CN203007496U - 一种蓝宝石退火工装 - Google Patents

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王瑞娟
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Jiangsu Li Long Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Abstract

本实用新型提供一种蓝宝石退火工装,它包括氧化铝盘,氧化铝盘上设置圆周阵列的卡槽;卡槽保证晶片可以固定不动,避免摔碎,氧化铝盘按照生产需要随时调节退火数量,工装的卡槽可以按照晶片尺寸和厚度来调节,灵活性大,适应性强;避免晶片和晶片之间互相污染,并保证每片晶片所处温厂恒定均匀,使退火后晶片的翘曲达到一致,应力释放完全;材质同蓝宝石衬底,避免了退火过程对晶片的再次沾污。

Description

一种蓝宝石退火工装
技术领域
本实用新型涉及一种蓝宝石退火工艺中使用的退火工装,属于蓝宝石衬底加工技术领域。
背景技术
蓝宝石晶体是超高亮度的蓝、白光LEDF发光材料,是GaN最常用的衬底材料。GaN磊晶质量和蓝宝石基板表面加工质量密切相关,尤其是图形化衬底对晶片表面质量、翘曲程度。如果晶片翘曲程度过大,会使衬底片做GaN磊晶时,外延薄膜与平片脱落,PSS难以聚焦,影响外延质量。如果晶片表面有上道工序残留物质无法处理,会在下游工序处理时,影响透光率。
蓝宝石衬底加工过程,会有双面研磨、退火、单面研磨、化学机械抛光和清洗工序,在研磨过程中,晶片加工应力会有一定程度的无序释放,但是未释放的应力会在晶片表面积聚,影响晶片翘曲。研磨过程中会将上道工序残留在晶片正面的物质利用下量去除,但是残留在晶片背面的物质无法清洗掉。
现在蓝宝石退火工艺,常规采用分步升温和分段降温的方式,但是由于退火炉炉腔温场分布不均,晶片摆放位置不同,同一退火流程出的晶片,会不同程度的出现晶片外观不良,如水痕、白点、黑点和翘曲度参差不齐。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种蓝宝石退火工装,将晶片退火时的空间位置进行调整,能够有效避免退火后晶片外观沾污和晶片翘曲参差不齐的现象出现。
为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是,一种蓝宝石退火工装,它包括氧化铝盘,氧化铝盘上设置圆周阵列的卡槽。
上述的蓝宝石退火工装,其氧化铝盘为圆盘状,盘面边缘设置环形卡槽区。
上述的蓝宝石退火工装,其卡槽沿环形卡槽区圆周阵列,均匀排布。
上述的蓝宝石退火工装,其氧化铝盘中心设置支撑柱,至少两个氧化铝盘安装在同一个支撑柱上。
本实用新型具有如下优点及有益技术效果:
1、本实用新型的蓝宝石退火工装,卡槽保证晶片可以固定不动,避免摔碎,氧化铝盘按照生产需要随时调节退火数量,工装的卡槽可以按照晶片尺寸和厚度来调节,灵活性大,适应性强。
2、本实用新型的蓝宝石退火工装使晶片竖直排放,保持晶片间间隙,避免晶片和晶片之间互相污染,并保证每片晶片所处温厂恒定均匀,使退火后晶片的翘曲达到一致,应力释放完全。
3、本实用新型的蓝宝石退火工装材质为高纯度氧化铝,材质同蓝宝石衬底,避免了退火过程对晶片的再次沾污。
附图说明
图1是本实用新型的蓝宝石退火工装结构示意图;
上述图中:
1-氧化铝盘;2-卡槽;3-卡槽区;4-支撑柱。
具体实施方式
本实施例的蓝宝石退火工装,它包括氧化铝盘1,氧化铝盘1上设置圆周阵列的卡槽2;氧化铝盘1为圆盘状,盘面边缘设置环形卡槽区3;卡槽2沿环形卡槽区3圆周阵列,均匀排布;氧化铝盘1中心设置支撑柱4,至少两个氧化铝1盘安装在同一个支撑柱4上。
使用时按如下步骤进行:
1、将晶片依次排放在卡槽2中,排放时保证晶片与晶片之间存有空隙;
2、排放完晶片后,手提支撑柱4,放置在退火炉的中心位置,保证晶片处在温度恒定位置;
3、按照退火流程进行退火。
以上所述,仅是对本实用新型的较佳实施例而已,并非是对本实用新型做其他形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是,凡是未脱离本实用新型方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与改型,仍属于本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.一种蓝宝石退火工装,其特征在于:它包括氧化铝盘,氧化铝盘上设置圆周阵列的卡槽。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石退火工装,其特征在于:所述氧化铝盘为圆盘状,盘面边缘设置环形卡槽区。
3.根据权利要求2所述的蓝宝石退火工装,其特征在于:所述卡槽沿环形卡槽区圆周阵列,均匀排布。
4.根据权利要求1、2或3所述的蓝宝石退火工装,其特征在于:所述氧化铝盘中心设置支撑柱,至少两个氧化铝盘安装在同一个支撑柱上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107407006A (zh) * 2015-03-26 2017-11-28 京瓷株式会社 蓝宝石部件、及蓝宝石部件的制造方法
CN110512287A (zh) * 2019-09-12 2019-11-29 江苏吉星新材料有限公司 一种4吋蓝宝石晶体退火方法

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Patentee after: Jiangsu Li Long Semiconductor Technology Co., Ltd.

Address before: 266114 Shandong Qingdao high tech Industrial Development Zone - Red Island (No. 1)

Patentee before: Qingdao iStarWafer Technology Co., Ltd.

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Termination date: 20191229

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