JPWO2016136335A1 - Ｒｆｉｃデバイス及びｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法 - Google Patents
Ｒｆｉｃデバイス及びｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016136335A1 JPWO2016136335A1 JP2017501980A JP2017501980A JPWO2016136335A1 JP WO2016136335 A1 JPWO2016136335 A1 JP WO2016136335A1 JP 2017501980 A JP2017501980 A JP 2017501980A JP 2017501980 A JP2017501980 A JP 2017501980A JP WO2016136335 A1 JPWO2016136335 A1 JP WO2016136335A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- rfic
- rfic device
- resin block
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
- G06K19/07773—Antenna details
- G06K19/07777—Antenna details the antenna being of the inductive type
- G06K19/07779—Antenna details the antenna being of the inductive type the inductive antenna being a coil
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
- G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
- G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
- G06K19/07754—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna the connection being galvanic
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
- G06K19/07773—Antenna details
- G06K19/07788—Antenna details the antenna being of the capacitive type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/315—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/2208—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems
- H01Q1/2225—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems used in active tags, i.e. provided with its own power source or in passive tags, i.e. deriving power from RF signal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q7/00—Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop
- H01Q7/005—Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop with variable reactance for tuning the antenna
Abstract
ＲＦＩＣデバイスは、第１面と、第１面に対向する第２面とを備え、第１面と第２面とを貫通する貫通穴を有する樹脂ブロックと、樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、第１面から第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、を備え、貫通穴は、コイルアンテナの内側に設けられる。
Description
本発明は、ＲＦＩＣデバイス及びＲＦＩＣデバイスを含む樹脂成型体の製造方法に関する。
物品管理や電子決済等のための情報管理システムとして、リーダライタとＲＦＩＤタグとを非接触方式で通信させて所定の情報を伝達するＲＦＩＤシステムが実用化されている。ＲＦＩＤタグは、所定の情報を記憶しかつ所定の無線信号を処理するＲＦＩＣチップと、高周波信号の送受信を行うアンテナとを備え、例えば物品管理においては管理対象となる物品に取り付けられる。
物品へのＲＦＩＤタグの取り付け方法としては、物品表面への貼り付けが一般的であるが、射出成型等により物品自体にＲＦＩＤタグが埋設されることもある。図２２は、従来のＲＦＩＤタグ５１を用いて射出成型を行う場合の樹脂の流れ５５を示す概略図である。通常、ＲＦＩＤタグ５１は、アンテナ基板上にＲＦＩＣチップが実装された平板形状を有している。このようなＲＦＩＤタグ５１を樹脂モールドする場合、射出された成型用樹脂５５がタグにあたることで樹脂の流れを阻害してしまうことがある。すると、成型用金型５２内での成型用樹脂５５の回りこみ不足による欠損部ができてしまったり、樹脂の圧力によりＲＦＩＤタグに位置ずれが生じてしまったりすることがある。また、ＲＦＩＤタグ５１内のＲＦＩＣチップに高温の樹脂による熱的なダメージが蓄積されると、ＲＦＩＣチップが損傷してしまうこともある。特に、樹脂が流れてくる方向に対してサイズの大きな面が対向するようにタグを配置せざるを得ない場合、ＲＦＩＣチップが損傷を受ける可能性が高くなる。
物品へのＲＦＩＤタグの取り付け方法としては、物品表面への貼り付けが一般的であるが、射出成型等により物品自体にＲＦＩＤタグが埋設されることもある。図２２は、従来のＲＦＩＤタグ５１を用いて射出成型を行う場合の樹脂の流れ５５を示す概略図である。通常、ＲＦＩＤタグ５１は、アンテナ基板上にＲＦＩＣチップが実装された平板形状を有している。このようなＲＦＩＤタグ５１を樹脂モールドする場合、射出された成型用樹脂５５がタグにあたることで樹脂の流れを阻害してしまうことがある。すると、成型用金型５２内での成型用樹脂５５の回りこみ不足による欠損部ができてしまったり、樹脂の圧力によりＲＦＩＤタグに位置ずれが生じてしまったりすることがある。また、ＲＦＩＤタグ５１内のＲＦＩＣチップに高温の樹脂による熱的なダメージが蓄積されると、ＲＦＩＣチップが損傷してしまうこともある。特に、樹脂が流れてくる方向に対してサイズの大きな面が対向するようにタグを配置せざるを得ない場合、ＲＦＩＣチップが損傷を受ける可能性が高くなる。
ＲＦＩＣチップを高温の樹脂から保護するためには、例えば特許文献１に開示されているように、ＲＦＩＤタグの表面に耐熱シートを積層して射出成型時の熱からタグを保護すればよい。
しかし、上記のように耐熱シートを用いると、成型用樹脂の回り込み性が阻害されやすくなり、欠損部が生じてしまったり、タグが所定の配置位置からずれてしまったりすることがある。また、耐熱シートの材質や厚みによっては、ＲＦＩＤタグの通信特性を阻害してしまうことがある。
そこで、本発明の目的は、通信特性に優れるとともに、成型時に欠損部や位置ずれが生じにくいＲＦＩＣデバイスを提供することである。
本発明に係るＲＦＩＣデバイスは、第１面と、前記第１面に対向する第２面とを備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有する樹脂ブロックと、
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられる。
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられる。
本発明に係るＲＦＩＣデバイスによれば、コイルアンテナの内側に樹脂ブロックの第１面と第２面とを貫通する貫通穴を有するので、射出成型時に貫通穴を介して成型用樹脂を流すことができ、通信特性を大きく阻害せずに、ＲＦＩＣデバイス（ＲＦＩＤタグ）が破損しにくくなる。
本発明の一態様に係るＲＦＩＣデバイスは、第１面と、前記第１面に対向する第２面とを備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有する樹脂ブロックと、
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられる。
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられる。
上記構成によれば、樹脂ブロックの第１面と第２面とを貫通する貫通穴を有するので、射出成型時に貫通穴を介して成型用樹脂を流すことができ、ＲＦＩＣデバイス（ＲＦＩＤタグ）が破損しにくくなる。また、この貫通穴はアンテナコイルの内側に設けられるので、コイルアンテナのサイズ（特にコイル開口面積）を維持でき、さらに通信相手側アンテナ（リーダライタ側アンテナ）との相対距離が大きく減少することもないので、大きな通信距離を確保でき、通信特性に優れたＲＦＩＣデバイスを得ることができる。
本発明の別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記の態様において、前記樹脂ブロックは、多面体形状であって、互いに対向する面のうち最大面積の前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有してもよい。樹脂ブロックの形状は代表的には直方体形状である。
上記構成によれば、樹脂ブロックの面のうち最大の面積を有する第１面と第２面とを貫通する貫通穴を有するので、貫通穴を大きくすることができる。これによって、成型時に樹脂が貫通穴を流れやすくなる。樹脂ブロックに埋設されたＲＦＩＣ素子と貫通穴との距離も確保しやすい。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記コイルアンテナは、少なくともその一部が前記樹脂ブロックに埋設され、互いに対向して設けられた第１金属ピン及び第２金属ピンを含んでもよい。
上記構成によれば、ＲＦＩＣデバイスの樹脂ブロックの両側面に金属ピンを設けているので、コイルアンテナの耐熱的衝撃性や耐機械的衝撃性を向上さえることができ、ＲＦＩＣデバイス全体としての堅牢性を高めることができる。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記第１面の法線方向から見たとき、前記貫通穴の中心は、前記コイルアンテナの中心軸から前記ＲＦＩＣ素子の存在しない側にオフセットして設けられていてもよい。
成型用樹脂が貫通穴内部を流動する際のＲＦＩＣ素子に対する動的あるいは熱的な負荷に対して、ＲＦＩＣ素子を少しでも成型用樹脂が流れる貫通穴から遠ざけて、成型用樹脂による動的あるいは熱的な負荷を低減させることができる。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記コイルアンテナは、前記第１面から第２面に向かうらせん状であってもよい。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記コイルアンテナは、
前記樹脂ブロックの前記第１面及び第２面と交差する一端面側に設けられた第１パターン導体と、
前記一端面と対向する他端面側に設けられた接続導体と、
前記一端面側から前記他端面側に延び、前記第１パターン導体と前記接続導体とを接続し、互いに対向する２つの金属ピンと、
を含んでもよい。
前記樹脂ブロックの前記第１面及び第２面と交差する一端面側に設けられた第１パターン導体と、
前記一端面と対向する他端面側に設けられた接続導体と、
前記一端面側から前記他端面側に延び、前記第１パターン導体と前記接続導体とを接続し、互いに対向する２つの金属ピンと、
を含んでもよい。
上記構成によれば、一端面側と他端面側とを接続する金属ピンを用いているので、ＲＦＩＤデバイス自身の耐熱的衝撃性や耐機械的衝撃性を向上させることができる。しかも、樹脂流れの上流側から下流側へ金属ピンを介した伝熱を利用してＲＦＩＣデバイス外へ廃熱することによってＲＦＩＣデバイス内の熱の滞留を抑制できる。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記樹脂ブロックの前記第１面の端部から前記第２面の端部にわたる複数の溝を有してもよい。貫通穴内にも第１面側から第２面側に向かって複数の溝を有していることが好ましい。
上記構成によって、射出成型時に成型用樹脂が溝を流れることで樹脂の流れを整えることができる。これによって、成型用樹脂の流動性を改善でき、樹脂の回り込み不足による欠損部の発生や熱集中によるＲＦＩＣ素子の損傷等、成型不良の発生を抑制できる。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記樹脂ブロックの前記第１面の端部及び前記第２面の端部は、面取りされていてもよい。貫通穴の縁部分も面取りされていることが好ましい。
上記構成によって、射出成型時にＲＦＩＣデバイスに成型用樹脂の流れが当たっても、成型用樹脂は面取りされた端部を滑らかに回り込むことができる。これによって、成型用樹脂の流動性を改善でき、樹脂の回り込み不足による欠損部の発生や熱集中によるＲＦＩＣ素子の損傷等、成型不良の発生を抑制できる。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記樹脂ブロックの周囲を覆う断熱材を有してもよい。貫通穴の内壁部分にも断熱材を有していることが好ましい。
上記構成によって、射出成型時にも樹脂ブロック内部における急速な温度変化を抑制でき、ＲＦＩＣ素子の損傷を抑制できる。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記ＲＦＩＣデバイスは、射出成型用に用いるＲＦＩＣデバイスである。
本発明のさらに別の態様に係るＲＦＩＣデバイスは、上記いずれかの態様において、前記樹脂ブロックは、複数の貫通穴を有してもよい。
本発明の一態様に係る樹脂成型体は、ＲＦＩＣデバイスと、
前記ＲＦＩＣデバイスを内部に含む樹脂と、
を有する樹脂成型体であって、
前記ＲＦＩＣデバイスは、
第１面と、前記第１面に対向する第２面とを備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有する樹脂ブロックと、
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられている。
この樹脂成型体では、成型用樹脂が外周面だけでなく貫通穴内でも樹脂ブロックと接しているので、樹脂成型体に対する機械的衝撃に対してＲＦＩＣデバイスの信頼性を向上させることができる。
前記ＲＦＩＣデバイスを内部に含む樹脂と、
を有する樹脂成型体であって、
前記ＲＦＩＣデバイスは、
第１面と、前記第１面に対向する第２面とを備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有する樹脂ブロックと、
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられている。
この樹脂成型体では、成型用樹脂が外周面だけでなく貫通穴内でも樹脂ブロックと接しているので、樹脂成型体に対する機械的衝撃に対してＲＦＩＣデバイスの信頼性を向上させることができる。
本発明の一態様に係るＲＦＩＣデバイスを含む樹脂成型体の製造方法は、貫通穴を有する樹脂ブロックと、前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、内側に前記貫通穴を有するコイルアンテナと、を備えたＲＦＩＣデバイスを、成型用金型内の樹脂の流れの上流側に対して前記貫通穴の開口が面するように前記成型用金型内に設置し、
前記成型用金型内に樹脂注入口から成型用樹脂を射出することによって、樹脂成型体に前記ＲＦＩＣデバイスを埋設する、
ことを含む。
前記成型用金型内に樹脂注入口から成型用樹脂を射出することによって、樹脂成型体に前記ＲＦＩＣデバイスを埋設する、
ことを含む。
上記構成によれば、成型用金型内の樹脂の流れの上流側に対して貫通穴の開口が面するように成型用金型内に設置するので、射出成型時に貫通穴を介して成型用樹脂を流すことができ、ＲＦＩＣデバイスが成型用樹脂の流れを阻害しにくくなる。
以下、実施の形態に係るＲＦＩＣデバイスについて、添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材については同一の符号を付している。
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０の構造を示す透視斜視図である。図２は、図１のＲＦＩＣデバイス１０の上下を逆にして、Ｃ−Ｃ方向から見た断面構造を示す断面図である。
図１および図２に示すように、ＲＦＩＣデバイス１０は、樹脂ブロック１３と、樹脂ブロック１３内に埋設されたＲＦＩＣ素子１１と、コイルアンテナ１と、を備える。
具体的には、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０は、ＲＦＩＣ素子１１が実装された回路基板１５と、回路基板１５上に設けられた金属ピン１６ａ、１６ｂと、金属ピン１６ａと金属ピン１６ｂとを接続する接続導体１４と、ＲＦＩＣ素子１１と金属ピン１６ａ、１６ｂとを埋設すると共に、貫通穴２２を有する樹脂ブロック１３と、回路基板１５上の配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃと金属ピン１６ａ、１６ｂと接続導体１４とで構成され、内側に貫通穴２２を有するコイルアンテナ１と、を有する。
図１は、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０の構造を示す透視斜視図である。図２は、図１のＲＦＩＣデバイス１０の上下を逆にして、Ｃ−Ｃ方向から見た断面構造を示す断面図である。
図１および図２に示すように、ＲＦＩＣデバイス１０は、樹脂ブロック１３と、樹脂ブロック１３内に埋設されたＲＦＩＣ素子１１と、コイルアンテナ１と、を備える。
具体的には、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０は、ＲＦＩＣ素子１１が実装された回路基板１５と、回路基板１５上に設けられた金属ピン１６ａ、１６ｂと、金属ピン１６ａと金属ピン１６ｂとを接続する接続導体１４と、ＲＦＩＣ素子１１と金属ピン１６ａ、１６ｂとを埋設すると共に、貫通穴２２を有する樹脂ブロック１３と、回路基板１５上の配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃと金属ピン１６ａ、１６ｂと接続導体１４とで構成され、内側に貫通穴２２を有するコイルアンテナ１と、を有する。
＜樹脂ブロック＞
樹脂ブロック１３は、直方体形状を有しており、第１面Ａと、第１面Ａに対向する第２面Ｂと、第１面Ａと第２面Ｂとを連接する上下面Ｄ、Ｅおよび両側面Ｆ、Ｇとを備える。第１面Ａと第２面Ｂは、上下面Ｄ、Ｅや両側面Ｆ、Ｇよりも大面積である。上下面Ｄ、Ｅは、図１のｚ軸の正方向及び負方向の面であり、両側面Ｆ、Ｇよりも大面積である。両側面Ｆ、Ｇは、図１のｘ軸の正方向及び負方向の面である。なお、第１面Ａは、図１のｙ軸の正方向の面、つまり奥側の面であり、第２面Ｂは、図１のｙ軸の負方向の面、つまり手前側の面である。
樹脂ブロック１３には第１面Ａと第２面Ｂとを貫通する貫通穴２２を有する。つまり、貫通穴２２は、直方体形状の樹脂ブロック１３のうち最も面積の大きな面に設けられている。なお、最大の面積とは、各面の実際の表面積ではなく各面を平面上に投影した場合の投影面積である。貫通穴２２は第１面Ａおよび第２面Ｂのほぼ中心に設けられ、円形の開口部を有しており、その開口径は、第１面Ａから第２面Ｂに向かってほぼ一様である。貫通穴２２の開口径は第１面Ａから第２面Ｂに向かってほぼ一様であるものに限定されるものではなく、段階的あるいは連続的に開口径が異なっていてもよい。第１面Ａと第２面Ｂとで異なるサイズの開口径を有していてもよい。第１面Ａおよび第２面Ｂにおける貫通穴２２の開口面積は、樹脂ブロックの強度と射出成型用樹脂の流動性との兼ね合いから、第１面Ａおよび第２面Ｂの面積のそれぞれに対して１／２０〜１／３が好ましい。
また、樹脂ブロック１３に設ける貫通穴２２は、上述のように、例えば円形形状であるが、これに限らず、楕円形状、三角形形状、四角形形状、五角形以上の多角形形状などであってもよい。
樹脂ブロック１３は、直方体形状を有しており、第１面Ａと、第１面Ａに対向する第２面Ｂと、第１面Ａと第２面Ｂとを連接する上下面Ｄ、Ｅおよび両側面Ｆ、Ｇとを備える。第１面Ａと第２面Ｂは、上下面Ｄ、Ｅや両側面Ｆ、Ｇよりも大面積である。上下面Ｄ、Ｅは、図１のｚ軸の正方向及び負方向の面であり、両側面Ｆ、Ｇよりも大面積である。両側面Ｆ、Ｇは、図１のｘ軸の正方向及び負方向の面である。なお、第１面Ａは、図１のｙ軸の正方向の面、つまり奥側の面であり、第２面Ｂは、図１のｙ軸の負方向の面、つまり手前側の面である。
樹脂ブロック１３には第１面Ａと第２面Ｂとを貫通する貫通穴２２を有する。つまり、貫通穴２２は、直方体形状の樹脂ブロック１３のうち最も面積の大きな面に設けられている。なお、最大の面積とは、各面の実際の表面積ではなく各面を平面上に投影した場合の投影面積である。貫通穴２２は第１面Ａおよび第２面Ｂのほぼ中心に設けられ、円形の開口部を有しており、その開口径は、第１面Ａから第２面Ｂに向かってほぼ一様である。貫通穴２２の開口径は第１面Ａから第２面Ｂに向かってほぼ一様であるものに限定されるものではなく、段階的あるいは連続的に開口径が異なっていてもよい。第１面Ａと第２面Ｂとで異なるサイズの開口径を有していてもよい。第１面Ａおよび第２面Ｂにおける貫通穴２２の開口面積は、樹脂ブロックの強度と射出成型用樹脂の流動性との兼ね合いから、第１面Ａおよび第２面Ｂの面積のそれぞれに対して１／２０〜１／３が好ましい。
また、樹脂ブロック１３に設ける貫通穴２２は、上述のように、例えば円形形状であるが、これに限らず、楕円形状、三角形形状、四角形形状、五角形以上の多角形形状などであってもよい。
樹脂ブロック１３は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を使用できる。なお、エポキシ系の熱硬化性樹脂に限られず、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン、熱硬化性ポリイミド等の他の熱硬化性樹脂であってもよい。樹脂ブロック１３は、液状樹脂の塗布及び硬化によって設けてもよい。あるいは、半硬化シート状樹脂の積層によって設けてもよい。
なお、樹脂ブロック１３を形成する樹脂には、フェライト粉等の磁性体粉を含んでもよい。樹脂中に磁性体粉を含む場合には、所定のインダクタのコイルアンテナを構成するためのコイルアンテナの全体サイズを小さくできる。
樹脂ブロック１３の面のうち最大の面積を有する第１面Ａと第２面Ｂとを貫通する貫通穴２２を有するので、貫通穴２２を大きくすることができる。これによって、成型時に樹脂が貫通穴２２を流れやすくなり、ＲＦＩＣ素子１１を損傷しにくくできる。
なお、樹脂ブロック１３を形成する樹脂には、フェライト粉等の磁性体粉を含んでもよい。樹脂中に磁性体粉を含む場合には、所定のインダクタのコイルアンテナを構成するためのコイルアンテナの全体サイズを小さくできる。
樹脂ブロック１３の面のうち最大の面積を有する第１面Ａと第２面Ｂとを貫通する貫通穴２２を有するので、貫通穴２２を大きくすることができる。これによって、成型時に樹脂が貫通穴２２を流れやすくなり、ＲＦＩＣ素子１１を損傷しにくくできる。
＜コイルアンテナ＞
コイルアンテナ１は、樹脂ブロック１３に設けられると共に、ＲＦＩＣ素子１１に接続されている。より具体的には、コイルアンテナ１の一端３５がＲＦＩＣ素子１１の第１入出力端子３６に接続されており、他端３７がＲＦＩＣ素子１１の第２入出力端子３８に接続されている。コイルアンテナ１は、第１面Ａから第２面Ｂに向かう巻回軸２を有する。
コイルアンテナ１は、樹脂ブロック１３に設けられると共に、ＲＦＩＣ素子１１に接続されている。より具体的には、コイルアンテナ１の一端３５がＲＦＩＣ素子１１の第１入出力端子３６に接続されており、他端３７がＲＦＩＣ素子１１の第２入出力端子３８に接続されている。コイルアンテナ１は、第１面Ａから第２面Ｂに向かう巻回軸２を有する。
コイルアンテナ１は、導体部材をらせん状に接続・巻回してなるヘリカル型を有している。その巻回軸２は、第１面Ａの中心と第２面Ｂの中心とを結ぶ仮想直線とほぼ同じ位置にある。コイルアンテナ１を構成する導体部材は、樹脂ブロック１３の両側面および上下面Ｄ、Ｅに沿って形成されている。つまり、コイルアンテナ１の開口面積は第１面Ａおよび第２面Ｂの面積とほぼ同じである。
コイルアンテナ１は、回路基板１５上の配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃと、回路基板１５上に設けられた金属ピン１６ａ、１６ｂと、回路基板１５と対向する側であって、金属ピン１６ａと金属ピン１６ｂとの間を接続する接続導体パターン１４とによって構成される。金属ピン１６ａは、樹脂ブロック１３の一方側面側において、コイルアンテナ１の巻回軸方向に沿って、複数本、等間隔に並べられた導体部材であって、金属ピン１６ｂは、樹脂ブロック１３の他方側面側において、コイルアンテナ１の巻回軸方向に沿って、複数本、等間隔に並べられた導体部材である。なお、これらの金属ピンは樹脂ブロック１３に埋め込まれているが、一部露出していてもよい。また、回路基板１５上の配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃは、回路基板１５の表面および裏面に形成された金属薄膜であって、回路基板１５中に設けられた層間接続導体１９は回路基板の内側主面に設けられた配線パターンと外側主面に設けられた配線パターンとを接続するための導体部材である。接続導体パターン１４は、樹脂ブロック１３の下側面に沿って形成される導体部材であって、樹脂ブロック１３の下側面の表面に形成された金属焼結体や導電性樹脂材によって形成されている。これらの導体部材によってコイルアンテナ１が構成されている。
さらに具体的に言うと、金属ピン１６ａの下側の一端には金属焼結体や導電性樹脂材による配線パターン１４の一端が接続されており、上側の一端には金属薄膜による配線パターン１７の一端が接続されていて、金属ピン１６ｂの下側の一端には金属焼結体や導電性樹脂材による配線パターン１４の他端が接続されていて、金属ピン１６ｂの上側の一端には金属薄膜による配線パターンの他端が接続されている。なお、金属薄膜や金属焼結体、導電性樹脂材の表面にはめっき膜が形成されていることが好ましい。貫通穴２２は、コイルアンテナ１の内側に、貫通穴２２の中心とコイルアンテナ１の巻回軸２とがほぼ一致する位置に設けられている。
また、コイルアンテナ１は、図１に示すように多重に巻回されたものに限られない。コイルアンテナ１は、例えば、一重のループ状であってもよい。
また、コイルアンテナ１は、図１に示すように多重に巻回されたものに限られない。コイルアンテナ１は、例えば、一重のループ状であってもよい。
さらに、図１では、対向する複数の金属ピン１６ａと金属ピン１６ｂの間隔はいずれも同じであるが、樹脂ブロック１３の両端の複数の金属ピン１６ａ、１６ｂのうち、対応する両端の金属ピン１６ａ、１６ｂの間の間隔を、広い間隔の金属ピン対と、狭い間隔の金属ピン対と、を設けてもよい。このように金属ピンの間隔に広狭を設けておくことによって、矩形ヘリカル状コイルからの磁束の漏れを抑制できる。
＜回路基板＞
回路基板１５は、例えば、エポキシ樹脂系のＦＲ４基板を用いてもよい。回路基板１５としてはエポキシ樹脂等の耐熱性の高いプリント配線板であることが好ましい。回路基板１５の表裏には複数の配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃやランドパターン２４が形成されていてもよい。ＦＲ４基板の場合、層間接続導体１９は、スルーホール型である。層間接続導体１９は、例えばＣｕめっきによって形成できる。配線パターン１７やランドパターン２４は、代表的にはＣｕ箔をパターニングすることによって形成できる。なお、配線パターン１７やランドパターン２４にはＮｉ／Ａｕ等のめっき膜が形成してあることが好ましい。
なお、回路基板１５は、樹脂基板でなくてもよい。たとえばＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）等のセラミック基板を利用してもよい。この場合、層間接続導体１９は、ＣｕやＡｇ等を主成分とする導電性ペーストを充填したビアホール型によって形成できる。
回路基板１５は、例えば、エポキシ樹脂系のＦＲ４基板を用いてもよい。回路基板１５としてはエポキシ樹脂等の耐熱性の高いプリント配線板であることが好ましい。回路基板１５の表裏には複数の配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃやランドパターン２４が形成されていてもよい。ＦＲ４基板の場合、層間接続導体１９は、スルーホール型である。層間接続導体１９は、例えばＣｕめっきによって形成できる。配線パターン１７やランドパターン２４は、代表的にはＣｕ箔をパターニングすることによって形成できる。なお、配線パターン１７やランドパターン２４にはＮｉ／Ａｕ等のめっき膜が形成してあることが好ましい。
なお、回路基板１５は、樹脂基板でなくてもよい。たとえばＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）等のセラミック基板を利用してもよい。この場合、層間接続導体１９は、ＣｕやＡｇ等を主成分とする導電性ペーストを充填したビアホール型によって形成できる。
＜金属ピン（金属ポスト）＞
金属ピン１６ａ、１６ｂは、Ｃｕを主成分とする金属ピンを用いることができる。なお、金属ピン１６ａ、１６ｂの材料は、導電性を有すればよく、その素材はＣｕに限られず、Ａｇ、Ａｌ等の導電性材料であってもよい。金属ピン１６ａ、１６ｂの外径Φは、例えば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを用いてもよい。金属ピン１６ａ、１６ｂの長さは、例えば３ｍｍ以上５０ｍｍ以下のものを用いてもよい。また、断面形状は円形形状が好ましいが、これに限られず、矩形形状等であってもよい。断面形状のアスペクト比は、５以上３０以下の範囲が好ましい。金属ピン１６ａ、１６ｂは、表面にＮｉ／Ａｕ等のめっき処理が施されていてもよい。
金属ピン１６ａ、１６ｂは、回路基板１５上のランドパターン２４にはんだ等の導電性接合材２３によって接続されている。
ＲＦＩＣデバイス１０の樹脂ブロック１３の両側面に金属ピン１６ａ、１６ｂを設けているので、機械的衝撃に強く全体として堅牢性を得ることができる。また、ＲＦＩＣデバイス１０を含む樹脂成型体の製造時には金属ピン１６ａ、１６ｂを介した伝熱による廃熱を利用してＲＦＩＣデバイス１０内への熱の滞留を抑制できる。
金属ピン１６ａ、１６ｂは、Ｃｕを主成分とする金属ピンを用いることができる。なお、金属ピン１６ａ、１６ｂの材料は、導電性を有すればよく、その素材はＣｕに限られず、Ａｇ、Ａｌ等の導電性材料であってもよい。金属ピン１６ａ、１６ｂの外径Φは、例えば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを用いてもよい。金属ピン１６ａ、１６ｂの長さは、例えば３ｍｍ以上５０ｍｍ以下のものを用いてもよい。また、断面形状は円形形状が好ましいが、これに限られず、矩形形状等であってもよい。断面形状のアスペクト比は、５以上３０以下の範囲が好ましい。金属ピン１６ａ、１６ｂは、表面にＮｉ／Ａｕ等のめっき処理が施されていてもよい。
金属ピン１６ａ、１６ｂは、回路基板１５上のランドパターン２４にはんだ等の導電性接合材２３によって接続されている。
ＲＦＩＣデバイス１０の樹脂ブロック１３の両側面に金属ピン１６ａ、１６ｂを設けているので、機械的衝撃に強く全体として堅牢性を得ることができる。また、ＲＦＩＣデバイス１０を含む樹脂成型体の製造時には金属ピン１６ａ、１６ｂを介した伝熱による廃熱を利用してＲＦＩＣデバイス１０内への熱の滞留を抑制できる。
＜導電性接合体＞
金属ピン１６ａ、１６ｂと回路基板１５のランドパターン２４とを接続する導電性接合材２３としては、例えばＳｎ−Ａｇ系はんだを用いてもよい。なお、導電性接合材２３は、上記のものに限られない。
金属ピン１６ａ、１６ｂと回路基板１５のランドパターン２４とを接続する導電性接合材２３としては、例えばＳｎ−Ａｇ系はんだを用いてもよい。なお、導電性接合材２３は、上記のものに限られない。
＜ＲＦＩＣ素子＞
ＲＦＩＣ素子１１は、回路基板１５の内側主面上に実装されている。ＲＦＩＣ素子１１は、例えばＢＢ（Ｂａｓｅ Ｂａｎｄ）回路やＲＦ回路を有する。ベアチップ品であってもよい。あるいは、樹脂やセラミックのパッケージ品であってもよい。ＲＦＩＣ素子１１の実装形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等の任意の実装形態であってもよい。
ＲＦＩＣ素子１１は、回路基板１５の内側主面上に実装されている。ＲＦＩＣ素子１１は、例えばＢＢ（Ｂａｓｅ Ｂａｎｄ）回路やＲＦ回路を有する。ベアチップ品であってもよい。あるいは、樹脂やセラミックのパッケージ品であってもよい。ＲＦＩＣ素子１１の実装形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等の任意の実装形態であってもよい。
図３は、ＲＦＩＣデバイス１０の等価回路の一例である。ＲＦＩＣデバイス１０は、等価回路上は、ＲＦＩＣ素子１１と、コイルアンテナ１と、図示していないキャパシタを有している。キャパシタは、例えば、ＲＦＩＣ素子１１内の浮遊容量であってもよい。
ＲＦＩＣデバイス１０は、後述するように、図１６に示すように、端部に溝又はスリットを設けてもよい。あるいは、図１７に示すように、端部に面取り部を設けてもよい。
ＲＦＩＣデバイス１０は、後述するように、図１６に示すように、端部に溝又はスリットを設けてもよい。あるいは、図１７に示すように、端部に面取り部を設けてもよい。
＜作用効果＞
図４は、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０を用いて射出成型を行う場合の樹脂流れ３４を示す概略図である。実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０によれば、樹脂ブロック１３の第１面と第２面とを貫通する貫通穴２２を有するので、射出成型時に貫通穴２２を介して成型用樹脂３４を流すことができ、ＲＦＩＣデバイスが損傷しにくくなる。また、ＲＦＩＣデバイスによって成型用樹脂３４の流れを阻害しにくくなる。この場合、後述するように、成型用樹脂３４の流れの上流側に対して貫通穴２２が面するように配置することによって成型用樹脂３４の流れが貫通穴２２に流れやすくなる。
また、成型用金型３１内で成型用樹脂３４の回りこみ不足による欠損部を生じにくくすることができる。また、樹脂の圧力によるＲＦＩＣデバイス１０の位置ずれを生じにくくすることができる。そのため、信頼性の高いＲＦＩＣデバイス１０を内蔵した樹脂成型体を得ることができる。また、短時間で成型可能になるうえ、ＲＦＩＣ素子１１に成型用樹脂による熱が集中しにくくなるので、ＲＦＩＣ素子１１が熱的ダメージを受けにくくなる。
さらに、樹脂成型体の中でのＲＦＩＣデバイス１０の位置合わせを正確にできるので、リーダ／ライタとの位置合わせをより正確にでき、ＲＦＩＣデバイスの通信距離が短い場合にも高い通信特性を得ることができる。
図４は、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０を用いて射出成型を行う場合の樹脂流れ３４を示す概略図である。実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０によれば、樹脂ブロック１３の第１面と第２面とを貫通する貫通穴２２を有するので、射出成型時に貫通穴２２を介して成型用樹脂３４を流すことができ、ＲＦＩＣデバイスが損傷しにくくなる。また、ＲＦＩＣデバイスによって成型用樹脂３４の流れを阻害しにくくなる。この場合、後述するように、成型用樹脂３４の流れの上流側に対して貫通穴２２が面するように配置することによって成型用樹脂３４の流れが貫通穴２２に流れやすくなる。
また、成型用金型３１内で成型用樹脂３４の回りこみ不足による欠損部を生じにくくすることができる。また、樹脂の圧力によるＲＦＩＣデバイス１０の位置ずれを生じにくくすることができる。そのため、信頼性の高いＲＦＩＣデバイス１０を内蔵した樹脂成型体を得ることができる。また、短時間で成型可能になるうえ、ＲＦＩＣ素子１１に成型用樹脂による熱が集中しにくくなるので、ＲＦＩＣ素子１１が熱的ダメージを受けにくくなる。
さらに、樹脂成型体の中でのＲＦＩＣデバイス１０の位置合わせを正確にできるので、リーダ／ライタとの位置合わせをより正確にでき、ＲＦＩＣデバイスの通信距離が短い場合にも高い通信特性を得ることができる。
＜ＲＦＩＣデバイスの製造方法＞
以下に、図５から図１２を用いてＲＦＩＣデバイス１０の製造方法について説明する。
（ａ）まず、回路基板１５および金属ピン１６ａ、１６ｂを準備する。回路基板１５には金属箔をパターニングすることで、配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃを形成しておく。また、めっき処理やペースト充填処理等で層間接続導体１９を形成しておく。そして、図５に示すように、回路基板１５の一方主面にＲＦＩＣ素子１１および金属ピン１６ａ、１６ｂを、マウンタ等を使って搭載する。ＲＦＩＣ素子１１には回路基板１５への接続部分にはんだボールを形成しておき、金属ピンの下側端部にもはんだペーストを印刷しておく。なお、必要に応じてコンデンサチップ等の他の素子を実装してもよい（図示省略）。
（ｂ）図６に示すように、これらを熱処理、代表的にはリフローすることで、ＲＦＩＣ素子１１および金属ピン１６ａ、１６ｂが回路基板１５に固定される。
（ｃ）次いで、図７に示すように、ＲＦＩＣ素子１１を埋設するように樹脂ブロック（樹脂層）１３を形成する。樹脂ブロック１３は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂の塗布及び硬化することによって形成してもよい。あるいは半硬化性樹脂シートを用いてもよい。
以下に、図５から図１２を用いてＲＦＩＣデバイス１０の製造方法について説明する。
（ａ）まず、回路基板１５および金属ピン１６ａ、１６ｂを準備する。回路基板１５には金属箔をパターニングすることで、配線パターン１７ａ、１７ｂ、１７ｃを形成しておく。また、めっき処理やペースト充填処理等で層間接続導体１９を形成しておく。そして、図５に示すように、回路基板１５の一方主面にＲＦＩＣ素子１１および金属ピン１６ａ、１６ｂを、マウンタ等を使って搭載する。ＲＦＩＣ素子１１には回路基板１５への接続部分にはんだボールを形成しておき、金属ピンの下側端部にもはんだペーストを印刷しておく。なお、必要に応じてコンデンサチップ等の他の素子を実装してもよい（図示省略）。
（ｂ）図６に示すように、これらを熱処理、代表的にはリフローすることで、ＲＦＩＣ素子１１および金属ピン１６ａ、１６ｂが回路基板１５に固定される。
（ｃ）次いで、図７に示すように、ＲＦＩＣ素子１１を埋設するように樹脂ブロック（樹脂層）１３を形成する。樹脂ブロック１３は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂の塗布及び硬化することによって形成してもよい。あるいは半硬化性樹脂シートを用いてもよい。
（ｄ）その後、図８に示すように、天面側を研磨する。天面側の研磨は、樹脂ブロック１３の形成時に表面に凹凸が生じているため、配線パターン用の平滑面を形成するためと、金属ピン１６ａ、１６ｂが樹脂ブロックに埋もれてしまっている場合はその頭出しのためである。研磨は、例えば図７のＤ−Ｄ線まで行われ、研磨面２５を得る。
（ｅ）次に、図９に示すように、研磨面２５に配線パターン１４を形成する。配線パターン１４の形成について順を追って説明する。まず、Ｃｕ等を主成分とする導電性材料をスクリーン印刷し、これを熱処理することで硬化させる。これによって、配線パターン（印刷）１４が形成される。
（ｆ）次に、図１０に示すように、Ｎｉ／Ａｕめっき等のめっき処理を施して、配線パターン１４の上にめっき層１８ｂを形成する。めっき処理の際、回路基板１５の下面の配線パターン１７の上にもめっき膜１８ａが形成される。つまり、回路基板１５の外側主面のパターン層１７とめっき層１８ａとで配線パターン１７を形成し、印刷による配線パターン層１４とめっき層１８ｂとで接続導体パターン１４を形成する。
（ｅ）次に、図９に示すように、研磨面２５に配線パターン１４を形成する。配線パターン１４の形成について順を追って説明する。まず、Ｃｕ等を主成分とする導電性材料をスクリーン印刷し、これを熱処理することで硬化させる。これによって、配線パターン（印刷）１４が形成される。
（ｆ）次に、図１０に示すように、Ｎｉ／Ａｕめっき等のめっき処理を施して、配線パターン１４の上にめっき層１８ｂを形成する。めっき処理の際、回路基板１５の下面の配線パターン１７の上にもめっき膜１８ａが形成される。つまり、回路基板１５の外側主面のパターン層１７とめっき層１８ａとで配線パターン１７を形成し、印刷による配線パターン層１４とめっき層１８ｂとで接続導体パターン１４を形成する。
（ｇ）次いで、図１１に示すように、下面および上面に保護層２０、２１を形成する。保護層としてはレジスト材料を使用できる。また、保護層２０、２１は、下面および上面の全体に設けてもよい。あるいは、必要な部分にのみ保護層を設けてもよい。
（ｈ）最後に、図１２に示すように、樹脂ブロック１３の第１面と第２面とを貫通する貫通穴２２を形成する。貫通穴２２の形成には、レーザー加工やドリル加工、パンチング加工などの各種加工プロセスを利用できる。
以上によって、ＲＦＩＣデバイス１０を得ることができる。
（ｈ）最後に、図１２に示すように、樹脂ブロック１３の第１面と第２面とを貫通する貫通穴２２を形成する。貫通穴２２の形成には、レーザー加工やドリル加工、パンチング加工などの各種加工プロセスを利用できる。
以上によって、ＲＦＩＣデバイス１０を得ることができる。
＜ＲＦＩＣデバイスを内部に含む樹脂成型体の玩具＞
図１３（ａ）は、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０を内部に含む樹脂成型体の玩具３０を示す概略図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の玩具３０の足裏から見た底面図である、図１４は、図１３（ａ）の樹脂成型体３０を射出成型で作製する際に用いられる成型用金型３１にＲＦＩＣデバイス１０を配置した状態を示す概略図である。
ＲＦＩＣデバイス１０を内部に含む樹脂成型体の玩具３０は、足部にＲＦＩＣデバイスが埋設されている。ＲＦＩＣデバイス１０は、樹脂ブロック１３の第１面と第２面とを貫通する貫通穴２２を有する。
樹脂成型体の玩具３０の射出成型時には、図１４に示すように、成型用金型内の樹脂の流れの上流側に対してＲＦＩＣデバイス１０の貫通穴２２が面するようにＲＦＩＣデバイスが配置される。具体的には、ピンゲート３２に面するようにＲＦＩＣデバイス１０が成型用金型３１内に配置してもよい。これによって、射出成型時に成型用樹脂をＲＦＩＣデバイス１０の貫通穴を介して流すことができるので、ＲＦＩＣデバイスが成型用樹脂３４の流れを阻害しにくくなる。
図１３（ａ）は、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０を内部に含む樹脂成型体の玩具３０を示す概略図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の玩具３０の足裏から見た底面図である、図１４は、図１３（ａ）の樹脂成型体３０を射出成型で作製する際に用いられる成型用金型３１にＲＦＩＣデバイス１０を配置した状態を示す概略図である。
ＲＦＩＣデバイス１０を内部に含む樹脂成型体の玩具３０は、足部にＲＦＩＣデバイスが埋設されている。ＲＦＩＣデバイス１０は、樹脂ブロック１３の第１面と第２面とを貫通する貫通穴２２を有する。
樹脂成型体の玩具３０の射出成型時には、図１４に示すように、成型用金型内の樹脂の流れの上流側に対してＲＦＩＣデバイス１０の貫通穴２２が面するようにＲＦＩＣデバイスが配置される。具体的には、ピンゲート３２に面するようにＲＦＩＣデバイス１０が成型用金型３１内に配置してもよい。これによって、射出成型時に成型用樹脂をＲＦＩＣデバイス１０の貫通穴を介して流すことができるので、ＲＦＩＣデバイスが成型用樹脂３４の流れを阻害しにくくなる。
（実施の形態２）
図１５は、実施の形態２に係るＲＦＩＣデバイス１０ａの断面構造を示す断面図である。実施の形態２に係るＲＦＩＣデバイス１０ａは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、回路基板１５の上に直接に金属ピン１６ａ、１６ｂを設けるのではなく、基板（保護層）１２上に回路基板１５と金属ピン１６ａ、１６ｂとをそれぞれ実装している点で相違する。このように回路基板１５に直接に金属ピン１６ａ、１６ｂを設けないようにしたので、高い設計自由度を得ることができる。
図１５は、実施の形態２に係るＲＦＩＣデバイス１０ａの断面構造を示す断面図である。実施の形態２に係るＲＦＩＣデバイス１０ａは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、回路基板１５の上に直接に金属ピン１６ａ、１６ｂを設けるのではなく、基板（保護層）１２上に回路基板１５と金属ピン１６ａ、１６ｂとをそれぞれ実装している点で相違する。このように回路基板１５に直接に金属ピン１６ａ、１６ｂを設けないようにしたので、高い設計自由度を得ることができる。
（実施の形態３）
図１６は、実施の形態３に係るＲＦＩＣデバイス１０ｂの断面構造を示す断面図である。実施の形態３に係るＲＦＩＣデバイス１０ｂは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、貫通穴２２ａが樹脂ブロック１３の第１面及び第２面の中心から外れてＲＦＩＣ素子から遠い側にオフセット配置されている点で相違する。このように貫通穴２２ａは、ＲＦＩＣ素子１１から離れた方にオフセット配置されていることが好ましい。なお、樹脂ブロック１３の第１面及び第２面の中心とコイルアンテナの中心とは実質的に一致する場合が多い。そこで、貫通穴２２ａの中心は、コイルアンテナの巻回軸よりもＲＦＩＣ素子１１から離れていてもよい。これによって、成型用樹脂が貫通穴２２ａ内部を流動するため、動的あるいは熱的な負荷が大きいため、少しでも成型用樹脂が流れる貫通穴２２ａから遠ざけて、成型用樹脂による動的あるいは熱的な負荷を低減させることができる。
図１６は、実施の形態３に係るＲＦＩＣデバイス１０ｂの断面構造を示す断面図である。実施の形態３に係るＲＦＩＣデバイス１０ｂは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、貫通穴２２ａが樹脂ブロック１３の第１面及び第２面の中心から外れてＲＦＩＣ素子から遠い側にオフセット配置されている点で相違する。このように貫通穴２２ａは、ＲＦＩＣ素子１１から離れた方にオフセット配置されていることが好ましい。なお、樹脂ブロック１３の第１面及び第２面の中心とコイルアンテナの中心とは実質的に一致する場合が多い。そこで、貫通穴２２ａの中心は、コイルアンテナの巻回軸よりもＲＦＩＣ素子１１から離れていてもよい。これによって、成型用樹脂が貫通穴２２ａ内部を流動するため、動的あるいは熱的な負荷が大きいため、少しでも成型用樹脂が流れる貫通穴２２ａから遠ざけて、成型用樹脂による動的あるいは熱的な負荷を低減させることができる。
（実施の形態４）
図１７は、実施の形態４に係るＲＦＩＣデバイス１０ｃの構造を示す概略斜視図である。実施の形態４に係るＲＦＩＣデバイス１０ｃは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、樹脂ブロック１３の第１面の端部から第２面の端部にわたる複数の溝２６を有する点で相違する。射出成型時に成型用樹脂が溝２６を流れることで樹脂の流れを整えることができる。これによって、成型用樹脂の流動性を改善でき、成型不良の発生を抑制できる。
図１７は、実施の形態４に係るＲＦＩＣデバイス１０ｃの構造を示す概略斜視図である。実施の形態４に係るＲＦＩＣデバイス１０ｃは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、樹脂ブロック１３の第１面の端部から第２面の端部にわたる複数の溝２６を有する点で相違する。射出成型時に成型用樹脂が溝２６を流れることで樹脂の流れを整えることができる。これによって、成型用樹脂の流動性を改善でき、成型不良の発生を抑制できる。
（実施の形態５）
図１８は、実施の形態５に係るＲＦＩＣデバイス１０ｄの構造を示す概略斜視図である。実施の形態５に係るＲＦＩＣデバイス１０ｄは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、樹脂ブロック１３の第１面の端部及び第２面の端部２７は、面取りされている点で相違する。射出成型時にＲＦＩＣデバイス１０ｄに成型用樹脂の流れが当たっても、成型用樹脂は面取りされた端部２７を滑らかに回り込むことができる。これによって、成型用樹脂の流動性を改善でき、成型不良の発生を抑制できる。
図１８は、実施の形態５に係るＲＦＩＣデバイス１０ｄの構造を示す概略斜視図である。実施の形態５に係るＲＦＩＣデバイス１０ｄは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、樹脂ブロック１３の第１面の端部及び第２面の端部２７は、面取りされている点で相違する。射出成型時にＲＦＩＣデバイス１０ｄに成型用樹脂の流れが当たっても、成型用樹脂は面取りされた端部２７を滑らかに回り込むことができる。これによって、成型用樹脂の流動性を改善でき、成型不良の発生を抑制できる。
（実施の形態６）
図１９は、実施の形態６に係るＲＦＩＣデバイス１０ｅの断面構造を示す断面図である。実施の形態６に係るＲＦＩＣデバイス１０ｅは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、樹脂ブロック１３の周囲を覆う断熱材２８を有する点で相違する。これによって、射出成型時にも急速な温度変化を抑制でき、ＲＦＩＣ素子の損傷を抑制できる。
図１９は、実施の形態６に係るＲＦＩＣデバイス１０ｅの断面構造を示す断面図である。実施の形態６に係るＲＦＩＣデバイス１０ｅは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、樹脂ブロック１３の周囲を覆う断熱材２８を有する点で相違する。これによって、射出成型時にも急速な温度変化を抑制でき、ＲＦＩＣ素子の損傷を抑制できる。
断熱材２８としては、例えば、ガラス繊維系、セラミックス系等の無機系断熱材、又は、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、液晶ポリマー等の有機系断熱材のいずれであってもよい。
なお、断熱材２８によって樹脂ブロック１３を被覆する方法としては、例えば、断熱材２８をそのまま液化した液体、又は、断熱材２８を溶媒に溶解又は懸濁させた液体を樹脂ブロック１３に塗布し、液体状の断熱材を固化、又は、溶媒の乾燥若しくは気化等による溶媒の除去によって断熱材１３を被覆してもよい。あるいは断熱材の液体、又は、断熱材を溶媒に溶解又は懸濁させた液体に樹脂ブロック１３を浸漬して樹脂ブロック１３を被覆してもよい。
なお、断熱材２８によって樹脂ブロック１３を被覆する方法としては、例えば、断熱材２８をそのまま液化した液体、又は、断熱材２８を溶媒に溶解又は懸濁させた液体を樹脂ブロック１３に塗布し、液体状の断熱材を固化、又は、溶媒の乾燥若しくは気化等による溶媒の除去によって断熱材１３を被覆してもよい。あるいは断熱材の液体、又は、断熱材を溶媒に溶解又は懸濁させた液体に樹脂ブロック１３を浸漬して樹脂ブロック１３を被覆してもよい。
（実施の形態７）
＜ＲＦＩＣデバイス＞
図２０は、実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆの断面構造を示す断面図である。実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、貫通穴２２の数が１つではなく複数である点で相違する。複数の貫通穴２２を有することによって、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型体を形成した場合に、成型用樹脂とＲＦＩＣデバイス１０ｆとの接触面積が大きくなる。これによって樹脂成型体の内部におけるＲＦＩＣデバイス１０ｆの位置がより安定する。
なお、貫通穴２２は、ＲＦＩＣ素子１１からは遠い側に設けることが好ましい。これによって、貫通穴２２を通る成型用樹脂のＲＦＩＣ素子１１への熱の影響を抑えることができる。
＜ＲＦＩＣデバイス＞
図２０は、実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆの断面構造を示す断面図である。実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆは、実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイスと対比すると、貫通穴２２の数が１つではなく複数である点で相違する。複数の貫通穴２２を有することによって、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型体を形成した場合に、成型用樹脂とＲＦＩＣデバイス１０ｆとの接触面積が大きくなる。これによって樹脂成型体の内部におけるＲＦＩＣデバイス１０ｆの位置がより安定する。
なお、貫通穴２２は、ＲＦＩＣ素子１１からは遠い側に設けることが好ましい。これによって、貫通穴２２を通る成型用樹脂のＲＦＩＣ素子１１への熱の影響を抑えることができる。
＜樹脂成型体の製造方法＞
実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型体は、図４に示す実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０を含む樹脂成型体の製造方法と同様にして製造できる。この場合、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを用いて射出成型を行う際に、成型用金型３１に設けたピンゲート３２と貫通穴２２とを位置合わせしている。これによって、ピンゲート（樹脂注入口）３２から成型用樹脂を流した際に、成型用樹脂３４が貫通穴２２を通りやすくなる。
なお、ＲＦＩＣデバイス１０〜１０ｆを含む樹脂成型体の製造にあたって、図４に示すようにピンゲート３２と貫通穴２２とを合わせることに限定されない。例えば、図２１に示すように、ピンゲート３２と貫通穴２２の軸とを交差させていてもよい。
実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型体は、図４に示す実施の形態１に係るＲＦＩＣデバイス１０を含む樹脂成型体の製造方法と同様にして製造できる。この場合、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを用いて射出成型を行う際に、成型用金型３１に設けたピンゲート３２と貫通穴２２とを位置合わせしている。これによって、ピンゲート（樹脂注入口）３２から成型用樹脂を流した際に、成型用樹脂３４が貫通穴２２を通りやすくなる。
なお、ＲＦＩＣデバイス１０〜１０ｆを含む樹脂成型体の製造にあたって、図４に示すようにピンゲート３２と貫通穴２２とを合わせることに限定されない。例えば、図２１に示すように、ピンゲート３２と貫通穴２２の軸とを交差させていてもよい。
図２１は、実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型体の製造方法において、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを成型用金型３１の内部に配置し、成型用樹脂を射出成型する工程を示す概略断面図である。実施の形態７に係るＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型品の製造方法について、以下に説明する。
（ａ）ＲＦＩＣ素子１１を樹脂ブロック１３内で一端面寄りにオフセット配置させると共に、貫通穴２２を複数有する上記のＲＦＩＣデバイス１０ｆを用意する。
（ｂ）ＲＦＩＣ素子１１をオフセット配置させた樹脂ブロック１３の一端面側を成型用金型３１内での樹脂流れ３４の下流側となるように、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを成型用金型３１内に設置する。なお、樹脂流れ３４の下流側とは、樹脂注入口３２から物理的に遠い箇所である。あるいは、成型用樹脂の熱勾配を計測した場合に、樹脂注入口３２近傍での高温側に比べてより低温側の箇所を下流側としてもよい。ここでは、ＲＦＩＣデバイス１０ｆの一端面側を樹脂流れ３４の下流側とするので、他端面側は樹脂流れ３４の上流側に置かれる。
（ｃ）成型用金型３１内に樹脂注入口３２を介して成型用樹脂容器３３から成型用樹脂を射出することによって、樹脂成型体にＲＦＩＣデバイス１０ｆを埋設することができる。
以上によって、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型体を得る。
（ａ）ＲＦＩＣ素子１１を樹脂ブロック１３内で一端面寄りにオフセット配置させると共に、貫通穴２２を複数有する上記のＲＦＩＣデバイス１０ｆを用意する。
（ｂ）ＲＦＩＣ素子１１をオフセット配置させた樹脂ブロック１３の一端面側を成型用金型３１内での樹脂流れ３４の下流側となるように、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを成型用金型３１内に設置する。なお、樹脂流れ３４の下流側とは、樹脂注入口３２から物理的に遠い箇所である。あるいは、成型用樹脂の熱勾配を計測した場合に、樹脂注入口３２近傍での高温側に比べてより低温側の箇所を下流側としてもよい。ここでは、ＲＦＩＣデバイス１０ｆの一端面側を樹脂流れ３４の下流側とするので、他端面側は樹脂流れ３４の上流側に置かれる。
（ｃ）成型用金型３１内に樹脂注入口３２を介して成型用樹脂容器３３から成型用樹脂を射出することによって、樹脂成型体にＲＦＩＣデバイス１０ｆを埋設することができる。
以上によって、ＲＦＩＣデバイス１０ｆを含む樹脂成型体を得る。
実施の形態７に係る樹脂成型体の製造方法によれば、樹脂ブロック１３内でＲＦＩＣ素子１１等を一端面側にオフセット配置すると共に、ＲＦＩＣ素子１１等をオフセット配置した樹脂ブロック１３の一端面側を成型用金型３１内での樹脂流れ３４の下流側となるようにＲＦＩＣデバイス１０ｆを配置している。このため、樹脂の温度がＲＦＩＣ素子１１等に伝わりづらく、ＲＦＩＣ１１等も損傷しにくくすることができる。また、ＲＦＩＣ素子１１をオフセット配置した一端面側を成型用金型３１内での樹脂の流れの下流側に配置しているので、上流側に配置した場合に比べて樹脂の圧力に対しても耐えることが出来る。
なお、図２１による樹脂成型体の製造方法において、使用するＲＦＩＣデバイスは、上記ＲＦＩＣデバイス１０ｆに限られない。例えば、本明細書において挙げられたＲＦＩＣデバイス１０〜１０ｆ、及び、本発明の保護範囲にある全てのＲＦＩＣデバイスのいずれであってもよい。
なお、図２１による樹脂成型体の製造方法において、使用するＲＦＩＣデバイスは、上記ＲＦＩＣデバイス１０ｆに限られない。例えば、本明細書において挙げられたＲＦＩＣデバイス１０〜１０ｆ、及び、本発明の保護範囲にある全てのＲＦＩＣデバイスのいずれであってもよい。
なお、ＲＦＩＣデバイスは、ＲＦＩＤタグとして使用する場合には、ＬＦ帯、ＨＦ帯、ＵＨＦ帯、ＳＨＦ帯等のいずれの帯域において用いてもよい。また、ＲＦＩＣデバイスは、代表的にはＲＦＩＤタグであるが、いわゆるタグ機能を有したものに限定されるわけではなく、リーダライタ機能を有したもの等、他の機能を持っていてもよい。
なお、本開示においては、前述した様々な実施の形態のうちの任意の実施の形態を適宜組み合わせることを含むものであり、それぞれの実施の形態が有する効果を奏することができる。
本発明に係るＲＦＩＣデバイスは、樹脂ブロックに貫通穴を有するので、射出成型によってＲＦＩＣデバイスを樹脂成型体に埋設する際に、ＲＦＩＣ素子を樹脂成型体に埋設するためのＲＦＩＣデバイスとして有用である。
１ コイルアンテナ
２ 巻回軸
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ ＲＦＩＣデバイス
１１ ＲＦＩＣ素子
１２ 基板（保護層）
１３ 樹脂ブロック
１４ 接続導体（配線パターン）
１５ 回路基板
１６、１６ａ、１６ｂ 金属ピン
１７ 配線パターン（印刷）
１７ａ 第１配線パターン
１７ｂ 第２配線パターン
１７ｃ 第３配線パターン
１７ｄ 第４配線パターン（印刷）
１８、１８ａ、１８ｂ 配線パターン（めっき）
１９ 層間接続導体
２０ 第１保護層
２１ 第２保護層
２２、２２ａ 貫通穴
２３ 導電性接合材
２４ ランドパターン
２５ 研磨面
２６ 溝（スリット）
２７ 面取り部
２８ 断熱材
３０ 樹脂成型体
３１ 成型用金型
３２ ピンゲート（樹脂注入口）
３３ 成型用樹脂
３４ 樹脂流れ
３５ コイルアンテナの一端
３６ 第１入力端子
３７ コイルアンテナの他端
３８ 第２入力端子
５１ ＲＦＩＤタグ
５２ 成型用金型
５３ ピンゲート
５４ 成型用樹脂
５５ 樹脂流れ
２ 巻回軸
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ ＲＦＩＣデバイス
１１ ＲＦＩＣ素子
１２ 基板（保護層）
１３ 樹脂ブロック
１４ 接続導体（配線パターン）
１５ 回路基板
１６、１６ａ、１６ｂ 金属ピン
１７ 配線パターン（印刷）
１７ａ 第１配線パターン
１７ｂ 第２配線パターン
１７ｃ 第３配線パターン
１７ｄ 第４配線パターン（印刷）
１８、１８ａ、１８ｂ 配線パターン（めっき）
１９ 層間接続導体
２０ 第１保護層
２１ 第２保護層
２２、２２ａ 貫通穴
２３ 導電性接合材
２４ ランドパターン
２５ 研磨面
２６ 溝（スリット）
２７ 面取り部
２８ 断熱材
３０ 樹脂成型体
３１ 成型用金型
３２ ピンゲート（樹脂注入口）
３３ 成型用樹脂
３４ 樹脂流れ
３５ コイルアンテナの一端
３６ 第１入力端子
３７ コイルアンテナの他端
３８ 第２入力端子
５１ ＲＦＩＤタグ
５２ 成型用金型
５３ ピンゲート
５４ 成型用樹脂
５５ 樹脂流れ
Claims (13)
- 第１面と、前記第１面に対向する第２面とを備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有する樹脂ブロックと、
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられた、ＲＦＩＣデバイス。 - 前記コイルアンテナは、少なくともその一部が前記樹脂ブロックに埋設され、互いに対向して設けられた第１金属ピン及び第２金属ピンを含む、請求項１に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記樹脂ブロックは、多面体形状であって、互いに対向する面のうち最大面積の前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有する、請求項１又は２に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記第１面の法線方向から見たとき、前記貫通穴の巻回軸は、前記コイルアンテナの巻回軸から前記ＲＦＩＣ素子の存在しない側にオフセットして設けられている、請求項１から３のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記コイルアンテナは、前記第１面から第２面に向かうらせん状である、請求項１から４のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記コイルアンテナは、
前記樹脂ブロックの前記第１面及び第２面と交差する一端面側に設けられた第１パターン導体と、
前記一端面と対向する他端面側に設けられた接続導体と、
前記一端面側から前記他端面側に延び、前記第１パターン導体と前記接続導体とを接続し、互いに対向する２つの金属ピンと、
を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。 - 前記樹脂ブロックの前記第１面の端部から前記第２面の端部にわたる複数の溝を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記樹脂ブロックの前記第１面の端部及び前記第２面の端部は、面取りされている、請求項１から６のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記樹脂ブロックの周囲を覆う断熱材を有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記ＲＦＩＣデバイスは、射出成型用ＲＦＩＣデバイスである、請求項１から９のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。
- 前記樹脂ブロックは、複数の貫通穴を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載のＲＦＩＣデバイス。
- ＲＦＩＣデバイスと、
前記ＲＦＩＣデバイスを内部に含む樹脂と、
を有する樹脂成型体であって、
前記ＲＦＩＣデバイスは、
第１面と、前記第１面に対向する第２面とを備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通穴を有する樹脂ブロックと、
前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、
前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、前記第１面から前記第２面に向かう巻回軸を有するコイルアンテナと、
を備え、
前記貫通穴は、前記コイルアンテナの内側に設けられた、樹脂成型体。 - 貫通穴を有する樹脂ブロックと、前記樹脂ブロック内に埋設されたＲＦＩＣ素子と、前記樹脂ブロックに設けられ、前記ＲＦＩＣ素子と接続され、内側に前記貫通穴を有するコイルアンテナと、を備えたＲＦＩＣデバイスを、成型用金型内の樹脂の流れの上流側に対して前記貫通穴の開口が面するように前記成型用金型内に設置し、
前記成型用金型内に樹脂注入口から成型用樹脂を射出することによって、樹脂成型体に前記ＲＦＩＣデバイスを埋設する、ＲＦＩＣデバイスを含む樹脂成型体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015039316 | 2015-02-27 | ||
| JP2015039316 | 2015-02-27 | ||
| PCT/JP2016/051493 WO2016136335A1 (ja) | 2015-02-27 | 2016-01-20 | Ｒｆｉｃデバイス及びｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2016136335A1 true JPWO2016136335A1 (ja) | 2017-10-26 |
| JP6315145B2 JP6315145B2 (ja) | 2018-04-25 |
Family
ID=56789269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017501980A Active JP6315145B2 (ja) | 2015-02-27 | 2016-01-20 | Ｒｆｉｃデバイス及びｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10366321B2 (ja) |
| JP (1) | JP6315145B2 (ja) |
| CN (1) | CN207529410U (ja) |
| WO (1) | WO2016136335A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011118379A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | 株式会社村田製作所 | Ｒｆｉｄシステム |
| JP6477019B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2019-03-06 | 株式会社村田製作所 | Ｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法 |
| US10186492B1 (en) * | 2017-07-18 | 2019-01-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Package structure and manufacturing method thereof |
| JP6784342B2 (ja) * | 2018-05-01 | 2020-11-11 | 株式会社村田製作所 | 電子デバイスおよびそれを搭載した指紋認証装置 |
| CN109285441A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-29 | 惠州市浩明科技股份有限公司 | 防伪衣服标签结构 |
| JP6750758B1 (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-02 | 株式会社村田製作所 | Ｒｆｉｄタグ及びｒｆｉｄタグ付き物品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1074780A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Toshiba Chem Corp | 非接触データキャリアの製造方法 |
| JPH10328006A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-15 | Toshiba Chem Corp | 非接触データキャリア付き食器とその製造方法 |
| JP2007295177A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触データキャリア、非接触データキャリア用配線基板 |
| JP2008046671A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Omron Corp | Ｒｆｉｄタグ |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4313951B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2009-08-12 | モトローラ・インコーポレイテッド | 静電無線周波数識別タグ装置とこれに関連する方法 |
| US6424315B1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-07-23 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor chip having a radio-frequency identification transceiver |
| JP2002290131A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-10-04 | Mitsubishi Materials Corp | トランスポンダ用アンテナ |
| EP1411465B1 (en) * | 2001-06-19 | 2008-08-06 | Nippon Carbide Kogyo Kabushiki Kaisha | Retroreflective product in which integrated circuit is sealed |
| JP4944427B2 (ja) | 2005-11-09 | 2012-05-30 | 大成プラス株式会社 | Ｉｃタグの製造方法 |
| CN101401206B (zh) * | 2006-03-29 | 2011-04-13 | 京瓷株式会社 | 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法 |
| FR2962579A1 (fr) * | 2010-07-12 | 2012-01-13 | Ask Sa | Dispositif d'identification radio frequence en polycarbonate et son procede de fabrication |
| WO2013183552A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置及び通信端末機器 |
| JP5456935B1 (ja) * | 2013-10-30 | 2014-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
-
2016
- 2016-01-20 WO PCT/JP2016/051493 patent/WO2016136335A1/ja active Application Filing
- 2016-01-20 JP JP2017501980A patent/JP6315145B2/ja active Active
- 2016-01-20 CN CN201690000510.1U patent/CN207529410U/zh active Active
-
2017
- 2017-08-14 US US15/676,140 patent/US10366321B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1074780A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Toshiba Chem Corp | 非接触データキャリアの製造方法 |
| JPH10328006A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-15 | Toshiba Chem Corp | 非接触データキャリア付き食器とその製造方法 |
| JP2007295177A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触データキャリア、非接触データキャリア用配線基板 |
| JP2008046671A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Omron Corp | Ｒｆｉｄタグ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN207529410U (zh) | 2018-06-22 |
| WO2016136335A1 (ja) | 2016-09-01 |
| US10366321B2 (en) | 2019-07-30 |
| US20170344872A1 (en) | 2017-11-30 |
| JP6315145B2 (ja) | 2018-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6315145B2 (ja) | Ｒｆｉｃデバイス及びｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法 | |
| US10784929B2 (en) | Wireless IC device | |
| JP6222319B2 (ja) | 無線ｉｃデバイス、それを備えた樹脂成型体、それを備えた通信端末装置 | |
| US10122068B2 (en) | Wireless IC device, molded resin article, and method for manufacturing coil antenna | |
| EP3582593B1 (en) | Method of manufacturing a component carrier with a stepped cavity and a stepped component assembly being embedded within the stepped cavity | |
| US11284508B2 (en) | Semi-flex component carrier with dielectric material having high elongation and low young modulus | |
| US20160150650A1 (en) | Printed circuit board with electronic component embedded therein and method for manufacturing the same | |
| JP2018078133A (ja) | コイル内蔵ガラス基板およびビルドアップ基板 | |
| US9837343B2 (en) | Chip embedded substrate | |
| JP5930137B1 (ja) | 無線ｉｃデバイス、樹脂成型体およびその製造方法 | |
| KR102426202B1 (ko) | 인쇄회로기판 | |
| US20210287977A1 (en) | Component Carrier and Method of Manufacturing the Same | |
| JP6477019B2 (ja) | Ｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法 | |
| US20150179596A1 (en) | Semiconductor package | |
| JP2017135481A (ja) | コイルデバイスおよび無線ｉｃデバイス | |
| KR100575358B1 (ko) | 고분자 필름을 사용하여 형성된 인덕터 및 그 제조방법 | |
| JP6160796B1 (ja) | 無線通信デバイス及びその製造方法、並びに、樹脂成型体 | |
| WO2017141771A1 (ja) | 無線通信デバイス及びその製造方法、並びに、樹脂成型体 | |
| CN111952254A (zh) | 半导体装置封装和其制造方法 | |
| JP2018180807A (ja) | コイン形状のｉｃタグとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170804 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170804 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170804 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170822 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180312 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6315145 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |