TWI723338B - 基板載體、靜電吸座板、及吸附基板之方法 - Google Patents

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TWI723338B
TWI723338B TW108104144A TW108104144A TWI723338B TW I723338 B TWI723338 B TW I723338B TW 108104144 A TW108104144 A TW 108104144A TW 108104144 A TW108104144 A TW 108104144A TW I723338 B TWI723338 B TW I723338B
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Abstract

此處所描述的是一基板載體，此基板載體包括靜電吸座 板及其使用方法。此靜電吸座板包括具有交錯之段之電極。進一步來說，各個靜電吸座板之電極可以是由具有相反極性之吸附電壓驅動。

Description

基板載體、靜電吸座板、及吸附基板之方法
此處所述之數個實施例大體上有關於一種雙極靜電吸座，適合用於與基板載體、基板支撐件及類似者一起應用，用以在處理期間固定基板。
在基板之處理中，且基板例如是半導體基板及顯示器，基板係在處理期間於處理腔室中支承於基板載體或基板支撐件之基板支撐表面上。基板支撐表面可包括靜電吸座(electrostatic chuck，ESC)，靜電吸座具有能夠電性偏壓之一或多個電極，以支承基板於基板支撐表面。一些靜電吸座設計包括充電二或多個電極，以在支撐於靜電吸座上之基板中產生電荷分離。於基板中由藉由靜電吸座誘發之電荷分離與設置於靜電吸座中之相反帶電之電極係產生靜電吸附力，從而固定基板於基板載體或基板支撐件之基板支撐表面。
在多種顯示基板之處理中，且顯示基板舉例為有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)顯示器及類似者，基板之高度的平坦度係有需求，以用於合適的遮罩對準。由於基板係吸附於基板載體且靜電吸座係利用可誘發雙極電極之間 之電弧之電壓，可能發生靜電吸座損害及可能釋放污染物至處理環境中。一旦靜電吸座損害時，靜電吸座必須被維修，此維修經常包括整個靜電吸座之替換。
進一步來說，在多種例子中，靜電場可以是非均勻地遍布靜電吸座，這可能在處理期間，在吸附的顯示基板中引入不規則性。此不規則性會不合需要地降低產量。進一步來說，因為靜電吸座所導致之基板表面上的殘留靜電場，可致使一些有害的影響於沉積於基板上的薄膜電晶體(Thin Film Transistors,TFT)薄膜上。
因此，在本領域中需要一種靜電吸座，此靜電吸座不引入至少這些不規則性，且使基板表面上的殘留靜電場最小化並近似於零。
在一個方面，一種基板載體，包括一第一靜電吸座板及一第二靜電吸座板設置相鄰於彼此。此第一靜電吸座板，包括一第一電極常存於單一平面中，且適於由具有一第一極性之一第一吸附電壓驅動，及一第二電極常存於單一平面中，且適於由具有與此第一極性不同之一第二極性之一第二吸附電壓驅動。此第二靜電吸座板包括一第三電極常存於單一平面中，且適於由具有此第二極性之此第二吸附電壓驅動，及一第四電極常存於單一平面中，且適於由具有此第一極性之此第一吸附電壓驅動。此第二靜電吸座板之此第三電極係設置相鄰於此第一靜電吸座板之此第一電極，且此第一極性與此第二極性不同。
在一個方面，一種靜電吸座板，包括一第一電極及一第二電極。此第一電極具有複數個第一段且常存於單一平面中，且此些第一段連接於複數個第一角落，此第一電極與此第二電極交錯。此第二電極具有複數個第一段且常存於單一平面中，且此些第二段連接於複數個第二角落。此些第二角落之第一個係設置在此些第一角落之第一個及此些第一角落之第二個之間。
在一個方面，一種用於吸附一基板之一方法，包括設置一大面積基板至一靜電吸座板之一基板支撐表面上，此靜電吸座板包括複數個電極，此些電極設置於不同平面上，施加一第一電壓至此靜電吸座板之一第一電極；施加一第二電壓至此靜電吸座板之一第二電極，此第二電極係設置得較此第一電極更遠離此基板，其中此第二電壓具有與此第一電壓不同之極性；及靜電地吸附此大面積基板至此基板支撐表面。
100:基板載體
102、102a、102b:靜電吸座板
104:靜電吸座
106:載體主體
108:吸座主體
110:背側靜電吸座
112:第一表面
114:第二表面
116:基板支撐表面
118:底表面
120:平移構件
132:底板材
134:通道
140:空腔(氣體空腔)
142:空腔(氣體輸送歧管空腔)
144:空腔(電力設施空腔)
146:箭頭
148:電性真空饋通件
150:第一內牆
152:第二內牆
154:快拆配合件
156:孔
158:外牆
160:導線
170:氣源
172:孔
174:槽
182:斷熱部
192:未支撐部分
207:耦接元件
212:寬度
214:長度
248、248a、248b:電極(第一電極)
250、250a、250b:電極(第二電極)
252:電極段(第一電極段、頂電極段)
254:電極段(第二電極段、底電極段)
256:控制電子設備
258:電源
260:突出部(第一突出部)
262:線
264:連接端(第一連接端)
268:連接端(第二連接端)
270:突出部(第二突出部)
280a:介電薄層(第一介電薄層、頂介電薄層)
280b:介電薄層(第二介電薄層、中間介電薄層)
280c:介電薄層(第三介電薄層、底介電薄層)
280d、280e、280f:介電薄層
360、362:開口
372、374:邊緣(縱向邊緣)
376、378:邊緣
410、410a、410b、410c、410d、410n:段
420、420a、420b、420c、420d、420n:段
422、424:角落
430:細節
432:角落
434:區域
436、438:距離
440:細節
442:角落
444:區域
446、448:距離
450:細節
452:角落
454、456:距離
458:區域
460:圓弧側邊
462、464:側邊
470:細節
472:角落
474、476:距離
478:區域
480、482:側邊
500:基板
502:上表面
506:導管
512、514:電性導線
560:背部氣源
562:通道
564:埠
566:通道
568:縫隙
580a、580b:邊緣
590a、590b、590c、590d、590e、590f:平面
692:圖表
693:非均勻端
710:靜電吸座板
712:電極
712a、712b:電極段
714:電極
720:靜電吸座板
722、724:電極
724a、724b:電極段
730:靜電吸座板
732:電極
732a、732b:電極段
734:電極
740:靜電吸座板
742、744:電極
744a、744b:電極段
810:靜電吸座板
812:電極
812a:電極段
814:電極
814a:電極段
820:靜電吸座板
822:電極
822a:電極段
824:電極
824a:電極段
830:靜電吸座板
832:電極
832a:電極段
834:電極
834a:電極段
840:靜電吸座板
842:電極
842a:電極段
844:電極
844a:電極段
900:靜電吸座組件
902、9021,1、9021,2、9021,3、9022,1、9022,2、9022,3、9023,1、9023,2、9023,3、9024,1、9024,2、9024,3、9025,1、9025,2、9025,3、9026,1、9026,2、9026,3、9027,1、9027,2、9027,3:靜電吸座板
1010:靜電吸座板
1012:電極
1012a:電極段
1014:電極
1014a、1014b:電極段
1020:靜電吸座板
1022:電極
1022a:電極段
1024:電極
1024a、1024b:電極段
1050:邊緣
1060:邊緣
為了能夠理解本揭露上述特徵的細節，可參照實施例，得到對於簡單總括於上之本揭露更詳細的敘述，實施例的一部分係繪示於所附圖式中。然而需注意，所附的圖式僅僅繪示出本揭露的典型實施例，因此其並不會被認為對本揭露的範圍造成限制，因為本揭露可允許其他等效的實施例。
第1A圖係繪示根據此處所揭露的一實施例之具有整合之靜電吸座(electrostatic chuck，ESC)之基板載體的示意透視圖。
第1B圖係繪示根據此處所揭露的一實施例之基板載體的前剖視圖。
第2圖係繪示第1圖之基板載體的示意前視圖。
第3A及3B圖係繪示第1圖之靜電吸座之靜電吸座板的示意爆炸視圖。
第4A-4E圖係示例性繪示第1圖之靜電吸座之靜電吸座板。
第4F及4G圖係繪示第1圖之靜電吸座之靜電吸座板的示意爆炸視圖。
第5A圖係繪示說明相鄰之靜電吸座板之基板載體的部份示意剖面圖。
第5B-5C圖係繪示第5A圖之放大部份示意圖。
第6圖係繪示說明根據一或多個實施例之基板之頂表面上之殘留靜電場的圖表。
第7及8圖繪示根據一或多個實施例之靜電吸座板配置。
第9圖繪示根據一或多個實施例之具有數個靜電吸座板配置的基板載體。
第10圖繪示根據一或多個實施例之基板載體中之氣體槽之任一側上之兩個靜電吸座板的部份示意圖。
為使其容易理解，已盡可能地採用一致的元件符號，來標記圖中所共有的相同元件。可預期的是，揭露於一實施例的元件可以有利地適用於其他實施例中，而不再次闡述。
此處描述的是一靜電吸座板及其使用方法。在一例子中，靜電吸座板包括設置於不同平面上，且由非對稱電壓偏壓數個電極。進一步來說，設置於不同平面中之電極之電極段之電極寬度係至少大約相同。施加至電極的不同電壓補償在不同平面中之靜電吸座組件之電極的定位，從而使基板之頂表面上的殘留 靜電場均勻並接近零，從而有助於基板之處理均勻。在另一實施例中，靜電吸座板包括設置於不同平面上，且由對稱電壓偏壓數個電極。進一步來說，設置於底平面上之電極之段係寬於設置於頂平面上之電極之段。各個平面中之電極係由不同極性之對稱電壓驅動。在此例子中，非對稱電極段寬度及對稱驅動電壓的組合減少了基板之頂表面上之殘留靜電場，使得殘留靜電場大約為零。
第1A圖係繪示根據此處所揭露的一實施例之具有靜電吸座(electrostatic chuck，ESC)104於其上的基板載體100的示意透視圖。現在參照第1圖，繪示與基板載體100整合之靜電吸座(electrostatic chuck，ESC)104的透視圖。靜電吸座104使基板載體100在處理腔室及其他腔室之間移動時，能夠傳送及支撐大面積基板。於一例子中，靜電吸座104可配置成用以支撐一或多個基板，且可具有至少0.174平方公尺(m2)之基板支撐表面116。一般來說，靜電吸座104之基板支撐表面116之尺寸可以是1m2及約12m2之間，例如是約2m2及約9m2之間。在其他例子中，靜電吸座104之基板支撐表面116可適用於傳送一或多個大面積基板，例如是具有約1.4m2及更大之平面面積之基板。
基板可以是由任何適用於材料沈積之材料製成，例如是用於有機發光二極體(OLED)製程等諸多其他製程。舉例來說，基板可由例如是由玻璃(例如是鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、硼矽玻璃(borosilicate glass)等)、金屬、聚合物、陶瓷、複合材料、碳纖維材料、及上述材料之組合製成。
靜電吸座104可用以在電漿製程期間傳送基板，電漿製程包括化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)製程、物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)製程、蝕刻製程、或任何適合的電漿或真空製程，例如是OLED顯示器製程。靜電吸座104也可適於在非電漿及非真空環境中使用，且可相容於高溫應用。雖然此處揭露靜電吸座104的多種實施例，應理解的是，來自其他製造者之靜電吸座可適用而受益於此處所提供的揭露。
基板載體100係適用於在垂直方向上，於靜電吸座104之基板支撐表面116上傳送基板。基板載體100包括靜電吸座104、載體主體106、選擇之背側靜電吸座110、及選擇之平移構件120。當使用時，背側靜電吸座110係用以支承一或多個第二個大面積基板於載體主體106之相反側上。背側靜電吸座110可以實質上一致於靜電吸座104之方式製造。
靜電吸座104包括吸座主體108及具有多個獨立可置換的靜電吸座板102之靜電吸座組件。靜電吸座組件係一或多個靜電吸座板102與靜電吸座104的配置。靜電吸座104之靜電吸座板102係形成靜電吸座104之基板支撐表面116。靜電吸座板102可配置成卡式(Cartesian)陣列(也就是數個列及數個行之2維陣列)，或配置成在靜電吸座板中且橫跨基板支撐表面116的其他圖案。各個靜電吸座板102可獨立地置換，而無需干擾靜電吸座104之其他靜電吸座板102，因而讓靜電吸座104之修復及重整(reconditioning)更快速且花費較少。
吸座主體108可以由陶瓷或其他材料製成，其他材料例如是鋁。於一些實施例中，吸座主體108及載體主體106可製造成單一元件，且如此吸座主體108及載體主體106即可為可交換地使用。於此種實施例中，靜電吸座板102係直接固定於吸座主體108。吸座主體108係設置於載體主體106之第一表面112上。選擇之背側靜電吸座110可設置於載體主體106之第二表面114上，且載體主體106之第二表面114係相反於載體主體106之第一表面112。選擇之平移構件120可耦接於載體主體106之底表面118。底表面118係延伸於第一表面112及第二表面114之間。
第1B圖係繪示基板載體100的前剖視圖。與第1A圖的圖式相比，基板載體100係繪示成靜電吸座104中包括數量較少的靜電吸座板102。在第1B圖中繪示構成靜電吸座的靜電吸座板102被部分剖開，以暴露可被一或多個覆蓋板材(未繪示)覆蓋的底板材132及一或多個空腔。底板材132包括藉由一或多個覆蓋板材覆蓋或封閉的數個空腔。底板材132中形成的空腔可包括一或多個氣體空腔140、氣體輸送歧管空腔142、及電力設施空腔144。儘管氣體及電力設施空腔140、144可配置於基板載體100中的任何位置，在第1B圖繪示的此實施例中，當介紹時，空腔140、144係位於基板載體100的底部，例如是相鄰於平移構件120。在另一實施例中，第一覆蓋板材係設置在空腔140上方，第二覆蓋板材係設置在空腔142上方，第三覆蓋板材係設置在空腔144上方。在一實施例中，空腔142分成上部分及下部分，且各個部分可由兩個分開的覆蓋板材覆蓋。舉例來說，氣體輸送歧 管空腔142可包括上部分及下部分，其中各個部分係由不同的覆蓋板材覆蓋。各個覆蓋板材可包括O型環或其他密封件以將各個對應的空腔與處理腔室真空密封。在繪示於第1B圖的例子中，六個靜電吸座板102係以2*3的陣列配置在覆蓋板材上。
在多個實施例中，空腔140、144係位於靜電吸座板102的平面範圍外(也就是不重疊)，有利地防止基板將熱傳輸至靜電吸座板102及底板材132，故可防止空腔140、144被過度加熱。因此，電力設施空腔144中的電子元件的功能、以及氣體空腔140中包含的氣體的壓力，也被保護以避免被過度加熱。進一步來說，在一實施例中，氣體輸送歧管空腔142的下部分亦設置在靜電吸座板的平面範圍外。
電力設施空腔144係藉由第一內牆150與氣體輸送歧管空腔142分隔。電力設施空腔144容納靜電吸座控制電子設備256及一或多個電源258。在一實施例中，一或多個電源包括低電壓電源及/或高電壓電源，配置成用以運行靜電吸座板102。低電壓電源可包括電池。高電壓電源可包括高電壓運算放大器，且高電壓電源可被耦接至電池以產生吸附電壓。在一實施例中，低電壓電源可用於提供控制電子設備256動力，控制電子設備256係配置成用以控制高電壓電源，以提供靜電吸座板102高電壓。電性真空饋通件148係設置通過第一內牆150，以有助於在控制電子設備256及一或多個電源258，與設置於覆蓋板材上之靜電吸座板102之間，配置導線160之路徑。在一實施例中，電性真空饋通件提供電力設施空腔144及氣體輸送歧管空腔142之間的通道，其中電力設施空腔144是大約1大氣壓(ATM)，氣體輸送 歧管空腔142是在低真空狀態。在一實施例中，低真空狀態可以是大約5托(Torr)。
氣體空腔140係藉由第二內牆152與氣體輸送歧管空腔142分隔。氣體空腔140係配置以作為氣源170。氣體空腔140可經由自封式(self-sealing)之快拆配合件154充氣，自封式之快拆配合件154通過外牆158固定。舉例來說，外部氣源(未繪示)可暫時地耦接至快拆配合件154，以讓氣體空腔140以一氣體進行充氣(也就是加壓)。此氣體將被用來作為靜電吸座板102及吸附於其上之基板之間的背部氣體。在一實施例中，背部氣體可用於將來自基板的熱傳遞至靜電吸座板102，接著傳遞至底板材132的熱質量(thermal mass)。
氣體空腔140之體積尺寸可選擇，以在基板及靜電吸座板102之間提供足夠體積之背部氣體來延續處理期間，在此期間，在通過快拆配合件154對氣體空腔140進行再充氣之間時，處理支承於基板載體100上之基板。因此，在考慮基板之尺寸、從基板之邊緣之下方脫離之背部氣體之總量、及對氣體空腔140進行再充氣之間之延長的持續期間，氣體空腔140之體積尺寸係可選擇。在一實施例中，氣體空腔140之體積尺寸係為約1及約10公升之間。
至少一孔156係通過第二內牆152形成，以流體地耦接氣體空腔140於氣體輸送歧管空腔142。孔156具有小孔口，使得設置於氣體空腔140中之氣體以足夠慢之速率流至氣體輸送歧管空腔142中(如箭頭146所示)，以在基板及靜電吸座板102之間提供足夠總量之背部氣體，以延續基板被處理的持續期間。在一實施例中，孔156具有約0.0010至約0.0050英吋之直徑。 在另一實施例中，孔156具有一直徑，足以提供約20至200每分鐘標準毫升(sccm)之背部氣體之流動速率。通過孔156之流動可選擇地藉由閥(未繪示)控制。閥可為開/關閥，或針閥(needle valve)，可操作以控制流經由孔156並流入氣體輸送歧管空腔142中的氣體空腔140之流出。
氣體輸送歧管空腔142一般係延伸於靜電吸座板102所固定之基板載體100之下方部分。在一或多個實施例中，氣體輸送歧管空腔142提供電導管，用以於靜電吸座板102及一或多個電源258之間配置導線160之路徑。
氣體輸送歧管空腔142亦使用，以設定背部氣體從空腔140(也就是氣源170)至一或多個孔172之路徑，此一或多個孔172貫穿底板材132形成。流經此一或多個孔172之背部氣體係流動於靜電吸座板102之間的槽174之間而遍佈基板載體100之表面，以增加靜電吸座板102及吸附於其之基板之間的熱傳導。
在繪示於第1B圖中之實施例中，氣體輸送歧管空腔142係形成於底板材132中且由覆蓋板材所封閉。氣體輸送歧管空腔142具有實質上延長之形狀，且從相鄰於氣體空腔140之底板材132之底部延伸至基板載體100之頂部。在一實施例中，氣體輸送歧管空腔可包括上部分及下部分，其中上部分及下部分係經由具有一開口的斷熱部182連接。舉例來說，一或多個斷熱部182可包括一開口，用以允許多個斷熱部之間之氣體之自由流動及電性路徑。可形成一或多個密封件於斷熱部中及/或離空腔最近的基板載體100中，以避免氣體脫離。氣體輸送歧管空腔142一般可對準於相鄰之靜電吸座板102之間的界面之下方，使得當經由 孔172流體地連接相鄰之靜電吸座板102之間之槽174及氣體輸送歧管空腔142時，形成於覆蓋板材中之孔172一般可排列成行。因此，背部氣體可從氣體輸送歧管空腔142經由孔172自由地流動且流入槽174中，槽174係位於排列於氣體輸送歧管空腔142之上方之相鄰之靜電吸座板102之相向邊緣之間。一旦背部氣體係位於氣體輸送歧管空腔142上方之排列於第一方向中之槽174中時，背部氣體係橫向向外流動至相鄰靜電吸座板102之間之排列於第二方向中之相鄰之槽174中，相鄰之槽174係從孔172之上方的槽橫向地延伸出去。舉例來說，從孔172饋入至排列於第一方向中之槽174中之背部氣體係正交地流入排列於第二方向中之槽174中。換言之，第一方向係正交於第二方向。
在一例子中，除了藉由與排列於第一方向中之槽174連接之外，排列於第二方向中之槽174係不直接流體地連接於孔172。排列於第二方向中之槽174亦可提供氣體至通道134中，通道134設置於唇形密封件之未支撐部份192之下方。除了從氣源或流體源提供而具有氣體之通道134之外，或替代從氣源或流體源提供而具有氣體之通道134，排列於第二方向中之槽174亦可提供氣體至通道134中，通道134係設置於唇形密封件之未支撐部份192之下方。
在多種實施例中，基板載體100的區域係藉由設置於區域之間的斷熱部彼此分離。斷熱部182有助於減少從固定有靜電吸座板102於其上之基板載體100之區域，至包括氣體空腔140及電力設施空腔144之基板載體100之區域之熱傳導的總量。因此，斷熱部182有利地保持使氣體空腔140中之氣體遠離熱， 同時亦保持設置於電力設施空腔144中之控制電子設備256及一或多個電源258遠離熱。
在一實施例中，基板載體100包括一巨大板材，其中在此板材中加工出槽以形成斷熱部182。在此實施例中，氣體輸送歧管空腔142係藉由單一覆蓋板材覆蓋的單一巨大空腔。在其他實施例中，基板載體100包括耦接在一起的第一區域及第二區域，且斷熱部182係安裝於載體的第一區域及第二區域之間。在此實施例中，氣體輸送歧管空腔142包括上區域及下區域，上區域及下區域各別由分開的覆蓋板材覆蓋。進一步來說，氣體輸送歧管空腔142的上區域及下區域係通過一或多個斷熱部中的一或多個通道耦接在一起。此一或多個通道亦可用於在基板載體100之多個區域之間傳遞電性導線。在一實施例中，包括通道的此一或多個斷熱部係設置於接近氣體輸送歧管空腔142。舉例來說，此一或多個斷熱部可設置於接近基板載體100的中間部分。
斷熱部182可由具有一導熱性之材料製造，此導熱性係少於覆蓋板材及底板材132之導熱性。適合用以製造斷熱部182之材料包括陶瓷及聚合物。在第1B圖中所示之例子中，斷熱部182係由有機熱塑性聚合物製造，例如是聚芳基醚酮(polyaryletherketone，PAEK)，舉例為聚醚醚酮(polyether ether ketone，PEEK)。在一實施例中，斷熱部182係在基板載體100中被製造出，藉由加工基板載體100中的多個槽以形成斷熱部182。
第2圖係繪示第1圖之基板載體100的示意前視圖。靜電吸座104之各靜電吸座板102包括至少兩組之分散式的電極 248、250。電極248、250可排列成任何所需之配置，使得電極248、250可以雙極方式致能。選擇此雙極方式以產生足以固定基板於基板載體100之基板支撐表面116之靜電力。電極248、250之不同組可等距分隔，或排列成任何其他所需之配置。舉例來說，電極248、250之數個組可排列成數個行、數個列、數個陣列、或配置成用以提供所需之吸附特性之其他圖案。各個電極248、250可利用不同的極性充電，因而產生靜電力。電極248、250之數個組可配置成用以側向地分佈靜電力而遍佈吸座主體108之基板支撐表面116。在一例子中，電極248及250係設置在不同平面。在一例子中，此些平面係彼此平行。
在多種實施例中，靜電吸座板102的第一電極248與另一靜電吸座板102的第一電極248可以是共平面。類似地，多個靜電吸座板102的多個第二電極(第二電極250)可以是共平面。在一特定的例子中，靜電吸座板102的所有第一電極248可以是共平面，且靜電吸座板102的所有第二電極可以是共平面。
於一例子中，第一電極248可包括數個電極段252，與第二電極250之數個電極段254交錯。可相信的是，交錯之電極段252、254係提供分佈在整個靜電吸座104之一大面積的局部靜電吸引力，其中相較於傳統之設計，當使用較少之吸附電壓時，靜電吸座104之大面積的局部靜電吸引力之聚集作用係提供高吸附力。電極段252、254可形成，以具有不同之長度及幾何形狀。在一實施例中，電極段252、254可具有約0.1mm及約1mm之間的寬度，例如是約0.25mm至約0.5mm之寬度，且寬度可根據被吸附之材料種類變化。在一實施例中，電極段254比電極段 252寬。舉例來說，電極段254例如寬是約1.5至約5倍，或約2至約2.5倍。如果有需要，電極段252、254可配置而具有不同尺寸來彼此交錯。電極段252、254可選擇地或重複地形成，直到所需數量之電極段252、254係形成所需之圖案。在一例子中，電極段252、254具有將相鄰之電極段252、254的0mm的水平距離分開。因此，相鄰之電極段252、254之縱向邊緣係共平面。類似地，數個靜電吸座板102的第二電極250可以是共平面。在一特定的例子中，靜電吸座板102的所有第一電極可以是共平面，且靜電吸座板102的所有第二電極可以是共平面。
各個電極248、250的電極段252、254一般係設置在一或多個介電薄層280a、280b、280c上或之間。在一實施例中，第一電極係印刷於聚醯亞胺的底介電薄層(280c)上，及中間介電薄層(280b)上。中間介電薄層可設置於第一電極及第二電極上，第一電極及第二電極係印刷於中間介電薄層280b上。頂介電薄層(280a)接著可設置於第二電極上。此些電極可包括材料像是銅、鎢、或其他類似物。在另一實施例中，中間介電薄層(280b)可包括電沉積的導電材料，其設置為兩側上的層。頂層及底層的導電材料可被蝕刻以產生頂電極及底電極。在一實施例中，頂層及底層可同時被蝕刻。在蝕刻後，頂介電薄層280a可設置於頂電極上，且底介電薄層280c可適用於底電極。導電材料可以是銅。
在一實施例中，第一電極248及第二電極250具有約6微米(um)至約9um的高度範圍。電極的高度可對應至電極材料從電極設置於其上的對應的介電薄層延伸出的距離。各個電極可具有共同的高度，或是電極可在高度上不相同。在一實施例中， 各個電極的高度可變化，使得高度維持在約6um至約9um的範圍中。在其他實施例中，第一電極248及第二電極250之其中一者具有在約6um至約9um的範圍中的高度，且其他電極具有少於約6um或大於約9um的高度。
一或多個介電薄層280a、280b、280c可包括從其中延伸出的第一突出部260及/或第二突出部270。突出部260、270係示出，從介電薄層280a、280b、280c的同一側延伸，然替代地可從介電薄層280a、280b、280c的相反或相鄰側延伸。在一例子中，各個靜電吸座板102包括三個介電薄層280a、280b、280c，各個電極248、250交替地置於介電薄層280a、280b、280c之間，如第3A圖所示。在多種實施例中，由於放置一或多個介電薄層280a、介電薄層280b於第二電極250上，第二電極250一般係不可見。
如第3B圖所示，電極248及250的電極段252及254係設置在共同介電薄層的共同表面上。舉例來說，電極248及250的電極段252及254可以是設置在介電薄層280a及/或介電薄層280c的共同側上。在多種實施例中，電極248及250的電極段252及254可以是設置在未繪示的另外的介電薄層上。在一實施例中，電極248及250的電極段252及254可以是設置在第3B圖中繪示的介電薄層280c的共同側上。
第一突出部260包括第一連接端264耦接於其上，而第二突出部270包括第二連接端268耦接於其上。第一連接端264係電性耦接於第一電極248，而第二連接端268係電性耦接於第二電極250。各突出部260、270係折疊或彎折離開第一電極 248及第二電極250之平面(舉例為沿著線262)，以讓突出部260、270穿過吸座主體108(繪示於第1圖)及選擇之載體主體106，通過底板材132中的孔172，至有助於電源之電性連接的位置。基於組設於靜電吸座104，突出部260、270可分隔，以使一個靜電吸座板102之突出部260、270與相鄰之靜電吸座板102之突出部260、270交錯。
在靜電吸座104中之各個靜電吸座板102可為獨立地可控制，以能夠精確調整提供在靜電吸座104之所需區域中之吸附力。類似地，靜電吸座板102之群組例如是三個靜電吸座板102，此三個靜電吸座板102可以是一起為可控制的。應理解的是，任何數量之靜電吸座板102可以是在任何所需之圖案或組合之配置下一起為可控制的。在靜電吸座104中之靜電吸座板102之獨立或群組控制可藉由控制電子設備256來控制，且可適用於將各種形式之基板吸附至基板載體100上。只有靜電吸座板102之第一群組可選擇地被供電，以固定基板至靜電吸座104，因而讓靜電吸座板102之第二群組作為備件或備用吸座，來只在第一群組之一或多個靜電吸座板102失效之所需之時供能。舉例來說，一旦初始利用來固定第一基板之第一群組之一或多個靜電吸座板102係決定為已經失效時，在第一群組利用來固定第二基板時，初始未供能之第二群組之一或多個靜電吸座板102可供能而作為部份之第一群組，以固定此些基板於靜電吸座104。
一或多個電源258係電性耦接於靜電吸座板102之電極248、250，且配置以在需要時提供吸附或解吸附功率至靜電吸座板102。一或多個電源258亦可與控制電子設備256電性通訊。 如此一來，控制電子設備256可適用於控制來自一或多個電源258，獨立地且選擇地至各靜電吸座板102之電性訊號的輸送。
靜電吸座104可包括約6個及約500個之間或更多個靜電吸座板102，例如是約200個及約300個之間的靜電吸座板102。在一實施例中，靜電吸座104具有約225個靜電吸座板102，配置成2-D陣列。在另一實施例中，靜電吸座104具有三個靜電吸座板102之約75個群組。雖然圖式中係繪示排列成類似格子的圖案，靜電吸座陣列可配置成任何形狀或圖案，以提供所需之吸附能力。
包括於靜電吸座104中之靜電吸座板102係繪示成具有方形或矩形形狀，然而，應理解的是，靜電吸座板102可具有其他形狀。在一實施例中，靜電吸座板102不包括突出部260之寬度212可以是在約200mm及約500mm之間，例如是約300mm及約450mm之間。靜電吸座板102之長度214可以是約100mm及約300mm之間，例如是約200mm及約250mm之間。長度214及寬度212亦可具有其他尺寸及形狀。
如先前所述，具有靜電吸座104設置於其上之載體主體106可具有控制電子設備256、一或多個電源258、及耦接於其之選擇之平移構件120。載體主體106可由金屬製造，金屬例如是鋁、鈦、不鏽鋼、及合金、及其之組合。載體主體106可以是方形形狀或矩形形狀，然而，應理解的是，載體主體106可具有其他形狀。在一實施例中，載體主體106包括固定在一起的至少第一區域及第二區域。第一區域及第二區域可以是藉由一或多個斷熱部182分離，且第一區域及第二區域係藉由一或多個螺釘或類似的緊固 件固定在一起。在一實施例中，靜電吸座板102係設置在載體主體的第一區域，且氣體空腔及電力空腔係設置在載體主體的第二區域中。
一或多個電源258，例如是電池或類似者，可耦接至載體主體106，且配置以儲存及提供功率至靜電吸座104。在一實施例中，一或多個電源258及控制電子設備256係耦接至相鄰靜電吸座104之載體主體106。在另一實施例中，一或多個電源258可遠離載體主體106，但與靜電吸座104及控制電子設備256電性通訊。舉例來說，一或多個電源258可位於處理腔室中，且當需要從基板載體100吸附及解吸附基板時，可利用快拆件(quick disconnects)、電感耦合或其他適合的技術，將一或多個電源258電性耦接至靜電吸座104及控制電子設備256。
在操作中，一或多個基板可擺置成接觸基板載體100，且控制電子設備256可致使一或多個電源258提供具有第一極性之吸附電壓至電極248，及具有第二極性之吸附電壓至電極250，電極248及250位在設置於靜電吸座104中之一或多個靜電吸座板102中。第一極性係與第二極性相反。舉例來說，第一極性係與第二極性之符號(sign)相反。靜電吸座104吸附基板達所需時間之總量(也就是在處理期間)，且控制電子設備256可接著致使一或多個電源258提供相反極性之解吸附電壓，以自基板載體100解吸附基板。在一實施例中，設置於處理腔室中之數個感測器可與控制電子設備256通訊，及在需要吸附及/或解吸附基板時提供訊號至控制電子設備256。儘管一或多個電源258及控制電子設備256係繪示成耦接於靜電吸座104之下方的載體主體106，應理解的 是，一或多個電源258及控制電子設備256可在任何所需之位置耦接於載體主體106或設置於載體主體106中，例如是在靜電吸座104之上方或靜電吸座104之旁邊。
選擇之平移構件120可藉由一或多個耦接元件207耦接於載體主體106。耦接元件207可由類似於利用來形成載體主體106之材料形成，或可由數種其他材料形成。耦接元件207從載體主體106延伸，且相對於載體主體106定位平移構件120。選擇之平移構件120可適用以沿著導件或類似者在處理腔室中移動。選擇之平移構件120可為棒狀，且可具有圓形或四邊形之剖面。於一實施例中，選擇之平移構件120及耦接元件207可為導電的，以在電源遠離載體主體106時提供控制電子設備256、靜電吸座104、及一或多個電源258之間的電性通訊。
第3A圖係繪示靜電吸座板102之一實施例之爆炸視圖。靜電吸座板102包括第一介電薄層280a、第二介電薄層280b、及第三介電薄層280c。第一電極248係夾置於第一介電薄層280a及第二介電薄層280b之間。第二電極250係夾置於第二介電薄層280b及第三介電薄層280c之間。介電薄層280a、280b、280c可由電絕緣聚合物材料形成，例如是聚醯亞胺(polyimide)，或亦可由聚芳基醚酮(polyaryletherketone)或聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)或陶瓷形成。介電薄層280a、280b、280c可藉由黏著劑、熱接合或其他適合之方法支承在一起。
各個介電薄層280a、280b、280c包括各自的突出部260及270。突出部260、270包括開口360或362於其中，開口360或362暴露第一連接端264及第二連接端268。開口的 尺寸允許緊固件穿過其中，以有助於所需的電連接。
電極段252、254包括個別的縱向邊緣372、374。相鄰的縱向邊緣372、374係定位成彼此共平面，使得相鄰電極段252、254之間的水平距離為0毫米。在多種實施例中，縱向邊緣372係與緊鄰的縱向邊緣374共平面。在一或多個實施例中，相鄰的縱向邊緣372、374的平面係垂直於電極段252及/或電極段254的平面。
在一或多個實施例中，靜電吸座包括具有數個段的第一電極、及具有數個段的第二電極。第一電極的段可與第二電極的段交錯。進一步來說，在一實施例中，第一電極的段及第二電極的段係以螺旋狀排列。
第4A圖係繪示靜電吸座板102之替代實施例。如圖所示，靜電吸座板102a包括第一電極248a及第二電極250a，且靜電吸座板102b包括第一電極248b及第二電極250b。如圖所示，第一電極及第二電極的段係互相交錯，且以螺旋狀排列。
第一電極248及第二電極250之各者具有數個段。舉例來說，第一電極248具有數個段410(410a、410b、410c、410d...410n)，且第二電極250具有數個段420(420a、420b、420c、420d...420n)。在多種實施例中，一或多個數個段420係與一或多個數個段410交錯。舉例來說，數個段420中的段420a係設置平行、相鄰、且位於數個段410中的段410a及410b之間。進一步來說，數個段410的段410b係設置平行、相鄰、且位於數個段420的段420a及420d之間。在多種實施例中，第一電極及第二電極可設置在分開的層上。舉例來說，第一電極及第二電極可 設置在共同介電層的不同側上，或在不同介電層上。在其他實施例中，第一電極及第二電極係設置在介電層的共同側上，使得相應的段為共平面。
段410及420可被設置，使得沿著較短之段的長度，相鄰段之間的距離可以是實質上為定值。舉例來說，當段420a較段410a短，沿著段420a的長度，段410a及420a之間的距離可以是實質上為定值。在其他實施例中，段410的一或多個段之間的距離、及段420的一或多個段之間的距離可沿著其中一個段的長度變化。舉例來說，段410a及段420a之間的距離可沿著段420a的長度變化。
在多種實施例中，數個段410的接續的段連接於角落(例如是角落422)，且數個段410的接續的段係設置成彼此垂直。舉例來說，段410c及410a連接於多個角落422之第一角落，且段410c及410a係設置成彼此垂直。
吸附電極248及250包括數個角落。舉例來說，第一吸附電極包括多個角落422，及第二吸附電極包括多個角落424。各個角落形成相應的吸附電極的段之間的連接區域。在一實施例中，段410的第一段係設置成垂直於段410的第二段，且連接於多個角落422的相應段。另外，段420的第一段係設置成垂直於段420的第二段，且連接於多個角落424的相應段。
在多種實施例中，數個段420的接續的段連接於角落(例如是角落424)，且數個段420的接續的段係設置成彼此垂直。舉例來說，段420a及420b連接於多個角落424之第一角落，且段420a及420b係設置成彼此垂直。
如圖所示，電極段的角落可設置於彼此之間。舉例來說，角落422係設置在多個角落424之間。
數個段(例如是段410或段420)可設置在多種形狀的圖案中。進一步來說，電極248及250具有同樣數量的段。在其他實施例中，電極248及250之其中一者具有比其他電極多至少一個段。
各個電極248及250的段410及420一般係設置在一或多個介電薄層上或一或多個介電薄層之間。一或多個介電薄層包括從介電薄層的側邊延伸的至少一或多個突出部。突出部可從介電薄層的同側、或從相反側、或相鄰側延伸。在一實施例中，連接端264及268係設置在一或多個介電薄層的突出部上。
在多種實施例中，吸附電極248及吸附電極250係以雙極方式致能。舉例來說，吸附電極248a可由具有第一極性的吸附電壓驅動，及吸附電極250a可由具有第二極性的吸附電壓驅動。進一步來說，吸附電極248b可由具有第一極性的吸附電壓驅動，及吸附電極250b可由具有第二極性的吸附電壓驅動。第一極性與第二極性相反。舉例來說，第一極性及第二極性的符號可能不同。在一實施例中，吸附電極248b係由具有第二極性的吸附電壓驅動，及吸附電極250b係由具有第一極性的吸附電壓驅動。
第4B-4E圖繪示具有不同形狀之修改的角落之吸附電極248及250的多種實施例。雖然所示的角落形狀係用於具有配置成螺旋狀的段的吸附電極，角落的修改可應用於其他段的配置。舉例來說，角落的修改可應用於第3A及3B圖的吸附電極。
如第4B圖所示的細節430，在角落432的段之間的 距離436與電極250及248的相鄰段之間的距離438不同。如此，由於電極之間變化的距離，基板表面上的殘留靜電場中的非均勻性可存在於角落432及區域434之間。然而，藉由減少距離436及438之間的差異，可減少或消除此非均勻性。舉例來說，藉由將角落區域中的其中一個段的至少一側圓弧化，角落中的數個電極之間的距離可作成近似於其他區域中的數個電極之間的距離。
在第4C圖中的實施例中，細節440繪示出角落442，角落442包括至少一圓弧側邊，如圓弧側邊460所示。如此，角落442及區域444中分別的距離446及448之間的差異，是小於距離436及438之間的差異。此外，細節440的殘留靜電場分佈較細節430的殘留靜電場分佈，具有較高的均勻性。
第4D圖的細節450繪示吸附電極248及250的另一實施例。如細節450所繪示，角落452包括圓弧側邊462及464，分別具有第一半徑及第二半徑。在繪示的實施例中，側邊464的半徑係小於側邊462的半徑。在其他實施例中，側邊464的半徑及側邊462的半徑係彼此相等。在又其他實施例中，側邊464的半徑係大於側邊462的半徑。在各個側邊的半徑皆至少實質上相等的實施例中，角落452中的電極248及電極250的數個段之間的距離456係實質上與區域458中的電極248及電極250的數個段之間的距離454相等。如此，橫跨靜電吸座板，電極248及250的數個段之間的距離係實質上為定值。因此，細節450的殘留靜電場分佈較細節440及430的殘留靜電場分佈，具有較高的均勻性。
在第4E圖的實施例中，細節470繪示角落472包 括圓弧側邊482、及非圓弧化的側邊480。如此，角落472的距離476及區域478中的距離474之間的差異係大於距離436及438之間的差異。
第4F及4G圖繪示包括電極248及250之靜電吸座板102的爆炸視圖。如第4F及4G圖所繪示，數個電極段係以螺旋狀形成。在第4F圖的實施例中，電極248係藉由介電薄層與電極250分離。在一實施例中，電極248係設置在介電薄層280b的第一側，且電極250係設置在介電薄層280b的第二側。在其他實施例中，電極248係設置在第一介電薄層上，且電極250係設置在第二介電薄層上。在一實施例中，電極248的電極段之寬度近似於電極250的電極段之寬度。舉例來說，電極段可具有約0.25mm之寬度。在其他實施例中，電極248的電極段的寬度係少於電極250的電極段之寬度。舉例來說，電極248的電極段可具有0.25mm之寬度，且電極250的電極段可具有約0.50mm之寬度。進一步來說，電極248及250的數個電極段之間的間距可以是0mm。
在第4G圖的實施例中，電極248及250可以是設置在介電薄層的共同層內。舉例來說，電極248及250可以是設置在介電薄層(介電薄層280c、280a、或280b(未繪示))的共同側上。進一步來說，電極248及250的電極段可具有相似的寬度，或寬度可不同。在一實施例中，電極段的寬度是約0.25mm。另外，電極段之間的間距可以是約0.25mm。
第5A圖繪示相鄰之靜電吸座板102之基板載體100之部份剖面圖。基板500係繪示成虛體(phantom)，設置於靜電吸 座板102之基板支撐表面116上。基板500可如上所述裝配。靜電吸座板102可利用感壓膠、或其他適合之方法固定於吸座主體108之上表面502(如果存在)。靜電吸座板102(及如果存在之吸座主體108)可利用感壓膠、或其他適合之方法固定於載體主體106。各個靜電吸座板102之第一電極及第二電極248、250係藉由電性導線512、514耦接於控制電子設備256及一或多個電源258。
繼續參照第5A圖，面對靜電吸座板102的二或多個邊緣580a及580b係分隔，因而在靜電吸座板102之間形成縫隙568。在選擇之其他相鄰的靜電吸座板102之間可能選擇地不存在縫隙568。縫隙568係於遍佈靜電吸座104的基板支撐表面116的靜電吸座板102之間形成氣體通道。藉由選擇靜電吸座板102之何者具有縫隙568及不具有縫隙568，氣體通道之圖案可形成而遍佈基板支撐表面116。縫隙568定義之氣體通道可充滿背部氣體，且背部氣體例如是氦(Helium)或氬(Argon)，以改善靜電吸座104與固定於其之基板500之間的熱傳導。
載體主體106可包括一或多個埠564，經由通道566、562耦接，通道566、562係形成而穿過載體主體106至背部氣源560。背部氣源560可設置於載體主體106之內側，或在處理腔室中短暫地耦接於載體主體106，例如是利用快接件(quick connect)或其他配合件(未繪示)。
此一或多個埠564係對準於縫隙568，縫隙568形成氣體通道於靜電吸座板102之間。因此，背部氣體，例如是氦，可從背部氣源560通過埠564提供且進入縫隙568，以提升基板500之溫度控制。由於縫隙568形成氣體通道，且縫隙568定義 在靜電吸座板102之間，分隔之氣體通道不必形成在基板支撐表面116中，因而減少製造成本。此外，由於靜電吸座板102可重新定位於載體主體106上，以重新裝配由縫隙568所定義之氣體通道之圖案，靜電吸座104之熱傳導特徵可輕易地調整來符合對特定應用之熱傳導需求，而不必置換靜電吸座104之主要部份。
為了進一步提升靜電吸座104及載體主體106之間及最終與基板500之間的熱傳導，載體主體106可選擇地包括導管506設置於其中，用以載運熱傳流體。導管506係配置成橫跨載體主體106之圖案(也就是平行於靜電吸座104之平面)。熱傳導流體可常存在導管506中或於導管506中循環通過。在一例子中，從流體源(未繪示)提供之熱傳導流體係於導管506中循環。在另一例子中，熱傳導流體密封地包含於導管506，而基板500係固定於基板載體100。流體源可設置於載體主體106之內側，或短暫地耦接於載體主體106，例如是利用快接件或其他配合件(未繪示)，用以讓熱傳導流體流動、或交換熱傳流體。
第5B圖係第5A圖的放大的部分示意圖。第5B圖繪示吸附電極248及250分別的排列的電極段252及254。如所繪示，電極段252的邊緣372係與電極段254的邊緣374分別在平面590a、590b、590c中對準。另外敘明，電極段252、254之間的水平距離為0mm。電極段252、254之對準在處理期間，有助於基板的非常高的吸附力及均勻的吸附，因而改善處理均勻性。在一例子中，平面590a、590b、590c係彼此平行，且垂直於第一電極248的平面及/或第二電極250的平面。
為了進一步促進均勻的處理，且為了在基板的頂表 面獲得近似於0的殘留靜電場，具有電極段254(例如是在處理期間離基板最遠的電極)的背或底電極250可具有絕對電壓施加於其，此絕對電壓大於施加於具有電極段252的第一電極248的電壓。舉例來說，第一電極段252可具有約-1000福特(V)的電壓施加於其，而第二電極段254可具有約+2500V的電壓施加於其。在另一例子中，第二(或底)電極段254可具有絕對電壓施加於其，此絕對電壓為第一(或頂)電極段252之電壓的約1.5至約3倍，例如是第一電極段252之電壓約2倍至2.5倍。雖然例子中說明第一電極段252為負偏壓且第二電極段254為正偏壓，應注意的是，相反的情況也可理解。進一步來說，吸附電壓的非對稱應用達成在基板的頂表面上的至少約零殘留靜電場，因此形成於基板的頂表面上的電子設備例如是薄膜電晶體，在處理期間沒有受到影響。
絕對偏壓的差異補償了各個電極248、250與被靜電吸附的基板的不同距離。各個電極248、250的偏移距離允許各自的電極段252、254的寬度延伸至足夠距離，使得電極段252、254的相鄰邊緣為共平面。藉由通過非對稱電極電壓驅動電極，可使電場在基板的厚度中更均勻，從而提供高且均勻的吸附力，且同時在設置於吸附電極的基板表面上產生零殘留靜電場。
第5C圖係第5A圖之放大部份示意圖之另一實施例。特別是，第5C圖繪示排列的電極段252及254的另一實施例。如所繪示，電極段252的邊緣376係與電極段254的邊緣378分別在平面590d、590e、590f中對準。如第5B圖的實施例，電極段252、254之間的水平距離為0mm。電極段252、254之對準 在處理期間，有助於基板的非常高的吸附力及均勻的吸附，因而改善處理均勻性。在一例子中，平面590d、590e、590f係彼此平行，且垂直於第一電極248的平面及/或第二電極250的平面。
電極段254之寬度係大於電極段252之寬度。在一實施例中，電極段254之寬度是電極段252之寬度的約兩倍。在另一實施例中，電極段254之寬度可大於電極段252之寬度的兩倍，或小於電極段252之寬度的兩倍。
為了進一步促進均勻的處理，且為了在基板的頂表面減少殘留靜電場至近似於0，背或底電極段254(例如是在處理期間離基板最遠的電極)可具有絕對電壓施加於其，此絕對電壓近似於施加於第一或較上電極段252的電壓。舉例來說，第一電極段252可具有約-1500V的電壓施加於其，而第二電極段254可具有約+1500V的電壓施加於其。雖然例子中說明第一電極段252為負偏壓且第二電極段254為正偏壓，應注意的是，相反的情況也可理解。
在一或多個實施例中，電極段254之寬度是電極段252之寬度的兩倍。舉例來說，靜電吸座可包括具有約0.25mm之寬度之電極段的第一電極，及具有0.5mm之寬度之電極段的第二電極。在其他實施例中，第一電極段及第二電極段具有其他寬度，使得電極段254的寬度大於電極段252的寬度。
第6圖係繪示說明本揭露之遍佈靜電吸座之基板之頂表面上之殘留靜電場之分佈的圖表692。靜電吸座具有0.25mm的上(或第一)電極寬度及0.5mm的下(第二)電極寬度，及0mm的電極間距，用以吸附具有0.3mm的厚度的玻璃基板。施加-1000V 的直流電壓至第一(或上)電極，及施加+1000V的直流電壓至第二(或下)電極。圖表692的中央部分繪示基板之頂表面上幾乎接近零的殘留靜電場。由於第一電極的各個段在任一側上具有第二電極的一段，且反之第二電極的各個段在任一側上具有第一電極的一段，故中央部分是均勻的，因此使得遍佈中央區域的殘留靜電場平衡。造成非均勻端693的結果，是由於正或負電極段設置為靜電吸座板的最外側電極部分，且因此不具有僅限於內側的相反極性的段。因此，最後的段是不平衡的，且導致電壓尖峰。然而，靜電吸座板可以陣列定位，這減輕了對基板處理的這種影響。舉例來說，靜電吸座板可以這樣的方式定位，使得非均勻端出現在基板外周邊之外，或出現在基板未使用的部分，此部分被認為是邊緣去除區域。進一步來說，在中央部分，靜電吸座板可被定位，使得由具有第一極性的吸附電壓驅動的第一靜電吸座板的一段，位在相鄰於具有第二極性的吸附電壓驅動的第二靜電吸座板的一段，其中第一極性與第二極性相反。
第7圖繪示根據一或多個實施例之靜電吸座板710、720、730及740之陣列。如圖所示，各個靜電吸座板包括第一電極及第二電極。舉例來說，靜電吸座板710包括電極712及714，靜電吸座板720包括電極722及724，靜電吸座板730包括電極732及734，靜電吸座板740包括電極742及744。進一步來說，各個吸附電極包括突出部(例如是突出部260及270)。如上所述，各個突出部260、270可折疊或彎折離開對應之電極之平面，以讓突出部260、270穿過吸座主體108(繪示於第1圖)及選擇之載體主體106，通過底板材132中的孔172，至有助於電源之電性連 接的位置。進一步來說，突出部可設置在沿著對應之電極的任何位置上。
在一實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極之間的距離係近似於靜電吸座組件之數個電極之間的距離。舉例來說，靜電吸座板710之電極712及靜電吸座板720之電極724之間的距離係近似於靜電吸座板710之電極712及714之間的距離。在另一實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極之間的距離係小於靜電吸座組件之數個電極之間的距離的三倍。舉例來說，靜電吸座板710之電極712及靜電吸座板720之電極724之間的距離係小於靜電吸座板710之電極712及714之間的距離的三倍。進一步來說，在又其他實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極之間的距離係小於靜電吸座組件之數個電極之間的距離的六倍。舉例來說，靜電吸座板710之電極712及靜電吸座板720之電極724之間的距離係小於靜電吸座板710之電極712及714之間的距離的六倍。
在一實施例中，各個靜電吸座板中之相鄰電極係由具有相反極性之吸附電壓驅動。舉例來說，參照第7圖，靜電吸座板710之電極712及714係由具有相反極性之吸附電壓驅動。進一步來說，在一或多個實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極係由具有相反極性之吸附電壓驅動。舉例來說，進一步參照第7圖，靜電吸座板710之電極712及靜電吸座板720之電極724係由具有相反極性之吸附電壓驅動。
在一實施例中，靜電吸座板710、720、730及740係由一或多個吸附電壓驅動。舉例來說，靜電吸座板710、720、 730及740可耦接至控制電子設備，此控制電子設備可致使電源提供具有第一極性之第一吸附電壓至各個靜電吸座板之第一電極，及提供具有第二極性之第二吸附電壓至各個靜電吸座板之其他電極。第一極性與第二極性之極性相反。
在一實施例中，靜電吸座板710之電極712係由具有第一極性之吸附電壓驅動，且靜電吸座板710之電極714係由具有第二極性之吸附電壓驅動。在一實施例中，第一極性可以是正極性，且第二極性可以是負極性。進一步來說，在另一實施例中，第一極性可以是負極性，且第二極性可以是正極性。
在一或多個實施例中，相鄰靜電吸座板上的相鄰電極係由具有不同極性的吸附電極驅動。在此實施例中，同一靜電吸座板之兩個電極係由具有不同極性的吸附電壓驅動，且相鄰靜電吸座板之相鄰電極係由具有不同極性之吸附電壓驅動，以減少形成於靜電吸座板之間的基板的頂表面上的殘留靜電場。在多種實施例中，可在靜電吸座板之間消除殘留靜電場，使得繪示於第6圖中沿著靜電吸座板之相鄰邊緣的邊緣效應減輕。
舉例來說，靜電吸座板710之電極712係由具有第一極性之吸附電壓驅動，及靜電吸座板730之電極732係由具有第二極性之電壓驅動。據此，設置成相鄰於彼此的電極段712a及電極段732a係由具有相反極性之吸附電壓驅動。進一步來說，靜電吸座板710之電極714係由具有第二極性之吸附電壓驅動，及靜電吸座板730之電極734係由具有第一極性之電壓驅動。另外，靜電吸座板720之電極724係由具有第二極性之吸附電壓驅動，及靜電吸座板720之電極722係由具有第一極性之電壓驅動，且 靜電吸座板740之電極742係由具有第二極性之吸附電壓驅動，及靜電吸座板740之電極744係由具有第一極性之電壓驅動。據此，電極段712b及電極段724b係由具有相反極性之吸附電壓驅動，電極段724a及電極段744a係由具有相反極性之吸附電壓驅動，及電極段732b及電極段744b係由具有相反極性之吸附電壓驅動。第一極性可以是正極性且第二極性可以是負極性。在另一實施例中，第一極性可以是負極性且第二極性可以是正極性。
雖然具有電極的靜電吸座板710、720、730及740係繪示成具有螺旋狀圖案且電極具有多個交織的段，在另一實施例中，靜電吸座板可具有不同配置及/或形狀的電極。舉例來說，第8圖繪示具有電極的靜電吸座板810、820、830及840，此些電極具有交錯的段(或指)。
如所繪示，各個靜電吸座板包括第一電極及第二電極。舉例來說，靜電吸座板810包括電極812及814，靜電吸座板820包括電極822及824，靜電吸座板830包括電極832及834，及靜電吸座板840包括電極842及844。在一或多個實施例中，一靜電吸座板(例如是靜電吸座板810、820、830、及/或840)中之相鄰電極係由具有相反極性之吸附電壓驅動。舉例來說，參照第8圖，靜電吸座板810之電極812及814係由具有相反極性之吸附電壓驅動。進一步來說，在一或多個實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極係由具有相反極性之吸附電壓驅動。舉例來說，靜電吸座板810之電極812及靜電吸座板820之電極822係有具有相反極性之吸附電壓驅動。
在一實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極之間的 距離係近似於靜電吸座組件之數個電極之間的距離。舉例來說，靜電吸座板810之電極812及靜電吸座板820之電極822之間的距離係近似於靜電吸座板810之電極812及814之間的距離。在另一實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極之間的距離係小於靜電吸座組件之數個電極之間的距離的三倍。舉例來說，靜電吸座板810之電極812及靜電吸座板820之電極822之間的距離係小於靜電吸座板810之電極812及814之間的距離的三倍。進一步來說，在又其他實施例中，相鄰靜電吸座板之相鄰電極之間的距離係小於靜電吸座組件之數個電極之間的距離的六倍。舉例來說，靜電吸座板810之電極812及靜電吸座板820之電極822之間的距離係小於靜電吸座板810之電極812及814之間的距離的六倍。
靜電吸座板810、820、830及840之數個電極可由第7圖之實施例所描述的那樣驅動，使得相同靜電吸座板之相鄰電極由具有不同極性之吸附電壓驅動。進一步來說，相鄰靜電吸座板之相鄰電極係由具有不同極性之吸附電壓驅動，以減少靜電吸座板之間的基板的頂表面上的殘留靜電場。在多種實施例中，可在靜電吸座板之間消除殘留靜電場，使得繪示於第6圖中沿著靜電吸座板之相鄰邊緣的邊緣效應減輕。
在一或多個實施例中，靜電吸座板810之電極814係由具有第一極性之吸附電壓驅動，及靜電吸座板830之電極832係由具有第二極性之電壓驅動。據此，設置成相鄰於彼此的電極段814a及電極段832a係由具有相反極性之吸附電壓驅動。進一步來說，靜電吸座板810之電極812係由具有第二極性之吸附電 壓驅動，及靜電吸座板830之電極834係由具有第一極性之電壓驅動。另外，靜電吸座板820之電極822係由具有第一極性之吸附電壓驅動，及靜電吸座板820之電極824係由具有第二極性之電壓驅動，且靜電吸座板840之電極842係由具有第一極性之吸附電壓驅動，及靜電吸座板840之電極844係由具有第二極性之電壓驅動。據此，電極段812a及電極段822a係由具有相反極性之吸附電壓驅動，電極段824a及電極段842a係由具有相反極性之吸附電壓驅動，及電極段844a及電極段834a係由具有相反極性之吸附電壓驅動。第一極性可以是正極性且第二極性可以是負極性。在另一實施例中，第一極性可以是負極性且第二極性可以是正極性
在多種實施例中，靜電吸座板可具有不同形狀的電極，且配置成第7及8圖中所繪示的那樣。舉例來說，電極可具有更多或更少的段。進一步來說，電極可具有不同形狀及/或配置的段。在一實施例中，各個電極僅包括單一的段。在多種實施例中，電極可具有不與另一電極的段交錯的段。進一步來說，電極可具有一或多個彎曲或斜角的部分。
在一或多個實施例中，多個靜電吸座板可設置成遍佈靜電吸座組件中的基板載體，且可改變靜電吸座板的配置，使得驅動於相鄰靜電吸座板之相鄰電極上之吸附電壓之極性不同。舉例來說，第9圖繪示靜電吸座組件900，包括靜電吸座板902，靜電吸座板902可設置在基板載體(未繪示)上。靜電吸座板的配置(例如是設計或佈局)可在基板載體上變化。配置可變化，使得驅動於一靜電吸座板中之相鄰電極上之吸附電壓之極性、及驅動於 相鄰靜電吸座板之相鄰電極上之吸附電壓之極性不同。
舉例來說，靜電吸座板9021,1具有第一配置。靜電吸座板9021,2及9027,3具有第二配置。靜電吸座板9021,3及9027,2具有第三配置。靜電吸座板9027,1具有第四配置。靜電吸座板9022,1、9023,1、9024,1、9025,1及9026,1具有第五配置。進一步來說，靜電吸座板9022,2、9022,3、9023,2、9023,3、9024,2、9024,3、9025,2、9025,3、9026,2及9026,3具有第六配置。在靜電吸座板中之至少一個電極或電極段配置中，第一、二、三、四、五、六配置係不同。靜電吸座板之配置的變化係選擇，使得相鄰靜電吸座板中之相鄰電極、及相同靜電吸座板中之相鄰電極係由具有不同極性之吸附電壓驅動。
進一步來說，在一實施例中，靜電吸座板9021,1,9021,3、9022,2、9023,1、9023,3、9024,2、9025,1、9025,3、9026,2、9027,1、及9027,3之頂電極係由具有第一極性之吸附電壓驅動，且靜電吸座板9021,2、9022,1、9022,3、9023,2、9024,1、9024,3、9025,2、9026,1、9026,3、及9027,2之底電極係由具有第二極性之吸附電壓驅動。在其他實施例中，靜電吸座板之電極可利用其他方法驅動，使得相鄰靜電吸座板中之相鄰電極、及相同靜電吸座板中之相鄰電極係由具有不同極性之吸附電壓驅動。
雖然第9圖繪示靜電吸座板902的一種配置，而在其他實施例中，其他配置也是有可能的。舉例來說，在多種實施例中，可採用更多或更少的靜電吸座板配置。不同靜電吸座板配置的數量可選擇，使得相鄰靜電吸座板中之相鄰電極、及相同靜電吸座板中之相鄰電極係由具有不同極性之吸附電壓驅動，以在 基板載體之靜電吸座板上遍佈的基板之頂表面上提供零殘留靜電場。
第10圖繪示靜電吸座板1010及1020之部分示意圖。如圖所示，電極1014係設置在介電薄層280c上，電極1012係設置在介電薄層280b上，電極1024係設置在介電薄層280f上，及電極1022係設置在介電薄層280e上。進一步來說，電極1014及1024的一或多個段(例如是電極段1014a及1024a)係大於相同電極的其他段。舉例來說，電極段1014a具有大於電極段1014b的寬度，使得電極段1014a延伸超過電極段1012a的邊緣1050。進一步來說，電極段1024a具有大於電極段1024b的寬度，使得電極段1024a延伸超過電極段1022a的邊緣1060。
跟其他段相比，增加電極段1014a及1024a的寬度，減少的這兩個電極段之間的距離。據此，兩個靜電吸座板1010及1020之間的基板之頂表面上的殘留靜電場也被減少。在一實施例中，一槽係設置在靜電吸座板1010及1020之間，槽用作氣體槽，用於分佈基板及吸座板之間的背部氣體。槽可具有約0.5mm的寬度。進一步來說，可基於電極之間存在的殘留靜電場的數量決定槽的寬度。在一或多個實施例中，電極段1014a及1024a之間的距離可以是在約0.5mm至1mm之間。
此處所述的靜電吸座適合用於與基板載體、基板支撐件及類似者，用於在處理期間固定基板。各個靜電吸座板可有利地獨立置換，因而減少修理靜電吸座之時間及成本。此處所述的靜電吸座板產生均勻且高吸附力，且也減少基板之頂表面上的殘留靜電場至接近於0，從而有助於基板之處理均勻。
雖然上述內容是關於本揭露的實施例，但可在不背離基本範圍的情況下，設計出本揭露的其他和更進一步的實施例，範圍係由下列的申請專利範圍而定。
100:基板載體
102:靜電吸座板
104:靜電吸座
106:載體主體
120:平移構件
207:耦接元件
212:寬度
214:長度
248:電極(第一電極)
250:電極(第二電極)
252:電極段(第一電極段、頂電極段)
254:電極段(第二電極段、底電極段)
256:控制電子設備
258:電源
260:突出部(第一突出部)
262:線
264:連接端(第一連接端)
268:連接端(第二連接端)
270:突出部(第二突出部)

Claims (20)

  1. 一種基板載體，包括：一第一靜電吸座板，包括：一第一電極，常存於單一平面中，且適於由具有一第一極性之一第一吸附電壓驅動；及一第二電極，常存於單一平面中，且適於由具有與該第一極性不同之一第二極性之一第二吸附電壓驅動；以及一第二靜電吸座板，設置相鄰於該第一靜電吸座板，且包括：一第三電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第二極性之該第二吸附電壓驅動，該第二靜電吸座板之該第三電極係設置相鄰於該第一靜電吸座板之該第一電極；及一第四電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第一極性之該第一吸附電壓驅動，其中該第一極性與該第二極性不同，其中該第一靜電吸座板之該第一電極及該第二靜電吸座板之該第三電極之間之距離係小於該第一靜電吸座板之該第一電極及該第二電極之間之距離的六倍。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板載體，更包括：一第三靜電吸座板，設置相鄰於該第一靜電吸座板，且包括：一第五電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第二極性之該第二吸附電壓驅動，且該第三靜電吸座板之該第五電極係設置相鄰於該第一靜電吸座板之該第一電極；及一第六電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第一極性之該第一吸附電壓驅動；以及 一第四靜電吸座板，設置相鄰於該第二靜電吸座板，且包括：一第七電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第一極性之該第一吸附電壓驅動，且該第四靜電吸座板之該第七電極係設置相鄰於該第二靜電吸座板之該第三電極；及一第八電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第二極性之該第二吸附電壓驅動。
  3. 一種基板載體，包括：一第一靜電吸座板，包括：一第一電極，常存於單一平面中，且適於由具有一第一極性之一第一吸附電壓驅動；及一第二電極，常存於單一平面中，且適於由具有與該第一極性不同之一第二極性之一第二吸附電壓驅動；以及一第二靜電吸座板，設置相鄰於該第一靜電吸座板，且包括：一第三電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第二極性之該第二吸附電壓驅動，該第二靜電吸座板之該第三電極係設置相鄰於該第一靜電吸座板之該第一電極；及一第四電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第一極性之該第一吸附電壓驅動，其中該第一極性與該第二極性不同，其中：該第一靜電吸座板之該第一電極包括複數個第一段，該些第一段連接於複數個第一角落；該第一靜電吸座板之該第二電極包括複數個第二段，該些第二段連接於複數個第二角落； 該些第一段之一第一段及該些第二段之一第二段係彼此相鄰且平行，且以一第一距離分開；及該些第一角落之一第一角落具有一第一側，該些第二角落之一第二角落具有一第二側，該第一角落相鄰於該第二角落，該第一角落與該第二角落係以一第二距離分開，且該第一角落具有一第一半徑。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板載體，其中該第一距離與該第二距離大約相等。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板載體，其中該第一靜電吸座板之該第一電極包括複數個第一段，該些第一段設置於一第一介電層上；該第一靜電吸座板之該第二電極包括複數個第二段，該些第二段設置於一第二介電層上，該第二介電層在該第一介電層上；該些第一段及該些第二段之間的一水平間距係大於或等於0。
  6. 一種基板載體，包括：一第一靜電吸座板，包括：一第一電極，常存於單一平面中，且適於由具有一第一極性之一第一吸附電壓驅動；及一第二電極，常存於單一平面中，且適於由具有與該第一極性不同之一第二極性之一第二吸附電壓驅動；以及一第二靜電吸座板，設置相鄰於該第一靜電吸座板，且包括：一第三電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第二極性之該第二吸附電壓驅動，該第二靜電吸座板之該第三電極係設置相鄰於該第一靜電吸座板之該第一電極；及 一第四電極，常存於單一平面中，且適於由具有該第一極性之該第一吸附電壓驅動，其中該第一極性與該第二極性不同，其中：該第一靜電吸座板之該第一電極及該第二電極之高度係在約6um至約9um的範圍內，且該第二靜電吸座板之該第一電極及該第二電極之高度係在約6um至約9um的範圍內。
  7. 如申請專利範圍第3或6項所述之基板載體，其中該第一靜電吸座板之該第一電極及該第二靜電吸座板之該第三電極之間之距離係小於該第一靜電吸座板之該第一電極及該第二電極之間之距離的六倍。
  8. 一種靜電吸座板，包括：一第一電極，具有複數個第一段且常存於單一平面中，且該些第一段連接於複數個第一角落；一第二電極，與該第一電極交錯，該第二電極具有複數個第二段且常存於單一平面中，且該些第二段連接於複數個第二角落，該些第二角落之第一個係設置在該些第一角落之第一個及該些第一角落之第二個之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之靜電吸座板，更包括：一電源，設置成用以驅動具有一第一極性之一第一吸附電壓之該第一電極，及具有一第二極性之一第二吸附電壓之該第二電極，其中該第一極性與該第二極性相反。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之靜電吸座板，其中：該些第一段之一第一段及一第二段係連接於該些第一角落之一第一角落； 該些第二段之一第三段及一第四段係連接於該些第二角落之一第二角落；及該第一段係設置平行且相鄰於該第三段。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之靜電吸座板，其中：該第一段係與該第三段以一第一距離分開；該第一角落之一第一側係與該第二角落之一第二側以一第二距離分開；及該第一角落具有一第一半徑。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之靜電吸座板，其中該第一距離係大約等於該第二距離。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之靜電吸座板，其中該第一距離係小於該第二距離。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之靜電吸座板，其中該第一距離係大於該第二距離。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之靜電吸座板，其中該第二角落具有一第二半徑。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之靜電吸座板，其中該第一電極及該第二電極之高度係在約6um至約9um的範圍內。
  17. 一種用於吸附一基板之一方法，包括：設置一大面積基板至一靜電吸座板之一基板支撐表面上，該靜電吸座板包括複數個電極，該些電極設置於不同平面上；施加一第一電壓至該靜電吸座板之一第一電極，其中該第一電極具有複數個第一段且常存於單一平面中，且該些第一段連接於複數個第一角落； 施加一第二電壓至該靜電吸座板之一第二電極，該第二電極係設置得較該第一電極更遠離該基板，其中該第二電極與該第一電極交錯，該第二電極具有複數個第二段且常存於單一平面中，且該些第二段連接於複數個第二角落，該些第二角落之第一個係設置在該些第一角落之第一個及該些第一角落之第二個之間，其中該第二電壓具有與該第一電壓不同之極性；靜電地吸附該大面積基板至該基板支撐表面。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一電極及該第二電極包括交錯的段。
  19. 一種用於吸附一基板之一方法，包括：設置一大面積基板至一靜電吸座板之一基板支撐表面上，該靜電吸座板包括複數個電極，該些電極設置於不同平面上；施加一第一電壓至該靜電吸座板之一第一電極；施加一第二電壓至該靜電吸座板之一第二電極，該第二電極係設置得較該第一電極更遠離該基板，其中該第二電壓具有與該第一電壓不同之極性；靜電地吸附該大面積基板至該基板支撐表面，其中該第二電壓具有大於該第一電壓約1.5至約3倍的絕對值，且其中該第二電極之電極段具有與該第一電極之電極段相同之寬度。
  20. 一種用於吸附一基板之一方法，包括：設置一大面積基板至一靜電吸座板之一基板支撐表面上，該靜電吸座板包括複數個電極，該些電極設置於不同平面上；施加一第一電壓至該靜電吸座板之一第一電極； 施加一第二電壓至該靜電吸座板之一第二電極，該第二電極係設置得較該第一電極更遠離該基板，其中該第二電壓具有與該第一電壓不同之極性；靜電地吸附該大面積基板至該基板支撐表面，其中該第二電壓具有與該第一電壓約相同之絕對值，且其中該第二電極之電極段係大於該第一電極之電極段的約1.5至約3倍寬。
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