JPWO2016153070A1 - サファイア部材、およびサファイア部材の製造方法 - Google Patents
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- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
Abstract
Description
1A 主面
10 テラス構造層
10α テラス面
10β サイド面
20 エッジライン
21 サークルエッジ
30、60 平坦部
40 凸部
50 凹部
Claims (10)
- サファイアを主成分とし、サファイア結晶のC面に沿った主面を備えるサファイア部材であって、
前記主面の少なくとも一部の領域に、前記C面に沿ったテラス面と、該テラス面のエッジラインに当接するサイド面とを有するテラス構造層が複数位置していることを特徴とするサファイア部材。 - 前記テラス面は、1μm四方の正方形よりも大きい平坦部を備えることを特徴とする請求項1に記載のサファイア部材。
- 前記テラス面は、5μm四方の正方形よりも大きい平坦部を備えることを特徴とする請求項2に記載のサファイア部材。
- 前記主面の平面視において、
閉曲線状のサークルエッジを備え
周の長さの長い第1サークルエッジが、
周の長さの短い第2サークルエッジを交差せずに囲繞していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のサファイア部材。 - 前記第2サークルエッジが前記第1サークルエッジより上側に位置していることを特徴とする請求項4に記載のサファイア部材。
- 前記第1サークルエッジが前記第2サークルエッジより上側に位置していることを特徴とする請求項4に記載のサファイア部材。
- 前記サークルエッジの少なくとも一つが、六角形状サークルエッジであることを特徴とする請求項4〜6のいずれか記載のサファイア部材。
- 前記六角形状サークルエッジの各辺が、前記サファイア結晶のM面に沿っていることを特徴とする請求項7記載のサファイア部材。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のサファイア部材の製造方法であって、
サファイア結晶のC面に沿った主面を有する基材を得る加工工程と、
前記基材を1800℃〜2000℃に加熱する加熱工程と、
該加熱工程の後、6時間以上かけて室温まで降温させる除冷工程とを有することを特徴とするサファイア部材の製造方法。 - サファイア部材の製造方法であって、
サファイア結晶のM面に沿った主面を有する基材を得る加工工程と、
前記基材を1800℃〜2000℃に加熱する加熱工程と、
該加熱工程の後、6時間以上かけて室温まで降温させる除冷工程とを有することを特徴とするサファイア部材の製造方法。
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