KR100575358B1 - 고분자 필름을 사용하여 형성된 인덕터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
고분자 필름을 사용하여 형성된 인덕터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 인덕터는 상부 고분자 테이프와 하부 기판이 결합되어 형성된다. 상기 상부 고분자 테이프는 고분자 필름, 상기 고분자 필름 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 상부도전층 패턴들, 및 상기 상부도전층 패턴들의 양단의 하부에 상기 고분자 필름을 관통하여 형성된 도전성 콘택플러그(contact plug)로 구성된다. 상기 하부 기판은 기판 및 상기 기판 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 하부도전층 패턴들로 구성되며, 상기 하부도전층 패턴들과 상기 상부도전층 패턴들은 상기 도전성 콘택플러그를 통하여 전기적으로 연결되어 인덕터를 구성한다. 상기 고분자 필름 내부에는 마크네틱 코어가 내장되어 더 큰 인덕턴스를 갖도록 할 수 있다.
인덕터, 고분자필름, 마그네틱 코어, 콘택플러그, 범프
Description
도 1a 내지 도 1c는 종래기술에 따른 마이크로칩 기판에 형성하는 인덕터를 나타내는 도면들,
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 솔레노이드형 인덕터를 나타내는 도면들,
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 솔레노이드형 인덕터를 나타내는 도면들,
도 4a 내지 도 7a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상부 고분자 테이프 형성 공정을 나타내는 평면도들,
도 4b 내지 도 7b는 도 4a 내지 도 7a의 평면도를 선 A-A'로 취한 단면도들,
도 8a 내지 도 11a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 상부 고분자 테이프 형성 공정을 나타내는 평면도들,
도 8b 내지 도 11b는 도 8a 내지 도 11a의 평면도를 선 A-A'로 취한 단면도들,
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 고분자 테이프 형성 공정을 나타내는 단면도들,
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 상부 고분자 테이프 공정 형성 공정을 나타내는 평면도,
도 14a 내지 도 14d는 도 13의 평면도를 선 A-A'로 취한 공정 순서 단면도들,
도 15는 본 발명에 따른 하부기판을 나타내는 평면도,
도 16a 및 도 16b 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 하부기판 공정을 나타내는 단면도들, 및
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 하부기판 공정을 나타내는 단면도들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1, 15, 33 : 고분자필름 3, 13 : 상부도전층 패턴
7, 17, 27, 37 : 비아홀 9, 19, 29, 39 : 콘택플러그
11, 21, 31, 41 :범프 35 : 마그네틱 코어
42 : 기판 45, 51 : 하부도전층 패턴
47 : 절연층
본 발명은 인덕터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고분자 필름을 사용하여 형성된 인덕터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
인덕터는 정해진 인덕턴스를 유발할 수 있도록 만들어진 소자로 정의된다. 인덕턴스 값은 인덕터 주변에 많은 자기장이 형성될수록 커지게 되는데, 큰 인덕턴스 값을 얻기 위해서는 긴 도선의 길이가 필요하다. 또한, 인덕턴스는 선로길이에 비례할 뿐 아니라 상호 유도작용에도 비례하기 때문에, 좁은 공간 안에 선로를 최대한 잘 꼬아놓는식으로 만들어진다.
그런데, 인덕터를 마이크로칩 상에 패턴을 통해 형성하는 경우에 원하는 인덕턴스 값을 얻기 위해서는 선로를 길게 형성하여야 하는데, 공간적 제약이 있으므로 아래와 같은 세 가지 형태의 인덕터를 이용하고 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래기술에 따른 마이크로칩 기판에 형성하는 인덕터를 나타내는 도면들이다.
도 1a는 나선형 인덕터(spiral imductor)를 나타낸다. 나선형 인덕터는 많이 사용되는데, 그 이유는 한방향으로 동심원을 그리기 때문에 상호 인덕턴스(mutual inductance)에서 같은 방향으로 자기장이 더해져서 작은 크기로 큰 인덕턴스 값을 만들 수 있는 장점이 있기 때문이다. 다만, 대체로 손실(loss)이 심해서 사용에 주의를 기울여야 한다. 그리고 중앙부에서 외부 쪽으로 선로를 연결해야 하기 때문에 반드시 에어 브리지(air bridge)나 다층 선로를 이용해야 한다는 약점이 있다.
도 1b는 민더라인 인덕터(meander line inductor)를 나타낸다. 민더라인 인덕터는 에어 브리지가 필요없도록 뱀 처럼 꼬아놓은 것이다. 그런데, 민더라인 인덕터는 상호 인덕턴스가 서로 반대로 발생하기 때문에 서로 상쇄되어 크기에 비하여 높은 인덕턴스 값을 만들기 힘들다는 단점이 있다.
도 1c는 루프 인덕터(loop inductor)를 나타낸다. 루프 인덕터는 모양과 성능이 좋지 않기 때문에 많이 사용되지 않는다. 다만, 필터링(filtering) 특성이 있어서 가끔 사용된다.
이와 같이, 종래의 인덕터는 많은 문제점이 있으므로, 공정이 간단하면서도 인덕턴스의 값이 큰 인덕터가 요구되고 있다. 특히, 고밀도 고기능 전자기기의 요구와 고주파 이동통신의 필요성에 따라서 전자소자의 소형화, 집적화가 요구되면서 작은 공간에서 큰 인덕턴스를 갖는 인덕터가 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 고분자 필름을 사용하여 공정불량을 최소화하면서도 제조공정이 간단한 인덕터 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
또한, 기판 내장형 인덕터의 제조에 이용될 수 있으므로 전자부품의 소형화, 경량화가 가능한 인덕터 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 인덕터는 상부 고분자 테이프와 하부 기판이 결합되어 형성된다. 상기 상부 고분자 테이프는 고분자 필름, 상기 고분자 필름 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 상부도전층 패턴들, 및 상기 상부도전층 패턴들의 양단의 하부에 상기 고분자 필름을 관통하여 형성된 도전성 콘택플러그로 구성된다. 상기 하부 기판은 기판 및 상기 기판 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 하부도전층 패턴들로 구성되며, 상기 하부도전층 패턴들과 상기 상부도전층 패턴들은 상기 도전성 콘택플러그를 통하여 전기적으로 연결되어 인덕터를 구성한다.
본 발명에 있어서, 상기 고분자 필름 내부에는 마크네틱 코어가 내장되어 더 큰 인덕턴스를 갖도록 할 수 있다.
본 발명의 인덕터의 제조방법은 상부도전층 패턴이 형성된 상부 고분자 테이프와 하부도전층 패턴이 형성된 하부 기판을 각각 별도로 제조한 후에 이들을 정렬하여 결합하여 인덕터를 제조한다.
본 발명에 있어서, 상부 고분자 테이프 형성방법으로는 고분자필름을 준비하고, 상기 고분자필름 상에 바 형상의 상부도전층 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 상부도전층 패턴의 양단 하부에서 상기 고분자필름을 관통하는 도전성 콘택플러그를 형성한 후에 상기 콘택플러그 상에 범프를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 또 다른 고분자 테이프 형성방법으로는 금속호일(metal foil)을 준비하고 상기 금속호일 상에 고분자필름을 부착한다. 부착방법으로는 고분자필름을 도포하고 경화시키는 방법 또는 금속호일과 고분자필름을 접착제를 사용하여 부착하는 방법이 있다. 상기 금속호일을 패터닝하여 상부도전층 패턴을 형성한 후에, 상기 상부도전층 패턴의 양단 하부에서 상기 고분자필름을 관통하는 도전성 콘택플러그를 형성하고 상기 콘택플러그 상에 범프를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 하부 기판의 형성방법은 기판 상에 하부도전층을 형성하고 통상의 사진식각공정을 사용하여 하부도전층을 패터닝하여 하부도전층 패턴을 형성할 수 있다. 또는, 기판 상에 절연층을 형성하고 상기 절연층 내에 트렌치를 형성한 후에 상기 트렌치에 도전물질로 채워 하부도전층 패턴을 형성하는 방법을 사용할 수 있다.
상술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 솔레노이드형 인덕터(solenoid-type inductor)를 나타내는 평면도이며, 도 2b는 도 2a를 선 A-A'로 취한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 솔레노이드형 인덕터는 상부도전층 패턴(5)이 형성된 상부 고분자 테이프(X)와 하부도전층 패턴(51)이 형성된 하부 기판(Y)이 결합되어있다.
상기 상부 고분자 테이프(X)는 고분자 필름(1), 상기 고분자 필름(1) 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 상부도전층 패턴(5)들, 및 상기 상부도전층 패턴(5)들의 양단의 하부 상기 고분자 필름(1)을 관통하여 형성된 도전성 콘택플러그(9)로 구성되어있다.
상기 하부 기판(Y)은 기판(43), 상기 기판(43) 상에 형성된 절연층(47), 및 상기 절연층(47) 내에 형성된 일정각도로 기울어진 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 하부도전층 패턴(51)들로 구성되어 있다.
상기 상부 고분자 테이프(X)와 하부 기판(Y)이 결합하여 솔레노이드형 인덕터를 형성하며, 상기 상부도전층 패턴(5)들과 상기 하부도전층 패턴(51)들은 상기 도전성 콘택플러그(9)를 통하여 전기적으로 연결된다.
도 3a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 솔레노이드형 인덕터(solenoid-type inductor)를 나타내는 평면도이며, 도 3b는 도 2a를 선 A-A'로 취한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명에 따른 솔레노이드형 인덕터는 상부도전층 패턴(13)들이 형성된 상부 고분자 테이프(X)와 하부도전층 패턴(51)들이 형성된 하부 기판(Y)이 결합되어있다.
상기 상부 고분자 테이프(X)는 마그네틱 코어(35)가 내장된 고분자 필름(33), 상기 고분자 필름(33) 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 상부도전층 패턴(13)들, 및 상기 상부도전층 패턴(13)들의 양단 하부의 상기 고분자 필름(33)을 관통하여 형성된 도전성 콘택플러그(39)로 구성되어있다.
상기 하부 기판(Y)은 기판(43), 상기 기판(43) 상에 형성된 절연층(47), 및 상기 절연층(47) 내에 소정 각도로 기울어진 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 하부도전층 패턴(51)들로 구성되어 있다.
상기 상부 고분자 테이프(X)와 하부 기판(Y)이 결합하여 솔레노이드형 인덕터를 형성하며, 상기 상부도전층 패턴(13)들과 상기 하부도전층 패턴(51)들은 상기 도전성 콘택플러그(39)를 통하여 전기적으로 연결되어 있다.
제2 실시예는 상부 고분자 테이프(X)에 마그네틱 코어(35)가 내장되어 있는 점에서 제1 실시예와 차이점이 있으며, 이 경우 더 높은 인덕턴스 값을 얻을 수 있다.
이하, 상술한 솔레노이드형 인덕터의 제조방법을 설명한다.
본 발명의 인덕터 제조방법은 상부도전층(upper codnuctor layer) 패턴이 형 성되는 상부 고분자 테이프(X) 공정과 하부도전층(lower conductor layer) 패턴이 형성되는 하부기판 공정(Y)으로 구성되어 있다.
먼저, 상부도전층 패턴이 형성하는 상부 고분자 테이프(X) 공정의 네 가지 실시예를 설명한다.
도 4a내지 도 7a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상부 고분자 테이프 형성 공정을 나타내는 평면도들이고, 도 4b 내지 도 7b는 도 4a내지 도 7a의 평면도를 선 A-A'로 취한 단면도들이다.
본 발명의 제1 실시예는 전자패키징에서 사용되는 TAB(Tape Automated Bonding) 기술을 응용하여 인덕터를 기판 위에 쉽게 제조하는 기술이다. TAB은 금속이 증착된 유연한 고분자 필름(metallized flexible polymer tapes)을 이용하여 IC 칩을 패키징 하는 기술로써, 현재 LCD 패키징에 유용하게 사용되고 있다. TAB은 미세 피치(fine pitch)가 가능하고, 공정이 간편한 장점이 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 얇은 두께로 경화된 고분자 필름(1)을 준비한다. 상기 고분자 필름(1)은 폴리이미드를 사용할 수 있다. 이 밖에 다른 고분자 재료들, 예컨대 에폭시 글래스(epoxy-glass), 폴리에스테르(polyester), BT(bismaleimide trizane) 수지(resins) 등이 폴리이미드와 섞여서 또는 단독으로 사용될 수 있다. 보통, 고분자 필름은 릴 형태(reel type)로 감겨있기 때문에 열과 압력을 이용하여 고분자 필름의 곡률을 제거하는 평탄화 공정을 진행한다. 이어서, 평탄화된 고분자 필름을 진공 중에서 장시간 가열하여 침투되어 있던 수분을 제거하고, 그 일면에 플라즈마 처리를 한다. 이는 표면 개질 작업의 일환으로 플라즈마 처리를 하면 표면의 불순물 및 표면 거칠기가 증가되어 접착력이 향상되다고 알려져 있다. 상기 플라즈마 처리된 고분자 필름 상에 접착층(미도시)을 형성한다. 상기 접착층은 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti)을 스퍼터링 또는 전자빔(e-beam evaporation) 방법 등을 사용하여 형성할 수 있다. 설명하지 않은 도면부호 '3'은 필름 구멍을 나타낸다.
도 5a및 도 5b를 참조하면, 접착층이 형성된 고분자 필름(1) 상에 씨앗층(seed layer, 미도시)을 형성한다. 상기 씨앗층은 구리(Cu)로 형성할 수 있으며, 형성방법은 스퍼터링 또는 전자빔(e-beam evaporation) 방법 등을 사용할 수 있다. 이어서, 상기 씨앗층 상에 전기도금법을 사용하여 하부도전층(lower conductor)을 형성한다. 이어서, 통상적인 사진식각 공정을 사용하여 다수의 바(bar) 형태의 상부도전층 패턴(5)들을 형성한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 바 형태의 상부도전층 패턴(5)들의 양단에 접하고 있는 고분자필름(1)을 관통하는 비아홀(7)을 형성한다. 상기 비아홀(7) 형성 방법에는 정밀드릴가공 또는 사진식각공정 등의 방법이 될 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 상기 비아홀(7)을 도전물질로 채워서 비아 콘택플러그(9)를 형성한다. 상기 비아 콘택플러그(9)를 형성 방법은 전기도금법을 사용할 수 있다. 이어서, 상기 비아 콘택플러그(9) 상에 범프(bump, 11)를 형성할 수 있다. 상기 범프(11)는 이후에 설명할 하부도전층 패턴들과 전기적으로 연결되는 부분이다. 기판 공정에서 형성된 하부도전층 패턴들과의 접합 부위에서 접합성을 좋게 하기 위하여 비아 콘택플러그 위에 주석(tin), 금, 니켈-금, 솔더 등을 선택 적으로 도금(selective plating)하여 범프를 형성할 수 있다.
도 8a 내지 도 11a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 상부 고분자 테이프 형성 공정을 나타내는 평면도들이고, 도 8b 내지 도 11b는 도 8a내지 도 11a의 평면도를 선 A-A'로 취한 단면도들이다. 제2 실시예는 금속호일에 고분자필름을 코팅하는 방법이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 얇은 금속호일(13)을 준비한다. 상기 금속 호일(13)은 두께 18μm 내지 20μm 정도로 하며, 금속은 구리 또는 알루미늄이 바람직하다. 상기 금속호일(13) 상에 액체 고분자 필름(15)를 코팅한다. 상기 고분자필름(15) 재료로는 폴리이미드, 에폭시 글래스(epoxy-glass), 폴리에스테르(polyester), BT(bismaleimide trizane) 수지(resins) 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다. 이어서, 상기 고분자 필름(15)를 경화(curing)시킨다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 상기 고분자 필름(15) 부착된 금속호일(13)을 통상의 사진식각 공정을 이용하여 패터닝하여 바 형상의 다수의 상부도전층 패턴(13)들을 형성한다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 상기 상부도전층 패턴(13)들의 단부와 접하고 있는 고분자필름(15)을 관통하는 비아홀(17)을 형성한다. 상기 비아홀(17) 형성방법은 정밀드릴가공 또는 통상의 사진식각공정을 사용할 수 있다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 상기 비아홀(17) 내부에 도전성 물질로 채워서 비아 콘택플러그(19)를 형성한다. 이어서, 상기 비아 콘택플러그(19) 상에 범프(bump, 21)를 형성할 수 있다. 상기 범프(21)는 이후에 설명할 하부도전층 패턴들과 전기적으로 연결되는 부분이다. 기판 공정에서 형성되는 하부도전층 패턴들과의 접합부위의 접합성을 좋게 하기 위하여 비아 콘택플러그 위에 (Tin), 금, 니켈-금, 솔더 등을 선택적으로 도금(selective plating)하여 범프를 형성할 수 있다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 제3 실시예에 따른 상부 고분자 테이프를 형성하는 단면도들다. 제3 실시예는 제2 실시예가 금속 호일에 고분자 재료를 도포하여 경화시켜서 금속호일/고분자재료의 두층(2 layers)의 상부 고분자 테이프를 형성하는 반면에, 제3 실시예에서는 접착제를 사용하여 금속호일/접착제/고분자재료의 세층(3 layers)의 상부 고분자 테이프를 형성한다.
도 12a를 참조하면, 얇은 금속호일(13)과 얇은 고분자필름(25)을 유기 접착제(organic adhesive, 23)로 접착시킨다. 상기 유기 접착제(23)로는 수정된 에폭시(modified epoxy) 또는 페놀릭 부티럴(phenolic butyral) 등이 사용될 수 있다.
도 12b를 참조하면, 상기 금속호일(13)을 통상의 사진식각 공정을 이용하여 패터닝하여 바 형상의 다수의 상부도전층 패턴(13)들을 형성한다.
도 12c를 참조하면, 상기 상부도전층 패턴(13)들의 양단과 접하고 있는 고분자필름(25) 및 접착제(23)를 관통하는 비아홀(27)을 형성한다.
도 12d를 참조하면, 상기 비아홀(27) 내부에 도전성 물질로 채워서 비아 콘택플러그(29)를 형성하고, 상기 콘택플러그 상에 범프(31)를 형성한다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따라 형성된 상부 고분자 테이프의 평면도이고, 도 14a 내지 도 14d는 도 13의 평면도를 선 A-A'로 취한 공정 순서 단면도들이다.
도 14a 및 도 13을 참조하면, 마그네틱 코어(35)가 내장된 고분자필름(33)를 금속호일(13)에 부착한다.
도 14b 및 도 13을 참조하면, 상기 금속호일(13)을 통상의 사진식각 공정을 이용하여 패터닝하여 바 형상의 다수의 상부도전층 패턴(13)들을 형성한다.
도 14c 및 도 13을 참조하면, 상기 고분자필름(33)을 관통하는 비아홀(37)을 형성한다.
도 14d 및 도 13을 참조하면, 상기 비아홀(37) 내부에 도전성 물질로 채워서 비아 콘택플러그(39)를 형성하고, 상기 콘택플러그(39) 상에 범프(41)를 형성한다.
이하, 상술한 상부 고분자 테이프(X)와 결합하는 하부기판(Y)의 형성공정을 설명한다.
도 15는 본 발명에 따른 하부기판을 나타내는 평면도이며, 도 16a 및 도 16b 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 하부기판 형성공정을 나타내는 도면들이다.
도 16a 및 도 15를 참조하면, 기판(43) 상에 하부도전층(45)을 형성한다.
도 16b 및 도 15를 참조하면, 상기 하부도전층을 통상의 사진식각공정을 사용하여 소정 각도로 기울어진 다수의 바 형상의 하부도전층 패턴(45)들을 형성한다.
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 하부기판 형성공정을 나 타내는 도면들이다. 제2 실시예는 다마신 공정을 사용하여 하부기판을 형성하는 공정이다.
도 17a를 참조하면, 기판(43) 상에 절연층(47)을 형성한다.
도 17b를 참조하면, 통상의 사진식각공정을 사용하여 상기 절연층(47) 내에 하부도전층 패턴들이 형성될 트렌치(49)를 형성한다.
도 17c를 참조하면, 상기 절연층(47) 내에 형성된 트렌치(49)를 충분히 채우는 도전물질을 형성하고 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정으로 평탄화하여, 하부도전층 패턴(51)들을 형성한다.
이하, 상술한 고분자 테이프(X)와 하부기판(Y)을 결합하는 과정을 설명하다. 먼저, 하부기판(Y) 상에 상부 고분자 테이프(X)를 정렬(align)한다. 도 2a 및 도 3a를 참조하면, 하부기판(Y)의 하부도전층 패턴(51) 상에 상부 고분자 테이프(X)의 비아 콘택플러그(9, 39)가 일치하게 정렬한다. 이어서, 일정시간에 열과 압력을 가하여 상부 고분자 테이프(X)와 하부기판(Y)이 결합하여 솔레노이드형 인덕터를 완성한다.
도 2a 및 도 2b에 제시된 인덕터는 상부 고분자 테이프(X)을 제조하는 제1 실시예에 따른 상부 고분자 테이프(도 7b 참조)와 하부 기판을 제조하는 제2 실시예에 따른 하부기판(도 17c 참조)이 결합된 인덕터이다.
도 3a 및 도 3b에 제시된 인덕터는 상부 고분자 테이프(X)을 제조하는 제4 실시예에 따른 상부 고분자 테이프(도 14d 참조)과 하부 기판을 제조하는 제2 실시예에 따른 하부기판(도 17c 참조)가 결합된 인덕터이다.
이밖에도, 상술한 다양한 상부 고분자 테이프(X)와 상술한 하부 기판(Y)의 다양한 조합에 의하여 인덕터를 형성할 수 있음은 당업자에게 명확하다.
이와 같이 형성된 인덕터는 필요에 따라서는 개별화(singulation) 할 수 있다. 즉, 필요없는 부분을 잘라내어 기판상에 완전히 독립적인 인덕터를 형성할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 인덕터는 내장형 인덕터의 제조에 활용될 수 있다. 현재, 노트북컴퓨터, 휴대전화, PDA(Personal Digital Assistant) 등의 휴대용 전자기기들이 소형화, 경량화, 저가화되는 추세에 따라 관련 부품들의 소형화, 경량화가 치열하게 요구되고 있다. 이에 따라 각각의 부품을 개별적으로 소형화, 경량화 시키는 방법 이외에 여러 가지 부품을 하나의 모듈(module)로 만들거나 또는 실장밀도를 향상시키기 위하여 저항(resistor, R), 축전기(capacitor, C), 인덕터(inductor, L) 등의 수동소자들을 다층인쇄회로기판(multi-layered printed circuit board)에 내장시키는 기술이 개발되고 있다. 이러한 현재의 기술개발 추세에 따라서, 본 발명은 내장형 인덕터의 제조에 응용될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같이 이루어진 본 발명은, 하부 기판과 상부 고분자 테이프를 각기 따로 형성한 후에 결합함으로써 공정이 간단하고 공정불량을 최소화 할 수 있다.
또한, 미리 상부 고분자 테이프를 대량으로 형성한 후에, 하부 기판의 필요한 부위에 자동설비로 인덕터를 대량으로 형성할 수 있으므로 인덕터의 생산단가가 저렴해 질 수 있다.
또한, 기판 내장형 인덕터의 제조에도 이용할 수 있어, 전자부품의 소형화 경량화가 가능해진다.
Claims (10)
- 고분자 필름, 상기 고분자 필름 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 상부도전층 패턴들, 및 상기 상부도전층 패턴들의 양단의 하부에 상기 고분자 필름을 관통하여 형성된 도전성 콘택플러그로 구성된 상부 고분자 테이프; 및기판, 및 상기 기판 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 하부도전층 패턴들로 구성되는 하부기판을 포함하며, 상기 하부도전층 패턴들과 상기 상부도전층 패턴들은 상기 도전성 콘택플러그를 통하여 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 고분자 필름 내부에는 마크네틱 코어가 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 삭제
- 고분자 필름, 상기 고분자 필름 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 상부도전층 패턴들, 및 상기 상부도전층 패턴들의 양단 하부에서 상기 고분자 필름을 관통하는 도전성 콘택플러그를 포함하는 상부 고분자 테이프를 형성하는 단계;기판, 및 상기 기판 상에 바(bar) 형태로 소정 간격 이격되어 배치된 다수의 하부도전층 패턴들을 포함하는 하부기판을 형성하는 단계; 및상기 상부 고분자 테이프와 상기 하부 기판을 결합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 상부 고분자 테이프를 형성하는 단계는,고분자필름을 준비하는 단계;상기 고분자필름 상에 바 형상의 상부도전층 패턴을 형성하는 단계;상기 상부도전층 패턴 단부 하부의 상기 고분자필름을 관통하는 도전성 콘택플러그를 형성하는 단계; 및상기 콘택플러그 상에 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 상부 고분자 테이프를 형성하는 단계는,금속호일을 준비하는 단계;상기 금속호일 상에 고분자필름을 형성하는 단계;상기 금속호일을 패터닝하여 상부도전층 패턴을 형성하는 단계;상기 상부도전층 패턴 단부 하부의 상기 고분자필름을 관통하는 도전성 콘택플러그를 형성하는 단계; 및상기 콘택플러그 상에 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 고분자필름에는 마그네틱 코어가 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 금속호일 상에 고분자필름을 형성하는 단계는,상기 금속호일 상에 액상의 고분자필름을 도포하고 경화시켜서 형성하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 금속호일 상에 고분자필름을 형성하는 단계는,상기 금속호일과 고분자필름을 접착제를 사용하여 부착시키는 것을 특징으로하는 인덕터의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 하부 기판을 형성하는 단계는,기판 상에 하부도전층을 형성하는 단계; 및상기 하부도전층을 패터닝하여 하부도전층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 하부 기판을 형성하는 단계는,기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 내에 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 트렌치에 도전물질로 채워 하부도전층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
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