KR20170053726A - 흡착 장치 및 진공 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 흡착 대상물과 접촉하는 면에 있어서의 흡착력을 저감시켜 흡착 대상물의 흡착 및 박리시의 더스트의 발생을 억제함과 함께, 흡착 장치의 흡착력을 균일해지도록 제어할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 본 발명의 흡착 장치는, 유전체 중에 기판 (10) 을 흡착 유지하기 위한 역극성의 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 을 갖는 본체부 (50) 와, 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 에 대해 본체부 (50) 의 흡착측의 부분에, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 걸치도록 각각 배치된 도전성막 (51) 을 갖는다.

Description

흡착 장치 및 진공 처리 장치{ATTRACTION DEVICE AND VACUUM PROCESSING DEVICE}
본 발명은, 진공 중에서 기판을 흡착 유지하는 흡착 장치에 관한 것이고, 특히, 이면에 절연성의 막을 갖는 기판 그리고 절연성의 기판을 흡착 유지하는 흡착 장치의 기술에 관한 것이다.
종래부터, 스퍼터링 장치 등에서는 기판의 온도 제어를 정밀하게 실시하기 위해 정전 흡착 장치가 널리 사용되고 있다. 진공 중에서 유리 등의 절연성 기판 상에 성막 등의 처리를 실시하는 장치에 있어서는, 그레이디언트력에 의해 절연성 기판을 흡착 유지하는 흡착 장치가 널리 사용되고 있다. 또, 이면에 절연성의 막을 갖는 기판을 정전 흡착하는 경우에는, 흡착 전압을 높게 하여 흡착력을 강하게 하는 방법 등이 취해지고 있다.
종래, 이러한 종류의 흡착 장치에서는, 그 흡착면에 있어서의 접촉에 의해 기판 이면 혹은 흡착 장치의 흡착면의 재료의 박리가 발생하여, 더스트의 발생에 의한 프로세스 불량이 발생하고 있었다.
이 때문에, 제조 공정에 있어서의 수율의 저하와 같은 장치의 신뢰성을 낮추는 요인이 되고 있었다.
또, 종래 기술에 있어서는, 기판과 흡착면의 접촉 부분 (계면) 에 있어서의 열 저항을 낮추기 위해 흡착력을 증대시키는 것이 실시되고 있지만, 그 경우, 접촉 부분에서의 밀착성 (접촉 면적) 을 확보하기 위해, 기판 표면 혹은 흡착 장치의 흡착면이 연마되어 있고, 그 결과, 마모에 의한 더스트가 증대되기 때문에, 접촉 부분에 있어서의 흡착력을 저하시키는 것이 필요로 되고 있었다.
한편, 흡착 장치 전체적으로는 기판과의 열 저항을 낮출 필요가 있어, 접촉 부분에서는 흡착력을 저하시키면서, 비접촉 부분에서는 흡착력을 높이고, 가스에 의한 어시스트 등의 열 전도에 의해 열 저항을 낮추는 수법이 필요로 되고 있었다.
또한, 흡착 종료 후에 있어서의 잔류 흡착력의 저감 기술은, 종래, 단순히 흡착 면적을 작게 하는 것, 혹은 인가 전압을 저감시키는 것과 같은, 면내 흡착력의 상대적인 저하에 의해 실시되고 있었다.
하지만, 이와 같은 방법에서는, 기판과 흡착 장치 사이의 열 전달 능력이 저하되기 때문에, 본래의 흡착 능력을 최대한 발휘하지 못하고 있었다.
또, 장치의 스루풋 시간 단축 등으로부터 잔류 흡착 잔존에 의한 반송 에러, 혹은 기판마다의 수율 등의 문제가 발생하여, 흡착 장치의 균일한 흡착력의 제어가 요망되고 있었다.
게다가, 기판과의 접촉 부분에서의 흡착력에 의해, 기판 이면 혹은 흡착 장치 표면의 박리가 발생하여, 흡착력의 균일성과 함께, 접촉 부분에서의 흡착력을 저감시켜 마모, 박리를 억제하는 것이 요망되고 있었다.
한편, 흡착력을 균일하게 하려고 하면, 복수의 흡착 전극 중 일부의 흡착 전극 사이에서 쇼트가 발생하는 경우가 있고, 이와 같은 사태를 회피하기 위해, 일부의 흡착 전극에 있어서의 흡착력을 저감시킬 수 있게 하는 것도 요망되고 있었다.
일본 특허 제4342691호
본 발명은, 상기 종래 기술의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 흡착 대상물과 접촉하는 면에 있어서의 흡착력을 저감시켜 흡착 대상물의 흡착 및 박리시의 더스트의 발생을 억제함과 함께, 흡착 장치의 흡착력을 전체적으로 균일해지도록, 또 부분적으로 흡착력을 저감시키도록 제어할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 다른 목적은, 흡착 장치 전체적으로 흡착 장치와 흡착 대상물 사이의 열 저항을 낮출 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 본 발명은, 유전체 중에 흡착 대상물을 흡착 유지하기 위한 복수의 역극성의 1 쌍의 흡착 전극을 갖는 본체부와, 상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극에 대해 상기 본체부의 흡착측의 부분에, 상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 걸치도록 배치된 복수의 도전성막을 갖는 흡착 장치이다.
본 발명에서는, 상기 복수의 도전성막이, 상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 대하여, 당해 1 쌍의 흡착 전극에 의해 발생하는 전계를 차폐하는 면적이 각각 균등해지도록 배치되어 있는 경우에도 효과적이다.
본 발명에서는, 상기 본체부가, 그 흡착측의 표면에 형성되고 상기 흡착 대상물과 접촉하여 지지하는 볼록한 형상의 접촉 지지부를 갖고, 상기 도전성막이, 당해 접촉 지지부의 영역에만 배치되어 있는 경우에도 효과적이다.
본 발명에서는, 상기 접촉 지지부가, 상기 본체부와 동일한 재료로 일체적으로 형성되어 있는 경우에도 효과적이다.
본 발명에서는, 상기 도전성막을 절연성의 시트 내부에 형성한 도전성막이 형성된 시트를 갖고, 당해 도전성막이 형성된 시트는, 상기 본체부의 표면에 배치한 경우에 상기 접촉 지지부를 갖도록 형성되고, 또한, 상기 본체부에 대해 자유롭게 착탈할 수 있게 구성되어 있는 경우에도 효과적이다.
한편, 본 발명은, 진공조와, 상기 진공조 내에 형성된 상기 어느 흡착 장치를 갖고, 상기 흡착 장치에 의해 흡착 유지된 흡착 대상물에 대해 소정의 처리를 실시하도록 구성되어 있는 진공 처리 장치이다.
본 발명의 흡착 장치에서는, 유전체 중에 흡착 대상물을 흡착 유지하기 위한 복수의 역극성의 1 쌍의 흡착 전극을 갖는 본체부와, 복수의 1 쌍의 흡착 전극에 대해 본체부의 흡착측의 부분에, 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 걸치도록 배치된 복수의 도전성막을 갖는 점에서, 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극 사이에서 발생하는 전계가 복수의 도전성막의 영역에 있어서 각각 차폐됨과 함께, 각 도전성막 자체가 전위를 띠는 상황을 발생시키지 않는 상태가 되고, 이로써 본체부의 흡착측의 복수의 도전성막의 부분에 있어서 각각 흡착력이 발생하지 않게 된다.
그 결과, 본 발명에 의하면, 흡착 대상물과의 접촉 부분에 있어서 마찰 등에서 기인하는 흡착 대상물 및 흡착 장치 표면의 박리의 발생을 억제할 수 있고, 그 결과, 더스트의 발생을 방지함과 함께, 흡착 장치 자체의 수명을 늘릴 수 있다.
또, 본 발명에 의하면, 흡착 장치의 흡착력을 각 영역에 있어서 균일해지도록 제어할 수 있고, 또 흡착면 내에서의 흡착력의 분포 상태를 제어하여 조정할 수도 있기 때문에, 흡착 대상물의 반송 에러를 방지할 수 있음과 함께, 수율의 저하를 회피할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 복수의 1 쌍의 흡착 전극 중 일부의 1 쌍의 흡착 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우라 하더라도, 그 1 쌍의 흡착 전극에 의한 흡착력을 저감시키도록 제어함으로써, 각 1 쌍의 흡착 전극 사이에 있어서의 쇼트의 발생을 회피 및 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서, 복수의 도전성막이, 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 대하여, 당해 1 쌍의 흡착 전극에 의해 발생하는 전계를 차폐하는 면적이 각각 균등해지도록 배치되어 있는 경우에는, 흡착 장치의 본체부에 있어서의 복수의 1 쌍의 흡착 전극을 배치한 영역에 있어서 보다 흡착력이 균일해지도록 제어할 수 있다. 게다가, 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 걸치는 복수의 도전성막의 흡착 전극 상의 면적을, 본체부 표면에 분포를 갖게 하여 배치함으로써, 흡착력과 그 결과로서 발생하는 잔류 흡착력을 제어할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 본체부가, 그 흡착측의 표면에 형성되고 흡착 대상물과 접촉하여 지지하는 볼록한 형상의 접촉 지지부를 갖고, 상기 서술한 본체부의 흡착 전극의 양극과 음극의 양자에 걸치는 도전성막이, 접촉 지지부의 영역에만 배치되어 있는 경우에는, 접촉 지지부에 있어서 흡착력을 발생시키지 않게 할 수 있기 때문에, 본체부와 흡착 대상물의 접촉 부분에 있어서의 열 등에서 기인하는 마찰 저항을 낮출 수 있고, 또한 본체부와 흡착 대상물의 비접촉 부분에서는 흡착력을 높임으로써, 흡착 장치 전체적으로 흡착력을 저하시키지 않고, 가스에 의한 어시스트 등의 열 전도 수단을 사용함으로써, 흡착 장치와 흡착 대상물 사이의 열 저항을 낮출 수 있다.
이 경우, 접촉 지지부가, 본체부와 동일한 재료로 일체적으로 형성되어 있으면, 제조 공정의 간소화를 도모할 수 있음과 함께, 일체 성형에 의한 것이기 때문에, 첩합 (貼合) 에 의해 제조하는 경우에 비해 강성 등 기계적 강도를 높게 할 수 있다.
게다가 또한, 도전성막을 절연성의 시트 내부에 형성한 도전성막이 형성된 시트를 갖고, 당해 도전성막이 형성된 시트가, 본체부의 표면에 배치되고, 또한 본체부의 흡착 전극의 양극과 음극의 양자에 걸치도록 접촉 지지부가 형성되고, 또한 본체부에 대해 자유롭게 착탈할 수 있게 구성되어 있는 경우에는, 도전성막의 교환을 용이하게 실시할 수 있고, 이로써 메인터넌스가 용이하고, 또한 여러 가지 흡착 대상물에 대응할 수 있는 범용성이 넓은 흡착 장치를 제공할 수 있다.
게다가, 진공조 내에 형성된 상기 어느 흡착 장치를 갖고, 이 흡착 장치에 의해 흡착 유지된 흡착 대상물에 대해 소정의 처리를 실시하도록 구성되어 있는 진공 처리 장치에 의하면, 고품위의 진공 처리가 가능한 진공 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 관련된 진공 처리 장치의 일 실시형태인 스퍼터링 장치의 개략 구성도이다.
도 2(a) 는 전체면 흡착형의 흡착 장치의 단면을 나타내는 개략 구성도이고, 도 2(b) 는 기판 흡착의 원리를 나타내는 등가 회로도이다.
도 3(a), (b) 는 본 발명에 관련된 흡착 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 것으로, 도 3(a) 는 단면 구성도이고, 도 3(b) 는 평면 구성도이다.
도 4 는 본 발명에 관련된 흡착 장치의 다른 구성예를 모식적으로 나타내는 단면 구성도이다.
도 5(a), (b) 는 본 발명에 관련된 흡착 장치의 다른 구성예를 모식적으로 나타내는 단면 구성도이다.
도 6(a), (b) 는 본 발명에 관련된 흡착 장치의 다른 구성예를 모식적으로 나타내는 단면 구성도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 은, 본 발명에 관련된 진공 처리 장치의 일 실시형태인 스퍼터링 장치의 개략 구성도이다.
도 1 에 있어서, 부호 2 는 본 실시형태의 스퍼터링 장치 (1) 의 진공조를 나타내는 것으로, 이 진공조 (2) 는, 도시되지 않은 진공 배기계에 접속되어, 스퍼터 가스를 도입하도록 구성되어 있다.
진공조 (2) 내의 상부에는, 성막원인 타깃 (3) 이 배치되어 있다.
이 타깃 (3) 은, 스퍼터 전원 (4) 에 접속되어, 부 (負) 의 바이어스 전압이 인가되도록 되어 있다. 또한, 스퍼터 전원 (4) 의 플러스측은 진공조 (2) 와 함께 어스되어 있다.
진공조 (2) 내에는, 기판 (흡착 대상물) (10) 을 흡착 유지하기 위한 흡착 장치 (5) 가 형성되어 있다.
이 흡착 장치 (5) 는 쌍극형의 것으로, 여러 가지 세라믹스 등의 유전체로 이루어지는 본체부 (50) 중에 복수 (본 실시형태에서는 2 개) 의 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 이 형성되어 있고, 이들 흡착 전극 (11, 12) 에, 진공조 (2) 의 외측에 형성한 흡착 전원 (20) 으로부터 전류 도입 단자 (13, 14) 를 개재하여 각각 전력을 공급하도록 구성되어 있다.
또한, 각 전류 도입 단자 (13, 14) 와 흡착 전원 (20) 사이에는, 미소한 전류를 측정할 수 있는 전류계 (21, 22) 가 접속되어 있다.
한편, 진공조 (2) 의 바닥부에는, 기판 (10) 을 흡착 장치 (5) 위에 얹거나 또는 흡착 장치 (5) 로부터 이탈시키기 위한 승강 기구 (15) 가 형성되어 있다.
또, 진공조 (2) 의 외부에는, 장치 전체를 제어하기 위한 컴퓨터 (23) 가 형성되고, 이 컴퓨터 (23) 는, 상기 서술한 승강 기구 (15) 를 구동시키는 구동부 (16), 전류계 (21, 22), 흡착 전원 (20) 및 스퍼터 전원 (4) 에 접속되어 있다.
또한, 이 컴퓨터 (23) 는 A/D 변환 보드 등을 구비하며, 또, 예를 들어 펜 리코더 등의 전류를 기록하기 위한 수단 (도시 생략) 에 접속되어 있다.
이하, 본 발명의 원리에 대하여 설명한다.
도 2(a) 는, 전체면 흡착형의 흡착 장치의 단면을 나타내는 개략 구성도이다.
도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 유전체로 이루어지는 흡착 장치 (105) 내에 형성된 흡착 전극 (111) 에 대해, 흡착 전원 (120) 으로부터 기판 (110) 과의 사이에 소정의 전압 (V) 을 인가함으로써, 흡착 장치 (105) 의 흡착면 (150) 과 기판 (110) 의 이면 (110a) 에 있어서 역극성의 전하가 발생하고, 그 결과, 흡착 장치 (105) 의 흡착면 (150) 과 이면 (110a) 이 쿨롱력에 의해 구속되어, 기판 (110) 이 흡착면 (150) 상에 유지된다.
여기에서, 기판 흡착의 원리를 나타내는 등가 회로도를 도 2(b) 에 나타낸다.
흡착력 (F) 을 산출하려면, 먼저, 쿨롱력 (Fc) 에 대해서 생각한다. 이 경우, 흡착 장치 (105) 의 유전체층의 유전율 (ε), 인가 전압 (V), 유전체층의 거리 (d), 기판 (110) 및 흡착 장치 (105) 의 대전 부분의 면적 (S) 으로 하면, 다음의 식이 성립한다.
Fc = 1/2ㆍεㆍS(V/d)2
실제의 흡착 장치에서는, 유전체를 용량으로 한 쿨롱력 (Fc) 과, 기판과 흡착 전극 사이의 미소역에 미미한 전류가 흐름으로써 발생하는 존슨 라벡력 (Fjr) 이 적산된다. 그 결과, 흡착 장치와 기판 사이에 작용하는 흡착력 (F) 은, 다음의 식으로 나타내어진다.
F = Fc ＋ Fjr
일반적으로, 쿨롱력보다 존슨 라벡력 쪽이 상대적으로 큰 것이 알려져 있다.
또, 쿨롱력과 존슨 라벡력은, 유전체의 체적 저항률에 의존하여, 저저항률 (1 × 1012 Ωㆍ㎝ 이하) 의 범위에서 존슨 라벡력이 지배적이 되고, 고저항률 (1 × 1013 Ωㆍ㎝ 이상) 의 범위에서는 쿨롱력이 지배적이 되는 것도 알려져 있다.
그런데, 기판과 흡착 장치의 계면에 있어서 흡착력을 제어하는 방법으로서, 흡착면에 박막 도전체를 형성하여, 기판과 흡착 장치 사이에서의 유전 분극 현상을 차단하는 것은 가능하다.
다만, 상기 서술한 존슨 라벡력을 이용하는 흡착 장치의 경우에 있어서, 기판이 산화막 등일 때 등, 유전체를 미미하게 흐르는 전류에 의해 박막 도전체 자체로 전하가 이행하여, 기판 흡착면의 산화막을 유전체로 하여 척력이 발생하고, 결과적으로 흡착력이 저하되지 않는 경우도 발생한다.
본 발명은, 이러한 지견에 기초하여 이루어진 것이다.
도 3(a), (b) 는, 본 발명에 관련된 흡착 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 것으로, 도 3(a) 는 단면 구성도, 도 3(b) 는 평면 구성도이다.
도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 본 구성예의 흡착 장치 (5) 는, 쌍극형의 것으로, 유전체로 이루어지는 예를 들어 사각형 플레이트상의 본체부 (50) 의 내부에, 1 쌍의 흡착 전극 (11) (양극 (11a), 음극 (11b)) 과, 1 쌍의 흡착 전극 (12) (양극 (12a), 음극 (12b)) 이 형성되어 구성되어 있다.
여기에서, 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 은, 극성이 상이한 흡착 전원 (20A, 20B 및 20C, 20D) 에 각각 접속되어 있다. 이들 흡착 전원 (20A, 20B 및 20C, 20D) 은, 각각 독립적으로 제어할 수 있도록 구성되어 있다.
도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 본 구성예의 경우, 이들 1 쌍의 흡착 전극 (11) (양극 (11a), 음극 (11b)), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) (양극 (12a), 음극 (12b)) 은, 각각 동등한 크기의 장방형 형상으로 형성되고, 각각 소정의 간격을 두고 나열하여 배치되어 있다.
여기에서, 흡착 장치 (5) 는, 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 에 대해 본체부 (50) 의 흡착측의 부분에, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 걸치도록 배치된 도전성막 (51) 을 가지고 있다.
본 구성예에서는, 각 도전성막 (51) 은 사각형 형상으로 형성되고, 그 주위가 절연성의 보호부 (52) 에 의해 덮여져 블록상의 도전성막 유닛 (53a) 이 구성되어 있다 (도 3(a) 참조).
도전성막 유닛 (53a) 은 복수 개 형성되고, 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에, 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 에 대해 그 길이 방향으로 각각 복수 개 배치되고, 이로써 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 볼록한 형상의 접촉 지지부 (53) 가 형성되어 있다.
그리고, 이들 본체부 (50) 의 접촉 지지부 (53) 상에 기판 (10) 이 배치되도록 되어 있다. 즉, 본 구성예에서는, 기판 (10) 은, 접촉 지지부 (53) 의 정상부에 접촉하여 지지된다.
또, 본 발명의 경우, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 의 역극성의 전극 사이에서 치우치지 않고 전계를 발생시키는 관점에서는, 도전성막 (51) 이, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 대하여, 당해 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 에 의해 발생하는 전계를 차폐하는 면적이 각각 균등해지도록 배치되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 대해, 도전성막 (51) 을, 동등한 거리로, 또한 흡착 방향에 관해서 겹치는 면적이 동등한 크기가 되도록 배치 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 서술한 절연성의 보호부 (52) 는 형성하지 않아도 되지만, 흡착해야 할 기판 (10) 에 대한 금속 오염의 방지, 도전성막 (51) 의 보호의 관점에서는 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 경우, 도전성막 (51) 의 재료로는, 티탄 (Ti), 탄탈 (Ta), 니오브 (Nb), 질화티탄 (TiN), 질화탄탈 (TaN) 등의 고융점의 금속이나 금속 질화물을 사용할 수 있다. 그 이외에도, 이른바 금속이면 문제없지만, 금속에 한정되지 않고, 1 × 103 Ωㆍ㎝ 이하의 저항률을 갖는 재료라면 본 발명에 사용할 수 있다.
본 발명의 경우, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본체부 (50) 가 소결체로서, 도전성막 (51) 을 본체부 (50) 와 함께 소성시키는 경우에는, 제조 공정에서 용융시키지 않고, 또한 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 에 의해 발생하는 전계를 확실하게 중화시키는 관점에서는, 도전성막 (51) 의 재료로서, 본체부 (50) 의 소결 온도 이상의 융점인 것이고, 또한 체적 저항률이 1 × 1010 Ωㆍ㎝ 이하인 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 도전성막 (51) 은, 예를 들어 PVD, CVD, 증착 등의 성막 프로세스에 의해 제작할 수 있다. 또, 시판되는 시트상의 것을 사용할 수도 있다.
이상 서술한 바와 같이, 본 구성예의 흡착 장치 (5) 에 의하면, 2 개의 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 에 대해 본체부 (50) 의 흡착측의 부분에, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 걸치도록 배치된 복수의 도전성막 (51) 을 가지고 있는 점에서, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 사이에서 발생하는 전계가 도전성막 (51) 의 영역에서 각각 차폐됨과 함께, 각 도전성막 (51) 자체가 전위를 띠는 상황을 발생시키지 않는 상태가 되고, 이로써 본체부 (50) 의 흡착측의 복수의 도전성막 (51) 의 부분에서 각각 흡착력이 발생하지 않게 된다.
그 결과, 본 구성예에 의하면, 기판 (10) 과의 접촉 부분에 있어서 마찰 등에서 기인하는 기판 (10) 그리고 흡착 장치 (5) 의 본체부 (50) 의 표면 (50a) 의 박리의 발생을 억제할 수 있고, 그 결과, 더스트의 발생을 방지함과 함께 흡착 장치 (5) 자체의 수명을 늘릴 수 있다.
또, 본 구성예에 의하면, 흡착 장치 (5) 의 흡착력을 균일해지도록 제어할 수 있고, 또 흡착면 내에서의 흡착력의 분포 상태를 제어하여 조정할 수도 있기 때문에, 기판 (10) 의 반송 에러를 방지할 수 있음과 함께, 수율의 저하를 회피할 수 있다.
또한, 본 구성예에 의하면, 2 개의 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 중 일부에 쇼트가 발생한 경우라 하더라도, 1 쌍의 흡착 전극 (11 또는 12) 에 의한 흡착력을 저감시키도록 제어함으로써, 1 쌍의 흡착 전극 (11 또는 12) 사이에서의 쇼트의 발생을 회피 및 방지할 수 있다.
특히, 본 구성예에서는, 도전성막 (51) 이, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 대하여, 당해 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 에 의해 발생하는 전계를 차폐하는 면적이 각각 균등해지도록 배치되어 있는 점에서, 흡착 장치 (5) 의 본체부 (50) 에 있어서의 1 쌍의 흡착 전극 (11, 12) 을 배치한 영역에 있어서 각각 흡착력이 균일해지도록 제어할 수 있다.
또한, 본 구성예에 있어서는, 본체부 (50) 의 기판 (10) 을 지지하는 접촉 지지부 (53) 내에만 도전성막 (51) 을 배치하도록 한 점에서, 접촉 지지부 (53) 에 있어서 흡착력을 발생시키지 않게 할 수 있고, 이로써 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 접촉 부분에 있어서의 열 등에서 기인하는 마찰 저항을 낮출 수 있고, 또한 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 비접촉 부분에서는 흡착력을 높임으로써, 흡착 장치 (5) 의 전체적인 흡착력을 저하시키지 않고, 가스에 의한 어시스트 등의 열 전도 수단을 사용하여 흡착 장치 (5) 전체와 기판 (10) 사이의 열 저항을 낮출 수 있다.
도 4 는, 본 발명에 관련된 흡착 장치의 다른 구성예를 모식적으로 나타내는 단면 구성도이다. 이하, 상기 구성예와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 본 구성예의 흡착 장치 (5A) 는, 상기 서술한 흡착 장치 (5) 의 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에, 본체부 (50) 와 동일한 재료로 일체적으로 형성된 볼록부 (50b) 에 의해 볼록한 형상의 접촉 지지부 (53) 가 복수 형성되고, 이들 접촉 지지부 (53) 내에 상기 서술한 도전성막 (51) 이 형성되어 있다.
여기에서, 본체부 (50) 의 접촉 지지부 (53) 는, 그 정상부가 평탄하게 형성됨과 함께, 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 대해 각각 동등한 높이를 가지고 있다.
또, 각 도전성막 (51) 은, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 걸치도록 배치되어 있다.
그리고, 이들 본체부 (50) 의 접촉 지지부 (53) 상에 기판 (10) 이 배치되도록 되어 있다. 즉, 기판 (10) 은, 본체부 (50) 의 볼록한 형상의 접촉 지지부 (53) 의 정상부에 접촉하여 지지된다.
이와 같은 구성을 갖는 본 구성예에 의하면, 상기 서술한 효과에 추가하여, 흡착 장치 (5) 의 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에, 본체부 (50) 와 동일한 재료로 일체적으로 형성된 볼록한 형상의 접촉 지지부 (53) 가 복수 형성되고, 이들 접촉 지지부 (53) 내에 상기 서술한 도전성막 (51) 이 형성되어 있는 점에서, 제조 공정의 간소화를 도모할 수 있다. 또, 본 구성예는 일체 성형에 의한 것이기 때문에, 첩합에 의해 제조하는 경우에 비해 강성 등 기계적 강도를 높게 할 수 있다.
또한, 본 구성예에 있어서는, 본체부 (50) 의 접촉 지지부 (53) 내에만 도전성막 (51) 을 배치하도록 한 점에서, 접촉 지지부 (53) 에 있어서 흡착력을 발생시키지 않게 할 수 있기 때문에, 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 접촉 부분에 있어서의 열 등에서 기인하는 마찰 저항을 낮출 수 있고, 또한 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 비접촉 부분에서는 흡착력을 높임으로써, 흡착 장치 (5A) 전체적으로 흡착력을 저하시키지 않고, 가스에 의한 어시스트 등의 열 전도 수단을 사용하여 흡착 장치 (5A) 전체와 기판 (10) 사이의 열 저항을 낮출 수 있다.
그 밖의 구성 및 작용 효과에 대해서는 상기 서술한 구성예와 동일하기 때문에, 그 상세한 설명은 생략한다.
도 5(a), (b) 는, 본 발명에 관련된 흡착 장치의 다른 구성예를 모식적으로 나타내는 단면 구성도이다. 이하, 상기 구성예와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 5(a), (b) 에 나타내는 바와 같이, 본 구성예의 흡착 장치 (5B) 는, 상기 서술한 흡착 장치 (5) 의 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에, 상기 서술한 도전성막 (51) 의 크기 및 형상에 대응하는 크기 및 형상을 갖는 복수의 오목부 (50c) 가 형성되어 있다.
이들 본체부 (50) 의 오목부 (50c) 는, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 걸치도록 형성되어 있다.
그리고, 이와 같은 구성에 의해, 도전성막 (51) 을 본체부 (50) 의 각 오목부 (50c) 내에 배치한 경우에, 각 도전성막 (51) 이, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 걸치도록 되어 있다.
또, 본 구성예에서는, 도전성막 (51) 을 본체부 (50) 의 각 오목부 (50c) 내에 배치한 후에, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 시트상의 보호막 (58) 에 의해 도전성막 (51) 의 표면을 덮고, 이로써 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 접촉 지지부 (53) 를 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성을 갖는 본 구성예에 의하면, 상기 서술한 효과에 추가하여, 흡착 장치 (5B) 의 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 형성한 오목부 (50c) 내에 도전성막 (51) 을 배치하도록 한 점에서, 제조 공정의 간소화를 도모할 수 있다.
또한, 본 구성예에 있어서는, 본체부 (50) 상에 형성한 보호막 (58) 의 하방, 즉 접촉 지지부 (53) 의 영역에만 도전성막 (51) 을 배치하도록 한 점에서, 접촉 지지부 (53) 에 있어서 흡착력을 발생시키지 않게 할 수 있고, 이로써 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 접촉 부분에 있어서의 열 등에서 기인하는 마찰 저항을 낮출 수 있고, 또한 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 비접촉 부분에서는 흡착력을 높임으로써, 흡착 장치 (5B) 전체적으로 흡착력을 저하시키지 않고, 가스에 의한 어시스트 등의 열 전도 수단을 사용하여 흡착 장치 (5B) 전체와 기판 (10) 사이의 열 저항을 낮출 수 있다.
그 밖의 구성 및 작용 효과에 대해서는 상기 서술한 구성예와 동일하기 때문에, 그 상세한 설명은 생략한다.
도 6(a), (b) 는, 본 발명에 관련된 흡착 장치의 다른 구성예를 모식적으로 나타내는 단면 구성도이다. 이하, 상기 구성예와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 6(a), (b) 에 나타내는 바와 같이, 본 구성예의 흡착 장치 (5C) 는, 상기 서술한 흡착 장치 (5) 의 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에, 상기 서술한 도전성막 (51) 을 갖는 절연성의 시트 (55) (이하 「도전성막이 형성된 시트」라고 한다.) 가 형성되어 있는 것이다.
이 도전성막이 형성된 시트 (55) 는, 예를 들어 수지로 이루어지는 시트 기재 (56) 상에 상기 서술한 도전성막 (51) 이 형성되고, 또한, 예를 들어 수지로 이루어지는 보호 시트 (57) 에 의해 도전성막 (51) 이 덮여져 있다.
여기에서, 도전성막이 형성된 시트 (55) 는, 본체부 (50) 의 표면 (50a) 과 동등한 크기를 갖는 시트 기재 (56) 상에 복수의 도전성막 (51) 이 형성되고, 이로써 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 배치한 경우에 상기 서술한 접촉 지지부 (53) 가 되도록 형성되어 있다.
또, 도전성막이 형성된 시트 (55) 는, 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 배치한 경우에, 각 도전성막 (51) 이, 1 쌍의 흡착 전극 (11) 의 양극 (11a) 과 음극 (11b), 그리고 1 쌍의 흡착 전극 (12) 의 양극 (12a) 과 음극 (12b) 에 걸치도록 배치되도록 되어 있다.
또한, 본 구성예의 도전성막이 형성된 시트 (55) 는, 접착제에 의해 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 대해 접착되고, 또한 본체부 (50) 의 표면 (50a) 으로부터 박리할 수 있도록 자유롭게 착탈할 수 있게 구성되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 본 구성예에 의하면, 상기 서술한 효과에 추가하여, 본체부 (50) 의 표면 (50a) 에 대해 자유롭게 착탈할 수 있는 도전성막이 형성된 시트 (55) 를 갖는 점에서, 도전성막 (51) 의 교환을 용이하게 실시할 수 있고, 이로써 메인터넌스가 용이하고, 또한 여러 가지 흡착 대상물에 대응할 수 있는 범용성이 넓은 흡착 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 구성예에 있어서는, 본체부 (50) 상에 형성한 도전성막이 형성된 시트 (55) 에 의해 구성되는 접촉 지지부 (53) 내에만 도전성막 (51) 을 배치하도록 한 점에서, 접촉 지지부 (53) 에 있어서 흡착력을 발생시키지 않게 할 수 있고, 이로써 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 접촉 부분에 있어서의 열 등에서 기인하는 마찰 저항을 낮출 수 있고, 또한 본체부 (50) 와 기판 (10) 의 비접촉 부분에서는 흡착력을 높임으로써, 흡착 장치 (5C) 전체적으로 흡착력을 저하시키지 않고, 가스에 의한 어시스트 등의 열 전도 수단을 사용하여 흡착 장치 (5C) 전체와 기판 (10) 사이의 열 저항을 낮출 수 있다.
그 밖의 구성 및 작용 효과에 대해서는 상기 서술한 구성예와 동일하기 때문에, 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지의 변경을 실시할 수 있다.
예를 들어, 상기 실시형태에 기재한 흡착 전극 (11, 12), 도전성막 (51), 접촉 지지부 (53) 의 형상 및 수는 일례이며, 본 발명의 범위를 초과하지 않는 한, 여러 가지의 변경을 실시할 수 있다.
또한, 본 발명은 스퍼터링 장치뿐만 아니라, 예를 들어 증착 장치나 에칭 장치 등의 여러 가지 진공 처리 장치에 적용할 수 있다.
1 : 스퍼터링 장치 (진공 처리 장치)
2 : 진공조
3 : 타깃
4 : 스퍼터 전원
5 : 흡착 장치
10 : 기판 (흡착 대상물)
11, 12 : 흡착 전극
11a, 12a : 양극
11b, 12b : 음극
20A, 20B, 20C, 20D : 흡착 전원
50 : 본체부
50a : 표면
51 : 도전성막
52 : 보호부
53 : 접촉 지지부

Claims (6)

  1. 유전체 중에 흡착 대상물을 흡착 유지하기 위한 복수의 역극성의 1 쌍의 흡착 전극을 갖는 본체부와,
    상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극에 대해 상기 본체부의 흡착측의 부분에, 상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 걸치도록 배치된 복수의 도전성막을 갖는, 흡착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 도전성막이, 상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 대하여, 당해 1 쌍의 흡착 전극에 의해 발생하는 전계를 차폐하는 면적이 각각 균등해지도록 배치되어 있는, 흡착 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 본체부가, 그 흡착측의 표면에 형성되고 상기 흡착 대상물과 접촉하여 지지하는 볼록한 형상의 접촉 지지부를 갖고, 상기 도전성막이, 당해 접촉 지지부의 영역에만 배치되어 있는, 흡착 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 접촉 지지부가, 상기 본체부와 동일한 재료로 일체적으로 형성되어 있는, 흡착 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 도전성막을 절연성의 시트 내부에 형성한 도전성막이 형성된 시트를 갖고, 당해 도전성막이 형성된 시트는, 상기 본체부의 표면에 배치한 경우에 상기 접촉 지지부를 갖도록 형성되고, 또한, 상기 본체부에 대해 자유롭게 착탈할 수 있게 구성되어 있는, 흡착 장치.
  6. 진공조와,
    상기 진공조 내에 형성된 흡착 장치를 구비하고,
    상기 흡착 장치는, 유전체 중에 흡착 대상물을 흡착 유지하기 위한 복수의 역극성의 1 쌍의 흡착 전극을 갖는 본체부와, 상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극에 대해 상기 본체부의 흡착측의 부분에, 상기 복수의 1 쌍의 흡착 전극의 양극과 음극에 걸치도록 배치된 복수의 도전성막을 갖고,
    상기 흡착 장치에 의해 흡착 유지된 흡착 대상물에 대해 소정의 처리를 실시하도록 구성되어 있는, 진공 처리 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6511212B1 (ja) * 2017-11-10 2019-05-15 株式会社アルバック 真空装置、吸着装置、導電性薄膜製造方法
KR102661368B1 (ko) * 2018-12-07 2024-04-25 캐논 톡키 가부시키가이샤 정전척, 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP6935528B2 (ja) * 2020-03-02 2021-09-15 浜松ホトニクス株式会社 静電チャック装置用電源、静電チャック装置、及びデチャック制御方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000183146A (ja) 1998-12-18 2000-06-30 Ibiden Co Ltd 静電チャック
JP4082924B2 (ja) * 2002-04-16 2008-04-30 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着ホルダー及び基板処理装置
JP4010541B2 (ja) * 2002-06-18 2007-11-21 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US7092231B2 (en) 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5323317B2 (ja) * 2004-11-04 2013-10-23 株式会社アルバック 静電チャック方法
CN101326627B (zh) * 2005-12-06 2010-06-09 创意科技股份有限公司 静电卡盘用电极片以及静电卡盘
JP4890421B2 (ja) 2006-10-31 2012-03-07 太平洋セメント株式会社 静電チャック
JP2008251737A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法
US7944677B2 (en) 2007-09-11 2011-05-17 Canon Anelva Corporation Electrostatic chuck
JP5025576B2 (ja) * 2008-06-13 2012-09-12 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
JP5283699B2 (ja) 2008-07-08 2013-09-04 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
CN102449754B (zh) * 2009-05-15 2015-10-21 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US8861170B2 (en) * 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
JP5869899B2 (ja) * 2011-04-01 2016-02-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー

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