CN110088887B - 真空装置、吸附装置、导电性薄膜制造方法 - Google Patents

真空装置、吸附装置、导电性薄膜制造方法 Download PDF

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Abstract

一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。

Description

真空装置、吸附装置、导电性薄膜制造方法
技术领域
本发明涉及真空装置，特别地涉及在真空装置中使用的吸附装置。
背景技术
为了使大型基板水平地配置于吸附装置并吸附而在热传导率高的状态下在大型基板的表面形成薄膜，存在使用使吸附装置的电极接触于大型基板的背面而向电极施加高电压来吸附大型基板的吸附装置的技术，为了吸附在表面形成导电体薄膜的大型基板而使用发生静电力(也称为静电吸附力)的吸附装置，为了吸附由电介质构成的大型基板而使用发生梯度力的静电吸附装置。
液晶显示装置等显示装置大型化，伴随此，显示装置的基板逐年大型化，使薄膜在变为水平的基板生长的真空装置的设置面积变得太大，因此，在近年，使用使配置为水平的基板在真空环境内吸附于吸附装置并使吸附装置直立由此使基板直立而使薄膜在基板生长的真空装置。
然而，当通过梯度力吸附电介质基板来使金属薄膜生长时，观察到梯度力变弱的现象，因此，指出了通过梯度力而直立的电介质基板从吸附装置剥离或由于其自重而压曲由此一部分剥离的担忧。
因此，存在例如利用粘接剂使大型基板的背面贴附于保持用板并使大型基板竖立设置而在其表面形成薄膜的技术，但是，由于使用粘接剂，存在大型基板的温度的上限是低温而不能使薄膜的生长速度变快这样的问题。
在近年，不能自立的大型的电介质基板增加，当从吸附装置脱落时发生裂纹、破裂，因此，需要维持变为大致铅直的大型基板的背面的保持的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-153543号公报
专利文献2：WO2010/024146号公报
专利文献3：WO2016/167233号公报。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述以往技术的不妥而创作的发明，其要解决的课题在于，提供能够使基板竖立设置而形成导电性薄膜的技术。
用于解决课题的方案
对本发明的吸附原理进行说明。
在图6(a)中示出了在吸附板114a上以狭小宽度狭小间隔形成的正负电极131、141间以高密度形成较大弯曲的电气力线100a的情况，在图6(b)中示出了在吸附板114b上长大宽度长大间隔的正负电极132、142间以低密度形成弯曲的程度较小的电气力线100b的情况。
正负电极131、141间的电气力线的密度较高，弯曲也较大，因此，利用在狭小宽度狭小间隔的正负电极131、141发生的梯度力来吸附电介质的吸附对象物108。
对此，在图6(c)中示出了在图6(a)的正负电极131、141上配置形成导电性薄膜109的电介质的吸附对象物108的情况，在图6(d)中示出了在图6(b)的正负电极132、142上配置形成导电性薄膜109的电介质的吸附对象物108的情况。
在图6(c)的狭小宽度狭小间隔的正负电极131、141间形成的电气力线100a的总数比在图6（d）的长大宽度长大间隔的正负电极132、142间形成的电气力线100b更多，关于电极面积，图6(d)的正负电极132、142更大，因此，在图6(d)的长大宽度长大间隔的正负电极132、142和导电性薄膜109之间形成的电气力线101b比在图6(c)的狭小宽度狭小间隔的正负电极131、141和导电性薄膜109之间形成的电气力线101a更多，可知将图6(d)的正负电极132、142的静电力作为支配的力来吸附形成导电性薄膜109的电介质的吸附对象物108。
为了解决上述课题而完成的本发明是一种真空装置，具有：真空槽；以及配置在所述真空槽的内部的吸附装置，所述吸附装置具有：吸附板；作为所述吸附板的单面的吸附面；在所述吸附面上设置的第一区域中彼此分开地配置的第一正电极和第一负电极；以及在所述吸附面上在与所述第一区域分开的场所设置的第二区域中彼此分开地配置的第二正电极和第二负电极，其中，设置有：旋转装置，使所述吸附装置旋转，使所述吸附装置为竖立设置的竖立设置姿势和横向设置的横向设置姿势；薄膜形成装置，在与所述吸附装置一起变为竖立设置姿势的所述吸附对象物形成导电性薄膜；以及吸附电源，向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加第一吸附电压，利用梯度力吸附在所述吸附装置配置的吸附对象物的电介质，向所述第二正电极和所述第二负电极之间施加比所述第一吸附电压低电压的第二吸附电压，利用静电吸附力吸附在所述吸附对象物形成的所述导电性薄膜，当所述吸附装置变为竖立设置姿势时，所述第一区域变成位于所述第二区域的上方，所述吸附电源和所述旋转装置被构成为能够一边向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加所述第一吸附电压一边使所述吸附装置从横向设置姿势变为竖立设置姿势。
本发明是真空装置，其中，所述吸附装置具有与所述吸附板的一边平行地设置的旋转轴，所述旋转装置使所述吸附装置以所述旋转轴为中心旋转。
本发明是真空装置，其中，所述第一正电极的侧面和所述第一负电极的侧面以第一距离分开，所述第二正电极的侧面和所述第二负电极的侧面以比所述第一距离长的第二距离分开。
本发明是真空装置，其中，所述第一正电极的宽度和所述第一负电极的宽度被形成为比所述第二正电极的宽度和所述第二负电极的宽度小。
本发明是真空装置，其中，关于所述薄膜形成装置，配置有与所述吸附装置一起变为竖立设置姿势的所述吸附对象物面对的导电性的溅射靶，当所述溅射靶被溅射时，使所述导电性薄膜生长。
本发明是真空装置，其中，设置包围所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极的环状形状的环状电极，向所述环状电极施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同值的电压。
本发明是一种真空装置，是具有将热介质气体供给到所述吸附装置的热介质气体供给装置的真空装置，其中，在所述吸附装置的所述吸附面上设置有在所述吸附装置的表面露出的保护膜，在所述保护膜形成有由槽构成的气体用槽、在所述环状电极的正上位置形成并且上端比所述气体用槽的底面高的环状突条、位于所述气体用槽和所述气体用槽之间并且上端比所述气体用槽的底面高的支承突起、以及连接到所述气体用槽并且向所述气体用槽导入所述热介质气体的气体导入孔，在所述真空槽设置有检测所述热介质气体的检测装置。
本发明是真空装置，其中，在所述第一区域配置有被施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同的电压的辅助电极。
本发明是真空装置，其中，所述辅助电极被所述环状电极包围。
本发明是真空装置，其中，在所述第二区域设置有侧面以所述第一距离彼此分开的第三正电极和第三负电极，所述吸附电源向所述第三正电极和所述第三负电极之间施加与所述第一吸附电压相同值的第三吸附电压。
本发明是真空装置，其中，所述第三正电极和所述第三负电极被所述环状电极包围。
本发明是一种吸附装置，其中，具有：吸附板；以及作为所述吸附板的单面的吸附面，在所述吸附面设置有在所述吸附板变为竖立设置姿势时位于上方的第一区域和位于所述第一区域的下方的第二区域，在所述第一区域设置有彼此分开地配置的第一正电极和第一负电极，在所述第二区域设置有彼此分开地配置的第二正电极和第二负电极，向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加利用梯度力吸附遍及所述第一区域上和所述第二区域上配置的吸附对象物的电介质的第一吸附电压，向所述第二正电极和所述第二负电极之间施加比所述第一吸附电压低电压并且利用静电吸附力吸附在所述吸附对象物形成的导电性薄膜的第二吸附电压。
本发明是吸附装置，其中，具有与所述吸附板的一边平行地设置的旋转轴，以所述旋转轴为中心旋转，在竖立设置的竖立设置姿势和横向设置的横向设置姿势下静止。
本发明是吸附装置，其中，所述第一正电极的侧面和所述第一负电极的侧面以第一距离分开，所述第二正电极的侧面和所述第二负电极的侧面以比所述第一距离长的第二距离分开。
本发明是吸附装置，其中，设置包围所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极的环状形状的环状电极，向所述环状电极施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同值的电压。
本发明是吸附装置，其中，在所述吸附装置的所述吸附面上设置有在所述吸附装置的表面露出的保护膜。
本发明是吸附装置，其中，在所述保护膜形成有由槽构成的气体用槽、在所述环状电极的正上位置形成并且上端比所述气体用槽的底面高的环状突条、位于所述气体用槽和所述气体用槽之间并且上端比所述气体用槽的底面高的支承突起、以及连接到所述气体用槽并且向所述气体用槽导入热介质气体的气体导入孔。
本发明是吸附装置，其中，在所述第一区域配置有被施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同的电压的辅助电极。
本发明是吸附装置，其中，所述辅助电极被所述环状电极包围。
本发明是吸附装置，其中，在所述第二区域设置有侧面以所述第一距离彼此分开的第三正电极和第三负电极。
本发明是吸附装置，其中，所述第三正电极和所述第三负电极被所述环状电极包围。
本发明是一种导电性薄膜制造方法，在真空环境中在横向设置姿势的吸附装置配置电介质的吸附对象物，使所述吸附对象物为竖立设置姿势，在所述吸附对象物的表面使导电性薄膜生长，其中，一边向在所述吸附装置的吸附板的第一区域设置的第一正电极和第一负电极之间施加发生梯度力的第一吸附电压的大小的电压来吸附电介质的所述吸附对象物，一边使所述吸附装置旋转，使所述吸附对象物和所述吸附装置一起变为竖立设置姿势，向在位于所述第一区域的下方的第二区域设置的第二正电极和第二负电极之间施加发生静电力的第二吸附电压，使所述吸附装置吸附生长中的所述导电性薄膜。
本发明是导电性薄膜制造方法，其中，向变为竖立设置姿势的所述吸附装置的所述第一正电极和所述第一负电极之间，施加在变为竖立设置姿势的所述吸附对象物的所述导电性薄膜和所述第二正电极之间、以及所述导电性薄膜和所述第二负电极之间发生静电吸附力的第二吸附电压，利用所述第二正负电极吸附所述导电性薄膜，之后，减小向所述第一正负电极之间施加的电压。
本发明是导电性薄膜制造方法，其中，在减小向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加的电压之后，从所述吸附装置的气体导入孔向分别变为竖立设置姿势的所述吸附对象物和所述吸附装置之间导入热介质气体，检测所述真空环境中的热介质气体。
本发明是导电性薄膜制造方法，其中，溅射面对变为竖立设置姿势的所述吸附对象物的溅射靶，使所述导电性薄膜生长。
本发明是导电性薄膜制造方法，其中，使在开始所述热介质气体的导入之后供给到所述溅射靶的电力比从所述气体导入孔开始所述热介质气体的导入之前供给到所述溅射靶的电力大。
本发明是导电性薄膜制造方法，其中，一边向包围所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极的环状电极施加与所述第二正电极或所述第二负电极之中的任一个电极相同值的电压，利用静电力在所述环状电极吸附所述导电性薄膜，向所述环状电极上配置的环状突条按压所述吸附对象物，一边从在被所述环状突条包围的区域内配置的所述气体导入孔导入所述热介质气体。
本发明是导电性薄膜制造方法，其中，在向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加所述第一吸附电压时，向在所述第二区域设置的第三正电极和第三负电极之间施加所述第一吸附电压。
本发明是导电性薄膜制造方法，其中，在向所述第二正电极和所述第二负电极施加所述第二吸附电压时，向在所述第一区域设置的辅助电极与所述第二正电极或所述第二负电极之中的任一个电极之间施加所述第二吸附电压。
发明效果
即使在吸附对象物使导电性薄膜生长，也能够持续吸附吸附对象物，因此，不会在吸附对象物发生破片、裂缝。
由于没有与吸附对象物的表面接触的装置，所以没有表面的污染。
由于向吸附对象物和吸附装置之间导入热介质气体，所以热传导率变大。
由于在导入时向包围第一、第二正负电极的环状电极与第二正电极或第二负电极之间施加第二吸附电压并且向环状电极上的环状突条按压吸附对象物，所以导入到吸附对象物和吸附装置之间的热介质气体的流出量变少。
如果由于热介质气体的导入而使热导电率增大，则能够使对溅射靶进行溅射的电力比热介质气体的导入前大。
由于在不向第一正负电极之间、第三正负电极之间施加高电压后导入热介质气体，所以不会发生放电。
由于在第二正负电极和导电性薄膜之间发生静电力后减小施加到第一正负电极的电压，所以在梯度力消失前利用静电力吸附导电性薄膜，吸附对象物不会落下。
附图说明
图1是用于说明横向设置姿势的吸附板的图；
图2是用于说明竖立设置姿势的吸附板的图；
图3是用于说明吸附到横向设置姿势的吸附板的吸附对象物的图；
图4是用于说明吸附到竖立设置姿势的吸附板的吸附对象物的图；
图5的(a)：用于说明吸附板表面的电极图案的图，(b)：其A-A线截断截面图；
图6的(a)～(d)：用于比较利用梯度力进行吸附的电极和利用静电力进行吸附的电极的图；
图7是示出具有双重螺旋状的图案的第一正负电极的图；
图8是示出具有呈同心状交替地配置的图案的第一正负电极的图；
图9是第一正负电极之间未被第一正或负电极包围的吸附装置的例，(a)：平面图，(b)：B-B线截断截面图；
图10是用于说明第二例的吸附装置处于横向设置姿势的第二例的真空装置的内部的图；
图11是用于说明第二例的吸附装置处于竖立设置姿势的第二例的真空装置的内部的图；
图12是用于说明配置吸附对象物的横向设置姿势的第二例的吸附装置存在的第二例的真空装置的内部的图；
图13是用于说明吸附对象物被吸附的竖立设置姿势的第二例的吸附装置存在的第二例的真空装置的内部的图；
图14是用于说明吸附导电性薄膜生长中的吸附对象物的竖立设置姿势的第二例的吸附装置存在的第二例的真空装置的内部的图；
图15示出第二例的吸附装置的电极，(a):平面图，(b)：C-C线截断截面图，(c)：E-E线截断截面图；
图16示出第二例的吸附装置的气体用槽、环状突条和电极的相对位置的关系，(a):平面图，(b)：图15(a)的C-C线截断截面图，(c)：图15(a)的E-E线截断截面图；
图17示出第二例的吸附装置的气体用槽和环状突条，(a):平面图，(b)：图15(a)的C-C线截断截面图，(c)：图15(a)的E-E线截断截面图；
图18示出具有辅助电极和环状电极并且不具有第三正负电极的吸附装置的电极，(a):平面图，(b)：F-F线截断截面图，(c)：G-G线截断截面图；
图19示出环状电极和第二正负电极被分离的吸附装置的电极，(a):平面图，(b)：H-H线截断截面图，(c)：I-I线截断截面图。
具体实施方式
本发明是为了解决上述以往技术的不妥而创作的，在于提供能够使导电膜在电介质基板稳定地生长的技术。
图1的符号2示出本发明的真空装置，具有真空槽11、吸附装置12和靶装置13。
在真空槽11的外部配置有电机等旋转装置26和溅射电源23。
靶装置13具有被溅射的溅射靶17和安装溅射靶17的阴极电极16，阴极电极16连接到溅射电源23。
吸附装置12具有长方形或正方形形状的吸附板14和设置在吸附板14的一边的棒状的旋转轴15，旋转轴15连接到旋转装置26，当旋转装置26工作时旋转轴15旋转。利用该旋转，以通过旋转轴15的截面中心并且与旋转轴15的长尺寸方向平行的旋转轴线10为中心，吸附装置12绕旋转轴线10而旋转。
靶装置13以溅射靶17的被溅射的表面变为大致铅直的方式设置在真空槽11的侧壁。符号19示出作为被溅射的表面的溅射面。溅射靶17是导电性物质，在此由成形为板状的金属构成，在溅射面19露出构成溅射靶17的金属。
在吸附装置12旋转时，吸附板14能够在作为吸附板14的单侧的表面的吸附面18朝向上方而成为大致水平的横向设置姿势、以及吸附面18成为大致铅直而面对溅射靶17的竖立设置姿势之中的至少任一个姿势下静止。
在图1中示出了吸附板14变为横向设置姿势的样子，在图2中示出了吸附板14变为竖立设置姿势的样子。从吸附面18为铅直的状态倾斜了±10度不足的角度θ的姿势也包括在竖立设置姿势中。此外，从吸附面18为水平的姿势倾斜了规定角度的姿势也包括在横向设置姿势中。
图5(a)是吸附面18的平面图，在吸附面18设置有第一区域21、以及与第一区域21分开的第二区域22。
图5(a)是吸附面18的平面图，图5(b)是其A-A线截断截面图。如该图5(a)、(b)所示，在第一区域21配置有第一正电极31和第一负电极41，在第二区域22配置有第二正电极32和第二负电极42。
第一正电极31、第一负电极41、第二正电极32和第二负电极42被构成为使在吸附面18上配置的多个细长的导电材料形成为梳子的齿状，第一正电极31和第一负电极41交替配置，第二正电极32和第二负电极42交替配置。
然后，第一正电极31的侧面和第一负电极41的侧面以第一距离D1分开而平行配置，同样，第二正电极32的侧面和第二负电极42的侧面以比第一距离D1长的第二距离D2分开而配置。
第一正电极31的宽度P1和第一负电极41的宽度M1被形成为比第二正电极32的宽度P2短并且比第二负电极42的宽度M2短。
在真空槽11的外部配置有吸附电源24。真空槽11连接到接地电位，由吸附电源24向多个第一正电极31施加相同大小的正电压。此外，在第二正电极32存在多个的情况下，施加相同大小且比第一正电极31小的值的正电压。在以下将绝对值和极性相等表现为“相同值”。
同样，向多个第一负电极41施加相同大小的负电压，向第二负电极42施加相同大小且比施加到第一负电极41的负电压的绝对值小的绝对值的负电压。
以第一负电极41为基准的第一正电极31和第一负电极41之间的电压即第一吸附电压为比以第二负电极42基准的第二正电极32和第二负电极42之间的电压即第二吸附电压大的值。
根据该吸附电压的大小的大小和第一、第二距离D1、D2的大小，第一正电极31和第一负电极41之间形成的电气力线的弯曲率比第二正电极32和第二负电极42之间形成的电气力线的弯曲率大，在第一正电极31和第一负电极41之间形成不均匀电场。因此，将在第一正电极31和第一负电极41之间形成的电气力线中配置电介质时与在第二正电极32和第二负电极42之间形成的电气力线中配置电介质时进行比较时，在第一正电极31和第一负电极41之间形成的电气力线中配置电介质时的发生的梯度力更大，因此，更强地吸附。
接着，在第一正负电极31、41和第二正负电极32、42上，配置吸附对象物，当将第一正负电极31、41的表面和第二正负电极32、42的表面之中的、彼此邻接的细长的第一正负电极31、41面对吸附对象物的部分的表面和彼此邻接的细长的第二正负电极32、42面对吸附对象物的部分的表面作为电极表面时，第二区域22中的每单位面积的电极表面的面积(单位面积中的第二正电极的电极表面的面积和第二负电极的电极表面的面积的合计值)比第一区域21中的每单位面积的电极表面的面积(单位面积中的第一正电极的电极表面的面积和第一负电极的电极表面的面积的合计值)大，因此，在第一正负电极31、41和第二正负电极32、42上配置的吸附对象物设置导电性薄膜时，在第二正负电极32、42和导电性薄膜之间形成的电气力线的数量比在第一正负电极31、41和导电性薄膜之间形成的电气力线的数量多，因此，在第二正负电极32、42和吸附对象物之间发生的静电力(也称为库仑力)所造成的吸附力比在第一正负电极31、41和吸附对象物之间发生的静电力所造成的吸附力大。
真空排气装置27连接到真空槽11，通过真空排气装置27对真空槽11的内部进行真空排气，形成真空环境。
在图3中，一边维持真空槽11中的真空环境，一边遍及横向设置姿势的吸附板14的第一正负电极31、41和第二正负电极32、42配置由电介质的板构成的吸附对象物8。吸附对象物8例如是玻璃基板。
在该吸附对象物8的表面形成导电性薄膜时，首先，当向第一正负电极31、41之间施加第一吸附电压并且向第二正负电极32、42之间施加第二吸附电压时，在第一正负电极31、41之间发生大的梯度力，吸附对象物8被吸附到第一正负电极31、41。
在该状态下通过旋转装置26使吸附装置12旋转约90度，吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势。此时，第一区域21位于第二区域22的上方，因此，吸附对象物8一边乘于吸附板14上，一边被第一区域21内的第一正负电极31、41悬吊，吸附对象物8不会从吸附板14脱落，吸附板14的姿势从横向设置姿势变更为竖立设置姿势。
即使有时变为竖立设置姿势的吸附对象物8一边与吸附装置12接触一边移动到下方，由于在吸附板14的下端设置有从吸附面18突出的阻挡物20，所以吸附对象物8乘于阻挡物20上，不会从吸附板14脱落。
如图4所示，在吸附板14为竖立设置姿势时，吸附对象物8面对溅射靶17，从气体导入装置25导入稀有气体等溅射气体，由溅射电源23向阴极电极16施加电压而对溅射靶17进行溅射时，在吸附对象物8的面对溅射靶17的表面开始导电性薄膜的生长。
当生长的导电性薄膜的膜厚增加时，第一正负电极31、41间的梯度力减小，并且第二正负电极32、42之间的静电力增大，吸附对象物8变为被静电力吸附到吸附板14的状态。
此时，吸附对象物8的四边之中的相对于旋转轴线10垂直的方向的边之中的面对第一区域21的部分的长度变为面对第二区域22的部分的长度的四分之一不足的比例，吸附对象物8为铅直或倾斜规定的角度θ朝向斜上方的竖立设置姿势，在该姿势下吸附对象物8的面对第二区域22的部分通过第二正负电极32、42所产生的静电力吸附到吸附板14，因此，即使吸附对象物8的上部的面对第一区域21的部分不被吸附到吸附板14，面对第一区域21的部分也不会向下方垂下。
通过正电压和负电压分别被施加的第二正负电极32、42和吸附对象物8表面的导电性薄膜之间的静电吸附，吸附对象物8被吸附到吸附板14而保持，之后，停止向第一正负电极31、41的电压施加。
在通过第二正负电极32、42所产生的静电吸附而吸附到吸附板14的状态下使导电性薄膜生长，在形成了规定的膜厚的导电性薄膜之后，从竖立设置姿势变为横向设置姿势，形成有导电性薄膜的吸附对象物8被搬出到真空槽11的外部。
在上述例中，一边在水平姿势的吸附板14上配置未形成导电性薄膜的电介质的吸附对象物8，向第一正负电极31、41和第二正负电极32、42两方施加电压，一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，但是，也可以一边仅向第一正负电极31、41施加第一电压一边从横向设置姿势变为竖立设置姿势。
此外，既可以在变为竖立设置姿势后立即向第二正负电极32、42施加第二电压，也可以在开始导电性薄膜的形成并且开始第一正负电极31、41的梯度力的减小后向第二正负电极32、42施加第二电压。
再有，在第一正负电极31、41的图案如上述那样为梳子状的情况下，在梳子的柄的部分中，磁力线的密度比梳子的齿的部分低，磁力线的密度不均匀，因此，在向第一正负电极31、41间施加高电压的情况下，存在产生放电而使吸附装置12故障的担忧。
为了使梳子的柄的部分消失而能够施加高电压，例如，如图7所示，可以呈双重螺旋状配置第一正负电极31a、41a，使磁力线以均匀的密度形成。
此外，如图8所示，在呈同心状交替地配置第一正负电极31b、41b的图案的情况下也以均匀的密度形成磁力线，因此，不会发生放电而能够施加高电压。在同心状的图案的情况下，设置在吸附板14的厚度方向贯通的贯通布线，通过贯通布线将背面侧的端子和表面侧的第一正负电极31b、41b电气地连接。
能够在上述第一正电极31、31a、31b和第一负电极41、41a、41b之间的位置形成槽，使温度控制用的热介质气体在槽中流动。例如，可以形成宽度400μm、深度400μm的槽。
在该情况下，在图8的第一正负电极31b、41b的图案的情况下，当吸附对象物8紧贴于吸附装置12时，第一正电极31b和第一负电极41b之间的空间的上部被盖上，由此，第一正负电极31b、41b间的空间与由吸附对象物8和吸附装置12所形成的空间的外部遮断。也就是说，当向第一正负电极31b、41b之间的空间供给热介质气体时，供给的热介质气体变得难以从第一正负电极31b、41b之间漏出到真空槽11的内部环境，第一正负电极31b、41b之间的空间的压力上升，因此，热传导率变大。
图8的第一正负电极31b、41b之间的空间被第一正电极31b或第一负电极41b之中的位于最外周的电极包围，但是，即使第一正电极31c和第一负电极41c之间的空间不被第一正电极31c或第一负电极41c中的任一个电极包围，只要如图9(a)、(b)所示的吸附装置12c那样，利用被施加与第二正电极32c或第二负电极42c之中的任一个相同电压的环状形状的环状电极52c包围第一正负电极31c、41c之间的空间，使热介质气体不流出即可。
图9(a)、(b)的环状电极52c与第二负电极42c接触，被施加与第二负电极42c相同的电压。
在第一正电极31c和第一负电极41c之间形成气体用槽26c，环状电极52c包围第一正负电极31c、41c。因此，第一正负电极31c、41c间的气体用槽26c也被环状电极52c包围。
在向第二正负电极32c、42c施加使得在第二正负电极32c、42c和导电性薄膜之间发生静电力的第二吸附电压时，也向环状电极52c和第二正电极32c之间施加第二吸附电压，发生静电力。在该例中环状电极52c和第二负电极42c接触，可看作一体。
当配置的吸附对象物8通过静电力而吸附到第二正负电极32c、42c和环状电极52c时，吸附对象物8和吸附装置12c紧贴，第一正负电极31c、41c间的空间被吸附对象物8和环状电极52c闭塞。
当在该状态下从在吸附板14形成的贯通孔向第一正负电极31c、41c之间导入热介质气体时，从吸附对象物8和吸附装置12c之间流出到真空槽11的内部环境的热介质气体变少，在吸附对象物8和吸附板14之间充满热介质气体，因此，吸附对象物8和吸附板14之间的热传导率提高。
在该情况下，在吸附板14的内部设置流动热介质液的流路46，使温度控制的热介质液在流路46中流动时，能够进行吸附对象物8的温度控制。例如当使冷却的热介质液在流路46中流动时，能够冷却吸附对象物8。
再有，在图9(a)、(b)中，符号32c示出第二正电极，符号42c示出第二负电极，但是，也可以将符号32c示出的电极作为第二负电极，将符号42c示出的电极作为第二正电极，利用第二正电极42c包围第一正负电极31c、41c。
该吸附装置12c以第一区域21c位于第二区域22c的上部的方式从横向设置姿势变为竖立设置姿势，在竖立设置姿势下第一正负电极31c、41c位于第二正负电极32c、42c的上方。
当在横向设置姿势的吸附装置12c配置在表面未形成导电性的薄膜的吸附对象物8时，向第一正负电极31c、41c间施加作为高电压的第一吸附电压，利用在第一正负电极31c、41c间形成的不均匀电场，吸附对象物8的电介质的部分通过梯度力而吸附到第一正负电极31c、41c。当在该状态下吸附装置12c旋转时，被吸附的吸附对象物8与吸附装置12c一起从横向设置姿势变为竖立设置姿势。
与上述吸附装置12c同样，吸附对象物8的上部通过梯度力而吸附到第一正负电极31c、41c，因此，变为竖立设置姿势的吸附对象物8的上部不会垂下。
当在竖立设置姿势的吸附对象物8的表面形成导电性薄膜时，向第二正负电极32c、42c之间施加使得在第二正负电极32c、42c和导电性薄膜之间发生静电力的第二吸附电压，导电性薄膜被吸附到第二正负电极32c、42c。
此时，环状电极52c位于吸附对象物8之中的位于第一正负电极31c、41c的上部的上端附近，向环状电极52c和第二正电极32c之间也施加第二吸附电压，吸附对象物8的上端被静电吸附。
因此，即使施加到第一正负电极31c、41c的电压变小，梯度力消失，吸附对象物8的电介质变为不被第一正负电极31c、41c吸附的状态，吸附对象物8的上端也不会垂下。
在图5的吸附装置12中，在利用第二正负电极32、42静电吸附并保持吸附对象物8之后，停止向第一正负电极31、41的电压施加，但是，也可以不停止向第一正负电极31、41的电压施加而使施加电压变小。还可以向第一正负电极31、41施加不会发生异常放电的范围的大小的电压，使得在第一正负电极31、41和导电性薄膜之间发生静电力。
在该情况下，在第一区域21中也发生吸附力，在竖立设置姿势的吸附对象物8的上方位置也吸附到吸附板14，因此，吸附对象物8和吸附板14之间的热导电性提高。
在上述例中，旋转轴线10通过旋转轴15中心，在竖立设置姿势下，旋转轴线10和旋转轴15位于第一、第二区域21、22的下方，但是，关于本发明的吸附装置12、12c，只要第一区域21、21c以位于第二区域22、22c的上方的方式变为竖立设置姿势，则旋转轴线10和旋转轴15也可以位于吸附装置12、12c的上方。
接着，说明本发明的其他例。
当将使用图1～图9说明的真空装置2和吸附装置12、12c作为第一例时，图10的符号3示出本发明的第二例的真空装置，符号212示出第二例的吸附装置。在图10和后述的图11～图19的说明中，对与图1、2的真空装置2相同的构件标注相同符号而省略说明。再有，第一例和第二例的真空装置2、3具有形成导电性薄膜的薄膜形成装置，作为其例，将磁控溅射装置作为薄膜形成装置来说明。在阴极电极16的背面配置磁控磁石，但是省略磁控磁石。
第二例的吸附装置212具有包括长方形形状或正方形形状的四边形状的吸附板214、以及设置在吸附板214的一边的棒状的旋转轴215，旋转轴215连接到旋转装置26，当旋转装置26工作时旋转轴215旋转。
该旋转是以通过旋转轴215的截面中心并且与旋转轴215的长尺寸方向平行的旋转轴线210为中心的旋转，通过旋转轴215的旋转，吸附装置212以旋转轴线210为中心旋转。
在此，吸附装置212旋转了360度不足的规定角度，通过旋转，吸附装置212能够在吸附板214为水平的横向设置姿势和吸附板214成为接近于铅直的角度的竖立设置姿势之间改变姿势并静止。
当使吸附板214的表面为吸附面218时，在横向设置姿势下，吸附板214以吸附面218朝向上方的方式变为大致水平，在竖立设置姿势下，吸附板214以吸附面218朝向斜上方的方式静止。
在图10中示出了变为横向设置姿势的吸附装置212，在图11中示出了变为竖立设置姿势的吸附装置212。从吸附面218为铅直的状态倾斜了±10度不足的角度θ的姿势也包括在竖立设置姿势中。此外，从吸附面218为水平的姿势倾斜了规定角度的姿势也包括在横向设置姿势中。第二例的吸附装置212在这些点处也与第一例的吸附装置12、12c相同。
在第一例的吸附装置12、12c中，第一正负电极31、31a、31b、31c、41、41a、41b、41c的表面和第二正负电极32、32c、42、42c的表面露出，处理对象物8与各电极31、31a、31b、31c、41、41a、41b、41c、32、32c、42、42c的上端接触，但是，在第二例的吸附装置212的吸附面218上设置电介质的保护膜224，保护膜224的表面228露出。
图16(a)是第二例的吸附装置212的平面图，在图16(a)中，用虚线示出了位于保护膜224的下层并且形成在吸附板214上的电极。
图15(b)、图16(b)、图17(b)是图15(a)的吸附装置212的C-C线截断截面图，图15(c)、图16(c)、图17(c)是图15(a)的吸附装置212的E-E线截断截面图。符号224示出保护膜。
图17(a)是省略了示出电极的虚线的平面图，省略了保护膜224和位于保护膜224的下层的构件。
一边参照这些附图一边说明第二例的吸附装置212和第二例的真空装置3。在吸附面218上设置有在吸附装置212变为竖立设置姿势时位于吸附装置212的上部的第一区域221、以及在竖立设置姿势时位于第一区域221的下方的第二区域222。
在第一区域221的吸附面218上设置第一正电极231a、231b、第一负电极241a、241b和辅助电极262，在第二区域222的吸附面218上设置第二正电极232和第二负电极242。
在此，第一正电极231a、231b具有彼此分离的左方的第一正电极231a和右方的第一正电极231b，此外，第一负电极241a、241b也具有彼此分离的左方的第一负电极241a和右方的第一负电极241b。
第一正电极231a、231b和第一负电极241a、241b被构成为使在吸附面218上配置的多个细长的导电材料形成为梳子的齿状，构成左方的第一正电极231a的梳子的齿状的部分和构成左方的第一负电极241a的梳子的齿状的部分以一定间隔交替配置，同样，右方的第一正电极231b的梳子的齿状的部分和右方的第一负电极241b的梳子的齿状的部分也以与左方相同的一定间隔交替配置。
辅助电极262被配置在第一区域221中并且左方的第一正负电极231a、241a和右方的第一正负电极231b、241b之间的场所。在配置有吸附对象物8的吸附装置212中，在为横向设置姿势时和从横向设置姿势变为竖立设置姿势时，吸附对象物8的上部的部分面对第一正负电极231a、241a、231b、241b和辅助电极262。
第二正电极232和第二负电极242宽度广地形成，而不是梳子的齿的形状，使得电极面积变大，在吸附对象物8形成导电性薄膜时，发生低电压且大的静电力。
在第二区域222之中的与第一区域221邻接的场所配置第二正电极232或负电极，在吸附对象物8形成了导电性薄膜时，在竖立设置姿势的吸附对象物8的尽可能上方位置在第二正电极232或负电极和吸附对象物8之间发生静电力，在该例中，在第二区域222中的与第一区域221分开而面对竖立设置姿势的吸附对象物8的下部的位置配置相对于与第一区域221邻接的第二正电极232或第二负电极242极性相反的第二正电极232或第二负电极242。
在此，在第二正电极232之中的与第一正负电极231a、241a、231b、241b邻接的邻接部分与使吸附装置212变为竖立设置姿势时位于邻接部分的下方的第二负电极242之间，配置第三正电极233a、233b和第三负电极243a、243b。
第三正电极233a、233b和第三负电极243a、243b与第一正负电极231a、231b、241a、241b相同，被构成为使在吸附面218上配置的多个细长的导电材料形成为梳子的齿状，左方的第三正电极233a的梳子的齿状的部分和左方的第三负电极243a的梳子的齿状的部分以与第一正负电极231a、231b、241a、241b相同的一定间隔交替配置，此外，右方的第三正电极233b的梳子的齿状的部分和右方的第三负电极243b的梳子的齿状的部分也以与第一正负电极231a、231b、241a、241b相同的一定间隔交替配置。
第一正负电极231a、231b、241a、241b的梳子的齿状的部分和第三正负电极233a、233b、243a、243b的梳子的齿状的部分的宽度相等。
在吸附板214的缘附近的表面设置有作为环状的电极的环状电极252。环状电极252在吸附板214的缘附近与缘平行地延伸，第一区域221和第二区域222配置在环状电极252的内侧，被环状电极252包围。
因此，第一正负电极231a、231b、241a、241b、第二正负电极232、242、第三正负电极233a、233b、243a、243b和辅助电极262被环状电极252包围。
与第一例的吸附装置12、12c同样，第一正电极231a、231b的侧面和第一负电极241a、241b的侧面以第一距离D1分开而平行地配置，第二正电极232的侧面和第二负电极242的侧面以比第一距离D1长的第二距离(最短的部分的距离)分开而配置。
第一正电极231a、231b的宽度P1和第一负电极241a、241b的宽度M1被形成为比第二正电极232的宽度(第二正电极的最窄的部分的宽度)短并且比第二负电极242的宽度(第二负电极的最窄的部分的宽度)短，在这一点处也与第一例的吸附装置12、12c相同。
此外，第三正电极233a、233b的侧面和第三负电极243a、243b的侧面以与第一距离D1大小相等的第三距离D3分开而平行地配置，如上述那样，第三正电极233a、233b的宽度P3和第三负电极243a、243b的宽度M3分别与第一正负电极231a、231b、241a、241b的宽度P1、M1相等。
第一距离D1和第三距离D3比第二距离短。
真空槽11连接到接地电位，由配置在真空槽11的外部的吸附电源24向第一正电极231a、231b和第三正电极233a、233b施加大小相等的电压，向第一负电极241a、241b和第三负电极243a、243b也施加大小相等的电压。
在此，向第一正电极231a、231b和第三正电极233a、233b施加相同值的正电压，向第一负电极241a、241b和第三负电极243a、243b施加相同值的负电压。特别地，关于施加到第一正电极231a、231b和第三正电极233a、233b的电压和施加到第一负电极241a、241b和第三负电极243a、243b的电压，施加了绝对值相同且极性不同的电压。
此外，向第二正电极232和第二负电极242施加绝对值相同且极性不同的电压。向第二正电极232施加正电压，向第二负电极242施加负电压。
在此，辅助电极262与第二正电极232接触，向辅助电极262施加与第二正电极232相同极性且相同大小的电压。
将施加到第一正电极231a、231b和第一负电极241a、241b之间的正电压作为第一吸附电压、将施加到第二正电极232和第二负电极242之间的正电压作为第二吸附电压、将施加到第三正电极233a、233b和第三负电极243a、243b之间的正电压作为第三吸附电压时，第一吸附电压和第三吸附电压为相等的大小，第一、第三吸附电压比第二吸附电压大。
在第一正负电极231a、231b、241a、241b间和第三正负电极233a、233b、243a、243b间形成的电场的强度和电气力线的弯曲率比在第二正负电极232、242间形成的电场的强度和电气力线的弯曲率大，而形成不均匀电场。
在第一正负电极231a、231b、241a、241b间形成的电气力线中或在第三正负电极233a、233b、243a、243b间形成的电气力线中配置电介质时与在第二正负电极232、242间形成的电气力线中配置电介质时相比，梯度力更大，通过更强的吸附力来吸附电介质。
在吸附板214上，在各电极231a、231b、232、233a、233b、241a、241b、242、243a、243b、252、262的表面和各电极231a、231b、232、233a、233b、241a、241b、242、243a、243b、252、262间露出的吸附面218上，形成保护膜224，在吸附装置212的表面露出保护膜224。
因此，在吸附对象物8配置在吸附装置212时，吸附对象物8的背面与保护膜224接触，关于各电极231a、231b、232、233a、233b、241a、241b、242、243a、243b、252、262的表面，保护膜224位于之间而面对吸附对象物8的背面。
如图15(c)～图19(c)所示，在吸附装置212、212a、212b形成由形成在保护膜224的槽构成的气体用槽226，向气体用槽226导入后述的热介质气体。
在气体用槽226和气体用槽226之间形成上端比气体用槽226的底面高的支承突起225，在环状电极252正上位置沿着环状电极252延伸的方向形成环状形状的环状突条227。
环状突条227与环状电极252一起位于吸附板214的缘附近，环状电极252的正上即环状突条227位于的部分被做成环状，气体用槽226和支承突起225被环状突条227包围。
吸附面218的表面被做成平坦，从吸附板214的表面到保护膜224的上端的高度的关系是，到支承突起225的上端的高度为到环状突条227的上端的高度以下的值。
因此，在吸附对象物8配置在吸附装置212时，环状突条227的上端相对于吸附对象物8呈环状接触。
如后述那样，当向环状电极252施加电压而环状电极252通过静电力吸附在吸附对象物8形成的导电性薄膜而使吸附对象物8紧贴于吸附装置212时，吸附对象物8和环状突条227紧贴的部分为环状，环状突条227的内侧的空间变为被吸附对象物8盖上的状态，因此，在环状突条227和吸附装置212之间形成的空间与真空槽11的内部环境分离。
在第二例的吸附装置212中，在气体用槽226的底面的保护膜224和吸附板214形成多个气体导入孔238，各气体导入孔238贯通保护膜224和吸附板214，连接到在真空槽11的外部配置的气体供给装置28，通过气体导入孔238从气体供给装置28向气体用槽226供给热介质气体。
位于支承突起225间的气体用槽226以通过位于支承突起225和环状突条227之间的气体用槽226而内部彼此连通的方式连接。
当环状电极252通过静电力吸附配置在吸附装置212的吸附对象物8的导电性薄膜时，吸附对象物8的背面和环状突条227的上端紧贴。
此时，彼此连通的气体用槽226变为被吸附对象物8盖上的状态，气体用槽226被环状突条227包围，与真空槽11的内部环境分离，因此，在吸附对象物8和吸附装置212之间充满从气体导入孔238导入到各气体用槽226的热介质气体。其结果是，发生由于对流所造成的热移动，吸附装置212和吸附对象物8之间的热传导率增大。
接着，说明利用第二例的真空装置3与第一例的真空装置2同样地吸附吸附对象物8并形成导电性薄膜的顺序。
真空排气装置27连接到真空槽11，利用真空排气装置27对真空槽11的内部进行真空排气，形成真空环境。此时，气体用槽226的内部也被真空排气。
首先，一边维持真空槽11中的真空环境一边将吸附对象物8搬入到真空槽11的内部，如图12所示，配置在横向设置姿势的吸附板214上。此时，第一正负电极231a、231b、241a、241b的表面、第二正负电极232、242的表面、第三正负电极233a、233b、243a、243b的表面、辅助电极262的表面和环状电极252的表面在保护膜224位于之间的状态下，面对吸附对象物8的背面。
在该状态下，向第一正负电极231a、231b、241a、241b之间施加第一吸附电压，向第三正负电极233a、233b、243a、243b之间施加第三吸附电压。此时，既可以向第二正负电极232、242之间施加第二吸附电压，也可以不施加。
在吸附对象物8不形成导电性薄膜，在第一正负电极231a、231b、241a、241b之间和第三正负电极233a、233b、243a、243b之间分别形成不均匀电场，吸附对象物8的电介质通过发生的梯度力而吸附到第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b。
在吸附对象物8被吸附的状态下通过旋转装置26使旋转轴215旋转。在此，吸附装置212绕旋转轴线210旋转约90度，吸附装置212从横向设置姿势变为第一区域221位于第二区域222的上方的竖立设置姿势。吸附对象物8一边通过第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b而吸附到吸附板214，一边在不会脱落的情况下与吸附板214一起旋转，从横向设置姿势变为竖立设置姿势。
在竖立设置姿势的吸附板214的下方设置从吸附面218突出的阻挡物220，假设即使有时变为竖立设置姿势的吸附对象物8一边与吸附装置12、12c、212的表面228接触一边向下方移动，由于吸附对象物8与阻挡物220抵接而停止向下方的移动，所以吸附对象物8也不会从吸附板214脱落。
在吸附对象物8与阻挡物220抵接时，存在由于吸附对象物8的重量而使吸附对象物8引起压曲现象的担忧。为了不发生压曲现象，通过发生与吸附对象物8和吸附装置12、12c、212的表面228之间的摩擦系数对应的梯度力（垂直抵抗力）来防止从吸附面218的一部分脱落（浮起）。
图13示出了吸附板214和吸附对象物8变为竖立设置姿势的状态。
在真空槽11的内部设置溅射靶17作为薄膜形成装置的一部分，变为竖立设置姿势的吸附对象物8的表面面对溅射靶17。在真空槽11的内部的真空环境中，从气体导入装置25导入稀有气体等溅射气体，由溅射电源23向阴极电极16施加溅射电压，对溅射靶17进行溅射。
此时，控制从溅射电源23输出到溅射靶17的电力，在将规定的大小的电力供给到溅射靶17的状态下对溅射靶17进行溅射，在面对吸附对象物8的溅射靶17的表面开始导电性薄膜的生长。
图14的符号203示出导电性薄膜。
向第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b分别施加第一吸附电压和第三吸附电压，在发生梯度力的状态下，生长中的导电性薄膜203的膜厚增加时，梯度力减小。
生长中的导电性薄膜203的膜厚通过膜厚传感器来测定，当检测到导电性薄膜203生长到规定的膜厚时，向第二正负电极232、242之间施加第二吸附电压，向辅助电极262施加与第二正负电极232、242之中的任一个电极相同值的电压，此外，向环状电极252施加与第二正负电极232、242之中的任一个电极相同值的电压。
在此，第二正电极232和辅助电极262被施加相同正电压，向第二负电极242和环状电极252施加相同负电压，相对于第二负电极242和环状电极252的第二正电极232和辅助电极262的电压为第二吸附电压。
再有，可以预先求取供给到溅射靶17的电力的大小和导电性薄膜203的生长速度的关系，从溅射时间求取导电性薄膜203的膜厚。
在生长开始稍后即导电性薄膜203的膜厚较小的情况下，静电力较弱，但是，当由于导电性薄膜203的膜厚的增加而使由第二正负电极232、242、辅助电极262、环状电极252和导电性薄膜203发生的吸附力变为第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b所产生的梯度力以上时，停止向第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b的电压施加，或减小向第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b施加的电压，使梯度力消失，也能够通过静电力维持吸附对象物8的吸附。
第一、第三吸附电压为高电压，因此，在向第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b间施加第一、第三吸附电压的状态下将热介质气体导入到气体用槽226时，第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b间的耐电压降低，发生异常放电。
因此，热介质气体在施加到第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b间的电压的大小减小到不发生异常放电的程度的值后开始导入。减小电压意味着使电压的绝对值变小。
再有，可以在导电性薄膜203生长到规定膜厚之前或开始生长之前向第二正负电极232、242、辅助电极262和环状电极252之间开始第二吸附电压的施加。
此外，可以在减小施加到第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b的电压时，向第一正负电极231a、231b、241a、241b和第三正负电极233a、233b、243a、243b间施加第二吸附电压，在生长中的导电性薄膜203和第一、第三正负电极231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b之间发生静电力。
吸附对象物8通过比梯度力所造成的吸附力强的吸附力的静电力而被吸附，向吸附对象物8和吸附装置212之间导入热介质气体。在真空槽11设置检测热介质气体的压力的检测装置38，当导入热介质气体时，首先，利用检测装置38来检测真空槽11的内部的热介质气体的压力。
在检测到的压力的值比规定的基准值大的情况下，设为静电力所造成的吸附是不良的，保持通过梯度力进行吸附，一旦与吸附装置212一起变为横向设置姿势后，从吸附装置212上除去吸附对象物8，除去异物等吸附不良的原因，重新配置吸附对象物8。之后，在吸附对象物8再次通过梯度力被吸附之后变为竖立设置姿势。
在检测结果为正常的情况下，吸附对象物8和吸附装置212之间的热传导率变高，因此，前进到下一工序。
再有，由于已知热介质气体的种类，所以如果在检测真空槽11的内部的压力时测定热介质气体的种类的气体的分压，则灵敏度（S/N比）提高，因此是优选的。进而，在真空槽11的内部，漏泄的热介质气体的量对在真空槽11内进行的真空处理所造成的影响很小，因此，关于通过测定容积很小的部位即吸附对象物8和吸附装置212之间的空间（与吸附对象物8和环状电极252所闭塞的空间连通的任一处）的压力来代替真空槽11的内部的压力，由于灵敏度（S/N比）提高，所以更优选。
此外，在以一定的压力供给热介质气体并测定其流量而判断为测定值比规定值大时，也能够决定为在真空槽11中漏泄的热介质气体的量较多，吸附不良。总之，在间接、直接地测定在真空槽11的内部漏泄的热介质气体的量而判断为漏泄的量较多时，决定为吸附不良即可。
在吸附装置212的吸附板214的内部设置循环路246，循环路246连接到设置在真空槽11的外部的温度调节装置29。
向循环路246供给由温度调节装置29温度调节的热介质液，使其在吸附板214内部的循环路246中流动来与吸附板214进行热交换。
在此，温度调节装置29是冷却装置，将冷却的热介质液供给到循环路246，热介质液在吸附板214的内部的循环路246流动，与吸附板214进行热交换，冷却吸附板214。热介质液升温，回到温度调节装置29而冷却，并供给到吸附装置212。
像这样，热介质液通过冷却吸附装置212来冷却吸附对象物8，热介质液重复地在吸附板214的循环路246流动来冷却吸附到吸附装置212的成膜对象物8。
温度调节装置29也可以是对热介质液进行加热的加热装置，使吸附对象物8升温的情况也包括在本发明中。
再有，可以在与吸附板214的吸附面218相反侧的面设置管道，将管道的内部作为循环路246来流动热介质液。
像这样，通过静电力而被吸附到吸附装置212的吸附对象物8通过热介质气体和热介质液来温度控制，在导电性薄膜203的生长中，吸附对象物8被维持为期望的温度，例如在冷却吸附对象物8的情况下，能够在不使设置在吸附对象物8的薄膜、电气元件等劣化的情况下使导电性薄膜203生长。
环状突条227的上端位于支承突起225的上端以上的高度，吸附对象物8的背面与环状突条227接触，吸附对象物8通过环状电极252的静电力被按压到环状突条227的上端，吸附对象物8和环状突条227之间紧贴，变为接近于气密的状态，因此，从气体导入孔238导入到被环状突条227包围的空间的热介质气体难以流出到环状突条227的外部。支承突起225的高度和环状突条227的高度的差很小，吸附对象物8的背面与支承突起225接触。
在上述吸附装置212中，在第一区域221设置辅助电极262，即使第一正负电极231a、241a、231b、241b发生的梯度力消失，吸附对象物8的上部也通过在辅助电极262和导电性薄膜203之间发生的静电力和在环状电极252和导电性薄膜203之间发生的静电力被吸附，因此，即使梯度力消失，上部也不会垂下，也没有由于压曲现象所造成的浮起。
此外，在施加到吸附对象物8的吸附力从静电力切换为梯度力时，存在静电力和梯度力两方的吸附力施加到吸附对象物8的期间。
各电极相对于吸附对象物8中心线对称地配置，即使在施加两方的吸附力的期间中，也不会发生起因于静电力和梯度力的不均等的旋转力、或起因于吸附力和吸附对象物8的重量的合力的旋转力，而不会发生起因于旋转力的位置偏离。
此外，在上述吸附装置212中，在第二区域222设置第三正负电极233a、233b、243a、243b，利用梯度力来吸附吸附对象物8的面对第二区域222的部分，在发生由于静电力所造成的吸附力之前，也利用梯度力将吸附对象物8的第二区域222的部分吸附到吸附装置212，因此，在变为竖立设置姿势时，吸附对象物8不会从吸附装置212偏离。
但是，在梳子状形状的个数变得很多等第一正负电极231a、231b、241a、241b的梯度力变强的情况下，如图18的吸附装置212a那样，不在第二区域222设置第三正负电极即可。
再有，图7、图8的平面形状的电极也能够用于第二例的吸附装置的第一、第三正负电极。
此外，在上述第二例的吸附装置212中，辅助电极262和第二正电极232接触，向辅助电极262和第二正电极232施加相同值的正电压，但是，也可以向图15(a)的标注符号232的电极和辅助电极262施加负电压并向标注符号242的电极和环状电极252施加正电压来使静电力发生。
此外，还能够使辅助电极262和符号232的电极分离而向辅助电极262和符号232的电极施加不同的极性的电压。
此外，在上述第二例的吸附装置212中，构成为环状电极252和第二负电极242接触而向环状电极252和第二负电极242施加相同值的电压，但是，也能够如图19(a)～(c)的吸附装置212b那样，使环状电极252和标注符号242的电极（第二负电极）分离而向环状电极252和标注符号242的电极施加不同值、不同极性的电压。
再有，第一正负电极231a、231b、241a、241b和第三正负电极233a、233b、243a、243b之中的、正电压被施加的电极的面积和负电压被施加的电极的面积的差较小是更优选的。
此外，向环状电极252施加与第二正电极232或第二负电极242相同值的电压，向辅助电极262施加与第二正电极232或第二负电极242相同值的电压，但是，环状电极252和辅助电极262的电压的极性既可以相同也可以不同。但是，在第二正负电极232、242、辅助电极262和环状电极252之间，正电压被施加的电极的面积和负电压被施加的电极的面积的差较小也是更优选的。
附图标记的说明
2～3……真空装置
10、210……旋转轴线
11……真空槽
12、12c、212……吸附装置
14、214……吸附板
15、215……旋转轴
17……溅射靶
18、218……吸附面
21、221……第一区域
22、222……第二区域
24……吸附电源
26……旋转装置
26c……气体用槽
31、31a、31b、31c、231a、231b……第一正电极
32、32c、232……第二正电极
41、41a、41b、41c、241a、241b……第一负电极
42、42c、242……第二负电极
203……导电性薄膜
224……保护膜
226……气体用槽
227……环状突条
233a、233b……第三正电极
238……气体导入孔
243a、243b……第三负电极
252……环状电极
262……辅助电极
D1……第一距离
D2……第二距离
P1……第一正电极的宽度
P2……第二正电极的宽度
M1……第一负电极的宽度
M2……第二负电极的宽度。

Claims (29)

1.一种真空装置，具有：
真空槽；以及
配置在所述真空槽的内部的吸附装置，
所述吸附装置具有：
吸附板；
作为所述吸附板的单面的吸附面；
在所述吸附面上设置的第一区域中彼此分开地配置的第一正电极和第一负电极；以及
在所述吸附面上在与所述第一区域分开的场所设置的第二区域中彼此分开地配置的第二正电极和第二负电极，
其中，设置有：
旋转装置，使所述吸附装置旋转，使所述吸附装置为竖立设置的竖立设置姿势和横向设置的横向设置姿势；
薄膜形成装置，在与所述吸附装置一起变为竖立设置姿势的吸附对象物形成导电性薄膜；以及
吸附电源，向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加第一吸附电压，利用梯度力吸附配置在所述吸附装置的所述吸附对象物的电介质，向所述第二正电极和所述第二负电极之间施加比所述第一吸附电压低的电压的第二吸附电压，利用静电吸附力吸附形成在所述吸附对象物的所述导电性薄膜，
当所述吸附装置变为竖立设置姿势时，所述第一区域变成位于所述第二区域的上方，
所述吸附电源和所述旋转装置被构成为能一边向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加所述第一吸附电压一边使所述吸附装置从横向设置姿势变为竖立设置姿势。
2.根据权利要求1所述的真空装置，其中，所述吸附装置具有与所述吸附板的一边平行地设置的旋转轴，
所述旋转装置使所述吸附装置以所述旋转轴为中心旋转。
3.根据权利要求2所述的真空装置，其中，所述第一正电极的侧面和所述第一负电极的侧面以第一距离分开，
所述第二正电极的侧面和所述第二负电极的侧面以比所述第一距离长的第二距离分开。
4.根据权利要求3所述的真空装置，其中，所述第一正电极的宽度和所述第一负电极的宽度被形成为比所述第二正电极的宽度和所述第二负电极的宽度小。
5.根据权利要求4所述的真空装置，其中，关于所述薄膜形成装置，配置有与所述吸附装置一起变为竖立设置姿势的所述吸附对象物面对的导电性的溅射靶，
当所述溅射靶被溅射时，使所述导电性薄膜生长。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的真空装置，其中，设置包围所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极的环状形状的环状电极，
向所述环状电极施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同值的电压。
7.一种真空装置，是权利要求6所述的真空装置，具有将热介质气体供给到所述吸附装置的热介质气体供给装置，其中，
在所述吸附装置的所述吸附面上设置有在所述吸附装置的表面露出的保护膜，
在所述保护膜形成有由槽构成的气体用槽、在所述环状电极的正上位置形成并且上端比所述气体用槽的底面高的环状突条、位于所述气体用槽和所述气体用槽之间并且上端比所述气体用槽的底面高的支承突起、以及连接到所述气体用槽并且向所述气体用槽导入所述热介质气体的气体导入孔，
在所述真空槽设置有检测所述热介质气体的检测装置。
8.根据权利要求7所述的真空装置，其中，在所述第一区域配置有被施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同的电压的辅助电极。
9.根据权利要求8所述的真空装置，其中，所述辅助电极被所述环状电极包围。
10.根据权利要求9所述的真空装置，其中，在所述第二区域设置有侧面以所述第一距离彼此分开的第三正电极和第三负电极，
所述吸附电源向所述第三正电极和所述第三负电极之间施加与所述第一吸附电压相同值的第三吸附电压。
11.根据权利要求10所述的真空装置，其中，所述第三正电极和所述第三负电极被所述环状电极包围。
12.一种吸附装置，其中，具有：
吸附板；以及
作为所述吸附板的单面的吸附面，
在所述吸附面设置有在所述吸附板变为竖立设置姿势时位于上方的第一区域和位于所述第一区域的下方的第二区域，
在所述第一区域设置有彼此分开地配置的第一正电极和第一负电极，
在所述第二区域设置有彼此分开地配置的第二正电极和第二负电极，
向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加利用梯度力吸附遍及所述第一区域上和所述第二区域上配置的吸附对象物的电介质的第一吸附电压，
向所述第二正电极和所述第二负电极之间施加比所述第一吸附电压低的电压并且利用静电吸附力吸附在所述吸附对象物形成的导电性薄膜的第二吸附电压。
13.根据权利要求12所述的吸附装置，其中，具有与所述吸附板的一边平行地设置的旋转轴，
以所述旋转轴为中心旋转，在竖立设置的竖立设置姿势和横向设置的横向设置姿势下静止。
14.根据权利要求13所述的吸附装置，其中，
所述第一正电极的侧面和所述第一负电极的侧面以第一距离分开，
所述第二正电极的侧面和所述第二负电极的侧面以比所述第一距离长的第二距离分开。
15.根据权利要求12至权利要求14中任一项所述的吸附装置，其中，设置包围所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极的环状形状的环状电极，
向所述环状电极施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同值的电压。
16.根据权利要求15所述的吸附装置，其中，在所述吸附装置的所述吸附面上设置有在所述吸附装置的表面露出的保护膜。
17.根据权利要求16所述的吸附装置，其中，在所述保护膜形成有由槽构成的气体用槽、在所述环状电极的正上位置形成并且上端比所述气体用槽的底面高的环状突条、位于所述气体用槽和所述气体用槽之间并且上端比所述气体用槽的底面高的支承突起、以及连接到所述气体用槽并且向所述气体用槽导入所述热介质气体的气体导入孔。
18.根据权利要求17所述的吸附装置，其中，在所述第一区域配置有被施加与施加到所述第二正电极和所述第二负电极之中的任一个电极的电压相同的电压的辅助电极。
19.根据权利要求18所述的吸附装置，其中，所述辅助电极被所述环状电极包围。
20.根据权利要求19所述的吸附装置，其中，在所述第二区域设置有侧面以所述第一距离彼此分开的第三正电极和第三负电极。
21.根据权利要求20所述的吸附装置，其中，所述第三正电极和所述第三负电极被所述环状电极包围。
22.一种导电性薄膜制造方法，在真空环境中在横向设置姿势的吸附装置配置电介质的吸附对象物，使所述吸附对象物为竖立设置姿势，在所述吸附对象物的表面使导电性薄膜生长，其中，
一边向在所述吸附装置的吸附板的第一区域设置的第一正电极和第一负电极之间施加发生梯度力的第一吸附电压的大小的电压来吸附电介质的所述吸附对象物，一边使所述吸附装置旋转，使所述吸附对象物和所述吸附装置一起变为竖立设置姿势，向在位于所述第一区域的下方的第二区域设置的第二正电极和第二负电极之间施加发生静电力的第二吸附电压，使所述吸附装置吸附生长中的所述导电性薄膜。
23.根据权利要求22所述的导电性薄膜制造方法，其中，向变为竖立设置姿势的所述吸附装置的所述第一正电极和所述第一负电极之间，施加在变为竖立设置姿势的所述吸附对象物的所述导电性薄膜和所述第二正电极之间、以及所述导电性薄膜和所述第二负电极之间发生静电吸附力的第二吸附电压，利用所述第二正负电极吸附所述导电性薄膜，之后，减小向所述第一正负电极之间施加的电压。
24.根据权利要求23所述的导电性薄膜制造方法，其中，在减小向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加的电压之后，从所述吸附装置的气体导入孔向分别变为竖立设置姿势的所述吸附对象物和所述吸附装置之间导入热介质气体，检测所述真空环境中的热介质气体。
25.根据权利要求24所述的导电性薄膜制造方法，其中，溅射面对变为竖立设置姿势的所述吸附对象物的溅射靶，使所述导电性薄膜生长。
26.根据权利要求25所述的导电性薄膜制造方法，其中，使在开始所述热介质气体的导入之后供给到所述溅射靶的电力比从所述气体导入孔开始所述热介质气体的导入之前供给到所述溅射靶的电力大。
27.根据权利要求24至权利要求26中任一项所述的导电性薄膜制造方法，其中，一边向包围所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极的环状电极施加与所述第二正电极或所述第二负电极之中的任一个电极相同值的电压，利用静电力在所述环状电极吸附所述导电性薄膜，向所述环状电极上配置的环状突条按压所述吸附对象物，一边从在被所述环状突条包围的区域内配置的所述气体导入孔导入所述热介质气体。
28.根据权利要求27所述的导电性薄膜制造方法，其中，在向所述第一正电极和所述第一负电极之间施加所述第一吸附电压时，向在所述第二区域设置的第三正电极和第三负电极之间施加所述第一吸附电压。
29.根据权利要求27所述的导电性薄膜制造方法，其中，在向所述第二正电极和所述第二负电极施加所述第二吸附电压时，向在所述第一区域设置的辅助电极与所述第二正电极或所述第二负电极之中的任一个电极之间施加所述第二吸附电压。
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