)에 대하여 정렬될 수 있다. 정렬 후에, 지지 표면(112) 상에 기판(10)을 본질적으로 이동 불가능하게 고정시키도록, 기판(10) 상에 작용하는 인력을 증가시키기 위해, 제1 전압 극성 구성이 제2 전압 극성 구성으로 변화될 수 있다.
[0039] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 장치(100)는, (수직 방향(1)에 대하여) 실질적으로 수직인 배향으로, 그리고 특히 진공 증착 프로세스 동안에, 기판(10)을 지지하도록 구성된다. 본 개시내용의 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "실질적으로 수직"은, 특히 기판 배향을 언급하는 경우에, ± 20° 또는 그 미만, 예컨대 ± 10° 또는 그 미만의 수직 방향 또는 배향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 이러한 편차는, 예컨대, 수직 배향으로부터 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 더 안정적인 기판 포지션을 발생시킬 수 있기 때문에 제공될 수 있다. 추가로, 기판이 전방으로 기울어지는 경우에 더 적은 입자들이 기판 표면에 도달한다. 그렇지만, 예컨대 진공 증착 프로세스 동안의 기판 배향은 실질적으로 수직인 것으로 고려되고, 이는 수평으로부터 ± 20° 또는 그 미만인 것으로 고려될 수 있는 수평 기판 배향과 상이한 것으로 고려된다.
[0040] "수직 방향" 또는 "수직 배향"이라는 용어는 "수평 방향" 또는 "수평 배향"과 구별하기 위한 것으로 이해된다. 즉, "수직 방향" 또는 "수직 배향"은, 예컨대 캐리어 및 기판의 실질적으로 수직인 배향과 관련되고, 여기에서, 정확한 수직 방향 또는 수직 배향으로부터의 수 도, 예컨대 최고 10° 또는 심지어 최고 15°의 편차가 여전히 "실질적으로 수직인 방향" 또는 "실질적으로 수직인 배향"으로서 고려된다. 수직 방향은 중력과 실질적으로 평행할 수 있다.
[0041] 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판들 상의 증발을 위해 활용될 수 있다. 구체적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조들 및 방법들이 제공되는 기판들은 대면적 기판들이다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2(0.73 x 0.92 m)의 표면적에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2(1.1 m x 1.3 m)의 표면적에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2(1.95 m x 2.2 m)의 표면적에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2(2.2 m x 2.5 m)의 표면적에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2(2.85 m x 3.05 m)의 표면적에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 한층 더 큰 세대들 및 대응하는 표면적들이 유사하게 구현될 수 있다. GEN 세대들의 절반 사이즈들이 또한, OLED 디스플레이 제조에서 제공될 수 있다.
[0042] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1 mm 내지 1.8 mm일 수 있다. 기판 두께는 약 0.9 mm 또는 그 미만, 이를테면 0.5 mm일 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는 특히, 실질적으로 비가요성인 기판들, 예컨대 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명 결정의 슬라이스들, 또는 유리 플레이트를 포함할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않고, "기판"이라는 용어는 또한, 웹 또는 포일과 같은 가요성 기판들을 포함할 수 있다. "실질적으로 비가요성"이라는 용어는 "가요성"과 구별하기 위한 것으로 이해된다. 구체적으로, 실질적으로 비가요성인 기판, 예컨대 0.9 mm 또는 그 미만, 이를테면 0.5 mm 또는 그 미만의 두께를 갖는 유리 플레이트는 어느 정도의 가요성을 가질 수 있는데, 여기에서, 실질적으로 비가요성인 기판의 가요성은 가요성 기판들과 비교하여 작다.
[0043] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은 유리(예컨대, 소다-석회 유리, 붕규산 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는, 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다.
[0044] "마스킹(masking)"이라는 용어는 기판(10)의 하나 또는 그 초과의 구역들 상의 재료의 증착을 감소시키는 것 및/또는 방해하는 것을 포함할 수 있다. 마스킹은, 예컨대, 코팅될 영역을 정의하는데 유용할 수 있다. 몇몇 애플리케이션들에서, 기판(10)의 부분들만이 코팅되고, 코팅되지 않을 부분들은 마스크(20)에 의해 덮인다.
[0045] 도 2는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 전극 어레인지먼트(220)의 개략도를 도시한다.
[0046] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 전극들(222)은 그리드로서 배열된다. 예로서, 복수의 전극들(222)은 전도성 재료의 와이어들, 라인들, 또는 스트립들일 수 있다. 전도성 재료는 금속, 구리, 알루미늄, 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 복수의 전극들(222)은 제1 방향으로 본질적으로 서로 평행하게 연장될 수 있다. 제1 방향은 와이어들, 라인들, 또는 스트립들의 길이 연장에 대응할 수 있다. 복수의 전극들(222)은 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 서로 이격될 수 있다. 제2 방향으로의 복수의 전극들(222) 중 인접한 전극들 사이의 거리는 0.1 mm 내지 5 mm, 구체적으로는 0.1 내지 2 mm, 그리고 더 구체적으로는 0.5 내지 1 mm일 수 있다.
[0047] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제어기는 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및 접지 중 적어도 하나를 복수의 전극들(222)에 선택적으로 그리고/또는 개별적으로 인가하도록 구성된다. 예로서, 장치는 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및 접지 중 적어도 하나를 복수의 전극들(222)에 선택적으로 그리고/또는 개별적으로 인가하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 전압 소스들을 포함하는 전압 소스 조립체(224)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 전극들(222)의 각각의 전극은 각각의 전압 소스에 연결될 수 있다. 추가적인 실시예에서, 복수의 전극들(222) 중 2개 또는 그 초과의 전극들이 동일한 전압 소스에 연결될 수 있다. 예로서, 복수의 전극들(222) 중 매 4번째의 전극이 동일한 전압 소스에 연결될 수 있다. 전압 소스 조립체(224)는, 도 1a 및 도 1b에서 예시된 바와 같이, 예컨대 제1 전압 극성 구성 및 제2 전압 극성 구성을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 전극들은 제2 방향으로 폭을 갖는다. 예로서, 폭은 0.1 mm 내지 5 mm, 구체적으로는 0.1 mm 내지 2 mm, 그리고 더 구체적으로는 0.5 mm 내지 1 mm일 수 있다.
[0049] 도 3은 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 전극 어레인지먼트(320)의 개략도를 도시한다. 전극 어레인지먼트(320)는 "단일 그리드"라고 지칭될 수 있다.
[0050] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 전극들은 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322), 및 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322)은 제1 그리드 및/또는 제1 전극 패턴을 형성할 수 있다. 마찬가지로, 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)은 제2 그리드 및/또는 제2 전극 패턴을 형성할 수 있다.
[0051] 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 및/또는 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)과 같은 복수의 전극들은 제1 방향으로 본질적으로 서로 평행하게 연장될 수 있다. 제1 방향은 와이어들, 라인들, 또는 스트립들과 같은 전극들의 길이 연장에 대응할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322)은 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 제1 거리만큼 서로 이격될 수 있다. 마찬가지로, 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)은 제2 방향으로 제2 거리만큼 서로 이격될 수 있다. 제1 거리와 제2 거리는 본질적으로 동일할 수 있다. 예로서, 제1 거리 및/또는 제2 거리는 0.1 mm 내지 5 mm, 구체적으로는 0.1 mm 내지 2 mm, 그리고 더 구체적으로는 0.5 mm 내지 1 mm일 수 있다.
[0052] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322)과 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)은 교번적으로 배열된다. 예로서, 도 3에서 예시된 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322)과 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)은 인터리브 어레인지먼트(interleaved arrangement)로 제공될 수 있다. 특히, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 중 하나의 전극이 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324) 중 2개의 인접한 전극들 사이에 제공될 수 있다. 마찬가지로, 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324) 중 하나의 전극이 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 중 2개의 인접한 전극들 사이에 제공될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 중 하나의 전극과 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324) 중 인접한 전극 사이의 거리는 제1 거리 및/또는 제2 거리의 절반일 수 있다. 다시 말해서, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 중 하나의 전극은 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324) 중 2개의 인접한 전극들 사이의 중앙에 제공될 수 있다. 마찬가지로, 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324) 중 하나의 전극이 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 중 2개의 인접한 전극들 사이의 중앙에 제공될 수 있다. 따라서, 전극 어레인지먼트(320)의 전극 간격(또한, "라인 간격"이라고 지칭됨)은 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 및/또는 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)의 전극 간격의 절반일 수 있다.
[0053] 제어기는 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및 접지를 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322) 및 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)에 인가하도록 구성될 수 있다. 몇몇 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322)은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 또는 접지를 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322)에 인가하기 위한 제1 전압 소스에 연결될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 또는 접지를 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)에 인가하기 위한 제2 전압 소스에 연결될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(322)과 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(324)은 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
[0054] 도 4는 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따른 전극 어레인지먼트(420)의 개략도를 도시한다. 전극 어레인지먼트(320)는 "이중 그리드"라고 지칭될 수 있다.
[0055] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 전극들은 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422), 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424), 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426), 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422)은 제1 그리드 및/또는 제1 전극 패턴을 형성할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424)은 제2 그리드 및/또는 제2 전극 패턴을 형성할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426)은 제3 그리드 및/또는 제3 전극 패턴을 형성할 수 있다. 그리고, 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)은 제4 그리드 및/또는 제4 전극 패턴을 형성할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422), 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424), 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426), 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)은 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
[0056] 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422), 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424), 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426), 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)은 제1 방향으로 본질적으로 서로 평행하게 연장될 수 있다. 제1 방향은 와이어들, 라인들, 또는 스트립들과 같은 전극들의 길이 연장에 대응할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422)은 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 제1 거리만큼 서로 이격될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424)은 제2 방향으로 제2 거리만큼 서로 이격될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426)은 제2 방향으로 제3 거리만큼 서로 이격될 수 있다. 그리고, 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)은 제2 방향으로 제4 거리만큼 서로 이격될 수 있다. 제1 거리, 제2 거리, 제3 거리, 및 제4 거리는 본질적으로 동일할 수 있다. 예로서, 제1 거리, 제2 거리, 제3 거리, 및 제4 거리 각각은 0.1 mm 내지 5 mm, 구체적으로는 0.1 mm 내지 2 mm, 그리고 더 구체적으로는 0.5 mm 내지 1 mm일 수 있다.
[0057] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422), 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424), 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426), 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)은 교번적으로 배열된다. 예로서, 도 4에서 예시된 바와 같이, 전극들은 인터리브 어레인지먼트로 제공될 수 있다. 특히, 전극 어레인지먼트는 하나의 그리드의 인접한 전극들 사이에 다른 그리드들 각각의 하나의 전극이 배열되도록 구성될 수 있다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422)에 의해 제공되는 제1 그리드의 인접한 전극들 사이에, 제2 그리드의 하나의 전극, 제3 그리드의 하나의 전극, 및 제4 그리드의 하나의 전극이 배열된다.
[0058] 인터리브 어레인지먼트의 인접한 전극들 사이의 거리는 개별적인 그리드의 전극들 사이의 간격의 4분의 1, 이를테면, 제1 거리, 제2 거리, 제3 거리, 및/또는 제4 거리의 4분의 1일 수 있다. 인터리브 어레인지먼트의 인접한 전극들 사이의 거리는 전극 어레인지먼트(420)에 대해 본질적으로 일정할 수 있다.
[0059] 제어기는 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및 접지를 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422), 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424), 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426), 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)에 인가하도록 구성될 수 있다. 몇몇 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422)은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 또는 접지를 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(422)에 인가하기 위한 제1 전압 소스에 연결될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424)은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 또는 접지를 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(424)에 인가하기 위한 제2 전압 소스에 연결될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426)은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 또는 접지를 하나 또는 그 초과의 제3 전극들(426)에 인가하기 위한 제3 전압 소스에 연결될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 또는 접지를 하나 또는 그 초과의 제4 전극들(428)에 인가하기 위한 제4 전압 소스에 연결될 수 있다. 인터리브 어레인지먼트에서, 매 4번째의 전극이 동일한 전압 공급부에 연결된다.
[0060] 도 4에서 예시된 이중 그리드는 다수의 전압 극성 구성들, 이를테면 다수의 양극성 및 단극성 구성들을 제공할 수 있다. 기판 및/또는 마스크에 대한 인력은 높은 유연도(degree of flexibility)로 조정될 수 있다.
[0061] 도 5a 내지 도 5c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 전압 극성 구성들을 예시한다. 전압 극성 구성들은, 예컨대, 도 1 내지 도 4에서 예시된 전극 어레인지먼트들을 사용하여 구현될 수 있다.
[0062] 도 5a는 2개의 양극성 전압 극성 구성들 사이의 전환을 예시한다. 특히, 파인 그리드(501)(도 5a의 좌측)와 와이드 그리드(502)(도 5a의 우측) 사이의 전환이 도시된다. 예시된 전환은, 예컨대, 도 1a, 도 1b, 도 2, 및 도 4의 전극 어레인지먼트들을 사용하여 달성될 수 있다.
[0063] 예로서, 전극 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 전극들, 하나 또는 그 초과의 제2 전극들, 하나 또는 그 초과의 제3 전극들, 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들을 포함할 수 있다. 전극들은 교번적으로 배열될 수 있다. 도 5a의 좌측 상에 도시된 바와 같이, 제어기는 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제3 전극들에 (예컨대, 양의 극성을 갖는) 제1 전압을 인가하도록 구성될 수 있다. 제어기는 추가로, 제1 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 제2 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들에 (예컨대, 음의 극성을 갖는) 제2 전압을 인가하도록 구성될 수 있다. 따라서, 교번하는 극성들을 갖는 파인 그리드(501)가 제공된다.
[0064] 도 5a의 우측 상에 예시된 바와 같이, 제어기는 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제2 전극들에 (예컨대, 양의 극성을 갖는) 제1 전압을 인가하도록 구성될 수 있다. 제어기는, 제2 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 제3 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들에 (예컨대, 음의 극성을 갖는) 제2 전압을 인가하도록 구성될 수 있다. 따라서, 인접한 전극들의 쌍들이 교번하는 극성들을 갖는 와이드 그리드(502)가 제공된다.
[0065] 파인 그리드는 마스크 상에 감소된 힘을 제공한다. 마스크는, 마스크 상에 작용하는 인력으로 인한 기판과의 원하지 않는 접촉이 방지될 수 있으면서, 제1 전압 극성 구성을 사용하여 정렬될 수 있다. 제2 전압 극성 구성들로 전환하는 것은 마스크 상에 증가된 힘을 제공하고, 그에 따라, 마스크는 정렬된 및 안정적인 방식으로 기판(10)에 고정될 수 있다. 추가로, 기판에 대한 인력은 그리드의 미세함에 따라 증가된다. 이는 더 낮은 전압으로 더 미세한 구조를 동작시키게 허용한다.
[0066] 예시되지 않았지만, 도 5a의 좌측 상에 도시된 양극성 전압 극성 구성은 단극성 전압 극성 구성으로 전환될 수 있다. 예로서, 제어기는, 제2 전압 극성 구성(예컨대, 도 5b의 좌측)을 제공하기 위해, 전극 어레인지먼트에 제1 전압 또는 제2 전압만을 인가하도록 구성될 수 있다.
[0067] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 전극 어레인지먼트에 인가되는 전압들 중 적어도 몇몇의 전압 레벨들은, 전압 극성 구성들 사이를 전환하는 경우에, 예컨대 동시에 조정될 수 있다. 기판 및/또는 마스크 상에 작용하는 인력은, 예컨대, 전압 극성 구성들 양자 모두에 대해 기판 상의 인력을 본질적으로 동일하게 유지하면서 마스크 상의 인력을 변화시키도록 튜닝될 수 있다.
[0068] 도 5b는 2개의 단극성 전압 극성 구성들 사이의 전환을 예시한다. 특히, 파인 그리드(501')(도 5b의 좌측)와 와이드 그리드(502')(도 5b의 우측) 사이의 전환이 도시된다. 예시된 전환은, 예컨대, 도 2 및 도 3의 전극 어레인지먼트들을 사용하여 달성될 수 있다.
[0069] 예로서, 전극 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제2 전극들을 포함할 수 있다. 전극들은 교번적으로 배열될 수 있다. 도 5b의 좌측 상에 도시된 바와 같이, 제어기는, 단극성 구성들 중 하나를 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제2 전극들에 (예컨대, 양의 극성 또는 음의 극성을 갖는) 제1 전압을 인가하도록 구성될 수 있다. 따라서, 단극성 파인 그리드가 제공된다.
[0070] 도 5b의 우측 상에 예시된 바와 같이, 다른 전압 극성 구성에 대해, 제어기는, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들(또는 하나 또는 그 초과의 제2 전극들)에 제1 전압을 인가하고 그리고 하나 또는 그 초과의 제2 전극들(또는 하나 또는 그 초과의 제1 전극들)에 접지를 인가하도록 구성될 수 있다. 따라서, 단극성 와이드 그리드가 제공된다.
[0071] 도 5c는 양극성 전압 극성 구성(501'')(도 5c의 좌측) 및 단극성 전압 극성 구성(502'')(도 5c의 우측) 사이의 전환을 예시한다. 예시된 전환은, 예컨대, 도 1 내지 도 4의 전극 어레인지먼트들을 사용하여 달성될 수 있다.
[0072] 예로서, 전극 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제2 전극들을 포함할 수 있다. 전극들은 교번적으로 배열될 수 있다. 도 5c의 좌측 상에 도시된 바와 같이, 제어기는, 제1 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들에 (예컨대, 양의 극성을 갖는) 제1 전압을 인가하고 그리고 하나 또는 그 초과의 제2 전극들에 (예컨대, 음의 극성을 갖는) 제2 전압을 인가하도록 구성된다. 따라서, 교번하는 극성들을 갖는 양극성 그리드가 제공된다.
[0073] 도 5c의 우측 상에 예시된 바와 같이, 제어기는, 제2 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 제1 전극들, 또는 하나 또는 그 초과의 제2 전극들에 제1 전압(또는 제2 전압)을 인가하도록 구성될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제1 전극들과 하나 또는 그 초과의 제2 전극들 중 다른 전극들은 접지될 수 있다. 따라서, 단극성 와이드 그리드가 제공된다.
[0074] 도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판(10) 상의 층 증착을 위한 시스템(600)의 개략도를 도시한다.
[0075] 시스템(600)은 진공 챔버(602), 진공 챔버(602)에서의 하나 또는 그 초과의 증착 재료 소스들, 및 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 증착 프로세스에서 기판(10)을 홀딩하기 위한 장치(100)를 포함한다. 장치(100)는 진공 증착 프로세스 동안에 기판(10)을 홀딩하도록 구성된다. 시스템(600)은, 예컨대, OLED 디바이스들의 제조를 위한 유기 재료의 증발을 위해 구성될 수 있다. 다른 예에서, 시스템은 CVD 또는 PVD, 이를테면 스퍼터 증착을 위해 구성될 수 있다.
[0076] 몇몇 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 재료 증착 소스들(680)은 증발 소스들, 특히, OLED 디바이스의 층을 형성하기 위해 기판 상에 하나 또는 그 초과의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스들일 수 있다. 예컨대 층 증착 프로세스 동안에 기판(10)을 지지하기 위한 기판 지지부 또는 캐리어일 수 있는 장치(100)는, 선형 운송 경로와 같은 운송 경로를 따라, 진공 챔버(602) 내로 그리고 진공 챔버(602)를 통해, 그리고 특히 증착 영역을 통해 운송될 수 있다.
[0077] 도 6에서 표시된 바와 같이, 추가적인 챔버들이 진공 챔버(602) 근처에 제공될 수 있다. 진공 챔버(602)는, 밸브 하우징(604) 및 밸브 유닛(606)을 갖는 밸브에 의해, 인접한 챔버들로부터 분리될 수 있다. 기판(10)이 상부에 있는 장치(100)가 화살표에 의해 표시된 바와 같이 진공 챔버(602) 내로 삽입된 후에, 밸브 유닛(606)은 폐쇄될 수 있다. 진공 챔버(602)에서의 분위기는, 예컨대 진공 챔버(602)에 연결된 진공 펌프들을 이용하여 기술적인 진공을 생성함으로써, 개별적으로 제어될 수 있다.
[0078] 몇몇 실시예들에 따르면, 장치(100) 및 기판(10)은 증착 재료의 증착 동안에 정적이거나 또는 동적이다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 예컨대 OLED 디바이스들의 제조를 위해, 동적 증착 프로세스가 제공될 수 있다.
[0079] 몇몇 구현들에서, 시스템(600)은 진공 챔버(602)를 통해 연장되는 하나 또는 그 초과의 운송 경로들을 포함할 수 있다. 장치(100)는, 하나 또는 그 초과의 운송 경로들을 따라, 예컨대, 하나 또는 그 초과의 재료 증착 소스들(680)을 지나 운송하도록 구성될 수 있다. 도 6에서, 하나의 운송 경로가 화살표에 의해 예시적으로 표시되어 있지만, 본 개시내용이 이에 제한되지 않고 그리고 2개 또는 그 초과의 운송 경로들이 제공될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 적어도 2개의 운송 경로들이 각각의 캐리어들의 운송을 위해 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 재료 증착 소스들(680)이 2개의 운송 경로들 사이에 배열될 수 있다.
[0080] 도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판을 홀딩하기 위한 방법(700)의 흐름도를 도시한다. 방법은 본 개시내용에 따른, 장치들 및 시스템들을 활용할 수 있다.
[0081] 방법은, 블록(710)에서, 기판과 마스크 중 적어도 하나 상에 작용하는 제1 인력을 제공하기 위해, 제1 전압 극성 구성을 전극 어레인지먼트에 적용하는 단계를 포함하고, 블록(720)에서, 제1 인력과 상이한 제2 인력을 제공하기 위해, 제1 전압 극성 구성과 상이한 제2 전압 극성 구성을 전극 어레인지먼트에 적용하는 단계를 포함한다.
[0082] 몇몇 실시예들에 따르면, 방법(700)은, 제1 전압 극성 구성을 적용하는 동안에, 기판에 대하여 마스크를 정렬시키고, 그리고/또는 제2 전압 극성 구성을 적용하는 동안에, 기판 및 마스크를 홀딩하는 단계를 더 포함한다. 몇몇 구현들에서, 방법(700)은 본질적으로 수직인 배향으로 기판을 홀딩하는 단계를 포함한다.
[0083] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판을 홀딩하기 위한 방법은, 컴퓨터 프로그램들, 소프트웨어, 컴퓨터 소프트웨어 제품들, 및 상관형 제어기들을 사용하여 실시될 수 있는데, 그 상관형 제어기들은, CPU, 메모리, 사용자 인터페이스, 및 대면적 기판을 프로세싱하기 위해 장치의 대응하는 컴포넌트들과 통신하는 입력 및 출력 디바이스들을 가질 수 있다.
[0084] 본 개시내용은, 기판 및/또는 마스크 상에 작용하는 상이한 인력들을 제공하는 적어도 2개의 상이한 전압 극성 구성들 사이를 전환가능한 전극 어레인지먼트, 이를테면 그리드를 사용한다. 예로서, 제1 전압 극성 구성은 기판 상에 강한 힘을 제공하고 그리고 마스크 상에 작은 힘을 제공할 수 있고(또는 심지어 힘을 전혀 제공하지 않을 수 있고), 그에 따라, 마스크가 기판에 대하여 정렬될 수 있다. 제1 전압 극성 구성으로부터 제2 전압 극성 구성으로 전환하는 것은 마스크 상에 증가된 힘을 제공할 수 있고, 그에 따라, 기판과 마스크 양자 모두가 기판 지지부에 고정적으로 홀딩될 수 있다. 따라서, 기판 및 선택적인 마스크는, 예컨대 진공 증착 프로세스 동안에, 정밀하게 정렬된 배향으로 신뢰가능하게 홀딩될 수 있다. 추가로, 자석 플레이트가 전혀 제공될 필요가 없는데, 이는 E-척이 자석 플레이트의 기능을 취할 것이기 때문이다.
[0085] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 진공 증착 프로세스에서 기판을 홀딩(holding)하기 위한 장치로서,
    지지 표면;
    상기 기판과 마스크 중 적어도 하나 상에 작용하는 인력을 제공하도록 구성된 복수의 전극들을 갖는 전극 어레인지먼트(arrangement); 및
    파인 그리드 구조(fine grid structure)를 갖는 제1 전압 극성 구성, 및 와이드 그리드 구조(wide grid structure)를 갖는 상기 제1 전압 극성 구성과 상이한 제2 전압 극성 구성을 상기 전극 어레인지먼트에 적용하도록 구성된 제어기
    를 포함하며,
    상기 제어기는 상기 제1 전압 극성 구성과 상기 제2 전압 극성 구성 사이를 전환하도록 구성되고,
    상기 파인 그리드 구조는 동일한 극성을 갖는 상기 복수의 전극들의 제1 폭을 갖고, 상기 와이드 그리드 구조는 상기 동일한 극성을 갖는 상기 복수의 전극들의 제2 폭을 갖고, 상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 크거나; 또는
    상기 파인 그리드 구조는 상기 복수의 전극들의 인접한 양극화된 전극들 사이의 제1 공간을 갖고, 상기 와이드 그리드 구조는 상기 복수의 전극들의 인접한 양극화된 전극들 사이의 제2 공간을 갖고, 상기 제2 공간은 상기 제1 공간보다 큰,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및 접지 중 적어도 하나를 상기 복수의 전극들에 선택적으로 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 전극들은 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제2 전극들을 포함하며,
    상기 제어기는 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및 접지를 상기 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 상기 하나 또는 그 초과의 제2 전극들에 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 전극들은 하나 또는 그 초과의 제3 전극들 및 하나 또는 그 초과의 제4 전극들을 더 포함하며,
    상기 제어기는 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및 접지를 상기 하나 또는 그 초과의 제3 전극들 및 상기 하나 또는 그 초과의 제4 전극들에 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 제1 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 상기 하나 또는 그 초과의 제1 전극들에 상기 제1 전압을 인가하고 그리고 상기 하나 또는 그 초과의 제2 전극들에 상기 제2 전압 또는 접지를 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 제2 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 상기 하나 또는 그 초과의 제1 전극들과 상기 하나 또는 그 초과의 제2 전극들 중 적어도 하나에 상기 제1 전압을 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 상기 하나 또는 그 초과의 제3 전극들에 상기 제1 전압을 인가하도록 구성되며, 그리고
    상기 제어기는, 상기 제1 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 상기 하나 또는 그 초과의 제2 전극들 및 상기 하나 또는 그 초과의 제4 전극들에 상기 제2 전압을 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 하나 또는 그 초과의 제1 전극들 및 상기 하나 또는 그 초과의 제2 전극들에 상기 제1 전압을 인가하도록 구성되며, 그리고
    상기 제어기는, 상기 제2 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 상기 하나 또는 그 초과의 제3 전극들 및 상기 하나 또는 그 초과의 제4 전극들에 상기 제2 전압을 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 제2 전압 극성 구성을 제공하기 위해, 상기 전극 어레인지먼트에 상기 제1 전압만을 인가하거나 또는 상기 제2 전압만을 인가하도록 구성되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    하나 또는 그 초과의 제1 전극들과 하나 또는 그 초과의 제2 전극들이 교번적으로 배열되거나, 또는
    상기 하나 또는 그 초과의 제1 전극들, 상기 하나 또는 그 초과의 제2 전극들, 상기 하나 또는 그 초과의 제3 전극들, 및 상기 하나 또는 그 초과의 제4 전극들이 교번적으로 배열되는,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 인력은 상기 제1 전압 극성 구성에 대한 제1 기판 인력 및 제1 마스크 인력, 및 상기 제2 전압 극성 구성에 대한 제2 기판 인력 및 제2 마스크 인력을 포함하며,
    상기 제2 마스크 인력은 상기 제1 마스크 인력과 상이한,
    기판을 홀딩하기 위한 장치.
  12. 기판 상의 층 증착을 위한 시스템으로서,
    진공 챔버;
    상기 진공 챔버에서의 하나 또는 그 초과의 증착 재료 소스들; 및
    상기 진공 챔버에서의 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 장치
    를 포함하며,
    상기 장치는 상기 진공 증착 프로세스 동안에 상기 기판을 홀딩하도록 구성되는,
    층 증착을 위한 시스템.
  13. 기판을 홀딩하기 위한 방법으로서,
    상기 기판과 마스크 중 적어도 하나 상에 작용하는 제1 인력을 제공하기 위해, 파인 그리드 구조를 갖는 제1 전압 극성 구성을 복수의 전극들을 갖는 전극 어레인지먼트에 적용하는 단계; 및
    상기 제1 인력과 상이한 제2 인력을 제공하기 위해, 상기 제1 전압 극성 구성과 상이한, 와이드 그리드 구조를 갖는 제2 전압 극성 구성을 상기 전극 어레인지먼트에 적용하는 단계
    를 포함하고,
    상기 파인 그리드 구조는 동일한 극성을 갖는 상기 복수의 전극들의 제1 폭을 갖고, 상기 와이드 그리드 구조는 상기 동일한 극성을 갖는 상기 복수의 전극들의 제2 폭을 갖고, 상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 크거나; 또는
    상기 파인 그리드 구조는 상기 복수의 전극들의 인접한 양극화된 전극들 사이의 제1 공간을 갖고, 상기 와이드 그리드 구조는 상기 복수의 전극들의 인접한 양극화된 전극들 사이의 제2 공간을 갖고, 상기 제2 공간은 상기 제1 공간보다 큰,
    기판을 홀딩하기 위한 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 전압 극성 구성을 적용하는 동안에, 상기 기판에 대하여 상기 마스크를 정렬시키는 단계; 및
    상기 제2 전압 극성 구성을 적용하는 동안에, 상기 기판 및 상기 마스크를 홀딩하는 단계
    중 적어도 하나의 단계를 더 포함하는,
    기판을 홀딩하기 위한 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    본질적으로 수직인 배향으로 상기 기판을 홀딩하는 단계를 더 포함하는,
    기판을 홀딩하기 위한 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200038345A (ko) * 2018-10-02 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
KR102520050B1 (ko) * 2019-09-07 2023-04-07 캐논 톡키 가부시키가이샤 흡착 장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법
JP7406958B2 (ja) * 2019-11-07 2023-12-28 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着装置および表示装置の作製方法
KR20220034993A (ko) * 2020-09-11 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치의 마스크 착좌 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285825A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Advantest Corp 静電チャック及び静電チャックによる基板固定方法
JP2012059858A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Ulvac Japan Ltd 静電吸着装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD233747A3 (de) * 1983-04-11 1986-03-12 Komb Feinmechanische Werke Hal Verfahren und einrichtung zur herstellung eines transversal gesickten oder gerippten inneren rohres einer doppelwandigen spezialgasentladungsroehre hoher winkelselektivitaet
JP2000260855A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウェハ処理装置
KR100722057B1 (ko) * 1999-09-29 2007-05-25 동경 엘렉트론 주식회사 멀티존 저항가열기
JP2005136025A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及びウエハステージ
US9299888B2 (en) * 2011-09-13 2016-03-29 Denka Company Limited Clad material for LED light-emitting element holding substrate, and method for manufacturing same
JP6017799B2 (ja) * 2012-02-23 2016-11-02 日立造船株式会社 電子ビーム蒸着装置
JP2013194294A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 機能性薄膜の成膜装置および成膜方法
KR20160058917A (ko) * 2013-09-20 2016-05-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 통합된 정전 척을 갖는 기판 캐리어
JP2017516294A (ja) * 2014-05-09 2017-06-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板キャリアシステム及びそれを使用するための方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285825A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Advantest Corp 静電チャック及び静電チャックによる基板固定方法
JP2012059858A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Ulvac Japan Ltd 静電吸着装置

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